JPH10186671A - 反射防止膜材料用組成物 - Google Patents
反射防止膜材料用組成物Info
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- JPH10186671A JPH10186671A JP34373896A JP34373896A JPH10186671A JP H10186671 A JPH10186671 A JP H10186671A JP 34373896 A JP34373896 A JP 34373896A JP 34373896 A JP34373896 A JP 34373896A JP H10186671 A JPH10186671 A JP H10186671A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光吸光度が大きく、解像力、膜厚依存性が良
好で優れたレジストパターンが得られ、大きなドライエ
ッチング速度を有する反射防止膜材料用組成物及びそれ
を用いたレジストパターン形成方法。 【解決手段】 ナフタレン環を有する特定の構造の基を
有する高分子化合物を含有する反射防止膜材料用組成物
及びそれを用いたレジストパターンの形成法。
好で優れたレジストパターンが得られ、大きなドライエ
ッチング速度を有する反射防止膜材料用組成物及びそれ
を用いたレジストパターン形成方法。 【解決手段】 ナフタレン環を有する特定の構造の基を
有する高分子化合物を含有する反射防止膜材料用組成物
及びそれを用いたレジストパターンの形成法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種放射線を用い
るリソグラフィープロセスにおいて、下地基板からの反
射による悪影響の低減に有効な反射防止膜材料用組成
物、並びに該反射防止膜材料用組成物を用いるレジスト
パターン形成法に関するものである。
るリソグラフィープロセスにおいて、下地基板からの反
射による悪影響の低減に有効な反射防止膜材料用組成
物、並びに該反射防止膜材料用組成物を用いるレジスト
パターン形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストは、半導体ウエファー、
ガラス、セラミックもしくは金属等の基板上にスピン塗
布法もしくはローラー塗布法で０．５〜２μｍの厚みに
塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介し
て回路パターン等を紫外線等の放射線により焼き付け、
必要により露光後ベークを施してから現像して画像が形
成される。さらにこの画像をマスクとしてエッチングす
ることにより、基板上にパターン状の加工を施す事がで
きる。代表的な応用分野にはＩＣ等の半導体製造工程、
液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフ
ォトファブリケーション工程等がある。
ガラス、セラミックもしくは金属等の基板上にスピン塗
布法もしくはローラー塗布法で０．５〜２μｍの厚みに
塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介し
て回路パターン等を紫外線等の放射線により焼き付け、
必要により露光後ベークを施してから現像して画像が形
成される。さらにこの画像をマスクとしてエッチングす
ることにより、基板上にパターン状の加工を施す事がで
きる。代表的な応用分野にはＩＣ等の半導体製造工程、
液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフ
ォトファブリケーション工程等がある。
【０００３】フォトレジストを用いた半導体の微細加工
において、寸法の微細化に伴い基板面からの光反射の防
止が重要課題になってきている。従来この目的には吸光
剤入りフォトレジストが用いられてきたが、解像力を損
なうという問題点があった。そこでフォトレジストと基
板の間に反射防止膜（Bottom Anti-Reflective Coatin
g、ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く検討されるようにな
ってきた。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタ
ン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン
等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜
型が知られている。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶ
Ｄ装置、スパッタリング装置等の設備を必要とするのに
対し、後者は特別の設備を必要としない点で有利とさ
れ、数多くの検討が行われている。例えば特公平７−６
９６１１記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデ
ヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶樹脂、
吸光剤からなるものや、米国特許５２９４６８０記載の
無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反応物、
特開平６−１１８６３１記載の樹脂バインダーとメチロ
ールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開平６−１
１８６５６記載のカルボン酸基とエポキシ基と吸光基を
同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止膜、特開平
８−８７１１５記載のメチロールメラミンとベンゾフェ
ノン系吸光剤からなるもの、特開平８−１７９５０９記
載のポリビニルアルコール樹脂に低分子吸光剤を添加し
たもの等が挙げられる。
において、寸法の微細化に伴い基板面からの光反射の防
止が重要課題になってきている。従来この目的には吸光
剤入りフォトレジストが用いられてきたが、解像力を損
なうという問題点があった。そこでフォトレジストと基
板の間に反射防止膜（Bottom Anti-Reflective Coatin
g、ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く検討されるようにな
ってきた。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタ
ン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン
等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜
型が知られている。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶ
Ｄ装置、スパッタリング装置等の設備を必要とするのに
対し、後者は特別の設備を必要としない点で有利とさ
れ、数多くの検討が行われている。例えば特公平７−６
９６１１記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデ
ヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶樹脂、
吸光剤からなるものや、米国特許５２９４６８０記載の
無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反応物、
特開平６−１１８６３１記載の樹脂バインダーとメチロ
ールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開平６−１
１８６５６記載のカルボン酸基とエポキシ基と吸光基を
同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止膜、特開平
８−８７１１５記載のメチロールメラミンとベンゾフェ
ノン系吸光剤からなるもの、特開平８−１７９５０９記
載のポリビニルアルコール樹脂に低分子吸光剤を添加し
たもの等が挙げられる。
【０００４】有機系反射防止膜用材料として望まれる物
性として、放射線に対して大きな吸光度を有すること、
レジスト溶剤に不溶であること（レジスト層とのインタ
ーミキシングが起こらないこと）、塗布時または加熱乾
燥時に反射防止膜材料から上塗りレジスト中への低分子
拡散物が無いこと、レジストに比べて大きなドライエッ
チング速度を有すること等があり、それらは例えばPro
c. SPIE, Vol.2195, 225 〜229(1994) にも記載されて
いる。
性として、放射線に対して大きな吸光度を有すること、
レジスト溶剤に不溶であること（レジスト層とのインタ
ーミキシングが起こらないこと）、塗布時または加熱乾
燥時に反射防止膜材料から上塗りレジスト中への低分子
拡散物が無いこと、レジストに比べて大きなドライエッ
チング速度を有すること等があり、それらは例えばPro
c. SPIE, Vol.2195, 225 〜229(1994) にも記載されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前出の特
許記載の化合物はこれらの要求全てを満たすものではな
く、その改良が望まれていた。例えばこれまでの反射防
止膜ではバインダーの光吸収能力が十分でなく別途吸光
剤の増量が必要であったり、吸光度の高めるため芳香族
系吸光剤を多く含有するものは、ドライエッチング速度
が遅いという問題点を有する。また架橋系にカルボン酸
基のようなアルカリ浸透性を高める官能基を含むもの
は、アルカリ性水溶液による現像を行った場合、反射防
止膜の膨潤を招き、レジストパターン形状の悪化を招く
という問題を有する。
許記載の化合物はこれらの要求全てを満たすものではな
く、その改良が望まれていた。例えばこれまでの反射防
止膜ではバインダーの光吸収能力が十分でなく別途吸光
剤の増量が必要であったり、吸光度の高めるため芳香族
系吸光剤を多く含有するものは、ドライエッチング速度
が遅いという問題点を有する。また架橋系にカルボン酸
基のようなアルカリ浸透性を高める官能基を含むもの
は、アルカリ性水溶液による現像を行った場合、反射防
止膜の膨潤を招き、レジストパターン形状の悪化を招く
という問題を有する。
【０００６】従って、本発明の目的は、光吸光度が大き
く、解像力、膜厚依存性が良好で優れたレジストパター
ンが得られ、大きなドライエッチング速度を有する反射
防止膜材料用組成物を提供することにある。本発明の別
の目的は、大きなドライエッチング速度を有し、光吸光
度が優れ、解像力、膜厚依存性が良好で優れたレジスト
パターンが得られるレジストパターン形成方法を提供す
ることにある。
く、解像力、膜厚依存性が良好で優れたレジストパター
ンが得られ、大きなドライエッチング速度を有する反射
防止膜材料用組成物を提供することにある。本発明の別
の目的は、大きなドライエッチング速度を有し、光吸光
度が優れ、解像力、膜厚依存性が良好で優れたレジスト
パターンが得られるレジストパターン形成方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち本発明の目的は、下
記構成によって達成される。 （１） 下記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示される
構造を側鎖に有する高分子化合物を含むことを特徴とす
る反射防止膜材料用組成物。
記構成によって達成される。 （１） 下記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示される
構造を側鎖に有する高分子化合物を含むことを特徴とす
る反射防止膜材料用組成物。
【０００８】
【化９】
【０００９】
【化１０】
【００１０】式（Ｉ）あるいは（II）において、Ｗは高
分子主鎖への連結基を表し、Ｙは酸素原子、イオウ原子
または＝Ｎ−Ｖを表し、Ｚ1 、Ｚ2 は同一でも異なって
もよく電子供与性基を表し、ｍは０〜２、ｎは０〜３の
整数を表す。ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれ
ぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｖは−ＯＨ、−ＮＨ
2 または炭素数１〜２０の直鎖、分岐、環状のいずれで
もよいアルキル基（これらは置換基を有していてもよ
い）、置換基を有していてもよい炭素数５〜１４の芳香
環基あるいはヘテロ芳香環基、または炭素数１〜２０の
アルコキシ基を表す。 （２） 下記一般式(III）又は一般式（IV）で示される
構造を、繰り返し単位の一部として主鎖または側鎖に有
する高分子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜材
料用組成物。
分子主鎖への連結基を表し、Ｙは酸素原子、イオウ原子
または＝Ｎ−Ｖを表し、Ｚ1 、Ｚ2 は同一でも異なって
もよく電子供与性基を表し、ｍは０〜２、ｎは０〜３の
整数を表す。ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれ
ぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｖは−ＯＨ、−ＮＨ
2 または炭素数１〜２０の直鎖、分岐、環状のいずれで
もよいアルキル基（これらは置換基を有していてもよ
い）、置換基を有していてもよい炭素数５〜１４の芳香
環基あるいはヘテロ芳香環基、または炭素数１〜２０の
アルコキシ基を表す。 （２） 下記一般式(III）又は一般式（IV）で示される
構造を、繰り返し単位の一部として主鎖または側鎖に有
する高分子化合物を含むことを特徴とする反射防止膜材
料用組成物。
【００１１】
【化１１】
【００１２】
【化１２】
【００１３】式(III）あるいは（IV）において、Ｙは酸
素原子、イオウ原子または＝Ｎ−Ｖを表し、Ｚ1 、Ｚ2
は同一でも異なってもよく電子供与性基を表し、ｍは０
〜２、ｎは０〜３の整数を表す。ｍ、ｎが２〜３の場
合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
い。Ｖは−ＯＨ、−ＮＨ2 または炭素数１〜２０の直
鎖、分岐、環状のいずれでもよいアルキル基（これらは
置換基を有していてもよい）、置換基を有していてもよ
い炭素数５〜１４の芳香環基あるいはヘテロ芳香環基、
または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。
素原子、イオウ原子または＝Ｎ−Ｖを表し、Ｚ1 、Ｚ2
は同一でも異なってもよく電子供与性基を表し、ｍは０
〜２、ｎは０〜３の整数を表す。ｍ、ｎが２〜３の場
合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
い。Ｖは−ＯＨ、−ＮＨ2 または炭素数１〜２０の直
鎖、分岐、環状のいずれでもよいアルキル基（これらは
置換基を有していてもよい）、置換基を有していてもよ
い炭素数５〜１４の芳香環基あるいはヘテロ芳香環基、
または炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。
【００１４】（３） 一般式（Ｖ）又は一般式（VI）で
示される構造の繰り返し単位を有する高分子化合物を含
むことを特徴とする反射防止膜材料用組成物。
示される構造の繰り返し単位を有する高分子化合物を含
むことを特徴とする反射防止膜材料用組成物。
【００１５】
【化１３】
【００１６】
【化１４】
【００１７】式（Ｖ）あるいは（VI）において、Ｒ1 は
水素原子、メチル基、塩素原子、臭素原子、シアノ基を
表す。Ｘは２価の連結基を表す。Ｙ、Ｚ1 、Ｚ2 、ｍ、
ｎは請求項１に記載のものと同義である。ｍ、ｎが２〜
３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同じでも異なっていて
もよい。 （４） 前記一般式（Ｖ）又は一般式（VI）において、
Ｚ1 、Ｚ2 が各々−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 又は
−ＳＲ4 から選ばれた基であることを特徴とする上記
（３）に記載の反射防止膜材料用組成物。（ここで、Ｒ
4 は炭素数が１から２０までの炭化水素基を表す。また
Ｒ5 、Ｒ6は各々同じでも異っていてもよく、水素原
子、炭素数が１から２０までの炭化水素基を表す。）
水素原子、メチル基、塩素原子、臭素原子、シアノ基を
表す。Ｘは２価の連結基を表す。Ｙ、Ｚ1 、Ｚ2 、ｍ、
ｎは請求項１に記載のものと同義である。ｍ、ｎが２〜
３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同じでも異なっていて
もよい。 （４） 前記一般式（Ｖ）又は一般式（VI）において、
Ｚ1 、Ｚ2 が各々−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 又は
−ＳＲ4 から選ばれた基であることを特徴とする上記
（３）に記載の反射防止膜材料用組成物。（ここで、Ｒ
4 は炭素数が１から２０までの炭化水素基を表す。また
Ｒ5 、Ｒ6は各々同じでも異っていてもよく、水素原
子、炭素数が１から２０までの炭化水素基を表す。）
【００１８】（５） 下記（ａ）（ｂ）を含有する事を
特徴とする反射防止膜材料用組成物。 （ａ）上記（１）に記載の一般式（Ｉ）又は一般式（I
I）で示される構造を有する高分子化合物。 （ｂ）メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシ
メチル基から選ばれた少なくとも一つの置換基で置換さ
れたメラミン、グアナミン、グリコールウリルもしくは
ウレア化合物。
特徴とする反射防止膜材料用組成物。 （ａ）上記（１）に記載の一般式（Ｉ）又は一般式（I
I）で示される構造を有する高分子化合物。 （ｂ）メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシ
メチル基から選ばれた少なくとも一つの置換基で置換さ
れたメラミン、グアナミン、グリコールウリルもしくは
ウレア化合物。
【００１９】（６） 一般式（Ｉ）又は一般式（II）に
おいて、Ｗが単結合、置換基を有していてもよいアルキ
レン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換
基を有していてもよいアラルキレン基から選ばれた基を
含む連結基であり（Ｗはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−
ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上
有していてもよい。）、Ｚ1 、Ｚ2 が−ＯＨ、−Ｏ
Ｒ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ 6 から選ばれた基であるこ
とを特徴とする上記（５）に記載の反射防膜材料用組成
物。（ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同
じであっても異っていてもよい。Ｒ4 は炭素数が１〜２
０の炭化水素基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々同じでも異っ
ていてもよく、水素原子、炭素数が１〜２０の炭化水素
基を表す。）
おいて、Ｗが単結合、置換基を有していてもよいアルキ
レン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換
基を有していてもよいアラルキレン基から選ばれた基を
含む連結基であり（Ｗはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−
ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上
有していてもよい。）、Ｚ1 、Ｚ2 が−ＯＨ、−Ｏ
Ｒ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ 6 から選ばれた基であるこ
とを特徴とする上記（５）に記載の反射防膜材料用組成
物。（ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同
じであっても異っていてもよい。Ｒ4 は炭素数が１〜２
０の炭化水素基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々同じでも異っ
ていてもよく、水素原子、炭素数が１〜２０の炭化水素
基を表す。）
【００２０】（７） 下記（ａ）（ｃ）を含有する事を
特徴とする反射防止膜材料用組成物。 （ａ）上記（１）に記載の一般式（Ｉ）又は一般式（I
I）で示される構造を有する高分子化合物。 （ｃ）メチロール基、アルコキシメチル基またはアシロ
キシメチル基から選ばれた基よって２つ以上置換された
フェノールまたはナフトールまたはヒドロキシアントラ
セン化合物。
特徴とする反射防止膜材料用組成物。 （ａ）上記（１）に記載の一般式（Ｉ）又は一般式（I
I）で示される構造を有する高分子化合物。 （ｃ）メチロール基、アルコキシメチル基またはアシロ
キシメチル基から選ばれた基よって２つ以上置換された
フェノールまたはナフトールまたはヒドロキシアントラ
セン化合物。
【００２１】（８） 一般式（Ｉ）又は一般式（II）に
おいて、Ｗが単結合、置換基を有していてもよいアルキ
レン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換
基を有していてもよいアラルキレン基から選ばれた基を
含む連結基であり（Ｗはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−
ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上
有していてもよい。）、Ｚ1 、Ｚ2 が−ＯＨ、−Ｏ
Ｒ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ 6 から選ばれた基であるこ
とを特徴とする上記（７）に記載の反射防膜材料用組成
物。（ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同
じであっても異っていてもよい。Ｒ4 は炭素数が１〜２
０の炭化水素基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々同じでも異っ
ていてもよく、水素原子、炭素数が１〜２０の炭化水素
基を表す。） （９） 前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示される
構造を有する高分子化合物中に、下記一般式（VII)で示
される繰り返し構造単位を２重量％〜５０重量％含有す
ることを特徴とする上記（１）に記載の反射防止膜材料
用組成物。
おいて、Ｗが単結合、置換基を有していてもよいアルキ
レン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換
基を有していてもよいアラルキレン基から選ばれた基を
含む連結基であり（Ｗはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−
ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上
有していてもよい。）、Ｚ1 、Ｚ2 が−ＯＨ、−Ｏ
Ｒ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ 6 から選ばれた基であるこ
とを特徴とする上記（７）に記載の反射防膜材料用組成
物。（ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同
じであっても異っていてもよい。Ｒ4 は炭素数が１〜２
０の炭化水素基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々同じでも異っ
ていてもよく、水素原子、炭素数が１〜２０の炭化水素
基を表す。） （９） 前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示される
構造を有する高分子化合物中に、下記一般式（VII)で示
される繰り返し構造単位を２重量％〜５０重量％含有す
ることを特徴とする上記（１）に記載の反射防止膜材料
用組成物。
【００２２】
【化１５】
【００２３】式中、Ｒ2 は水素原子、メチル基、塩素原
子、臭素原子、シアノ基を表し、Ａは末端に−ＣＨ2 Ｏ
Ｈ基、−ＣＨ2 ＯＲ4 基又は−ＣＨ2 ＯＣＯＣＨ3 基を
有する有機官能基を表す。Ｒ4 は炭素数が１から２０ま
での炭化水素基を表す。 （１０） 一般式（VII)において、Ａが−ＣＯＮＨＣＨ
2 ＯＨ、−ＣＯＮＨＣＨ 2 ＯＣＨ3 、−Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ2
ＯＨ、−Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ2 ＯＣＨ3 又は−ＣＯＮＨＣ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＣＨＣＯＣＨ3 とホルマリンとの反応で得られ
た基であることを特徴とする上記（９）に記載の反射防
止膜材料用組成物。 （１１） 前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示され
る構造を有する高分子化合物中に、下記一般式（VIII）
で示される繰り返し構造単位を２重量％〜３０重量％含
有することを特徴とする上記（１）に記載の反射防止膜
材料用組成物。
子、臭素原子、シアノ基を表し、Ａは末端に−ＣＨ2 Ｏ
Ｈ基、−ＣＨ2 ＯＲ4 基又は−ＣＨ2 ＯＣＯＣＨ3 基を
有する有機官能基を表す。Ｒ4 は炭素数が１から２０ま
での炭化水素基を表す。 （１０） 一般式（VII)において、Ａが−ＣＯＮＨＣＨ
2 ＯＨ、−ＣＯＮＨＣＨ 2 ＯＣＨ3 、−Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ2
ＯＨ、−Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ2 ＯＣＨ3 又は−ＣＯＮＨＣ（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＣＨＣＯＣＨ3 とホルマリンとの反応で得られ
た基であることを特徴とする上記（９）に記載の反射防
止膜材料用組成物。 （１１） 前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示され
る構造を有する高分子化合物中に、下記一般式（VIII）
で示される繰り返し構造単位を２重量％〜３０重量％含
有することを特徴とする上記（１）に記載の反射防止膜
材料用組成物。
【００２４】
【化１６】
【００２５】式中、Ｒ2 は上記上記（９）に記載のＲ2
と同義であり、Ｂは末端にエポキシ基を有する有機官能
基を表す。 （１２） 上記（１）〜（１１）のいずれか１つに記載
の反射防止膜材料用組成物を使用することを特徴とする
レジストパターン形成方法。
と同義であり、Ｂは末端にエポキシ基を有する有機官能
基を表す。 （１２） 上記（１）〜（１１）のいずれか１つに記載
の反射防止膜材料用組成物を使用することを特徴とする
レジストパターン形成方法。
【００２６】
【発明の実施の形態】一般式（Ｉ）、(III）、（IV）に
おいて、ナフタレン環に連結する−Ｃ（＝Ｙ）−基は、
ＫｒＦエキシマーレーザーの波長（２４８ｎｍ）とのマ
ッチングの観点から、ナフタレン環のβ位に位置する方
が好ましい。
おいて、ナフタレン環に連結する−Ｃ（＝Ｙ）−基は、
ＫｒＦエキシマーレーザーの波長（２４８ｎｍ）とのマ
ッチングの観点から、ナフタレン環のβ位に位置する方
が好ましい。
【００２７】Ｗ、Ｘで示される連結基としては、単結
合、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を
有していてもよいアリーレン基、置換基を有していても
よいアラルキレン基から選ばれた基を含む連結基（Ｗ、
Ｘはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ
−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上有していてもよ
い。
合、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を
有していてもよいアリーレン基、置換基を有していても
よいアラルキレン基から選ばれた基を含む連結基（Ｗ、
Ｘはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ
−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上有していてもよ
い。
【００２８】置換基を有していてもよいアルキレン基と
しては、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル
基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハロ
ゲン基）を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖アル
キレン鎖（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、
−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよい）、
置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の分岐アルキ
レン鎖、途中に環状アルキレン構造を有していてもよい
炭素数１〜２０のアルキレン鎖等が挙げられる。
しては、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル
基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハロ
ゲン基）を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖アル
キレン鎖（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、
−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよい）、
置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の分岐アルキ
レン鎖、途中に環状アルキレン構造を有していてもよい
炭素数１〜２０のアルキレン鎖等が挙げられる。
【００２９】置換基を有していてもよいアリーレン基と
しては、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル
基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハロ
ゲン基）を有していてもよい炭素数６〜１４のアリーレ
ン基（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよい）等が挙
げられる。
しては、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキル
基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハロ
ゲン基）を有していてもよい炭素数６〜１４のアリーレ
ン基（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−Ｃ
Ｏ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよい）等が挙
げられる。
【００３０】置換基を有していてもよいアラルキレン基
としては、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキ
ル基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハ
ロゲン基）を有していてもよい炭素数７〜１５のアラル
キレン基（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、
−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよい）等
が挙げられる。
としては、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキ
ル基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハ
ロゲン基）を有していてもよい炭素数７〜１５のアラル
キレン基（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、
−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよい）等
が挙げられる。
【００３１】Ｗ、Ｘで示される連結基としては、単結
合、−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−
ＳＯ2 −、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキ
ル基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハ
ロゲン基）を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖ア
ルキレン鎖（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ
−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよ
い）、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の分岐
アルキレン鎖、途中に環状アルキレン構造を有していて
もよい炭素数１〜２０のアルキレン鎖がより好ましいも
のとして挙げられる。ここでＲ4 は炭素数１〜２０のア
ルキル基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は水素原子又は炭素数１〜
２０のアルキル基を表す。
合、−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−
ＳＯ2 −、置換基（好ましくは炭素数１〜１０のアルキ
ル基、−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 、ハ
ロゲン基）を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖ア
ルキレン鎖（途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ
−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を一つ以上有していてもよ
い）、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の分岐
アルキレン鎖、途中に環状アルキレン構造を有していて
もよい炭素数１〜２０のアルキレン鎖がより好ましいも
のとして挙げられる。ここでＲ4 は炭素数１〜２０のア
ルキル基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は水素原子又は炭素数１〜
２０のアルキル基を表す。
【００３２】Ｚ1 、Ｚ2 は各々電子供与性基を表す。電
子供与性基とはハメットの置換基定数σp が負の値を示
すものの事を示す。Ｚ1 、Ｚ2 は各々−ＯＨ、−Ｏ
Ｒ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 が好ましい。ここでＲ4
は炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は水
素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
子供与性基とはハメットの置換基定数σp が負の値を示
すものの事を示す。Ｚ1 、Ｚ2 は各々−ＯＨ、−Ｏ
Ｒ4 、−ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 が好ましい。ここでＲ4
は炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は水
素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。
【００３３】Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 としては、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ
−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、２
−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ
−ラウリル基、ｎ−ステアリル基が好ましく、ドライエ
ッチング速度を低下させない意味でメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基等の非環状の炭素数１〜６の炭化水素基、２−
ヒドロキシエチル基、アリル基、２，３−ジクロロプロ
ピル基、２，３−ジブロモプロピル基が特に好ましい。
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ
−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、２
−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ
−ラウリル基、ｎ−ステアリル基が好ましく、ドライエ
ッチング速度を低下させない意味でメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘ
キシル基等の非環状の炭素数１〜６の炭化水素基、２−
ヒドロキシエチル基、アリル基、２，３−ジクロロプロ
ピル基、２，３−ジブロモプロピル基が特に好ましい。
【００３４】Ｙは、酸素原子、イオウ原子又は＝Ｎ−Ｖ
を表す。ここでＶは、ヒドロキシル基、アミノ基又は置
換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の直鎖、分
岐、環状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素
数５〜１４の芳香環基あるいはヘテロ芳香環基、または
炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。
を表す。ここでＶは、ヒドロキシル基、アミノ基又は置
換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の直鎖、分
岐、環状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素
数５〜１４の芳香環基あるいはヘテロ芳香環基、または
炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。
【００３５】ここで、置換基を有していてもよい、炭素
数１〜２０の直鎖、分岐、環状のアルキル基としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−
オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ
デシル基、ｎ−ラウリル基、ｎ−ステアリル基等が挙げ
られる。
数１〜２０の直鎖、分岐、環状のアルキル基としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−
オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ
デシル基、ｎ−ラウリル基、ｎ−ステアリル基等が挙げ
られる。
【００３６】置換基を有していてもよい炭素数５〜１４
の芳香環基あるいはヘテロ芳香環基としては、ピロール
基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、フェナンスレ
ン基、アントラセン基等が挙げられる。
の芳香環基あるいはヘテロ芳香環基としては、ピロール
基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、フェナンスレ
ン基、アントラセン基等が挙げられる。
【００３７】炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブト
キシ基、ｎ−ペントキシ基、メトキシカルボニルメチル
オキシ基、エトキシカルボニルメチルオキシ基等が挙げ
られる。
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブト
キシ基、ｎ−ペントキシ基、メトキシカルボニルメチル
オキシ基、エトキシカルボニルメチルオキシ基等が挙げ
られる。
【００３８】Ｙとしては、特に酸素原子あるいはイオウ
原子が好ましい。
原子が好ましい。
【００３９】本発明の高分子化合物には、上記一般式
（Ｉ）又は一般式（II）で示される構造を有する繰り返
し単位以外に非架橋性のモノマーを共重合する事が可能
であり、これによりドライエッチング速度、反射率等の
微調整ができる。このような共重合モノマーとしては以
下のものが挙げられる。例えば、アクリル酸エステル
類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタ
クリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビ
ニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類な
どから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合
物である。具体的には、例えばアクリル酸エステル類、
例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０の
ものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル酸メ
チル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリ
ル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロ
ヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オク
チル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２−ジ
メチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒドロキ
シペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノ
アクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレー
ト、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレ
ート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、など）アリールアクリレート（例えば
フェニルアクリレート、ヒドロキシフェニルアクリレー
トなど）；
（Ｉ）又は一般式（II）で示される構造を有する繰り返
し単位以外に非架橋性のモノマーを共重合する事が可能
であり、これによりドライエッチング速度、反射率等の
微調整ができる。このような共重合モノマーとしては以
下のものが挙げられる。例えば、アクリル酸エステル
類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタ
クリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビ
ニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類な
どから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合
物である。具体的には、例えばアクリル酸エステル類、
例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０の
ものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル酸メ
チル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリ
ル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロ
ヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オク
チル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２−ジ
メチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒドロキ
シペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノ
アクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレー
ト、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレ
ート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、など）アリールアクリレート（例えば
フェニルアクリレート、ヒドロキシフェニルアクリレー
トなど）；
【００４０】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルメタクリレートなど）、アリールメタクリレート（例
えば、フェニルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメ
タクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタ
クリレートなど）；アクリルアミド類、例えば、アクリ
ルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基
としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、
ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル
基、ヒドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、
Ｎ−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例
えばフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カル
ボキシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキル
アクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、
イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基な
どがある。）、Ｎ，Ｎ−アリールアクリルアミド（アリ
ール基としては、例えばフェニル基などがある。）、Ｎ
−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキ
シエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセト
アミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど；メタ
クリルアミド類、例えば、メタクリルアミド、Ｎ−アル
キルメタクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子
数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ｔ−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基などがある。）、Ｎ−アリールメタクリ
ルアミド（アリール基としては、フェニル基、ヒドロキ
シフェニル基、カルボキシフェニル基などがある。）、
Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（アルキル基とし
ては、エチル基、プロピル基、ブチル基などがあ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド（アリー
ル基としては、フェニル基などがある。）、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フ
ェニルメタクリルアミドなど；アリル化合物、例えば、
アリルエステル類（例えば、酢酸アリル、カプロン酸ア
リル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチ
ン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、ア
セト酢酸アリル、乳酸アリルなど）、アリルオキシエタ
ノールなど；
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルメタクリレートなど）、アリールメタクリレート（例
えば、フェニルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメ
タクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタ
クリレートなど）；アクリルアミド類、例えば、アクリ
ルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基
としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、
ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル
基、ヒドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、
Ｎ−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例
えばフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カル
ボキシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキル
アクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、
イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基な
どがある。）、Ｎ，Ｎ−アリールアクリルアミド（アリ
ール基としては、例えばフェニル基などがある。）、Ｎ
−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキ
シエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセト
アミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど；メタ
クリルアミド類、例えば、メタクリルアミド、Ｎ−アル
キルメタクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子
数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ｔ−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基などがある。）、Ｎ−アリールメタクリ
ルアミド（アリール基としては、フェニル基、ヒドロキ
シフェニル基、カルボキシフェニル基などがある。）、
Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（アルキル基とし
ては、エチル基、プロピル基、ブチル基などがあ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド（アリー
ル基としては、フェニル基などがある。）、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フ
ェニルメタクリルアミドなど；アリル化合物、例えば、
アリルエステル類（例えば、酢酸アリル、カプロン酸ア
リル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチ
ン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、ア
セト酢酸アリル、乳酸アリルなど）、アリルオキシエタ
ノールなど；
【００４１】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；
【００４２】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）又はモノアルキルエステル
類；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン
酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その
他、前記本発明において使用される繰り返し構造単位と
共重合可能な付加重合性不飽和化合物であればよい。
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）又はモノアルキルエステル
類；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン
酸、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その
他、前記本発明において使用される繰り返し構造単位と
共重合可能な付加重合性不飽和化合物であればよい。
【００４３】なかでも、高分子化合物の熱架橋性を高め
られる意味で水酸基を含有するモノマー、例えば２−ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ
プロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールモ
ノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ
（メタ）アクリレート、プロピレングリコールモノ（メ
タ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メ
タ）アクリレート、あるいは上記それぞれに対応する
（メタ）アクリルアミドモノマー、ビニルアルコール、
ヒドロキシスチレン、ヒドロキシメチルスチレンが好ま
しい。またドライエッチング速度を低下させずにポリマ
ーの溶剤溶解性を良好に保てる意味で、炭素数１〜１０
のアルキル鎖を有するアルキル（メタ）アクリレートモ
ノマーも好ましい。
られる意味で水酸基を含有するモノマー、例えば２−ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ
プロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールモ
ノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ
（メタ）アクリレート、プロピレングリコールモノ（メ
タ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メ
タ）アクリレート、あるいは上記それぞれに対応する
（メタ）アクリルアミドモノマー、ビニルアルコール、
ヒドロキシスチレン、ヒドロキシメチルスチレンが好ま
しい。またドライエッチング速度を低下させずにポリマ
ーの溶剤溶解性を良好に保てる意味で、炭素数１〜１０
のアルキル鎖を有するアルキル（メタ）アクリレートモ
ノマーも好ましい。
【００４４】本発明の反射防止膜材料用組成物における
高分子化合物は、その高分子鎖中に架橋性基を有してい
てもよい。例えば、上記一般式（VII)又は（VIII）で示
される架橋性基を有する繰り返し構造単位を共重合した
ものが挙げられる。
高分子化合物は、その高分子鎖中に架橋性基を有してい
てもよい。例えば、上記一般式（VII)又は（VIII）で示
される架橋性基を有する繰り返し構造単位を共重合した
ものが挙げられる。
【００４５】一般式（VII)又は（VIII）においてＲ2 は
水素原子、メチル基、塩素原子、臭素原子、シアノ基を
表し、Ａは、末端に−ＣＨ2 ＯＨ基、−ＣＨ2 ＯＲ4 、
又は−ＣＨ2 ＯＣＯＣＨ3 基を有する有機官能基を表
す。Ｒ4 は炭素数が１から２０までの炭化水素基を表
す。好ましくは、Ａが−ＣＯＮＨＣＨ2 ＯＨ、−ＣＯＮ
ＨＣＨ2 ＯＣＨ3 、−Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ2 ＯＨ、−Ｃ6 Ｈ4
ＣＨ2 ＯＣＨ3 、−ＣＯＮＨＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＯＣ
Ｈ3 をホルマリンと反応させた基である。Ｂは、末端に
エポキシ基を有する有機官能基を表す。好ましくは、下
記で示される基である。
水素原子、メチル基、塩素原子、臭素原子、シアノ基を
表し、Ａは、末端に−ＣＨ2 ＯＨ基、−ＣＨ2 ＯＲ4 、
又は−ＣＨ2 ＯＣＯＣＨ3 基を有する有機官能基を表
す。Ｒ4 は炭素数が１から２０までの炭化水素基を表
す。好ましくは、Ａが−ＣＯＮＨＣＨ2 ＯＨ、−ＣＯＮ
ＨＣＨ2 ＯＣＨ3 、−Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ2 ＯＨ、−Ｃ6 Ｈ4
ＣＨ2 ＯＣＨ3 、−ＣＯＮＨＣ（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＯＣ
Ｈ3 をホルマリンと反応させた基である。Ｂは、末端に
エポキシ基を有する有機官能基を表す。好ましくは、下
記で示される基である。
【００４６】
【化１７】
【００４７】本発明における高分子化合物中の一般式
（Ｉ）又は一般式（II）で示される構造を有する繰り返
し構造単位の含有量としては１０〜９９重量％、好まし
くは３０〜９７重量％、更に好ましくは５０〜９５重量
％である。本発明における高分子化合物中において、上
記一般式（VII)又は（VIII）で示される架橋性基を有す
る繰り返し構造単位の含有量としては、全繰り返し単位
に対して、２〜５０重量％が好ましく、より好ましくは
５〜３０重量％である。本発明における高分子化合物中
において、上記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示され
る繰り返し構造単位及び一般式（VII)又は（VIII）で示
される架橋性基を有する繰り返し構造単位以外の他の繰
り返し単位の含有量としては、全繰り返し単位に対し
て、０〜８０重量％が好ましく、より好ましくは２０〜
７０重量％である。以下に本発明における高分子化合物
の具体例を示すが、本発明の内容がこれらに限定される
ものではない。
（Ｉ）又は一般式（II）で示される構造を有する繰り返
し構造単位の含有量としては１０〜９９重量％、好まし
くは３０〜９７重量％、更に好ましくは５０〜９５重量
％である。本発明における高分子化合物中において、上
記一般式（VII)又は（VIII）で示される架橋性基を有す
る繰り返し構造単位の含有量としては、全繰り返し単位
に対して、２〜５０重量％が好ましく、より好ましくは
５〜３０重量％である。本発明における高分子化合物中
において、上記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示され
る繰り返し構造単位及び一般式（VII)又は（VIII）で示
される架橋性基を有する繰り返し構造単位以外の他の繰
り返し単位の含有量としては、全繰り返し単位に対し
て、０〜８０重量％が好ましく、より好ましくは２０〜
７０重量％である。以下に本発明における高分子化合物
の具体例を示すが、本発明の内容がこれらに限定される
ものではない。
【００４８】
【化１８】
【００４９】
【化１９】
【００５０】
【化２０】
【００５１】
【化２１】
【００５２】
【化２２】
【００５３】
【化２３】
【００５４】
【化２４】
【００５５】本発明の反射防止膜を形成する高分子化合
物は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等の
方法により合成することができる。その形態は溶液重
合、懸濁蜀重合、乳化重合、塊状重合等種々の方法が可
能である。
物は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等の
方法により合成することができる。その形態は溶液重
合、懸濁蜀重合、乳化重合、塊状重合等種々の方法が可
能である。
【００５６】本発明の反射防止膜を形成する高分子化合
物の分子量は、使用する塗布溶剤、要求される溶液粘
度、要求される膜形状等により変るが、重量平均として
１０００〜１００００００、好ましくは２０００〜３０
００００、さらに好ましくは３０００〜２０００００で
ある。本発明において、上記高分子化合物の反射防止膜
材料用組成物中の含有量としては、３０〜１００重量％
が好ましく、より好ましくは５０〜９０重量％である。
物の分子量は、使用する塗布溶剤、要求される溶液粘
度、要求される膜形状等により変るが、重量平均として
１０００〜１００００００、好ましくは２０００〜３０
００００、さらに好ましくは３０００〜２０００００で
ある。本発明において、上記高分子化合物の反射防止膜
材料用組成物中の含有量としては、３０〜１００重量％
が好ましく、より好ましくは５０〜９０重量％である。
【００５７】本発明の反射防止膜材料用組成物には、上
塗りするフォトレジストとの界面混合（インターミキシ
ング）を防ぐ意味で、塗布後加熱により熱架橋させるこ
とが好ましい。すなわち、本発明の反射防止膜材料用組
成物に熱架橋剤として（ｂ）または（ｃ）をさらに含有
することが好ましい。
塗りするフォトレジストとの界面混合（インターミキシ
ング）を防ぐ意味で、塗布後加熱により熱架橋させるこ
とが好ましい。すなわち、本発明の反射防止膜材料用組
成物に熱架橋剤として（ｂ）または（ｃ）をさらに含有
することが好ましい。
【００５８】本発明の反射防止膜材料用組成物において
（ａ）成分とともに、（ｂ）成分として含有されるメチ
ロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基か
ら選ばれた少なくとも一つの置換基で置換されたメラミ
ン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物
またはウレア化合物は、（ａ）成分の高分子吸光剤を加
熱により架橋し、上塗りするフォトレジストとのインタ
ーミキシングを抑えることができる。これらの化合物中
のメチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチ
ル基のうち少なくとも一種の基の含有量は、メラミンの
場合は２〜６個、グリコールウリル、グアナミン、ウレ
ア化合物の場合は２〜４個であるが、好ましくはメラミ
ンの場合は５〜６個、グリコールウリル、グアナミン、
ウレア化合物の場合は３〜４個である。
（ａ）成分とともに、（ｂ）成分として含有されるメチ
ロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基か
ら選ばれた少なくとも一つの置換基で置換されたメラミ
ン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物
またはウレア化合物は、（ａ）成分の高分子吸光剤を加
熱により架橋し、上塗りするフォトレジストとのインタ
ーミキシングを抑えることができる。これらの化合物中
のメチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチ
ル基のうち少なくとも一種の基の含有量は、メラミンの
場合は２〜６個、グリコールウリル、グアナミン、ウレ
ア化合物の場合は２〜４個であるが、好ましくはメラミ
ンの場合は５〜６個、グリコールウリル、グアナミン、
ウレア化合物の場合は３〜４個である。
【００５９】これらのメチロール基含有化合物はいずれ
もメラミン、グリコールウリル、グアナミンあるいはウ
レアを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニ
ア、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド等の塩基
性触媒の存在下でホルマリンと反応させることにより得
られる．また、アルコキシメチル基含有化合物はメチロ
ール基含有化合物をアルコール中で塩酸、硫酸、硝酸、
メタンスルホン酸等の酸触媒の存在下で加熱することに
より得られる。アシロキシメチル基含有化合物はメチロ
ール基含有化合物を塩基性触媒存在下アシルクロリドと
混合攪拌することにより得られる。
もメラミン、グリコールウリル、グアナミンあるいはウ
レアを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニ
ア、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド等の塩基
性触媒の存在下でホルマリンと反応させることにより得
られる．また、アルコキシメチル基含有化合物はメチロ
ール基含有化合物をアルコール中で塩酸、硫酸、硝酸、
メタンスルホン酸等の酸触媒の存在下で加熱することに
より得られる。アシロキシメチル基含有化合物はメチロ
ール基含有化合物を塩基性触媒存在下アシルクロリドと
混合攪拌することにより得られる。
【００６０】以下、これらの上記置換基を有する化合物
の具体例を挙げる。メラミン化合物として、例えばヘキ
サメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミ
ン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の１〜５
個がメトキシメチル化した化合物またはその混合物、ヘ
キサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチル
メラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の
１〜５個がアシロキシメチル化した化合物またはその混
合物などが挙げられる。グアナミン化合物として、例え
ばテトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチル
グアナミン、テトラメチロールグアナミンの１〜３個の
メチロール基がメトキシメチル化した化合物またはその
混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシ
ロキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミン
の１〜３個のメチロール基がアシロキシメチル化した化
合物又はその混合物などが挙げられる。
の具体例を挙げる。メラミン化合物として、例えばヘキ
サメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミ
ン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の１〜５
個がメトキシメチル化した化合物またはその混合物、ヘ
キサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチル
メラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の
１〜５個がアシロキシメチル化した化合物またはその混
合物などが挙げられる。グアナミン化合物として、例え
ばテトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチル
グアナミン、テトラメチロールグアナミンの１〜３個の
メチロール基がメトキシメチル化した化合物またはその
混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシ
ロキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミン
の１〜３個のメチロール基がアシロキシメチル化した化
合物又はその混合物などが挙げられる。
【００６１】グリコールウリル化合物としては、例えば
テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシメ
チルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウ
リルのメチロール基の１〜３個がメトキシメチル化した
化合物またはその混合物、テトラメチロールグリコール
ウリルのメチロール基の１〜３個がアシロキシメチル化
した化合物またはその混合物等が挙げられる。
テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシメ
チルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウ
リルのメチロール基の１〜３個がメトキシメチル化した
化合物またはその混合物、テトラメチロールグリコール
ウリルのメチロール基の１〜３個がアシロキシメチル化
した化合物またはその混合物等が挙げられる。
【００６２】ウレア化合物としては、例えばテトラメチ
ロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメ
チロールウレアの１〜３個のメチロール基がメトキシメ
チル化した化合物またはその混合物、テトラメトキシエ
チルウレアなどが挙げられる。
ロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメ
チロールウレアの１〜３個のメチロール基がメトキシメ
チル化した化合物またはその混合物、テトラメトキシエ
チルウレアなどが挙げられる。
【００６３】本発明の反射防止膜材料用組成物における
（ｂ）成分の含有量は全固形分に対して２〜５０重量
％、好ましくは５〜３０重量％である。
（ｂ）成分の含有量は全固形分に対して２〜５０重量
％、好ましくは５〜３０重量％である。
【００６４】次に、本発明の反射防止膜材料用組成物に
おいて（ａ）成分とともに、（ｃ）成分として含有され
るメチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチ
ル基から選ばれた少なくとも一つの基で置換されたフェ
ノール化合物、ナフトール化合物またはヒドロキシアン
トラセン化合物は、（ｂ）成分の場合と同様、熱架橋に
より（ａ）成分と上塗りフォトレジストとのインターミ
キシングを抑制するとともに、更に反射防止膜組成物の
吸光度をさらに高めるものである。
おいて（ａ）成分とともに、（ｃ）成分として含有され
るメチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチ
ル基から選ばれた少なくとも一つの基で置換されたフェ
ノール化合物、ナフトール化合物またはヒドロキシアン
トラセン化合物は、（ｂ）成分の場合と同様、熱架橋に
より（ａ）成分と上塗りフォトレジストとのインターミ
キシングを抑制するとともに、更に反射防止膜組成物の
吸光度をさらに高めるものである。
【００６５】（ｃ）成分に含まれるメチロール基、アシ
ロキシメチル基またはアルコキシメチル基の数は１分子
当り少なくとも２個必要であり、熱架橋性および保存安
定性の観点からフェノール性ＯＨ基の２位、４位がすべ
て置換された化合物が好ましい。また、骨格となるナフ
トール化合物、ヒドロキシアントラセン化合物は、ＯＨ
基の２位が未置換のものが好ましい。骨格となるフェノ
ール化合物の３位又は５位は未置換であっても置換基を
有していてもよい。骨格となるナフトール化合物におい
てもＯＨ基の２位以外は未置換であっても置換基を有し
ていてもよい。
ロキシメチル基またはアルコキシメチル基の数は１分子
当り少なくとも２個必要であり、熱架橋性および保存安
定性の観点からフェノール性ＯＨ基の２位、４位がすべ
て置換された化合物が好ましい。また、骨格となるナフ
トール化合物、ヒドロキシアントラセン化合物は、ＯＨ
基の２位が未置換のものが好ましい。骨格となるフェノ
ール化合物の３位又は５位は未置換であっても置換基を
有していてもよい。骨格となるナフトール化合物におい
てもＯＨ基の２位以外は未置換であっても置換基を有し
ていてもよい。
【００６６】これらのメチロール基含有化合物はフェノ
ール性ＯＨ基の２位または４位が水素原子であるフェノ
ール性ＯＨ基含有化合物を原料に用い、これを水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、アンモニア、テトラアルキ
ルアンモニウムヒドロキシド等の塩基性触媒の存在下で
ホルマリンと反応させることにより得られる。また、ア
ルコキシメチル基含有化合物は上記メチロール基含有化
合物をアルコール中で塩酸、硫酸、硝酸、メタンスルホ
ン酸等の酸触媒の存在下で加熱することにより得られ
る。アシロキシメチル基含有化合物は、上記メチロール
基含有化合物を塩基性触媒存在下アシルクロリドと反応
させることにより得られる。
ール性ＯＨ基の２位または４位が水素原子であるフェノ
ール性ＯＨ基含有化合物を原料に用い、これを水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、アンモニア、テトラアルキ
ルアンモニウムヒドロキシド等の塩基性触媒の存在下で
ホルマリンと反応させることにより得られる。また、ア
ルコキシメチル基含有化合物は上記メチロール基含有化
合物をアルコール中で塩酸、硫酸、硝酸、メタンスルホ
ン酸等の酸触媒の存在下で加熱することにより得られ
る。アシロキシメチル基含有化合物は、上記メチロール
基含有化合物を塩基性触媒存在下アシルクロリドと反応
させることにより得られる。
【００６７】骨格化合物としてはフェノール性ＯＨ基の
２位または４位が未置換のフェノール化合物、ナフトー
ル、ヒドロキシアントラセン化合物、例えばフェノー
ル、ｏ−、ｍ−、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノー
ル、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、
３，５−キシレノール、ビスフェノール−Ａなどのビス
フェノール類、４，４’−ビスヒドロキシビフェニル、
ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（本州化学工業（株）製品）、ナフト
ール、ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシ
アントラセン等が使用される。
２位または４位が未置換のフェノール化合物、ナフトー
ル、ヒドロキシアントラセン化合物、例えばフェノー
ル、ｏ−、ｍ−、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノー
ル、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、
３，５−キシレノール、ビスフェノール−Ａなどのビス
フェノール類、４，４’−ビスヒドロキシビフェニル、
ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（本州化学工業（株）製品）、ナフト
ール、ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシ
アントラセン等が使用される。
【００６８】（ｃ）成分の具体例としては、例えばトリ
メチロールフェノール、トリ（メトキシメチル）フェノ
ール、トリメチロールフェノールの１〜２個のメチロー
ル基がメトキシメチル化した化合物、トリメチロール−
３−クレゾール、トリ（メトキシメチル）−３−クレゾ
ール、トリメチロール−３−クレゾールの１〜２個のメ
チロール基がメトキシメチル化した化合物、２，６−ジ
メチロール−４−クレゾール等のジメチロールクレゾー
ル、テトラメチロールビスフェノール−Ａ、テトラメト
キシメチルビスフェノール−Ａ、テトラメチロールビス
フェノール−Ａの１〜３個のメチロール基がメトキシメ
チル化した化合物、テトラメチロール−４，４’−ビス
ヒドロキシビフェニル、テトラメトキシメチル−４，
４’−ビスヒドロキシビフェニル、ＴｒｉｓＰ−ＰＡの
ヘキサメチロール体、ＴｒｉｓＰ−ＰＡのヘキサメトキ
シメチル体、ＴｒｉｓＰ−ＰＡのヘキサメチロール体の
１〜５個のメチロール基がメトキシメチル化した化合
物、ビスヒドロキシメチルナフタレンジオール等があ
る。ヒドロキシアントラセン化合物としては、例えば
１，６−ジヒドロキシメチル−２，７−ジヒドロキシア
ントラセン等が挙げられる。アシロキシメチル基含有化
合物としては、例えば上記メチロール基含有化合物のメ
チロール基を一部又は全部アシロキシメチル化した化合
物が挙げられる。
メチロールフェノール、トリ（メトキシメチル）フェノ
ール、トリメチロールフェノールの１〜２個のメチロー
ル基がメトキシメチル化した化合物、トリメチロール−
３−クレゾール、トリ（メトキシメチル）−３−クレゾ
ール、トリメチロール−３−クレゾールの１〜２個のメ
チロール基がメトキシメチル化した化合物、２，６−ジ
メチロール−４−クレゾール等のジメチロールクレゾー
ル、テトラメチロールビスフェノール−Ａ、テトラメト
キシメチルビスフェノール−Ａ、テトラメチロールビス
フェノール−Ａの１〜３個のメチロール基がメトキシメ
チル化した化合物、テトラメチロール−４，４’−ビス
ヒドロキシビフェニル、テトラメトキシメチル−４，
４’−ビスヒドロキシビフェニル、ＴｒｉｓＰ−ＰＡの
ヘキサメチロール体、ＴｒｉｓＰ−ＰＡのヘキサメトキ
シメチル体、ＴｒｉｓＰ−ＰＡのヘキサメチロール体の
１〜５個のメチロール基がメトキシメチル化した化合
物、ビスヒドロキシメチルナフタレンジオール等があ
る。ヒドロキシアントラセン化合物としては、例えば
１，６−ジヒドロキシメチル−２，７−ジヒドロキシア
ントラセン等が挙げられる。アシロキシメチル基含有化
合物としては、例えば上記メチロール基含有化合物のメ
チロール基を一部又は全部アシロキシメチル化した化合
物が挙げられる。
【００６９】これらの化合物の中で好ましいのはトリメ
チロールフェノール、ビスヒドロキシメチル−ｐ−クレ
ゾール、テトラメチロールビスフェノールＡ、Ｔｒｉｓ
Ｐ−ＰＡ（本州化学工業（株）製品）のヘキサメチロー
ルまたはそれらのメチロール基がアルコキシメチル基、
およびメチロール基とアルコキシメチル基の両方で置換
されたフェノール化合物である。これらの（ｃ）成分の
本発明の組成物中の含有量は固形分に対して２〜５０重
量％、好ましくは５〜３０重量％である。
チロールフェノール、ビスヒドロキシメチル−ｐ−クレ
ゾール、テトラメチロールビスフェノールＡ、Ｔｒｉｓ
Ｐ−ＰＡ（本州化学工業（株）製品）のヘキサメチロー
ルまたはそれらのメチロール基がアルコキシメチル基、
およびメチロール基とアルコキシメチル基の両方で置換
されたフェノール化合物である。これらの（ｃ）成分の
本発明の組成物中の含有量は固形分に対して２〜５０重
量％、好ましくは５〜３０重量％である。
【００７０】本発明の反射防止膜材料用組成物には、必
要に応じてさらなる吸光剤、接着助剤、界面活性剤を添
加することが可能である。
要に応じてさらなる吸光剤、接着助剤、界面活性剤を添
加することが可能である。
【００７１】さらなる吸光剤としては例えば、「工業用
色素の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や、染料便覧（有機
合成化学協会編）に記載の市販の吸光剤、例えば、Ｃ．
Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ １，３，４，
５，７，８，１３，２３，３１，４９，５０，５１，５
４，６０，６４，６６，６８，７９，８２，８８，９
０，９３，１０２，１１４及び１２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓ
ｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ１，５，１３，２５，２９，
３０，３１，４４，５７，７２及び７３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉ
ｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ １，５，７，１３，１７，１
９，４３，５０，５４，５８，６５，７２，７３，８
８，１１７，１３７，１４３，１９９及び２１０、Ｃ．
Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ ４３、Ｃ．Ｉ．
Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ９６、Ｃ．Ｉ．Ｆｌｕｏ
ｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈｔｅｎｉｎｇ Ａｇｅｎｔ
１１２，１３５及び１６３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｏｒａｎｇｅ ２及び４５、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｒｅｄ １，３，８，２３，２４，２５，２７及び４
９、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ １０、Ｃ．
Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｒｏｗｎ ２等を好適に用いる
ことができる。吸光剤は通常、反射防止膜材料用組成物
１００重量部に対し、５０重量部以下、好ましくは３０
重量部以下の割合で配合される。
色素の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や、染料便覧（有機
合成化学協会編）に記載の市販の吸光剤、例えば、Ｃ．
Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ １，３，４，
５，７，８，１３，２３，３１，４９，５０，５１，５
４，６０，６４，６６，６８，７９，８２，８８，９
０，９３，１０２，１１４及び１２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓ
ｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ１，５，１３，２５，２９，
３０，３１，４４，５７，７２及び７３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉ
ｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ １，５，７，１３，１７，１
９，４３，５０，５４，５８，６５，７２，７３，８
８，１１７，１３７，１４３，１９９及び２１０、Ｃ．
Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ ４３、Ｃ．Ｉ．
Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ９６、Ｃ．Ｉ．Ｆｌｕｏ
ｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈｔｅｎｉｎｇ Ａｇｅｎｔ
１１２，１３５及び１６３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｏｒａｎｇｅ ２及び４５、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ
Ｒｅｄ １，３，８，２３，２４，２５，２７及び４
９、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ １０、Ｃ．
Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｒｏｗｎ ２等を好適に用いる
ことができる。吸光剤は通常、反射防止膜材料用組成物
１００重量部に対し、５０重量部以下、好ましくは３０
重量部以下の割合で配合される。
【００７２】接着助剤は、主に、基板あるいはレジスト
と反射防止膜材料用組成物の密着性を向上させ、特にエ
ッチング工程においてレジストが剥離しないようにする
ための目的で添加される。具体例としては、トリメチル
クロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジ
フェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシ
ラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、
ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、
ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシ
シラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシ
ラン類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ′−ビス（ト
リメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルア
ミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、
ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラ
ン類、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、イン
ダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダ
ゾール、２−メルカプトベンズチアゾール、２−メルカ
プトベンズオキサゾール、ウラゾールチオウラシル、メ
ルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素
環状化合物や、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメ
チルウレア等の尿素、又はチオ尿素化合物を挙げること
ができる。
と反射防止膜材料用組成物の密着性を向上させ、特にエ
ッチング工程においてレジストが剥離しないようにする
ための目的で添加される。具体例としては、トリメチル
クロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジ
フェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシ
ラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、
ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、
ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシ
シラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシ
ラン類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ′−ビス（ト
リメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルア
ミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、
ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメト
キシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラ
ン類、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、イン
ダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダ
ゾール、２−メルカプトベンズチアゾール、２−メルカ
プトベンズオキサゾール、ウラゾールチオウラシル、メ
ルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素
環状化合物や、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメ
チルウレア等の尿素、又はチオ尿素化合物を挙げること
ができる。
【００７３】これらの接着助剤は、反射防止膜材料用組
成物１００重量部に対し、通常１０重量部未満、好まし
くは５重量部未満の割合で配合される。
成物１００重量部に対し、通常１０重量部未満、好まし
くは５重量部未満の割合で配合される。
【００７４】本発明の反射防止膜材料用組成物には、ス
トリエ−ション等の塗布性を更に向上させるために、界
面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤としては、
例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセ
チルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等
のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシ
エチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチ
レンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレン
アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシ
プロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウ
レート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノ
ステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタン
トリオレエート、ソルビタントリスアレート等のソルビ
タン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン
モノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパ
ルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステア
レート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエー
ト、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等
のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等の
ノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３
０３、ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファッ
クＦ１７１、Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、フロ
ラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８
２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０
４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフ
ッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３
４１（信越化学工業（株）製）やアクリル酸系もしくは
メタクリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７５，Ｎ
ｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）等を挙げるこ
とができる。これらの界面活性剤の内、特にフッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤が好ましい。これらの
界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１０
０重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重
量部以下である。
トリエ−ション等の塗布性を更に向上させるために、界
面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤としては、
例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセ
チルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等
のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシ
エチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチ
レンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレン
アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシ
プロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウ
レート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノ
ステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタン
トリオレエート、ソルビタントリスアレート等のソルビ
タン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン
モノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパ
ルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステア
レート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエー
ト、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等
のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等の
ノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３
０３、ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファッ
クＦ１７１、Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、フロ
ラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）
製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８
２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０
４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフ
ッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３
４１（信越化学工業（株）製）やアクリル酸系もしくは
メタクリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７５，Ｎ
ｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）等を挙げるこ
とができる。これらの界面活性剤の内、特にフッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤が好ましい。これらの
界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１０
０重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重
量部以下である。
【００７５】これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。
【００７６】本発明の反射防止膜材料用組成物を溶解さ
せる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール
メチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロ
ピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチル
エチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、
ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブ
タン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−
メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン
酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン
酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、乳酸エチル、乳酸メチル等を用いることができる。
これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上の組み合わせ
で使用される。更に、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル等
の高沸点溶剤を混合して使用することができる。
せる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチル
セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール
メチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロ
ピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチル
エチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、
２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−
２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、
ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブ
タン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−
メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン
酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン
酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、乳酸エチル、乳酸メチル等を用いることができる。
これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上の組み合わせ
で使用される。更に、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル等
の高沸点溶剤を混合して使用することができる。
【００７７】これらの溶剤の中でプロピレングリコール
メチルエーテルアセテート、３−エトキシプロピオン酸
エチル、乳酸メチルが安全性の観点で好ましい。
メチルエーテルアセテート、３−エトキシプロピオン酸
エチル、乳酸メチルが安全性の観点で好ましい。
【００７８】本発明において、反射防止膜の上に塗布さ
れるレジストとしては、ネガ，ポジ型いずれも使用出来
るが、光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度
を上昇させる基を有するバインダーからなる化学増幅型
レジスト、もしくはアルカリ可溶性バインダーと光酸発
生剤と酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を
上昇させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、
もしくは光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速
度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解し
てレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合
物からなる化学増幅型レジストが好適であり、例えば富
士ハントマイクロエレクトロニクス社製ＦＨｉ−６２０
ＢＣ，ＡＲＣＨ−２が挙げられる。
れるレジストとしては、ネガ，ポジ型いずれも使用出来
るが、光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度
を上昇させる基を有するバインダーからなる化学増幅型
レジスト、もしくはアルカリ可溶性バインダーと光酸発
生剤と酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を
上昇させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、
もしくは光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速
度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解し
てレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合
物からなる化学増幅型レジストが好適であり、例えば富
士ハントマイクロエレクトロニクス社製ＦＨｉ−６２０
ＢＣ，ＡＲＣＨ−２が挙げられる。
【００７９】本発明の反射防止膜材料用組成物を使用し
たポジ型フォトレジスト組成物の現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン
等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルア
ミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコ
ール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使
用することもできる。
たポジ型フォトレジスト組成物の現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン
等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルア
ミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエ
チルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアル
カリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記ア
ルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコ
ール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使
用することもできる。
【００８０】これらの現像液の中で好ましくは第四アン
モニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロオキシド、コリンである。
モニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロオキシド、コリンである。
【００８１】上記反射防止膜材料用組成物を精密集積回
路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／
二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明
基板等）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
よる塗布後ベークして反射防止膜材料用組成物を硬化さ
せ反射防止膜を作成する。ここで、反射防止膜の膜厚と
しては０．０１〜３．０μｍが好ましい。また塗布後ベ
ークする条件としては８０〜２５０℃で１〜１２０分間
である。その後、フォトレジストを塗布、その後所定の
マスクを通して、露光し、現像、リンス、乾燥すること
により良好なレジストを得ることができる。必要に応じ
て露光後加熱（ＰＥＢ：Post ExposureBake）を行うこ
ともできる。
路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／
二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明
基板等）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
よる塗布後ベークして反射防止膜材料用組成物を硬化さ
せ反射防止膜を作成する。ここで、反射防止膜の膜厚と
しては０．０１〜３．０μｍが好ましい。また塗布後ベ
ークする条件としては８０〜２５０℃で１〜１２０分間
である。その後、フォトレジストを塗布、その後所定の
マスクを通して、露光し、現像、リンス、乾燥すること
により良好なレジストを得ることができる。必要に応じ
て露光後加熱（ＰＥＢ：Post ExposureBake）を行うこ
ともできる。
【００８２】本発明の反射防止膜材料用組成物は、吸光
部は大きな十分な吸光係数を有しているため反射光防止
効果が高く、また吸光部に含まれる芳香環等の環状炭素
の含有率（重量分率）が小さいため、さらに吸光度を高
めるため吸光部の添加量を多くしてもドライエッチング
速度の低下が少ない。
部は大きな十分な吸光係数を有しているため反射光防止
効果が高く、また吸光部に含まれる芳香環等の環状炭素
の含有率（重量分率）が小さいため、さらに吸光度を高
めるため吸光部の添加量を多くしてもドライエッチング
速度の低下が少ない。
【００８３】
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。 合成例１ （（１０）の合成）） モノマー合成 ２−ヒドロキシエチルメタクリレート１３０ｇと２−塩
化ナフトイル１９０．５ｇをアセトン６００ｍｌに添加
した後、トリエチルアミン１０１ｇを滴下した。４０℃
で４時間反応させた後、蒸留水２リットルを添加し、沈
殿した生成物をデカンテーションにより集めた。生成物
はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。
収率７５％。 ポリマー合成 上記モノマーを１０ｇとメチルメタクリレート１０ｇを
ＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温
し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始
剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品）５０ｍｇを２
時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中
に再沈することにより粉体として回収した。得られたポ
リマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン
換算にて重量平均分子量は３４０００であった。
れらに限定されるものではない。 合成例１ （（１０）の合成）） モノマー合成 ２−ヒドロキシエチルメタクリレート１３０ｇと２−塩
化ナフトイル１９０．５ｇをアセトン６００ｍｌに添加
した後、トリエチルアミン１０１ｇを滴下した。４０℃
で４時間反応させた後、蒸留水２リットルを添加し、沈
殿した生成物をデカンテーションにより集めた。生成物
はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。
収率７５％。 ポリマー合成 上記モノマーを１０ｇとメチルメタクリレート１０ｇを
ＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温
し、同時に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始
剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品）５０ｍｇを２
時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中
に再沈することにより粉体として回収した。得られたポ
リマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン
換算にて重量平均分子量は３４０００であった。
【００８４】合成例２（（１３）の合成） モノマー合成 ２−ヒドロキシプロピルメタクリレート１４４ｇと２−
塩化ナフトイル１９０．５ｇをアセトン６００ｍｌに添
加した後、トリエチルアミン１０１ｇを滴下した。４０
℃で４時間反応させた後、蒸留水２リットルを添加し、
沈殿した生成物をデカンテーションにより集めた。生成
物はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し
た。収率８０％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇと２−ヒドロキシプロピルメタク
リレート１０ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液
を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分なが
した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製
品）５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸
留水１リットル中に再沈することにより粉体として回収
した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、
標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２５０００
であった。
塩化ナフトイル１９０．５ｇをアセトン６００ｍｌに添
加した後、トリエチルアミン１０１ｇを滴下した。４０
℃で４時間反応させた後、蒸留水２リットルを添加し、
沈殿した生成物をデカンテーションにより集めた。生成
物はシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し
た。収率８０％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇと２−ヒドロキシプロピルメタク
リレート１０ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液
を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分なが
した。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製
品）５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸
留水１リットル中に再沈することにより粉体として回収
した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、
標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２５０００
であった。
【００８５】合成例３ （（１４）の合成） モノマー合成 グリシジルメタクリレート１４２ｇと２−ナフトエ酸１
７２ｇとメトキシハイドロキノン０．５ｇをアセトン６
００ｍｌに添加した後、トリエチルアミン１０１ｇを滴
下した。７０℃で４時間反応させた後、蒸留水２リット
ルを添加し、沈殿した生成物をデカンテーションにより
集めた。生成物はシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製した。収率８０％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇとアクリロニトリル８ｇをＤＭＦ
６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時
に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤として
Ｖ−６５（和光純薬（株）製品）５０ｍｇを２時間ごと
に３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈す
ることにより粉体として回収した。得られたポリマーの
ＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて
重量平均分子量は１９０００であった。
７２ｇとメトキシハイドロキノン０．５ｇをアセトン６
００ｍｌに添加した後、トリエチルアミン１０１ｇを滴
下した。７０℃で４時間反応させた後、蒸留水２リット
ルを添加し、沈殿した生成物をデカンテーションにより
集めた。生成物はシリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製した。収率８０％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇとアクリロニトリル８ｇをＤＭＦ
６０ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時
に反応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤として
Ｖ−６５（和光純薬（株）製品）５０ｍｇを２時間ごと
に３回添加した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈す
ることにより粉体として回収した。得られたポリマーの
ＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて
重量平均分子量は１９０００であった。
【００８６】合成例４ （（１５）の合成） モノマー合成 ジエチレングリコールアクリレート１６０ｇと２−塩化
ナフトイル１９０．５ｇをアセトン６００ｍｌに添加し
た後、トリエチルアミン１０１ｇを滴下した。４０℃で
４時間反応させた後、蒸留水２リットルを添加し、沈殿
した生成物をデカンテーションにより集めた。生成物は
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。収
率８０％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇとジエチレングリコールアクリレ
ート１０ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６
５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながし
た。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品）
５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水
１リットル中に再沈することにより粉体として回収し
た。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標
準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は５２０００で
あった。
ナフトイル１９０．５ｇをアセトン６００ｍｌに添加し
た後、トリエチルアミン１０１ｇを滴下した。４０℃で
４時間反応させた後、蒸留水２リットルを添加し、沈殿
した生成物をデカンテーションにより集めた。生成物は
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。収
率８０％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇとジエチレングリコールアクリレ
ート１０ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を６
５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながし
た。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品）
５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水
１リットル中に再沈することにより粉体として回収し
た。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標
準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は５２０００で
あった。
【００８７】合成例５ （（１８）の合成） モノマー合成 ２，３−ナフタレンジカルボン酸無水物１９８ｇに５−
アミノペンタノール１０３ｇとジオキサン４００ｇを添
加し８０℃で４時間反応させた。得られたイミド体２０
０ｇをＤＭＦ５００ｇに溶かした後、塩化メタクリロイ
ル７４を添加し、そこへトリエチルアミン７２ｇを滴下
した。４０℃で４時間反応させた後、蒸留水２リットル
を添加し、析出した生成物を濾過により集めた。生成物
は酢酸エチル／ヘキサンで再結晶した。収率７２％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇと２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート１０ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を
６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながし
た。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品）
５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水
１リットル中に再沈することにより粉体として回収し
た。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標
準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４１０００で
あった。
アミノペンタノール１０３ｇとジオキサン４００ｇを添
加し８０℃で４時間反応させた。得られたイミド体２０
０ｇをＤＭＦ５００ｇに溶かした後、塩化メタクリロイ
ル７４を添加し、そこへトリエチルアミン７２ｇを滴下
した。４０℃で４時間反応させた後、蒸留水２リットル
を添加し、析出した生成物を濾過により集めた。生成物
は酢酸エチル／ヘキサンで再結晶した。収率７２％。 ポリマー合成 上記モノマーを１２ｇと２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート１０ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた後、反応液を
６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を３０分ながし
た。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬（株）製品）
５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反応物は蒸留水
１リットル中に再沈することにより粉体として回収し
た。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標
準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４１０００で
あった。
【００８８】合成例６ （（２７）の合成） 上記合成例２のモノマー合成で得られたメタクリルモノ
マー１８ｇとＮ−メチロールアクリルアミド２．５ｇと
アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１６ｇをＤＭＦ６０
ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時に反
応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤としてＶ−
６５（和光純薬（株）製品）５０ｍｇを２時間ごとに３
回添加した反応物は蒸留水１リットル中に再沈すること
により粉体として回収した。得られたポリマーのＧＰＣ
分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にで重量平
均分子量は１８０００であった。
マー１８ｇとＮ−メチロールアクリルアミド２．５ｇと
アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１６ｇをＤＭＦ６０
ｇに溶解させた後、反応液を６５℃に加温し、同時に反
応液中に窒素を３０分ながした。重合開始剤としてＶ−
６５（和光純薬（株）製品）５０ｍｇを２時間ごとに３
回添加した反応物は蒸留水１リットル中に再沈すること
により粉体として回収した。得られたポリマーのＧＰＣ
分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にで重量平
均分子量は１８０００であった。
【００８９】合成例７ （（２２）の合成） ジエチレングリコール２１．２ｇに２，３−ナフタレン
ジカルボン酸ジメチル２４．４ｇを加え、これに酢酸カ
ルシウム０．０２ｇと三酸化アンチモンを触媒として加
えた。窒素ガスを送りながら加熱し、２００℃まで昇温
させた。減圧下さらに温度を上げて過剰のジエチレング
リコールを留去し、目的のポリマーを得た。
ジカルボン酸ジメチル２４．４ｇを加え、これに酢酸カ
ルシウム０．０２ｇと三酸化アンチモンを触媒として加
えた。窒素ガスを送りながら加熱し、２００℃まで昇温
させた。減圧下さらに温度を上げて過剰のジエチレング
リコールを留去し、目的のポリマーを得た。
【００９０】比較例１の合成 ９−ヒドロキシメチルアントラセン２０８ｇ、トリエチ
ルアミン１０１ｇとハイドロキノン１ｇをＤＭＦ１リッ
トルに溶解させた。そこに塩化アクリロイル９０ｇを反
応液液温が３０℃を超えないようにして２時間かけて滴
下した。蒸留水２リットルを添加し、析出した粗結晶を
濾過により集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶
した。収率７５％。得られたアクリルモノマ−７ｇとメ
チルアクリレート１２ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた
後、反応液を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を
３０分ながした。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬
（株）製品）５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反
応物は蒸留水１リットル中に再沈することにより粉体と
して回収した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行った
ところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４
０００であった。
ルアミン１０１ｇとハイドロキノン１ｇをＤＭＦ１リッ
トルに溶解させた。そこに塩化アクリロイル９０ｇを反
応液液温が３０℃を超えないようにして２時間かけて滴
下した。蒸留水２リットルを添加し、析出した粗結晶を
濾過により集めた。粗結晶はエタノール−水にて再結晶
した。収率７５％。得られたアクリルモノマ−７ｇとメ
チルアクリレート１２ｇをＤＭＦ６０ｇに溶解させた
後、反応液を６５℃に加温し、同時に反応液中に窒素を
３０分ながした。重合開始剤としてＶ−６５（和光純薬
（株）製品）５０ｍｇを２時間ごとに３回添加した。反
応物は蒸留水１リットル中に再沈することにより粉体と
して回収した。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行った
ところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４
０００であった。
【００９１】実施例１〜６、比較例１ 合成例１〜６で得た高分子吸光剤１８ｇとへキサメトキ
シメチルメラミン２ｇをプロピオン酸エトキシエチルに
溶解させ１０％溶液とした後、孔径０．１０μｍのテフ
ロン製ミクロフィルターを用いて濾過し、反射防止膜溶
液を調製した。これをスピナーを用い、シリコンウエフ
ァー上に塗布した。真空密着式ホットプレート上で１７
０℃３分間加熱し、反射防止膜を形成した。同様にして
比較例１の合成で得たポリマーからも反射防止膜溶液を
調製した。
シメチルメラミン２ｇをプロピオン酸エトキシエチルに
溶解させ１０％溶液とした後、孔径０．１０μｍのテフ
ロン製ミクロフィルターを用いて濾過し、反射防止膜溶
液を調製した。これをスピナーを用い、シリコンウエフ
ァー上に塗布した。真空密着式ホットプレート上で１７
０℃３分間加熱し、反射防止膜を形成した。同様にして
比較例１の合成で得たポリマーからも反射防止膜溶液を
調製した。
【００９２】実施例７〜１２ 実施例１〜６のヘキサメトキシメチルメラミンに代わっ
て、ＴｒｉｓＰ−ＰＡのヘキサメチロール体（本州化学
工業（株）製品）２．０ｇを用い、実施例１〜６と同様
にして各々実施例７〜１２の反射防止膜溶液を得た。 実施例１３ 合成例７で得たポリマー５ｇにヘキサメトキシメチルメ
ラミン３ｇを加え、これらを乳酸エチルに溶解させ、１
０％溶液として実施例１〜６と同様にして各々実施例１
３の反射防止膜溶液を得た。
て、ＴｒｉｓＰ−ＰＡのヘキサメチロール体（本州化学
工業（株）製品）２．０ｇを用い、実施例１〜６と同様
にして各々実施例７〜１２の反射防止膜溶液を得た。 実施例１３ 合成例７で得たポリマー５ｇにヘキサメトキシメチルメ
ラミン３ｇを加え、これらを乳酸エチルに溶解させ、１
０％溶液として実施例１〜６と同様にして各々実施例１
３の反射防止膜溶液を得た。
【００９３】実施例１〜１３及び比較例１の反射防止膜
溶液は孔径０．１０μｍのテフロン製ミクロフィルター
を用いて濾過した後、これをスピナーを用い、シリコン
ウエファー上に塗布した。真空密着式ホットプレート上
で１７０℃３分間加熱し、反射防止膜を形成した。上記
反射防止膜の膜厚は全て０．１７μｍにそろえた。つい
でこれらの反射防止膜をレジストに使用する塗布溶剤例
えばγ−ブチロラクトン、プロピオン酸エトキシエチル
に浸漬し、その溶剤に不溶である事を確認した。
溶液は孔径０．１０μｍのテフロン製ミクロフィルター
を用いて濾過した後、これをスピナーを用い、シリコン
ウエファー上に塗布した。真空密着式ホットプレート上
で１７０℃３分間加熱し、反射防止膜を形成した。上記
反射防止膜の膜厚は全て０．１７μｍにそろえた。つい
でこれらの反射防止膜をレジストに使用する塗布溶剤例
えばγ−ブチロラクトン、プロピオン酸エトキシエチル
に浸漬し、その溶剤に不溶である事を確認した。
【００９４】得られた反射防止膜上にＫｒＦエキシマー
レーザー用ポジ型フォトレジストとしてＡＲＣＨ−２
（フジハントエレクトロニクステクノロジー（株）製
品）を塗布した後（膜厚０．８５μｍ）、縮小投影露光
装置（ニコン（株）製ＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ）を用い
露光し後、露光後加熱として、１１０℃で６０秒処理し
た後、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で１分間現像し、３０秒間乾燥した。このよ
うにして得られたシリコンウエファー上のレジストパタ
ーンを走査型電子顕微鏡で観察して、限界解像力および
膜厚依存性を調べた。また２４８ｎｍの膜吸光度とドラ
イエッチ速度も評価した。ここで、２４８ｎｍの膜吸光
度は石英板上に反射防止膜材料用組成物を塗布、加熱乾
燥して膜を形成し、それを（株）島津製作所製分光光度
計ＵＶ−２４０により測定した。限界解像力は膜厚０．
８５μｍにおいて、０．５０μｍのマスクパターンを再
現する露光量における限界解像力を意味する。膜厚依存
性はレジスト膜厚０．８５μｍにおける感度と膜厚０．
８７μｍにおける感度の比により評価した。この値が
１．０に近い程好ましい。ドライエッチ速度は日本真空
技術（株）製ＣＳＥ−１１１０によりＣＦ4 ／Ｏ 2 条件
下で測定した。
レーザー用ポジ型フォトレジストとしてＡＲＣＨ−２
（フジハントエレクトロニクステクノロジー（株）製
品）を塗布した後（膜厚０．８５μｍ）、縮小投影露光
装置（ニコン（株）製ＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ）を用い
露光し後、露光後加熱として、１１０℃で６０秒処理し
た後、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で１分間現像し、３０秒間乾燥した。このよ
うにして得られたシリコンウエファー上のレジストパタ
ーンを走査型電子顕微鏡で観察して、限界解像力および
膜厚依存性を調べた。また２４８ｎｍの膜吸光度とドラ
イエッチ速度も評価した。ここで、２４８ｎｍの膜吸光
度は石英板上に反射防止膜材料用組成物を塗布、加熱乾
燥して膜を形成し、それを（株）島津製作所製分光光度
計ＵＶ−２４０により測定した。限界解像力は膜厚０．
８５μｍにおいて、０．５０μｍのマスクパターンを再
現する露光量における限界解像力を意味する。膜厚依存
性はレジスト膜厚０．８５μｍにおける感度と膜厚０．
８７μｍにおける感度の比により評価した。この値が
１．０に近い程好ましい。ドライエッチ速度は日本真空
技術（株）製ＣＳＥ−１１１０によりＣＦ4 ／Ｏ 2 条件
下で測定した。
【００９５】評価の結果を下記表１に示した。これによ
り本発明の反射防止膜材料用組成物は膜吸光度が高く、
フォトレジストの限界解像力向上、および基板からの反
射光低減による定在波起因の感度の膜依存性が低減して
いるのがわかる。
り本発明の反射防止膜材料用組成物は膜吸光度が高く、
フォトレジストの限界解像力向上、および基板からの反
射光低減による定在波起因の感度の膜依存性が低減して
いるのがわかる。
【００９６】
【表１】
【００９７】
【発明の効果】本発明は、ドライエッチング速度が大き
くかつ２４８ｎｍにおける吸光度が大きい特定の構造を
有するナフタレン基含有ポリマーを有する反射防止膜材
料用組成物により、ドライエッチング速度が大きく高解
像力およびレジスト膜厚依存性に優れた反射防止膜材料
用組成物および画像形成法を提供する。
くかつ２４８ｎｍにおける吸光度が大きい特定の構造を
有するナフタレン基含有ポリマーを有する反射防止膜材
料用組成物により、ドライエッチング速度が大きく高解
像力およびレジスト膜厚依存性に優れた反射防止膜材料
用組成物および画像形成法を提供する。
Claims (12)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示
される構造を側鎖に有する高分子化合物を含むことを特
徴とする反射防止膜材料用組成物。 【化１】 【化２】 式（Ｉ）あるいは（II）において、Ｗは高分子主鎖への
連結基を表し、Ｙは酸素原子、イオウ原子または＝Ｎ−
Ｖを表し、Ｚ1 、Ｚ2 は同一でも異なってもよく電子供
与性基を表し、ｍは０〜２、ｎは０〜３の整数を表す。
ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同じでも
異なっていてもよい。Ｖは−ＯＨ、−ＮＨ2 または炭素
数１〜２０の直鎖、分岐、環状のいずれでもよいアルキ
ル基（これらは置換基を有していてもよい）、置換基を
有していてもよい炭素数５〜１４の芳香環基あるいはヘ
テロ芳香環基、または炭素数１〜２０のアルコキシ基を
表す。 - 【請求項２】 下記一般式(III）又は一般式（IV）で示
される構造を、繰り返し単位の一部として主鎖または側
鎖に有する高分子化合物を含むことを特徴とする反射防
止膜材料用組成物。 【化３】 【化４】 式(III）あるいは（IV）において、Ｙは酸素原子、イオ
ウ原子または＝Ｎ−Ｖを表し、Ｚ1 、Ｚ2 は同一でも異
なってもよく電子供与性基を表し、ｍは０〜２、ｎは０
〜３の整数を表す。ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2
はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｖは−ＯＨ、
−ＮＨ2 または炭素数１〜２０の直鎖、分岐、環状のい
ずれでもよいアルキル基（これらは置換基を有していて
もよい）、置換基を有していてもよい炭素数５〜１４の
芳香環基あるいはヘテロ芳香環基、または炭素数１〜２
０のアルコキシ基を表す。 - 【請求項３】 一般式（Ｖ）又は一般式（VI）で示され
る構造の繰り返し単位を有する高分子化合物を含むこと
を特徴とする反射防止膜材料用組成物。 【化５】 【化６】 式（Ｖ）あるいは（VI）において、Ｒ1 は水素原子、メ
チル基、塩素原子、臭素原子、シアノ基を表す。Ｘは２
価の連結基を表す。Ｙ、Ｚ1 、Ｚ2 、ｍ、ｎは請求項１
に記載のものと同義である。ｍ、ｎが２〜３の場合、Ｚ
1 、Ｚ2 はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。 - 【請求項４】 前記一般式（Ｖ）又は一般式（VI）にお
いて、Ｚ1 、Ｚ2 が各々−ＯＨ、−ＯＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ
6 又は−ＳＲ4 から選ばれた基であることを特徴とする
請求項３に記載の反射防止膜材料用組成物。（ここで、
Ｒ4 は炭素数が１から２０までの炭化水素基を表す。ま
たＲ5 、Ｒ6は各々同じでも異っていてもよく、水素原
子、炭素数が１から２０までの炭化水素基を表す。） - 【請求項５】 下記（ａ）（ｂ）を含有する事を特徴と
する反射防止膜材料用組成物。 （ａ）請求項１に記載の一般式（Ｉ）又は一般式（II）
で示される構造を有する高分子化合物。 （ｂ）メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシ
メチル基から選ばれた少なくとも一つの置換基で置換さ
れたメラミン、グアナミン、グリコールウリルもしくは
ウレア化合物。 - 【請求項６】 一般式（Ｉ）又は一般式（II）におい
て、Ｗが単結合、置換基を有していてもよいアルキレン
基、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を
有していてもよいアラルキレン基から選ばれた基を含む
連結基であり（Ｗはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯ
ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上有し
ていてもよい。）、Ｚ1 、Ｚ2 が−ＯＨ、−ＯＲ4 、−
ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 から選ばれた基であることを特徴
とする請求項５に記載の反射防膜材料用組成物。（ｍ、
ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同じであって
も異っていてもよい。Ｒ4 は炭素数が１〜２０の炭化水
素基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々同じでも異っていてもよ
く、水素原子、炭素数が１〜２０の炭化水素基を表
す。） - 【請求項７】 下記（ａ）（ｃ）を含有する事を特徴と
する反射防止膜材料用組成物。 （ａ）請求項１に記載の一般式（Ｉ）又は一般式（II）
で示される構造を有する高分子化合物。 （ｃ）メチロール基、アルコキシメチル基またはアシロ
キシメチル基から選ばれた基よって２つ以上置換された
フェノールまたはナフトールまたはヒドロキシアントラ
セン化合物。 - 【請求項８】 一般式（Ｉ）又は一般式（II）におい
て、Ｗが単結合、置換基を有していてもよいアルキレン
基、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を
有していてもよいアラルキレン基から選ばれた基を含む
連結基であり（Ｗはいずれも途中に−ＣＯ2 −、−ＣＯ
ＮＨ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −を１つ以上有し
ていてもよい。）、Ｚ1 、Ｚ2 が−ＯＨ、−ＯＲ4 、−
ＳＲ4 、−ＮＲ5 Ｒ6 から選ばれた基であることを特徴
とする請求項７に記載の反射防膜材料用組成物。（ｍ、
ｎが２〜３の場合、Ｚ1 、Ｚ2 はそれぞれ同じであって
も異っていてもよい。Ｒ4 は炭素数が１〜２０の炭化水
素基を表し、Ｒ5 、Ｒ6 は各々同じでも異っていてもよ
く、水素原子、炭素数が１〜２０の炭化水素基を表
す。） - 【請求項９】 前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で示
される構造を有する高分子化合物中に、下記一般式（VI
I)で示される繰り返し構造単位を２重量％〜５０重量％
含有することを特徴とする請求項１に記載の反射防止膜
材料用組成物。 【化７】 式中、Ｒ2 は水素原子、メチル基、塩素原子、臭素原
子、シアノ基を表し、Ａは末端に−ＣＨ2 ＯＨ基、−Ｃ
Ｈ2 ＯＲ4 基又は−ＣＨ2 ＯＣＯＣＨ3 基を有する有機
官能基を表す。Ｒ4 は炭素数が１から２０までの炭化水
素基を表す。 - 【請求項１０】 一般式（VII)において、Ａが−ＣＯＮ
ＨＣＨ2 ＯＨ、−ＣＯＮＨＣＨ2 ＯＣＨ3 、−Ｃ6 Ｈ4
ＣＨ2 ＯＨ、−Ｃ6 Ｈ4 ＣＨ2 ＯＣＨ3 又は−ＣＯＮＨ
Ｃ（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＯＣＨ3 とホルマリンとの反応で
得られた基であることを特徴とする請求項９に記載の反
射防止膜材料用組成物。 - 【請求項１１】 前記一般式（Ｉ）又は一般式（II）で
示される構造を有する高分子化合物中に、下記一般式
（VIII）で示される繰り返し構造単位を２重量％〜３０
重量％含有することを特徴とする請求項１に記載の反射
防止膜材料用組成物。 【化８】 式中、Ｒ2 は上記請求項９に記載のＲ2 と同義であり、
Ｂは末端にエポキシ基を有する有機官能基を表す。 - 【請求項１２】 上記請求項１〜１１のいずれか１項に
記載の反射防止膜材料用組成物を使用することを特徴と
するレジストパターン形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34373896A JP3632875B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 反射防止膜材料用組成物 |
| US08/997,393 US6165684A (en) | 1996-12-24 | 1997-12-23 | Bottom anti-reflective coating material composition and method for forming resist pattern using the same |
| DE69707635T DE69707635T2 (de) | 1996-12-24 | 1997-12-23 | Zusammensetzung für Antireflexunterschichten und Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters damit |
| EP97122819A EP0851300B1 (en) | 1996-12-24 | 1997-12-23 | Bottom anti-reflective coating material composition and method of forming resist pattern using the same |
| KR1019970073784A KR100522798B1 (ko) | 1996-12-24 | 1997-12-24 | 반사방지막재료용조성물및그것을이용한레지스트패턴형성방법 |
| US09/615,708 US6808869B1 (en) | 1996-12-24 | 2000-07-13 | Bottom anti-reflective coating material composition and method for forming resist pattern using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34373896A JP3632875B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 反射防止膜材料用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186671A true JPH10186671A (ja) | 1998-07-14 |
| JP3632875B2 JP3632875B2 (ja) | 2005-03-23 |
Family
ID=18363872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34373896A Expired - Fee Related JP3632875B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 反射防止膜材料用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3632875B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006003850A1 (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ハロゲン原子を有するナフタレン環を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| WO2006077748A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| US7309560B2 (en) | 2002-02-19 | 2007-12-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming anti-reflective coating |
| US7425399B2 (en) | 2002-10-09 | 2008-09-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming anti-reflective coating for use in lithography |
| US7501229B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-03-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Anti-reflective coating containing sulfur atom |
| JP2009104165A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-05-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 上塗りされたフォトレジストとともに使用されるコーティング組成物 |
| JP2010085912A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法 |
| JP2010085893A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板及びパターン形成方法 |
| WO2012105648A1 (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | 日産化学工業株式会社 | 非感光性レジスト下層膜形成組成物 |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP34373896A patent/JP3632875B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4667509B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-04-13 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 上塗りされたフォトレジストとともに使用されるコーティング組成物 |
| JP2009104165A (ja) * | 2001-09-26 | 2009-05-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 上塗りされたフォトレジストとともに使用されるコーティング組成物 |
| US7309560B2 (en) | 2002-02-19 | 2007-12-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming anti-reflective coating |
| US7425399B2 (en) | 2002-10-09 | 2008-09-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming anti-reflective coating for use in lithography |
| US7501229B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-03-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Anti-reflective coating containing sulfur atom |
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