JPH10189673A - 電子部品のバーンインスクリーニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハーを信頼性よくスクリーニング
するため、とりわけウェハーレベルのバーンインに適す
るスクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 温度制御された環境中にバーンインユニ
ットを配置し、そのバーンインユニットは下方に垂れる
導電性バンプを有し、そのバーンインユニットを下降さ
せ、その導電性バンプを、スクリーニングされる電子部
品の対応する導電性パッドに接続させ、テスト信号を発
生させ、そのテスト信号を、そのバーンインユニットを
通してその電子部品上のその導電性パッドまで伝達す
る、ことを特徴とする電子部品のバーンインスクリーニ
ング方法である。好ましくは、そのバーンインが少なく
とも約９０℃の温度で行われ、そのバーンインユニット
が、下側表面に複数の第１端子と第２端子を備えた低熱
膨張率又はマッチした複合熱膨張率のベースを有する高
度に平面性のあるベースユニットを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハーを
信頼性よくスクリーニングするための装置と方法、とり
わけウェハーレベルのバーンイン（ＷＬＢＩ）、ダイス
状にされたダイのバーンイン（ＤＤＢＩ）、パッケージ
式ダイのバーンイン（ＰＤＢＩ）などに使用される高度
に平坦なバーンイン装置と方法に関する。より詳しく
は、本発明は、ウェハー、ダイス状にされたダイ、及び
パッケージ式電子部品をスクリーニングするための互い
に電気接続された平らなベース、一時的Ｚ軸接続部材、
及びＺ軸ウェハーレベル接触シートを備えたバーンイン
基材を有するバーンイン装置、それらのアセンブリー、
及び用途に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】集積回
路チップを製造する半導体メーカーは、半導体ウェハー
を製造することから出発する。各ウェハーは、一般に、
直径が１００ｍｍ、１２５ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍ
ｍ又は３００ｍｍであり、ウェハー上に１つから数千ま
での任意の数のチップ又はダイを有する。ウェハーの製
造が完了すると、チップ又はダイがウェハーから切断さ
れ又は「ダイスにされ(diced) 」、次いでプリント回路
ボード又はその他の用途に装着されるために、単一チッ
プ又は多数チップパッケージに搭載されることができ
る。

【０００３】ウェハーの製造が完了すると、製造後の各
チップは、電気的に設計基準に合致するか、チップが装
着されるべきシステムの性能基準に合致するか、動作に
信頼性があるかが評価されるため、ウェハー上の各チッ
プをテストすることが通常行われる。チップが電気的テ
スト又は信頼性のテストに不合格であると、そのチップ
は、チップを修理するかチップに設計された余力的特徴
を発揮させなければ、システムに装着することが適切で
ない。チップの性能テストは、各種の用途に適当ないろ
いろな種類に、また、異なる価格での販売に、チップを
迅速に分類するために使用されることができる。

【０００４】信頼性テストは、不都合な短寿命期間を有
するチップをふるい落とすために使用される。一般に、
チップ群のかなりの割合が、製造時の十分とは言えない
条件のため、それらの寿命の早期に駄目になることがあ
る。続いて、非常に低い割合の群が、チップの延命した
使用期間の中で駄目になる。半導体チップの信頼性のス
クリーニングは、一般に、テスト中のチップにテスト信
号パターンを送り、チップ上の全てのデバイスとトレー
スを繰り返して刺激するプロセスによって行われ、一般
に、最初の６か月の作動をシミュレーションするため、
高められた温度で行われる。このため、このスクリーニ
ング方法はバーンインとして知られる。

【０００５】チップのバーンインは、促進された不良を
引き起こす傾向にある。このような不良の２つの例は、
ビア界面やゲートや接合点でのコンタミが引き起こす不
良であり、また、設計幅（技術や時代によっても異なる
が、現状は０．３５μｍ）の５０％のオーダーの非常に
薄い領域に狭まることがある製造時に不具合となった金
属線である。これらの狭められた領域の金属は、電気移
動（electromigration）として知られるメカニズムによ
って電流の流れる方向にドリフトする傾向にあり、その
ドリフト速度は、電流密度に正比例し、高められた温度
によって加速される。十分な電気移動の後、金属の狭め
られた領域で開路状態が生じ、いくつかのテスト信号パ
ターンについてチップの論理不良を起こすことがある。
ＦＥＴトランジスター技術を用いてトランジスターが作
成されたゲート酸化物領域は、しばしば信頼性不良の源
でもある。トランジスターのゲート酸化物領域の厚さ
は、厳しい許容範囲内にコントロールされる必要があ
る。製造後にチップ上の１つ以上のトランジスターのゲ
ート酸化物領域が過度に薄いと、テストパターンがチッ
プに適用されるときのトランジスター中の高電場によっ
てゲート酸化物が破壊されることがある。破壊すると、
テストパターンからの出力は不良を明示する。

【０００６】非常に価値があるものの、バーンインプロ
セスは、半導体メーカーにとって歴史的に時間がかかり
コストが高いプロセスであった。既存のバーンインは、
一般に、９０℃〜１２５℃の温度で２４〜１６８時間の
随意の時間で集積回路について行われる。当然ながら、
この信頼性テストの遅い速度は、機能的半導体の大量生
産を妨げ、大きなコストを付加する。

【０００７】チップのパッケージにして多数のダイスに
されたチップがその上に配置され、次いでそのパッケー
ジがバーンインボード上のソケットに入るバーンインボ
ードを作成することにより、公知のバーンインプロセス
の低い処理量に対処することを多くのメーカーが試み
た。その後、テストホード上の各チップは、高められた
温度でテストパターンにより同時に作動される。このよ
うにして、多くのチップが一度にバーンインされる。こ
れらのシステムは、大容積のチップをバーンインするの
に必要な時間を効率的に減らす。しかしながら、欠陥の
ある又は信頼性のないダイをパッケージにする付加的な
コストは、このような公知のバーンインプロセスの大き
な欠点である。

【０００８】ベアダイバーンイン（ＢＤＢＩ）は、マル
チチップモジュール（ＭＣＭ）及びその他のベアダイ用
途、例えばチップオンボード（ＣＯＢ）のノウングッド
ダイ（ＫＧＤ）の評価を与えるために必要である。ベア
ダイのバーンインがなければ、マルチチップモジュール
（及びその他のベアダイ用途）の収率は厳しく損なわ
れ、より高い製造コストをもたらす。現状のベアダイバ
ーンインは、テキサスインスツールメント社の「Ｄｉｅ
Ｍａｔｅ」（登録商標）製品に代表され、この場合、
ベアダイは一時的パッケージの中に入れられ、バーンイ
ンテストが行われる。この方法において必要な配列と取
扱工程は、信頼性のある又は「ノウングッド」であるベ
アダイを提供するために、コスト、プロセスの複雑さ、
及び時間を付加する。

【０００９】バーンインプロセスの処理量を改良するた
めのもう１つの技術は、ダイスにされていない集積回路
又はチップを含む全ウェハーの全体又は一部にバーンイ
ンを行うことである。このプロセスは、ウェハーレベル
のバーンイン（ＷＬＢＩ）として公知である。ウェハー
レベルのバーンインにおいて、テスト装置からの電気端
子は、１つ以上のチップの接触パッドと緊密な接触にさ
れる。したがって、チップをバーンインボードにハンダ
付けするよりも損傷が少ない。しかしながら、テスト装
置の電気端子の平面性の問題と、テスト装置とテスト中
のウェハーの熱膨張率の間の不一致の問題が存在する。

【００１０】これらの問題は、現在までいくつかの異な
る技術によって取り組まれてきた。例えば、当該工業
は、高い温度、高い圧力の、内側のインバーシートの外
側上の銅のラミネーションであるＣＩＣとして知られる
材料を使用する。この材料に関する１つの欠点は、取り
得る最大厚さが厚さ６２ミルのシートであることであ
る。第２の欠点は、ＣＩＣが製造されるとき、大きなス
プール上にロール巻きにされることである。その結果、
スプールの外側からスプールの内側までの材料が、異な
る塑性変形とそれによる異なる曲率半径を有する。

【００１１】ロール巻きにされるＣＩＣのもう１つの欠
点は、所望の厚さと平面性を得るため、４片のＣＩＣが
一緒にラミネートされなければならないことである。２
層が下に１層が上に曲げられるため、偶数のＣＩＣ層が
存在しなければならない。このことは、１方向またはそ
の他の方向に超過バランスをもたらす。このため、ＣＩ
Ｃシートの数は、偶数の２、４又は６でなければならな
い。このような多くのＣＩＣシートを使用する欠点は、
ＣＩＣが非常に高密度のため、ベースがより厚ければそ
れがより重くなることである。

【００１２】ＣＩＣシステムのもう１つの欠点は、製造
後に、ローラーによるラミネーションプロセスを経るイ
ンバー３６の両側の銅の個々の片が存在することであ
る。上側対下側の銅の厚さは変化する。この異なる厚さ
のため、上側から下側まで応力差による狂いが生じ、こ
のことは温度変化の際に非常に好ましくない。ＣＩＣの
厚さは、プロセスを通して変化することもある。ＣＩＣ
を均一な厚さに機械加工することができず、これは、一
方の側で他方よりも多く機械で厚さを減らすからであ
る。

【００１３】ＣＩＣシステムのもう１つの欠点は、最大
の熱膨張率（ＣＴＥ）を有する材料の銅が外側にあるこ
とである。このため、より大きな応力がＣＩＣに発生す
る。ウェハーに接触させるために使用される１つの技術
は、Ｓ形プローブ又はＰｏｇｏ（登録商標）ピンのよう
な電気端子を使用する。Ｓ形の曲げが可能なワイヤープ
ローブを用いると、テスト装置はウェハーの近くにやら
れ、Ｓ形プローブはテスト装置の方に押し戻される。こ
こで、ウェハーを覆うテスト装置の高さは、テスト装置
及び／又はウェハーの平面性が不足していても、各Ｓ形
プローブとウェハーのチップ上の接触パッドの間の接触
を保証するように、変化されることができる。しかしな
がら、Ｓ形プローブは、ウェハー上のチップの接触パッ
ドと整合することが難しく、これは、それらがＸとＹの
位置と同時に圧縮時にＺ方向で変化するためである。ま
た、使用されるピンの数は、ウェハーあたりのダイ数と
ダイあたりの接触数に応じ、２００００〜４００００又
はそれ以上のオーダーであり、このため、整合していな
いピンや食い違ったピンの可能性を高める。

【００１４】Ｐｏｇｏ（登録商標）ピンは、Ｓ形プロー
ブと同様な欠点が問題である。Ｐｏｇｏ（登録商標）ピ
ンは圧縮可能であり、したがって、バーンイン基材とテ
スト中のウェハーの間の多少の平面性の相違を補うが、
Ｐｏｇｏ（登録商標）ピンは、それらを適所に保持する
設備の中に装入される必要があるため、Ｐｏｇｏ（登録
商標）ピンは、整合の課題を提示する。機械的設備は、
通常の公差により若干異なる位置の孔を有することがで
きる。

【００１５】ウェハーレベルのバーンインについてのも
う１つの技術は、Ｔｕｃｋｅｒｍａｎらの米国特許第５
５４１５２４号に記載されている。コイン状にされた金
属接触パッドを有するバーンイン基材を形成するプロセ
スが記載されている。次に、コインの上部にハンダが形
成される。次いでハンダ上部が、バーンインテストの間
にチップパッドに接触される。ここで、ハンダ上部は、
実質的に平らでなくてもよいが、チップパッドと接触し
て変形しなければならない。即ち、ハンダ上部とチップ
パッドの全ての間の接触を得るため、チップパッドの一
部を損傷させ得る圧縮力が加えられなければならない。
しかも、ハンダ上部は、バーンインの完全性を保証する
ため、それらを溶融して半球に戻すことによって周期的
に再加工される必要がある。しかしながら、これは、装
置よりも小さいウェハーをテストするために使用可能で
あるに過ぎない。現在のところ、装置が２００ｍｍのウ
ェハーについて製作されるなら、このシステムは１５０
ｍｍのウェハーをテストできるに過ぎず、２００ｍｍの
ウェハーのテストについての解決を与えない。

【００１６】ウェハーレベルのバーンインについてのも
う１つの技術は、Ｌｉｔｔｌｅｂｕｒｙらの米国特許第
４９６８９３１号に記載されている。そこでは複数の接
触パッドを有する可撓性のある膜プローブが、対をなす
チップパッドを備えた集積回路を有するウェハーに押し
つけられる。膨張可能なブラダー(bladder) が、可撓性
のある部材のプローブの後方に配置され、プローブ接触
パッドをチップ接触パッドに接触させる。しかしなが
ら、このブラダーは平面の全体的な不規則性を補うこと
ができるに過ぎない。ブラダーが膨張すると、膜は伸長
されて接点を動かす。即ち、整合が難しい。また、ウェ
ハーからテスト電子回路に信号を伝えるため、限られた
数のトレースのみが施されることができ、システムの複
雑性を厳しく制約する。また、このシステムは高い熱膨
張率を有し、熱的熟成の際に位置の変化をもたらす。

【００１７】このように、高度に平面性があり且つ柔軟
であるが、同時にウェハー上のチップパッドに接触する
ためのデバイスの接点の構造的完全性を維持する、ウェ
ハーレベルのバーンインデバイスを提供するニーズが存
在する。また、ハンダリフローやクリーニングの必要を
解消するバーンインシステムに対するニーズが存在す
る。また、バンプのような接点を有し、均一な構造であ
り、テスト中のウェハー又はボードの接点を接続するた
めに高度の構造的完全性を有して正確に配置されるバー
ンインデバイスを提供するニーズが存在する。さらに、
テスト中のウェハーにマッチする低い熱膨張率を有する
ベースを備え、１５０℃にも及ぶ、さらには２００℃も
の高められた温度で大径ウェハーを首尾よくバーンイン
することが可能なバーンインデバイスを提供するニーズ
が存在する。

【００１８】

【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明
は、高度に平面性のあるバーンイン装置を使用し、半導
体ウェハーの信頼性のあるスクリーニングを行うための
システムと方法に関する。本バーンイン装置は、高度に
平面性のあるベースを有するバーンイン基材ユニット、
所望によりエラストマーを含むことができる柔軟で再使
用可能なＺ軸部材ユニット、及び再使用可能なＺ軸部材
ユニットにラミネートされたウェハーレベル接触シート
ユニットを含んでなる。

【００１９】バーンイン基材とウェハーレベル接触シー
トは、それらの間にサンドイッチされた柔軟なＺ軸部材
の厚さを貫いて延びる不規則形状の導電性Ｚ軸経路を通
して互いに電気接続される。Ｚ軸経路は、Ｘ軸とＹ軸の
方向においては互いに電気的に絶縁される。バーンイン
基材からのテスト信号は、登録されてスクリーニングさ
れる部品と接触するウェハーレベルの接触シートの下側
表面上のバンプを通り、スクリーニングされる部品に伝
達される。各バンプは、その上側端部で４〜８ミルのパ
ッドを有し、実質的に平らな形状と、０．２５ミル〜２
ミル（約８μｍ〜５０μｍ）のオーダー、好ましくは
０．５ミル〜２ミル（約１２μｍ〜５０μｍ）の表面直
径を有するチップで成端する。即ち、パッド寸法とチッ
プ寸法の比は２：１〜３２：１、好ましくは４：１〜３
２：１である。

【００２０】本ラミネート式ウェハーレベル接触シート
ユニットは、上側表面と下側表面を有し、集積回路その
他の電子部品の接触パッドに対応して配列可能な、その
下側表面上の均一な形状の複数の導電性バンプを備え
る。このバンプチップの幾何学的形状は、半導体部品の
接触パッドの上に形成された酸化物層を貫くのに十分で
ある。ラミネート式接触シートは、さらに、その上側表
面上に複数の接触パッドを備え、その各々は、選択的な
Ｚ軸導電性を有する連続気孔の多孔質層を通して対応す
る導電性バンプに個々に電気接続される。

【００２１】ベースユニットは、その上側部分上に配置
されたバランス用層とその下側部分上の回路層を有す
る。ベースユニットは、直線１フィートあたり０．０１
インチ未満、好ましくは直線１フィートあたり０．００
１インチ未満の程度の平面度(degree of planarity) を
有する。バランス用シートは、回路層を相殺してバラン
スさせるための「ダミイ」層を含むことができる。複数
の第１と第２の端子は回路層の一部を形成し、第１端子
は、所望によりエラストマーを含むことができる柔軟で
選択的導電性のＺ軸部材に接続される。第２端子はテス
ト信号発生器と第１端子に接続可能である。

【００２２】選択的にＺ軸導電性の柔軟な部材は、ベー
スユニットの下側表面と、ウェハーレベルのラミネート
式接触シートユニットの上側表面の間に配置される。こ
の選択的導電性部材は、ＸとＹとＺの軸を有する平らで
連続気孔の多孔質材料を含んでなり、その垂直に画定さ
れた横断面領域はＸ軸とＹ軸の方向で電気的に絶縁され
る。本横断面領域は、材料の一方の面から他方の面に延
在し、導電性金属で被覆され、それによって、ラミネー
ト式ウェハーレベル接触シートユニット上の対応する接
触パッドに第１端子を電気接続することができる。

【００２３】本発明の選択的導電性部材は、多孔質材料
の中にエラストマーを含むことができる。エラストマー
が多孔質基材と組み合わせて使用される場合、その一時
的部材は、エラストマーを含まないＺ軸部材よりも再使
用適性があり、より柔軟性が低い。一般に、電子部品の
バーンインスクリーニングは、温度コントロールされた
環境中にバーンインユニットを置くことを含み、この結
果、下方に垂れる導電性バンプは、スクリーニングされ
るべき電子部品の対応する導電性パッドに接続されるこ
とができる。テスト信号が発生されると、それはバーン
インユニットを通して電気部品の導電性パッドに伝達さ
れる。スクリーニングは、通常、少なくとも９０℃、好
ましくは１２５℃〜２００℃の温度で、８〜１６８時
間、好ましくは８〜２４時間にわたって行われる。スク
リーニング時間はバーンイン温度によって決まり、温度
が低いとバーンイン時間が長い。テスト信号は、その端
子から導電性バンプを通して第１端子、Ｚ軸導電性経路
の第１セット、Ｚ軸導電性経路の第２セットに伝達され
る。

【００２４】より詳しくは、本発明は、集積回路や半導
体ウェハーのような電子部品のバーンインスクリーニン
グのためのシステムを提供し、例えば、ウェハーは、直
線１フィートあたり０．０１インチ未満の程度の平面度
と、ウェハーの熱膨張率に±３ｐｐｍの範囲で一致する
熱膨張率を備えたベース部材を有するバーンインユニッ
トと接触される。発生したテスト信号は、バーンインユ
ニットを通してウェハー上の導電性パッドに伝達され
る。

【００２５】また、本発明は、高い平面性のバーンイン
システムの導電性バンプが電子部品の導電性パッドに接
続されるバーンインスクリーニング方法に関する。バン
プは、直径約１０μｍ〜５０μｍのチップを有する。本
発明のその他の目的、長所、及び顕著な特徴は、添付の
図面と共に考慮することにより、好ましいが限定されな
い本発明の態様を開示する以下の詳細な説明より明らか
になるであろう。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明のバーンイン装置は、(1)
高い平面性のベースを備えたバーンイン基材ユニット、
(2) 所望によりエラストマーを含む柔軟で再使用可能な
Ｚ軸部材ユニット、及び(3) 積み重ねられた配列の再使
用可能なＺ軸部材ユニットにラミネートされたウェハー
レベルの接触シートユニット、及びそのアセンブリーを
含んでなる。バーンイン基材ユニット（その下側部分又
は表面上に回路層を備える）とウェハーレベルの接触シ
ートは、それらの間に柔軟で再使用可能なＺ軸部材ユニ
ットが配置されると、互いに電気接続される。

【００２７】図１に、複数のチップ２を有する半導体ウ
ェハー１が示されている。ウェハー１は、シリコンウェ
ハー又は任意のその他の適切な材料でよく、例えば、ゲ
ルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化ケイ素、砒化
ガリウム、セレン、テルル、ＩｎＳｂ、ＢＰ、ＣｄＳ、
ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、ＩｎＰ、ＰｂＳｅ、Ｐｂ
Ｔｅ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＺｎＳ、及びＢｉ₂ Ｔｅ₃
が挙げられる。ウェハー１上の各チップ２は、テスト中
に下記のテスト装置に電気接触を施される複数の接触パ
ッド３を有する。チップ２はメモリチップでよく、例え
ば、限定されるものではないが、ダイナミックランダム
アクセスメモリ（ＤＲＡＭＳ）、特定用途向け集積回路
（ＡＳＩＣＳ）、アナログチップ、又はこれらの任意の
組み合わせが挙げられる。チップ２は、一般に、ウェハ
ー上の列４又は行５に配置され、テストの完了後、その
チップは、チャンネルにそって切ることによってウェハ
ーから切り取られたり、又は「ダイスにされる」ことが
できる。その後、ダイスにされたチップは、シングルチ
ップモジュール（ＳＣＭ）、マルチチップモジュール
（ＭＣＭ）にそれらをパッケージ化することにより、又
はそれらをプリント回路ボード（ＣＯＢ）に直接搭載す
ることにより、各種用途に使用される。

【００２８】本発明のバーンイン装置の予備テストモー
ドが図２に示されている。本バーンイン装置６は、ベー
スユニット７、柔軟で選択的に導電性のＺ軸部材８（エ
ラストマーを含むことがある）、ラミネート式ウェハー
レベル接触シート９、半導体ウェハー１を受け入れるた
めのチャック15、及びテスト信号発生器10を備える。ベ
ースユニット７は、高い平面性の構造を有し、ウェハー
１の上に配置され、ウェハーの１つ又は複数のエッジを
越えて延在する。

【００２９】ベースユニットは上側表面11と下側表面12
を有する。下側表面12は複数の第１端子13と第２端子14
を有する。第１端子13と第２端子14はベースユニット７
の中で一緒に電気接続される。第１端子13は、ウェハー
１上のチップ２の接触パッドのパターンに対応するパタ
ーンを有するウェハー１の上で、ベースユニット７の中
央にまとめられる。また、第２端子14は、ベースユニッ
ト７の下側表面12上にあり、第１端子13の周辺の外側に
まとめられる。第２端子14は、第１端子13の回りでリン
グを形成することができ、第１端子の１つの面上に実質
的にまとめられることができ、あるいは、第１端子13の
まとまりの外側の、ベースユニット７の全下側表面12を
覆って分配されることもできる。第２端子14は、テスト
信号発生器10に接点で接続可能である。

【００３０】ジグ16は、バーンインシステムを取り囲
み、また、Ｚ軸材料８と接触シート９をかみ合わせ、そ
の上のバンプ18をウェハー１のパッドにかみ合わせるた
めにベース７に圧力を加えることができる機構17を備え
る。バンプは、図３４と図３５の中に最もよく見られ
る。図３に大要で示したように、端子14と発生器10の間
の接続は、上側表面20上の複数の圧縮可能なピン21（例
えば、Ｐｏｇｏ（登録商標）ピン又はＳ形ピン）を端子
とする突起部材によって達成されることができる。圧縮
可能なピン21は、突起部材を介してテスト信号発生器10
に電気接続され、ベースユニット７上の第２端子14のパ
ターンに合致するパターンで配置される。

【００３１】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触
シート９は、ウェハー１と実質的に同じサイズでよく、
第１端子13とウェハー１上の接触パッド３に対応するパ
ターンで配置された接触パッド20を有する。端子13は、
銅、ニッケル、金、白金、パラジウム、又はコバルトの
ような少なくとも１つの金属層からなる接触パッドであ
り、１μｍ〜５０μｍの層の厚さ、２５μｍ×２５μｍ
〜２５０μｍ×２５０μｍの寸法、任意の所望の形状を
有する。

【００３２】ラミネート式ウェハーレベル接触シート９
の表面上の接触パッド20は、ベースユニット７上の第１
端子13に整合し、選択的に導電性の部材８によってベー
スユニットの下側表面に一時的に取り付けられる。選択
的に導電性の部材８は、ベースユニット７の第１端子13
とラミネート式ウェハーレベル接触シート９上の接触パ
ッド20の間の電気接触を与える。

【００３３】また、ウェハーレベル接触シート９は、そ
の下側表面上に０．２５〜２．０ミルの直径を有するチ
ップを末端とする突起バンプ18を有する。この突起バン
プ18（図３４と図３５に最もよく見られる）は、参照番
号67で示されている。突起バンプ18は、ウェハー１上の
接触パッド３に対応するパターンを有し、ラミネート式
ウェハーレベル接触シート９（図３４に最もよく見られ
る）の上側表面上の接触パッド20と個々に電気接続され
る。

【００３４】ウェハー１がチャック15の上に置かれる
と、ウェハー１上の接触パッド３のパターンがラミネー
ト式ウェハーレベル接触シート９上の突起バンプ18のパ
ターンと対応するように、ウェハー１が配列される。こ
の配列は、例えば、ウェハー１の突起部（図示せず）に
合致するウェハーレベル接触シート９上に形成されたピ
ットを用い、光学的配列、赤外線配列、Ｘ線配列、又は
機械的配列などのいくつかの技術の任意のものによって
達成されることができる。ウェハー１は、機械的ジグ16
と17によって、ウェハー１とチャック15の間の真空（図
示せず）の発生によって、又は機械的連結によってチャ
ック15に支持されることができる。

【００３５】図３は、図２のバーンイン装置を示し、こ
こで、ラミネート式ウェハーレベル接触シート９の突起
バンプ18は、ウェハー１の接触パッド３と密着してい
る。また、ベースユニット７上の第２端子14は、テスト
信号発生器10上の圧縮可能なピン21と接触している。あ
るいは、接触は、バーンインデバイスの突起バンプをウ
ェハー１の接触パッド３に、また、第２端子14をテスト
信号発生器10の圧縮可能なピン21に押しつけるピストン
によって形成されることもできる。接触は、テスト信号
発生器の突起部材とベースユニットの間に真空を形成す
ることによっても達成されることができる。

【００３６】テスト中のチップ２上の集積回路の温度を
所望のバーンイン温度まで高めるため、ウェハー１に熱
を供給する加熱用エレメント（図示せず）が、チャック
15の中に収められることができる。ウェハー上にハイパ
ワーのチップが存在する場合、テスト中のチップ２によ
って生じる熱が、集積回路の温度を所望のバーンイン温
度より高くすることがある。このような場合、ウェハー
は、冷空気をウェハーの上に吹きつけることにより、又
はチャック15の中に冷却用エレメントを含めることによ
り、又は多くのその他の公知技術によって冷却されるこ
とができる。あるいは、全ジグが温度制御された環境の
中に配置され、バーンイン操作のための高められた温度
を提供することもできる。半導体の製造とテストにおけ
る温度を制御するための技術は公知である。

【００３７】図４は、本発明の別な態様を示し、ここで
は、バーンインデバイス６に加えられる圧縮力は、バル
ブ付導管25を通る流体の源（図示せず）を有する膨張可
能なブラダー24によって加えられる。膨張は、液体又は
ガスによって達成されることができ、テスト中のウェハ
ーに対するバーンインデバイスの全ての傾斜を補うのに
役立つことができる。

【００３８】本発明の別な態様において、テスト信号発
生器10は、硬質コネクターや可撓性のある導電性テープ
などのいろいろな技術によって第２端子14に接続される
ことができる。第２端子14は、下のウェハー１の領域内
に実質的に収められたパターンに配置され、バーンイン
デバイスの表面12上に位置されることができる。この仕
方において、バーンインデバイス６そのものは、ウェハ
ーそのものよりサイズが超えないであろう。

【００３９】−ベースユニット−ベースユニットは、図
５に最もよく見られ、低い熱膨張率（ＣＴＥ）の材料か
らなる、又は低い及び高い熱膨張率の材料のラミネート
された層によって得られたマッチした複合熱膨張率を有
する高い平面性のベース25を有する。このベースユニッ
トは、良好な回路層26の積層を有し、各層は金属層と誘
導体層を有する。ベースユニット７の層27は、回路層26
をバランスさせるのに使用されるダミー層27を含む。下
側表面28は第１と第２の端子13と14を備える。

【００４０】図６は、良好な回路層32、低熱膨張率のベ
ース31、又は低い複合熱膨張率若しくはマッチした熱膨
張率を有するベース31、及びバランス用層30を備える本
発明のベースユニットを示す。このベースユニット29
は、パッド層33、３つの信号層34、36、及び37、コア層
35、低熱膨張率のベース層31、及びバランス用層30を有
する。層33〜37は、ベースユニット29の「良好な」回路
層26を形成する。３つの信号層34、36、及び37を有する
ことは、ベースユニット29の第１と第２の端子13と14の
間の多数の信号を道筋づけるのを容易にする。信号層の
間にコア層35を配置することは、信号層34、36、37の各
々の上の信号トレースの予測可能なインピーダンスを与
え、ベースユニット29内の電気ノイズを減らす。低い熱
膨張率のベース31は、ベースユニット29の熱膨張を束縛
し、ベースユニット29の高い平面性を維持するのに寄与
する。良好な層33〜37とバランス用層30は５つの層を有
するが、これより多い又は少ない層も可能である。バラ
ンス用層30は、「良好な」回路層26の数と同等に多数で
あることが好ましい。バランス用層は、低い熱膨張率の
ベース31の反対側の「良好な」回路層26の中の対応する
層の銅と誘電体密度にマッチすべきである。低い熱膨張
率のベース31の反対側の密度のマッチは、ベースユニッ
ト29の平面性を維持する助けとなる。

【００４１】バランス用層30は、ベースユニット29の電
気性能に全く寄与しなくてよく、専らベースユニット29
の平面性を維持するために使用されることができる。し
たがって、製造上の欠陥によってスクラップにされた
が、低い熱膨張率のベースの反対側の対応する「良好
な」信号層34、36、37とコア層35に実質的に類似の密度
を有する信号層とコア層を用いて実施されてもよい。こ
こで、バランス用層は、付加的な「良好な」回路化層で
あることもできる。

【００４２】コア層35は、誘電体層にラミネートされた
導電性材料の連続シートで形成される。導電性材料は半
オンスの銅又は１オンスの銅でよい。銅の代わりに、限
定されるものではないが、ステンレス鋼、モリブデンな
どのような高い熱膨張率を有する任意の金属が使用され
ることもできる。導電性材料のシートは実質的に連続な
平面でよいが、あるいは導電性材料のシートは網であっ
てもよい。信号層34、36、37（図８に示す）上の信号ト
レース43からのノイズから切り離すため、コア層35は、
第２端子14に接続され、電源やアースのような電圧を帯
びることができる。さらに、コア層35は、誘電体の誘電
率、信号トレース43の形状、及びコア層35の金属面より
高い又は低い信号トレース43の高さに基づいて予測可能
なインピーダンスよりも高い又は低い信号トレース43を
与える。コア層35は、コア層35の反対側の信号層34、3
6、37の電気接続を可能にするビア41（図７に示す）に
貫通されことができる。さらに、コア層35は、ビア41を
介してパッド層33上の第１端子13に直接接続され、テス
ト中のウェハー１に電力又はアースを供給することがで
きる。

【００４３】本発明の別な態様において、バランス用層
30は、低熱膨張率のベース31を貫くビア41によって、又
はベースユニット29の上側と下側の表面に架かるＣ形可
撓線回路によって、バランス用層上の活性信号トレース
を道筋づけてその信号トレースを第１と第２の端子13と
14に接続することにより、ベースユニット29に電気的に
組み込まれることができる。さらに、バランス用シート
30は、ウェハーのバーンインテストを容易にする１つ以
上の能動又は受動回路を支持することができる。

【００４４】図７は、パッド層33の逆にされた図を示
す。パッド層33は、誘電体層39に接触して配置された導
電性接触パッド38を有する。接触パッド38は、パッド層
33の誘電体層39の表面40の全体に分配され、ベースユニ
ット７又は29の第１と第２の端子13と14に接続手段を提
供する。パッド38は、図示されたように、誘電体の表面
より上に突き出てよく、円形、長方形、円錐形、台形な
どの任意の所望の形状を有することができる。本発明の
１つの態様において、接触パッド38は円形であり、腐食
に抵抗し且つ接触抵抗を下げるため、ニッケル又は金の
外側コーティングを備えた銅の下側層で形成される。こ
こで、外側材料は、任意の貴金属、例えば限定されるも
のではないが白金又はパラジウムであることができる。
同様に、接触パッド38の外側金属層は、任意の非酸化性
金属又は金属合金であることができる。接触パッド38の
銅は、当該技術で周知の一部除去エッチングプロセスに
よって母材の銅箔から形成されることが好ましい。次
に、電解又は無電解プロセスによるメッキなどの任意の
技術を用い、銅の上に外側コーティングが形成されるこ
とができる。ビア41が、接触パッド38の直ぐ下のパッド
層33の誘電体層39に形成されて示されている。ビアホー
ル41は、穿孔やレーザーアブレーションなどの多くの公
知技術によって誘電体層39に形成されることができる。

【００４５】一般に、種々の延伸膨張ポリテトラフルオ
ロエチレンを主成分とする誘電体材料は、紫外線範囲で
作動するモード固定の固体状態レーザー、とりわけ０．
５〜２０Ｊ／ｃｍ² の範囲のエネルギー密度を生成する
ことができ、１０００Ｈｚから１００００Ｈｚまでパル
ス反復速度を変化させることによってその場で事実上瞬
間的な変化を行うことができるものを用いて、レーザー
穿孔されることができる。これらのパルス反復速度の変
化は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーについて、４０〜１００ナ
ノ秒のパルス幅の変化をもたらす。一般に、最初のアブ
レーション工程の後に誘電体残留物をアブレーションす
る後パルス工程を行う場合、短期間にパルス密度が倍増
されることができ、１〜１０パルスが典型的であろう。

【００４６】本発明の１つの態様において、パルス化さ
れたＮｄ：ＹＡＧレーザーのような固体状態のパルス化
レーザーのレーザーを用い、ブラインドビアが形成され
る。Ｎｄ：ＹＡＧレーザーからの基本的出力は１０６４
ｎｍの波長である。この波長は電磁スペクトルの赤外部
分にある。光路調波発生のβ型硼酸バリウム（ＢＢＯ）
結晶を装備することにより、紫外範囲に含まれる３５５
ｎｍ（第３調波）と２６６ｎｍ（第４調波）での光のア
ウトプットを促進させる。

【００４７】３５５ｎｍと２６６ｎｍの波長は、本発明
のラミネート式基材にビアを穿孔するのに特に首尾よく
適する。パルス長さ、エネルギー密度、及びパルス数
は、形成されるビアのタイプとラミネート式基材に使用
された材料の種類に応じて変更されてよい。例えば、２
６６ｎｍのレーザーを用い、銅と接着剤・フィラー・ｅ
ＰＴＦＥ誘電体の交互の層からなるラミネート式基材に
ブラインドビアを穿孔するためには、エネルギー密度は
１．５Ｊ／ｃｍ² 、パルスあたりのエネルギーは１０μ
Ｊ、パワー密度は３５メガワット／ｃｍ² である。３５
５ｎｍの波長において、エネルギー密度を３．５Ｊ／ｃ
ｍ² に設定することによってブラインドビアが形成さ
れ、パルスあたりのエネルギーは３０μＪであり、パワ
ー密度は３５メガワット／ｃｍ² である。３５５ｎｍで
のブラインドビアについての後パルス工程は、エネルギ
ー密度が１１Ｊ／ｃｍ² 、パルスあたりのエネルギーが
１００μＪ、パワー密度が２００メガワット／ｃｍ² で
あるように条件を調節することを必要とする。

【００４８】３５５ｎｍのレーザーを用い、接着剤・フ
ィラー・ｅＰＴＦＥ誘電体にブラインドビアを形成する
場合、エネルギー密度は７Ｊ／ｃｍ² 、パルスあたりの
エネルギーは６５μＪであり、パワー密度は１００メガ
ワット／ｃｍ² である。後パルス工程は、エネルギー密
度は１１Ｊ／ｃｍ² 、パルスあたりのエネルギーは１０
０μＪ、パワー密度は２００メガワット／ｃｍ² である
ようにパラメーターを調節する必要があろう。

【００４９】次いで、ビアホール41が、例えば銅のよう
な金属でメッキされ、パッド層33の上側表面40上の接触
パッド38からパッド層33の下側表面42まで導電性経路を
形成することができる。１つ以上の信号層34、36、37が
パッド層33の上に配置される。ここで、パッド層33は随
意であり、パッド層33の一部として先に記載した接触パ
ッド38は、信号層34上に直接施されることができる。信
号層34、36、37は、図８に示したように、誘電体層の端
から端まで分配された複数の導電性セグメント又は信号
トレース43を備える。

【００５０】図８に見られるように、信号トレース43
は、ベースユニット７又は29の第１端子13と第２端子14
の間に導電性経路44を形成する。信号トレース43は、一
部除去エッチングプロセスによって形成された銅が一般
的であり、また好ましい。第１端子13から第２端子14ま
での完全な導電性経路が、第１端子13よりパッド層33の
誘電体層39中のビアホール91（図示せず）を上に通って
信号層上の信号トレース43に至り、信号層の信号トレー
ス43を横切って別なビアホールに至り、パッド層33の誘
電体を下方に走って対応する第２端子14に至る経路を作
成することにより形成される。同様に、第１と第２の端
子13と14は、多数の信号層に架かる信号トレース43とビ
ア41のより複雑な経路によって電気接続されることがで
きる。

【００５１】図９は、本発明の１つの態様による低熱膨
張率ベース31を示す。ベース31は、インバー３６、銅、
及びインバー３６（それぞれ層45、46、及び47）の３プ
ライ積層からなる。インバー３６に代えて、３０重量％
〜４２重量％のニッケルを含むニッケルと鉄の合金が使
用されることもできる。また、インバー３６及び層45と
47に代えて、限定されるものではないが、ニッケル合金
など、ウェハーユニットテストデバイスにマッチする任
意の低熱膨張率材料が使用されることもできる。２つの
ニッケル合金シートはｔ₁ の合計厚さを有し、銅シート
46は厚さｔ₂ を有し、ここでｔ₁ とｔ₂ の比は、半導体
ウェハーの熱膨張率にマッチするように選択される。ｔ
₁ とｔ₂ の比は４：１〜１４：１でよく、限定されるも
のではないが１０：１、１１：１、１２：１の比などで
ある。

【００５２】本発明の１つの態様において、ニッケル層
はそれぞれ約１１５ミルの厚さを有し、ニッケル層と銅
層の比はシリコンウェハーにマッチする熱膨張率を与え
る。ここで、銅層の厚さに対するニッケル層の厚さ又は
その他の材料の厚さの比は、ベースに、ゲルマニウム、
シリコンゲルマニウム、炭化ケイ素、砒化ガリウム、セ
レン、テルルからなるウェハーの熱膨張率にマッチする
熱膨張率を与える。

【００５３】ニッケル合金は低い熱膨張率を有し、した
がって、温度が高くなるとウェハー１に対するベースユ
ニット31の膨張を束縛する作用をする。好ましくは、イ
ンバー３６と銅の材料の１４インチ平方のシートが使用
される。ここで、円形又は長方形のシートが使用される
こともできる。シートは寸法が６〜２０インチであり、
即ち、直径又は辺の長さが例えば８、１２、１４、１
６、２０インチである。

【００５４】インバー３６及びシート45と47は、直線１
フィートあたり０．０２０〜０．０００１インチ、好ま
しくは直線１フィートあたり０．０１〜０．０００１イ
ンチの平面度(degree of planarity) を有して約１１５
ミルの厚さにそれぞれ機械加工されることが好ましい。
最も好ましくは、平面度は直線１フィートあたり０．０
０１インチである。

【００５５】銅層46は約２１ミルの厚さであり、直線１
フィートあたり０．０００５インチの平面度を有する。
銅層は、前記金属又は金属合金層とその銅層の合計厚さ
の約８〜１０％、例えば９．１％を構成する。インバー
３６、銅、及びインバー３６の積層は、Ｓｐｅｅｄｂｏ
ａｒｄ（登録商標）Ｃ（Ｗ．Ｌ．Ｇｏｒｅ ａｎｄ Ａ
ｓｓｏｃｉａｔｅｓ社から入手可能）のような誘電体48
を用い、銅の表面にインバー３６の各片をラミネートす
ることによって作成されるるが、これは下記に説明す
る。低熱膨張率ベースの誘電体層は２５μｍ〜２５０μ
ｍの厚さである。

【００５６】シート厚さがそれぞれ１１５ミルと２１ミ
ルのニッケル合金と銅シートが１つの態様において使用
されるが、ニッケル合金の厚さが銅の厚さを上回るな
ら、任意の寸法が選択されてよい。 −誘電体− 本発明のベースユニットとウェハーレベル接触シートに
使用される誘電体材料は、任意の耐熱性誘電体材料であ
ることができる。例えば、適切な誘電体材料には、限定
されるものではないが、ポリイミドとポリイミドのラミ
ネート、エポキシ樹脂、有機材料、又はポリテトラフル
オロエチレンを少なくとも部分的に含み（フィラー入り
又はフィラーなし）、接着剤を含浸された後に部分的に
硬化してＢ段階材料を形成した誘電体材料が挙げられ
る。適切な材料は、Ｗ．Ｌ．Ｇｏｒｅ ａｎｄ Ａｓｓ
ｏｃｉａｔｅｓ社から入手可能なＳｐｅｅｄｂｏａｒｄ
（登録商標）結合層である。理解されるはずのように、
Ｓｐｅｅｄｂｏａｒｄ（登録商標）Ｃはセラミックフィ
ラーを含まず、ポリテトラフルオロエチレンマトリック
スの中にシアネートエステル樹脂を含む不織材料のプリ
プレグである。Ｓｐｅｅｄｂｏａｒｄ（登録商標）Ｃ
は、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚにおいて約２．６〜２．７の
誘電率（Ｄｋ）、１ＭＨｚ〜１０ＧＨｚにおいて０．０
０４の誘電正接、１０００Ｖ／ミルを上回る耐電圧、２
２０℃のガラス転移点Ｔ_g 、６６〜６８重量％の樹脂分
を有し、いろいろな厚さで入手可能である。

【００５７】誘電体材料の別な部類は、多孔質マトリッ
クス系が吸収又は含浸された接着剤・フィラー混合物を
含むものである。多孔質マトリックスは、基材の最初の
空隙体積の結果として多量のフィラーと熱硬化性又は熱
可塑性接着剤が含められ、加熱されて接着剤を部分硬化
し、Ｂ段階の複合材料を形成する不織基材である。基材
は、Ｇｏｒｅの米国特許第３９５３５６６号、Ｂｏｗｍ
ａｎらの米国特許第４４８２５１６号の多孔質延伸膨張
ポリテトラフルオロエチレン材料のようなフルオロポリ
マーを含み、これらの特許はそれぞれ本願でも参考にし
て取り入れられている。望ましくは、平均流量気孔サイ
ズ（ＭＦＰＳ）は、最大粒子サイズの約２〜５倍以上で
あるべきであり、フィラーのそれの約２．４倍を上回る
平均流量気孔サイズが特に好ましい。ここで、平均流量
気孔サイズ（ＭＦＰＳ）と平均粒子サイズの比を１．４
を上回るように選択することによって適切な複合材料が
調製され得ることも、本発明の範囲の中に含まれる。ま
た、平均粒子サイズに対する最小気孔サイズが少なくと
も０．８を上回る、又は最大粒子サイズに対する最小気
孔サイズが少なくとも０．４を上回るとき、許容できる
複合材料が調製可能である。平均流量気孔サイズと粒子
サイズの比はマイクロトラックＦＲＡ分析器を用いて行
われる。

【００５８】あるいは、相対的な気孔と粒子のサイズを
測定するための別なメカニズムが、最小気孔サイズが最
大粒子サイズの約１．４倍以上であるとして計算される
こともできる。延伸膨張フルオロポリマー基材の他に、
多孔質延伸膨張ポリオレフィンの例えば超高分子量（Ｕ
ＨＭＷ）ポリエチレン、延伸膨張ポリプロピレン、ペー
スト押出と、犠牲フィラー、多孔質の無機又は有機フォ
ーム、微細多孔質セルロースアセテートを混和すること
によって調製されたポリテトラフルオロエチレンが使用
されることもできる。

【００５９】多孔質基材は、少なくとも３０％、好まし
くは少なくとも５０％、最も好ましくは少なくとも７０
％の初期空隙体積を有し、空隙の中に熱硬化性又は熱可
塑性接着剤樹脂と微粒子フィラーのペーストの含浸を容
易にし、同時に全体的な複合材料の脆性と粒子の沈降を
防ぐために融通性のある強化を提供する。フィラーは、
Ｍｉｃｒｏｔｒａｋ（登録商標）型式ＦＲＡの粒子分析
装置で分析した場合、粒子の集合を形成し、ヒストグラ
ムによって最大粒子サイズ、最小粒子サイズ、及び平均
粒子サイズを表示する。

【００６０】接着剤に混和されるべき適切なフィラーに
は、限定されるものではないが、ＢａＴｉＯ₃ 、ＳｉＯ
₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ＺｒＯ₂ 、ＴｉＯ₂ 、沈降し
たゾルゲルセラミックの例えばシリカ、チタニア、及び
アルミナ、非伝導性炭素（カーボンブラック）、及びこ
れらの混合物が挙げられる。特に好ましいフィラーはＳ
ｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ＴｉＯ₂ そのもの、又はこれらと非
伝導性炭素との組み合わせである。最も好ましいフィラ
ーは、米国特許第４７０５７６２号に教示の蒸気金属燃
焼プロセスによって製造されたフィラーであり、限定さ
れるものではないが、例えば、本質的に充実、即ち中空
球でなく、均一な表面曲率と高度な球形性を有する、ケ
イ素、チタン、アルミニウムから得られるシリカ、チタ
ニア、アルミアの粒子である。

【００６１】フィラーは、シリル化剤によって及び／又
はカップリング剤使用によるような接着剤マトリックス
に反応する薬剤を使用することによってフィラーを疎水
性にする周知の技術により処理されることができる。適
切なカップリング剤には、シラン、チタネート、ジルコ
ネート、及びアルミネートが挙げられる。適切なシリル
化剤には、限定されるものではないが、官能性シリル化
剤、シラザン、シラノール、シロキサンを挙げることが
できる。適切なシラザンには、限定されるものではない
が、ヘキサメチルジシラザン(Huls H730) とヘキサメチ
ルシクロトリシラザン、シリルアミドの例えばビス（ト
リメチルシリル）アセトアミド(Huls B2500)、シリルユ
リアの例えばトリメチルシリルユリア、及びシリルイミ
ダゾールの例えばトリメチルシリルイミダゾールが挙げ
られる。

【００６２】チタネートカップリング剤は、テトラアル
キル型、モノアルコキシ型、配位型、キレート型、第４
塩型、ネオアルコキシ型、クロロヘテロ原子型によって
例示される。好ましいチタネートには、テトラアルキル
チタネート、Ｔｙｚｏｒ（登録商標）ＴＯＴ〔テトラキ
ス(2- エチル- ヘキシル）チタネート〕、Ｔｙｚｏｒ
（登録商標）ＴＰＴ〔テトライソプロピルチタネー
ト〕、キレート化チタネート、Ｔｙｚｏｒ（登録商標）
ＧＢＡ〔チタンアセチルアセチルアセトネート〕、Ｔｙ
ｚｏｒ（登録商標）ＤＣ〔チタンエチルアセトアセトネ
ート〕、Ｔｙｚｏｒ（登録商標）ＣＬＡ（デュポン社の
所有）、モノアルコキシ（Ｋｅｎ−Ｒｅａｃｔ（登録商
標）ＫＲＶＴＴＳ）、Ｋｅｎ−Ｒｅａｃｔ（登録商
標）、ＫＲ５５テトラ(2,2- ジアリロキシメチル）ブチ
ル、ジ（ジトリデシル）ホスフィットチタネート、ＬＩ
ＣＡ（登録商標）３８ネオペンチル（ジアリル）オキ
シ、トリ（ジオクチル）ピロ- ホスフェートチタネート
が挙げられる。

【００６３】適切なジルコネートは、Ｋｅｎｒｉｃｈカ
タログの２２頁に詳しく記載されている任意のジルコネ
ートであり、とりわけＫＺ５５- テトラ(2,2- ジアリロ
キシメチル）ブチル、ジ（ジトリデシル）ホスフィット
ジルコネート、ＮＺ−０１−ネオペンチル（ジアリル）
オキシ、トリネオデカノイルジルコネート、ＮＺ−０９
−ネオペンチル（ジアリル）オキシ、トリ（ドデシル）
ベンゼン- スルホニルジルコネートが挙げられる。

【００６４】本発明に使用可能なアルミネートには、限
定されるものではないが、Ｋｅｎｒｉｃｈ（登録商
標）、ジイソブチル（オレイル）アセトアセチルアルミ
ネート（ＫＡ３０１）、ジイソプロピル（オレイル）ア
セトアセチルアルミネート（ＫＡ３２２）、及びＫＡ４
８９が挙げられる。上記の他に、例えば、ジビニルベン
ゼンやジビニルピリジンような架橋したビニルポリマ
ー、又は最初に非常に高い希釈率（ＭＥＫ中の０．１〜
１．０％の溶液）で施される開示された任意の熱硬化性
マトリックス接着剤のサイジングのようなある種のポリ
マーが使用可能である。また、ジクミルペルオキシドの
ようなある種の有機過酸化物がフィラーと反応されるこ
ともできる。

【００６５】接着剤そのものは熱硬化性又は熱可塑性で
よく、ポリグリシジルエーテル、ポリシアヌレート、ポ
リイソシアネート、ビス- ドリアジン樹脂、ポリ（ビス
- マレイミド）、ノルボルネンを末端とするポリイミ
ド、ポリノルボルネン、アセチレンを末端とするポリイ
ミド、ポリブタジエン及びその官能化コポリマー、環状
オレフィンポリシクロブテン、ポリシロキサン、官能化
ポリフェニレンエーテル、ポリアクリレート、ノボラッ
クポリマーとそのコポリマー、フルオロポリマーとその
コポリマー、メラミンポリマーとそのコポリマー、ポリ
（ビスフェニルシクロブタン）、及びこれらの配合物又
はプレポリマーを挙げることができる。上記の接着剤
は、難燃性や高められた靱性を付与するように、それら
を相互に配合されることもでき、又は別なポリマーや添
加剤を配合されることもできると理解すべきである。

【００６６】本願において、平均流量気孔サイズと最小
気孔サイズは、それらの値を直接提示するＣｏｕｌｔｅ
ｒ（登録商標）ポロメロターＩＩ（英国のＬｕｔｏｎに
あるコールターエレクトロニクス社）を用いて測定し
た。平均粒子サイズと最大粒子サイズは、マイクロトラ
ック光散乱粒子サイズ分析器の型番ＦＲＡ（米国ペンシ
ルバニア州のノースウェールズにあるＬｅｅｄｓ ＆
Ｎｏｒｔｈｕｐのマイクロトラック部門）を用いて測定
した。平均粒子サイズ（ＡＰＳ）は、粒子の５０％がそ
れよりも大きい値と定義される。最大粒子サイズ（ＬＰ
Ｓ）は、マイクロトラックのヒストグラムで最大の検出
可能な粒子と定義される。あるいは、最大粒子サイズ
は、マイクロトラックＦＲＡが１００％の粒子がそれを
通過したと決定したときの最小点と定義される。

【００６７】一般に、接着剤とフィラーの誘電体の調製
方法は、(a) 潤滑されて押出されたプレフォームを、小
さな粒子と接着剤が空隙又は気孔体積の中に自由に流れ
込むことを可能にするのに十分な微細構造まで伸長する
ことによって、ポリテトラフルオロエチレンシートを延
伸膨張する、(b) 例えば熱硬化性又は熱可塑性材料のポ
リマーとフィラーからペーストを作成する、(c) 浸漬、
コーティング、圧力供給によって、延伸膨張ポリテトラ
フルオロエチレンのような高度に多孔質の足場の中に接
着剤とフィラーのペーストを吸収させることを含む。

【００６８】本発明のフィラー入り接着剤フィルムを調
製するため、微粒子状フィラーは、微細に分散された混
合物を提供するように、溶媒又は水溶液又は溶融接着剤
の中に混入される。微粒子状のフィラーは、通常サイズ
が４０μｍ未満であり、好ましくは、１〜１０μｍの平
均粒子サイズを有する。ポリテトラフルオロエチレンの
結節とフィブリルの構造の平均気孔サイズは、微粒子の
十分な侵入を可能にするのに十分大きい必要がある。基
材が延伸膨張ポリテトラフルオロエチレンであるべき場
合、Ｂｏｗｍａｎらの米国特許第４４８２５１６号に教
示のものに似た構造が望ましい。望ましくは、平均流量
気孔サイズ（ＭＦＰＳ）は、最大粒子サイズの約２〜５
倍又はそれ以上であるべきであり、フィラーサイズの約
２．４倍を上回る平均流量気孔サイズがとりわけ好まし
い。ここで、平均流量気孔サイズ（ＭＦＰＳ）と平均粒
子サイズの比を１．４を上回るように選択することによ
って適当な複合材料が調製されることができることも本
発明の範囲内である。最小気孔サイズ対平均粒子サイズ
の比が少なくとも０．８を上回る、又は最小気孔サイズ
対最大気孔サイズの比が少なくとも０．４を上回ると
き、許容できる複合材料がまた調製されることができ
る。平均流量気孔サイズ対粒子サイズの比は、マイクロ
トラックＦＲＡ分析器で測定される比である。

【００６９】あるいは、最小気孔サイズが最大粒子サイ
ズの約１．４倍以上であるとして、相対的な気孔と粒子
のサイズの別な評価メカニズムが計算されることもでき
る。表１は、基材の平均流量気孔サイズ（ＭＦＰＳ）と
粒子サイズの関係の効果を示す。平均流量気孔サイズ
（ＭＦＰＳ）と最大粒子サイズの比が１．４以下である
と、劣った結果が見られる。この場合、均一な複合材料
が観察されず、フィラー粒子の殆どは、微細多孔質の基
材に均一には侵入しない。平均流量気孔サイズ（ＭＦＰ
Ｓ）対最大粒子サイズの比が約２．０を上回ると、均一
な複合材料が得られる。また、平均流量気孔サイズ対最
大粒子サイズの比が大きい程、均一な分散系が微細多孔
質基材の中に入り込む相対的な割合が高い。

【００７０】

【表１】

【００７１】

【実施例】

例１ ２８１．６ｇのＴｉＯ₂ (TI Pure R-900、デュポン社）
を、ＭＥＫ中の難燃化されたジシアンアミド／2-メチル
イミダゾール触媒のビスフェノールＡを基剤とするポリ
グリシジルエーテル(Nelco N-4002-5,ネルコ社）の２０
重量％溶液中に混ぜ入れることによって微細な分散系を
調製した。均一性を保証するため、この分散系を絶えず
攪拌した。延伸膨張ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴ
ＦＥ）の小片をこの樹脂混合物の中に浸した。可撓性の
ある複合材料を得るため、このウェブを張力下で１６５
℃にて１分間乾燥した。このようにして得られた部分硬
化した接着剤複合材料は、５７重量％のＴｉＯ₂ 、１３
重量％のＰＴＦＥ、及び３０重量％のエポキシ接着剤を
含んだ。この接着剤シートの数層を銅箔の間に配置し、
真空を利用した液圧プレスにより２２５℃の温度で９０
分間６００ｐｓｉでプレスし、次いで圧力下で冷却し
た。これにより１９．０の誘電率を有する銅ラミネート
が得られ、１００μｍ（０．００３９インチ（３．９ミ
ル））の誘電体ラミネート厚さの平均層厚さにおいて、
２８０℃のハンダ衝撃に３０秒間耐えた。

【００７２】例２ フェニルトリメトキシシラン（04330, Huls/Petrarch)
で前処理した３８６ｇのＳｉＯ₂ (HW-11-89, Harbison
Walker社）を、２００ｇのビスマレイミドトリアジン樹
脂（BT206OBJ, 三菱ガス化学社）と３８８ｇのＭＥＫの
マンガン触媒溶液に混ぜ入れることによって微細な分散
系を調製した。均一性を保証するため、この分散系を絶
えず攪拌した。次いで厚さ０．０００２インチの延伸膨
張ＰＴＦＥの小片をこの樹脂混合物の中に浸し、取り出
し、次いで可撓性のある複合材料を得るため、張力下で
１６５℃にて１分間乾燥した。このプリプレグの数層を
銅箔の間に配置し、真空を利用した液圧プレスにより２
２５℃の温度で２５０ｐｓｉで９０分間プレスし、次い
で圧力下で冷却した。このようにして得られたこの生成
した誘電体は、５３重量％のＳｉＯ₂ 、５重量％のＰＴ
ＦＥ、及び４２重量％の接着剤を含み、銅に対する良好
な接着性、３．３の誘電率（１０ＧＨｚ）、及び０．０
０５の誘電正接（１０ＧＨｚ）を示した。

【００７３】例３ ２７４．７ｇのビスマレイミドトリアジン樹脂（BT206O
BJ, 三菱ガス化学社）と４８５ｇのＭＥＫのマンガン触
媒溶液の中に４８３ｇのＳｉＯ₂ (HW-11-89)を混ぜ入れ
ることによって微細な分散系を調製した。均一性を保証
するため、この分散系を絶えず攪拌した。次いで厚さ
０．０００２インチの延伸膨張ＰＴＦＥの小片をこの樹
脂混合物の中に浸し、取り出し、次いで可撓性のある複
合材料を得るため、張力下で１６５℃にて１分間乾燥し
た。このプリプレグの数層を銅箔の間に配置し、真空を
利用した液圧プレスにより２２５℃の温度で９０分間に
わたって２５０ｐｓｉでプレスし、次いで圧力下で冷却
した。このようにして得られた生成した誘電体は、５７
重量％のＳｉＯ₂ 、４重量％のＰＴＦＥ、及び３９重量
％の接着剤を含み、銅に対する良好な接着性、３．２の
誘電率（１０ＧＨｚ）、及び０．００５の誘電正接（１
０ＧＨｚ）を示した。

【００７４】例４ １５．４４ｋｇのＴｉＯ₂ 粉末(TI Pure R-900、デュポ
ン社）を、３．３０ｋｇのビスマレイミドトリアジン樹
脂（BT206OBJ, 三菱ガス化学社）と１５．３８ｋｇのＭ
ＥＫのマンガン触媒溶液の中に混ぜ入れることによって
微細な分散系を調製した。この分散系を、均一性を保証
するように絶えず攪拌した。ＴｉＯ₂ を充填した延伸膨
張ＰＴＦＥ（ＴｉＯ₂ の充填率が４０％であって膜を最
後に圧縮しなかった以外は、モルチマーの米国特許第４
９８５２９６号の教示にしたがって充填した）の小片
を、次いでこの樹脂混合物の中に浸し、取り出し、次い
で可撓性のある複合材料を得るため、張力下で１６５℃
にて１分間乾燥した。このようにして得られた部分硬化
した接着剤複合材料は、７０重量％のＴｉＯ₂ 、９重量
％のＰＴＦＥ、及び２１重量％のエポキシ接着剤を含ん
だ。このプリプレグの数層を銅箔の間に配置し、真空を
利用した液圧プレスにより２２０℃の温度で５００ｐｓ
ｉにて９０分間プレスし、次いで圧力下で冷却した。こ
の得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性、１０．
０の誘電率、及び０．００８の誘電正接を示した。

【００７５】例５ ７．３５ｋｇのＳｉＯ₂ (ADMATECHS SO-E2, Tatsumori
LTD)に７．３５ｋｇのＭＥＫと７３．５ｇのカップリン
グ剤、即ち、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシ
シラン(Dynasylan GLYMO (Petrach Systems)) を混合す
ることによって微細分散系を調製した。ＳＯ−Ｅ２は、
メーカーによると０．４〜０．６μｍの粒子直径、４〜
８ｍ² ／ｇの比表面積、０．２〜０．４ｇ／ｃｃ（ルー
ス）の嵩密度を有する高い球形性のシリカと説明されて
いる。

【００７６】この分散系に、メチルエチルケトン（ＭＥ
Ｋ）中のシアン化フェノール樹脂のプリマセットＰＴ−
３０（ロンザ社）の５０重量％溶液の９３２ｇ、ＭＥＫ
中のＲＳＬ１４６２（シェルレジンズ社(CAS#25068-38-
6)) の５０重量％溶液の８９６ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ−５
８（グレートレークス社）の５０重量％溶液の３８０
ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡ（アルドリッチ社）の
５０％溶液の５４ｇ、１２．６ｇのイルガノックス１０
１０（チバガイギー社）、マンガン-2- エチルヘキサノ
エート(Mn HEX-CEM(ＯＭＧ社))の０．６％溶液の３．１
ｇ、及び２．４０ｋｇのＭＥＫを添加した。この分散系
を、約１〜３ガロン／分の速度で約２０分間にわたって
Ｍｉｓｏｎｉｃｓ連続フローセルによる超音波攪拌に供
した。このようにして得られた微細分散系を、固形分１
１．９重量％の全浴濃度(overall bath concentration)
までさらに希釈した。

【００７７】この微細分散系を含浸浴に注ぎ入れた。延
伸膨張ポリテトラフルオロエチレンのウェブは、図１０
の結節とフィブリルの構造と次の特性を有した。

【００７８】

【表２】

【００７９】フレージャー数は、評価される材料の空気
透過率に関係する。空気透過率は、空気の流れの測定の
ために約６平方インチの円形領域に設けられたガスケッ
ト付固定具にウェブを締めつけることによって測定され
る。上流側は、乾燥圧縮空気の供給源に直列の流量計に
接続された。サンプル固定具の下流側は大気に開放され
た。テストは、サンプルの上流側に水柱０．５インチの
圧力を加え、直列の流量計（流量計に接続されたボール
浮遊式ローターメーター）を通過する空気の流量を記録
することによって行われる。

【００８０】ボール破裂強度は、破壊の最大値を測定す
ることによってサンプルの相対的な強度を評価するテス
トである。ウェブは、２枚のプレートの間に締めつけら
れながら、直径１インチのボールで攻撃される。Ｃｈａ
ｔｉｌｌｏｎフォースゲージボール破裂試験を使用し
た。媒体が測定装置にぴんと張って配置され、破裂プロ
ーブのボールに接触するようにウェブを持ち上げること
によって圧力が加えられる。破断時の圧力が記録され
る。

【００８１】上記のウェブは、均一性を保証するため、
ある速度又は約３フィート／分で常時攪拌した含浸浴の
中を通した。含浸したウェブは、溶媒の全て又は殆どを
除去するため直ちに加熱オーブンを通過させ、ロール上
に回収する。このプリプレグの数層を銅箔の間に配置
し、真空を利用した液圧プレスで２２０℃の温度で９０
分間にわたって２００ｐｓｉでプレスし、次いで圧力下
で冷却した。得られた誘電体は、銅に対する良好な接着
性、３．０の誘電率（１０ＧＨｚ）、及び０．００８５
の誘電正接（１０ＧＨｚ）を示した。

【００８２】例４と例７で使用した粒子状フィラーの物
理的特性を下記に比較する。

【００８３】

【表３】

【００８４】例６ 溶融ケイ素の蒸気燃焼によって調製したＳｉＯ₂ を主成
分とするフィラーと接着剤の含浸された混合物を含む延
伸膨張ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）マト
リックスを次のようにして調製した。最初に２つの前駆
体混合物を調製した。１つは、例５に類似のシラン処理
シリカを含むスラリーの形態であり、もう１つは、樹脂
と別な成分の触媒添加されていない配合物とした。

【００８５】−混合物Ｉ− シリカスラリーは、ＭＥＫ中の例５のＳＯ−Ｅ２シリカ
の５０／５０配合物であり、本シリカは、シリカの１重
量％に等しいシランのコーティングを含んだ。５ガロン
の容器に１７．５ポンドのＭＥＫと７９ｇのシランを添
加し、ＭＥＫ中のシランの均一な分散を保証するため、
２つの成分を混合した。次いで例５のシリカの１７．５
ポンドを添加した。ＭＥＫ・シリカ・シラン混合物の２
つの５ガロン容器を反応器に加え、その内容物、即ちス
ラリーを、約１時間にわたって超音波分散器によって再
循環させ、存在し得る全てのシリカ凝集物を破壊した。
超音波攪拌を終え、内容物を連続的に混合しながら、反
応器の内容物を約１時間約８０℃に加熱した。次いで反
応した混合物を１０ガロンの容器に移した。

【００８６】−混合物ＩＩ− 所望の樹脂配合物の生成物は、約６０％の固形分を含有
する触媒添加されていない樹脂配合物を含むＭＥＫを基
剤とした混合物（接着剤）であり、その固形分は、正確
には、４１．２％のＰＴ−３０シアン化フェノール樹
脂、３９．５％のＲＳＬ１４６２エポキシ樹脂、１６．
７％のＢＣ５８難燃剤、１．５％のイルガノックス１０
１０安定剤、及び１％のビスフェノールＡ共触媒の混合
物であり、％はいずれも重量基準である。

【００８７】１０ガロンの容器の中に１４．８ポンドの
ＰＴ−３０と１５〜２０ポンドのＭＥＫを添加し、ＰＴ
−３０を完全に溶かすように激しく攪拌した。次いで６
ポンドのＢＣ５８を秤量し、ＭＥＫ／ＰＴ−３０の溶液
に添加し、ＢＣ５８を溶媒和するために激しく攪拌し
た。安定剤の２４４．５ｇのイルガノックス１０１０、
及びビスフェノールＡの１６３ｇを添加した。１０ガロ
ンの容器を再度秤量し、１４．２２ポンドのＲＳＬ１４
６２を添加した。追加のＭＥＫを添加し、混合物の重量
を６０ポンドにした。次いで約１〜２時間にわたって、
又は固体成分を完全に溶かすのに必要なだけ長くその内
容物を激しく攪拌した。

【００８８】所望の生成物は、シランで処理したシリ
カ、触媒添加されていない樹脂配合物、及びＭＥＫの混
合物であり、その固形分の６８重量％がシリカであり、
全固形分は混合物の５〜５０重量％である。正確な固形
分濃度は実験ごとに変わり、一部は含浸される膜によっ
て決まる。触媒レベルは、ＰＴ−３０とＲＳＬ１４６２
の合計に対して１０ｐｐｍである。

【００８９】混合物ＩとＩＩの固形分を、前駆体の正確
性を実証するため、及び生じた全ての溶媒の飛散を補償
するために測定した。混合物Ｉを１０ガロンの容器に添
加し、１２ポンドの固体分、例えば、２３．４８ポンド
の混合物Ｉ中の５１．５％の固形分を得た。次いで混合
物ＩＩをその容器に添加し、５．６４ポンドの固体分、
例えば、９．４６ポンドの混合物ＩＩ中の５９．６％の
固形分を得た。マンガン触媒溶液（ミネラルスピリット
中の０．６％）の３．４５ｇを混合物Ｉと混合物ＩＩの
混合物に添加し、十分に混合し、高い固形分の混合物を
作成した。その高固形分の混合物に十分なＭＥＫを添加
して６３ポンドの全重量にすることによって、ｅＰＴＦ
Ｅマトリックスを含浸するための固形分２８％の混合物
の浴混合物を調製した。

【００９０】次に、ｅＰＴＦＥマトリックスをこの浴混
合物で含浸し、誘電体材料を作成した。 例７ ２６．８ｇのファーネフブラック（ニュージャージ州の
リッジフィールドパークにあるデグッサ社より入手の S
pecial Schwarz 100) 、及び７９ｇのカップリング剤(D
ynaslan GLYMO CAS #2530-83-8、3-グリシジルオキシプ
ロピル- トリメトキシシラン(Petrach Systems))を混合
することによって微細分散系を調製した。この分散系を
１分間にわたって超音波攪拌に供し、次いで予め超音波
攪拌しておいた１７．５ポンドのＭＥＫ中の１７．５ポ
ンドのＳｉＯ₂(ＳＯ−Ｅ２）の攪拌中の分散系に添加し
た。一定の頂部からの混合をしながら最終的な分散系を
加熱して１分間の還流を行い、次いでこれを室温まで放
冷した。

【００９１】これとは別に、ＭＥＫ中のプリマセットＰ
Ｔ−３０の５７．５重量％混合物の３４１３ｇ、ＭＥＫ
中のＲＳＬ１４６２の７６．８重量％混合物の２４５６
ｇ、ＭＥＫ中のＢＣ５８（グレートレークス社）の５
３．２重量％溶液の１４９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノ
ールＡ（アルドリッチ社）の２３．９重量％溶液の２０
０ｇ、７１．５ｇのイルガノックス１０１０、ミネラル
スピリット中のＭｎ ＨＥＸ−ＣＥＭ（ＯＭＧ社）の
０．６重量％溶液の３．２１ｇ、及び２．４０ｋｇのＭ
ＥＫを加えることによって接着剤ワニスを調製した。

【００９２】別な容器の中に、上記の分散系の３７３９
ｇ、及び０．０２３３ｇのファーネフブラック（ニュー
ジャージ州のリッジフィールドパークにあるデグッサ社
より入手の Special Schwarz 100) 、１３２８ｇの上記
の接着剤ワニス、及び３８．３ポンドのＭＥＫを添加し
た。この混合物を含浸浴に注ぎ入れ、ある速度又は約３
フィート／分でｅＰＴＦＥウェブを含浸浴の中に通し
た。均一性を保証するため、この分散系を絶えず攪拌し
た。含浸したウェブは、溶媒の全て又は殆どを除去する
ために直ちに加熱オーブンを通過させ、ロール上に回収
した。

【００９３】このプリプレグの数層を銅箔の間に配置
し、真空を利用した液圧プレスで２００℃の温度で９０
分間にわたって２００ｐｓｉでプレスし加圧下に冷却し
た。得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示し
た。 例８ ＭＥＫ中のプリマセットＰＴ−３０(PMN P-88-1591) の
５７．５重量％溶液の３４１３ｇ、ＭＥＫ中のＲＳＬ１
４６２の７６．８重量％溶液の２４５６ｇ、ＭＥＫ中の
ＢＣ−５８（グレートレークス社）の５３．２重量％溶
液の１４９５ｇ、ＭＥＫ中のビスフェノールＡ（アルド
リッチ社）の２３．９重量％溶液の２００ｇ、７１．５
ｇのイルガノックス１０１０、ミネラルスピリット中の
Ｍｎ ＨＥＸ−ＣＥＭ（ＯＭＧ社）の０．６重量％溶液
の３．２１ｇ、及び２．４０ｋｇのＭＥＫを加えること
によって接着剤ワニスを調製した。

【００９４】別な容器の中に、上記の接着剤ワニスの１
３２８ｇを、４２．３ポンドのＭＥＫ、６．４０ｇのフ
ァーネフブラック（ニュージャージ州のリッジフィール
ドパークにあるデグッサ社より入手の Special Schwarz
100) 、及び１８６０．９ｇのＳｉＯ₂(ＳＯ−Ｅ２）と
共に加えた。この混合物を含浸浴に注ぎ入れ、ある速度
又は約３フィート／分でｅＰＴＦＥウェブを含浸浴の中
を通した。均一性を保証するため、この分散系を絶えず
攪拌した。含浸したウェブは、溶媒の全て又は殆どを除
去するため直ちに加熱オーブンを通過させ、ロール上に
回収した。

【００９５】このプリプレグの数層を銅箔の間に配置
し、真空を利用した液圧プレスで２２０℃の温度で９０
分間にわたって２００ｐｓｉでプレスし加圧下に冷却し
た。得られた誘電体は、銅に対する良好な接着性を示し
た。例６の誘電性材料を用い、図９の低熱膨張率のベー
スを調製した。図９のフィラー入りｅＰＴＦＥの層を用
い、銅コアの各面上にラミネートした。次に、誘電体材
料の各露出面にインバー３６を配置した。この複合材料
を圧力下で加熱し、ベースユニット31を作成した。

【００９６】図１と２を参照しながら先に説明したよう
に、Ｚ軸材料は構成部分２と９に使用される。選択的に
導電性のＺ軸基材の部材は、再使用可能で柔軟である。
Ｍｅｏｌａの米国特許第５４９８４６７号に教示のよう
に、ベース基材は、ｘ軸とｙ軸で画定される平面内に横
たわる平らな連続気孔の多孔質材料であり、材料の一方
の面から他方の面に延びるＺ軸経路を有する。Ｚ軸材料
が随意のエラストマーを含むとき、それは、ベースユニ
ット７の下側表面12と、ラミネート式ウェハーレベル接
触シート９の上側表面の間に配置される。随意のエラス
トマーを有する選択的に導電性の部材８は、選択的に導
電性の部材の下側表面から、一般にＺ軸方向に上側表面
まで延びる、一連の電気的に絶縁された不規則形状の導
電性経路を有する。ベースユニット７とラミネート式ウ
ェハーレベル接触シート９の間の適所にあると、導電性
経路は、ベースユニット７の第１端子13を、ラミネート
式ウェハーレベル接触シート９の上側表面上の接触パッ
ド20に電気接続する。

【００９７】下記の説明するように、Ｚ軸材料が、ラミ
ネート式ウェハーレベル接触シート９を作成するために
使用される場合、それは部分硬化したＢ段階の結合用接
着剤を含む。しかしながら、それはＺ軸材料８と接触す
るため、それから容易に離脱され、別なウェハーレベル
接触シート９に取り付けるために再使用されることがで
きる。

【００９８】材料８とラミネート式ウェハーレベル接触
シート９の双方に使用可能なＺ軸部材に適切な材料は、
５×１０^-6ｍ〜５×１０^-4ｍ（５μｍ〜５００μｍ）の
オーダーの厚さを有し、例えば５０μｍ、７５μｍ、１
００μｍ、１５０μｍなどであり、ナイロン、ガラス繊
維、ポリエステル布帛、又は綿などの織物又は不織布で
ある。また、この部材は、多孔質ポリオレフィンのよう
な可撓性のある多孔質ポリマー材料又は膜でよく、例え
ば、多孔質ポリエチレン、多孔質ポリプロピレン、多孔
質フルオロポリマー、又は開放連続気孔の多孔質ポリウ
レタンが挙げられる。さらに、１つの面から他方の面ま
で連続気孔を有する薄い多孔質セラミック板のような開
放連続気孔の多孔質無機材料も使用可能である。

【００９９】多孔質フルオロポリマーには、限定される
ものではないが、多孔質ポリテトラフルオロエチレン
（ＰＴＦＥ）、多孔質延伸膨張ポリテトラフルオロエチ
レン（ｅＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレンとポ
リエステル又はポリスチレンの多孔質コポリマー、テト
ラフルオロエチレンのコポリマーとフッ化エチレンプロ
ピレンのコポリマー（ＦＥＰ）又はＣ₁ 〜Ｃ₄ のアルコ
キシ基を有するペルフルオロアルコキシ- テトラフルオ
ロエチレンのコポリマー（ＰＦＡ）が挙げられる。多孔
質材料には、延伸膨張ポリプロピレン、多孔質ポリエチ
レン、及び多孔質ポリテトラフルオロエチレンが挙げら
れる。

【０１００】Ｚ軸材料の基材として使用される材料は、
米国特許第３９５３５６６号の教示にしたがって調製さ
れた材料のような、フィブリルによって相互に接続され
た結節の微細構造と約２０％〜９０％の空隙体積を有す
る延伸膨張ポリテトラフルオロエチレンであり、この特
許は本願でも参考にして取り入れられており、図１１の
ｅＰＴＦＥによって例示されるている。

【０１０１】Ｚ軸基材として使用される平らな多孔質材
料は、約５〜１２５μｍの厚さを有するが、導電性経路
を形成するために使用される紫外線の強度がサンプルを
貫くことができれば、その厚さはそれ程重要な因子では
ない。図１０〜１３を参照して、Ｚ軸部材を形成するた
めの材料が微細多孔質ＰＴＦＥ（延伸膨張ポリテトラフ
ルオロエチレン）であるとき、気孔49は、図１０に示さ
れたように、フィブリル51によって相互に接続された結
節50の間の空間として画定される。この場合、フィブリ
ル51によって相互に接続された結節50の内部構造は、Ｚ
軸の垂直に画定された横断面の中に、平らな部材の一方
の面から他方までＺ軸を貫く不規則な連続経路52をもた
らす材料密度の構造である（図１３参照）。

【０１０２】選択的に導電性の部材53（図１３）は、金
属塩の堆積を受け入れるＺ軸方向を貫く領域32（図１
２）を作成することによって調製され、この金属塩は、
放射エネルギーに曝されると非導電性の金属核に転化さ
れ、これが無電解金属堆積溶液から導電性金属の堆積を
促進させる作用をする。上記の画定された多孔質部材の
気孔49は、先ず、アルコールのような湿潤剤や有機物の
水系界面活性剤によって湿潤される。メタノール、プロ
パノール、テトラフルオロエチレン／ビニルアルコール
コポリマーなどが使用されることができる。湿潤剤は、
部材の材料を、ニッケルや銅のような導電性金属を受け
入れるようにする作用を行う。

【０１０３】感放射性の金属塩組成物は、感光性還元
剤、金属塩、ハロゲン化物イオン源、及び第２還元剤の
溶液を含む、液体の放射エネルギーに敏感な組成物であ
る。好ましくは、感放射性溶液は、水、金属塩、感光性
還元剤、第２還元剤、及び所望により（表面を湿らすこ
とが難しい場合は）界面活性剤を含む。金属塩には、限
定されるものではないが、酢酸銅、ギ酸銅、臭化銅、硫
酸銅、塩化銅、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、臭化ニッ
ケル、第１鉄含有化合物の例えば硫酸第１鉄、塩化第１
鉄、貴金属の例えばパラジウム、白金、銀、金、及びロ
ジウムが挙げられる。

【０１０４】適切な感光性還元剤は、芳香族ジアゾ化合
物、鉄塩の例えばシュウ酸第１又は第２鉄、硫酸アンモ
ニウム第２鉄、二クロム酸塩の例えば二クロム酸アンモ
ニウム、アントラキノンジスルホン酸又はその塩、グリ
シン（特に湿り表面条件下で活性なもの）、L-アスコル
ビン酸、アジ化物など、及び金属促進剤の例えば塩化第
１錫のような錫化合物、又は銀、パラジウム、金、水
銀、コバルト、ニッケル、亜鉛、鉄などの化合物であ
り、後者の群は、所望により１ミリグラム〜２グラム／
リットルの量で添加される。

【０１０５】第２還元剤には、限定されるものではない
が、ポリヒドロキシアルコールの例えばグリセロール、
エチレングリコール、ペンタエリトリトール、メソエリ
トリトール、1,3-プロパンジオール、ソルビトール、マ
ンニトール、プロピレングリコール、1,2-ブタンジオー
ル、ピナコール、スクロース、デキストリン、及びトリ
エタノールアミン、プロピレンオキサイド、ポリエチレ
ングリコール、ラクトース、スターチ、エチレンオキサ
イド、ゼラチンなどの化合物が挙げられる。また、第２
還元剤として有用な化合物は、アルデヒドの例えばホル
ムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、
n-ブチルアルデヒド、ポリアミドの例えばナイロン、ア
ルブミン、及びゼラチン、トリフェニルメタン染料のロ
イコ塩基の例えば4-ジメチルアミノトリフェニルメタ
ン、4',4',4"- トリ−ジ−メチルアミノ−トリフェニル
メタン、キサンテン染料のロイコ塩基の例えば3,6-ビス
ジメチルアミノキサンテンと3,6-ビスジメチルアミノ-9
-(2-カルボキシエチル）キサンテン、ポリエーテルの例
えばエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレン
グリコール、ジエチルエーテルテトラエチレングリコー
ルジメチルエーテルなどである。

【０１０６】また、ソルビトールで例示される湿潤剤で
もある第２還元剤は、一般に、処理溶液の成分として好
ましく、この理由は、湿潤剤が、現像前に「ドライ」コ
ーティングに水分調整効果を及ぼすためと思われる。こ
れは、コーティング中の未転化の感放射性組成物が基材
から洗い落とされる現像工程の際に、部材の内部材料上
の金属コーティングの密度を維持するのにかなりの助け
を与える。

【０１０７】適切な界面活性剤には、ポリエテノキシノ
ニオン系エーテルの例えばＴｒｉｔｏｎ Ｘ−１００
（Rohm & Haas 社製）、ノニルフェノールとグリシドー
ルの間の反応に基づくノニオン系界面活性剤の例えばＳ
ｕｒｆａｃｔａｎｔｓ６Ｇと１０Ｇ(Olin Mathieson 社
製）が挙げられる。この処理溶液、即ち、感放射性組成
物は、水溶液のｐＨを通常約２．０〜４．０（好ましく
は２．５〜３．８）に調節するための酸塩の形態の酸性
化剤と少量のハロゲン化物イオン（ヨウ化物、臭化物又
は塩化物のイオン）を含み、この結果、添加物の組み合
わせは、処理された平坦な材料を放射エネルギーに曝す
ことによってその後に形成されるコーティングの密度の
かなりの増加をもたらすことに驚くべき効果を与える。
酸性に調節することは、その目的のためだけに薬剤を導
入することを必らずしも必要とせず、これはその調節
が、酸性の感光性還元剤（例えば、アスコルビン酸、グ
リセリンなど）やハロゲン化物イオンを導入するための
いくつかの添加剤（例えば、塩酸）によって例示される
ような別な役割もまた有する酸性物質によって全体的に
又は部分的に行われ得るからである。同様に、ハロゲン
化物イオンの一部又は全部が還元性金属塩（例えば、塩
化第２銅）の成分として導入されることもできる。

【０１０８】増感溶液のｐＨを制御又は調節するのに使
用され得る多くの適切な酸性物質には、ホウフッ化水
酸、クエン酸、乳酸、燐酸、硫酸、酢酸、ギ酸、ホウ
酸、塩酸、硝酸などが挙げられる。処理溶液の所望のハ
ロゲン化物イオン分の一部又は全てを提供するため、各
種の臭化物、塩化物、ヨウ化物の塩、及びその他のハロ
ゲン化物を発生する水溶性化合物が使用されることがで
きる。これらには、とりわけ、金属一般の塩並びに、臭
化第２銅、塩化ニッケル、塩化コバルト、塩化第２銅、
ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、塩化リチウム、ヨ
ウ化マグネシウム、臭化マグネシウム、臭化ナトリウ
ム、臭化カリウムなどで例示されるこれら金属のハロゲ
ン化物が挙げられる。臭化物塩が好ましく、これは、少
なくともある例において、それらが対応の塩化物よりも
基材上に高度の感受性（即ち、より濃く密度の高い析
出）を与えるためである。

【０１０９】ハロゲン化物イオンは、溶質のわずかな割
合のみを構成し、一般に、溶解した固体の全重量を基準
に約０．０４５〜１．６％、好ましくは約０．１３〜
０．４５％の範囲でよい。ハロゲンの量は、別な表現と
して、増感溶液の１リットルあたり約０．９〜２５ミリ
当量のハロゲン、好ましくは約２．５〜９ミリ当量でよ
く、例えば臭化第２銅では０．３〜１．０ｇ／ｌであ
る。ハロゲン化物イオンの割合を高めることは、通常望
ましくなく、これは、そのような増加が、最適量で得ら
れるものよりも低く処理の増感作用を漸次に減じるよう
に観察されるためである。また、当量として表わされる
これらのハロゲン化物イオンの割合は、処理溶液中の第
２銅その他の還元性の非貴金属カチオンのそれよりも少
ない。例えば、このような金属イオン対ハロゲン化物イ
オンの当量比は、通常少なくとも２：１の範囲であり、
好ましくは約４：１〜１００：１である。

【０１１０】感放射性組成物は、気孔を画定する材料を
完全に湿らし、それによって、材料の気孔を通って組成
物が侵入又は浸透するのに十分な時間にわたって多孔質
部材が感放射性組成物に曝され、多孔質で平坦な材料の
一方の側から他方の側まで気孔を画定する材料にそって
気孔内部にコーティングを形成するように、材料に施さ
れる。その後、コーティングされた多孔質部材は、５０
℃未満で空気乾燥又はオーブン加熱することによって乾
燥される。この段階では、処理用組成物の感光性を保持
するため、その材料は黄色光の条件下で取り扱われるべ
きである。また、その部材は、プロセスに悪影響を及ぼ
すことがある部材の材料により起こり得る水の吸収のた
め、７０°Ｆ未満の温度と６０％以下の相対湿度に保た
れるべきである。

【０１１１】コーティングされた多孔質部材の一方の側
の表面は、以降に放射が被覆領域に衝突しないように、
選択領域で不透明カバー55（図１１）によってマスキン
グされる。このマスキングは、電気コネクターとしての
使用に対しては、任意の所望の形状、サイズ、配列のド
ット形状の導電性領域、あるいは、非導電性領域（電気
絶縁性）の交互のバンドによって隔てられたＺ軸方向に
貫ぬく導電性領域の交互のバンド又はストリップをもた
らすことができる。ドットは通常円形であるが、正方形
や長方形などのその他の幾何学形状を有することもでき
る。ドットのサイズは０．０００１インチのように小さ
く、また０．０２５インチのように大きくできるが、好
ましくは０．００１インチ、０．００２インチ、０．０
０３インチ、０．００４インチ、０．００５インチ、
０．００８インチ、０．００９インチ、又はこれらの間
であり、隣接ドットの中心間の距離として定義されるピ
ッチは、好ましくは、ドットの寸法の少なくとも２倍で
あり、例えば１ミルのドットでは２ミルのピッチであ
る。

【０１１２】図１１のマスキングされた部材は、光、電
子ビーム、Ｘ線などのような放射(radiation) 、好まし
くは紫外線放射に、材料の厚さの端から端まで金属塩の
金属カチオンを金属核に還元するのに十分な時間とパワ
ーで曝される。次いでその部材は、マスキングを除去さ
れ、酸性又はアルカリ性の洗浄溶液で洗浄され、不透明
カバーで保護されていた感放射性組成物が洗い落とされ
る。酸性又はアルカリ性の洗浄（又は固定）溶液は、溶
液が数分間（例えば、５分間以下）より長くその領域に
接触したままでなければ、放射が金属カチオンを金属核
に還元した領域に影響を及ぼさない。

【０１１３】具体的には、処理された部材が、図１１に
示されたように、金属マスク、ジアゾ又は銀ハロゲン化
物フィルムで選択的にマスキングされる。このマスキン
グされた部材が、５００ナノメートル未満の波長の視準
されていない又は視準された紫外線源で光により映像化
される。触媒の非導電性金属核そのものは、安定な光像
を形成するには少なくとも２００ミリジュールの放射エ
ネルギーを必要とする。

【０１１４】紫外線エネルギーは、多孔質部材の厚さを
貫通するのに十分強い。このため、以降のメッキ操作に
おいて、導電性金属はＺ軸を通って連続的にメッキし、
Ｚ軸に電気的連続性を与える。所望により、紫外線エネ
ルギーは、平坦な部材の両側に適用されてもよい。５分
間のならし期間の後、触媒化された材料が、次いで硫酸
溶液（例えば、８重量％の硫酸と９２重量％の脱イオン
水からなる溶液）、又はアルカリ性溶液（４０ｇ／ｌの
エチレンジアミンテトラ酢酸、１００ｍｌ／リットルの
ホルムアルデヒドからなり、水酸化ナトリウムを用いて
１０を超えるｐＨに調節）の中で、３０〜９０秒の短い
時間で洗浄される。この洗浄工程の目的は、光還元像を
保持しながら、曝されていない触媒を材料から除去する
ことである。

【０１１５】選択の像を有する洗浄された材料は、次に
反応性金属カチオン置換溶液を用いて安定化される。便
利な溶液は次の通りである。

【０１１６】

【表４】

【０１１７】像は、銅の、より安定なカチオンの例えば
パラジウムによる置換反応を受ける。このような薄層の
量で銅が酸化する性向とパラジウムが無電解浴で還元反
応をより敏速に開始する能力のため、より安定な系が望
ましい。部材はこの溶液中に少なくとも３０秒間保持さ
れ、次に脱イオン水中で約１分間洗浄される。触媒化さ
れた材料は、１種以上の導電性金属で、約５０〜６０マ
イクロインチの析出厚さまで選択的に無電解メッキされ
る。このような金属には銅、ニッケル、金、銀、白金、
コバルト、パラジウム、ロジウム、アルミニウム、及び
クロムが挙げられる。無電解浴中の時間の間、基材の最
も内部まで金属が拡散するのを促進するため、部材が揺
すられながら撹拌される。メッキは、先ず脱イオン水の
中ですすぎ、次いで撹拌されている無電解銅浴の中に十
分な時間にわたって浸し、パラジウムの上に且つ基材の
厚さを貫ぬいて材料に銅を析出させることによって行わ
れる。このように、Ｚ軸方向に材料を貫ぬく選択領域の
中で、材料の結節50とフィブリル51は、Ｚ軸部分57と上
側と下側の接触パッド58と59を有する導電性金属層56で
少なくとも部分的に被覆される（図１３参照）。このよ
うに、導電性金属56は、上側と下側のパッド58と59の間
に、選択領域を貫ぬく連続的な導電性経路52を形成す
る。

【０１１８】Ｚ軸部材料が部材８として使用される場
合、先に示した気孔49を満たすエラストマー60を吸収さ
れることができる。エラストマーには、ゴム弾性を有す
る任意の材料を挙げることができ、例えば、限定される
ものではないが、シロキサン（シリコーン）を基剤とす
るエラストマー、アクリル樹脂、ブチルゴム、クロロス
ルホン化ポリエチレン、エチレン−プロピレンゴム、フ
ッ化エラストマー、及び熱可塑性ゴムのポリスチレン、
ポリエチレン、ネオプレン、ポリブタジエンなどがあ
る。好ましくは、エラストマーはＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎ
ｇ（登録商標）３−１７５３であり、これは供給時に、
−５５℃〜２００℃の使用範囲を有する半透明の液体で
あり、２５℃で０．９８の比重と２５℃で３８５cps の
粘度を有する。Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）３
−１７５３の相似被覆は、シリコーンエラストマーに硬
化し、これは溶融したりかなりの程度に軟化することは
ない。その他の好ましいエラストマーは、供給時に半透
明で、２５℃において０．９８の比重と２３０cps の粘
度を有するＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）３−１
７６５と、半透明で２５℃において０．９８の比重と４
５０cps の粘度を有するＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録
商標）１−１４０５である。

【０１１９】吸収用溶液は、オクタメチルトリシロキサ
ン（０５−２０）、メチルジメチルホルメート（ＤＭ
Ｆ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ミネラルスピリ
ット、低級アルコールの例えばＣ₁ 〜Ｃ₆ アルコール、
好ましくはイソプロパノール、及びダウコーニング社か
ら入手可能なケトン溶媒のような適切な溶媒中の、Ｄｏ
ｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）３−１７５３，１−１
４０５、及びゼネラルエレクトリック社から入手可能な
ＰＳＡ５９５シリコーンのような非接着性のシリコーン
エラストマーから調製され、ここで、エラストマーは溶
液の１０〜７０重量％を含む。エラストマーは、撹拌又
は同様な混合技術によって十分に溶媒に混合され、溶解
し、エラストマー溶液を形成する。エラストマー溶液
は、タンクその他の適切な容器の中に入れられ、次いで
選択的に導電性のＺ軸材料がエラストマー溶液の中に浸
漬され、その溶液を材料の気孔の中に吸収させ又は含浸
させる。浸漬はディッピングでよい。ディッピングは好
ましい含浸技術であるが、Ｚ軸材料にエラストマー溶液
を含浸することができる、例えば加圧スプレーのような
任意のその他のプロセスも使用可能である。

【０１２０】エラストマー溶液を含むＺ軸材料は、乾燥
用ラックに置かれ、２〜１５分間、好ましくは５〜１０
分間、最も好ましくは５分間空気乾燥する。乾燥時間
は、気孔サイズ、材料の厚さ、及び溶媒の量によって調
節される。空気乾燥のより長い又はより短い時間が、よ
り厚いＺ軸材料が空気乾燥されるべき場合又はより多く
の溶媒量が存在する場合に必要なことがある。次に、空
気乾燥されたＺ軸含浸材料を乗せたラックが、約９５℃
〜１４５℃、好ましくは約１２０℃の温度に維持された
加熱オーブンの中に１０〜７０分間、好ましくは３０分
間にわたって入れられ、溶媒を除去する。乾燥と加熱
は、残存する溶媒含有率が約１．０重量％未満、好まし
くは０．２重量％未満に低下するまで行われる。

【０１２１】他方で、ラミネート式ウェハーレベル接触
シート９にＺ軸材料が使用される場合、Ｚ軸材料は結合
用接着剤を含浸される。Ｚ軸材料が２つの別な導電性材
料の間のコネクター境界材として使用される場合、その
材料の通路は接着剤で満たされることができる。適切な
接着剤には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹
脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエス
テル樹脂などが挙げられる。接着剤は、その接着剤溶液
の中に部材を浸すことによって気孔の中に都合よく吸収
される。エポキシ樹脂について、適切な溶媒はメチルエ
チルケトンである。結合性能を与えるためにＺ軸材料の
中に接着剤が吸収又は含浸された後、接着剤は１６０℃
に加熱され、接着剤を部分的に硬化させる。

【０１２２】−Ｚ軸材料の例− 次の例において、使用した触媒処理溶液は、１リットル
の脱イオン水に次のものを添加することによって調製し
た。

【０１２３】

【表５】

【０１２４】使用した固定溶液は８重量％の硫酸と９２
重量％の蒸留水であった。また、次の成分を含む安定化
溶液を使用した。

【０１２５】

【表６】

【０１２６】例９ 米国特許第５４９８４６７号に教示のように、Ｗ．Ｌ．
Ｇｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社から入手した伸
長された多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜を、７５
％のメタノール、２５％のエタノール、及びテトラフル
オロエチレンとビニルアルコールのコポリマーの１重量
％の溶液に、室温で約３０秒間浸すことによって、湿潤
剤で処理した。

【０１２７】次いで、湿潤した膜を、触媒処理用溶液に
６０秒間浸し、次いで５０℃のオーブンで３分間乾燥し
た。膜の１つの表面を、直径６ミルでピッチ１２ミル
（中心から中心）のジアゾフィルムのドットでマスキン
グした。次いで膜を、１６００ミリジュールの視準され
た紫外線源に約２分間曝した。５分間のならし期間の
後、紫外線処理した膜を次いで固定溶液中で３０秒間洗
浄し、曝されていない触媒処理用溶液を除去した。次い
で安定化溶液に１分間浸すことによって選択的に映像化
された膜を安定化させ、次いで蒸留水中で１分間洗浄し
た。

【０１２８】次いで安定化された膜を、１リットルの脱
イオン水を基準に次の成分の銅メッキ用浴組成物（Ship
leys 3）の中に浸した。

【０１２９】

【表７】

【０１３０】撹拌棒を用い、膜を浴の中で７．５分間撹
拌し、Ｚ軸の端から端までの触媒化された部分の膜の気
孔の全体にわたり、銅の拡散を促進した。 例１０ 米国特許第５４９８４６７号に教示のように、６ミル
（１５０μｍ）の厚さの伸長された多孔質ポリテトラフ
ルオロエチレン膜を、2-プロパノールに曝して１分間浸
すことによって湿潤させた。次いで触媒処理用溶液に１
分間浸し、乾燥し、マスキングし、紫外線に曝し、次い
で例９と同様にして、固定と安定化の溶液に曝した。こ
のＺ軸材料を例９と同様にして銅でメッキし、例９と同
様にして銅でコーティングした。

【０１３１】例１１ ２ミルの厚さの伸長された多孔質ポリテトラフルオロエ
チレン膜を例９と同様にして調製し、但し、マスキング
ストリップは１０ミルのピッチで３ミルのパッドとし
た。 例１２〜１４ 例９の手順を、多孔質ポリエチレン、多孔質ポリプロピ
レン、及び開放連続気孔の多孔質ポリウレタンからなる
膜について繰り返し、Ｚ軸にそって延びる不規則形状の
導電性経路を有するＺ軸材料を作成した。

【０１３２】−ゴム弾性で選択的導電性のＺ軸材料− 例１５ 次の溶液をタンクに入れ、フレームに支持されたＺ軸材
料を溶液に浸すことによって、例９のＺ軸材料にその溶
液を吸収させた。

【０１３３】

【表８】

【０１３４】含浸されたＺ軸材料を、乾燥用ラックの中
で５分間空気乾燥した。乾燥用ラックを、１２０℃に加
熱されたオーブンの中に３０分間入れ、溶媒を除去し
た。下記の例１６〜２０においては、Ｚ軸材料はシリコ
ーンエラストマーを含浸される。ここで、Ｚ軸材料はエ
ラストマーを含まなくても使用される。 例１６ 図１７（１０００倍の倍率）に示された結節とフィブリ
ルの構造を有する伸長された多孔質ポリテトラフルオロ
エチレン膜からなる膜は、厚さ７６μｍで、２５℃にお
いて０．２２ｇ／ｃｍ³ の密度と７０％の空隙体積を有
し、Ｗ．Ｌ．Ｇｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社か
ら入手可能であり、例１と同様にして調製しＺ軸膜を作
成したが、但し、マスキングストリップは５ミルのピッ
チの２ミルのパッドとした。このＺ軸膜を、２０％のＤ
ｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）３−１７５３シリコ
ーンを含むシリコーン溶液で含浸した。

【０１３５】例１７ 図１４（１０００倍の倍率）の結節とフィブリルの構造
を有する例１６のものと同様なポリテトラフルオロエチ
レン膜を用意し、例１と同様にしてＺ軸膜を作成した
が、但し、マスキングストリップは１５ミルのピッチの
８ミルとした。このＺ軸膜を、３０％のＤｏｗ Ｃｏｒ
ｎｉｎｇ（登録商標）３−１７５３シリコーンを含むシ
リコーン溶液で含浸した。

【０１３６】例１８ 図１５（１５００倍の倍率）に示された結節とフィブリ
ルの構造を有し、厚さ４０μｍで、２５℃において０．
４ｇ／ｃｍ³ の密度を有し、Ｗ．Ｌ．Ｇｏｒｅ＆ Ａｓ
ｓｏｃｉａｔｅｓ社から入手可能な伸長された多孔質ポ
リテトラフルオロエチレン膜を用意し、例１と同様にし
てＺ軸膜を作成したが、但し、マスキングストリップは
１５ミルのピッチの８ミルとした。このＺ軸膜を、３０
％のＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）３−１７５３
シリコーンを含むシリコーン溶液で含浸した。

【０１３７】例１９ 図１６（１０００倍の倍率）の結節とフィブリルの構造
を有し、厚さ１００μｍで、２５℃において０．３５ｇ
／ｃｍ³ の密度と７０％の空隙体積を有し、Ｗ．Ｌ．Ｇ
ｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社から入手可能な伸
長された多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜を用意
し、例１と同様にしてＺ軸膜を作成したが、但し、マス
キングストリップは１５ミルのピッチの８ミルとした。
このＺ軸膜を、３０％のＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録
商標）３−１７５３シリコーンを含むシリコーン溶液で
含浸した。

【０１３８】例２０ 図１７（１０００倍の倍率）の結節とフィブリルの構造
を有する伸長された多孔質ポリテトラフルオロエチレン
膜は、厚さ１５０μｍで、２５℃において０．２０ｇ／
ｃｍ³ の密度と７０％の空隙体積を有し、Ｗ．Ｌ．Ｇｏ
ｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社から入手可能であ
り、例１と同様にして調製しＺ軸膜を作成したが、但
し、マスキングストリップは１５ミルのピッチの８ミル
とした。このＺ軸膜を、３０％のＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎ
ｇ（登録商標）３−１７６５シリコーンを含むシリコー
ン溶液で含浸した。

【０１３９】例２１〜２３ 上記の例９〜１１のＺ軸基材の膜に結合性能を与えるた
め、エポキシ接着剤を含浸し、１６０℃に加熱した。 例２４〜２９ エラストマーのマトリックスを形成する例１５〜２０の
それぞれのＺ軸材料を未含浸の状態でエポキシ接着剤樹
脂に接触させ、１６０℃に加熱し、Ｚ軸接着剤を作成す
る。

【０１４０】図１８と１９は、それぞれピッチ１５ミル
の１つの８ミルのパッドと複数の８ミルのパッドの走査
型電子顕微鏡写真である。 −ラミネート式ウェハーレベルの接触シート− 図２０〜３４を参照しながらラミネート式ウェハーレベ
ル接触シート９を説明するが、これは、ベースユニット
の第１端子13と下側表面上に隆起した導電性金属バンプ
に対応するパターンで配置された接触パッド（図３４）
を備えた上側表面を有する。各接触パッドは、ラミネー
ト式ウェハーレベル接触シート９の下側表面上の導電性
バンプに電気接続される。バーンインデバイスが使用中
にあるとき、導電性バンプは、テスト中のウェハーの接
触パッドと接触する。

【０１４１】図３４に見られるように、ラミネート式ウ
ェハーレベル接触シートは、第１層61と第２層62を有す
る。第１層61は誘電体材料63からなり、１つの表面65に
形成された少なくとも１つの導電性ビア64が、他方の表
面上の導電性パッド66にそれぞれ接続される。これらの
層は、ウェハーレベル接触シートの一部を形成するよう
に加工される基材を形成する。第１層61は基材67であ
り、好ましくはＷ．Ｌ．Ｇｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａ
ｔｅｓ社から入手可能なＧｏｒｅｆｌｅｘ（登録商標）
である。Ｇｏｒｅｆｌｅｘ（登録商標）の代わりに、誘
電体材料63は、Ｓｐｅｅｄｂｏａｒｄ（登録商標）Ｃ又
は接着剤・フィラー・ｅＰＴＦＥ複合材料から形成さ
れ、銅が被着されている。

【０１４２】第２層62は、一連の電気的に絶縁された不
規則形状の導電性Ｚ軸経路を有する多孔質Ｚ軸材料から
なり、その第２層の下側表面上に導電性の金属バンプ又
は接点を有する。導電性バンプ67は、ブラインドビア64
と、接着剤含有Ｚ軸材料の不規則形状の導電性Ｚ軸経路
を通って第１層61上の導電性パッド66に接続される。図
２０〜３４に見られるように、図３４のラミネート式ウ
ェハーレベル接触シートは、それぞれ図２０と２４の第
１と第２の誘電性ラミネート基材67と68から作成され
る。各誘電体は、上側と下側の銅層（図２０）をラミネ
ートされる。基材67は、導電体層69（例えば銅）、Ｓｐ
ｅｅｄｂｏａｒｄ（登録商標）Ｃ又は接着剤ペースト・
ｅＰＴＦＥ複合材料からなる誘電体層70、及び導電体層
71（例えば銅）を含んでなる。誘電体層70は、ガラス強
化誘電体層のような、レーザーやプラズマプロセスによ
るエッチングに抵抗性の材料を含むべきでない。適切な
誘電体材料には、限定されるものではないが、ポリイミ
ドとポリイミドのラミネート、エポキシ樹脂、有機材
料、又は少なくとも部分的にポリテトラフルオロエチレ
ンを含む誘電体材料が挙げられる。１つの誘電体材料
は、Ｗ．Ｌ．Ｇｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社か
ら商品名ＳＰＥＥＤＢＯＡＲＤ（商標）誘電体材料とし
て入手可能であり、あるいは、上記の接着剤・ＳｉＯ₂
を充填された多孔質基材がある。

【０１４３】誘電体層70の厚さは重要である。この厚さ
は、得られる金属接点の高さを決める。フォトレジスト
が銅層69と71にそれぞれ施され、窪み又はビアのような
ウェルが形成されるべき場所に像が形成される。露出
（像形成）領域（図示せず）の銅は、塩化第２銅を基剤
としたエッチング剤溶液のような任意の適切な通常の銅
エッチング剤でエッチング除去される。露出領域内の銅
がエッチング除去されると、誘電体層70の一部が見え
る。次いでフォトレジストが基材から除去されることが
できる。露出した誘電体部分は、その中に金属接点が形
成される「ウェル」72（図２１）を画定するため、レー
ザーでアブレーション除去される。理解されるはずのよ
うに、銅層69は、露出した誘電体部分70のアブレーショ
ンを可能にするマスクとして機能する。銅層71は止めの
作用をし、ウェル72の底を画定することができる。

【０１４４】露出した誘電体部分のアブレーションは、
銅層を除去することなく有機物誘電体の選択的アブレー
ションに適切な任意のレーザーによって達成されること
ができる。エキシマレーザー、３倍又は４倍周波数のＹ
ＡＧレーザーのような紫外波長で動作するレーザーがと
りわけ適切である。ここで、その他のタイプのレーザー
も適切である。レーザーは、大きなレーザースポットで
基材表面が掃引される走査モード又は焦点ビームの、い
ずれで操作されてもよい。露出した誘電体部分のレーザ
ーアブレーションの他に、露出した誘電体部分を選択的
に除去する、例えば、限定されるものではないが、プラ
ズマエッチング、反応性イオンエッチング、又は化学的
エッチングのようなその他のプロセスが採用されること
もできる。ここで、レーザーアブレーションプロセスが
とりわけ首尾よく適するが、これはウェルの形状の全体
により多くの制御を可能にするためである。走査モード
のレーザーアブレーションプロセスの場合、単なる回折
がテーパー付き円錐形状をもたらすであろう。

【０１４５】結果として、ブラインドビア72が形成され
る。その後、ウェル又はビア72の内側が、銅のような導
電性金属73でコーティングされる。銅は、無電解メッ
キ、スパッタリング、蒸発、又は直接の電着を可能にす
る導電性コーティングの堆積によって堆積させることが
できる。その後、基材67の全体的上部と同時に予定のパ
ッド領域74がフォトレジスト75でコーティングされる
（図２２）。基材67の底部上の露出した銅76が、塩化第
２銅を基剤としたエッチング剤溶液のような任意の適切
な通常の銅エッチング剤でエッチング除去される。次い
で基材の上部と底部の表面からフォトレジスト75が除去
され、銅パッド77を残存させる（図２３）。所望によ
り、第１ニッケル層と第２金層が、パッド77の外側表面
上に堆積されることができ、ニッケル層は、金層が銅層
の中に拡散することを抑える役割をする。

【０１４６】第２誘電性ラミネート基材68（図２４）は
基材67と同じであり、上側の銅層78、誘電体80、及び下
側の銅層79を備える。基材67と同様に、誘電体層80は、
ガラス強化された誘電体層のような、レーザーやプラズ
マプロセスによるエッチングに抵抗する材料を含むべき
でない。ここでもまたフォトレジストがそれぞれ銅層78
と79（図示せず）に施され、また、ウェル、窪み、又は
ビア81が形成される領域に通常技術を用いて像形成され
る。像形成されて露出された領域（図示せず）での銅層
78は、塩化第２銅を基剤としたエッチング剤溶液のよう
な任意の適切な通常の銅エッチング剤でエッチング除去
される。露出した領域内の銅がエッチングされると、誘
電体層80の露出部分が見え、レーザーでアブレーション
除去され、「ウェル」81（図２５）を画定する。ウェル
又はビア81が画定された後、基材67に関して先に説明し
たように、ウェル又はビア81の側壁上に銅のような表面
導電体層82を堆積させる任意の適切な仕方で、ベース基
材が加工される。次いでフォトレジスト83が基材68の上
部に施され（図２６）、パッド及び／又はトレースを作
成するために像形成され、同時にメッキと又は金属被覆
を避けるために基材68の底部についても行われる。

【０１４７】フォトレジストで保護されていない領域
は、ニッケルのような銅に対して選択的にエッチングす
る金属でメタライズされ、ニッケル層84を形成する（図
２７）。その後、堆積したニッケルは、低抵抗接点を形
成するため、金の層でコーティングされることができ
る。次いでフォトレジストが、基材の上側と下側の表面
から除去される（図２８）。

【０１４８】次いでその加工した第１と第２の誘電体ラ
ミネート基材85と86の間に、加工した基材85をそのＺ軸
材料87の上にして選択的導電性Ｚ軸材料87を配置するこ
とによって（図２９）、ラミネート式ウェハーレベル接
触シートが組み立てられる。３つの層が、４３５°Ｆの
温度と３２５ｐｓｉの圧力下で一緒にラミネートされ、
これによってそのＺ軸材料87の接着剤が基材85と86をそ
れに結合させる。

【０１４９】３層ユニット88が形成されると（図３
０）、先に説明した銅エッチング溶液を用いて銅層89が
エッチング除去され、層90を残す（図３１）。その後、
誘電体90が除去され、バンプ92を有する銅層91を残す
（図３２）。次いでフォトレジスト93が加工された基材
上のビア94と周りの領域96と97に施され（図３３）、銅
層98と露出銅層95が除去される（図３４）。フォトレジ
ストが除去され、ウェハーレベル接触シートが形成され
る。導電性ビア94は導電性パッド99に接続され、次いで
それがＺ軸材料87の導電性Ｚ軸経路を介してバンプ67に
接続される。

【０１５０】ビア上に金属コーティングを形成するのに
適切なプロセスには、限定されるものではないが、通常
の無電解銅メッキ法、スパッタリング、蒸発、又は直接
の電着を可能にする導電性コーティングの堆積、又はそ
の他の任意の適切な方法が挙げられる。この堆積を厚く
するために追加の電解的に堆積された銅が付加され、そ
れによって、付加的な加工工程のためのより丈夫な表面
を提供することもできる。

【０１５１】図３５は、上記の方法によってウェハーレ
ベル接触シート上に形成されたバンプの走査型電子顕微
鏡写真である。図３６では、図２６の基材がやや拡大さ
れており、導電性バンプを提供するために形成されるビ
アとパッド表面の寸法を与える。図３６に見られるよう
に、ビアは、上側直径Ａ（Ａは２５μｍ〜７５μｍ）、
底部直径Ｂ（Ｂは１０μｍ〜６０μｍ）、及び高さＣ
（Ｃは２０μｍ〜７５μｍ）を有する。フォトレジスト
83から形成されるパッドの直径Ｄは３５μｍ〜１５０μ
ｍである。バンプ67（図３４と３７に示す）は、５μｍ
〜５０μｍの端部直径（公差±２μｍ）を有する実質的
に平らなチップ101 を備え、これはビア81によって一時
的に支持される。

【０１５２】本発明を、特定の態様について説明した
が、当業者には、以上の説明に照らして多くの変化や変
更があり得ることは明白である。したがって、本発明
は、特許請求の範囲の思想と範囲の中に収まる全ての変
更や変化を包含するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】ウェハー上に形成された複数の集積回路チップ
を有するウェハーを示し、各チップはチップに電気接続
させるための接触パッドのパターンを有する。

【図２】ウェハーに接触する前の持ち上げられた、ラミ
ネート式接触シートの導電性バンプを備えたウェハーレ
ベルバーンイン用のバーンインデバイスを示す。

【図３】ウェハーの接触パッドに緊密に接触するラミネ
ート式接触シートの導電性バンプを備えた図２のバーン
インデバイスを示す。

【図４】バーンインデバイスの別な態様を示し、ラミネ
ート式接触シートとテスト中のウェハーの間の緊密な接
触が膨張可能なブラダーによって制御される。

【図５】本発明による上側のバランス用「ダミイ」層と
下側の良好な「回路」層を備えたベースユニットを示
す。

【図６】信号層、低熱膨張率ベース層、及び５つのバラ
ンス用層を有するベースユニットを示す。

【図７】接触パッドと誘電体層を貫くビアホールを示す
パッド層の横断面図を示す。

【図８】誘電体層上の信号トレースを例示する信号層の
図を示す。

【図９】低熱膨張率のベース層を通る横断面図を示し、
その構成部分の層を例示する。

【図１０】開放連続気孔の多孔質基材を貫いて延びる不
規則なＺ軸経路の構造を大要で示す。

【図１１】開放連続気孔の多孔質基材を貫いて延びる不
規則なＺ軸経路の構造を大要で示す。

【図１２】開放連続気孔の多孔質基材を貫いて延びる不
規則なＺ軸経路の構造を大要で示す。

【図１３】基材の厚みを貫いて延び、導電性表面の接点
で成端する独立したＺ軸導電性経路を有する多孔質基材
を示す。

【図１４】Ｚ軸材料を調製するために使用され、０．２
２ｇ／ｃｍ³ の密度、７６μｍの厚さ、及び７０％の空
隙体積を有するｅＰＴＦＥ材料の走査型電子顕微鏡写真
である。

【図１５】Ｚ軸材料を調製するために使用され、０．４
０ｇ／ｃｍ³ の密度、４０μｍの厚さ、及び２０％の空
隙体積を有するｅＰＴＦＥ材料の走査型電子顕微鏡写真
である。

【図１６】Ｚ軸材料を調製するために使用され、０．３
５ｇ／ｃｍ³ の密度、１００μｍの厚さ、及び７０％の
空隙体積を有するｅＰＴＦＥ材料の走査型電子顕微鏡写
真である。

【図１７】Ｚ軸材料を調製するために使用され、０．２
０ｇ／ｃｍ³ の密度、１５０μｍの厚さ、及び７０％の
空隙体積を有するｅＰＴＦＥ材料の走査型電子顕微鏡写
真である。

【図１８】Ｚ軸材料上の８ミルのパッドを示す。

【図１９】Ｚ軸材料上の１５ミルピッチの８ミルのパッ
ドの列を示す。

【図２０】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２１】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２２】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２３】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２４】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２５】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２６】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２７】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２８】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図２９】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図３０】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図３１】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図３２】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図３３】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図３４】本発明のラミネート式ウェハーレベル接触シ
ートを製造するための一連のプロセスを示す。

【図３５】本発明のウェハーレベル接触シート上に形成
されたバンプの走査型電子顕微鏡写真である。

【図３６】本発明のウェハーレベル接触シート上の導電
性バンプを形成するための、ビアと周りのフォトレジス
トの拡大された図を示す。

【図３７】独立した導電性バンプとその寸法を示す。

【図３８】接着剤・フィラー複合材料を調製するために
使用されるｅＰＴＦＥ材料の走査型電子顕微鏡写真を示
す。

【符号の説明】

１…ウェハー ２…チップ ６…バーンイン装置 ７…ベースユニット ９…ラミネート式ウェハーレベル接触シート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジミー レオン アメリカ合衆国，ウェスコンシン 54701, オー クレア，ウエスト マクアーサー アベニュ 1025，アパートメント 216

Claims (31)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 温度制御された環境中にバーンインユニ
   ットを配置し、そのバーンインユニットは下方に垂れる
   導電性バンプを有し、 そのバーンインユニットを下降させ、その導電性バンプ
   を、スクリーニングされる電子部品の対応する導電性パ
   ッドに接続させ、 テスト信号を発生させ、そのテスト信号を、そのバーン
   インユニットを通してその電子部品上のその導電性パッ
   ドまで伝達する、ことを特徴とする電子部品のバーンイ
   ンスクリーニング方法。
2. 【請求項２】 そのバーンインが少なくとも約９０℃の
   温度で行われる請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 そのバーンインが少なくとも約１５０℃
   の温度で行われる請求項１に記載の方法。
4. 【請求項４】 そのバーンインが約１２５℃〜２００℃
   の間の温度で行われる請求項１に記載の方法。
5. 【請求項５】 そのバーンインユニットが、下側表面に
   複数の第１端子と第２端子を備えた低熱膨張率又はマッ
   チした複合熱膨張率のベースを有する高度に平面性のあ
   るベースユニットを備え、そのテスト信号を伝達する工
   程が、その第２端子からのテスト信号をその第１端子に
   伝達することを含む請求項１に記載の方法。
6. 【請求項６】 そのバーンインユニットが、Ｚ軸導電性
   層を備え且つＺ軸導電性経路とその導電性バンプを有す
   るラミネート式ウェハーレベル接触シートを備え、その
   伝達工程が、その第１端子からのテスト信号をそのＺ軸
   導電性経路を通してその導電性バンプに伝達する請求項
   ５に記載の方法。
7. 【請求項７】 その第１端子からそのＺ軸経路に伝達さ
   れるその信号が、先ず、そのベースユニットとそのウェ
   ハーレベル接触シートの間に配置された中間のＺ軸材料
   中のＺ軸導電性経路を通して伝達される請求項６に記載
   の方法。
8. 【請求項８】 そのテスト信号が、多孔質マトリックス
   の一方の面から他方の面まで延び且つＸ軸とＹ軸の方向
   に互いに電気的に絶縁された不規則形状の導電性Ｚ軸経
   路を通して伝達される請求項７に記載の方法。
9. 【請求項９】 そのテスト信号を、電子部品を備えた半
   導体ウェハーに伝達することを含む請求項１に記載の方
   法。
10. 【請求項１０】 そのテスト信号が、先ずそのウェハー
    レベル接触シートのＺ軸材料の上側表面に接触する誘電
    体材料中の導電性ブラインドビアを通してそのテスト信
    号を送ることにより、そのウェハーレベル接触シート中
    のその経路を通して伝達される請求項５に記載の方法。
11. 【請求項１１】 低熱膨張率のベース層を提供すること
    によって、そのバーンインユニットの平面性を維持する
    組み合わせをさらに含む請求項１に記載の方法。
12. 【請求項１２】 その平面性を維持する工程が、そのベ
    ース層の下側表面にその第１と第２の端子を有する下側
    回路層を備え、その上側表面にバランス用層を備えたそ
    のベース層を提供することを含む請求項１１に記載の方
    法。
13. 【請求項１３】 バランス用層の積層を提供することを
    含み、各バランス用層が、その高度に平面性のあるベー
    スユニットの対応する回路層の密度に実質的にマッチす
    る密度を有する導電性層と誘電体層を備える請求項１２
    に記載の方法。
14. 【請求項１４】 直径が約７５ｍｍ〜３００ｍｍの半導
    体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含む
    請求項９に記載の方法。
15. 【請求項１５】 直径が約１５０ｍｍ〜２００ｍｍの半
    導体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含
    む請求項９に記載の方法。
16. 【請求項１６】 直径が約２００ｍｍ〜３００ｍｍの半
    導体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含
    む請求項９に記載の方法。
17. 【請求項１７】 その平面性を維持する工程が、ウェハ
    ーの熱膨張率に±３ｐｐｍ／℃の範囲でマッチする熱膨
    張率を有するベースを提供することを含む請求項１１に
    記載の方法。
18. 【請求項１８】 直線１フィートあたり約０．０１イン
    チ未満の平面度とウェハーの熱膨張率にマッチする熱膨
    張率を備えたベース部材を有するバーンインユニットに
    半導体ウェハーを接触させ、テスト信号を発生させ、温
    度を高めて、そのテスト信号をそのバーンインユニット
    を通してそのウェハー上の導電性パッドに伝達すること
    を特徴とする電子部品のバーンインスクリーニング方
    法。
19. 【請求項１９】 そのバーンインが少なくとも約１２５
    ℃の温度で行われる請求項１８に記載の方法。
20. 【請求項２０】 そのバーンインが少なくとも約１５０
    ℃の温度で行われる請求項１８に記載の方法。
21. 【請求項２１】 そのバーンインが約１２５℃〜２００
    ℃の温度で行われる請求項１８に記載の方法。
22. 【請求項２２】 直径が約７５ｍｍ〜３００ｍｍの半導
    体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含む
    請求項１８に記載の方法。
23. 【請求項２３】 直径が約１５０ｍｍ〜２００ｍｍの半
    導体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含
    む請求項１８に記載の方法。
24. 【請求項２４】 直径が約２００ｍｍ〜３００ｍｍの半
    導体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含
    む請求項１８に記載の方法。
25. 【請求項２５】 高度に平面性のあるバーンイン装置の
    導電性バンプに電子部品の導電性パッドを接触させ、そ
    のバンプは均一な形状であり且つ実質的に平らなチップ
    を有し、テスト信号を発生させ、そのテスト信号をその
    導電性バンプを通して、その電子部品上のその導電性パ
    ッドに伝達させることを特徴とする電子部品のバーンイ
    ンスクリーニング方法。
26. 【請求項２６】 直径が約７５ｍｍ〜３００ｍｍの半導
    体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含む
    請求項２５に記載の方法。
27. 【請求項２７】 直径が約２００ｍｍ〜３００ｍｍの半
    導体ウェハーをバーンインスクリーニングすることを含
    む請求項２５に記載の方法。
28. 【請求項２８】 そのバーンインが少なくとも約１２５
    ℃の温度で行われる請求項２５に記載の方法。
29. 【請求項２９】 そのバーンインが少なくとも約１５０
    ℃の温度で行われる請求項２５に記載の方法。
30. 【請求項３０】 そのバーンインが約１２５℃〜２００
    ℃の間の温度で行われる請求項２５に記載の方法。
31. 【請求項３１】 直径約１０μｍ〜５０μｍのバンプチ
    ップがその導電性パッドに接触する請求項２５に記載の
    方法。