JP2000182515A - アパチャーグリルの製造方法 - Google Patents
アパチャーグリルの製造方法Info
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- JP2000182515A JP2000182515A JP10353662A JP35366298A JP2000182515A JP 2000182515 A JP2000182515 A JP 2000182515A JP 10353662 A JP10353662 A JP 10353662A JP 35366298 A JP35366298 A JP 35366298A JP 2000182515 A JP2000182515 A JP 2000182515A
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- Japan
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- resist layer
- resist
- conductor
- slit
- plating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハレーション防止のためにスリット部と
なるテープ状めっき被膜にエッチングを施すという操作
を必要としないアパチャーグリルの製造方法の提供を目
的とするものである。 【解決手段】 導体表面にレジスト層を設け、レジスト
層をパターニングしてスリット状のマスクを形成し、露
出した導体表面に金属めっきを施し、レジスト層を剥離
し、金属めっき被膜を剥離してアパチャーグリルを製造
する方法において、レジスト層にスリットパターンを形
成する際に、例えばレジスト層への露光量を制限し、現
像後のレジスト層に、スリット部を形成するレジスト層
断面が、レジスト層表面から導体層表面に向かって幅が
狭まり、両側辺がほぼ等しい台形状となるようにする。
なるテープ状めっき被膜にエッチングを施すという操作
を必要としないアパチャーグリルの製造方法の提供を目
的とするものである。 【解決手段】 導体表面にレジスト層を設け、レジスト
層をパターニングしてスリット状のマスクを形成し、露
出した導体表面に金属めっきを施し、レジスト層を剥離
し、金属めっき被膜を剥離してアパチャーグリルを製造
する方法において、レジスト層にスリットパターンを形
成する際に、例えばレジスト層への露光量を制限し、現
像後のレジスト層に、スリット部を形成するレジスト層
断面が、レジスト層表面から導体層表面に向かって幅が
狭まり、両側辺がほぼ等しい台形状となるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアパチャーグリルの
製造方法に関し、特にめっき法によるアパチャーグリル
の製造方法に関する。
製造方法に関し、特にめっき法によるアパチャーグリル
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、アパチャーグリルはエッチング法
により製造されている。このエッチング法とは、鋼板表
面にレジスト層を設け、このレジスト層にスリット状の
パターンを形成した後、塩化第二鉄溶液を用いて露出し
ている鋼板部分をでエッチング除去してスリットを形成
し、その後レジスト層を除去してアパチャーグリルを製
造するものである。近年、高精密、高精細ディスプレイ
の要求が高くなっており、それに伴ってディスプレイ用
のカラー受像管に内装するアパチャーグリルにも高精細
品が求められるようになった。その結果、エッチング法
により得られるアパチャーグリルでは、エッチング時に
発生する、僅かな過剰エッチングや僅かな過少エッチン
グによるスリット幅寸法の僅かなブレが問題とされ、寸
法精度不良として製品歩留まりを悪化させるという問題
が出てきている。
により製造されている。このエッチング法とは、鋼板表
面にレジスト層を設け、このレジスト層にスリット状の
パターンを形成した後、塩化第二鉄溶液を用いて露出し
ている鋼板部分をでエッチング除去してスリットを形成
し、その後レジスト層を除去してアパチャーグリルを製
造するものである。近年、高精密、高精細ディスプレイ
の要求が高くなっており、それに伴ってディスプレイ用
のカラー受像管に内装するアパチャーグリルにも高精細
品が求められるようになった。その結果、エッチング法
により得られるアパチャーグリルでは、エッチング時に
発生する、僅かな過剰エッチングや僅かな過少エッチン
グによるスリット幅寸法の僅かなブレが問題とされ、寸
法精度不良として製品歩留まりを悪化させるという問題
が出てきている。
【０００３】このため、最近では、めっき法によるアパ
チャーグリルの製造が試みられている。このめっき法
は、チタン板や、ステンレス板などの導体にレジスト層
を設け、パターニングによりスリット状のパターンを形
成し、露出した導体部に電気鉄めっきを施し、その後導
体に外的応力を与えて歪ませて、電気鉄めっき被膜の端
の部分を剥離し、その部分より電気鉄めっき被膜全体を
剥離してアパチャーグリルを製造するものである。
チャーグリルの製造が試みられている。このめっき法
は、チタン板や、ステンレス板などの導体にレジスト層
を設け、パターニングによりスリット状のパターンを形
成し、露出した導体部に電気鉄めっきを施し、その後導
体に外的応力を与えて歪ませて、電気鉄めっき被膜の端
の部分を剥離し、その部分より電気鉄めっき被膜全体を
剥離してアパチャーグリルを製造するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記めっき法
により作製されたアパチャーグリルは、スリット部のテ
ープ状めっき被膜断面が長方形となっているため、その
ままブラウン管内に装着すると、画面両端部では、電子
線がテープ状めっき被膜の側面部に当たり、反射されて
所定位置以外の蛍光体に当たるため、画像にハレーショ
ンが起こる。この問題を解決するために、電気鉄めっき
被膜作製後、スリット部となるテープ状めっき被膜にエ
ッチングを施しているが、エッチングによる寸法精度の
低下や廃エッチング液の廃液処理に手間がかかるという
問題を生じている。本発明は、めっき法により作製され
たアパチャーグリルを使用する際の上記した問題点を解
決し、画面両端部における画像のハレーションを防止し
うるアパチャーグリルの製造方法の提供を目的とするも
のである。
により作製されたアパチャーグリルは、スリット部のテ
ープ状めっき被膜断面が長方形となっているため、その
ままブラウン管内に装着すると、画面両端部では、電子
線がテープ状めっき被膜の側面部に当たり、反射されて
所定位置以外の蛍光体に当たるため、画像にハレーショ
ンが起こる。この問題を解決するために、電気鉄めっき
被膜作製後、スリット部となるテープ状めっき被膜にエ
ッチングを施しているが、エッチングによる寸法精度の
低下や廃エッチング液の廃液処理に手間がかかるという
問題を生じている。本発明は、めっき法により作製され
たアパチャーグリルを使用する際の上記した問題点を解
決し、画面両端部における画像のハレーションを防止し
うるアパチャーグリルの製造方法の提供を目的とするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、導体表面にレジスト層を設け、レジスト層をパタ
ーニングしてスリット状のマスクを形成し、露出した導
体表面に金属めっきを施し、レジスト層を剥離し、金属
めっき被膜を剥離してアパチャーグリルを製造する方法
において、レジスト層にスリットパターンを形成する際
に、例えばレジスト層への露光量を制限し、現像後のレ
ジスト層に、スリット部を形成するレジスト層断面が、
レジスト層表面から導体層表面に向かって幅が狭まり、
両側辺がほぼ等しい台形状となるようにするものであ
る。
明は、導体表面にレジスト層を設け、レジスト層をパタ
ーニングしてスリット状のマスクを形成し、露出した導
体表面に金属めっきを施し、レジスト層を剥離し、金属
めっき被膜を剥離してアパチャーグリルを製造する方法
において、レジスト層にスリットパターンを形成する際
に、例えばレジスト層への露光量を制限し、現像後のレ
ジスト層に、スリット部を形成するレジスト層断面が、
レジスト層表面から導体層表面に向かって幅が狭まり、
両側辺がほぼ等しい台形状となるようにするものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、上記したようにめっき
法を用いてアパチャーグリルを製造するに際して、スリ
ットを構成するレジスト層として、レジスト層表面から
導体層表面に向かって幅が狭まるような、断面が、両側
辺がほぼ等しい台形状となるようなパターンを形成する
ものである。
法を用いてアパチャーグリルを製造するに際して、スリ
ットを構成するレジスト層として、レジスト層表面から
導体層表面に向かって幅が狭まるような、断面が、両側
辺がほぼ等しい台形状となるようなパターンを形成する
ものである。
【０００７】例えば、レジストとして感光性レジストを
用いる場合には、レジスト層への露光量をレジストの最
適露光量の２０％〜３０％にしてパターニングする。こ
こで、最適露光量とは、レジストの種類、メーカにより
異なり、ここのレジストの仕様書に「最適露光量」と記
載されているものである。この値は、例えば、被露光体
の紫外線ランプの直下と端部とでレジストの硬化状態が
異なることを防止するため、通常過大な値となってい
る。よって、本発明を実施するに際しては、本発明の目
的が得られる露光量を予め求めておくことが好ましい。
用いる場合には、レジスト層への露光量をレジストの最
適露光量の２０％〜３０％にしてパターニングする。こ
こで、最適露光量とは、レジストの種類、メーカにより
異なり、ここのレジストの仕様書に「最適露光量」と記
載されているものである。この値は、例えば、被露光体
の紫外線ランプの直下と端部とでレジストの硬化状態が
異なることを防止するため、通常過大な値となってい
る。よって、本発明を実施するに際しては、本発明の目
的が得られる露光量を予め求めておくことが好ましい。
【０００８】本発明で露光量の下限を２０％とするのは
これを下回ると、レジストの硬化不足によりレジストが
流れてしまうからであり、露光量の上限を３０％とする
のはこれを上回るとレジストの硬化度合いが進み、必要
な台形状断面が得られない。
これを下回ると、レジストの硬化不足によりレジストが
流れてしまうからであり、露光量の上限を３０％とする
のはこれを上回るとレジストの硬化度合いが進み、必要
な台形状断面が得られない。
【０００９】本発明で使用できるレジストは特に限定さ
れず、ドライフィルムレジスト・液状レジストなど各種
のものを使用することができる。また、パターニング時
に使用するマスクも、フィルムマスク、ガラスマスクな
どの各種のものを用いることが可能である。
れず、ドライフィルムレジスト・液状レジストなど各種
のものを使用することができる。また、パターニング時
に使用するマスクも、フィルムマスク、ガラスマスクな
どの各種のものを用いることが可能である。
【００１０】
【実施例】次に実施例を用いて本発明をさらに説明す
る。 （実施例１〜３）次に本発明の実施例について説明す
る。導体基板に縦３００ｍｍ、横４００ｍｍ、厚さ０．
３ｍｍのステンレス鋼板を用い、そのステンレス鋼板表
面に厚さ３０μｍのドライフィルムレジストＡＱ−３０
５８（旭化成株式会社製）を塗布し、幅２００μｍ、縦
方向長さ２５０ｍｍのスリット間隔が５０μｍの写真製
版用マスクを乗せた後、下記条件で露光し、その後現像
してパターニングを行った。上記の作製工程において、 ア）露光量１６ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の２０％）（実施例１） イ）露光量２０ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の２５％）（実施例２） ウ）露光量２４ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の３０％）（実施例３） でレジスト層の露光を行い、現像してパターンを作製し
た。そのとき得られたスリット部のレジスト断面形状を
観察したところ図１のようになっていた。
る。 （実施例１〜３）次に本発明の実施例について説明す
る。導体基板に縦３００ｍｍ、横４００ｍｍ、厚さ０．
３ｍｍのステンレス鋼板を用い、そのステンレス鋼板表
面に厚さ３０μｍのドライフィルムレジストＡＱ−３０
５８（旭化成株式会社製）を塗布し、幅２００μｍ、縦
方向長さ２５０ｍｍのスリット間隔が５０μｍの写真製
版用マスクを乗せた後、下記条件で露光し、その後現像
してパターニングを行った。上記の作製工程において、 ア）露光量１６ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の２０％）（実施例１） イ）露光量２０ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の２５％）（実施例２） ウ）露光量２４ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の３０％）（実施例３） でレジスト層の露光を行い、現像してパターンを作製し
た。そのとき得られたスリット部のレジスト断面形状を
観察したところ図１のようになっていた。
【００１１】次に、それぞれの露出した導体表面に、表
１に示すめっき液組成および条件で電気鉄めっきを行
い、その後表２に示すめっき液組成および条件で電気ニ
ッケルめっきを施した後、もう一度表１に示す条件で電
気鉄めっきを施した。
１に示すめっき液組成および条件で電気鉄めっきを行
い、その後表２に示すめっき液組成および条件で電気ニ
ッケルめっきを施した後、もう一度表１に示す条件で電
気鉄めっきを施した。
【００１２】表１めっき液組成および条件 （液組成） ＦｅＣｌ2 ・４Ｈ2 Ｏ ２．０１ モル ＣａＣｌ2 １．６２ モル サッカリン ９．１３ ミリモル ドデシル硫酸ナトリウム ０．３０ ミリモル （めっき条件） 温 度 ９０℃ 陰極電流密度 ５Ａ／ｄｍ2 陽 極 Ｐｔ ｐＨ １ めっき膜厚 １０μｍ
【００１３】表２めっき液組成および条件 （液組成） スルファミン酸ニッケル １．６０ モル 塩化ニッケル ０．１５ モル ほう酸 ０．６５ モル ドデシル硫酸ナトリウム １．５０ ミリモル （めっき条件） 温 度 ５０℃ 陰極電流密度 ３Ａ／ｄｍ2 陽 極 Ｐｔ ｐＨ ４ めっき膜厚 １０μｍ
【００１４】得られたそれぞれのアパチャーグリルをブ
ラウン管内に装着し、映像を写したところ、画面端部に
おいて画像にハレーションが起こること無く、鮮明な画
像が得られた。
ラウン管内に装着し、映像を写したところ、画面端部に
おいて画像にハレーションが起こること無く、鮮明な画
像が得られた。
【００１５】（比較例１，２）露光条件を下記のように
した以外は実施例と同様にしてパターニングを行った。 エ）露光量１５ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の１９％）（比較例１） オ）露光量２５ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の３１％）（比較例２） 比較例１ではレジストが流れ、パターンは得られなかっ
た。次に、比較例２の露出した導体表面に、実施例と同
様にして電気鉄めっき、電気ニッケルめっき、電気鉄め
っきを施してアパチャーグリルを得た。得られたアパチ
ャーグリルの断面図を図２に示した。
した以外は実施例と同様にしてパターニングを行った。 エ）露光量１５ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の１９％）（比較例１） オ）露光量２５ｍＪ／ｃｍ（最適露光量の３１％）（比較例２） 比較例１ではレジストが流れ、パターンは得られなかっ
た。次に、比較例２の露出した導体表面に、実施例と同
様にして電気鉄めっき、電気ニッケルめっき、電気鉄め
っきを施してアパチャーグリルを得た。得られたアパチ
ャーグリルの断面図を図２に示した。
【００１６】上記方法により得られたオ）のアパチャー
グリルをブラウン管内に装着し、映像を写したところ、
画面端部において画像にハレーションが起こり、鮮明な
画像は得られなかった
グリルをブラウン管内に装着し、映像を写したところ、
画面端部において画像にハレーションが起こり、鮮明な
画像は得られなかった
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明を用いて、ア
パチャーグリルを作製し、該アパチャーグリルをブラウ
ン管に装着し、映像を写したところ、画面の端部におい
てハレーションを起こすこと無く鮮明な画像を得ること
ができるので、その工業的な効果は大きい。
パチャーグリルを作製し、該アパチャーグリルをブラウ
ン管に装着し、映像を写したところ、画面の端部におい
てハレーションを起こすこと無く鮮明な画像を得ること
ができるので、その工業的な効果は大きい。
【図１】実施例で得られたスリット部のレジスト断面形
状を示した図である。
状を示した図である。
【図２】比較例で得られたスリット部のレジスト断面形
状を示した図である。
状を示した図である。
Claims (3)
- 【請求項１】導体表面にレジスト層を設け、レジスト層
をパターニングしてスリット状のマスクを形成し、露出
した導体表面に金属めっきを施し、レジスト層を剥離
し、金属めっき被膜を剥離してアパチャーグリルを製造
する方法において、レジスト層にスリットパターンを形
成する際に、現像後のレジスト層に、スリット部を形成
するレジスト層断面が、レジスト層表面から導体層表面
に向かって幅が狭まり、両側辺がほぼ等しい台形状とな
るようにすることを特徴とするアパチャーグリルの製造
方法。 - 【請求項２】レジストとして感光性レジストを用い、予
め現像後のレジスト層に、スリット部を形成するレジス
ト層断面が、レジスト層表面から導体層表面に向かって
幅が狭まり、両側辺がほぼ等しい台形状となるような露
光強度を求めておき、該強度で露光する請求項１記載の
製造方法。 - 【請求項３】レジストとして感光性レジストを用い、該
レジストを使用するに際し、最適露光量とされた値の２
０％〜３０％の露光量で露光する請求項１記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353662A JP2000182515A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | アパチャーグリルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353662A JP2000182515A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | アパチャーグリルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182515A true JP2000182515A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18432373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10353662A Pending JP2000182515A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | アパチャーグリルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182515A (ja) |
-
1998
- 1998-12-14 JP JP10353662A patent/JP2000182515A/ja active Pending
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