JPH10189857A - レジンモールド半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
レジンモールド半導体装置およびその製造方法Info
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装時のリフロー耐性が優れ、信頼性に優れ
たレジンモールド半導体装置を得る。 【解決手段】 リードフレーム１はダイパット２ａとリ
ード部２ｂとを有し銅または銅合金からなり、表面には
Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキ
シシランを含有した表面処理層７が設けられている。ダ
イパット２ａに半導体素子４が接着され、半導体素子４
とリード部２ｂとを導線５で電気的に接続し、レジン３
がリードフレーム１と半導体素子４および導線５をモー
ルドする。
たレジンモールド半導体装置を得る。 【解決手段】 リードフレーム１はダイパット２ａとリ
ード部２ｂとを有し銅または銅合金からなり、表面には
Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキ
シシランを含有した表面処理層７が設けられている。ダ
イパット２ａに半導体素子４が接着され、半導体素子４
とリード部２ｂとを導線５で電気的に接続し、レジン３
がリードフレーム１と半導体素子４および導線５をモー
ルドする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅または銅合金か
らなるリードフレームを用い、実装時におけるパッケー
ジクラックが防止された例えばＱＦＰ、ＴＳＯＰ等のレ
ジンモールド半導体装置（以下半導体装置と略す。）に
関するものである。
らなるリードフレームを用い、実装時におけるパッケー
ジクラックが防止された例えばＱＦＰ、ＴＳＯＰ等のレ
ジンモールド半導体装置（以下半導体装置と略す。）に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、レジンモールド半導体装置のリー
ドフレーム用の材料としては主にＦｅ―Ｎｉ合金が用い
られている。Ｆｅ―Ｎｉ合金は、その熱膨張率が半導体
素子であるＳｉチップと同程度であり、また、機械的性
質、レジンとの接着性に優れている点から、リードフレ
ーム用材料として多量に使われてきた。しかし、高集積
化に伴うチップの大型化や発熱量の増大、半導体素子の
高性能化により、Ｆｅ―Ｎｉ系のリードフレームと比較
して、熱伝導性、電気的特性に優れ、また安価でもある
銅または銅合金のリードフレームの使用が増加してき
た。
ドフレーム用の材料としては主にＦｅ―Ｎｉ合金が用い
られている。Ｆｅ―Ｎｉ合金は、その熱膨張率が半導体
素子であるＳｉチップと同程度であり、また、機械的性
質、レジンとの接着性に優れている点から、リードフレ
ーム用材料として多量に使われてきた。しかし、高集積
化に伴うチップの大型化や発熱量の増大、半導体素子の
高性能化により、Ｆｅ―Ｎｉ系のリードフレームと比較
して、熱伝導性、電気的特性に優れ、また安価でもある
銅または銅合金のリードフレームの使用が増加してき
た。
【０００３】しかし、Ｆｅ―Ｎｉ系合金リードフレーム
と比較し、銅または銅合金からなるリードフレームはモ
ールドレジンとの密着性が劣るという欠点がある。一般
的に、モールドレジンとリードフレームとの密着性が劣
っていると、実装時またはモールドレジンによる成型時
に、両者の熱膨張係数の相違により半導体装置に熱スト
レスが加わり、モールドレジンとリードフレーム界面か
らずれや剥離がおきる。半導体装置を長期保存または吸
湿しやすい条件下に放置すると、外部から侵入する水分
がリードフレームの半導体素子を搭載するダイパッドと
モールドレジンとの界面の剥離部分に溜まり、プリント
配線板への実装時のハンダリフロー、ＩＲリフローまた
はエアリフローにより半導体装置が高温に曝されると水
分が気化膨張し、更なる剥離やいわゆるポップコーン現
象といわれるクラックが起きる。このような半導体装置
の信頼性の低下を防ぐにはモールドレジンとリードフレ
ームとの密着性を向上させる必要がある。
と比較し、銅または銅合金からなるリードフレームはモ
ールドレジンとの密着性が劣るという欠点がある。一般
的に、モールドレジンとリードフレームとの密着性が劣
っていると、実装時またはモールドレジンによる成型時
に、両者の熱膨張係数の相違により半導体装置に熱スト
レスが加わり、モールドレジンとリードフレーム界面か
らずれや剥離がおきる。半導体装置を長期保存または吸
湿しやすい条件下に放置すると、外部から侵入する水分
がリードフレームの半導体素子を搭載するダイパッドと
モールドレジンとの界面の剥離部分に溜まり、プリント
配線板への実装時のハンダリフロー、ＩＲリフローまた
はエアリフローにより半導体装置が高温に曝されると水
分が気化膨張し、更なる剥離やいわゆるポップコーン現
象といわれるクラックが起きる。このような半導体装置
の信頼性の低下を防ぐにはモールドレジンとリードフレ
ームとの密着性を向上させる必要がある。
【０００４】さらに、半導体装置を製造する工程におけ
る熱履歴により、銅または銅合金からなるリードフレー
ム表面に大気中の酸素と化合して表面酸化物を生成する
が、この表面酸化物は厚く脆いため、パッケージに、ポ
ップコーン現象によるクラックが発生しやすいという原
因となる。
る熱履歴により、銅または銅合金からなるリードフレー
ム表面に大気中の酸素と化合して表面酸化物を生成する
が、この表面酸化物は厚く脆いため、パッケージに、ポ
ップコーン現象によるクラックが発生しやすいという原
因となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記課題に対し、従
来、防湿梱包やリフロー前の半導体装置のベーキングを
行い、半導体装置の吸湿を防止することにより対応して
きた。しかし、これらの方法ではコストもかかり、吸湿
を防止することも不充分であった。また、上記ベーキン
グに代えて、半導体装置のリフロー耐性を向上させるこ
とが試みられ、近年ではモールドレジンの改良として低
吸湿レジンの開発、高強度レジンの開発が行われてい
る。また、モールドレジンとリードフレームとの密着性
改善を目的として、リードフレーム側の改良としては、
構造的にはダイパッド形状の最適化（特開昭５８―１９
９５４８号公報）、リードフレーム表面改質としては金
属と酸化物の混合傾斜組成被膜の付着（特開平８―４６
１２５号公報）、ジンクロメート処理（特開平７―２６
３６０５号公報）、強靱な銅酸化物を生成させるための
加熱条件の最適化（特開平３―２２２４６５号公報）等
の様な研究や対策が行われている。しかし、昨今の様に
半導体装置の薄型化の要求に従いモールドレジンが薄肉
化された場合、樹脂の強度が必然的に弱いため、以上の
従来技術では、いずれも充分な効果を得ることができ
ず、コストがかかりすぎるという課題もあった。
来、防湿梱包やリフロー前の半導体装置のベーキングを
行い、半導体装置の吸湿を防止することにより対応して
きた。しかし、これらの方法ではコストもかかり、吸湿
を防止することも不充分であった。また、上記ベーキン
グに代えて、半導体装置のリフロー耐性を向上させるこ
とが試みられ、近年ではモールドレジンの改良として低
吸湿レジンの開発、高強度レジンの開発が行われてい
る。また、モールドレジンとリードフレームとの密着性
改善を目的として、リードフレーム側の改良としては、
構造的にはダイパッド形状の最適化（特開昭５８―１９
９５４８号公報）、リードフレーム表面改質としては金
属と酸化物の混合傾斜組成被膜の付着（特開平８―４６
１２５号公報）、ジンクロメート処理（特開平７―２６
３６０５号公報）、強靱な銅酸化物を生成させるための
加熱条件の最適化（特開平３―２２２４６５号公報）等
の様な研究や対策が行われている。しかし、昨今の様に
半導体装置の薄型化の要求に従いモールドレジンが薄肉
化された場合、樹脂の強度が必然的に弱いため、以上の
従来技術では、いずれも充分な効果を得ることができ
ず、コストがかかりすぎるという課題もあった。
【０００６】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、モールドレジンとリードフレームの密着
性を向上させるとともに、銅または銅合金からなるリー
ドフレーム表面の厚くて脆い酸化物層の生成を抑制する
ことにより、実装時のリフロー耐性が優れ、信頼性に優
れたレジンモールド半導体装置を得ることを目的とする
ものである。
されたもので、モールドレジンとリードフレームの密着
性を向上させるとともに、銅または銅合金からなるリー
ドフレーム表面の厚くて脆い酸化物層の生成を抑制する
ことにより、実装時のリフロー耐性が優れ、信頼性に優
れたレジンモールド半導体装置を得ることを目的とする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１のレジ
ンモールド半導体装置は、ダイパッドとこのダイパッド
の周囲に向かって延出するリード部とを有し銅または銅
合金からなるリードフレーム、上記ダイパッドに接着層
を介して設けた半導体素子、この半導体素子と上記リー
ド部とを電気的に接続する導線、並びに上記リードフレ
ームと半導体素子と導線とをモールドしたレジンを備え
たレジンモールド半導体装置において、上記リードフレ
ームの表面に、下記一般式（１）または一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を含有した表面処理層を設けたものである。
ンモールド半導体装置は、ダイパッドとこのダイパッド
の周囲に向かって延出するリード部とを有し銅または銅
合金からなるリードフレーム、上記ダイパッドに接着層
を介して設けた半導体素子、この半導体素子と上記リー
ド部とを電気的に接続する導線、並びに上記リードフレ
ームと半導体素子と導線とをモールドしたレジンを備え
たレジンモールド半導体装置において、上記リードフレ
ームの表面に、下記一般式（１）または一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を含有した表面処理層を設けたものである。
【０００８】本発明に係る第２のレジンモールド半導体
装置は、上記第１のレジンモールド半導体装置におい
て、一般式（１）で示される化合物がＮ―β（アミノエ
チル）γ―アミノプロピルトリメトキシシランまたはＮ
―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメト
キシシランであり、一般式（２）で示される化合物がγ
―アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロ
ピルトリヒドロキシシラン、Ｎ―（３トリエトキシシリ
ルプロピル）―イミダゾールまたはＮ―（３トリエトキ
シシリルプロピル）―４，５―ジヒドロイミダゾールで
あるものである。
装置は、上記第１のレジンモールド半導体装置におい
て、一般式（１）で示される化合物がＮ―β（アミノエ
チル）γ―アミノプロピルトリメトキシシランまたはＮ
―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメト
キシシランであり、一般式（２）で示される化合物がγ
―アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロ
ピルトリヒドロキシシラン、Ｎ―（３トリエトキシシリ
ルプロピル）―イミダゾールまたはＮ―（３トリエトキ
シシリルプロピル）―４，５―ジヒドロイミダゾールで
あるものである。
【０００９】本発明に係る第３のレジンモールド半導体
装置は、第１または第２のレジンモールド半導体装置に
おいて、表面処理層がイミダゾール、トリアゾール、ト
リアジンまたはこれらの誘導体からなる化合物を含有し
たものである。
装置は、第１または第２のレジンモールド半導体装置に
おいて、表面処理層がイミダゾール、トリアゾール、ト
リアジンまたはこれらの誘導体からなる化合物を含有し
たものである。
【００１０】本発明に係る第１のレジンモールド半導体
装置の製造方法は、ダイパッドとこのダイパッドの周囲
に向かって延出したリード部とを有し銅または銅合金か
らなるリードフレームの表面に、下記一般式（１）また
は一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を溶媒に溶解した表面処理剤を塗布して表面処理層
を形成する工程、上記表面処理層を形成したリードフレ
ームのダイパッドに半導体素子を接着剤により接着する
工程、上記半導体素子と上記表面処理層を設けたリード
フレームのリード部とを導線により電気的に接続する工
程、並びに上記リードフレームと半導体素子と導線とを
レジンによりモールドする工程を施す方法である。
装置の製造方法は、ダイパッドとこのダイパッドの周囲
に向かって延出したリード部とを有し銅または銅合金か
らなるリードフレームの表面に、下記一般式（１）また
は一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を溶媒に溶解した表面処理剤を塗布して表面処理層
を形成する工程、上記表面処理層を形成したリードフレ
ームのダイパッドに半導体素子を接着剤により接着する
工程、上記半導体素子と上記表面処理層を設けたリード
フレームのリード部とを導線により電気的に接続する工
程、並びに上記リードフレームと半導体素子と導線とを
レジンによりモールドする工程を施す方法である。
【００１１】本発明に係る第２のレジンモールド半導体
装置の製造方法は、上記第１のレジンモールド半導体装
置の製造方法において、接着剤が溶剤または反応性希釈
剤を含まない方法である。
装置の製造方法は、上記第１のレジンモールド半導体装
置の製造方法において、接着剤が溶剤または反応性希釈
剤を含まない方法である。
【００１２】本発明に係る第３のレジンモールド半導体
装置の製造方法は、上記第１または第２のレジンモール
ド半導体装置の製造方法において、表面処理層を設ける
前に、上記リードフレーム表面の酸化物層を除去する工
程を施す方法である。
装置の製造方法は、上記第１または第２のレジンモール
ド半導体装置の製造方法において、表面処理層を設ける
前に、上記リードフレーム表面の酸化物層を除去する工
程を施す方法である。
【００１３】本発明に係る第４のレジンモールド半導体
装置の製造方法は、上記第１ないし第３のレジンモール
ド半導体装置の製造方法において、一般式（２）で示さ
れる化合物が不対電子を有する１個のＮ原子が存在する
ものであり、溶媒が水を含有したものである方法であ
る。
装置の製造方法は、上記第１ないし第３のレジンモール
ド半導体装置の製造方法において、一般式（２）で示さ
れる化合物が不対電子を有する１個のＮ原子が存在する
ものであり、溶媒が水を含有したものである方法であ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】図面を使って本発明の実施の形態
を説明する。図１は本発明のレジンモールド半導体装置
の断面図であり、図において、１はダイパッド２ａと、
ダイパッド２ａの周囲に向かって延出する複数のリード
部２ｂを有するリードフレーム、４はダイパッド２ａ上
に接着層６を介して設けた半導体素子、５は半導体素子
４とリード部２ｂを電気的に接続する導線、３はリード
フレーム１、半導体素子４および導線５をモールドした
レジンであり、リードフレーム１の表面には表面処理層
７が形成されている。リードフレーム１は銅または銅合
金からなり、例えば、０．３Ｃｒ―０．２５Ｓｎ―０．
２Ｚｎ―残部Ｃｕ、０．１５Ｃｒ―０．１Ｓｎ―０．０
１Ｐ―残部Ｃｕ、０．５Ｓｎ―１．０Ｆｅ―０．５Ｚｎ
―０．０３Ｐ―残部Ｃｕ、０．１３Ｓｎ―０．０３Ｐ―
残部Ｃｕ、１．５４Ｓｎ―０．０７Ｐ―残部Ｃｕ、２．
５Ｆｅ―０．１２Ｚｎ―０．０３Ｐ―残部Ｃｕ、２．３
Ｓｎ―９．５Ｎｉ―残部Ｃｕ等のもの（数値は重量％）
が用いられる。リードフレーム１の表面に形成された表
面処理層７は下記一般式（１）または一般式（２）で示
される化合物を含有する。 Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）
を説明する。図１は本発明のレジンモールド半導体装置
の断面図であり、図において、１はダイパッド２ａと、
ダイパッド２ａの周囲に向かって延出する複数のリード
部２ｂを有するリードフレーム、４はダイパッド２ａ上
に接着層６を介して設けた半導体素子、５は半導体素子
４とリード部２ｂを電気的に接続する導線、３はリード
フレーム１、半導体素子４および導線５をモールドした
レジンであり、リードフレーム１の表面には表面処理層
７が形成されている。リードフレーム１は銅または銅合
金からなり、例えば、０．３Ｃｒ―０．２５Ｓｎ―０．
２Ｚｎ―残部Ｃｕ、０．１５Ｃｒ―０．１Ｓｎ―０．０
１Ｐ―残部Ｃｕ、０．５Ｓｎ―１．０Ｆｅ―０．５Ｚｎ
―０．０３Ｐ―残部Ｃｕ、０．１３Ｓｎ―０．０３Ｐ―
残部Ｃｕ、１．５４Ｓｎ―０．０７Ｐ―残部Ｃｕ、２．
５Ｆｅ―０．１２Ｚｎ―０．０３Ｐ―残部Ｃｕ、２．３
Ｓｎ―９．５Ｎｉ―残部Ｃｕ等のもの（数値は重量％）
が用いられる。リードフレーム１の表面に形成された表
面処理層７は下記一般式（１）または一般式（２）で示
される化合物を含有する。 Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）
【００１５】上記一般式（１）または一般式（２）にお
いて、Ｚはアミノ基、イミダゾール基またはそれらから
誘導される１価の基であり、アミノ基の誘導体とは例え
ばアミノ基の水素が、メチル基、エチル基およびプロピ
ル基等のアルキル基やフェニル基、３―ヒドロキシルフ
ェニル基、３―メチルフェニル基等の芳香族基やカルボ
キシル基等で１ないし２個置換されたものを示す。ま
た、イミダゾール基から誘導される基とはジヒドロキシ
イミダゾール基、アミノイミダゾール基、エチルイミダ
ゾール基、メチルイミダゾール基、ベンゾイミダゾール
基、メチルベンゾイミダゾール基、カルボキシイミダゾ
ール基、ビニルイミダゾール基、ニトロイミダゾール基
を示す。
いて、Ｚはアミノ基、イミダゾール基またはそれらから
誘導される１価の基であり、アミノ基の誘導体とは例え
ばアミノ基の水素が、メチル基、エチル基およびプロピ
ル基等のアルキル基やフェニル基、３―ヒドロキシルフ
ェニル基、３―メチルフェニル基等の芳香族基やカルボ
キシル基等で１ないし２個置換されたものを示す。ま
た、イミダゾール基から誘導される基とはジヒドロキシ
イミダゾール基、アミノイミダゾール基、エチルイミダ
ゾール基、メチルイミダゾール基、ベンゾイミダゾール
基、メチルベンゾイミダゾール基、カルボキシイミダゾ
ール基、ビニルイミダゾール基、ニトロイミダゾール基
を示す。
【００１６】本発明に係わる表面処理層７は上記一般式
（１）または一般式（２）で示される化合物を含有する
ことにより、銅と安定な化合物を形成し、銅の酸化を抑
制しリードフレーム１とレジン３との接着力が向上し、
またリードフレーム１の耐熱性を向上し、酸化を抑制す
る。
（１）または一般式（２）で示される化合物を含有する
ことにより、銅と安定な化合物を形成し、銅の酸化を抑
制しリードフレーム１とレジン３との接着力が向上し、
またリードフレーム１の耐熱性を向上し、酸化を抑制す
る。
【００１７】上記一般式（１）で示される化合物として
は、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメ
トキシシランまたはＮ―β（アミノエチル）γ―アミノ
プロピルメチルジメトキシシランがある。また、上記一
般式（２）で示される化合物としては、γ―アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロピルトリヒド
ロキシシラン、Ｎ―（３トリエトキシシリルプロピル）
―イミダゾールまたはＮ―（３トリエトキシシリルプロ
ピル）―４，５―ジヒドロイミダゾールがある。
は、Ｎ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメ
トキシシランまたはＮ―β（アミノエチル）γ―アミノ
プロピルメチルジメトキシシランがある。また、上記一
般式（２）で示される化合物としては、γ―アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロピルトリヒド
ロキシシラン、Ｎ―（３トリエトキシシリルプロピル）
―イミダゾールまたはＮ―（３トリエトキシシリルプロ
ピル）―４，５―ジヒドロイミダゾールがある。
【００１８】本発明に係わる表面処理層７が、イミダゾ
ール、トリアゾール、トリアジンまたはこれらの誘導体
からなる化合物を含有するとこれらが銅と安定な化合物
を形成し銅の酸化をさらに抑制する効果がさらに増す。
上記イミダゾールの誘導体、トリアゾールの誘導体、ト
リアジンの誘導体としては、ジヒドロキシイミダゾー
ル、アミノイミダゾール、エチルイミダゾール、メチル
イミダゾール、ベンゾイミダゾール、メチルベンゾイミ
ダゾール、カルボキシイミダゾール、ビニルイミダゾー
ル、ニトロイミダゾール、アミノトリアゾール、エチル
トリアゾール、メチルトリアゾール、ベンゾトリアゾー
ル、メチルベンゾトリアゾール、カルボキシトリアゾー
ル、ビニルトリアゾール、ニトロトリアゾール、アミノ
トリアジン、エチルトリアジン、メチルトリアジン、ベ
ンゾトリアジン、メチルベンゾトリアジン、カルボキシ
トリアジン、ビニルトリアジン、ニトロトリアジン等が
ある。
ール、トリアゾール、トリアジンまたはこれらの誘導体
からなる化合物を含有するとこれらが銅と安定な化合物
を形成し銅の酸化をさらに抑制する効果がさらに増す。
上記イミダゾールの誘導体、トリアゾールの誘導体、ト
リアジンの誘導体としては、ジヒドロキシイミダゾー
ル、アミノイミダゾール、エチルイミダゾール、メチル
イミダゾール、ベンゾイミダゾール、メチルベンゾイミ
ダゾール、カルボキシイミダゾール、ビニルイミダゾー
ル、ニトロイミダゾール、アミノトリアゾール、エチル
トリアゾール、メチルトリアゾール、ベンゾトリアゾー
ル、メチルベンゾトリアゾール、カルボキシトリアゾー
ル、ビニルトリアゾール、ニトロトリアゾール、アミノ
トリアジン、エチルトリアジン、メチルトリアジン、ベ
ンゾトリアジン、メチルベンゾトリアジン、カルボキシ
トリアジン、ビニルトリアジン、ニトロトリアジン等が
ある。
【００１９】本発明に係わるレジンモールド半導体装置
は以下のように製造する。銅または銅合金からなるリー
ドフレーム１の表面に、上記一般式（１）または一般式
（２）で示される化合物を溶媒に溶解した表面処理剤を
塗布し、溶媒を乾燥除去して表面処理層７を形成する。
次に、表面処理層７を設けたダイパッド２ａ上に接着剤
である接着層６を設け、接着層６を介して半導体素子４
を接着し、この半導体素子４と表面処理層７を設けたリ
ード部２ｂを導線５により電気的に接続した後、上記リ
ードフレーム１と半導体素子４と導線５をレジン３によ
りモールドする。
は以下のように製造する。銅または銅合金からなるリー
ドフレーム１の表面に、上記一般式（１）または一般式
（２）で示される化合物を溶媒に溶解した表面処理剤を
塗布し、溶媒を乾燥除去して表面処理層７を形成する。
次に、表面処理層７を設けたダイパッド２ａ上に接着剤
である接着層６を設け、接着層６を介して半導体素子４
を接着し、この半導体素子４と表面処理層７を設けたリ
ード部２ｂを導線５により電気的に接続した後、上記リ
ードフレーム１と半導体素子４と導線５をレジン３によ
りモールドする。
【００２０】上記接着剤が溶剤または反応性希釈剤を含
むと、接着工程において溶剤または反応性希釈剤が蒸発
し接着層６中にボイドが形成されこのボイドを起点にク
ラックが発生すると推測されるが、上記接着剤として溶
剤または反応性希釈剤を含まない例えばフィルム状のも
のを使用することによって、上記ボイドの発生を防止す
ることができると推測され、半導体装置の信頼性を最大
限に生かすことができる。
むと、接着工程において溶剤または反応性希釈剤が蒸発
し接着層６中にボイドが形成されこのボイドを起点にク
ラックが発生すると推測されるが、上記接着剤として溶
剤または反応性希釈剤を含まない例えばフィルム状のも
のを使用することによって、上記ボイドの発生を防止す
ることができると推測され、半導体装置の信頼性を最大
限に生かすことができる。
【００２１】本発明に係わる表面処理層７を設ける工程
を、半導体装置の製造工程における接着工程やモールド
工程等の加熱工程前に施すことにより、モールドしたレ
ジン３とリードフレーム１の密着性を向上させるととも
に、半導体装置を製造する工程での酸化を抑制し実装時
のハンダリフローによるパッケージクラックを防止する
ことができる。
を、半導体装置の製造工程における接着工程やモールド
工程等の加熱工程前に施すことにより、モールドしたレ
ジン３とリードフレーム１の密着性を向上させるととも
に、半導体装置を製造する工程での酸化を抑制し実装時
のハンダリフローによるパッケージクラックを防止する
ことができる。
【００２２】また、表面処理層７をリードフレーム１に
設ける前に、希硫酸、塩化アンモニウム水溶液、ハロゲ
ン化水素水溶液等をリードフレーム１表面に噴霧した
り、塗布したり、またはリードフレーム１を上記水溶液
に浸漬したりしてリードフレーム１表面の自然酸化物層
を除去すると表面処理層７の効果がさらに発揮されやす
くなる。
設ける前に、希硫酸、塩化アンモニウム水溶液、ハロゲ
ン化水素水溶液等をリードフレーム１表面に噴霧した
り、塗布したり、またはリードフレーム１を上記水溶液
に浸漬したりしてリードフレーム１表面の自然酸化物層
を除去すると表面処理層７の効果がさらに発揮されやす
くなる。
【００２３】表面処理層７を形成するために用いる表面
処理剤は上記一般式（１）または一般式（２）で示され
る化合物を溶媒に溶解したものであり、その最適濃度は
０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｌである。濃度が０．０１ｍ
ｏｌ／ｌ未満では耐熱性および酸化抑止力が発揮されず
半導体装置の信頼性に欠け、０．１ｍｏｌ／ｌを越える
と耐熱性および酸化抑止力はそれ以上向上せずコスト高
となり経済的に不利となるだけではなく、表面処理層７
が脆弱となるため半導体装置の信頼性に欠けることにな
る。また、上記表面処理剤にさらにイミダゾール、トリ
アゾール、トリアジンまたはこれらの誘導体からなる化
合物を添加することにより、さらなる耐熱性および酸化
抑止力が得られるが、溶媒中での最適濃度は０．５ｍｏ
ｌ／ｌ以下である。濃度が０．５ｍｏｌ／ｌを超えると
耐熱性および酸化抑止力はそれ以上向上せず、かつコス
ト高となり経済的に不利となる。
処理剤は上記一般式（１）または一般式（２）で示され
る化合物を溶媒に溶解したものであり、その最適濃度は
０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｌである。濃度が０．０１ｍ
ｏｌ／ｌ未満では耐熱性および酸化抑止力が発揮されず
半導体装置の信頼性に欠け、０．１ｍｏｌ／ｌを越える
と耐熱性および酸化抑止力はそれ以上向上せずコスト高
となり経済的に不利となるだけではなく、表面処理層７
が脆弱となるため半導体装置の信頼性に欠けることにな
る。また、上記表面処理剤にさらにイミダゾール、トリ
アゾール、トリアジンまたはこれらの誘導体からなる化
合物を添加することにより、さらなる耐熱性および酸化
抑止力が得られるが、溶媒中での最適濃度は０．５ｍｏ
ｌ／ｌ以下である。濃度が０．５ｍｏｌ／ｌを超えると
耐熱性および酸化抑止力はそれ以上向上せず、かつコス
ト高となり経済的に不利となる。
【００２４】上記表面処理剤は、銅または銅合金リード
フレーム１に、浸漬法またはスプレー法等によりリード
フレーム１表面に噴霧して塗布する。塗布時間は３秒以
上であればよくそれ以上にしても特性の向上は見られな
い。その後、余分な表面処理剤を溶媒により洗い流すか
または圧縮気体により吹きとばした後、自然乾燥または
溶媒の沸点以上の温度の乾燥炉で１〜６０分といった条
件で乾燥することによりに表面処理層７を得る。この表
面処理層７はリードフレーム１との密着強度が高く、し
かもモールドしたレジン３との密着強度も高いものであ
り、また、半導体装置を製造する工程においてリードフ
レーム１が大気中雰囲気で高温に曝された時に、銅合金
表面にＣｕ2ＯまたはＣｕＯが生成するのを抑制する。
フレーム１に、浸漬法またはスプレー法等によりリード
フレーム１表面に噴霧して塗布する。塗布時間は３秒以
上であればよくそれ以上にしても特性の向上は見られな
い。その後、余分な表面処理剤を溶媒により洗い流すか
または圧縮気体により吹きとばした後、自然乾燥または
溶媒の沸点以上の温度の乾燥炉で１〜６０分といった条
件で乾燥することによりに表面処理層７を得る。この表
面処理層７はリードフレーム１との密着強度が高く、し
かもモールドしたレジン３との密着強度も高いものであ
り、また、半導体装置を製造する工程においてリードフ
レーム１が大気中雰囲気で高温に曝された時に、銅合金
表面にＣｕ2ＯまたはＣｕＯが生成するのを抑制する。
【００２５】また、表面処理剤の主成分として用いる上
記一般式（１）または一般式（２）で示される化合物
が、分子中に不対電子を有する２個以上のＮ原子が存在
する化合物である場合、溶媒として水、イソプロピルア
ルコール（以下ＩＰＡ）に代表されるアルコール類、そ
の他フレオン、ベンゼン、アセトン、トルエンに代表さ
れる有機溶媒を用いることができるが、分子中に上記Ｎ
原子が１個である化合物の場合、溶媒としては水を主成
分としたものを用いる必要がある。
記一般式（１）または一般式（２）で示される化合物
が、分子中に不対電子を有する２個以上のＮ原子が存在
する化合物である場合、溶媒として水、イソプロピルア
ルコール（以下ＩＰＡ）に代表されるアルコール類、そ
の他フレオン、ベンゼン、アセトン、トルエンに代表さ
れる有機溶媒を用いることができるが、分子中に上記Ｎ
原子が１個である化合物の場合、溶媒としては水を主成
分としたものを用いる必要がある。
【００２６】
実施例１．図１は本発明の一実施例のレジンモールド半
導体装置で、図において、４は半導体素子、６は接着
層、１は銅または銅合金にて形成されたリードフレーム
で中央部に半導体素子４を接着層６を介して搭載するダ
イパッド２ａと、ダイパッド２ａの周囲に向かって延出
した複数のリード部２ｂで構成されている。５は半導体
素子４とリード部２ｂの先端とをワイヤーボンディング
により電気的に接続する導線、７はリードフレーム１の
表面に設けられた表面処理層、３はリードフレーム１、
半導体素子４および導線５をモールドするレジンであ
る。
導体装置で、図において、４は半導体素子、６は接着
層、１は銅または銅合金にて形成されたリードフレーム
で中央部に半導体素子４を接着層６を介して搭載するダ
イパッド２ａと、ダイパッド２ａの周囲に向かって延出
した複数のリード部２ｂで構成されている。５は半導体
素子４とリード部２ｂの先端とをワイヤーボンディング
により電気的に接続する導線、７はリードフレーム１の
表面に設けられた表面処理層、３はリードフレーム１、
半導体素子４および導線５をモールドするレジンであ
る。
【００２７】銅または銅合金で形成されたリードフレー
ム１として、Ｓｎ２．０重量％―Ｎｉ０．２重量％―残
部Ｃｕからなる銅合金を用いた。形状はリード部２ｂの
数が１６０ピン、ダイパッド２ａのサイズが１２ｍｍ角
の正方形でダイパッド２ａにスルーホール、ディンプル
等の加工はせずフラットなものを用いた。半導体素子４
とダイパッド２ａの間の接着層６である接着剤としては
銀ペースト｛商品名：ＥＮ４２７７，日立化成工業
（株）製｝を用いた。上記銀ペーストは熱硬化性樹脂、
導電性フィラーおよび溶媒等を含有している。リード２
ｂと半導体素子４との導線５には金属線を用いた。ま
た、モールド用のレジン３としては、主成分はナフタレ
ンノボラック型エポキシ樹脂で、無機充填材として球状
シリカフィラーを８４重量％添加したものを用いた。上
記ナフタレンノボラック型エポキシ樹脂の特性を下記に
示す。 ガラス転移点温度：１５３℃ ガラス転移点温度以下の熱膨張率：１×（１０-5／℃） ガラス転移点温度以上の熱膨張率：４．５×（１０-5／℃） ２５℃における曲げ弾性率：１９５０（ｋｇｆ・／ｍｍ2） ２５℃における曲げ強さ：１５．５（ｋｇｆ・／ｍｍ2） １７５℃におけるゲル化時間：２２（ｓｅｃ） １７５℃におけるスパイラルフロー：１０6（ｓｅｃ）
ム１として、Ｓｎ２．０重量％―Ｎｉ０．２重量％―残
部Ｃｕからなる銅合金を用いた。形状はリード部２ｂの
数が１６０ピン、ダイパッド２ａのサイズが１２ｍｍ角
の正方形でダイパッド２ａにスルーホール、ディンプル
等の加工はせずフラットなものを用いた。半導体素子４
とダイパッド２ａの間の接着層６である接着剤としては
銀ペースト｛商品名：ＥＮ４２７７，日立化成工業
（株）製｝を用いた。上記銀ペーストは熱硬化性樹脂、
導電性フィラーおよび溶媒等を含有している。リード２
ｂと半導体素子４との導線５には金属線を用いた。ま
た、モールド用のレジン３としては、主成分はナフタレ
ンノボラック型エポキシ樹脂で、無機充填材として球状
シリカフィラーを８４重量％添加したものを用いた。上
記ナフタレンノボラック型エポキシ樹脂の特性を下記に
示す。 ガラス転移点温度：１５３℃ ガラス転移点温度以下の熱膨張率：１×（１０-5／℃） ガラス転移点温度以上の熱膨張率：４．５×（１０-5／℃） ２５℃における曲げ弾性率：１９５０（ｋｇｆ・／ｍｍ2） ２５℃における曲げ強さ：１５．５（ｋｇｆ・／ｍｍ2） １７５℃におけるゲル化時間：２２（ｓｅｃ） １７５℃におけるスパイラルフロー：１０6（ｓｅｃ）
【００２８】まず、リードフレーム１はあらかじめ希硫
酸を用いて表面の自然酸化層を除去した。Ｎ―β（アミ
ノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキシシラン（以
下ＡＡＰＳとする）またはγ―アミノプロピルトリエト
キシシラン（以下ＡＰＳとする）の各々が０．０５ｍｏ
ｌ／ｌの濃度となるよう下記各種溶媒に溶解し表面処理
剤を得た。この表面処理剤を上記リードフレーム１に浸
漬法またはスプレー法により塗布し、余分の溶媒を圧縮
窒素ガスで吹き飛ばし、１１０℃のオーブン中に３０分
間入れて乾燥させ表面処理層７を設けた。上記ＡＡＰＳ
に対する溶媒として、水、ＩＰＡまたはベンゼン（サン
プルＮｏ．１〜３）を用い、上記ＡＰＳに対する溶媒と
して、水、ＩＰＡ、ベンゼンまたは水とＩＰＡの１：１
混合液（サンプルＮｏ．４〜７）を用いた。ただし、サ
ンプルＮｏ．は以下に記載するものも共に各々下記表に
対応するサンプルＮｏ．である。
酸を用いて表面の自然酸化層を除去した。Ｎ―β（アミ
ノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキシシラン（以
下ＡＡＰＳとする）またはγ―アミノプロピルトリエト
キシシラン（以下ＡＰＳとする）の各々が０．０５ｍｏ
ｌ／ｌの濃度となるよう下記各種溶媒に溶解し表面処理
剤を得た。この表面処理剤を上記リードフレーム１に浸
漬法またはスプレー法により塗布し、余分の溶媒を圧縮
窒素ガスで吹き飛ばし、１１０℃のオーブン中に３０分
間入れて乾燥させ表面処理層７を設けた。上記ＡＡＰＳ
に対する溶媒として、水、ＩＰＡまたはベンゼン（サン
プルＮｏ．１〜３）を用い、上記ＡＰＳに対する溶媒と
して、水、ＩＰＡ、ベンゼンまたは水とＩＰＡの１：１
混合液（サンプルＮｏ．４〜７）を用いた。ただし、サ
ンプルＮｏ．は以下に記載するものも共に各々下記表に
対応するサンプルＮｏ．である。
【００２９】その後、図１に示すようにリードフレーム
１上に上記銀ペーストからなる接着剤を介して半導体素
子４をダイパッド２ａに搭載し、１５０℃で２ｈｒ加熱
してダイパッド２ａに接着した。次に金属線５によりワ
イヤーボンディングを行った後、トランスファー成形に
より上記モールド用のレジン３でモールドして半導体装
置を組み立てた。
１上に上記銀ペーストからなる接着剤を介して半導体素
子４をダイパッド２ａに搭載し、１５０℃で２ｈｒ加熱
してダイパッド２ａに接着した。次に金属線５によりワ
イヤーボンディングを行った後、トランスファー成形に
より上記モールド用のレジン３でモールドして半導体装
置を組み立てた。
【００３０】次に、上記各半導体装置の各々１０個を試
料としたものをサンプルとし、これらを８５℃で湿度８
５％に保持した雰囲気に１６８時間放置し、その後、プ
リント配線板への実装時と同様の熱ストレスを与えるた
め、上記半導体装置を２３０℃のハンダ浴に３０秒浸漬
した。ハンダ浴浸漬後に、超音波顕微鏡によりモールド
レジン３とダイパッド２ａとの界面の剥離、内部クラッ
クの有無および外観検査により外部クラックを調査し、
上記サンプルにおいてクラックの発生した半導体装置の
数（表中クラック発生数）を求め、表面処理無しのもの
（サンプルＮｏ．８）も含めて表１に示す。
料としたものをサンプルとし、これらを８５℃で湿度８
５％に保持した雰囲気に１６８時間放置し、その後、プ
リント配線板への実装時と同様の熱ストレスを与えるた
め、上記半導体装置を２３０℃のハンダ浴に３０秒浸漬
した。ハンダ浴浸漬後に、超音波顕微鏡によりモールド
レジン３とダイパッド２ａとの界面の剥離、内部クラッ
クの有無および外観検査により外部クラックを調査し、
上記サンプルにおいてクラックの発生した半導体装置の
数（表中クラック発生数）を求め、表面処理無しのもの
（サンプルＮｏ．８）も含めて表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】分子中に不対電子を有するＮ原子を２個含
むＡＡＰＳを表面処理剤に用いた場合、溶媒は水、アル
コール（ＩＰＡ）、有機溶媒（ベンゼン）を問わず、耐
クラック性は向上した。一方、分子中に上記Ｎ原子が１
個含まれるＡＰＳを表面処理剤に用いた場合は、溶媒が
水を含む場合のみ耐クラック性が向上し、アルコール
（ＩＰＡ）、有機溶媒（ベンゼン）を溶媒とした場合に
は向上しなかった。水とＩＰＡの混合物を溶媒とした場
合には耐クラック性が向上したことから、分子中に上記
Ｎ原子が１個含まれる表面処理剤の場合、水を主成分と
する溶媒を用いることが必要であることがわかった。こ
の理由は、完全には解明できていないが、分子中に上記
Ｎ原子が２個以上存在する場合には、表面処理剤溶液中
に溶出した銅とキレート化するが、上記Ｎ原子が１個の
場合にキレート化するには、表面処理剤のモノマーが溶
液中で分子中に上記Ｎ原子を２個以上含むオリゴマーと
なる必要があり、加水分解用の水が溶媒として必要とな
るためであると推測される。
むＡＡＰＳを表面処理剤に用いた場合、溶媒は水、アル
コール（ＩＰＡ）、有機溶媒（ベンゼン）を問わず、耐
クラック性は向上した。一方、分子中に上記Ｎ原子が１
個含まれるＡＰＳを表面処理剤に用いた場合は、溶媒が
水を含む場合のみ耐クラック性が向上し、アルコール
（ＩＰＡ）、有機溶媒（ベンゼン）を溶媒とした場合に
は向上しなかった。水とＩＰＡの混合物を溶媒とした場
合には耐クラック性が向上したことから、分子中に上記
Ｎ原子が１個含まれる表面処理剤の場合、水を主成分と
する溶媒を用いることが必要であることがわかった。こ
の理由は、完全には解明できていないが、分子中に上記
Ｎ原子が２個以上存在する場合には、表面処理剤溶液中
に溶出した銅とキレート化するが、上記Ｎ原子が１個の
場合にキレート化するには、表面処理剤のモノマーが溶
液中で分子中に上記Ｎ原子を２個以上含むオリゴマーと
なる必要があり、加水分解用の水が溶媒として必要とな
るためであると推測される。
【００３３】実施例２．実施例１におけるＡＡＰＳをＩ
ＰＡに溶解した表面処理剤を用い、実施例１と同様にあ
らかじめ希硫酸を用いてリードフレーム１の表面の自然
酸化層を除去し、実施例１と同様に表面処理層７を加熱
工程前に設けて製造した半導体装置（サンプルＮｏ．１
１）と、自然酸化膜を除去しない他は実施例１と同様に
製造した半導体装置（サンプルＮｏ．１２）と、実施例
１の半導体装置の製造工程において、ダイボンディン
グ、ワイヤーボンディング等の加熱工程が終了し表面に
銅酸化物が生成した後にリードフレーム１に上記表面処
理剤を塗布した後レジン３をモールドすることにより製
造した半導体装置（サンプルＮｏ．１３）の各々１０個
を試料としたものをサンプルとして、実施例１と同様に
熱ストレスを与えた。上記サンプルにおいてクラックの
発生した半導体装置の数（表中クラック発生数）を調査
した。その結果を表２に示す。
ＰＡに溶解した表面処理剤を用い、実施例１と同様にあ
らかじめ希硫酸を用いてリードフレーム１の表面の自然
酸化層を除去し、実施例１と同様に表面処理層７を加熱
工程前に設けて製造した半導体装置（サンプルＮｏ．１
１）と、自然酸化膜を除去しない他は実施例１と同様に
製造した半導体装置（サンプルＮｏ．１２）と、実施例
１の半導体装置の製造工程において、ダイボンディン
グ、ワイヤーボンディング等の加熱工程が終了し表面に
銅酸化物が生成した後にリードフレーム１に上記表面処
理剤を塗布した後レジン３をモールドすることにより製
造した半導体装置（サンプルＮｏ．１３）の各々１０個
を試料としたものをサンプルとして、実施例１と同様に
熱ストレスを与えた。上記サンプルにおいてクラックの
発生した半導体装置の数（表中クラック発生数）を調査
した。その結果を表２に示す。
【００３４】
【表２】
【００３５】サンプルＮｏ．１１と比較し、リードフレ
ーム１表面に自然酸化膜がすでに生成した状態であるサ
ンプルＮｏ．１２の結果や、モールド工程直前即ち加熱
工程後に表面処理を行ったサンプルＮｏ．１３を見る
と、酸化銅がすでに生成している状態で表面処理を行う
ことは効果が少ないことがわかる。すなわち、リードフ
レーム１が高温雰囲気下で酸化される前に表面処理を行
うことが重要であり、さらには、自然酸化膜を除去した
下地に、表面処理を行うと良い信頼性が得られることが
わかる。
ーム１表面に自然酸化膜がすでに生成した状態であるサ
ンプルＮｏ．１２の結果や、モールド工程直前即ち加熱
工程後に表面処理を行ったサンプルＮｏ．１３を見る
と、酸化銅がすでに生成している状態で表面処理を行う
ことは効果が少ないことがわかる。すなわち、リードフ
レーム１が高温雰囲気下で酸化される前に表面処理を行
うことが重要であり、さらには、自然酸化膜を除去した
下地に、表面処理を行うと良い信頼性が得られることが
わかる。
【００３６】実施例３．リードフレーム１に、表面処理
剤として実施例１と同じ濃度のＡＡＰＳ、Ｎ―β（アミ
ノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメトキシシラン
（以下ＡＡＰｄＳとする）、ＡＰＳ、Ｎ―（３トリエト
キシシリルプロピル）―イミダゾール（以下ＥＳＰＩ）
Ｎ―（３トリエトキシシリルプロピル）―４，５―ジヒ
ドロイミダゾール（以下ＥＳＰＨＩとする）、γ―アミ
ノプロピルトリヒドロキシシラン（以下ＡＰＨＳとす
る）と表３に示す溶媒を用い、実施例１と同様にして、
表面処理剤を調整して表面処理層７をリードフレーム１
に設けた。その後、実施例１と同様に製造した半導体装
置の各々１０個を試料としたものをサンプルとし、実施
例１と同様に２３０℃ハンダ浴に浸漬して熱ストレスを
与えた後、上記サンプルにおいてクラックの発生した半
導体装置の数（表中クラック発生数）の調査を行った。
その結果を表３に示す。
剤として実施例１と同じ濃度のＡＡＰＳ、Ｎ―β（アミ
ノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメトキシシラン
（以下ＡＡＰｄＳとする）、ＡＰＳ、Ｎ―（３トリエト
キシシリルプロピル）―イミダゾール（以下ＥＳＰＩ）
Ｎ―（３トリエトキシシリルプロピル）―４，５―ジヒ
ドロイミダゾール（以下ＥＳＰＨＩとする）、γ―アミ
ノプロピルトリヒドロキシシラン（以下ＡＰＨＳとす
る）と表３に示す溶媒を用い、実施例１と同様にして、
表面処理剤を調整して表面処理層７をリードフレーム１
に設けた。その後、実施例１と同様に製造した半導体装
置の各々１０個を試料としたものをサンプルとし、実施
例１と同様に２３０℃ハンダ浴に浸漬して熱ストレスを
与えた後、上記サンプルにおいてクラックの発生した半
導体装置の数（表中クラック発生数）の調査を行った。
その結果を表３に示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】比較のため、γ―グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン（以下ＧＰＳとする）、フェニルトリ
メトキシシラン（以下ＰＳとする）、テトラエトキシシ
ラン（以下ＴＥＯＳ）、ベンゾトリアゾール（以下ＢＴ
Ａ）を各々ＩＰＡに溶解した表面処理剤の場合のものも
同様の調査を行った。ただし、ＧＰＳ、ＰＳ、ＴＥＯＳ
各々を用いた場合、シランアルコキシル基の加水分解の
ため水を、触媒としてＨＣｌを表面処理剤溶液に混入さ
せた。
リメトキシシラン（以下ＧＰＳとする）、フェニルトリ
メトキシシラン（以下ＰＳとする）、テトラエトキシシ
ラン（以下ＴＥＯＳ）、ベンゾトリアゾール（以下ＢＴ
Ａ）を各々ＩＰＡに溶解した表面処理剤の場合のものも
同様の調査を行った。ただし、ＧＰＳ、ＰＳ、ＴＥＯＳ
各々を用いた場合、シランアルコキシル基の加水分解の
ため水を、触媒としてＨＣｌを表面処理剤溶液に混入さ
せた。
【００３９】表面処理剤にＡＡＰＳ、ＡＡＰｄＳ、ＡＰ
Ｓ、ＥＳＰＩ、ＥＳＰＨＩを各々含有した結果、実施例
１の無処理のもの（サンプルＮｏ．８）と比較して、パ
ッケージクラックの発生が皆無となりリフロー耐性が向
上したことがわかる。ＡＡＰＳ、ＡＡＰｄＳ、ＡＰＳ、
ＥＳＰＩ、ＥＳＰＨＩの各々を含有した表面処理剤を用
いて表面処理層７を設けたリードフレーム１を、レジン
をモールドする直前にＸ線光電子分光により観察すると
Ｃｕ2ＯおよびＣｕＯは見られなかった。
Ｓ、ＥＳＰＩ、ＥＳＰＨＩを各々含有した結果、実施例
１の無処理のもの（サンプルＮｏ．８）と比較して、パ
ッケージクラックの発生が皆無となりリフロー耐性が向
上したことがわかる。ＡＡＰＳ、ＡＡＰｄＳ、ＡＰＳ、
ＥＳＰＩ、ＥＳＰＨＩの各々を含有した表面処理剤を用
いて表面処理層７を設けたリードフレーム１を、レジン
をモールドする直前にＸ線光電子分光により観察すると
Ｃｕ2ＯおよびＣｕＯは見られなかった。
【００４０】一方、サンプルＮｏ．２７を見ると、一般
的にモールドするレジン３の主成分でもあるエポキシ樹
脂の接着性を向上させるといわれるＧＰＳを表面処理剤
として用いた場合でもリフロー耐性は向上しなかった。
Ｘ線光電子分光によりモールドする直前のリードフレー
ム１を観察したところ、Ｃｕ2ＯおよびＣｕＯが観察さ
れＧＰＳを含有した表面処理層７はリードフレーム１表
面の酸化の抑制力が弱いことがわかった。そのため、脆
い酸化層が起点となり剥離、クラックを引き起こしたと
考えられる。これにより、リードフレーム１表面の酸化
物層を抑制することが重要であることがわかる。また、
安定なフェニル基とシランメトキシ基を持つＰＳ（サン
プルＮｏ．２８）も同様の結果であることを考えると、
耐クラック性は接着力だけではなく、酸化を抑制するこ
とが必要であると推定される。次に、サンプルＮｏ．２
９を見ると、分子中にシランアルコキシル基のみをもつ
ＴＥＯＳでは、耐クラック性は向上しないことがわかっ
た。これは、リードフレーム１表面との相互作用が弱い
ためと考えられる。また、サンプルＮｏ．３０を見ると
アミノ基を有するＢＴＡを塗布したものでも、クラック
耐性が向上しなかった。これは、確認はできていないも
のの、ＢＴＡはアミノ基による銅との相互作用は存在す
るものの、モノマーとして表面に吸着しており、ＢＴＡ
同士の結合がないため高温時に昇華してしまうためと考
えられる。これらの結果から、分子中にシランアルコキ
シド基（サンプルＮｏ．２９）、アミノ基（サンプルＮ
ｏ．３０）のみではなく、両方含有していないと耐クラ
ック性は向上しないことがわかる。
的にモールドするレジン３の主成分でもあるエポキシ樹
脂の接着性を向上させるといわれるＧＰＳを表面処理剤
として用いた場合でもリフロー耐性は向上しなかった。
Ｘ線光電子分光によりモールドする直前のリードフレー
ム１を観察したところ、Ｃｕ2ＯおよびＣｕＯが観察さ
れＧＰＳを含有した表面処理層７はリードフレーム１表
面の酸化の抑制力が弱いことがわかった。そのため、脆
い酸化層が起点となり剥離、クラックを引き起こしたと
考えられる。これにより、リードフレーム１表面の酸化
物層を抑制することが重要であることがわかる。また、
安定なフェニル基とシランメトキシ基を持つＰＳ（サン
プルＮｏ．２８）も同様の結果であることを考えると、
耐クラック性は接着力だけではなく、酸化を抑制するこ
とが必要であると推定される。次に、サンプルＮｏ．２
９を見ると、分子中にシランアルコキシル基のみをもつ
ＴＥＯＳでは、耐クラック性は向上しないことがわかっ
た。これは、リードフレーム１表面との相互作用が弱い
ためと考えられる。また、サンプルＮｏ．３０を見ると
アミノ基を有するＢＴＡを塗布したものでも、クラック
耐性が向上しなかった。これは、確認はできていないも
のの、ＢＴＡはアミノ基による銅との相互作用は存在す
るものの、モノマーとして表面に吸着しており、ＢＴＡ
同士の結合がないため高温時に昇華してしまうためと考
えられる。これらの結果から、分子中にシランアルコキ
シド基（サンプルＮｏ．２９）、アミノ基（サンプルＮ
ｏ．３０）のみではなく、両方含有していないと耐クラ
ック性は向上しないことがわかる。
【００４１】実施例４．実施例３におけるサンプルＮ
ｏ．２１〜２６と同様にして製造した半導体装置の各々
１０個を試料としたものをサンプルとし、ハンダ浴の温
度を２５０℃として熱ストレスを与えたところクラック
が発生した。どの界面が起点となりクラックが発生して
いるのかを調査するため、断面観察を行ったところ、こ
れまでの実施例１〜３ではすべてモールドレジン３とリ
ードフレーム１との界面に剥離が発生し、そこを起点と
してクラックが発生していたが、２５０℃のハンダ浴に
浸漬した場合、モールドレジン３とリードフレーム１と
の界面に剥離が発生せずに、半導体素子４とダイパッド
２ａを接着する接着層６において剥離し、そこを起点と
してクラックが発生していたものが一部あった。
ｏ．２１〜２６と同様にして製造した半導体装置の各々
１０個を試料としたものをサンプルとし、ハンダ浴の温
度を２５０℃として熱ストレスを与えたところクラック
が発生した。どの界面が起点となりクラックが発生して
いるのかを調査するため、断面観察を行ったところ、こ
れまでの実施例１〜３ではすべてモールドレジン３とリ
ードフレーム１との界面に剥離が発生し、そこを起点と
してクラックが発生していたが、２５０℃のハンダ浴に
浸漬した場合、モールドレジン３とリードフレーム１と
の界面に剥離が発生せずに、半導体素子４とダイパッド
２ａを接着する接着層６において剥離し、そこを起点と
してクラックが発生していたものが一部あった。
【００４２】そこで、接着剤を銀（導電性フィラー）、
エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）および熱可塑性ポリイミ
ド樹脂からなる室温にて固体のフィルム状の接着剤｛商
品名：ＨＤＦ一３３５，日立化成工業（株）製｝を用い
２００〜３００℃で数秒間熱圧着する他は上記と同様に
製造した各半導体装置の各々１０個を試料としたものを
サンプルとし、２５０℃のハンダ浴に浸漬することによ
り上記と同様にして上記サンプルにおいてクラックの発
生した半導体装置の数（表中クラック発生数）を調査し
た。その結果を表４に示す。
エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）および熱可塑性ポリイミ
ド樹脂からなる室温にて固体のフィルム状の接着剤｛商
品名：ＨＤＦ一３３５，日立化成工業（株）製｝を用い
２００〜３００℃で数秒間熱圧着する他は上記と同様に
製造した各半導体装置の各々１０個を試料としたものを
サンプルとし、２５０℃のハンダ浴に浸漬することによ
り上記と同様にして上記サンプルにおいてクラックの発
生した半導体装置の数（表中クラック発生数）を調査し
た。その結果を表４に示す。
【００４３】
【表４】
【００４４】接着剤としてフィルム状接着剤を用いた場
合は、半導体装置の断面を観察すると、接着剤として上
記銀ペーストを用いた場合のように半導体素子４とダイ
パッド２ａを接着する接着層６において剥離しているも
のはなく、上記フィルム状接着剤により半導体素子４と
リードフレーム１を接着することにより、本発明の効果
を最大限に引き出すことができる。すなわち、上記フィ
ルム状接着剤には溶剤または反応性希釈剤が含有されて
いないので、接着工程においてボイドが発生することを
防止することができ、接着層におけるクラックの発生を
防止することができる。さらに、上記フィルム状接着剤
は室温においてダイパッドに塗布できる程度の流動性を
有するとともに、耐熱性にも優れておりダイパッドと半
導体素子の接着層の破壊強度が強くなり信頼性が向上す
る。
合は、半導体装置の断面を観察すると、接着剤として上
記銀ペーストを用いた場合のように半導体素子４とダイ
パッド２ａを接着する接着層６において剥離しているも
のはなく、上記フィルム状接着剤により半導体素子４と
リードフレーム１を接着することにより、本発明の効果
を最大限に引き出すことができる。すなわち、上記フィ
ルム状接着剤には溶剤または反応性希釈剤が含有されて
いないので、接着工程においてボイドが発生することを
防止することができ、接着層におけるクラックの発生を
防止することができる。さらに、上記フィルム状接着剤
は室温においてダイパッドに塗布できる程度の流動性を
有するとともに、耐熱性にも優れておりダイパッドと半
導体素子の接着層の破壊強度が強くなり信頼性が向上す
る。
【００４５】実施例５．実施例４と同様に接着剤として
室温にて固体のフィルム状の接着剤を用いて製造した半
導体装置の各々１０個を試料としたものをサンプルと
し、２６０℃のハンダ浴に浸漬後上記サンプルにおいて
クラックの発生した半導体装置の数（表中クラック発生
数）を調査した。また、表面処理剤として上記ＡＡＰＳ
の他にイミダゾール、トリアゾールまたはビニルトリア
ジンの混合物をＩＰＡ中に各々０．５ｍｏｌ／ｌの濃度
となるように溶解したものを用い、実施例４と同様に接
着剤として室温にて固体のフィルム状の接着剤を用いて
製造した半導体装置も上記と同様に調査した。結果を表
５に示す。
室温にて固体のフィルム状の接着剤を用いて製造した半
導体装置の各々１０個を試料としたものをサンプルと
し、２６０℃のハンダ浴に浸漬後上記サンプルにおいて
クラックの発生した半導体装置の数（表中クラック発生
数）を調査した。また、表面処理剤として上記ＡＡＰＳ
の他にイミダゾール、トリアゾールまたはビニルトリア
ジンの混合物をＩＰＡ中に各々０．５ｍｏｌ／ｌの濃度
となるように溶解したものを用い、実施例４と同様に接
着剤として室温にて固体のフィルム状の接着剤を用いて
製造した半導体装置も上記と同様に調査した。結果を表
５に示す。
【００４６】
【表５】
【００４７】サンプルＮｏ．４１とサンプルＮｏ．４７
〜４９を比較すると、明らかにイミダゾールを表面処理
剤に混合させることにより、半導体装置のリフロー耐性
が向上したことがわかる。この理由は未だ不明である
が、イミダゾール類は高温における酸化を抑制する成分
であると考えられ、ＡＡＰＳとともに用いることによ
り、一層耐クラック性を向上させると考えられる。
〜４９を比較すると、明らかにイミダゾールを表面処理
剤に混合させることにより、半導体装置のリフロー耐性
が向上したことがわかる。この理由は未だ不明である
が、イミダゾール類は高温における酸化を抑制する成分
であると考えられ、ＡＡＰＳとともに用いることによ
り、一層耐クラック性を向上させると考えられる。
【００４８】実施例６．上記実施例１〜５において、リ
ードフレーム１と同じ材料組成の銅合金とモールドに用
いたレジン３との接着性を調べるため次のような単純化
した試験を行った。図２は銅合金とモールドに用いたレ
ジンとの接着強度を測定する方法を示す説明図である。
上記実施例１〜５でパッケージクラックの有無を調べた
時のリードフレーム１と同じ組成の銅合金を接着試験片
８とし、レジン９も、上記実施例１〜５でモールドに用
いたレジン３と同じものを使用した。接着試験片８に
は、上記実施例１と同様にあらかじめ自然酸化膜除去工
程を施して後に下記表中に示す表面処理剤を用いて表面
処理被膜１０を形成し上記実施例１におけるモールド工
程より前までの加熱工程に相当する熱履歴を経たもの
（表中加熱工程前）、上記実施例１と同様にあらかじめ
自然酸化膜除去工程を施し上記実施例１におけるモール
ド工程より前までの加熱工程に相当する熱履歴を経て後
下記表中に示す表面処理剤を用いて表面処理被膜１０を
形成したもの（表中加熱工程後）を用いた。即ち、上記
接着試験片８の２個の端部を図２の様にレジン９で封止
接着し、図２中の矢印に示すように、２個の接着試験片
をレジン９から引き抜く時の剪断力を接着強度として測
定した。各サンプルとして、上記接着試験片８をレジン
９で封止接着した４個の試料を用いその平均値を求め
た。結果を表６に示す。
ードフレーム１と同じ材料組成の銅合金とモールドに用
いたレジン３との接着性を調べるため次のような単純化
した試験を行った。図２は銅合金とモールドに用いたレ
ジンとの接着強度を測定する方法を示す説明図である。
上記実施例１〜５でパッケージクラックの有無を調べた
時のリードフレーム１と同じ組成の銅合金を接着試験片
８とし、レジン９も、上記実施例１〜５でモールドに用
いたレジン３と同じものを使用した。接着試験片８に
は、上記実施例１と同様にあらかじめ自然酸化膜除去工
程を施して後に下記表中に示す表面処理剤を用いて表面
処理被膜１０を形成し上記実施例１におけるモールド工
程より前までの加熱工程に相当する熱履歴を経たもの
（表中加熱工程前）、上記実施例１と同様にあらかじめ
自然酸化膜除去工程を施し上記実施例１におけるモール
ド工程より前までの加熱工程に相当する熱履歴を経て後
下記表中に示す表面処理剤を用いて表面処理被膜１０を
形成したもの（表中加熱工程後）を用いた。即ち、上記
接着試験片８の２個の端部を図２の様にレジン９で封止
接着し、図２中の矢印に示すように、２個の接着試験片
をレジン９から引き抜く時の剪断力を接着強度として測
定した。各サンプルとして、上記接着試験片８をレジン
９で封止接着した４個の試料を用いその平均値を求め
た。結果を表６に示す。
【００４９】
【表６】
【００５０】酸化層の生成が抑制されていたサンプルＮ
ｏ．５１〜５７は、サンプルＮｏ．６４の無処理のもの
やサンプルＮｏ．５９〜６３と比較して、著しく銅合金
接着試験片８とモールドに用いたレジン９との接着強度
が向上したことがわかる。また、サンプルＮｏ．５７を
見ると、ＡＡＰＳとイミダゾールの混合物を表面処理剤
とした場合にも同等の効果があることがわかる。この接
着強度の著しい向上が、熱ストレス下におけるリードフ
レーム１とモールドに用いたレジン３との剥離を抑制
し、リフロー耐性の向上に大きく寄与していると考えら
れる。
ｏ．５１〜５７は、サンプルＮｏ．６４の無処理のもの
やサンプルＮｏ．５９〜６３と比較して、著しく銅合金
接着試験片８とモールドに用いたレジン９との接着強度
が向上したことがわかる。また、サンプルＮｏ．５７を
見ると、ＡＡＰＳとイミダゾールの混合物を表面処理剤
とした場合にも同等の効果があることがわかる。この接
着強度の著しい向上が、熱ストレス下におけるリードフ
レーム１とモールドに用いたレジン３との剥離を抑制
し、リフロー耐性の向上に大きく寄与していると考えら
れる。
【００５１】
【発明の効果】本発明の第１のレジンモールド半導体装
置によれば、ダイパッドとこのダイパッドの周囲に向か
って延出するリード部とを有し銅または銅合金からなる
リードフレーム、上記ダイパッドに接着層を介して設け
た半導体素子、この半導体素子と上記リード部とを電気
的に接続する導線、並びに上記リードフレームと半導体
素子と導線とをモールドしたレジンを備えたレジンモー
ルド半導体装置において、上記リードフレームの表面
に、下記一般式（１）または一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を含有した表面処理層を設けたものであることによ
り、実装時のリフロー耐性が優れ信頼性に優れたレジン
ボールド半導体装置を得ることができるという効果があ
る。
置によれば、ダイパッドとこのダイパッドの周囲に向か
って延出するリード部とを有し銅または銅合金からなる
リードフレーム、上記ダイパッドに接着層を介して設け
た半導体素子、この半導体素子と上記リード部とを電気
的に接続する導線、並びに上記リードフレームと半導体
素子と導線とをモールドしたレジンを備えたレジンモー
ルド半導体装置において、上記リードフレームの表面
に、下記一般式（１）または一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を含有した表面処理層を設けたものであることによ
り、実装時のリフロー耐性が優れ信頼性に優れたレジン
ボールド半導体装置を得ることができるという効果があ
る。
【００５２】本発明の第２のレジンモールド半導体装置
によれば、上記第１のレジンモールド半導体装置におい
て、一般式（１）で示される化合物がＮ―β（アミノエ
チル）γ―アミノプロピルトリメトキシシランまたはＮ
―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメト
キシシランであり、一般式（２）で示される化合物がγ
―アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロ
ピルトリヒドロキシシラン、Ｎ―（３トリエトキシシリ
ルプロピル）―イミダゾールまたはＮ―（３トリエトキ
シシリルプロピル）―４，５―ジヒドロイミダゾールで
あることにより、実装時のリフロー耐性が優れ信頼性に
優れたレジンボールド半導体装置を得ることができると
いう効果がある。
によれば、上記第１のレジンモールド半導体装置におい
て、一般式（１）で示される化合物がＮ―β（アミノエ
チル）γ―アミノプロピルトリメトキシシランまたはＮ
―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメチルジメト
キシシランであり、一般式（２）で示される化合物がγ
―アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―アミノプロ
ピルトリヒドロキシシラン、Ｎ―（３トリエトキシシリ
ルプロピル）―イミダゾールまたはＮ―（３トリエトキ
シシリルプロピル）―４，５―ジヒドロイミダゾールで
あることにより、実装時のリフロー耐性が優れ信頼性に
優れたレジンボールド半導体装置を得ることができると
いう効果がある。
【００５３】本発明の第３のレジンモールド半導体装置
によれば、上記第１または第２のレジンモールド半導体
装置において、表面処理層がイミダゾール、トリアゾー
ル、トリアジンまたはこれらの誘導体からなる化合物を
含有したものであることにより、さらにリードフレーム
の耐熱性および酸化抑止力が向上しさらに実装時のリフ
ロー耐性が優れ信頼性に優れたレジンボールド半導体装
置を得ることができるという効果がある。
によれば、上記第１または第２のレジンモールド半導体
装置において、表面処理層がイミダゾール、トリアゾー
ル、トリアジンまたはこれらの誘導体からなる化合物を
含有したものであることにより、さらにリードフレーム
の耐熱性および酸化抑止力が向上しさらに実装時のリフ
ロー耐性が優れ信頼性に優れたレジンボールド半導体装
置を得ることができるという効果がある。
【００５４】本発明の第１のレジンモールド半導体装置
の製造方法によれば、ダイパッドとこのダイパッドの周
囲に向かって延出したリード部とを有し銅または銅合金
からなるリードフレームの表面に、下記一般式（１）ま
たは一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を溶媒に溶解した表面処理剤を塗布して表面処理層
を得る工程、上記表面処理層を形成したリードフレーム
のダイパッドに半導体素子を接着剤により接着する工
程、上記半導体素子と上記表面処理層を設けたリードフ
レームのリード部とを導線により電気的に接続する工
程、並びに上記リードフレームと半導体素子と導線とを
レジンによりモールドする工程を施すことにより、実装
時のリフロー耐性が優れ信頼性に優れたレジンボールド
半導体装置を得ることができるという効果がある。
の製造方法によれば、ダイパッドとこのダイパッドの周
囲に向かって延出したリード部とを有し銅または銅合金
からなるリードフレームの表面に、下記一般式（１）ま
たは一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を溶媒に溶解した表面処理剤を塗布して表面処理層
を得る工程、上記表面処理層を形成したリードフレーム
のダイパッドに半導体素子を接着剤により接着する工
程、上記半導体素子と上記表面処理層を設けたリードフ
レームのリード部とを導線により電気的に接続する工
程、並びに上記リードフレームと半導体素子と導線とを
レジンによりモールドする工程を施すことにより、実装
時のリフロー耐性が優れ信頼性に優れたレジンボールド
半導体装置を得ることができるという効果がある。
【００５５】本発明の第２のレジンモールド半導体装置
の製造方法によれば、接着剤が溶剤または反応性希釈剤
を含有しないので、さらに実装時のリフロー耐性が優れ
信頼性に優れたレジンボールド半導体装置を得ることが
できるという効果がある。
の製造方法によれば、接着剤が溶剤または反応性希釈剤
を含有しないので、さらに実装時のリフロー耐性が優れ
信頼性に優れたレジンボールド半導体装置を得ることが
できるという効果がある。
【００５６】本発明の第３のレジンモールド半導体装置
の製造方法によれば、上記第１または第２のレジンモー
ルド半導体装置の製造方法において、表面処理層を設け
る前に、リードフレーム表面の酸化物層を除去する工程
を施すことにより、より効果的に実装時のリフロー耐性
が優れ信頼性に優れたレジンボールド半導体装置を得る
ことができるという効果がある。
の製造方法によれば、上記第１または第２のレジンモー
ルド半導体装置の製造方法において、表面処理層を設け
る前に、リードフレーム表面の酸化物層を除去する工程
を施すことにより、より効果的に実装時のリフロー耐性
が優れ信頼性に優れたレジンボールド半導体装置を得る
ことができるという効果がある。
【００５７】本発明の第４のレジンモールド半導体装置
の製造方法によれば、上記第１ないし第３のレジンモー
ルド半導体装置の製造方法において、一般式（２）で示
される化合物が不対電子を有する１個のＮ原子が存在す
るものであり、溶媒が水を含有したものであることによ
り、実装時のリフロー耐性が優れ信頼性に優れたレジン
ボールド半導体装置を得ることができるという効果があ
る。
の製造方法によれば、上記第１ないし第３のレジンモー
ルド半導体装置の製造方法において、一般式（２）で示
される化合物が不対電子を有する１個のＮ原子が存在す
るものであり、溶媒が水を含有したものであることによ
り、実装時のリフロー耐性が優れ信頼性に優れたレジン
ボールド半導体装置を得ることができるという効果があ
る。
【図１】 本発明の一実施例になるレジンモールド半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
【図２】 銅合金とモールドに用いたレジンとの接着強
度を測定する方法を示す説明図である。
度を測定する方法を示す説明図である。
１ リードフレーム、２ａ ダイパッド、２ｂ リード
部、３ レジン、４ 半導体素子、５ 導線、６ 接着
層、７ 表面処理層、８接着試験片、９ レジン、１０
表面処理被膜
部、３ レジン、４ 半導体素子、５ 導線、６ 接着
層、７ 表面処理層、８接着試験片、９ レジン、１０
表面処理被膜
フロントページの続き (72)発明者 藤岡 弘文 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 ダイパッドとこのダイパッドの周囲に向
かって延出するリード部とを有し銅または銅合金からな
るリードフレーム、上記ダイパッドに接着層を介して設
けた半導体素子、この半導体素子と上記リード部とを電
気的に接続する導線、並びに上記リードフレームと半導
体素子と導線とをモールドしたレジンを備えたレジンモ
ールド半導体装置において、上記リードフレームの表面
に、下記一般式（１）または一般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を含有した表面処理層を設けたことを特徴とするレ
ジンモールド半導体装置。 - 【請求項２】 一般式（１）で示される化合物がＮ―β
（アミノエチル）γ―アミノプロピルトリメトキシシラ
ンまたはＮ―β（アミノエチル）γ―アミノプロピルメ
チルジメトキシシランであり、一般式（２）で示される
化合物がγ―アミノプロピルトリエトキシシラン、γ―
アミノプロピルトリヒドロキシシラン、Ｎ―（３トリエ
トキシシリルプロピル）―イミダゾールまたはＮ―（３
トリエトキシシリルプロピル）―４，５―ジヒドロイミ
ダゾールである請求項１に記載のレジンモールド半導体
装置。 - 【請求項３】 表面処理層がイミダゾール、トリアゾー
ル、トリアジンまたはこれらの誘導体からなる化合物を
含有したことを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のレジンモールド半導体装置。 - 【請求項４】 ダイパッドとこのダイパッドの周囲に向
かって延出したリード部とを有し銅または銅合金からな
るリードフレームの表面に、下記一般式（１）または一
般式（２） Ｚ―Ｒ1―ＮＲ3―Ｒ2―Ｓｉ（Ｒ4）n―（ＯＲ5）3-n ・・・・（１） Ｚ―Ｒ6―Ｓｉ（Ｒ7）n―（ＯＲ8）3-n ・・・・（２） （式中、ｎは０から２の任意の整数、Ｚはアミノ基、イ
ミダゾール基またはそれらから誘導される１価の基、Ｒ
1、Ｒ2およびＲ6はそれぞれ互いに同一または相異なる
２価の置換または非置換の炭化水素基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ互いに同一または相異な
る１価の置換または非置換の炭化水素基）で示される化
合物を溶媒に溶解した表面処理剤を塗布して表面処理層
を形成する工程、上記表面処理層を形成したリードフレ
ームのダイパッドに半導体素子を接着剤により接着する
工程、上記半導体素子と上記表面処理層を設けたリード
フレームのリード部とを導線により電気的に接続する工
程、並びに上記リードフレームと半導体素子と導線とを
レジンによりモールドする工程を施すレジンモールド半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 接着剤が溶剤または反応性希釈剤を含ま
ないことを特徴とする請求項４に記載のレジンモールド
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 表面処理層を設ける前に、リードフレー
ム表面の酸化物層を除去する工程を施すことを特徴とす
る請求項４または請求項５に記載のレジンモールド半導
体装置の製造方法。 - 【請求項７】 一般式（２）で示される化合物が不対電
子を有する１個のＮ原子が存在するものであり、溶媒が
水を含有したものであることを特徴とする請求項４ない
し請求項６のいずれかに記載のレジンモールド半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34532096A JPH10189857A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | レジンモールド半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34532096A JPH10189857A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | レジンモールド半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189857A true JPH10189857A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18375803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34532096A Pending JPH10189857A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | レジンモールド半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189857A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000315830A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁電変換素子の製造方法 |
| JP2004165647A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-06-10 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | 反応性基：トリアジン／イソシアヌレート、シアネートエステル、及びブロックドイソシアネートを含有する硬化性化合物 |
| KR100541581B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2006-01-11 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 리드 프레임과 그 제조 방법 및 반도체 장치 |
| JP2007053173A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Kobe Steel Ltd | 電子部品用銅系基材、電子部品及びシリコン酸化物薄膜の形成方法 |
| KR100700435B1 (ko) | 2005-06-14 | 2007-03-27 | 한국기계연구원 | 패턴 복제에 사용되는 몰드 제조용 불화 유기규소 화합물,그를 이용하여 제조된 패턴 복제용 유기-무기 혼성 몰드,그 몰드를 이용한 패턴 복제 방법 및 그 방법에 의하여복제된 패턴 |
| WO2020195883A1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
-
1996
- 1996-12-25 JP JP34532096A patent/JPH10189857A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2020195883A1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
| CN113614141A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-11-05 | 住友电木株式会社 | 密封用树脂组合物和半导体装置 |
| CN113614141B (zh) * | 2019-03-27 | 2024-02-20 | 住友电木株式会社 | 密封用树脂组合物和半导体装置 |
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