JPH10188340A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 スパイラル状にグルーブが形成された基
板上に、色素を含有する記録層、金属の反射層を有する
光記録媒体において、基板のグルーブのピッチＰ（μ
ｍ）、グルーブの深さｄsub （μｍ）が、λ／ＮＡ〔こ
こで、λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口
数を表す〕で表される記録ビームの径ｒで規定され、ま
た、光学位相差が規定され、該記録層に含有される色素
が、アゾ化合物またはその金属錯体であることを特徴と
する高密度記録媒体。 【効果】 記録時のトラッキングが安定し、良好な記録
特性を有した高密度記録が可能な追記型光記録媒体を提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は透明基板上に色素を
含有する記録層、反射層を有する光記録媒体に関し、特
に高密度に記録可能な光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】色素を記録層とし、かつ、反射率を大き
くするため記録層の上に金属の反射層を設けた記録可能
な光記録媒体は、例えば Optical Data Storage 1989 T
echnical Digest Series Vol.1,45(1989) に開示されて
おり、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素
を用いた媒体は、ＣＤ−Ｒ媒体として市場に供されてい
る。これらの媒体は780nm の半導体レーザーで記録する
ことができ、かつ780nmの半導体レーザーを搭載してい
る市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで再
生できるという特徴を有している。

【０００３】しかし、これらの媒体は650MB 程度の容量
しか持たず、デジタル動画等のように大容量の情報を記
録すると、記録時間が15分以下と短い。また、機器の小
型化が進む状況に対応するために、従来の媒体を小型に
すると容量が不足する。前記した従来のＣＤ−Ｒ媒体は
780nm 前後の波長を有する半導体レーザーを用いて記録
及び再生を行っていたが、最近630 〜655nm の半導体レ
ーザーが開発され、より高密度の記録及び／又は再生が
可能となり、直径120mm の媒体に約２時間の高画質の動
画を記録した光記録媒体が、ＤＶＤとして開発されてい
る。この媒体は４．７GB／面の記録容量を有するが、現
在のところ、ピットを基板に転写して作られる再生専用
の媒体である。そのため、上記したような再生専用のＤ
ＶＤの記録容量に近い大容量を有する記録可能な光記録
媒体が求められている。

【０００４】記録可能な媒体において、記録容量を大き
くするには記録レーザービームを小さくすればよい。用
いるレーザーの波長が短い程、また、対物レンズの開口
数（ＮＡ）が大きい程、ビーム径は小さくなり高密度記
録に好ましいが、現在の半導体レーザー技術やレンズの
ＮＡからは、ビーム径には限界がある。例えば、前記し
たＤＶＤのビーム径は、従来のＣＤの場合に比較して記
録密度の割には小さくない。従って、記録時にはＣＤ−
Ｒの場合と比較してビーム径に比してより小さなピット
を正確に形成しなければならない。しかし、ピットの大
きさが小さくなるほど、最短ピットの変調度が小さくな
り、ジッターやエラーレートが大きくなるという問題点
が生じる。そこで記録時に変調度を犠牲にせずに、細く
小さなピットを正確に形成できる媒体が求められてい
る。さらに、記録時のグルーブに沿ってレーザーを位置
づかせるトラッキングの安定性を考慮すると、未記録の
ラジアルコントラスト（ＲＣｂ）が０．０５より大きい
ことが望まれる。

【０００５】含窒素ヘテロ環を有するアゾ化合物の金属
錯体を記録層とする光記録媒体が、特公平5-67438 号公
報および特公平07-71868号公報に開示されている。しか
し本発明の構造のヘテロ環を有するアゾ色素についての
記述がないばかりか、従来の近赤外レーザー波長での記
録について記述されているのみで記録密度を大きくする
ための種々の条件に関しては、具体的に何ら開示されて
いない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
ビーム径に対してトラックピッチを小さくしても、記録
時のトラッキングが安定しており、従来より小さなピッ
トを形成した際に良好な記録特性を有する高密度光記録
媒体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、記録ビーム径、ト
ラックピッチ、グルーブ形状及び色素の最適化を行い、
本発明を提案するに至った。すなわち、本発明は、 スパイラル状にグルーブが形成された基板上に、直
接または他の層を介して、レーザー光を吸収する色素を
含有する記録層と、該記録層の上に直接または他の層を
介して金属の反射層を有する光記録媒体において、λ／
ＮＡで表される記録ビームの径をｒ〔ここで、λは記録
波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口数を表す〕、基
板のグルーブのピッチ（トラックピッチ）をＰ（μ
ｍ）、グルーブの深さをｄ_sub （μｍ）、該記録層のグ
ルーブ部の色素膜厚をｄ_g （μｍ）、ランド部の色素膜
厚をｄ_l （μｍ）、波長λでの記録層の屈折率を
ｎ_abs 、基板の屈折率をｎ_sub としたとき、Ｐ、ｄ_sub
及びｎ_abs が、下記式を満足し、 ０．６６ｒ≦Ｐ≦０．８９ｒ ０．１２ｒ≦ｄ_sub ≦０．２０ｒ １．８≦ｎ_abs ≦２．７ 光学位相差（△Ｔ）＝２〔ｎ_sub ・ｄ_sub ＋ｎ_abs ( ｄ
_l - ｄ_g ) 〕／λが、式 ０．１３≦△Ｔ≦０．４１ で表され、ｄ_g −ｄ_l ≦ｄ_sub であり、かつ、該記録層
に含有される色素が下記式（１）（化３）で示されるア
ゾ化合物またはその金属錯体であることを特徴とする高
密度光記録媒体、

【０００８】

【化３】 〔式中、環Ａは含窒素ヘテロ環を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚのい
ずれかの一つは窒素原子で他の２つは置換または未置換
の炭素原子を表し、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原
子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
のアリール基、置換または未置換のアラルキル基、置換
または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅
及びＲ₆ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロ
キシ基、カルボキシル基、スルホンアミド基、アミノ
基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
のアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、置換
または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキル
カルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置
換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換ま
たは未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未
置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキル
スルホン基、置換または未置換のアルケニル基を表し、
Ｒ₁ とＲ₄ 、Ｒ₂ とＲ₆ 及びＲ₁ とＲ₂ は連結基を介し
て環を形成してもよい。Ｒ₇ 及び前記環Ａの炭素原子の
置換基としては、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、
ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン基、スルホン
アミド基、アミノ基、置換または未置換のアルキル基、
置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換の
アリール基、置換または未置換のアシル基、置換または
未置換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換の
アラルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニル
アミノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ
基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または
未置換のアルキルスルホン基、置換または未置換のアル
ケニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、チオシ
アノ基、クロロスルホン酸、置換または未置換のアルキ
ルチオ基、置換または未置換のアルキルアゾメチン基、
置換または未置換のアルキルアミノスルホン基を表し、
Ｘが窒素原子の場合はＹの置換基とＺの置換基が、Ｙが
窒素原子の場合はＲ₇ とＸの置換基が、Ｚが窒素原子の
場合はＸの置換基とＹの置換基またはＲ₇ とＸの置換基
が連結基を介して環を形成してもよい。〕 記録層に含有される色素が下記式（２）（化４）で
示されるアゾ化合物の金属錯体であることを特徴とする
に記載の高密度光記録媒体、

【０００９】

【化４】 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₆ 及
びＲ₇ は式（１）と同じ意味であり、Ｒ₈ はヒドロキシ
基またはカルボキシル基を表す。〕 λが０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡが０．５８
〜０．７０である又はに記載の高密度光記録媒体で
ある。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体は、スパイラ
ル状にグルーブが形成された基板上に、色素を含有する
記録層と、反射層を有するものであり、記録ビーム径に
対してトラックピッチを小さくしても、ラジアルコント
ラスト（ＲＣｂ）値が適度の大きさで記録時のトラッキ
ングが安定しており、従来より小さなピットを形成して
も変調度が大きく、ジッター、エラーレートが良好な高
密度の記録を可能とするものである。

【００１１】本発明の光記録媒体の層構成は、（図１）
に示すような基板１、記録層２、反射層３及び保護層４
が順次積層している４層構造、または（図２）に示すよ
うな基板１’、記録層２’、反射層３’が順次積層さ
れ、その上に接着層４’を介して基板５’が貼り合わさ
れている構造を有するものがある。

【００１２】記録層に色素を用いた場合、スピンコート
法により記録層を成膜することができる。グルーブを有
する基板上にスピンコート法で記録層を成膜した場合、
グルーブ部の記録層の膜厚はグルーブ間（ランド）部の
記録層の膜厚より通常厚くなる。通常、記録感度は記録
層の膜厚に依存し、特に記録層の上に金属の反射層を設
けた媒体の場合はこの反射層へ熱が拡散し記録感度が低
下する。記録層の膜厚が薄いほどこの熱拡散の影響を大
きく受け感度が低下し易い。すなわち、グルーブとラン
ド部の記録感度に大きな差が生じる。それ故に記録レー
ザービームのビーム径が大きくても細いピットを形成す
ることができる。

【００１３】しかしいくら細いピットが記録できても、
トラックピッチを小さくできるわけではない。トラック
ピッチを無制限に小さくしても、再生する際のレーザー
ビームの径が大きいと変調度が小さくなるだけでなく、
クロストークが大きくなり過ぎてジッターが悪化し再生
できなくなるからである。

【００１４】本発明において、再生時の変調度を犠牲に
せずに、クロストークが小さくジッターが良好になるよ
うに記録するには、λ／ＮＡで表される記録ビーム径を
ｒとすると、グルーブのピッチ（トラックピッチ）
（Ｐ）を０．６６ｒ〜０．８９ｒにするのが好ましい。
トラックピッチが０．６６ｒ未満の場合はジッター及び
エラーレートが大きくなり好ましくなく、０．８９ｒを
越える場合は半径方向の記録密度が大きくならず、目的
の記録容量が得られない。

【００１５】また、（図１）に示したように、基板のグ
ルーブ部分の深さをｄ_sub （μｍ）、記録層のグルーブ
部の色素膜厚をｄ_g （μｍ）、ランド部の色素膜厚をｄ
_l （μｍ）、波長λでの記録層の屈折率をｎ_abs 、基板
の屈折率をｎ_sub としたとき、変調度及びラジアルコン
トラスト（ＲＣｂ）を十分に獲得するためには、ｄ_{su b}
を０．１２ｒ〜０．２０ｒにすることが好ましい。さら
に、グルーブ部の光学的距離(X_p ) は、ｎ_abs ・ｄ_g で
あり、ランド部の光学的距離(X_l ) は、ｎ_sub・ｄ_sub +
ｎ_abs ・ｄ_l であるから、基板側から波長λのレーザ
ー光を照射した際、反射層３によりグルーブの部分とラ
ンド部分で反射されたレーザー光の光学的位相差( △T=
2( X_l -X_p )/λ) は、△Ｔ＝２〔ｎ_sub ・ｄ_sub + ｎ
_abs ( ｄ_l- ｄ_g ) 〕／λと表され（ただし、ｄ_g - ｄ
_l ≦ ｄ_sub を満足する）、この△T の範囲が０．１３
〜 ０．４１であることが好ましい。すなわち、有機色
素を含有する記録層は記録レーザー光で分解、燃焼、変
形等の変化を生じ、変化しないところとの反射率の差が
信号の変調度となるため、この変調度を大きく獲得する
ためには、色素膜の光路長を十分取る必要がある。さら
に加えて未記録のＲＣｂを十分得るための光学位相差を
考慮すると、前記の基板の深さおよび光学的位相差の条
件を満足することが好ましい。グルーブの深さが０．１
２ｒ未満の場合は変調度及びＲＣｂが小さくなり、ジッ
ター特性も悪化する。０．２０ｒを越える場合は、反射
率の低下および基板成形が困難になる。また、△T が
０．１３未満の場合は、変調度及びＲＣｂが十分に得ら
れず、０．４１以上の場合は反射率の低下が生じる。

【００１６】前記レーザー光の波長λにおいて、記録層
に必要な屈折率ｎ_abs は、１．８以上であり、かつ有機
色素の特性を考慮すると２．７以下を満足することが好
ましい。ｎ_abs が１．８より小さい値になると大きな反
射率と信号変調度は得られず、正確な信号読みとりがで
きなくなる。また、消衰係数（ｋ_abs ）は０．０４〜
０．２０であることが好ましい。ｋ_abs が０．０４より
小さいと記録感度が著しく低下して現在の半導体レーザ
ーの出力では記録が困難になり、０．２０より大きいと
正確な信号読み取りに必要な反射率が得られないだけで
なく、再生光により信号が変化しやすくなる。

【００１７】本発明において記録、再生の際のビーム径
は、用いるレーザーの波長が短い程、また、対物レンズ
の開口数（ＮＡ）が大きい程小さくなり高密度記録に好
ましいが、装置の小型化や光学系を単純にできる等の点
や、装置の経済性の点から記録に利用できる高出力のレ
ーザーとしては０．６３０〜０．６５５μｍの半導体レ
ーザーが好ましく、０．６３０〜０．６４０μｍがさら
に好ましい。また、レンズのＮＡは基板の厚みムラや基
板の傾きによる収差の点から上限は、０．７０が限界で
ある。本発明においてＮＡは、０．５８〜０．７０が好
ましい。

【００１８】本発明の光記録媒体において用いられる基
板としては、信号の記録や読み出しを行う光の透過率が
85％以上で、かつ光学異方性の小さいものが好ましい。
例えば、アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
オレフィン樹脂等の公知の樹脂基板が挙げられる。

【００１９】これらの基板は板状でもフィルム状でも良
く、また、その形状は円形でもカード状でも良い。これ
らの基板の表面には記録位置を表すグルーブ及び／又は
ピットを有する。このようなグルーブやピットは、基板
の成形時に付与するのが好ましいが、基板の上に紫外線
硬化樹脂層を設けて付与することもできる。トラックピ
ッチ及びグルーブの深さは前記したが、グルーブの幅は
０．２５〜０．３７μｍ程度が好ましい。

【００２０】本発明において、記録層は色素を含有して
なるが、この記録層に用いられる色素は記録感度、反射
率、変調度等の点から重要である。高密度記録に際して
は、同じ大きさのピットを形成した場合に大きな変調度
が得られ、かつ、しきい値特性に優れた色素が特に好ま
しいことから式（１）で示されるアゾ化合物またはその
金属錯体、または式（２）で示されるアゾ化合物の金属
錯体が用いられる。

【００２１】式（１）、（２）の置換基において、ハロ
ゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素であ
り、好ましくは、フッ素、塩素、臭素である。置換また
は未置換のアルキル基としては、直鎖、分岐または環状
のアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアル
コキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシア
ルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキ
シカルボニルオキシアルキル基、アルコキシアルコキシ
カルボニルオキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、
ヒドロキシアルコキシアルキル基、ヒドロキシアルコキ
シアルコキシアルキル基、シアノアルキル基、アシルオ
キシアルキル基、アシルオキシアルコキシアルキル基、
アシルオキシアルコキシアルコキシアルキル基、ハロゲ
ン化アルキル基、スルホンアルキル基、アルキルカルボ
ニルアミノアルキル基、アルキルスルホンアミノアルキ
ル基、スルホンアミドアルキル基、アルキルアミノアル
キル基、アミノアルキル基、及びアルキルスルホンアル
キル基の中から選択される。

【００２２】ここで、直鎖、分岐または環状のアルキル
基としては、炭素数１〜１５の炭化水素基で、ポリカー
ボネート、アクリル、エポキシ、ポリオレフィン基板等
への塗布による加工性を考慮すれば、メチル基、エチル
基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-
ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル
基、2-メチルブチル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチ
ル基、1,2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル
基、cyclo-ペンチル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチ
ル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メ
チルペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチル
ブチル基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル
基、1,2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-
エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル
基、1,2,2-トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチ
ル基、1-エチル-2- メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル
基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキ
シル基、4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,
4-ジメチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシ
ル基、2,5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペン
チル基、2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペ
ンチル基、n-ノニル基、n-デシル基、4-エチルオクチル
基、4-エチル-4,5- メチルヘキシル基、n-ウンデシル
基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラエチルオクチル基、
4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリ
デシル基、4-ブチル-6- メチルオクチル基、n-テトラデ
シル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、
2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,
2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2
- ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2- ジメチ
ルプロピル基等が挙げられる。

【００２３】また、アルコキシアルキル基としては、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘ
キシルオキシエチル基、4-メチルペントキシエチル基、
1,3-ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキ
シエチル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメ
チルヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1-iso- プロピ
ルプロポキシエチル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチ
ルオキシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-
メトキシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチ
ル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基などの炭素
数２〜１５のものが挙げられる。

【００２４】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、1,2-ジ
メチルプロポキシエトキシエチル基、3-メチル-1-iso-
ブチルブトキシエトキシエチル基、2-メトキシ-1- メチ
ルエトキシエチル基、2-ブトキシ-1- メチルエトキシエ
チル基、2-(2'-エトキシ-1'-メチルエトキシ)-1-メチル
エチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエトキシエチ
ル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエトキシエチル基な
どが挙げられる。

【００２５】アルコキシアルコキシアルコキシアルキル
基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、
エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシ
エトキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエトキ
シエトキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシエトキ
シエトキシエチル基などが挙げられる。

【００２６】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロ
ポキシカルボニルメチル基、2,2,3,3-テトラクロロプロ
ポキシカルボニルメチル基等が挙げられる。

【００２７】アルコキシカルボニルオキシアルキル基の
例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニル
オキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル
オキシエチル基などが挙げられる。

【００２８】アルコキシアルコキシカルボニルオキシア
ルキル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、2,
2,2-トリフルオロエトキシエトキシカルボニルオキシエ
チル基、2,2,2-トリクロロエトキシエトキシカルボニル
オキシエチル基などが挙げられる。

【００２９】ヒドロキシアルキル基の例としては、2-ヒ
ドロキシエチル基、4-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキ
シ-3- メトキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- クロロプ
ロピル基、2-ヒドロキシ-3- エトキシプロピル基、3-ブ
トキシ-2- ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、2-ヒド
ロキシブチル基などが挙げられる。

【００３０】ヒドロキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエチル基、2-(2'-ヒドロキシ
-1'-メチルエトキシ）-1- メチルエチル基、2-(3'-フル
オロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エチル基、2-(3'-クロ
ロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エチル基などが挙げら
れ、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基の例と
しては、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、[2'-
(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1'-メチルエトキ
シ] エトキシエチル基、[2'-(2'-フルオロ-1'-ヒドロキ
シエトキシ）-1'-メチルエトキシ] エトキシエチル基、
[2'-(2'-クロロ-1'-ヒドロキシエトキシ）-1'-メチルエ
トキシ] エトキシエチル基などが挙げられる。

【００３１】シアノアルキル基の例としては、2-シアノ
エチル基、4-シアノブチル基、2-シアノ-3- メトキシプ
ロピル基、2-シアノ-3- クロロプロピル基、2-シアノ-3
- エトキシプロピル基、3-ブトキシ-2- シアノプロピル
基、2-シアノ-3- フェノキシプロピル基、2-シアノプロ
ピル基、2-シアノブチル基などが挙げられる。

【００３２】アシルオキシアルキル基の例としては、ア
セトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチ
リルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、1-エチ
ルペンチルカルボニルオキシエチル基、2,4,4-トリメチ
ルペンチルカルボニルオキシエチル基、3-フロオロブチ
リルオキシエチル基、3-クロロブチリルオキシエチル基
などが挙げられ、アシルオキシアルコキシアルキル基の
例としては、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニ
ルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエ
チル基、1-エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエ
チル基、2,4,4-トリメチルペンチルカルボニルオキシエ
トキシエチル基、2-フルオロプロピオニルオキシエトキ
シエチル基、2-クロロプロピオニルオキシエトキシエチ
ル基などが挙げられ、アシルオキシアルコキシアルコキ
シアルキル基の例としては、アセトキシエトキシエトキ
シエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチ
ル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、1-エ
チルペンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル
基、2,4,4-トリメチルペンチルカルボニルオキシエトキ
シエトキシエチル基、2-フルオロプロピオニルオキシエ
トキシエトキシエチル基、2-クロロプロピオニルオキシ
エトキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００３３】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ルメチル基、クロルエチル基、2,2,2-トリフルオロエチ
ル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化
メチル基などが挙げられる。スルホンアルキル基の例と
しては、スルホンメチル基、スルホンエチル基、スルホ
ンプロピル基などが挙げられる。

【００３４】アルキルカルボニルアミノアルキル基の例
としては、メチルカルボニルアミノエチル基、エチルカ
ルボニルアミノエチル基、プロピルカルボニルアミノエ
チル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、ス
クシンイミノエチル基などが挙げられる。

【００３５】アルキルスルホンアミノアルキル基の例と
しては、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホ
ンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基な
どが挙げられる。スルホンアミドアルキル基の例として
は、スルホンアミドメチル基、スルホンアミドエチル
基、スルホンアミドプロピル基などが挙げられる。

【００３６】アルキルアミノアルキル基の例としては、
N-メチルアミノメチル基、N,N-ジメチルアミノメチル
基、N,N-ジエチルアミノメチル基、N,N-ジプロピルアミ
ノメチル基、N,N-ジブチルアミノメチル基、などが挙げ
られる。アミノアルキル基の例としては、アミノメチル
基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げられ
る。

【００３７】アルキルスルホンアルキル基の例として
は、メチルスルホンメチル基、エチルスルホンメチル
基、ブチルスルホンメチル基、メチルスルホンエチル
基、エチルスルホンエチル基、ブチルスルホンエチル
基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルスルホンメチル
基、2,2,3,3-テトラクロロプロピルスルホンメチル基な
どが挙げられる。

【００３８】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ
基、2-メチルブトキシ基などの低級アルコキシ基が挙げ
られる。

【００３９】置換または未置換のアリール基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メ
チルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフ
チル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチ
ルナフチル基などが挙げられる。

【００４０】置換または未置換のアシル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル
基、iso-プロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル
基、iso-ブチルカルボニル基、sec-ブチルカルボニル
基、t-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル基、
iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニル
基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカル
ボニル基などが挙げられる。

【００４１】置換または未置換のアルキルカルボキシル
基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルキルカルボキシル基であり、好ましく
は、メチルカルボキシル基、エチルカルボキシル基、n-
プロピルカルボキシル基、iso-プロピルカルボキシル
基、n-ブチルカルボキシル基、iso-ブチルカルボキシル
基、sec-ブチルカルボキシル基、t-ブチルカルボキシル
基、n-ペンチルカルボキシル基、iso-ペンチルカルボキ
シル基、neo-ペンチルカルボキシル基、2-メチルブチル
カルボキシル基などの低級アルキルカルボキシル基が挙
げられる。

【００４２】置換または未置換のアラルキル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。

【００４３】置換または未置換のアルキルカルボニルア
ミノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するアルキルカルボニルアミノ基であり、好
ましくは、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニ
ルアミノ基、n-プロピルカルボニルアミノ基、iso-プロ
ピルカルボニルアミノ基、n-ブチルカルボニルアミノ
基、iso-ブチルカルボニルアミノ基、sec-ブチルカルボ
ニルアミノ基、t-ブチルカルボニルアミノ基、n-ペンチ
ルカルボニルアミノ基、iso-ペンチルカルボニルアミノ
基、neo-ペンチルカルボニルアミノ基、2-メチルブチル
カルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ
基、スクシンイミノ基などの低級アルキルカルボニルア
ミノ基が挙げられる。

【００４４】置換または未置換のアルキルスルホンアミ
ノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルスルホンアミノ基であり、好まし
くは、メチルスルホンアミノ基、エチルスルホンアミノ
基、n-プロピルスルホンアミノ基、iso-プロピルスルホ
ンアミノ基、n-ブチルスルホンアミノ基、iso-ブチルス
ルホンアミノ基、sec-ブチルスルホンアミノ基、t-ブチ
ルスルホンアミノ基、n-ペンチルスルホンアミノ基、is
o-ペンチルスルホンアミノ基、neo-ペンチルスルホンア
ミノ基、2-メチルブチルスルホンアミノ基、シクロヘキ
シルスルホンアミノ基などの低級アルキルスルホンアミ
ノ基が挙げられる。

【００４５】置換または未置換のアルキルアミノ基の例
としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアルキルアミノ基であり、好ましくは、N-メチルア
ミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルアミノ
基、N,N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ基な
どの低級アルキルアミノ基が挙げられる。

【００４６】置換または未置換のアルキルスルホン基の
例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアルキルスルホン基であり、好ましくは、メチル
スルホン基、エチルスルホン基、n-プロピルスルホン
基、iso-プロピルスルホン基、n-ブチルスルホン基、is
o-ブチルスルホン基、sec-ブチルスルホン基、t-ブチル
スルホン基、n-ペンチルスルホン基、iso-ペンチルスル
ホン基、neo-ペンチルスルホン基、2-メチルブチルスル
ホン基、2-ヒドロキシエチルスルホン基、2-シアノエチ
ルスルホン基などの低級アルキルスルホン基が挙げられ
る。

【００４７】置換または未置換のアルケニル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルケニル基であり、好ましくは、プロペニル基、1-ブ
テニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテ
ニル基、2-メチル-1- ブテニル基、3-メチル-1- ブテニ
ル基、2-メチル-2- ブテニル基、2,2-ジシアノビニル
基、2-シアノ-2- メチルカルボキシルビニル基、2-シア
ノ-2- メチルスルホンビニル基などの低級アルケニル基
が挙げられる。

【００４８】置換または未置換のアルキルチオ基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ
基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチ
オ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチ
ルチオ基、neo-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ
基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキ
ルチオ基が挙げられる。

【００４９】置換または未置換のアルキルアゾメチン基
の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアルキルアゾメチン基であり、好ましくは、メ
チルアゾメチン基、エチルアゾメチン基、n-プロピルア
ゾメチン基、iso-プロピルアゾメチン基、n-ブチルアゾ
メチン基、iso-ブチルアゾメチン基、sec-ブチルアゾメ
チン基、t-ブチルアゾメチン基、n-ペンチルアゾメチン
基、iso-ペンチルアゾメチン基、neo-ペンチルアゾメチ
ン基、2-メチルブチルアゾメチン基、ヒドロキシエチル
アゾメチン基などの低級アルキルアゾメチン基が挙げら
れる。

【００５０】置換または未置換のアルキルアミノスルホ
ン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルアミノスルホン基であり、好まし
くは、N-メチルアミノスルホン基、N-エチルアミノスル
ホン基、N-(n- プロピル) アミノスルホン基、N-(iso-
プロピル) アミノスルホン基、N-(n- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(iso- ブチル) アミノスルホン基、N-(sec
- ブチル) アミノスルホン基、N-(t- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(n- ペンチル) アミノスルホン基、N-(iso
- ペンチル) アミノスルホン基、N-(neo- ペンチル) ア
ミノスルホン基、N-(2- メチルブチル) アミノスルホン
基、N-(2- ヒドロキシエチル) アミノスルホン基、N-(2
- シアノエチル) アミノスルホン基などの低級アルキル
アミノスルホン基が挙げられる。

【００５１】環Ａの置換基については、Ｘが窒素原子で
あればＹ、Ｚ及びＲ₇ に、Ｙが窒素原子であればＸ、Ｚ
及びＲ７に、Ｚが窒素原子であればＸ、Ｙ及びＲ₇ に置
換基が導入できる。

【００５２】Ｒ₁ とＲ₄ またはＲ₂ とＲ₆ が連結基を介
して環を形成する例としては、炭素数２または３の置換
または未置換のアルキル鎖等が挙げられ、具体的には、
-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂- 、-CH₂CH(Cl)- 、 -CH₂C(=O)CH
₂-、-CH₂C(=O)-、-CH₂CH₂C(=O)- 、-CH₂CH(F)-、または
-CH₂CH(OH)- 等が挙げられる。

【００５３】Ｒ₁ とＲ₂ が連結基を介して環を形成する
例としては、６員環を形成する置換または未置換の炭素
原子、酸素原子、窒素原子からなる基等が挙げられ、具
体的には、-CH₂CH₂OCH₂CH₂- 、-CH₂CH₂NHCH₂CH₂-、 -CH
₂CH₂N(CH₃)CH₂CH₂- 、-CH₂C(=O)OC(=O)CH₂- 、-CH₂C(=
O)NHC(=O)CH₂-、-CH₂C(=O)N(CH₃)C(=O)CH₂-、または-CH
₂CH₂CH₂CH₂CH₂- 等が挙げられる。

【００５４】環Ａにおいて置換基が連結基を介して環を
形成する例としては、置換または未置換のシクロヘキサ
ン環、ベンゼン環、ナフタレン環、またはピリジン環等
の複素環が挙げられる。

【００５５】本発明の式（１）、（２）で表されるアゾ
化合物は、公知の方法により製造できる。すなわち、式
（３）（化５）で示されるアミン成分をジアゾ化し、式
（４）（化５）で示されるカップリング成分の溶液に添
加し、カップリング反応させて式（１）で示されるアゾ
化合物が得られる。

【００５６】

【化５】 〔上式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒ₁ 〜Ｒ₇ は式（１）と同じ意
味を表す。〕

【００５７】また、本発明において前記アゾ化合物の金
属錯体の製造法は公知の方法、例えば、古川；Analytic
a Chimica Acta 140(1982)281-289 に記載の方法等に準
じて製造することができる。アゾ化合物の金属錯体を形
成する金属としては、例えば、ニッケル、コバルト、
鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウ
ム、イリジウム、白金、亜鉛、マグネシウム、マンガン
等の金属が好ましく、特にニッケル、コバルト、銅、パ
ラジウム、鉄、亜鉛、マンガンが好ましい。これらの金
属はイオンとしてアゾ化合物に配位した錯体となる。こ
のアゾ化合物の金属錯体は単独でも複数の化合物を混合
しても良い。さらに、ジチオール錯体などのクエンチャ
ーを混合しても良い。

【００５８】本発明においては、基板の上に直接に、あ
るいは無機系または有機系の他の層（下引き層）を介し
て前記した色素を含有する記録層を設ける。該記録層を
設ける方法は、例えばスピンコート法、浸漬法、スプレ
ー法、蒸着法等があるが、スピンコート法が好ましい。

【００５９】スピンコート法で成膜する際の塗布溶剤と
しては、基板へのダメージを与えない溶剤であれば特に
限定されない。好ましい溶剤としては、例えばエチルア
ルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、フ
ルフリルアルコール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、テトラフルオロプロパノール等のアルコール系
溶剤が挙げられる。

【００６０】記録層を成膜する際に必要に応じてバイン
ダーを併用することもできる。好ましいバインダーとし
ては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹
脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィン等が挙げられる。また、記録特
性などの改善のために他の色素を添加することもでき
る。記録層の膜厚は変調度や反射率に影響するが、本発
明においてはプリグルーブ上の膜厚で40nm〜300nm 、好
ましくは60nm〜200nm である。

【００６１】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度等を改良するために基板の
上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。

【００６２】本発明においては、前記記録層の上に直接
に、あるいは他の層を介して反射層を設けるが、反射層
としては、金、銀、アルミニウム、銅、白金等の金属や
これらの金属を含有する合金を用いられるが、反射率や
耐久性の点から金、アルミニウム、銀やこれらの金属を
主成分とする合金が好ましい。反射層の膜厚は通常40nm
〜300nm 、好ましくは60nm〜200nm である。反射層を成
膜する方法は、例えば真空蒸着、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等が挙げられる。

【００６３】本発明においては、反射率、変調度等の特
性を改良するために、前記した色素を含有する記録層と
反射層の間に光干渉層を設けることもできる。光干渉層
を形成する材料としては、無機誘電体、ポリマーや色素
等が挙げられる。

【００６４】本発明においては、対物レンズの開口数が
大きいので、収差を小さくするために基板の厚みは0.5
〜0.8mm 程度が好ましい。この際媒体の強度や機械特性
の向上のために、接着剤を用いて２枚を貼り合わせて供
されてもよい。貼り合わせに当たっては、反射層上に保
護層を成膜することなしに、または保護層を成膜した後
貼り合わせることができる。保護層としては、紫外線硬
化性アクリル樹脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂、シリコ
ーン系ハードコート樹脂等が用いられる。また、貼り合
わせる際の接着剤としては紫外線硬化性アクリル樹脂、
紫外線硬化性エポキシ樹脂、ホットメルト接着剤等が用
いられる。

【００６５】このようにして得られた本発明の光記録媒
体は、レーザー光を記録層に集束することによりビーム
径の割にははるかに高密度に記録や再生を行うことがで
きる。記録する際の信号としては、例えばＣＤやＤＶＤ
等に用いられている変調信号が本発明の効果を達成する
上で好ましい。

【００６６】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもの
ではない。 （実施例１）厚さ 0.6mm、直径 120mmのスパイラル状の
グルーブ（深さ150nm 、ピッチ0.74μｍ）を有する射出
成形ポリカーボネート基板のグルーブを有する面に、こ
の樹脂基板を回転させながら、下記式（５）（化６）で
表されるアゾ色素のＮｉ錯体の1.5 重量％2,2,3,3-テト
ラフルオロ-1- プロパノール溶液を滴下し、基板上に実
質的に色素のみからなる記録層を成膜した（グルーブ膜
厚120nm 、ランド膜厚50nm）。なお、635nm における記
録層の屈折率（ｎ_abs ）はｎは2.3 であり、基板の屈折
率（ｎ_sub ）１．５８であった。

【００６７】

【化６】

【００６８】この記録層の上に反射層として厚さ80nmの
金薄膜をスパッターにより成膜した後、この反射層の上
に紫外線硬化接着剤を塗布した。この接着剤の上に前記
したのと同じ0.6mm の基板を重ね合わせ、高速で回転
し、余分の接着剤を除去した後、紫外線を照射して貼り
合わせた光記録媒体を製作した。

【００６９】この光記録媒体をターンテーブルに乗せ、
3.0m/sの線速で回転させながら、635nm の発振波長を有
する半導体レーザーとＮＡが0.6 の対物レンズからなる
光ヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価
装置（ＤＤＵ−１０００）及びKENWOOD 製EFM エンコー
ダーを用いて、レーザービームを基板を通してグルーブ
上の記録層に集束するように制御しながら、記録レーザ
ーパワーを変化させながら最短ピット長が0.44μｍのEF
M 変調信号を記録した後、同じ装置を用いてレーザー出
力を0.5mW にして記録した信号の読み出しを行った。
尚、読み出す際はイコライゼーション処理を施した。記
録パワーが8.5mW のレーザー出力の時が最もエラーレー
トが小さく（最適記録パワー）、バイトエラーレートは
2 ×10^-4、また、その際のジッターは、ピットの立ち上
がりも立ち下がりもチャネルビットクロックの7.2 ％で
あった。未記録部の反射率は52％、最短ピットの変調度
（I3/Itop=[(3T信号の最大強度)-(3T 信号の最小強度)]
／(11T信号の最大強度) ）が23％であり、良好な記録、
再生ができた。また、再生波形には殆ど歪は観測されな
かった。未記録のＲＣｂは0.07であり、トラッキングは
安定にかかった。

【００７０】なお、エラーレートはケンウッド社製ＣＤ
デコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測し、ＲＣｂは
以下の式により求めた。 ＲＣｂ＝２（Ｉｌ−Ｉｇ）／（Ｉｌ＋Ｉｇ） Ｉｌ：未記録ランド反射電位 Ｉｇ：未記録グルーブ反射電位 また、この場合のＰは0.70r 、ｄ_sub は0.14ｒ、△Ｔは
0.24である。

【００７１】（実施例２〜５及び比較例１〜３）実施例
１において（表１）に示すグルーブ形状の基板を用いる
以外は実施例１と同じ方法で媒体を作り、評価した。結
果は（表２）にまとめた。（表２）から明らかなよう
に、本発明の実施例においては極めて良好な記録、再生
ができたが、比較例においては最短ピットの変調度(I3/
Itop) が小さく、エラーレート及びジッターは大きく、
良好な記録、再生ができなかった。特に、比較例１で
は、ＲＣｂが小さいため記録時のトラッキングが不安定
となった。

【００７２】

【表１】

【００７３】

【表２】

【００７４】（実施例６〜１６及び比較例４）記録層に
用いる色素として下記式（６）〜（１３）（化７）に示
されるアゾ化合物またはそのアゾ化合物の（表３）に示
された金属錯体及びフタロシアニン色素を用い、かつト
ラックピッチ0.8 μｍ、深さ150 ｎｍの基板を用いる以
外は実施例１と同じ方法で媒体を作り評価した。

【００７５】評価は3.5m/sの線速で回転させながら、63
3nm の発振波長を有する半導体レーザーとＮＡが0.63の
対物レンズからなる光ヘッドを搭載したパルステック工
業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用いる
以外は実施例１と同様に行った。

【００７６】また、この場合のＰは0.80r 、ｄ_sub は0.
15ｒであり、色素膜厚及び△Ｔは（表３）にまとめた。
評価結果は（表４）にまとめた。（表４）から明らかな
ように、本発明の実施例においては極めて良好な記録、
再生ができたが、比較例においては反射率は低く、信号
波形は汚く、最短ピットの変調度(I3/Itop) 、ジッター
は測定が不可能であった。

【００７７】

【化７】

【００７８】

【表３】

【００７９】

【表４】

【００８０】（実施例１６）実施例１において、633nm
の発振波長を有する半導体レーザーとＮＡが0.68の対物
レンズからなる光ヘッドを登載した光ディスク評価装置
を用いること以外は実施例１と同じ方法で媒体を作り、
評価した。その際の最短ピット（I3/Itop ）の変調度が
26％、また、エラーレートが1 ×10^-4、ジッターが7.0
％であり、良好な記録、再生ができた。この場合の、Ｐ
は0.80ｒ、ｄ_sub は0.16ｒ、△Ｔは0.24である。

【００８１】

【発明の効果】本発明においては、基板上に少なくとも
色素を含有する記録層、反射層を有してなる光記録媒体
において、トラックピッチ及びグルーブ深さをλ／ＮＡ
で表される記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レ
ンズの開口数）に対して規定し、記録層を含めた光学位
相差の規定、さらには色素種の限定をすることにより、
記録時のトラッキングが安定しており、良好な記録特性
を有した高密度記録が可能な光記録媒体が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す構造
断面図

【図２】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す構造
断面図

【符号の説明】 １ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 保護層 １’ 基板 ２’ 記録層 ３’ 反射層 ４’ 接着層 ５’ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 241/20 Ｃ０７Ｄ 487/22 487/22 Ｃ０９Ｂ 29/09 Ｂ Ｃ０９Ｂ 29/09 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 梅原 英樹 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 笹川 知由 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 広瀬 純夫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパイラル状にグルーブが形成された基
   板上に、直接または他の層を介して、レーザー光を吸収
   する色素を含有する記録層と、該記録層の上に直接また
   は他の層を介して金属の反射層を有する光記録媒体にお
   いて、λ／ＮＡで表される記録ビームの径をｒ〔ここ
   で、λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口数
   を表す〕、基板のグルーブのピッチ（トラックピッチ）
   をＰ（μｍ）、グルーブの深さをｄ_sub （μｍ）、該記
   録層のグルーブ部の色素膜厚をｄ _g （μｍ）、ランド部
   の色素膜厚をｄ_l （μｍ）、波長λでの記録層の屈折率
   をｎ_abs 、基板の屈折率をｎ_sub としたとき、Ｐ、ｄ
   _sub 及びｎ_abs が、下記式を満足し、 ０．６６ｒ≦Ｐ≦０．８９ｒ ０．１２ｒ≦ｄ_sub ≦０．２０ｒ １．８≦ｎ_abs ≦２．７ 光学位相差（△Ｔ）＝２〔ｎ_sub ・ｄ_sub ＋ｎ_abs ( ｄ
   _l - ｄ_g ) 〕／λが、式 ０．１３≦△Ｔ≦０．４１ で表され、ｄ_g −ｄ_l ≦ｄ_sub であり、かつ、該記録層
   に含有される色素が下記式（１）（化１）で示されるア
   ゾ化合物またはその金属錯体であることを特徴とする高
   密度光記録媒体。 【化１】 〔式中、環Ａは含窒素ヘテロ環を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚのい
   ずれかの一つは窒素原子で他の２つは置換または未置換
   の炭素原子を表し、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原
   子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
   のアリール基、置換または未置換のアラルキル基、置換
   または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅
   及びＲ₆ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロ
   キシ基、カルボキシル基、スルホンアミド基、アミノ
   基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
   のアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、置換
   または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキル
   カルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置
   換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換ま
   たは未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未
   置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキル
   スルホン基、置換または未置換のアルケニル基を表し、
   Ｒ₁ とＲ₄ 、Ｒ₂ とＲ₆ 及びＲ₁ とＲ₂ は連結基を介し
   て環を形成してもよい。Ｒ₇ 及び前記環Ａの炭素原子の
   置換基としては、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、
   ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン基、スルホン
   アミド基、アミノ基、置換または未置換のアルキル基、
   置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換の
   アリール基、置換または未置換のアシル基、置換または
   未置換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換の
   アラルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニル
   アミノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ
   基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または
   未置換のアルキルスルホン基、置換または未置換のアル
   ケニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、チオシ
   アノ基、クロロスルホン酸、置換または未置換のアルキ
   ルチオ基、置換または未置換のアルキルアゾメチン基、
   置換または未置換のアルキルアミノスルホン基を表し、
   Ｘが窒素原子の場合はＹの置換基とＺの置換基が、Ｙが
   窒素原子の場合はＲ₇ とＸの置換基が、Ｚが窒素原子の
   場合はＸの置換基とＹの置換基またはＲ₇ とＸの置換基
   が連結基を介して環を形成してもよい。〕
2. 【請求項２】 記録層に含有される色素が下記式（２）
   （化２）で示されるアゾ化合物の金属錯体であることを
   特徴とする請求項１に記載の高密度光記録媒体。 【化２】 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₆ 及
   びＲ₇ は式（１）と同じ意味であり、Ｒ₈ はヒドロキシ
   基またはカルボキシル基を表す。〕
3. 【請求項３】 λが０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡ
   が０．５８〜０．７０である請求項１又は２に記載の高
   密度光記録媒体。