JPH10181201A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 スパイラル状にグルーブが形成された基
板上にレーザー光を吸収する色素を含有する記録層、該
記録層の上に金属の反射層を有する光記録媒体におい
て、トラックピッチ及びグルーブ深さをλ／ＮＡで表さ
れる記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レンズの
開口数）に対して規定し、また記録層を含めた光学位相
差を規定し、さらに記録層に含有される色素がアゾ化合
物またはその金属錯体であることを特徴とする高密度光
記録媒体。 【効果】 記録時のトラッキングが安定し、良好な記録
特性を有した高密度記録が可能な追記型光記録媒体を提
供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明基板上に、色
素を含有する記録層、反射層を有する光記録媒体で、特
に高密度に記録可能な光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】色素を記録層とし、且つ反射率を大きく
するため、記録層の上に金属の反射層を設けた記録可能
な光記録媒体は、例えば、 Optical Data Storage 1989
Technical Digest Series Vol.1 45(1989)に開示さ
れ、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素を
用いた媒体は、ＣＤ−Ｒ媒体として市場に供されてい
る。これらの媒体は、780nm の半導体レーザーで記録す
ることが出来、且つ 780nmの半導体レーザーを搭載して
いる市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで
再生できるという特徴を有する。

【０００３】しかし、これらの媒体は 650MB程度の容量
しか持たず、デジタル動画等のように大容量の情報を記
録するには記録時間が15分以下と短い。又、機器の小型
化が進む状況に対応するために、従来の媒体を小型にす
ると容量が不足する。前記した従来のＣＤ−Ｒ媒体は 7
80nm前後の波長を有する半導体レーザーを用いて記録及
び再生を行っていたが、最近 630〜655nm の半導体レー
ザーが開発され、より高密度の記録及び又は再生が可能
となり、直径120mm の媒体に約２時間の高画質の動画を
記録した光記録媒体がＤＶＤとして開発されている。こ
の媒体は４．７GB／面の記録容量を有するが、ピットを
基板に転写して作られる再生専用の媒体である。最近、
上記したような再生専用のＤＶＤの記録容量に近い容量
を有する記録可能な光記録媒体が求められている。

【０００４】記録可能な媒体において、記録容量を大き
くするには記録レーザービームを小さくする必要があ
る。用いるレーザーの波長が短い程、また対物レンズの
開口数（ＮＡ）が大きい程、ビーム径は小さくなり高密
度記録に好ましいが、現在の半導体レーザー技術やレン
ズのＮＡからは、ビーム径には限界がある。例えば、前
記したＤＶＤのビーム径は、従来のＣＤの場合に比較し
て、記録密度の割には小さくない。従って、記録時に
は、ＣＤ−Ｒの場合と比較して、ビーム径に比してより
小さなピットを正確に形成しなければならない。しか
し、ピットの大きさが小さくなるほど、最短ピットの変
調度が小さくなり、ジッターやエラーレートが大きくな
るという問題点が生じる。そこで、記録時に変調度を犠
牲にせずに、細く小さなピットを正確に形成できる媒体
が求められている。さらに、記録時のグルーブに沿って
レーザーを位置づかせるトラッキングの安定性を考慮す
ると、未記録のラジアルコントラスト（ＲＣｂ）が０．
０５より大きいことが望まれる。また、含窒素ヘテロ環
を有するアゾ化合物の金属錯体を記録層とする光記録媒
体が、特公平5-67438 号公報および特公平07-71868号公
報に開示されている。しかしながら、これらは本発明の
構造のヘテロ環を有するアゾ色素についての記述はな
く、従来の近赤外レーザー波長での記録について記述さ
れているのみで、記録密度を大きくするための種々の条
件に関して何ら開示されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
ビーム径、トラックピッチ、グルーブ形状及び色素の最
適化を行い、記録ビーム径に対してトラックピッチを小
さくしても、記録時のトラッキングが安定しており、従
来より小さなピットを形成した際に良好な記録特性を有
する高密度光記録媒体を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、記録ビーム径、ト
ラックピッチ、グルーブ形状及び色素構造の最適化を行
うことにより、記録ビーム径に対してトラックピッチを
小さくしても、ＲＣｂ値が適度の大きさで記録時のトラ
ッキングが安定しており、従来より小さなピットを形成
した際に変調度が大きく、ジッター、エラー率が良好な
高密度光記録媒体が実現されることを見出し、本発明を
完成するに至った。

【０００７】すなわち、本発明は、スパイラル状にグ
ルーブが形成された基板上に、直接または他の層を介し
てレーザー光を吸収する色素を含有する記録層、該記録
層の上に直接または他の層を介して金属の反射層を有す
る光記録媒体において、λ／ＮＡで表される記録ビーム
の径をｒ〔ここで、λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物
レンズの開口数を表す〕、基板のグルーブのピッチをＰ
（μｍ）、グルーブの深さをｄsub （μｍ）、記録層の
グルーブ部の色素膜厚をｄg （μｍ）、ランド部の色素
膜厚ｄl （μｍ）、波長λでの記録層の屈折率をｎabs
、基板の屈折率をｎsub としたとき、これらが下記式
の関係を有し、 ０．６６ｒ≦Ｐ≦０．８９ｒ ０．１２ｒ≦ｄsub ≦０．２０ｒ １．８≦ｎabs ≦２．７ また、光学位相差（△Ｔ）＝２〔ｎsub ・ｄsub ＋ｎab
s(ｄl-ｄg)〕／λが、０．１３≦△Ｔ≦０．４１で、且
つｄg −ｄl ≦ｄsub であり、更に、該記録層に含有さ
れる色素が一般式（１）（化３）で示されるアゾ化合物
またはその金属錯体であることを特徴とする高密度光記
録媒体、 記録層に含有される色素が一般式（２）（化４）で示
されるアゾ化合物の金属錯体である前記の高密度光記
録媒体、 λが０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡが０．５８〜
０．７０である前記またはの高密度光記録媒体、に
関するものである。

【０００８】

【化３】 〔式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原子、置換また
は未置換のアルキル基、置換または未置換のアリール
基、置換または未置換のアラルキル基、あるいは置換ま
たは未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 及
びＲ₆ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキ
シ基、カルボキシル基、スルホン基、スルホンアミド
基、アミノ基、置換または未置換のアリール基、置換ま
たは未置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカ
ルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置換
または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換また
は未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置
換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルス
ルホン基、あるいは置換または未置換のアルケニル基を
表し（ここで、金属錯体を形成する場合は、Ｒ₃ 及びＲ
₅ のどちらか一方はヒドロキシ基、カルボキシル基、ア
ミノ基、置換または未置換のアルキルカルボキシル基、
置換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換
または未置換のアルキルスルホンアミノ基、あるいは置
換または未置換のアルキルアミノ基であり、他方は水素
原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
スルホンアミド基、アミノ基、置換または未置換のアリ
ール基、置換または未置換のアシル基、置換または未置
換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換のアラ
ルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニルアミ
ノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ基、
置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または未置
換のアルキルスルホン基、あるいは置換または未置換の
アルケニル基を表す）、Ｒ₁ とＲ₄ 、Ｒ₂ とＲ₆ 及びＲ
₁ とＲ₂ は連結基を介して環を形成してもよく、Ｒ₇ は
水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル
基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ基、置換ま
たは未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコキ
シ基、置換または未置換のアリール基、置換または未置
換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキシ
ル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未
置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置換
のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のアル
キルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン
基、置換または未置換のアルケニル基、シアノ基、ニト
ロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロスルホン
基、置換または未置換のアルキルチオ基、置換または未
置換のアルキルアゾメチン基、あるいは置換または未置
換のアルキルアミノスルホン基を表し、Ｘは硫黄原子ま
たはＮ−Ｒ₈ を表し（ここで、Ｒ₈ は水素原子、置換ま
たは未置換のアルキル基、置換または未置換のアリール
基、置換または未置換のアラルキル基、あるいは置換ま
たは未置換のアルケニル基を表す）、Ｙは窒素原子また
はＣ−Ｒ₉ を表す（ここで、Ｒ₉ はＲ ₇ と同じ意味を表
す）。但し、Ｘが硫黄原子の時はＹは窒素原子であり、
ＸがＮ−Ｒ₈ の時はＹは、Ｃ−Ｒ₉ である。〕

【０００９】

【化４】 〔式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 及びＲ₆ は、一般式
（１）と同じ意味を表し、Ｒ₈ はヒドロキシ基またはカ
ルボキシル基を表し、Ｒ₉ は水素原子またはハロゲン原
子を表す。〕

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体は、スパイラ
ル状にグルーブが形成された基板上に、直接または他の
層を介してレーザー光を吸収する色素を含有する記録
層、該記録層の上に直接または他の層を介して金属の反
射層を有する光記録媒体において、記録ビーム径、トラ
ックピッチ、グルーブ形状及び色素構造の最適化を行う
ことにより、記録ビーム径に対してトラックピッチを小
さくしても、ＲＣｂ値が適度の大きさで記録時のトラッ
キングが安定しており、従来より小さなピットを形成し
た際に変調度が大きく、ジッター、エラー率が良好な高
密度光記録媒体である。

【００１１】色素を記録層に用いた場合、スピンコート
法により記録層を成膜することが出来る。グルーブを有
する基板上に、スピンコート法で記録層を成膜した場
合、通常、グルーブ部の記録層の膜厚は、グルーブ間
（ランド）部の記録層の膜厚より厚くなる。一方、記録
感度は記録層の膜厚に依存し、特に記録層の上に金属の
反射層を設けた媒体の場合はこの反射層へ熱が拡散し記
録感度が低下し、記録層の膜厚が薄いぼどこの熱拡散の
影響を大きく受け感度が低下し易い。即ち、グルーブと
ランド部の記録感度に大きな差が生じる。それ故に、記
録レーザービームのビーム径が大きくても細いピットを
形成することができる。しかし、いくら細いピットが記
録できてもトラックピッチを小さく出来るわけではな
い。トラックピッチを無制限に小さくしても、再生する
際のレーザービームの径が大きいと変調度が小さくなる
だけでなく、クロストークが大きくなり過ぎてジッター
が悪化し、再生できなくなる。

【００１２】本発明によれば、再生時の変調度を犠牲に
せずに、クロストークが小さく、ジッターが良好になる
ように記録するには、λ／ＮＡで表される記録ビーム径
をｒとすると、トラックピッチ（Ｐ）を０．６６ｒ〜
０．８９ｒにするのが好ましい。トラックピッチが０．
６６ｒ未満の場合はジッター及びエラーレートが大きく
なり好ましくなく、０．８９ｒを越える場合は半径方向
の記録密度が大きくならず目的の記録容量が得られな
い。

【００１３】また、（図１）において、基板のグルーブ
部分の深さをｄsub （μｍ）、記録層のグルーブ部の色
素膜厚をｄg （μｍ）、ランド部の色素膜厚ｄl （μ
ｍ）、波長λでの記録層の屈折率をｎabs 、基板の屈折
率をｎsub としたとき、変調度及びラジアルコントラス
トを十分に獲得するためには、ｄsub を０．１２ｒ〜
０．２０ｒにすることが好ましい。さらに、グルーブ部
の光学的距離（Ｘp ）は、ｎabs ・ｄg であり、ランド
部の光学的距離（Ｘl ）は、ｎsub ・ｄsub + ｎabs ・
ｄl であるから、基板側から波長λのレーザー光を照射
した際、反射層３によりグルーブの部分とランド部分で
反射されたレーザー光の光学的位相差〔△Ｔ＝２（Ｘl
−Ｘp ）／λ〕は、△Ｔ＝２〔ｎsub ・ｄsub + ｎabs
(ｄl-ｄg)〕／λ（ただし、ｄg −ｄl ≦ｄsubを満足す
る）と表され、この△Ｔの範囲が０．１３〜 ０．４１
であることが好ましい。すなわち、有機色素層は、記録
レーザー光で分解、燃焼、変形等の変化を生じ、変化し
ないところとの反射率の差が信号の変調度となるため、
この変調度を大きく獲得するためには、色素膜の光路長
を十分取る必要がある。さらに加えて未記録のラジアル
コントラストを十分得るための光学位相差を考慮する
と、上記の基板の深さおよび光学的位相差の条件を満足
することが必要となる。グルーブの深さが０．１２ｒ未
満の場合は、変調度及びラジアルコントラストが小さく
なり、ジッター特性も悪化する。０．２０ｒを越える場
合は、反射率の低下および基板成形が困難になる。ま
た、△Ｔが０．１３未満の場合は、変調度及びラジアル
コントラストが十分に得られず、０．４１以上の場合は
反射率の低下が生じる。

【００１４】前記レーザー光の波長λにおいて、記録層
に必要な屈折率ｎabs は１．８以上であり、且つ有機色
素の特性を考慮すると、２．７以下を満足することが好
ましい。ｎabs が１．８より小さい値になると、大きな
反射率と信号変調度は得られず、正確な信号読みとりが
できなくなる。また、消衰係数ｋabs は０．０４〜０．
２０であることが好ましい。ｋabs が０．０４より小さ
いと、記録感度が著しく低下し、現在の半導体レーザー
の出力では記録が困難になり、０．２０より大きいと、
正確な信号読み取りに必要な反射率が得られないだけで
なく、再生光により信号が変化しやすくなる。

【００１５】本発明において、記録、再生の際のビーム
径は、用いるレーザーの波長が短い程、また対物レンズ
の開口数（ＮＡ）が大きい程、小さくなり、高密度記録
に好ましいが、装置の小型化や光学系を単純に出来る等
の点、および装置の経済性の点から、記録に利用できる
高出力のレーザーとしては０．６３０〜０．６５５μｍ
の半導体レーザーが好ましく、０．６３０〜０．６４０
μｍが最も好ましい。また、レンズのＮＡは、基板の厚
みムラや基板の傾きによる収差の点から、０．７０が限
界である。好ましくは、ＮＡは０．５８〜０．７０であ
る。

【００１６】本発明の媒体は、透明な基板上に、少なく
ともレーザー光を吸収する色素を含有する記録層、金属
の反射層を有する。例えば、（図１）に示すような基板
１、記録層２、反射層３及び保護層４が順次積層してい
る４層構造、または（図２）に示すような基板１’、記
録層２’、反射層３’が順次積層され、その上に接着層
４’を介して基板５’が貼り合わされている構造を有す
ものがある。本発明の光記録媒体において用いられる透
明な基板としては、信号の記録や読み出しを行う光の透
過率が85％以上で、且つ光学異方性の小さいものが好ま
しい。例えば、アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリオレフィン樹脂等の公知の樹脂基板が挙げられ
る。これらの基板は、板状でもフィルム状でも良く、又
その形状は、円形でもカード状でも良い。これらの基板
の表面には、記録位置を表すグルーブ及び／又はピット
を有する。このようなグルーブやピットは、基板の成形
時に付与するのが好ましいが、基板の上に紫外線硬化樹
脂層を設けて付与することもできる。トラック（グルー
ブ）ピッチおよびグルーブの深さは前記したが、グルー
ブの幅は０．２５〜０．３７μｍ程度が好ましい。

【００１７】本発明において、記録層は色素を含有して
なるが、この記録層に用いられる色素は良好な記録感
度、反射率、変調度を獲得するために重要な要素の一つ
である。その中でも特に変調度に対して、分解特性及び
上述した光学的特性等の色素種の特性が大きく効く。高
密度記録に際しては、同じ大きさのピットを形成した場
合に大きな変調度が得られ、且つしきい値特性に優れた
色素が特に好ましく、この点からは一般式（１）に示さ
れるアゾ化合物又は該化合物の金属錯体が好ましい。一
般式（１）の置換基において、ハロゲン原子としては、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素であり、好ましくは、フッ
素、塩素、臭素である。

【００１８】置換または未置換のアルキル基としては、
直鎖または分岐のアルキル基、アルコキシアルキル基、
アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキ
シアルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキ
ル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル基、アルコ
キシアルコキシカルボニルオキシアルキル基、ヒドロキ
シアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルキル基、ヒド
ロキシアルコキシアルコキシアルキル基、シアノアルキ
ル基、アシルオキシアルキル基、アシルオキシアルコキ
シアルキル基、アシルオキシアルコキシアルコキシアル
キル基、ハロゲン化アルキル基、スルホンアルキル基、
アルキルカルボニルアミノアルキル基、アルキルスルホ
ンアミノアルキル基、スルホンアミドアルキル基、アル
キルアミノアルキル基、アミノアルキル基、及びアルキ
ルスルホンアルキル基の中から選択される。

【００１９】直鎖または分岐のアルキル基としては炭素
数１〜１５の炭化水素基で、ポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリオレフィン基板等への塗布による加
工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、n-プロピル
基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブ
チル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチ
ル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチ
ルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペンチ
ル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペ
ンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、
3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジ
メチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチル
ブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、
2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチ
ルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-
メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル基、
2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘ
キシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル
基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル
基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5-
メチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、1,
3,5,7-テトラエチルオクチル基、4-ブチルオクチル基、
6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル基、6-メチル-4
- ブチルオクチル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシ
ル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプチル
基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチルヘ
キシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2- ジメチルプロピル
基、1-cyclo-ヘキシル-2,2- ジメチルプロピル基等が挙
げられる。

【００２０】アルコキシアルキル基としては、メトキシ
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブ
トキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル
基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘキシ
ルオキシエチル基、4-メチルペントキシエチル基、1,3-
ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキシエ
チル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメチル
ヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1-iso- プロピルプ
ロポキシエチル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチルオ
キシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-メト
キシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチル
基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基などの炭素数
２〜１５のものが挙げられる。

【００２１】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、1,2-ジ
メチルプロポキシエトキシエチル基、3-メチル-1-iso-
ブチルブトキシエトキシエチル基、2-メトキシ-1- メチ
ルエトキシエチル基、2-ブトキシ-1- メチルエトキシエ
チル基、2-(2'-エトキシ-1'-メチルエトキシ)-1-メチル
エチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエトキシエチ
ル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエトキシエチル基等
が挙げられる。アルコキシアルコキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル
基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエト
キシエトキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエ
トキシエトキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシエ
トキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００２２】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロ
ポキシカルボニルメチル基、2,2,3,3-テトラクロロプロ
ポキシカルボニルメチル基等が挙げられる。アルコキシ
カルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシカ
ルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエ
チル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,2-ト
リフルオロエトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,2-
トリクロロエトキシカルボニルオキシエル基などが挙げ
られる。アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキ
ル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオキシ
エチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル
基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,
2-トリフルオロエトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、2,2,2-トリクロロエトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基などが挙げられる。

【００２３】ヒドロキシアルキル基の例としては、2-ヒ
ドロキシエチル基、4-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキ
シ-3- メトキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- クロロプ
ロピル基、2-ヒドロキシ-3- エトキシプロピル基、3-ブ
トキシ-2- ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、2-ヒド
ロキシブチル基などが挙げられる。ヒドロキシアルコキ
シアルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエチル
基、2-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1- メチルエ
チル基、2-(3'-フルオロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エ
チル基、2-(3'-クロロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エチ
ル基などが挙げられ、ヒドロキシアルコキシアルコキシ
アルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシ
エチル基、[2'-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1'-
メチルエトキシ] エトキシエチル基、[2'-(2'-フルオロ
-1'-ヒドロキシエトキシ）-1'-メチルエトキシ] エトキ
シエチル基、[2'-(2'-クロロ-1'-ヒドロキシエトキシ）
-1'-メチルエトキシ] エトキシエチル基などが挙げられ
る。

【００２４】シアノアルキル基の例としては、2-シアノ
エチル基、4-シアノブチル基、2-シアノ-3- メトキシプ
ロピル基、2-シアノ-3- クロロプロピル基、2-シアノ-3
- エトキシプロピル基、3-ブトキシ-2- シアノプロピル
基、2-シアノ-3- フェノキシプロピル基、2-シアノプロ
ピル基、2-シアノブチル基などが挙げられる。アシルオ
キシアルキル基の例としては、アセトキシエチル基、プ
ロピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエチル基、
バレリルオキシエチル基、1-エチルペンチルカルボニル
オキシエチル基、2,4,4-トリメチルペンチルカルボニル
オキシエチル基、3-フロオロブチリルオキシエル基、3-
クロロブチリルオキシエチル基などが挙げられ、アシル
オキシアルコキシアルキル基の例としては、アセトキシ
エトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル
基、バレリルオキシエトキシエチル基、1-エチルペンチ
ルカルボニルオキシエトキシエチル基、2,4,4-トリメチ
ルペンチルカルボニルオキシエトキシエチル基、2-フル
オロプロピオニルオキシエトキシエチル基、2-クロロプ
ロピオニルオキシエトキシエチル基などが挙げられ、ア
シルオキシアルコキシアルコキシアルキル基の例として
は、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニ
ルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエ
トキシエトキシエチル基、1-エチルペンチルカルボニル
オキシエトキシエトキシエチル基、2,4,4-トリメチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、2-
フルオロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチル
基、2-クロロプロピオニルオキシエトキシエトキシエチ
ル基などが挙げられる。

【００２５】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ルメチル基、クロルエチル基、2,2,2-トリフルオロエチ
ル基、トリフルオロメチル基、ブロムメチル基、ヨウ化
メチル基などが挙げられる。スルホンアルキル基の例と
しては、スルホンメチル基、スルホンエチル基、スルホ
ンプロピル基などが挙げられる。アルキルカルボニルア
ミノアルキル基の例としては、メチルカルボニルアミノ
エチル基、エチルカルボニルアミノエチル基、プロピル
カルボニルアミノエチル基、シクロヘキシルカルボニル
アミノエチル基、スクシンイミノエチル基などが挙げら
れる。アルキルスルホンアミノアルキル基の例として
は、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンア
ミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基などが
挙げられる。スルホンアミドアルキル基の例としては、
スルホンアミドメチル基、スルホンアミドエチル基、ス
ルホンアミドプロピル基などが挙げられる。

【００２６】アルキルアミノアルキル基の例としては、
N-メチルアミノメチル基、N,N-ジメチルアミノメチル
基、N,N-ジエチルアミノメチル基、N,N-ジプロピルアミ
ノメチル基、N,N-ジブルアミノメチル基、などが挙げら
れる。アミノアルキル基の例としては、アミノメチル
基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げられ
る。アルキルスルホンアルキル基の例としては、メチル
スルホンメチル基、エチルスルホンメチル基、ブチルス
ルホンメチル基、メチルスルホンエチル基、エチルスル
ホンエチル基、ブチルスルホンエチル基、2,2,3,3-テト
ラフルオロプロピルスルホンメチル基、2,2,3,3-テトラ
クロロプロピルスルホンメチル基などが挙げられる。

【００２７】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ
基、2-メチルブトキシ基などの低級アルコキシ基が挙げ
られる。置換または未置換のアリール基の例としては、
上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリー
ル基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル
基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチル
フェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル
基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシ
ナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基などが挙げられる。

【００２８】置換または未置換のアシル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル
基、iso-プロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル
基、iso-ブチルカルボニル基、sec-ブチルカルボニル
基、t-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル基、
iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニル
基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカル
ボニル基などが挙げられる。置換または未置換のアルキ
ルカルボキシル基の例としては、上記に挙げたアルキル
基と同様な置換基を有するアルキルカルボキシル基であ
り、好ましくは、メチルカルボキシル基、エチルカルボ
キシル基、n-プロピルカルボキシル基、iso-プロピルカ
ルボキシル基、n-ブチルカルボキシル基、iso-ブチルカ
ルボキシル基、sec-ブチルカルボキシル基、t-ブチルカ
ルボキシル基、n-ペンチルカルボキシル基、iso-ペンチ
ルカルボキシル基、neo-ペンチルカルボキシル基、2-メ
チルブチルカルボキシル基などの低級アルキルカルボキ
シル基が挙げられる。

【００２９】置換または未置換のアラルキル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。置換または未置換のアルキル
カルボニルアミノ基の例としては、上記に挙げたアルキ
ル基と同様な置換基を有するアルキルカルボニルアミノ
基であり、好ましくは、メチルカルボニルアミノ基、エ
チルカルボニルアミノ基、n-プロピルカルボニルアミノ
基、iso-プロピルカルボニルアミノ基、n-ブチルカルボ
ニルアミノ基、iso-ブチルカルボニルアミノ基、sec-ブ
チルカルボニルアミノ基、t-ブチルカルボニルアミノ
基、n-ペンチルカルボニルアミノ基、iso-ペンチルカル
ボニルアミノ基、neo-ペンチルカルボニルアミノ基、2-
メチルブチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカル
ボニルアミノ基、スクシンイミノ基などの低級アルキル
カルボニルアミノ基が挙げられる。

【００３０】置換または未置換のアルキルスルホンアミ
ノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルスルホンアミノ基であり、好まし
くは、メチルスルホンアミノ基、エチルスルホンアミノ
基、n-プロピルスルホンアミノ基、iso-プロピルスルホ
ンアミノ基、n-ブチルスルホンアミノ基、iso-ブチルス
ルホンアミノ基、sec-ブチルスルホンアミノ基、t-ブチ
ルスルホンアミノ基、n-ペンチルスルホンアミノ基、is
o-ペンチルスルホンアミノ基、neo-ペンチルスルホンア
ミノ基、2-メチルブチルスルホンアミノ基、シクロヘキ
シルスルホンアミノ基などの低級アルキルスルホンアミ
ノ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルアミノ
基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルキルアミノ基であり、好ましくは、N-メ
チルアミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルア
ミノ基、N,N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ
基などの低級アルキルアミノ基が挙げられる。

【００３１】置換または未置換のアルキルスルホン基の
例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアルキルスルホン基であり、好ましくは、メチル
スルホン基、エチルスルホン基、n-プロピルスルホン
基、iso-プロピルスルホン基、n-ブチルスルホン基、is
o-ブチルスルホン基、sec-ブチルスルホン基、t-ブチル
スルホン基、n-ペンチルスルホン基、iso-ペンチルスル
ホン基、neo-ペンチルスルホン基、2-メチルブチルスル
ホン基、2-ヒドロキシエチルスルホン基、2-シアノエチ
ルスルホン基などの低級アルキルスルホン基が挙げられ
る。置換または未置換のアルケニル基の例としては、上
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケニ
ル基であり、好ましくは、プロペニル基、1-ブテニル
基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル
基、2-メチル-1- ブテニル基、3-メチル-1- ブテニル
基、2-メチル-2- ブテニル基、2,2-ジシアノビニル基、
2-シアノ-2- メチルカルボキシルビニル基、2-シアノ-2
- メチルスルホンビニル基などの低級アルケニル基が挙
げられる。

【００３２】置換または未置換のアルキルチオ基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ
基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチ
オ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチ
ルチオ基、neo-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ
基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキ
ルチオ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルア
ゾメチン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルキルアゾメチン基であり、好ま
しくは、メチルアゾメチン基、エチルアゾメチン基、n-
プロピルアゾメチン基、iso-プロピルアゾメチン基、n-
ブチルアゾメチン基、iso-ブチルアゾメチン基、sec-ブ
チルアゾメチン基、t-ブチルアゾメチン基、n-ペンチル
アゾメチン基、iso-ペンチルアゾメチン基、neo-ペンチ
ルアゾメチン基、2-メチルブチルアゾメチン基、ヒドロ
キシエチルアゾメチン基などの低級アルキルアゾメチン
基が挙げられる。

【００３３】置換または未置換のアルキルアミノスルホ
ン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルアミノスルホン基であり、好まし
くは、N-メチルアミノスルホン基、N-エチルアミノスル
ホン基、N-(n- プロピル) アミノスルホン基、N-(iso-
プロピル) アミノスルホン基、N-(n- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(iso- ブチル) アミノスルホン基、N-(sec
- ブチル) アミノスルホン基、N-(t- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(n- ペンチル) アミノスルホン基、N-(iso
- ペンチル) アミノスルホン基、N-(neo- ペンチル) ア
ミノスルホン基、N-(2- メチルブチル) アミノスルホン
基、N-(2- ヒドロキシエチル) アミノスルホン基、N-(2
- シアノエチル) アミノスルホン基などの低級アルキル
アミノスルホン基が挙げられる。

【００３４】Ｒ₁ とＲ₄ またはＲ₂ とＲ₆ が連結基を介
して環を形成した例としては、-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH₂-
、-CH₂CH(Cl)- 、 -CH₂C(=O)CH₂-、-CH₂C(=O)-、-CH₂C
H₂C(=O)- 、-CH₂CH(F)-、-CH₂CH(OH)- 等が挙げられ
る。Ｒ₁ とＲ₂ が連結基を介して環を形成した例として
は、-CH₂CH₂OCH₂CH₂- 、-CH₂CH₂NHCH₂CH₂-、 -CH₂CH₂N
(CH₃)CH₂CH₂- 、-CH₂C(=O)OC(=O)CH₂- 、-CH₂C(=O)NHC
(=O)CH₂-、-CH₂C(=O)N(CH₃)C(=O)CH₂-、-CH₂CH₂CH₂CH₂C
H₂- 等が挙げられる。本発明の式（１）で表されるアゾ
化合物は、公知の方法により、次の様に製造される。即
ち、式（３）（化５）で示されるアミン成分をジアゾ化
し、式（４）（化５）で示されるカップリング成分の溶
液に添加し、カップリング反応させて式（１）で示され
るアゾ化合物が得られる。

【００３５】

【化５】 〔上式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₇ 、Ｘ及びＹは式（１）の場合と同
じ意味を表す。〕

【００３６】また、本発明においては、前記アゾ化合物
の金属錯体の製造法は公知の方法、例えば、古川；Anal
ytica Chimica Acta 140(1982) 281-289に記載の方法等
に準じて製造することができる。アゾ化合物の金属錯体
を形成する金属としては、例えば、ニッケル、コバル
ト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オス
ミウム、イリジウム、白金、亜鉛、マグネシウム、マン
ガン等の金属が好ましく、特にニッケル、コバルト、
銅、パラジウム、鉄、亜鉛、マンガンが好ましい。これ
らは製造時に酢酸塩、ハロゲン化物、ＢＦ^4-塩等の形で
用いられ、Ｎｉ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｃｕ²⁺、Ｐｄ²⁺、
Ｆｅ²⁺、Ｆｅ³⁺、Ｚｎ²⁺、Ｍｎ²⁺等としてアゾ化合物に
配位した錯体として得られる。このアゾ化合物の金属錯
体は、単独でも複数の化合物を混合しても良い。さら
に、ジチオール錯体などのクエンチャーを混合しても良
い。

【００３７】本発明においては、基板の上に、直接に、
あるいは、無機系又は有機系の下引き層を介して、前記
した色素を含有する記録層を設ける。該記録層を設ける
方法は、例えば、スピンコート法、浸漬法、スプレー
法、蒸着法等があるが、スピンコート法が好ましい。ス
ピンコート法で成膜する際の塗布溶剤としては、基板へ
のダメージを与えない溶剤であれば特に限定されない。
好ましい溶剤としては、例えば、エチルアルコール、プ
ロピルアルコール、ブチルアルコール、フルフリルアル
コール、エチレングリコールモノメチルエーテル、テト
ラフルオロプロパノール等のアルコール系溶剤が挙げら
れる。

【００３８】記録層を成膜する際に、必要に応じてバイ
ンダーを併用することもできる。好ましいバインダーと
しては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹
脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィン等が挙げられる。また、記録特
性などの改善のために他の色素を添加することもでき
る。記録層の膜厚は、変調度や反射率に影響するが、本
発明においてはグルーブ上の膜厚で40nm〜300nm 、好ま
しくは60nm〜200nm である。記録層を基板の上に成膜す
る際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度等を改良す
るために基板の上に無機物やポリマーからなる層を設け
ても良い。

【００３９】本発明においては、反射率、変調度等の特
性をを改良するために、前記した色素を含有する記録層
と反射層の間に光干渉層を設けることもできる。光干渉
層を形成する材料としては、無機誘電体、ポリマーや色
素等が挙げられる。本発明においては、前記記録層の上
に反射層を設けるが、反射層としては、金、銀、アルミ
ニウム、銅、白金等の金属やこれらの金属を含有する合
金を用いられるが、反射率や耐久性の点から、金、アル
ミニウム、銀やこれらの金属を主成分とする合金が好ま
しい。反射層の膜厚は、通常40nm〜300nm 、好ましくは
60nm〜200nm である。反射層を成膜する方法は、例え
ば、真空蒸着、スパッタ法、イオンプレーティング法等
が挙げられる。

【００４０】本発明においては、対物レンズの開口数が
大きいために、収差を小さくするため、基板の厚みは
0.5〜 0.8mm程度が好ましい。この際、媒体の強度や機
械特性の向上のために、接着剤を用いて２枚を貼り合わ
せて用いてもよい。貼り合わせに当たっては、反射層上
に保護層を成膜することなしに、又は保護層を成膜した
後、貼り合わせることができる。保護層としては、紫外
線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂、シ
リコーン系ハードコート樹脂等が用いられる。また、貼
り合わせる際の接着剤としては紫外線硬化性アクリル樹
脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂、ホットメルト接着剤等
が用いられる。このようにして得られた本発明の光記録
媒体は、レーザー光を記録層に集束することにより、ビ
ーム径の割にははるかに高密度に記録や再生を行うこと
が出来る。記録する際の信号としては、例えば、ＣＤや
ＤＶＤ等に用いられている変調信号が本発明の効果を達
成する上で好ましい。

【００４１】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもの
ではない。 実施例１ 厚さ 0.6mm、直径 120mmのスパイラル状のグルーブ（深
さ 150nm、ピッチ0.74μｍ）を有する射出成形ポリカー
ボネート基板のグルーブを有する面に、この樹脂基板を
回転させながら、下記式（５）（化６）で表されるアゾ
色素のＮｉ錯体の1.6 重量％2,2,3,3-テトラフルオロ-1
- プロパノール溶液を滴下し、基板上に実質的に色素の
みからなる記録層を成膜した（グルーブ膜厚 120nm, ラ
ンド膜厚50nm）。なお、波長 635nmにおける記録層の屈
折率（ｎabs)は 2.3、基板の屈折率は（ｎsub)は1.58で
あった。

【００４２】

【化６】

【００４３】この記録層の上に、反射層として厚さ80nm
のアルミニウム薄膜をスパッターにより成膜した後、こ
の反射層の上に紫外線硬化接着剤を塗布した。この接着
剤の上に、前記したのと同じ 0.6mmの基板を重ね合わ
せ、高速で回転し、余分の接着剤を除去した後、紫外線
を照射して貼り合わせた光記録媒体を製作した。この光
記録媒体をターンテーブルに乗せ、2.8m/sの線速で回転
させながら、635nm の発振波長を有する半導体レーザー
と、ＮＡが 0.6の対物レンズからなる光ヘッドを搭載し
たパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１
０００）及び KENWOOD製 EFMエンコーダーを用いて、レ
ーザービームを基板を通して、グルーブ上の記録層に集
束するように制御しながら、記録レーザーパワーを変化
させながら、最短ピット長が0.44μｍの EFM変調信号を
記録した後、同じ装置を用いてレーザー出力を 0.5mWに
して記録した信号の読み出しを行った。尚、読み出す際
はイコライゼーション処理を施した。記録パワーが 8.2
mWのレーザー出力の時が最もエラーレートが小さく（最
適記録パワー）、バイトエラーレートは 3×10^-4、また
その際のジッターは、ピットの立ち上がりも立ち下がり
もチャネルビットクロックの7.8 ％であった。未記録部
の反射率は 53%、最短ピットの変調度（I3/Itop=[(3T信
号の最大強度)-(3T 信号の最小強度)]／(11T信号の最大
強度) ）が25％であり、良好な記録、再生ができた。ま
た、再生波形には殆ど歪は観測されなかった。未記録の
ＲＣｂは0.08であり、トラッキングは安定してかかっ
た。なお、ＲＣｂは以下の式により求めた。 ＲＣｂ＝２（Ｉｌ−Ｉｇ）／（Ｉｌ＋Ｉｇ） Ｉｌ：未記録ランド反射電位 Ｉｇ：未記録グルーブ反射電位 また、この場合のｄsub は 0.14r、Ｐは 0.70r、△Ｔは
0.24であった。

【００４４】実施例２〜５及び比較例１〜３ 実施例１において、第１表（表１、表２）に示すグルー
ブ形状の基板を用いる以外は、実施例１と同じ方法で媒
体を作製し、評価した。結果は第２表（表３）にまとめ
た。第２表から明らかなように、本発明の実施例におい
ては極めて良好な記録、再生が出来たが、比較例におい
ては最短ピットの変調度(I3/Itop) が小さく、エラーレ
ート及びジッターが大きく、良好な記録、再生ができな
かった。また、比較例では、ラジアルコントラスト(RC
b) が小さいため記録時のトラッキングが不安定なもの
や、反射率の低下を示すものがあった。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】実施例６〜１２及び比較例４、５ 記録層に用いる色素として下記式（６）〜（１１）（化
７）に示されるアゾ化合物またはそのアゾ化合物の表３
に示された金属錯体及びフタロシアニン色素を用い、且
つトラックピッチ 0.8μｍ、深さ 150ｎｍの基板を用い
る以外は、実施例１と同じ方法で媒体を作製した。評価
は3.5m/sの線速で回転させながら、633nm の発振波長を
有する半導体レーザーと、ＮＡが0.63の対物レンズから
なる光ヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク
評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用いる以外は、実施例
１と同様に行った。また、この場合のｄsub は 0.15r、
Ｐは 0.80rであり、色素の屈折率、色素膜厚及び△Ｔは
第３表（表４）にまとめ、評価結果は第４表（表５）に
まとめた。第４表から明らかなように、本発明の実施例
においては極めて良好な記録、再生が出来たが、比較例
においてはＲＣｂが小さい、I3/Itop が小さい、又は反
射率が低いためエラーレート及びジッターが大きくなり
実際の測定が不可能な場合もあった。

【００４９】

【化７】

【００５０】

【表４】

【００５１】

【表５】

【００５２】実施例１３ 実施例１で作製した媒体において、633nm の発振波長を
有する半導体レーザーと、ＮＡが0.68の対物レンズから
なる光ヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク
評価装置を用いて実施例１と同様の評価を行った。最適
記録パワーが 7.9mWであり、エラーレートは２×10^-4、
ジッターは 7.4％であり、良好な記録、再生ができた。
なお、この場合のｄsub は 0.16r、Ｐは 0.79r、△Ｔは
0.24であった。

【００５３】

【発明の効果】本発明においては、基板上に少なくとも
色素を含有する記録層、反射層を有してなる光記録媒体
において、トラックピッチ及びグルーブ深さをλ／ＮＡ
で表される記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レ
ンズの開口数）に対して規定、記録層を含めた光学位相
差の規定さらには色素種の限定をすることにより、記録
時のトラッキングが安定しており、良好な記録特性を有
した高密度記録が可能な光記録媒体が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図

【図２】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図

【符号の説明】

１：基板 ２：記録層 ３：反射層 ４：保護層 １’：基板 ２’：記録層 ３’：反射層 ４’：接着層 ５’：基板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ // Ｃ０７Ｄ 285/135 Ｃ０７Ｄ 285/12 Ｅ (72)発明者 鈴木 祐子 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 笹川 知由 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 広瀬 純夫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スパイラル状にグルーブが形成された基
   板上に直接または他の層を介してレーザー光を吸収する
   色素を含有する記録層、該記録層の上に直接または他の
   層を介して金属の反射層を有する光記録媒体において、
   λ／ＮＡで表される記録ビームの径をｒ〔ここで、λは
   記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口数を表
   す〕、基板のグルーブのピッチをＰ（μｍ）、グルーブ
   の深さをｄsub （μｍ）、記録層のグルーブ部の色素膜
   厚をｄg （μｍ）、ランド部の色素膜厚ｄl （μｍ）、
   波長λでの記録層の屈折率をｎabs 、基板の屈折率をｎ
   subとしたとき、これらが下記式の関係を有し、 ０．６６ｒ≦Ｐ≦０．８９ｒ ０．１２ｒ≦ｄsub ≦０．２０ｒ １．８≦ｎabs ≦２．７ また、光学位相差（△Ｔ）＝２〔ｎsub ・ｄsub ＋ｎab
   s(ｄl-ｄg)〕／λが、０．１３≦△Ｔ≦０．４１で、且
   つｄg −ｄl ≦ｄsub であり、更に、該記録層に含有さ
   れる色素が一般式（１）（化１）で示されるアゾ化合物
   またはその金属錯体であることを特徴とする高密度光記
   録媒体。 【化１】 〔式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原子、置換また
   は未置換のアルキル基、置換または未置換のアリール
   基、置換または未置換のアラルキル基、あるいは置換ま
   たは未置換のアルケニル基を表し、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 及
   びＲ₆ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキ
   シ基、カルボキシル基、スルホン基、スルホンアミド
   基、アミノ基、置換または未置換のアリール基、置換ま
   たは未置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカ
   ルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置換
   または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換また
   は未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置
   換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルス
   ルホン基、あるいは置換または未置換のアルケニル基を
   表し（ここで、金属錯体を形成する場合は、Ｒ₃ 及びＲ
   ₅ のどちらか一方はヒドロキシ基、カルボキシル基、ア
   ミノ基、置換または未置換のアルキルカルボキシル基、
   置換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換
   または未置換のアルキルスルホンアミノ基、あるいは置
   換または未置換のアルキルアミノ基であり、他方は水素
   原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、
   スルホンアミド基、アミノ基、置換または未置換のアリ
   ール基、置換または未置換のアシル基、置換または未置
   換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換のアラ
   ルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニルアミ
   ノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ基、
   置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または未置
   換のアルキルスルホン基、あるいは置換または未置換の
   アルケニル基を表す）、Ｒ₁ とＲ₄ 、Ｒ₂ とＲ₆ 及びＲ
   ₁ とＲ₂ は連結基を介して環を形成してもよく、Ｒ₇ は
   水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル
   基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ基、置換ま
   たは未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコキ
   シ基、置換または未置換のアリール基、置換または未置
   換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキシ
   ル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未
   置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置換
   のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のアル
   キルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン
   基、置換または未置換のアルケニル基、シアノ基、ニト
   ロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロスルホン
   基、置換または未置換のアルキルチオ基、置換または未
   置換のアルキルアゾメチン基、あるいは置換または未置
   換のアルキルアミノスルホン基を表し、Ｘは硫黄原子ま
   たはＮ−Ｒ₈ を表し（ここで、Ｒ₈ は水素原子、置換ま
   たは未置換のアルキル基、置換または未置換のアリール
   基、置換または未置換のアラルキル基、あるいは置換ま
   たは未置換のアルケニル基を表す）、Ｙは窒素原子また
   はＣ−Ｒ₉ を表す（ここで、Ｒ₉ はＲ ₇ と同じ意味を表
   す）。但し、Ｘが硫黄原子の時はＹは窒素原子であり、
   ＸがＮ−Ｒ₈ の時はＹはＣ−Ｒ₉ である。〕
2. 【請求項２】 記録層に含有される色素が、一般式
   （２）（化２）で示されるアゾ化合物の金属錯体である
   ことを特徴とする請求項１記載の高密度光記録媒体。 【化２】 〔式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 及びＲ₆ は、一般式
   （１）と同じ意味を表し、Ｒ₈ はヒドロキシ基またはカ
   ルボキシル基を表し、Ｒ₉ は水素原子またはハロゲン原
   子を表す。〕
3. 【請求項３】 λが０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡ
   が０．５８〜０．７０である請求項１または２記載の高
   密度光記録媒体。