JPH11111168A - シャドウマスクの製造方法 - Google Patents
シャドウマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH11111168A JPH11111168A JP28914097A JP28914097A JPH11111168A JP H11111168 A JPH11111168 A JP H11111168A JP 28914097 A JP28914097 A JP 28914097A JP 28914097 A JP28914097 A JP 28914097A JP H11111168 A JPH11111168 A JP H11111168A
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- JP
- Japan
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- shadow mask
- electrolytic foil
- conductive substrate
- foil
- thickness
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電解箔を用いてシャドウマスクを製造する際
のハンドリング性や機械的強度を改良するシャドウマス
クの製造方法を提供する。 【解決手段】 導体基板を陰極として形成された電解箔
をフォトレジスト層を用いてパターニングを行い、エッ
チング処理を施してシャドウマスクを製造するに際し、
前記電解箔にエッチング処理を施してシャドウマスクの
形状を作製した後、該導体基板から前記シャドウマスク
を剥離することを特徴とするものであり、また前記電解
箔の厚さが１μｍ以上で５０μｍ以下とするシャドウマ
スクの製造方法を特徴とする。
のハンドリング性や機械的強度を改良するシャドウマス
クの製造方法を提供する。 【解決手段】 導体基板を陰極として形成された電解箔
をフォトレジスト層を用いてパターニングを行い、エッ
チング処理を施してシャドウマスクを製造するに際し、
前記電解箔にエッチング処理を施してシャドウマスクの
形状を作製した後、該導体基板から前記シャドウマスク
を剥離することを特徴とするものであり、また前記電解
箔の厚さが１μｍ以上で５０μｍ以下とするシャドウマ
スクの製造方法を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビジョンなど
のディスプレイ用のカラー受像管に用いられるジャドウ
マスクの製造方法に関するものである。
のディスプレイ用のカラー受像管に用いられるジャドウ
マスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般にシャドウマスクは、鋼板な
どの導体基板に形成された金属箔の上にフォトレジスト
層を形成した後、フォトリソグラフィー技術などによっ
てパターニング処理を施し、これによって生じた鋼板露
出部分を塩化第二鉄溶液でエッチング処理して多数の電
子ビーム通過孔やスリットなどを形成し、その後レジス
ト層を剥離除去するいわゆるエッチング法によって製造
されていた。
どの導体基板に形成された金属箔の上にフォトレジスト
層を形成した後、フォトリソグラフィー技術などによっ
てパターニング処理を施し、これによって生じた鋼板露
出部分を塩化第二鉄溶液でエッチング処理して多数の電
子ビーム通過孔やスリットなどを形成し、その後レジス
ト層を剥離除去するいわゆるエッチング法によって製造
されていた。
【０００３】しかし、高精度、高精密性の画面が要求さ
れる産業用ディスプレイ用やハイビジョン用のカラー受
像管に内装されるシャドウマスクなどにおいては、電子
ビーム通過部の孔径やスリット幅を該画面に対応して極
めて微細に形成することを要求され、また「トリニトロ
ン」（ソニー社製：商品名）には縦ストライプ状のスリ
ット形状のアパチャーグリルと呼ばれるシャドウマスク
が使用されるようになってきた。
れる産業用ディスプレイ用やハイビジョン用のカラー受
像管に内装されるシャドウマスクなどにおいては、電子
ビーム通過部の孔径やスリット幅を該画面に対応して極
めて微細に形成することを要求され、また「トリニトロ
ン」（ソニー社製：商品名）には縦ストライプ状のスリ
ット形状のアパチャーグリルと呼ばれるシャドウマスク
が使用されるようになってきた。
【０００４】このようなシャドウマスクで用いられてい
る金属箔は従来厚さが１００μｍ程度の圧延箔であり、
この厚さの金属箔では製造されたシャドウマスクは寸法
精度における不良発生率が高く、製品歩留りが低い。
る金属箔は従来厚さが１００μｍ程度の圧延箔であり、
この厚さの金属箔では製造されたシャドウマスクは寸法
精度における不良発生率が高く、製品歩留りが低い。
【０００５】そこで歩留り向上を目的とし、シャドウマ
スクを作製するための金属箔の薄膜化が進んでいる。そ
して上記した圧延箔では薄膜化に制限があるため、金属
箔の厚さを自由に制御できる電解箔を用いてシャドウマ
スクを得る方法が検討されていた。
スクを作製するための金属箔の薄膜化が進んでいる。そ
して上記した圧延箔では薄膜化に制限があるため、金属
箔の厚さを自由に制御できる電解箔を用いてシャドウマ
スクを得る方法が検討されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように電解箔を
用いてシャドウマスクを製造する場合、産業用ディスプ
レイ用やハイビジョン用のカラー受像管に内装されるシ
ャドウマスクは高精度、高精密性なものが要求されて十
数μｍ程度のファインパターンが必要であり、そのため
電解箔の厚さも１μｍ〜５０μｍ程度の薄膜でなければ
寸法精度の要求を満足させることはできない。しかしこ
のような薄膜では、ハンドリング性が非常に悪く、かつ
機械的強度が乏しくその改善が求められていた。
用いてシャドウマスクを製造する場合、産業用ディスプ
レイ用やハイビジョン用のカラー受像管に内装されるシ
ャドウマスクは高精度、高精密性なものが要求されて十
数μｍ程度のファインパターンが必要であり、そのため
電解箔の厚さも１μｍ〜５０μｍ程度の薄膜でなければ
寸法精度の要求を満足させることはできない。しかしこ
のような薄膜では、ハンドリング性が非常に悪く、かつ
機械的強度が乏しくその改善が求められていた。
【０００７】したがって本発明の目的は、電解箔を用い
てシャドウマスクを製造する際のハンドリング性や機械
的強度を改良するシャドウマスクの製造方法を提供する
ことである。
てシャドウマスクを製造する際のハンドリング性や機械
的強度を改良するシャドウマスクの製造方法を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するため鋭意研究した結果、電解箔自体に機械的強
度が乏しいためエッチング処理の際に断線などのような
破断が生じるということに着目し、導体基板を支持体と
してエッチング処理を施せば、前記破断が発生しないこ
とを見出だし本発明を完成するに至った。
達成するため鋭意研究した結果、電解箔自体に機械的強
度が乏しいためエッチング処理の際に断線などのような
破断が生じるということに着目し、導体基板を支持体と
してエッチング処理を施せば、前記破断が発生しないこ
とを見出だし本発明を完成するに至った。
【０００９】したがって前記課題を解決するため本発明
は、導体基板を陰極として形成された電解箔をフォトレ
ジスト層を用いてパターニングを行い、エッチング処理
を施してシャドウマスクを製造するに際し、前記電解箔
にエッチング処理を施してシャドウマスクの形状を作製
した後、該導体基板から前記シャドウマスクを剥離する
ことを特徴とするものであり、また前記電解箔の厚さは
１μｍ以上で５０μｍ以下とするシャドウマスクの製造
方法を特徴とするものである。
は、導体基板を陰極として形成された電解箔をフォトレ
ジスト層を用いてパターニングを行い、エッチング処理
を施してシャドウマスクを製造するに際し、前記電解箔
にエッチング処理を施してシャドウマスクの形状を作製
した後、該導体基板から前記シャドウマスクを剥離する
ことを特徴とするものであり、また前記電解箔の厚さは
１μｍ以上で５０μｍ以下とするシャドウマスクの製造
方法を特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】前記した通り本発明は、導体基板
を陰極として形成されたその厚さが１μｍ以上で５０μ
ｍ以下の電解箔をフォトレジスト層を用いてパターニン
グを行い、エッチング処理を施してシャドウマスクを製
造するに際し、前記電解箔にエッチング処理を施してシ
ャドウマスクの形状を作製した後、該導体基板から前記
シャドウマスクを剥離することを特徴とするものであ
る。
を陰極として形成されたその厚さが１μｍ以上で５０μ
ｍ以下の電解箔をフォトレジスト層を用いてパターニン
グを行い、エッチング処理を施してシャドウマスクを製
造するに際し、前記電解箔にエッチング処理を施してシ
ャドウマスクの形状を作製した後、該導体基板から前記
シャドウマスクを剥離することを特徴とするものであ
る。
【００１１】高精度、高精密性の画面が要求される産業
用ディスプレイ用やハイビジョン用のカラー受像管に内
装されるシャドウマスクは、スリット形成部分の鉄帯部
の幅が１００μｍ以下で、スリット部の幅が２５μｍ以
下のため、エッチング処理によりシャドウマスクの形状
を作製する際、薄い金属箔を用いなければ寸法精度よく
形状を形成することは困難である。本発明者らは従来使
用されていた圧延箔では金属箔を薄くすることには限界
があるため、自由にその厚さを制御できる電解箔を用い
てシャドウマスクを製造する方法について検討した。し
かし薄い電解箔はハンドリング性が悪く、特にエッチン
グ処理の際には破断などが生じてシャドウマスクの形状
を作製することは困難であった。
用ディスプレイ用やハイビジョン用のカラー受像管に内
装されるシャドウマスクは、スリット形成部分の鉄帯部
の幅が１００μｍ以下で、スリット部の幅が２５μｍ以
下のため、エッチング処理によりシャドウマスクの形状
を作製する際、薄い金属箔を用いなければ寸法精度よく
形状を形成することは困難である。本発明者らは従来使
用されていた圧延箔では金属箔を薄くすることには限界
があるため、自由にその厚さを制御できる電解箔を用い
てシャドウマスクを製造する方法について検討した。し
かし薄い電解箔はハンドリング性が悪く、特にエッチン
グ処理の際には破断などが生じてシャドウマスクの形状
を作製することは困難であった。
【００１２】通常シャドウマスクの製造は金属箔に、例
えばアルカリ現像型フォトレジストによるフォトレジス
ト層を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄溶液
などのでエッチング処理を施して、フォトレジスト層を
剥離して製品を得ているが、電解箔を用いたシャドウマ
スクの場合、前記電解箔が極めて薄膜であるので形状を
保つことが著しく困難であるため、ハンドリング性が非
常に悪かった。
えばアルカリ現像型フォトレジストによるフォトレジス
ト層を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄溶液
などのでエッチング処理を施して、フォトレジスト層を
剥離して製品を得ているが、電解箔を用いたシャドウマ
スクの場合、前記電解箔が極めて薄膜であるので形状を
保つことが著しく困難であるため、ハンドリング性が非
常に悪かった。
【００１３】そこで本発明では、電解箔を用いてシャド
ウマスクを製造する場合にエッチング処理に際して、前
記電解箔を形成するに当たり陰極となった導体基板を該
電解箔の支持体とすることによって前記ハンドリング性
を改良することができた。そして前記導体基板としては
耐薬品性に優れ、また電解箔を容易に剥離することがで
きるＳＵＳ ３０４、３１６のようなステンレス鋼、チ
タンなどを使用することが好ましい。
ウマスクを製造する場合にエッチング処理に際して、前
記電解箔を形成するに当たり陰極となった導体基板を該
電解箔の支持体とすることによって前記ハンドリング性
を改良することができた。そして前記導体基板としては
耐薬品性に優れ、また電解箔を容易に剥離することがで
きるＳＵＳ ３０４、３１６のようなステンレス鋼、チ
タンなどを使用することが好ましい。
【００１４】なお電解箔は前述の通りその厚さを容易に
制御できるが、その厚さは１μｍ〜５０μｍとすること
が好ましい。その厚さは１μｍ未満では所望の機械的強
度が得られず、一方５０μｍを超えると寸法精度の要求
を満足させることができないからである。
制御できるが、その厚さは１μｍ〜５０μｍとすること
が好ましい。その厚さは１μｍ未満では所望の機械的強
度が得られず、一方５０μｍを超えると寸法精度の要求
を満足させることができないからである。
【００１５】
実施例 導体基板として縦２００ｍｍ、横１５０ｍｍ、厚さ０．
３ｍｍのＳＵＳ ３０４からなるステンレス鋼を用い、
表１に示すめっき液組成およびめっき条件で該ステンレ
ス鋼板上に電気鉄めっきを行い、厚さ１５μｍのめっき
皮膜からなる電解箔を形成した。その後前記電解箔表面
にパターニング用アルカリ現像型フォトレジスト層を厚
さ１５μｍに塗布し、幅１５μｍ、間隔５０μｍのスリ
ットを持つ写真製板用マスクによりマスキングをして、
露光を行い、現像し、シャドウマスクのパターニングを
行った。その後、塩化第二鉄溶液によるエッチング処理
を行いシャドウマスクを形成した。その後、フォトレジ
スト層をアルカリ液で除去した。そして前記シャドウマ
スクを外的な応力での歪ませることにより前記導体基板
から剥離して、透過光でスリット部を検査した結果、断
線などは確認されなかった。
３ｍｍのＳＵＳ ３０４からなるステンレス鋼を用い、
表１に示すめっき液組成およびめっき条件で該ステンレ
ス鋼板上に電気鉄めっきを行い、厚さ１５μｍのめっき
皮膜からなる電解箔を形成した。その後前記電解箔表面
にパターニング用アルカリ現像型フォトレジスト層を厚
さ１５μｍに塗布し、幅１５μｍ、間隔５０μｍのスリ
ットを持つ写真製板用マスクによりマスキングをして、
露光を行い、現像し、シャドウマスクのパターニングを
行った。その後、塩化第二鉄溶液によるエッチング処理
を行いシャドウマスクを形成した。その後、フォトレジ
スト層をアルカリ液で除去した。そして前記シャドウマ
スクを外的な応力での歪ませることにより前記導体基板
から剥離して、透過光でスリット部を検査した結果、断
線などは確認されなかった。
【００１６】
【表１】 （めっき液組成） ＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏ ２．０１モル／リットル ＣａＣｌ２ １．６２モル／リットル サッカリン ９．１３ミリモル／リットル ＣＨ３（ＣＨ２）６ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ ０．３０ミリモル／リットル （めっき条件） 温度 ９０℃ 陰極電流密度 ５Ａ／ｄｍ２ 陽極 Ｐｔ 時間 ２０分
【００１７】比較例 実施例においてエッチング処理前に導体基板からのシャ
ドウマスクの剥離を行った以外は実施例と同様の手順で
シャドウマスクの製造を行った。得られたシャドウマス
クは、検査の結果、断線が確認された。
ドウマスクの剥離を行った以外は実施例と同様の手順で
シャドウマスクの製造を行った。得られたシャドウマス
クは、検査の結果、断線が確認された。
【００１８】
【発明の効果】以上述べた通り本発明による電解箔を用
いてシャドウマスクを製造する方法によれば、従来困難
であった薄膜状のシャドウマスクの製造が可能となり、
ハンドリング性に優れ、所望の機械的強度を有する品質
の信頼性の要求を満足させたシャドウマスクを得ること
ができるものである。
いてシャドウマスクを製造する方法によれば、従来困難
であった薄膜状のシャドウマスクの製造が可能となり、
ハンドリング性に優れ、所望の機械的強度を有する品質
の信頼性の要求を満足させたシャドウマスクを得ること
ができるものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 導体基板を陰極として形成された電解箔
をフォトレジスト層を用いてパターニングを行い、エッ
チング処理を施してシャドウマスクを製造するに際し、
前記電解箔にエッチング処理を施してシャドウマスクの
形状を作製した後、該導体基板から前記シャドウマスク
を剥離することを特徴とするシャドウマスクの製造方
法。 - 【請求項２】 前記電解箔の厚さは１μｍ以上で５０μ
ｍ以下とすることを特徴とする請求項１記載のシャドウ
マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28914097A JPH11111168A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | シャドウマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28914097A JPH11111168A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | シャドウマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111168A true JPH11111168A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17739279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28914097A Pending JPH11111168A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | シャドウマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111168A (ja) |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP28914097A patent/JPH11111168A/ja active Pending
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