JP2000173461A - アパチャーグリルの製造方法 - Google Patents
アパチャーグリルの製造方法Info
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- JP2000173461A JP2000173461A JP10349550A JP34955098A JP2000173461A JP 2000173461 A JP2000173461 A JP 2000173461A JP 10349550 A JP10349550 A JP 10349550A JP 34955098 A JP34955098 A JP 34955098A JP 2000173461 A JP2000173461 A JP 2000173461A
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- plating film
- slit
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- shaped
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 画面端部においても画像にハレーションが起
こらないアパチャーグリルの製造。 【解決手段】 レジスト層にスリット状のパターニング
を際す際に、スリット方向に垂直な方向に対して両方向
から導体基板表面に対して７０〜３０°の角度で、レジ
スト層の最適露光量の１０〜３０％の露光量あるいは最
適露光量の４０〜２００％の露光量で露光を行うことに
よってスリット部のパターニングを施し、露出した導体
基板部めっき皮膜を形成することによって、アパチャー
グリルのスリットを構成するテープ状めっき被膜のスリ
ット方向に垂直な断面を、ビーム照射面から蛍光面に向
かって狭まる幅と所定の厚さをもってほぼ台形に形成す
る、導体基面表面にレジスト層を形成し、該レジスト層
の中央部分にスリット状のパターニングを施した後、露
出した導体基板部上にめっき法でめっき被膜を形成し、
該導体基板から該めっき被膜を剥離する、アパチャーグ
リルの製造方法。
こらないアパチャーグリルの製造。 【解決手段】 レジスト層にスリット状のパターニング
を際す際に、スリット方向に垂直な方向に対して両方向
から導体基板表面に対して７０〜３０°の角度で、レジ
スト層の最適露光量の１０〜３０％の露光量あるいは最
適露光量の４０〜２００％の露光量で露光を行うことに
よってスリット部のパターニングを施し、露出した導体
基板部めっき皮膜を形成することによって、アパチャー
グリルのスリットを構成するテープ状めっき被膜のスリ
ット方向に垂直な断面を、ビーム照射面から蛍光面に向
かって狭まる幅と所定の厚さをもってほぼ台形に形成す
る、導体基面表面にレジスト層を形成し、該レジスト層
の中央部分にスリット状のパターニングを施した後、露
出した導体基板部上にめっき法でめっき被膜を形成し、
該導体基板から該めっき被膜を剥離する、アパチャーグ
リルの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はめっき法によってア
パチャーグリルを製造する方法に関するものである。
パチャーグリルを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、アパチャーグリルは、鋼板表面の
レジスト層にスリット状のパターニングを施した後、塩
化第二鉄溶液でエッチングを施してスリット部を形成
し、その後レジスト層を除去する、いわゆるエッチング
法によって製造されている。近年高精密、高精細ディス
プレイの要求が高くなっており、それに伴ってディスプ
レイ用のカラー受像管に内装するアパチャーグリルにも
高精細品が求められるようになってきた。しかし前記エ
ッチング法によるアパチャーグリルでは寸法精度におけ
る不良品の発生が多く、製品歩留まりが悪くなるといっ
た問題があった。
レジスト層にスリット状のパターニングを施した後、塩
化第二鉄溶液でエッチングを施してスリット部を形成
し、その後レジスト層を除去する、いわゆるエッチング
法によって製造されている。近年高精密、高精細ディス
プレイの要求が高くなっており、それに伴ってディスプ
レイ用のカラー受像管に内装するアパチャーグリルにも
高精細品が求められるようになってきた。しかし前記エ
ッチング法によるアパチャーグリルでは寸法精度におけ
る不良品の発生が多く、製品歩留まりが悪くなるといっ
た問題があった。
【０００３】このため最近では、めっき法によるアパチ
ャーグリルの製造が試みられている。このアパチャーグ
リルは、導体基板にレジスト層を形成しスリット状のパ
ターニングを施した後、露出した導体基板部に電気鉄め
っきを施し、その後該導体基板を外的な応力などにより
歪ませて、電気鉄めっき皮膜の端の部分を剥離し、その
部分よりめっき皮膜全体をはぎ取って製造される。
ャーグリルの製造が試みられている。このアパチャーグ
リルは、導体基板にレジスト層を形成しスリット状のパ
ターニングを施した後、露出した導体基板部に電気鉄め
っきを施し、その後該導体基板を外的な応力などにより
歪ませて、電気鉄めっき皮膜の端の部分を剥離し、その
部分よりめっき皮膜全体をはぎ取って製造される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしめっき法により
作製されたアパチャーグリルは、スリット部のテープ状
めっき皮膜の断面が長方形となっているため、ブラウン
管内に装着した時に画面端部の画像にハレーションが起
こる。この問題を解決するために、めっき皮膜作製後、
スリット部のテープ状めっき皮膜にエッチングを施して
いるが、エッチングによる寸法精度の低下や廃エッチン
グ液の廃液処理に手間がかかるという問題が生じた。
作製されたアパチャーグリルは、スリット部のテープ状
めっき皮膜の断面が長方形となっているため、ブラウン
管内に装着した時に画面端部の画像にハレーションが起
こる。この問題を解決するために、めっき皮膜作製後、
スリット部のテープ状めっき皮膜にエッチングを施して
いるが、エッチングによる寸法精度の低下や廃エッチン
グ液の廃液処理に手間がかかるという問題が生じた。
【０００５】本発明は、めっき法により作製されたアパ
チャーグリルを使用する際の上記した問題点を解決し、
画面端部においても画像にハレーションが起こらないア
パチャーグリルの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
チャーグリルを使用する際の上記した問題点を解決し、
画面端部においても画像にハレーションが起こらないア
パチャーグリルの製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、画面端部に
おいても画像にハレーションが起こらないアパチャーグ
リルについて種々検討した結果、レジスト層の最適露光
量の特定割合で該レジスト層を露光すればテープ状めっ
き皮膜のスリット方向に垂直な断面を、ビーム照射面か
ら蛍光面に向かって狭まる幅と所定の厚さをもつほぼ台
形に形成でき、また断面をほぼ台形とすることにより上
記問題点を解決することを見出し本発明を完成するに至
った。
おいても画像にハレーションが起こらないアパチャーグ
リルについて種々検討した結果、レジスト層の最適露光
量の特定割合で該レジスト層を露光すればテープ状めっ
き皮膜のスリット方向に垂直な断面を、ビーム照射面か
ら蛍光面に向かって狭まる幅と所定の厚さをもつほぼ台
形に形成でき、また断面をほぼ台形とすることにより上
記問題点を解決することを見出し本発明を完成するに至
った。
【０００７】すなわち本発明は、導体基板表面にレジス
ト層を形成し、該レジスト層の中央部分にスリット状の
パタ−ニングを施した後、露出した導体基板部上にめっ
き法でめっき皮膜を形成し、該導体基板から該めっき皮
膜を剥離してアパチャーグリルを製造する方法であっ
て、該レジスト層にスリット状のパターニングを施す際
に、前記スリット方向に垂直な方向に対して両方向から
導体基板表面に対して７０°〜３０°の角度で、レジス
ト層の最適露光量の１０％〜３０％の露光量あるいは最
適露光量の４０％〜２００％の露光量で露光を行うこと
によって、スリット部のパターニングを施し、露出した
導体基板部めっき皮膜を形成することによってアパチャ
ーグリルのスリットを構成するテープ状めっき皮膜のス
リット方向に垂直な断面を、ビーム照射面から蛍光面に
向かって狭まる幅と所定の厚さをもつほぼ台形に形成す
ることを特徴とするものであり、前記レジスト層の最適
露光量の１０％〜３０％の露光量で露光を行うことによ
って、前記レジスト層のスリット方向に垂直な断面が導
体基板表面に向かって狭まる幅をもつほぼ台形となるよ
うに成形してパターニングを施し、露出した導体基板表
面にめっき皮膜を形成することによって、前記テープ状
めっき皮膜のスリット方向に垂直な断面を、所定のほぼ
台形に形成するか、または、前記レジスト層の最適露光
量の４０％〜２００％の露光量で露光を行うことによっ
て、前記レジスト層のスリット方向に垂直な断面が導体
基板表面に向かって広がる幅をもつほぼ台形となるよう
成形してパターニングを施し、露出した導体基板表面に
めっき皮膜を形成することによって、前記テープ状めっ
き皮膜のスリット方向に垂直な断面を、所定のほぼ台形
に形成し、さらに前記めっき皮膜が、鉄、ニッケルある
いは鉄−ニッケル合金の少なくとも１種から選ばれた金
属で構成された単層あるいは複層のめっき皮膜であるア
パチャーグリルの製造方法を特徴とする。
ト層を形成し、該レジスト層の中央部分にスリット状の
パタ−ニングを施した後、露出した導体基板部上にめっ
き法でめっき皮膜を形成し、該導体基板から該めっき皮
膜を剥離してアパチャーグリルを製造する方法であっ
て、該レジスト層にスリット状のパターニングを施す際
に、前記スリット方向に垂直な方向に対して両方向から
導体基板表面に対して７０°〜３０°の角度で、レジス
ト層の最適露光量の１０％〜３０％の露光量あるいは最
適露光量の４０％〜２００％の露光量で露光を行うこと
によって、スリット部のパターニングを施し、露出した
導体基板部めっき皮膜を形成することによってアパチャ
ーグリルのスリットを構成するテープ状めっき皮膜のス
リット方向に垂直な断面を、ビーム照射面から蛍光面に
向かって狭まる幅と所定の厚さをもつほぼ台形に形成す
ることを特徴とするものであり、前記レジスト層の最適
露光量の１０％〜３０％の露光量で露光を行うことによ
って、前記レジスト層のスリット方向に垂直な断面が導
体基板表面に向かって狭まる幅をもつほぼ台形となるよ
うに成形してパターニングを施し、露出した導体基板表
面にめっき皮膜を形成することによって、前記テープ状
めっき皮膜のスリット方向に垂直な断面を、所定のほぼ
台形に形成するか、または、前記レジスト層の最適露光
量の４０％〜２００％の露光量で露光を行うことによっ
て、前記レジスト層のスリット方向に垂直な断面が導体
基板表面に向かって広がる幅をもつほぼ台形となるよう
成形してパターニングを施し、露出した導体基板表面に
めっき皮膜を形成することによって、前記テープ状めっ
き皮膜のスリット方向に垂直な断面を、所定のほぼ台形
に形成し、さらに前記めっき皮膜が、鉄、ニッケルある
いは鉄−ニッケル合金の少なくとも１種から選ばれた金
属で構成された単層あるいは複層のめっき皮膜であるア
パチャーグリルの製造方法を特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は上記したようにめっき法
を用いてアパチャーグリルを製造するに際して、導体基
板表面のレジスト層にパターニングを施す際に、スリ
ット方向に垂直な方向に対して両方向から導体基板表面
に対して７０°〜３０°の角度で、レジスト層の最適露
光量の１０％〜３０％の露光量で露光を行うことによっ
て、スリット部を形成するレジスト層のスリット方向に
垂直な断面が導体基板表面に向かって狭まる幅をもつほ
ぼ台形となるよう成形してパターニングを施し、あるい
はスリット方向に垂直な方向に対して両方向から導体
基板表面に対して７０°〜３０°の角度で、レジストの
最適露光量の４０％〜２００％の露光量で露光を行うこ
とによって、スリット部を形成するレジスト層のスリッ
ト方向に垂直な断面が導体基板表面に向かって広がる幅
をもつほぼ台形となるように成形してパターニングを施
し、露出した導体基板表面にめっき皮膜を形成すること
によって、アパチャーグリルのスリットを構成するテー
プ状めっき皮膜のスリット方向に垂直な断面を、ビーム
照射面から蛍光面に向かって狭まる幅と所定の厚さをも
つほぼ台形に形成することを要旨とするものである。こ
れによりスリット部のテープ状めっき皮膜にエッチング
を施すことなく、画面端部においても画像にハレーショ
ンが起こらないアパチャーグリルを提供することが可能
となる。
を用いてアパチャーグリルを製造するに際して、導体基
板表面のレジスト層にパターニングを施す際に、スリ
ット方向に垂直な方向に対して両方向から導体基板表面
に対して７０°〜３０°の角度で、レジスト層の最適露
光量の１０％〜３０％の露光量で露光を行うことによっ
て、スリット部を形成するレジスト層のスリット方向に
垂直な断面が導体基板表面に向かって狭まる幅をもつほ
ぼ台形となるよう成形してパターニングを施し、あるい
はスリット方向に垂直な方向に対して両方向から導体
基板表面に対して７０°〜３０°の角度で、レジストの
最適露光量の４０％〜２００％の露光量で露光を行うこ
とによって、スリット部を形成するレジスト層のスリッ
ト方向に垂直な断面が導体基板表面に向かって広がる幅
をもつほぼ台形となるように成形してパターニングを施
し、露出した導体基板表面にめっき皮膜を形成すること
によって、アパチャーグリルのスリットを構成するテー
プ状めっき皮膜のスリット方向に垂直な断面を、ビーム
照射面から蛍光面に向かって狭まる幅と所定の厚さをも
つほぼ台形に形成することを要旨とするものである。こ
れによりスリット部のテープ状めっき皮膜にエッチング
を施すことなく、画面端部においても画像にハレーショ
ンが起こらないアパチャーグリルを提供することが可能
となる。
【０００９】本発明において、スリット方向に垂直な方
向に対して両方向から導体表面に対して７０°〜３０°
の角度で、レジスト層の最適露光量の１０％〜３０％の
露光量で露光を行うことにした理由は、前記レジスト層
への露光量をレジスト層の最適露光量の１０％未満とし
た場合には、レジスト層の硬化不足によりレジスト層が
流れてしまい、一方露光量が３０％を超えるとレジスト
層が完全に硬化してしまい、スリット部を形成するレジ
スト層のスリット方向に垂直な断面が導体表面に向かっ
て狭まる幅をもつほぼ台形形状が得られないからであ
る。
向に対して両方向から導体表面に対して７０°〜３０°
の角度で、レジスト層の最適露光量の１０％〜３０％の
露光量で露光を行うことにした理由は、前記レジスト層
への露光量をレジスト層の最適露光量の１０％未満とし
た場合には、レジスト層の硬化不足によりレジスト層が
流れてしまい、一方露光量が３０％を超えるとレジスト
層が完全に硬化してしまい、スリット部を形成するレジ
スト層のスリット方向に垂直な断面が導体表面に向かっ
て狭まる幅をもつほぼ台形形状が得られないからであ
る。
【００１０】また本発明において、スリット方向に垂直
な方向に対して両方向から導体表面に対して７０°〜３
０°の角度で、レジスト層の最適露光量の４０％〜２０
０％の露光量で露光を行うことにした理由は、前記レジ
スト層への露光量をレジスト層の最適露光量の４０％未
満とした場合には、レジスト層の硬化不足により、スリ
ット部を形成するレジスト層のスリット方向に垂直な断
面が導体表面に向かって広がる幅をもつほぼ台形形状が
得られず、一方露光量が２００％を超えると過露光によ
ってレジスト層の解像度が低下してしまうからである。
なお本発明において断面形状をほぼ台形としなければな
らない理由はハレーションを防止するためにであり、ま
たレジスト層の最適露光量は、使用するレジストの種類
や形成するパターンの違いによって変化するが、一般的
には８０ｍＪ／ｃｍ〜１２０ｍＪ／ｃｍである。
な方向に対して両方向から導体表面に対して７０°〜３
０°の角度で、レジスト層の最適露光量の４０％〜２０
０％の露光量で露光を行うことにした理由は、前記レジ
スト層への露光量をレジスト層の最適露光量の４０％未
満とした場合には、レジスト層の硬化不足により、スリ
ット部を形成するレジスト層のスリット方向に垂直な断
面が導体表面に向かって広がる幅をもつほぼ台形形状が
得られず、一方露光量が２００％を超えると過露光によ
ってレジスト層の解像度が低下してしまうからである。
なお本発明において断面形状をほぼ台形としなければな
らない理由はハレーションを防止するためにであり、ま
たレジスト層の最適露光量は、使用するレジストの種類
や形成するパターンの違いによって変化するが、一般的
には８０ｍＪ／ｃｍ〜１２０ｍＪ／ｃｍである。
【００１１】本発明においてレジスト層への露光は、ス
リット方向に垂直な方向に対して７０°〜３０°の角度
をもって、両方向から行う必要があるが、同時に両方向
から露光しても、また片方向ずつ露光しても差支えな
く、また露光角度を７０°〜３０°とした理由は、角度
が７０°を超えると画面端部にハレーションが生じてし
まい、一方３０°未満の角度では紫外線のマスク表面で
の反射によってパターニングができなくなるからであ
り、さらにそして本発明で用いられるレジスト層は特に
限定されず、ドライフィルムレジスト、液状レジストな
どを使用することができ、また用いられる写真製版用マ
スクは特に限定されずフィルムマスク、ガラスマスクな
どを適宜選択して使用することができる。
リット方向に垂直な方向に対して７０°〜３０°の角度
をもって、両方向から行う必要があるが、同時に両方向
から露光しても、また片方向ずつ露光しても差支えな
く、また露光角度を７０°〜３０°とした理由は、角度
が７０°を超えると画面端部にハレーションが生じてし
まい、一方３０°未満の角度では紫外線のマスク表面で
の反射によってパターニングができなくなるからであ
り、さらにそして本発明で用いられるレジスト層は特に
限定されず、ドライフィルムレジスト、液状レジストな
どを使用することができ、また用いられる写真製版用マ
スクは特に限定されずフィルムマスク、ガラスマスクな
どを適宜選択して使用することができる。
【００１２】さらに本発明のめっき皮膜は、鉄、ニッケ
ルあるいは鉄−ニッケル合金の少なくとも１種から選ば
れた金属で構成された単層あるいは複層のめっき皮膜と
することが好ましい。
ルあるいは鉄−ニッケル合金の少なくとも１種から選ば
れた金属で構成された単層あるいは複層のめっき皮膜と
することが好ましい。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例について説明する。 （実施例１）導体基板に縦３００ｍｍ、横４００ｍｍ、
厚さ０．３ｍｍのステンレス鋼板を用い、そのステンレ
ス鋼板表面に厚さ３０μｍのドライフィルムレジストＡ
Ｑ−３０５８（旭化成社製：商品名）を塗布し、幅２０
０μｍ、間隔５０μｍ、縦方向長さ２５０ｍｍのスリッ
トを持つ写真製版用マスクを載置した後、前記レジスト
層をスリット方向に垂直な方向に導体基板から６０°の
角度で片方ずつ順番に露光し、その後現像してパターニ
ングを行った。
厚さ０．３ｍｍのステンレス鋼板を用い、そのステンレ
ス鋼板表面に厚さ３０μｍのドライフィルムレジストＡ
Ｑ−３０５８（旭化成社製：商品名）を塗布し、幅２０
０μｍ、間隔５０μｍ、縦方向長さ２５０ｍｍのスリッ
トを持つ写真製版用マスクを載置した後、前記レジスト
層をスリット方向に垂直な方向に導体基板から６０°の
角度で片方ずつ順番に露光し、その後現像してパターニ
ングを行った。
【００１４】上記の作製工程において、 ア）露光量８ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の９％） イ）露光量１６ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の２０％） ウ）露光量２５ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の３１％） でレジスト層の露光を行い、各露光量のスリット部のレ
ジスト層の断面形状を観察したところ、ア）ではレジス
ト層が流れてしまった。一方イ）では導体基板表面に向
かって狭まる幅を持つほぼ台形断面のレジスト層が得ら
れ、またウ）では横長の長方形断面のレジスト層が得ら
れた。
ジスト層の断面形状を観察したところ、ア）ではレジス
ト層が流れてしまった。一方イ）では導体基板表面に向
かって狭まる幅を持つほぼ台形断面のレジスト層が得ら
れ、またウ）では横長の長方形断面のレジスト層が得ら
れた。
【００１５】つぎに、イ）、ウ）の条件を用いてパター
ニングまで行った後、それぞれの露出した導体表面に、
表１に示すめっき液組成および条件で電気鉄めっきを行
い、その後表２に示すめっき液組成および条件でニッケ
ルを析出させた後、再度表１に示す条件で鉄を析出させ
た。
ニングまで行った後、それぞれの露出した導体表面に、
表１に示すめっき液組成および条件で電気鉄めっきを行
い、その後表２に示すめっき液組成および条件でニッケ
ルを析出させた後、再度表１に示す条件で鉄を析出させ
た。
【００１６】
【表１】めっき液組成および条件 （液組成） ＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏ ２．０１Ｍ ＣａＣｌ２ １．６２Ｍ サッカリン ９．１３ｍＭ ドデシル硫酸ナトリウム ０．３０ｍＭ （めっき条件） 温度 ９０℃ 陰極電流密度 ５Ａ／ｄｍ２ 陽極 Ｐｔ ｐＨ １ めっき膜厚 １０μｍ
【００１７】
【表２】めっき液組成および条件 （液組成） スルファミン酸ニッケル １．６０Ｍ 塩化ニッケル ０．１５Ｍ ほう酸 ０．６５Ｍ ドデシル硫酸ナトリウム １．５０ｍＭ （めっき条件） 温度 ５０℃ 陰極電流密度 ３Ａ／ｄｍ２ 陽極 Ｐｔ ｐＨ ４ めっき膜厚 １０μｍ
【００１８】上記方法により得られたイ）のアパチャー
グリルをブラウン管内に装着し、映像を写したところ、
画面端部において画像にハレーションが起こることなく
鮮明な画像が得られた。しかしウ）のアパチャーグリル
では、画面端部において画像にハレーションが起こり、
鮮明な画像は得られなかった。
グリルをブラウン管内に装着し、映像を写したところ、
画面端部において画像にハレーションが起こることなく
鮮明な画像が得られた。しかしウ）のアパチャーグリル
では、画面端部において画像にハレーションが起こり、
鮮明な画像は得られなかった。
【００１９】（実施例２）実施例１と同様にしてレジス
ト層を形成し、かつ実施例１と同様な写真製版用マスク
を載置した後、実施例１と同様な手順でレジスト層を露
光し、現像してパターニングを行った。上記の作製工程
において、 エ）露光量２８ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の３５％） オ）露光量４０ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の５０％） カ）露光量１７６ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の２２０％） でレジスト層の露光を行い、各露光量のスリット部のレ
ジスト層の断面形状を観察したところ、エ）では横長の
長方形断面のレジスト層が得られ、またオ）では導体基
板表面に向かって広がる幅を持つほぼ台形断面のレジス
ト層が得られたが、カ）では現像不可であった。
ト層を形成し、かつ実施例１と同様な写真製版用マスク
を載置した後、実施例１と同様な手順でレジスト層を露
光し、現像してパターニングを行った。上記の作製工程
において、 エ）露光量２８ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の３５％） オ）露光量４０ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の５０％） カ）露光量１７６ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の２２０％） でレジスト層の露光を行い、各露光量のスリット部のレ
ジスト層の断面形状を観察したところ、エ）では横長の
長方形断面のレジスト層が得られ、またオ）では導体基
板表面に向かって広がる幅を持つほぼ台形断面のレジス
ト層が得られたが、カ）では現像不可であった。
【００２０】つぎに、エ）、オ）の条件を用いてパター
ニングまで行った後、それぞれの露出した導体表面に、
上記表１に示すめっき液組成および条件で電気鉄めっき
を行い、その後上記表２に示すめっき液組成および条件
でニッケルを析出させた後、再度上記表１に示す条件で
鉄を析出させた。
ニングまで行った後、それぞれの露出した導体表面に、
上記表１に示すめっき液組成および条件で電気鉄めっき
を行い、その後上記表２に示すめっき液組成および条件
でニッケルを析出させた後、再度上記表１に示す条件で
鉄を析出させた。
【００２１】上記方法により得られたオ）のアパチャー
グリルをブラウン管内に装着し、映像を写したところ、
画面端部において画像にハレーションが起こることなく
鮮明な画像が得られた。しかしエ）のアパチャーグリル
では、画面端部において画像にハレーションが起こり、
鮮明な画像は得られなかった。
グリルをブラウン管内に装着し、映像を写したところ、
画面端部において画像にハレーションが起こることなく
鮮明な画像が得られた。しかしエ）のアパチャーグリル
では、画面端部において画像にハレーションが起こり、
鮮明な画像は得られなかった。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた通り本発明により製造された
アパチャーグリルによれば、該アパチャーグリルをブラ
ウン管に装着し映像を写したところ、画面の端部におい
てハレーションを起こすことなく鮮明な映像を得ること
ができるので、その工業的な効果は大きい。
アパチャーグリルによれば、該アパチャーグリルをブラ
ウン管に装着し映像を写したところ、画面の端部におい
てハレーションを起こすことなく鮮明な映像を得ること
ができるので、その工業的な効果は大きい。
Claims (4)
- 【請求項１】 導体基板表面にレジスト層を形成し、該
レジスト層の中央部分にスリット状のパタ−ニングを施
した後、露出した導体基板部上にめっき法でめっき皮膜
を形成し、該導体基板から該めっき皮膜を剥離してアパ
チャーグリルを製造する方法であって、該レジスト層に
スリット状のパターニングを施す際に、前記スリット方
向に垂直な方向に対して両方向から導体基板表面に対し
て７０°〜３０°の角度で、レジスト層の最適露光量の
１０％〜３０％の露光量あるいは最適露光量の４０％〜
２００％の露光量で露光を行うことによってスリット部
のパターニングを施し、露出した導体基板部めっき皮膜
を形成することによって、アパチャーグリルのスリット
を構成するテープ状めっき皮膜のスリット方向に垂直な
断面を、ビーム照射面から蛍光面に向かって狭まる幅と
所定の厚さをもつほぼ台形に形成することを特徴とする
アパチャーグリルの製造方法。 - 【請求項２】 前記レジスト層の最適露光量の１０％〜
３０％の露光量で露光を行うことによって、前記レジス
ト層のスリット方向に垂直な断面が導体基板表面に向か
って狭まる幅をもつほぼ台形となるように成形してパタ
ーニングを施し、露出した導体基板表面にめっき皮膜を
形成することによって、前記テープ状めっき皮膜のスリ
ット方向に垂直な断面を、所定のほぼ台形に形成するこ
とを特徴とする請求項１記載のアパチャーグリルの製造
方法。 - 【請求項３】 前記レジスト層の最適露光量の４０％〜
２００％の露光量で露光を行うことによって、前記レジ
スト層のスリット方向に垂直な断面が導体基板表面に向
かって広がる幅をもつほぼ台形となるよう成形してパタ
ーニングを施し、露出した導体基板表面にめっき皮膜を
形成することによって、前記テープ状めっき皮膜のスリ
ット方向に垂直な断面を、所定のほぼ台形に形成するこ
とを特徴とする請求項１記載のアパチャーグリルの製造
方法。 - 【請求項４】 前記めっき皮膜が、鉄、ニッケルあるい
は鉄−ニッケル合金の少なくとも１種から選ばれた金属
で構成された単層あるいは複層のめっき皮膜であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のアパチ
ャーグリルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10349550A JP2000173461A (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | アパチャーグリルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10349550A JP2000173461A (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | アパチャーグリルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173461A true JP2000173461A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18404485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10349550A Pending JP2000173461A (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | アパチャーグリルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173461A (ja) |
-
1998
- 1998-12-09 JP JP10349550A patent/JP2000173461A/ja active Pending
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