JPH10186659A - ポジ型感光性ポリマー樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安全かつ簡便な工程で、基板等との接着性に
優れた微細なポリイミド膜パターンを形成し得るポジ型
感光性ポリマー樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 加熱により脱水環化する熱硬化性ポリマ
ー樹脂前駆体と、光照射により熱硬化促進能を失活する
感光性熱硬化促進剤とを含有するポジ型感光性ポリマー
樹脂組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子部品の絶
縁膜、保護膜、α線遮断膜、光導波路などのパターン形
成に好適に用いられるポジ型感光性ポリマー樹脂組成
物、これを用いたパターン形成方法、およびパターン形
成して得られたポリマー樹脂膜を絶縁部材、保護膜部材
等として有する電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置においては、素子を外部環境
の影響から保護し、その信頼性を高める目的で、素子が
形成された半導体基板表面にパッシベーション膜と称さ
れる保護膜が設けられている。一般に、このような保護
膜の材料としては、絶縁性などの電気特性、耐放射線
性、環境安定性および耐熱性に優れたポリイミド樹脂が
広く用いられている。また、半導体装置のα線遮断膜、
多層配線構造素子や多層積層構造素子（マルチチップモ
ジュール）における層間絶縁膜としても、前述のような
特性に優れたポリイミド樹脂が広く使用されている。

【０００３】このようなポリイミド樹脂は、その前駆体
であるポリアミド酸から容易に膜状に形成することがで
きる。すなわち、まずポリアミド酸のワニスを所定の基
板等の表面に塗布し、これを低温で加熱することによっ
てポリアミド酸の膜を形成する。さらに、この膜を高温
で加熱処理して前駆体であるポリアミド酸を脱水環化反
応により硬化させて、ポリイミド膜を形成する。この方
法を用いることによって、各種有機溶媒に不溶または難
溶であるとともに、軟化点が高いために加工が困難なポ
リイミド樹脂の膜を容易に形成することができる。した
がって、ポリイミド膜の形成には、前述の方法が広く用
いられている。

【０００４】一方、半導体装置においては、多層配線構
造におけるスルーホール、および外部リードとの導通を
行なうためのパッド加工などが必要とされる。このため
には、保護膜または層間絶縁膜として上述のように形成
されたポリイミド膜をパターニングして、所定のパター
ン構造を有する穴や溝を形成しなければならない。通
常、ポリイミド膜のパターニングは、フォトレジストを
使用したＰＥＰ（ｐｈｏｔｏ−ｅｎｇｒａｖｉｎｇ ｐ
ｒｏｃｅｓｓ）によって行なわれている。すなわち、素
子が形成された半導体基板表面上に上述した方法により
ポリイミド膜を形成した後、その表面にさらにフォトレ
ジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に対し露光・
現像処理を施してレジストパターンを得る。次いで、こ
のレジストパターンを耐エッチングマスクとして、下地
のポリイミド膜の選択エッチングを行なうことにより、
所望のパターンを有するポリイミド保護膜または層間絶
縁膜などを形成する。

【０００５】しかしながら、上述したような方法により
ポリイミド膜パターンを形成する場合には、ポリイミド
膜の形成工程とパターン形成のためのＰＥＰ工程との独
立した２つの工程が必要であり、作業の煩雑化が避けら
れない。

【０００６】そこで、このような工程面での欠点を解消
するために、ＰＥＰを使用せずにポリイミド膜のパター
ニングを行なうことが求められており、ポリイミド前駆
体を含む樹脂組成物がこれまでに開示されている。

【０００７】例えば、特開昭４９−１１５５４１号公報
には、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の合成過程
において通常使用されるテトラカルボン酸二無水物の代
わりに、光重合性を有する基をエステル結合により導入
したテトラカルボン酸ジエステルジクロリドと、ジアミ
ノ化合物とを反応させて得られるポリアミド酸エステル
が開示されている。このポリアミド酸エステルは、それ
自体が光照射によって露光部分が現像液に対して不溶化
するというネガ型の感光性能を有している。このため、
ポリイミド膜の形成中にパターニングを行なうことが可
能となり、従来のＰＥＰを使用することなく、パターン
化されたポリイミド膜を得ることができる。

【０００８】しかしながら、ポリアミド酸エステルの原
料である光重合性基を有するテトラカルボン酸ジエステ
ルジクロリドの合成プロセス、およびポリアミド酸エス
テルの合成プロセスは非常に煩雑である。また、最終生
成樹脂中には、不純物として塩素イオンが含まれてしま
う。さらに、ポリアミド酸エステルからなる膜を現像す
る際には、現像液として有機溶剤を使用するため、製造
ラインにおいては多量の有機溶剤が必要となり、安全
面、衛生面および環境面において好ましくない。しか
も、有機溶剤で現像することによって、得られるポリイ
ミド膜パターンが膨潤してしまい、解像力が低下すると
いう問題も有している。

【０００９】また、特公昭５９−５２８２２号公報に
は、前述と同様のネガ型の感光性樹脂組成物として、化
学線により二量化または重合可能な炭素−炭素二重結合
とアミノ基とを有する化合物を含有した耐熱性感光材料
が開示されている。

【００１０】この感光材料は、樹脂封止型半導体装置な
どにおいて保護膜として使用した場合、半導体基板、基
板表面の無機材料からなる保護膜、または封止樹脂との
密着性が十分ではない。このため、得られる半導体装置
の信頼性が損なわれるといった問題が生ずる。加えて、
かかる感光材料は、上述したポリアミド酸エステルと同
様に、現像液として有機溶剤を使用しなければならず、
安全面等において好ましくない。

【００１１】さらに特開昭６０−６３６５号公報には、
ポリアミド酸のカルボキシ基に、塩としてメタクリル酸
（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ）アルキルエステルを付加
させた感光性樹脂組成物が開示されているが、この感光
性樹脂組成物は、使用される溶媒に対して溶解性が悪い
という欠点を有している。

【００１２】一方、特開昭６２−１４５２４０号公報に
は、イソイミド構造を有する重合体が開示されている。
この重合体は前述した組成物とは逆に、光が照射された
露光部分が現像液に対して可溶化するというポジ型の感
光性能を有するものである。ポジ型の感光性能を有して
いるので、この重合体はアルカリ現像液によって現像可
能であるものの、耐熱性が悪く、露光感度も悪いという
欠点を有しており、半導体装置における保護膜として使
用するには問題がある。

【００１３】上述と同様のポジ型の感光性能を有する感
光性樹脂組成物としては、芳香環に水酸基を有するジア
ミン化合物と酸無水物とから合成される溶媒可溶性ポリ
イミドに、感光剤としてのｏ−キノンジアジド化合物を
配合してなる組成物が開示されている（特開昭６４−６
０６３０号公報）。また、同様の感光性樹脂組成物とし
て、感光剤としてキノンジアジドを含有した組成物（特
開昭５２−１３３１５号公報および特開昭６２−１３５
８２４号公報）や、感光剤としてｏ−ニトロベンジルエ
ステル基を有する組成物（特開昭６０−３７５５０号公
報）が開示されている。

【００１４】これらの感光性樹脂組成物は、アルカリ現
像液によって現像処理ができるため、前述したネガ型の
感光性樹脂組成物のような有機溶剤使用による問題は解
消される。しかしながら、現像工程において、露光部分
と未露光部分との間のアルカリ現像液に対する溶解性の
差が充分でないために解像度が低く、微細なパターンを
形成することが困難である。また、樹脂の主成分である
ポリマーが構造的に制限されるため、各種の半導体装置
において使用されるシリコンウエハー、ガラス基板、セ
ラミック基板、封止樹脂、金属などとの接着性が劣ると
いう欠点を有している。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】このように、電気特
性、耐放射線性、および耐熱性等に優れたポリイミド樹
脂は、半導体装置の保護膜や層間絶縁膜として好ましい
材料であるものの、安全かつ簡便な工程で、基板等との
接着性に優れた微細なポリイミド膜パターンが得られる
感光性樹脂組成物は未だ得られていない。

【００１６】本発明は前記問題点を鑑みてなされたもの
であり、その課題とするところは、上述したような従来
の欠点を解決し、フォトレジストを別途使用することな
くポリイミド膜パターンを形成し得るポジ型感光性ポリ
マー樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、およ
びパターンを形成して得られたポリマー樹脂膜を有する
電子部品を提供することにある。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上記課題を解決するた
めに、本発明は、加熱により脱水環化する熱硬化性ポリ
マー樹脂前駆体と、光照射により熱硬化促進能を失活す
る感光性熱硬化促進剤とを含有するポジ型感光性ポリマ
ー樹脂組成物を提供する。

【００１８】また本発明は、前述のポジ型感光性ポリマ
ー樹脂組成物を基板表面に塗布し、１８０℃以下の温度
で加熱乾燥して樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の
所定の領域に光を照射して露光を施す工程と、前記露光
後の樹脂層を５０〜２００℃の温度で熱処理する工程
と、熱処理後の樹脂層の露光部を現像液により溶解除去
して現像処理する工程とを具備するパターン形成方法を
提供する。

【００１９】さらに本発明は、前述のポジ型感光性ポリ
マー樹脂組成物を含む層をパターニングして得られたポ
リマー樹脂膜を、絶縁部材、保護部材、光学部材または
液晶配向膜として具備することを特徴とする電子部品を
提供する。

【００２０】以下、本発明を詳細に説明する。

【００２１】本発明のポジ型感光性ポリマー樹脂組成物
において、加熱により脱水環化して硬化する熱硬化性ポ
リマー樹脂前駆体としては、ポリイミド前駆体、ポリベ
ンゾオキサゾール前駆体、ポリベンゾチアゾール前駆
体、ポリベンゾイミダゾール前駆体、ポリベンゾキナゾ
リンジオン前駆体、およびポリベンゾオキサジアゾール
前駆体などが挙げられる。特に好ましくは、下記一般式
（１）で表わされる繰り返し単位を有するポリイミド前
駆体（ポリアミド酸）が挙げられる。

【００２２】

【化５】

【００２３】（上記一般式（１）中、φは４価の有機基
であり、Ψは２価の有機基を示す。） 前述の一般式（１）で表わされるポリアミド酸は、下記
一般式（４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物
と、下記一般式（５）で表わされるジアミン化合物成分
とを有機溶媒中で反応させることにより合成することが
できる。

【００２４】

【化６】

【００２５】（上記一般式（４）中、φは４価の有機基
を示す。）

【化７】

【００２６】（上記一般式（５）中、Ψは２価の有機基
を示す。） 前記一般式（４）で表わされるテトラカルボン酸二無水
物において、４価の有機基φは、炭素数１〜３０の脂肪
族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基お
よび複素環基、ならびに脂肪族炭化水素基、脂環式炭化
水素基、芳香族炭化水素基または複素環基が直接または
架橋基により相互に連結された多環式化合物基からなる
群から選択される。

【００２７】一般式（４）で表わされるテトラカルボン
酸二無水物の具体例としては、例えばピロメリト酸二無
水物、３−フルオロピロメリト酸二無水物、３，６−ジ
フルオロピロメリト酸二無水物、３−（トリフルオロメ
チル）ピロメリト酸二無水物、３，６−ビス（トリフル
オロメチル）ピロメリト酸二無水物、１，２，３，４−
ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、３，３”，４，４”−テルフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３”’，４，４”’−クァテ
ルフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３””，
４，４””−キンクフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、
１，１−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、
２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水
物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水
物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無
水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸
二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタ
ル酸二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオ
ロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無
水物、ジフルオロメチレン−４，４’−ジフタル酸二無
水物、１，１，２，２−テトラフルオロ−１，２−エチ
レン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，
２，３，３−ヘキサフルオロ−１，３−トリメチレン−
４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，３，
３，４，４−オクタフルオロ−１，４−テトラメチレン
−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，
３，３，４，４，５，５−デカフルオロ−１，５−ペン
タメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、オキシ−
４，４’−ジフタル酸二無水物、チオ−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二
無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−ビス
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水
物、１，３−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、１，４−ビス
［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロピ
ル］ベンゼン二無水物、ビス［３−（３，４−ジカルボ
キシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス［４
−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］メタ
ン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−ジカルボキ
シフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、２，２−
ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニ
ル］プロパン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−
ジカルボキシフェノキシ）フェニル］−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２
−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロ
パン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン二無水物、２，３，６，７−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ア
ントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８
−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、エチレン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカ
ルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，３，４−
テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，
４，５−テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，
４’−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、カ
ルボニル−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−
ジカルボン酸）二無水物、メチレン−４，４’−ビス
（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、
１，２−エチレン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−
１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，１−エチリデン
−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボ
ン酸）二無水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ビ
ス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水
物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２
−プロピリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−
１，２−ジカルボン酸）二無水物、オキシ−４，４’−
ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水
物、チオ−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−
ジカルボン酸）二無水物、スルホニル−４，４’−ビス
（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、
２，２’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、５，５’−ジフルオロ−
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、６，６’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，
５’，６，６’−ヘキサフルオロ−３，３’，４，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ビ
ス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’−ビス（ト
リフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、６，６´−ビス（トリフル
オロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、２，２’，５，５’−テトラキス
（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−
テトラキス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，
５’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、２，２’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（ト
リフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、オキシ−４，４’−ビス
（３−フルオロフタル酸）二無水物、オキシ−４，４’
−ビス（５−フルオロフタル酸）二無水物、オキシ−
４，４’−ビス（６−フルオロフタル酸）二無水物、オ
キシ−４，４’−ビス（３，５，６−トリフルオロフタ
ル酸）二無水物、オキシ−４，４’−ビス［３−（トリ
フルオロメチル）フタル酸］二無水物、オキシ−４，
４’−ビス［５−（トリフルオロメチル）フタル酸］二
無水物、オキシ−４，４’−ビス［６−（トリフルオロ
メチル）フタル酸］二無水物、オキシ−４，４’−ビス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フタル酸］二無
水物、オキシ−４，４’−ビス［３，６−ビス（トリフ
ルオロメチル）フタル酸］二無水物、オキシ−４，４’
−ビス［５，６−ビス（トリフルオロメチル）フタル
酸］二無水物、オキシ−４，４’−ビス［３，５，６−
トリス（トリフルオロメチル）フタル酸］二無水物、ス
ルホニル−４，４’−ビス（３−フルオロフタル酸）二
無水物、スルホニル−４，４’−ビス（５−フルオロフ
タル酸）二無水物、スルホニル−４，４’−ビス（６−
フルオロフタル酸）二無水物、スルホニル−４，４’−
ビス（３，５，６−トリフルオロフタル酸）二無水物、
スルホニル−４，４’−ビス［３−（トリフルオロメチ
ル）フタル酸］二無水物、スルホニル−４，４’−ビス
［５−（トリフルオロメチル）フタル酸］二無水物、ス
ルホニル−４，４’−ビス［６−（トリフルオロメチ
ル）フタル酸］二無水物、スルホニル−４，４’−ビス
［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フタル酸］二無
水物、スルホニル−４，４’−ビス［３，６−ビス（ト
リフルオロメチル）フタル酸］二無水物、スルホニル−
４，４’−ビス［５，６−ビス（トリフルオロメチル）
フタル酸］二無水物、スルホニル−４，４’−ビス
［３，５，６−トリス（トリフルオロメチル）フタル
酸］二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオ
ロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス（３−フル
オロフタル酸）二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス
（５−フルオロフタル酸）二無水物、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン−４，
４’−ビス（６−フルオロフタル酸）二無水物、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピ
リデン−４，４’−ビス（３，５，６−トリフルオロフ
タル酸）二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフ
ルオロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス［３−
（トリフルオロメチル）フタル酸］二無水物、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデ
ン−４，４’−ビス［５−（トリフルオロメチル）フタ
ル酸］二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス［６−
（トリフルオロメチル）フタル酸］二無水物、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデ
ン−４，４’−ビス［３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）フタル酸］二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス
［３，６−ビス（トリフルオロメチル）フタル酸］二無
水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，
２−プロピリデン−４，４’−ビス［５，６−ビス（ト
リフルオロメチル）フタル酸］二無水物、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン−
４，４’−ビス［３，５，６−トリス（トリフルオロメ
チル）フタル酸］二無水物、９−フェニル−９−（トリ
フルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラ
カルボン酸二無水物、９，９−ビス（トリフルオロメチ
ル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二
無水物およびビシクロ［２，２，２］オクト−７−エン
−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物などが挙
げられる。

【００２８】これらのテトラカルボン酸二無水物は単独
で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。テ
トラカルボン酸二無水物は、全酸無水物成分のうち０．
８モル当量以上、好ましくは０．９モル当量以上用いら
れる。この理由は、テトラカルボン酸二無水物の配合量
が少なすぎる場合には、得られるポリイミドの耐熱性が
低下するためである。

【００２９】前記一般式（５）で表わされるジアミン化
合物において、２価の有機基Ψは、炭素数１〜３０の脂
肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基
および複素環基、ならびに脂肪族炭化水素基、脂環式炭
化水基、芳香族炭化水素基または複素環基が直接または
架橋基により相互に連結された多環式化合物基からなる
群より選択される。

【００３０】一般式（５）で表わされるジアミン化合物
の具体例としては、例えば１，２−フェニレンジアミ
ン、１，３−フェニレンジアミン、１，４−フェニレン
ジアミン、３，３’−ジアミノビフェニル、３，４’−
ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノビフェニル、
３，３”−ジアミノテルフェニル、４，４”−ジアミノ
テルフェニル、３，３”’−ジアミノクァテルフェニ
ル、４，４”’−ジアミノクァテルフェニル、３，
３””−ジアミノキンクフェニル、４，４””−ジアミ
ノキンクフェニル、オキシ−３，３’−ジアニリン、オ
キシ−４，４’−ジアニリン、チオ−３，３’−ジアニ
リン、チオ−４，４’−ジアニリン、スルホニル−３，
３’−ジアニリン、スルホニル−４，４’−ジアニリ
ン、メチレン−３，３’−ジアニリン、メチレン−４，
４’−ジアニリン、１，２−エチレン−３，３’−ジア
ニリン、１，１−エチリデン−３，３’−ジアニリン、
１，１−エチリデン−４，４’−ジアニリン、１，３−
プロピレン−３，３’−ジアニリン、１，３−プロピレ
ン−４，４’−ジアニリン、１，２−エチレン−４，
４’−ジアニリン、２，２−プロピリデン−３，３’−
ジアニリン、２，２−プロピリデン−４，４’−ジアニ
リン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，
２−プロピリデン−３，３’−ジアニリン、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデ
ン−４，４’−ジアニリン、１，１，２，２，３，３−
ヘキサフルオロ−１，３−プロピレン−３，３’−ジア
ニリン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロ−
１，３−プロピレン−４，４’−ジアニリン、１，３−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３
−アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，３−ビス（４−
アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，３−ビス（３−ア
ミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，３−ビス（４
−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，３−ビス
［２−（３−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼ
ン、１，３−ビス［２−（４−アミノフェニル）−２−
プロピル］ベンゼン、１，３−ビス［２−（３−アミノ
フェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２−プロピル］ベンゼン、１，３−ビス［２−（４−
アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフ
ルオロ−２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス（３−
アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフ
ェニルチオ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェ
ニルチオ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニ
ルスルホニル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフ
ェニルスルホニル）ベンゼン、１，４−ビス［２−（３
−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、４，
４’−ビス（３−アミノフェノシ）ビフェニル、４，
４’−ビス（４−アミノフェノシ）ビフェニル、ビス
［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテ
ル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルホン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，４−ビス
［２−（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼ
ン、１，４−ビス［２−（３−アミノフェニル）−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル］
ベンゼン、１，４−ビス［２−（４−アミノフェニル）
−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロ
ピル］ベンゼン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキ
サフルオロプロパン、５−フルオロ−１，３−フェニレ
ンジアミン、２−フルオロ−１，４−フェニレンジアミ
ン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンジアミ
ン、２，４，５，６−ヘキサフルオロ−１，３−フェニ
レンジアミン、２，３，５，６−ヘキサフルオロ−１，
４−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノ−５，
５’−ジフルオロビフェニル、４，４’−ジアミノ−
２，２’−ジフルオロビフェニル、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジフルオロビフェニル、３，３’−ジアミ
ノ−２，２’，４，４’，５，５’，６，６’−オクタ
フルオロビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’，
３，３’，５，５’，６，６’−オクタフルオロビフェ
ニル、オキシ−５，５’−ビス（３−フルオロアニリ
ン）、オキシ−４，４’−ビス（２−フルオロアニリ
ン）、オキシ−４，４’−ビス（３−フルオロアニリ
ン）、スルホニル−５，５’−ビス（３−フルオロアニ
リン）、スルホニル−４，４’−ビス（２−フルオロア
ニリン）、スルホニル−４，４’−ビス（３−フルオロ
アニリン）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−
５−フルオロベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−５
−フルオロフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−
アミノ−５−フルオロフェノキシ）−５−フルオロベン
ゼン、５−（トリフルオロメチル）−１，３−フェニレ
ンジアミン、２−（トリフルオロメチル）−１，４−フ
ェニレンジアミン、２，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）−１，４−フェニレンジアミン、２，２’−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’
−ジアミノビフェニル、オキシ−５，５’−ビス［３−
（トリフルオロメチル）アニリン］、オキシ−４，４’
−ビス［２−（トリフルオロメチル）アニリン］、オキ
シ−４，４’−ビス［３−（トリフルオロメチル）アニ
リン］、スルホニル−５，５’−ビス［３−（トリフル
オロメチル）アニリン］、スルホニル−４，４’−ビス
［２−（トリフルオロメチル）アニリン］、スルホニル
−４，４’−ビス［３−（トリフルオロメチル）アニリ
ン］、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−５−
（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，３−ビス［３−
アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェノキシ］ベン
ゼン、１，３−ビス［３−アミノ−５−（トリフルオロ
メチル）フェノキシ］−５−（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−５，
５’−ジアミノビフェニル、ビス（３−アミノフェノキ
シ）ジメチルシラン、ビス（４−アミノフェノキシ）ジ
メチルシラン、１，３−ビス（３−アミノフェニル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−
ビス（４−アミノフェニル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン、メチレンジアミン、１，２−エタ
ンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタ
ンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキ
サンジアミン、１，７−ヘプタンジアミン、１，８−オ
クタンジアミン、１，９−ノナンジアミン、１，１０−
デカンジアミン、１，２−ビス（３−アミノプロポキ
シ）エタン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、１，４
−ジアミノシクロヘキサン、ビス（３−アミノシクロヘ
キシル）メタン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メ
タン、１，２−ビス（３−アミノシクロヘキシル）エタ
ン、１，２−ビス（４−アミノシクロヘキシル）エタ
ン、２，２−ビス（３−アミノシクロヘキシル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノシクロヘキシル）プロパ
ン、ビス（３−アミノシクロヘキシル）エーテル、ビス
（４−アミノシクロヘキシル）エーテル、ビス（３−ア
ミノシクロヘキシル）スルホン、ビス（４−アミノシク
ロヘキシル）スルホン、２，２−ビス（３−アミノシク
ロヘキシル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオ
ロプロパン、２，２−ビス（４−アミノシクロヘキシ
ル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパ
ン、１，３−キシリレンジアミン、１，４−キシリレン
ジアミン、１，８−ジアミノナフタレン、２，７−ジア
ミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、２，５
−ジアミノピリジン、２，６−ジアミノピリジン、２，
５−ジアミノピラジン、２，４−ジアミノ−ｓ−トリア
ジン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、
１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４
−ビス（アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼンおよ
び１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，
３−テトラフェニルジシロキサンが挙げられる。

【００３１】これらのジアミン化合物は単独で用いても
よいし、２種以上混合して用いてもよい。ジアミン化合
物は、全アミン化合物成分のうち０．８モル当量以上、
好ましくは０．９モル当量以上用いられる。この理由
は、ジアミン化合物の配合量が少なすぎる場合には得ら
れるポリイミドの耐熱性が低下するためである。

【００３２】さらに、本発明の感光性ポリマー組成物に
おいては、上述したような一般式（５）で表わされるジ
アミン化合物とともに下記一般式（６）で表わされるジ
アミン化合物、すなわちビス（アミノアルキル）パーア
ルキルポリシロキサン化合物を配合してもよい。

【００３３】

【化８】

【００３４】（上記一般式（６）中、Ｒ¹ は同一でも異
なっていてもよく、炭素数１〜５のアルキル基を示し、
ｑおよびｒは１〜１０の整数であり、ｐは正の整数であ
る。） 前記一般式（６）で表わされるビス（アミノアルキル）
パーアルキルポリシロキサン化合物としては、例えば、
１，３−ビス（アミノメチル）−１，１，３，３−テト
ラメチルジシロキサン、１，３−ビス（２−アミノエチ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（４−アミ
ノブチル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ビス（５−アミノペンチル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（６
−アミノヘキシル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン、１，３−ビス（７−アミノヘプチル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−
ビス（８−アミノオクチル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン、１，３−ビス（１０−アミノデシ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、
１，５−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，
３，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、１，７−ビ
ス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，５，５，
７，７−オクタメチルテトラシロキサン、１，１１−ビ
ス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，５，５，
７，７，９，９，１１，１１−ドデカメチルヘキサシロ
キサン、１，１５−ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３，５，５，７，７，９，９，１１，１１，１
３，１３、１５，１５−ヘキサデカメチルオクタシロキ
サン、および１，１９−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３，５，５，７，７，９，９，１１，１
１，１３，１３，１５，１５，１７，１７，１９，１９
−エイコサメチルデカシロキサンなどが挙げられる。

【００３５】前記一般式（６）で表されるビス（アミノ
アルキル）パ−アルキルポリシロキサン化合物を配合す
ることにより、ポリイミド樹脂と例えばガラス基板やシ
リコン基板などの半導体基板との密着性、および接着性
を向上させることができる。しかしながら、この化合物
が過剰に配合されるとポリイミド樹脂の耐熱性が低下す
るおそれがあるため、その配合量は、ジアミン成分全体
に対して好ましくは０．０２〜０．２モル当量、より好
ましくは０．０５〜０．１５モル当量である。

【００３６】本発明の感光性ポリマー樹脂組成物には、
上述した成分に加えてさらに、ポリアミド酸の重合度を
制御するために、末端処理剤としてジカルボン酸無水物
またはモノアミン化合物を配合してもよい。

【００３７】ジカルボン酸無水物としては、例えば、マ
レイン酸無水物、シトラコン酸無水物、ジメチルマレイ
ン酸無水物、エチルマレイン酸無水物、ジエチルマレイ
ン酸無水物、プロピルマレイン酸無水物、ブチルマレイ
ン酸無水物、クロロマレイン酸無水物、ジクロロマレイ
ン酸無水物、ブロモマレイン酸無水物、ジブロモマレイ
ン酸無水物、フルオロマレイン酸無水物、ジフルオロマ
レイン酸無水物、（トリフルオロメチル）マレイン酸無
水物、ビス（トリフルオロメチル）マレイン酸無水物、
シクロブタンジカルボン酸無水物、シクロペンタンジカ
ルボン酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、
テトラヒドロフタル酸無水物、エンドメチレンテトラヒ
ドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水
物、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸無水
物、フタル酸無水物、メチルフタル酸無水物、エチルフ
タル酸無水物、ジメチルフタル酸無水物、フルオロフタ
ル酸無水物、ジフルオロフタル酸無水物、クロロフタル
酸無水物、ジクロロフタル酸無水物、ブロモフタル酸無
水物、ジブロモフタル酸無水物、ニトロフタル酸無水
物、２，３−ベンゾフェノンジカルボン酸無水物、３，
４−ベンゾフェノンジカルボン酸無水物、３−フェノキ
シフタル酸無水物、４−フェノキシフタル酸無水物、３
−（フェニルスルホニル）フタル酸無水物、４−（フェ
ニルスルホニル）フタル酸無水物、２，３−ビフェニル
ジカルボン酸無水物、３，４−ビフェニルジカルボン酸
無水物、１，２−ナフタレンジカルボン酸無水物、２，
３−ナフタレンジカルボン酸無水物、１，８−ナフタレ
ンジカルボン酸無水物、１，２−アントラセンジカルボ
ン酸無水物、２，３−アントラセンジカルボン酸無水
物、１，９−アントラセンジカルボン酸無水物、２，３
−ピリジンジカルボン酸無水物、３，４−ピリジンジカ
ルボン酸無水物、コハク酸無水物、ナジック酸無水物な
どが挙げられる。

【００３８】また、モノアミン化合物としては、例え
ば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチ
ルアミン、オクチルアミン、１−（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３，３−ペンタメチルジシロキサ
ン、ビニルアミン、アリルアミン、グリシン、アラニ
ン、アミノ酪酸、バリン、ノルバリン、イソバリン、ロ
イシン、ノルロイシン、イソロイシン、グルタミン、グ
ルタミン酸、トリプトファン、アミノクロトン酸、アミ
ノアセトニトリル、アミノプロピオニトリル、アミノク
ロトノニトリル、シクロプロピルアミン、シクロブチル
アミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミ
ン、シクロヘプチルアミン、シクロオクチルアミン、ア
ミノアダマンタン、アミノベンゾシクロブタン、アミノ
カプロラクタム、アニリン、クロロアニリン、ジクロロ
アニリン、ブロモアニリン、ジブロモアニリン、フルオ
ロアニリン、ジフルオロアニリン、ニトロアニリン、ジ
ニトロアニリン、トルイジン、キシリジン、エチルアニ
リン、アニシジン、フェネチジン、アミノアセトアニリ
ド、アミノアセトフェノン、アミノ安息香酸、アミノベ
ンズアルデヒド、アミノベンゾニトリル、アミノフタロ
ニトリル、アミノベンゾトリフルオリド、アミノスチレ
ン、アミノスチルベン、アミノアゾベンゼン、アミノジ
フェニルエーテル、アミノジフェニルスルホン、アミノ
ベンズアミド、アミノベンゼンスルホンアミド、アミノ
フェニルマレイミド、アミノフェニルフタルイミド、ア
ミノビフェニル、アミノテルフェニル、アミノナフタレ
ン、アミノアントラセン、アミノアントラキノン、アミ
ノフルオレン、アミノフルオレノン、アミノピロリジ
ン、アミノピペラジン、アミノピペリジン、アミノホモ
ピペリジン、アミノモルホリン、アミノベンゾジオキソ
ール、アミノベンゾジオキサン、アミノピリジン、アミ
ノピリダジン、アミノピリミジン、アミノピラジン、ア
ミノキノリン、アミノシンノリン、アミノフタラジン、
アミノキナゾリン、アミノキノキサリン、アミノピロー
ル、アミノイミダゾール、アミノピラゾール、アミノト
リアゾール、アミノオキサゾール、アミノイソオキサゾ
ール、アミノチアゾール、アミノイソチアゾール、アミ
ノインドール、アミノベンゾイミダール、アミノインダ
ゾール、アミノベンゾオキサゾール、アミノベンゾチア
ゾール、ベンジルアミン、フェネチルアミン、フェニル
プロピリアミン、フェニルブチルアミン、ベンズヒドリ
ルアミン、アミノエチル−１，３−ジオキソラン、アミ
ノエチルピロリジン、アミノエチルピペラジン、アミノ
エチルピペリジン、アミノエチルモルホリン、アミノプ
ロピルイミダゾール、およびアミノプロピルシクロヘキ
サン、アミノフェノール、２−（４−アミノフェニル）
−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンなどが挙げ
られる。

【００３９】上述したようなジカルボン酸無水物および
モノアミン化合物の配合量は、用途、粘度等に応じて適
宜選択することができるが、例えば、テトラカルボン酸
二無水物またはジアミン化合物に対して０．０２〜０．
４モル当量程度とすることが好ましい。

【００４０】前述の一般式（１）で表わされるポリアミ
ド酸を合成する方法は、特に限定されないが、不活性ガ
ス雰囲気において有機極性溶媒中で無水の条件下に重合
させる方法が好ましい。

【００４１】この反応時に用いられる有機極性溶媒とし
ては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメトキシアセトアミド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−ベ
ンジル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリジノン、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−
メチル−ε−カプロラクタム、Ｎ−アセチル−ε−カプ
ロラクタム、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエ
トキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、
ビス（２−エトキシエチル）エーテル、１，２−ビス
（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス［２−（２−メ
トキシエトキシ）エチル］エーテル、１−アセトキシ−
２−メトキシエタン、１−アセトキシ−２−エトキシエ
タン、（２−アセトキシエチル）（２−メトキシエチ
ル）エーテル、（２−アセトキシエチル）（２−エトキ
シエチル）エーテル、３−メトキシプロピオン酸メチ
ル、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキサン、１，３
−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、ピロリン、ピリ
ジン、ピコリン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、
γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレン、フェノール、ク
レゾール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノンおよびアセトニルアセ
トンなどが挙げられる。これらの有機溶剤は単独で用い
てもよいし、２種以上混合して用いてもよい。

【００４２】反応温度は通常−２０〜１００℃、好まし
くは−５〜３０℃であり、反応圧力は特に限定されず、
常圧で十分実施することができる。また反応時間はテト
ラカルボン酸二無水物の種類、反応溶媒の種類によって
異なるが、通常１〜２４時間で十分である。このよう
に、本発明の感光性ポリマー樹脂組成物の成分であるポ
リアミド酸は、プロセスの煩雑さを何等伴うことなく容
易に合成することができ、製造工程において不純物が混
入することもない。

【００４３】なお、このとき得られるポリアミド酸は、
３０℃における０．５ｗｔ％のＮ−メチル−２−ピロリ
ドン溶液のインヒーレント粘度（対数粘度数）が、０．
３（ｄＬ／ｇ）以上、さらには０．３（ｄＬ／ｇ）以上
３．０（ｄＬ／ｇ）以下であることが好ましい。この理
由は、ポリアミド酸のインヒーレント粘度が低すぎる、
すなわちポリアミド酸の重合度が低すぎる場合には、耐
熱性の十分なポリイミド樹脂を得ることができなくなる
おそれがあり、一方インヒーレント粘度が高すぎる、す
なわち重合度が高すぎる場合には、その取扱いが困難と
なるからである。

【００４４】次に、本発明のポジ型感光性ポリマー樹脂
組成物に配合される、光照射により熱硬化促進能を失活
する感光性熱硬化促進剤について詳細に説明する。

【００４５】第１の感光性熱硬化促進剤は、下記一般式
（２）で表わされるアゾメチン化合物である。

【００４６】

【化９】

【００４７】上記一般式（２）中、Ａｒ¹¹は、ピリジン
型核窒素原子（−Ｎ＝）を有し、かつ前記核窒素原子に
隣接する核炭素原子に結合手を有する、置換または非置
換の含窒素芳香族複素環基であり、例えば、以下に示す
ような基が挙げられる。

【００４８】

【化１０】

【００４９】（上記式中、−Ｚ¹ ＝は、＝Ｃ（Ｒ¹⁴）−
または＝Ｎ−を示す。なお、互いに隣接するＺ¹ は縮環
していてもよい。

【００５０】−Ｘ¹ −は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、
−Ｔｅ−、または−Ｎ（Ｒ¹⁵）−を示す。

【００５１】ここで、Ｒ¹⁴およびＲ¹⁵は、置換または非
置換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素
基、脂環式炭化水素基、特性基または水素原子を示
す。） Ａｒ¹¹として導入される非置換の含窒素芳香族複素環基
としては、例えば、２−ピリジル基、２−キノリル基、
１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、６−フェナ
ントリジニル基、１，１０−フェナントロリン−２−イ
ル基、３−ピリダジニル基、１−フタラジニル基、３−
シンノリニル基、２−ピリミジニル基、４−ピリミジニ
ル基、２−キナゾリニル基、４−キナゾリニル基、２−
ピラジニル基、２−キノキサリニル基、１，３，５−ト
リアジン−２−イル基、１，２，４，５−テトラジン−
３−イル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル
基、２−ベンゾイミダゾリル基、２−ナフトイミダゾリ
ル基、３−ピラゾリル基、３−インダゾリル基、２−オ
キサゾリル基、４−オキサゾリル基、２−ベンゾオキサ
ゾリル基、２−ナフトオキサゾリル基、３−イソオキサ
ゾリル基、３−ベンゾイソオキサゾリル基、２−チアゾ
リル基、４−チアゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、
２−ナフトチアゾリル基、２−セレナゾリル基、２−ベ
ンゾセレナゾリル基、２−テルラゾリル基、２−ベンゾ
テルラゾリル基、１，２，３−トリアゾール−４−イル
基、１，２，４−トリアゾール−３−イル基、１，２，
４−トリアゾール−５−イル基、および１，２，３，５
−テトラゾール−４−イル基などが挙げられる。

【００５２】これらの含窒素芳香族複素環基に導入さ
れ、置換含窒素芳香族複素環化合物を構成する置換基と
しては、例えば、ジ置換アミノ基（ジメチルアミノ基、
ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、エチルメチルア
ミノ基、ブチルメチルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジ
ベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基、メ
チルフェニルアミノ基、ベンジルメチルアミノ基な
ど）、モノ置換アミノ基（メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ter
t.-ブチルアミノ基、アニリノ基、アニシジノ基、フェ
ネチジノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、ピリジルア
ミノ基、チアゾリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ベン
ジリデンアミノ基など）、環状アミノ基（ピロリジノ
基、ピペリジノ基、ピペラジノ基、モルホリノ基、１−
ピロリル基、１−ピラゾリル基、１−イミダゾリル基、
１−トリアゾリル基など）、アシルアミノ基（ホルミル
アミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、シ
ンナモイルアミノ基、ピリジンカルボニルアミノ基、ト
リフルオロアセチルアミノ基など）、スルホニルアミノ
基（メシルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、フェ
ニルスルホニルアミノ基、ピリジルスルホニルアミノ
基、トシルアミノ基、タウリルアミノ基、トリフルオロ
メチルスルホニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、
メチルスルファモイルアミノ基、スルファニルアミノ
基、アセチルスルファニルアミノ基など）、アミノ基、
ヒドロキシアミノ基、ウレイド基、セミカルバジド基、
カルバジド基、ジ置換ヒドラジノ基（ジメチルヒドラジ
ノ基、ジフェニルヒドラジノ基、メチルフェニルヒドラ
ジノ基など）、モノ置換ヒドラジノ基（メチルヒドラジ
ノ基、フェニルヒドラジノ基、ピリジルヒドラジノ基、
ベンジリデンヒドラジノ基など）、ヒドラジノ基、アミ
ジノ基、ヒドロキシ基、オキシム基（ヒドロキシイミノ
メチル基、メトキシイミノメチル基、エトキシイミノメ
チル基、ヒドロキシイミノエチル基、ヒドロキシイミノ
プロピル基など）、アルコキシアルキル基（ヒドロキシ
メチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基
など）、シアノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニト
ロ基、ニトロソ基、オキシ基（メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヒドロキシエトキシ
基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基、
チアゾリルオキシ基、アセトキシ基など）、チオ基（メ
チルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジル
チオ基、チアゾリルチオ基など）、メルカプト基、ハロ
ゲン基（フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード
基）、カルボキシル基およびその塩、オキシカルボニル
基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フ
ェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基な
ど）、アミノカルボニル基（カルバモイル基、メチルカ
ルバモイル基、フェニルカルバモイル基、ピリジルカル
バモイル基、カルバゾイル基、アロファノイル基、オキ
サモイル基、スクシンアモイル基など）、チオカルボキ
シル基およびその塩、ジチオカルボキシル基およびその
塩、チオカルボニル基（メトキシチオカルボニル基、メ
チルチオカルボニル基、メチルチオチオカルボニル基な
ど）、アシル基（ホルミル基、アセチル基、プロピオニ
ル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、シンナモイル
基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカルボニル基、
トリフルオロアセチル基など）、チオアシル基（チオホ
ルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイル基、ピリジ
ンチオカルボニル基など）、スルフィン酸基およびその
塩、スルホン酸基およびその塩、スルフィニル基（メチ
ルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルス
ルフィニル基など）、スルホニル基（メシル基、エチル
スルホニル基、フェニルスルホニル基、ピリジルスルホ
ニル基、トシル基、タウリル基、トリフルオロメチルス
ルホニル基、スルファモイル基、メチルスルファモイル
基、スルファニリル基、アセチルスルファニリル基な
ど）、オキシスルホニル基（メトキシスルホニル基、エ
トキシスルホニル基、フェノキシスルホニル基、アセト
アミノフェノキシスルホニル基、ピリジルオキシスルホ
ニル基など）、チオスルホニル基（メチルチオスルホニ
ル基、エチルチオスルホニル基、フェニルチオスルホニ
ル基、アセトアミノフェニルチオスルホニル基、ピリジ
ルチオスルホニル基など）、アミノスルホニル基（スル
ファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスル
ファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスル
ファモイル基、フェニルスルファモイル基、アセトアミ
ノフェニルスルファモイル基、ピリジルスルファモイル
基など）、アンモニオ基（トリメチルアンモニオ基、エ
チルジメチルアンモニオ基、ジメチルスルフェニルアン
モニオ基、ピリジニオ基、キノリニオ基など）、アゾ基
（フェニルアゾ基、ピリジルアゾ基、チアゾリルアゾ基
など）、アゾキシ基、ハロゲン化アルキル基（クロロメ
チル基、ブロモメチル基、フルオロメチル基、ジクロロ
メチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、ト
リフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタ
フルオロプロピル基など）、炭化水素基（アルキル基、
アリール基、アルケニル基、アルキニル基など）、複素
環基、有機ケイ素基（シリル基、ジシラニル基、トリメ
チルシリル基、トリフェニルシリル基など）などを挙げ
ることができる。

【００５３】なお、前記一般式（２）におけるＡｒ¹¹と
しては、ピリジン型の核窒素原子（−Ｎ＝）にプロトネ
ーションした化学種の酸解離定数ｐＫａがｐＨ１〜１０
の間にある含窒素芳香族複素環基が好ましい。より具体
的には、２−ピリジル基、２−キノリル基、１−イソキ
ノリル基、３−イソキノリル基、６−フェナントリジニ
ル基、３−ピリダジニル基、１−フタラジニル基、３−
シンノリニル基、２−ピリミジニル基、４−ピリミジニ
ル基、２−キナゾリニル基、４−キナゾリニル基、２−
イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ベンゾイミ
ダゾリル基、３−ピラゾリル基、３−インダゾリル基、
２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、２−ベンゾチア
ゾリル基などの含窒素芳香族複素環基が挙げられる。こ
れらの含窒素芳香族複素環基およびこれらの含窒素芳香
族複素環基を前述したような各種特性基で置換した置換
含窒素芳香族複素環基は、特に望ましい。

【００５４】前記一般式（２）におけるＲ¹¹は、置換ま
たは非置換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化
水素基、脂環式炭化水素基、アシル基または水素原子で
ある。

【００５５】Ｒ¹¹として導入される非置換の芳香族炭化
水素基としては、例えば、ベンゼン環基、ナフタレン環
基、アントラセン環基、フェナントレン環基、テトラリ
ン環基、アズレン環基、ビフェニレン環基、アセナフチ
レン環基、アセナフテン環基、フルオレン環基、トリフ
ェニレン環基、ピレン環基、クリセン環基、ピセン環
基、ペリレン環基、ベンゾピレン環基、ルビセン環基、
コロネン環基、オバレン環基、インデン環基、ペンタレ
ン環基、ヘプタレン環基、インダセン環基、フェナレン
環基、フルオランテン環基、アセフェナントリレン環
基、アセアントリレン環基、ナフタセン環基、プレイア
デン環基、ペンタフェン環基、ペンタセン環基、テトラ
フェニレン環基、ヘキサフェン環基、ヘキサセン環基、
トリナフチレン環基、ヘプタフェン環基、ヘプタセン環
基およびピラントレン環基などが挙げられる。これらの
芳香族炭化水素基は、前述の各種特性基で置換されてい
てもよい。

【００５６】また、Ｒ¹¹として導入される非置換の複素
環基としては、例えば、ピロール環基、ピロリン環基、
ピロリジン環基、インドール環基、イソインドール環
基、インドリン環基、イソインドリン環基、インドリジ
ン環基、カルバゾール環基、カルボリン環基、フラン環
基、オキソラン環基、クマロン環基、クマラン環基、イ
ソベンゾフラン環基、フタラン環基、ジベンゾフラン環
基、チオフェン環基、チオラン環基、ベンゾチオフェン
環基、ジベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、ピラ
ゾリン環基、インダゾール環基、イミダゾール環基、イ
ミダゾリン環基、イミダゾリジン環基、ベンゾイミダゾ
ール環基、ベンゾイミダゾリン環基、ナフトイミダゾー
ル環基、オキサゾール環基、オキサゾリン環基、オキサ
ゾリジン環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾオキサ
ゾリン環基、ナフトオキサゾール環基、イソオキサゾー
ル環基、ベンゾイソオキサゾール環基、チアゾール環
基、チアゾリン環基、チアゾリジン環基、ベンゾチアゾ
ール環基、ベンゾチアゾリン環基、ナフトチアゾール環
基、イソチアゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、
トリアゾール環基、ベンゾトリアゾール環基、オキサジ
アゾール環基、チアジアゾール環基、ベンゾオキサジア
ゾール環基、ベンゾチアジアゾール環基、テトラゾール
環基、プリン環基、ピリジン環基、ピペリジン環基、キ
ノリン環基、イソキノリン環基、アクリジン環基、フェ
ナントリジン環基、ベンゾキノリン環基、ナフトキノリ
ン環基、ナフチリジン環基、フェナントロリン環基、ピ
リダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、ピペラ
ジン環基、フタラジン環基、キノキサリン環基、キナゾ
リン環基、シンノリン環基、フェナジン環基、ペリミジ
ン環基、トリアジン環基、テトラジン環基、プテリジン
環基、オキサジン環基、ベンゾオキサジン環基、フェノ
キサジン環基、チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フ
ェノチアジン環基、オキサジアジン環基、チアジアジン
環基、ジオキソラン環基、ベンゾジオキソール環基、ジ
オキサン環基、ベンゾジオキサン環基、ジチオラン環
基、ベンゾジチオール環基、ジチアン環基、ベンゾジチ
アン環基、ピラン環基、クロメン環基、キサンテン環
基、オキサン環基、クロマン環基、イソクロマン環基、
トリオキサン環基、チアン環基、トリチアン環基、モル
ホリン環基、キヌクリジン環基、セレナゾール環基、ベ
ンゾセレナゾール環基、ナフトセレナゾール環基、テル
ラゾール環基、およびベンゾテルラゾール環基などが挙
げられる。これらの複素環基は、前述した各種特性基で
置換されていてもよい。

【００５７】Ｒ¹¹として導入される非置換の脂肪族炭化
水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec.
- ブチル基、tert.-ブチル基、ペンチル基、tert.-ペン
チル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル
基、イソヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル
基、プロペニル基、メタリル基、クロチル基、ブテニル
基、ペンテニル基、ブタジエニル基、エチニル基、プロ
ピニル基、ブチニル基、およびペンチニル基などの脂肪
族炭化水素基が挙げられる。これらの脂肪族炭化水素基
は、前述の各種特性基で置換されていてもよい。

【００５８】また、Ｒ¹¹として導入される非置換の脂環
式炭化水素基としては、例えばシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ
クロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロペンテニル
基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロ
オクテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキサ
ジエニル基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。これ
らの脂環式炭化水素基は、前述の各種特性基で置換され
ていてもよい。

【００５９】上記一般式（２）におけるＲ¹²は、−ＯＨ
基、−ＮＨ−Ｒ¹³基、または−ＣＯＯＨ基である。Ｒ¹³
は、置換または非置換の芳香族炭化水素基、複素環基、
脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、アシル基、チオ
アシル基またはカルバモイル基である。

【００６０】上述したアゾメチン化合物は、光照射前に
は熱硬化促進能（脱水環化反応促進能）を有している
が、光照射により熱硬化促進能（脱水環化反応促進能）
を失活する化合物である。具体的には、このような化合
物に光を照射することにより光幾何異性化反応が生じて
分子内水素結合が形成される。こうして形成された分子
内水素結合によって、熱硬化促進能が失活する。

【００６１】ポリイミド前駆体（ポリアミド酸）などの
加熱により脱水環化して硬化する熱硬化性ポリマー樹脂
前駆体溶液に、これらの感光性熱硬化促進剤を添加する
ことにより、塗布、露光、ＰＥＢ（露光後ベーク）およ
び現像の工程により、微細なパターンを形成し得るポジ
型感光性ポリマー樹脂組成物が得られる。

【００６２】これらの感光性熱硬化促進剤は、単独で用
いても２種以上混合して用いてもよく、感光性ポリマー
樹脂の繰り返し単位１モル当量に対して０．１モル当量
以上配合することが好ましい。なお、感光性熱硬化促進
剤の配合量は、より好ましくは０．１〜４．０モル当量
であり、最も好ましくは０．１〜２．０モル当量であ
る。この理由は、感光性熱硬化促進剤の配合量が少なす
ぎる場合には、樹脂層の感光性が不十分となり十分な解
像度が得られなくなり、逆に感光性硬化促進剤の配合量
が多すぎる場合には、膜減りが大きくなったり、きれい
な薄膜の形成が困難になる可能性があるためである。

【００６３】次に、本発明の感光性ポジ型ポリマー組成
物に配合され得る第２の感光性熱硬化促進剤について詳
細に説明する。

【００６４】第２の感光性熱硬化促進剤は、下記一般式
（３）で表わされる含窒素複素環化合物である。

【００６５】

【化１１】

【００６６】前記一般式（３）におけるＡｒ²¹は、ピリ
ジン型核窒素原子（−Ｎ＝）を有する置換または非置換
の含窒素芳香族複素環基であり、具体的には、以下で示
すような基が挙げられる。

【００６７】

【化１２】

【００６８】上記式中、＝Ｚ² −は、−Ｃ（Ｒ²¹）−基
または＝Ｎ−基を示す。なお、互いに隣接する２つのＺ
² は、縮環していてもよい。ここで、Ｒ²¹は、置換また
は非置換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水
素基、脂環式炭化水素基、特性基または水素原子を示
す。

【００６９】−Ｘ² −は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−ま
たは−Ｔｅ−を示す。

【００７０】Ａｒ²¹として導入される非置換の含窒素芳
香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、キノリル
基、イソキノリル基、フェナントリジニル基、フェナン
トロリニル基、ピリダジニル基、フタラジニル基、シン
ノリニル基、ピリミジニル基、キナゾリニル基、ピラジ
ニル基、キノキサリニル基、１，３，５−トリアジニル
基、１，２，４，５−テトラジニル基、イミダゾリル
基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトイミダゾリル基、ピ
ラゾリル基、インダゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾ
オキサゾリル基、ナフトオキサゾリル基、イソオキサゾ
リル基、ベンゾイソオキサゾリル基、チアゾリル基、ベ
ンゾチアゾリル基、ナフトチアゾリル基、セレナゾリル
基、ベンゾセレナゾリル基、テルラゾリル基、ベンゾテ
ルラゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，
４−トリアゾリル基、１，２，３，５−テトラゾリル
基、およびナフチジニル基などの含窒素芳香族複素環基
が挙げられる。

【００７１】これらの含窒素芳香族複素環基に導入さ
れ、置換含窒素芳香族複素環化合物を構成する置換基と
しては、例えば、ジ置換アミノ基（ジメチルアミノ基、
ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、エチルメチルア
ミノ基、ブチルメチルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジ
ベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ジフェニル
アミノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基、メ
チルフェニルアミノ基、ベンジルメチルアミノ基な
ど）、モノ置換アミノ基（メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ter
t.-ブチルアミノ基、アニリノ基、アニシジノ基、フェ
ネチジノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、ピリジルア
ミノ基、チアゾリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ベン
ジリデンアミノ基など）、環状アミノ基（ピロリジノ
基、ピペリジノ基、ピペラジノ基、モルホリノ基、１−
ピロリル基、１−ピラゾリル基、１−イミダゾリル基、
１−トリアゾリル基など）、アシルアミノ基（ホルミル
アミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、シ
ンナモイルアミノ基、ピリジンカルボニルアミノ基、ト
リフルオロアセチルアミノ基など）、スルホニルアミノ
基（メシルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、フェ
ニルスルホニルアミノ基、ピリジルスルホニルアミノ
基、トシルアミノ基、タウリルアミノ基、トリフルオロ
メチルスルホニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、
メチルスルファモイルアミノ基、スルファニルアミノ
基、アセチルスルファニルアミノ基など）、アミノ基、
ヒドロキシアミノ基、ウレイド基、セミカルバジド基、
カルバジド基、ジ置換ヒドラジノ基（ジメチルヒドラジ
ノ基、ジフェニルヒドラジノ基、メチルフェニルヒドラ
ジノ基など）、モノ置換ヒドラジノ基（メチルヒドラジ
ノ基、フェニルヒドラジノ基、ピリジルヒドラジノ基、
ベンジリデンヒドラジノ基など）、ヒドラジノ基、アミ
ジノ基、ヒドロキシ基、オキシム基（ヒドロキシイミノ
メチル基、メトキシイミノメチル基、エトキシイミノメ
チル基、ヒドロキシイミノエチル基、ヒドロキシイミノ
プロピル基など）、アルコキシアルキル基（ヒドロキシ
メチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基
など）、シアノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニト
ロ基、ニトロソ基、オキシ基（メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヒドロキシエトキシ
基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基、
チアゾリルオキシ基、アセトキシ基など）、チオ基（メ
チルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジル
チオ基、チアゾリルチオ基など）、メルカプト基、ハロ
ゲン基（フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード
基）、カルボキシル基およびその塩、オキシカルボニル
基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フ
ェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基な
ど）、アミノカルボニル基（カルバモイル基、メチルカ
ルバモイル基、フェニルカルバモイル基、ピリジルカル
バモイル基、カルバゾイル基、アロファノイル基、オキ
サモイル基、スクシンアモイル基など）、チオカルボキ
シル基およびその塩、ジチオカルボキシル基およびその
塩、チオカルボニル基（メトキシチオカルボニル基、メ
チルチオカルボニル基、メチルチオチオカルボニル基な
ど）、アシル基（ホルミル基、アセチル基、プロピオニ
ル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、シンナモイル
基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカルボニル基、
トリフルオロアセチル基など）、チオアシル基（チオホ
ルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイル基、ピリジ
ンチオカルボニル基など）、スルフィン酸基およびその
塩、スルホン酸基およびその塩、スルフィニル基（メチ
ルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルス
ルフィニル基など）、スルホニル基（メシル基、エチル
スルホニル基、フェニルスルホニル基、ピリジルスルホ
ニル基、トシル基、タウリル基、トリフルオロメチルス
ルホニル基、スルファモイル基、メチルスルファモイル
基、スルファニリル基、アセチルスルファニリル基な
ど）、オキシスルホニル基（メトキシスルホニル基、エ
トキシスルホニル基、フェノキシスルホニル基、アセト
アミノフェノキシスルホニル基、ピリジルオキシスルホ
ニル基など）、チオスルホニル基（メチルチオスルホニ
ル基、エチルチオスルホニル基、フェニルチオスルホニ
ル基、アセトアミノフェニルチオスルホニル基、ピリジ
ルチオスルホニル基など）、アミノスルホニル基（スル
ファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスル
ファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスル
ファモイル基、フェニルスルファモイル基、アセトアミ
ノフェニルスルファモイル基、ピリジルスルファモイル
基など）、アンモニオ基（トリメチルアンモニオ基、エ
チルジメチルアンモニオ基、ジメチルスルフェニルアン
モニオ基、ピリジニオ基、キノリニオ基など）、アゾ基
（フェニルアゾ基、ピリジルアゾ基、チアゾリルアゾ基
など）、アゾキシ基、ハロゲン化アルキル基（クロロメ
チル基、ブロモメチル基、フルオロメチル基、ジクロロ
メチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、ト
リフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタ
フルオロプロピル基など）、炭化水素基（アルキル基、
アリール基、アルケニル基、アルキニル基など）、複素
環基、有機ケイ素基（シリル基、ジシラニル基、トリメ
チルシリル基、トリフェニルシリル基など）などを挙げ
ることができる。

【００７２】なお、前記一般式（３）におけるＡｒ²¹と
しては、ピリジン型の核窒素原子（−Ｎ＝）にプロトネ
ーションした化学種の酸解離定数ｐＫａがｐＨ１〜１０
の間にある含窒素芳香族複素環基が好ましい。より具体
的には、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フ
ェナントリジニル基、ピリダジニル基、フタラジニル
基、シンノリニル基、ピリミジニル基、キナゾリニル
基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリ
ル基、インダゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリ
ル基およびナフチリジニル基などの含窒素芳香族複素環
基が挙げられる。これらの含窒素芳香族複素環基、およ
びこれらの含窒素芳香族複素環基を前述したような各種
特性基で置換した置換含窒素芳香族複素環基が、特に望
ましい。

【００７３】前記一般式（３）におけるＲ²⁰は、下記に
示す（ａ−１）〜（ａ−８）から選択される基である。

【００７４】

【化１３】

【００７５】ここで、Ｒ²¹およびＲ²²は、置換または非
置換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素
基、脂環式炭化水素基、アルコキシ基、ヒドロキシ基ま
たは水素原子であり、Ｒ²¹とＲ²²とは互いに結合して脂
環式炭化水素基を形成していてもよい。Ｒ²³，Ｒ²⁴，Ｒ
²⁵，Ｒ³⁰およびＲ³¹は、置換または非置換の芳香族炭化
水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素
基または水素原子、Ｒ²⁶〜Ｒ²⁸は、置換または非置換の
芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基または
脂環式炭化水素基、Ｒ²⁹は、置換または非置換の芳香族
炭化水素基または芳香族複素環基であり、Ｘはハロゲン
基であり、Ｚは環状アミノ基である。

【００７６】Ｒ²¹〜Ｒ³¹に導入される非置換の芳香族炭
化水素基としては、例えばベンゼン環基、ナフタレン環
基、アントラセン環基、フェナントレン環基、テトラリ
ン環基、アズレン環基、ビフェニレン環基、アセナフチ
レン環基、アセナフテン環基、フルオレン環基、トリフ
ェニレン環基、ピレン環基、クリセン環基、ピセン環
基、ペリレン環基、ベンゾピレン環基、ルビセン環基、
コロネン環基、オバレン環基、インデン環基、ペンタレ
ン環基、ヘプタレン環基、インダセン環基、フェナレン
環基、フルオランテン環基、アセフェナントリレン環
基、アセアントリレン環基、ナフタセン環基、プレイア
デン環基、ペンタフェン環基、ペンタセン環基、テトラ
フェニレン環基、ヘキサフェン環基、ヘキサセン環基、
トリナフチレン環基、ヘプタフェン環基、ヘプタセン環
基、およびピラントレン環基などの芳香族炭化水素基が
挙げられる。これらの芳香族炭化水素基は、前述の各種
特性基で置換されていてもよい。

【００７７】Ｒ²¹〜Ｒ³¹として導入される非置換の複素
環基としては、例えば、ピロール環基、ピロリン環基、
ピロリジン環基、インドール環基、イソインドール環
基、インドリン環基、イソインドリン環基、インドリジ
ン環基、カルバゾール環基、カルボリン環基、フラン環
基、オキソラン環基、クマロン環基、クマラン環基、イ
ソベンゾフラン環基、フタラン環基、ジベンゾフラン環
基、チオフェン環基、チオラン環基、ベンゾチオフェン
環基、ジベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、ピラ
ゾリン環基、インダゾール環基、イミダゾール環基、イ
ミダゾリン環基、イミダゾリジン環基、ベンゾイミダゾ
ール環基、ベンゾイミダゾリン環基、ナフトイミダゾー
ル環基、オキサゾール環基、オキサゾリン環基、オキサ
ゾリジン環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾオキサ
ゾリン環基、ナフトオキサゾール環基、イソオキサゾー
ル環基、ベンゾイソオキサゾール環基、チアゾール環
基、チアゾリン環基、チアゾリジン環基、ベンゾチアゾ
ール環基、ベンゾチアゾリン環基、ナフトチアゾール環
基、イソチアゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、
トリアゾール環基、ベンゾトリアゾール環基、オキサジ
アゾール環基、チアジアゾール環基、ベンゾオキサジア
ゾール環基、ベンゾチアジアゾール環基、テトラゾール
環基、プリン環基、ピリジン環基、ピペリジン環基、キ
ノリン環基、イソキノリン環基、アクリジン環基、フェ
ナントリジン環基、ベンゾキノリン環基、ナフトキノリ
ン環基、ナフチリジン環基、フェナントロリン環基、ピ
リダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、ピペラ
ジン環基、フタラジン環基、キノキサリン環基、キナゾ
リン環基、シンノリン環基、フェナジン環基、ペリミジ
ン環基、トリアジン環基、テトラジン環基、プテリジン
環基、オキサジン環基、ベンゾオキサジン環基、フェノ
キサジン環基、チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フ
ェノチアジン環基、オキサジアジン環基、チアジアジン
環基、ジオキソラン環基、ベンゾジオキソール環基、ジ
オキサン環基、ベンゾジオキサン環基、ジチオラン環
基、ベンゾジチオール環基、ジチアン環基、ベンゾジチ
アン環基、ピラン環基、クロメン環基、キサンテン環
基、オキサン環基、クロマン環基、イソクロマン環基、
トリオキサン環基、チアン環基、トリチアン環基、モル
ホリン環基、キヌクリジン環基、セレナゾール環基、ベ
ンゾセレナゾール環基、ナフトセレナゾール環基、テル
ラゾール環基、およびベンゾテルラゾール環基などの複
素環基が挙げられる。これらの複素環基は、前述した各
種特性基で置換されていてもよい。

【００７８】また、Ｒ²¹〜Ｒ²⁸，Ｒ³⁰およびＲ³¹として
導入される非置換の脂肪族炭化水素基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、sec.- ブチル基、tert.-
ブチル基、ペンチル基、tert.-ペンチル基、イソペンチ
ル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ビニル
基、アリル基、イソプロペニル基、プロペニル基、メタ
リル基、クロチル基、ブテニル基、ペンテニル基、ブタ
ジエニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、
およびペンチニル基などの脂肪族炭化水素基が挙げられ
る。これらの脂肪族炭化水素基は、前述の各種特性基で
置換されていてもよい。

【００７９】また、Ｒ²¹〜Ｒ²⁸，Ｒ³⁰およびＲ³¹として
導入される非置換の脂環式炭化水素基としては、例え
ば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオ
クチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、
シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロペン
タジエニル基、シクロヘキサジエニル基などの脂環式炭
化水素基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は、
前述の各種特性基で置換されていてもよい。

【００８０】Ｒ²⁹として導入される非置換の芳香族複素
環基としては、例えば、ピロール環基、インドール環
基、イソインドール環基、カルバゾール環基、フラン環
基、クマロン環基、イソベンゾフラン環基、チオフェン
環基、ベンゾチオフェン環基、ジベンゾチオフェン環
基、ピラゾール環基、インダゾール環基、イミダゾール
環基、ベンゾイミダゾール環基、ナフトイミダゾール環
基、オキサゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、ナフ
トオキサゾール環基、イソオキサゾール環基、ベンゾイ
ソオキサゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾー
ル環基、ナフトチアゾール環基、イソチアゾール環基、
ベンゾイソチアゾール環基、トリアゾール環基、ベンゾ
トリアゾール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾ
ール環基、ベンゾオキサジアゾール環基、ベンゾチアジ
アゾール環基、テトラゾール環基、プリン環基、ピリジ
ン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、アクリジン
環基、フェナントリジン環基、ベンゾキノリン環基、ナ
フトキノリン環基、ナフチリジン環基、フェナントロリ
ン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環
基、ピペラジン環基、フタラジン環基、キノキサリン環
基、キナゾリン環基、シンノリン環基、フェナジン環
基、ペリミジン環基、トリアジン環基、テトラジン環
基、プテリジン環基、オキサジン環基、ベンゾオキサジ
ン環基、フェノキサジン環基、チアジン環基、ベンゾチ
アジン環基、フェノチアジン環基、オキサジアジン環
基、チアジアジン環基、ベンゾジオキソール環基、ベン
ゾジオキサン環基、ピラン環基、クロメン環基、キサン
テン環基、クロマン環基、イソクロマン環基、セレナゾ
ール環基、ベンゾセレナゾール環基、ナフトセレナゾー
ル環基、テルラゾール環基、ベンゾテルラゾール環基な
どの複素環基が挙げられる。これらの複素環基は、前述
した各種特性基で置換されていてもよい。

【００８１】また、Ｘとして導入されるハロゲン基とし
ては、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基およびヨード基
などが挙げられる。

【００８２】Ｚとして導入される置換アミノ基として
は、例えば、ピロール−１−イル基、ピロリン−１−イ
ル基、ピロリジン−１−イル基、インドール−１−イル
基、イソインドール−２−イル基、インドリン−１−イ
ル基、イソインドリン−２−イル基、カルバゾール−９
−イル基、ピラゾール−１−イル基、ピラゾリン−１−
イル基、ピラゾリジン−１−イル基、イミダゾール−１
−イル基、イミダゾリン−１−イル基、イミダゾリジン
−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ピペリジン−
１−イル基、モルホリン−４−イル基、２−ピロリジノ
ン−１−イル基、２−ピペリジン−１−イル基、ピペラ
ジン−２，５−ジオン−１−イル基、ピロリジン−２，
５−ジオン−１−イル基、ピロール−２，５−ジオン−
１−イル基、イソインドール−１，３−ジオン−２−イ
ル基、ベンゾ［ｆ］イソインドール−１，３−ジオン−
２−イル基、ピペリジン−２，５−ジオン−１−イル
基、ベンゾ［ｄｅ］イソキノリン−１，３−ジオン−２
−イル基などが挙げられる。

【００８３】なお、一般式（３）において、Ｒ²⁰が前述
の（ａ−１），（ａ−２），（ａ−５），（ａ−７）お
よび（ａ−８）で表わされる基である含窒素複素環化合
物は、合成が容易であるとともに残留物も少なく、しか
も得られる感光性ポリマー樹脂組成物の感度が高いので
特に好ましい。例えば、Ｒ²⁰が（ａ−５）で表わされる
含窒素複素環化合物は、ヘテロアリールカルボン酸クロ
リドとニトロアリールメタノールとを反応させることに
より合成することができる。

【００８４】上述した含窒素複素環化合物は、光照射前
には熱硬化促進能（脱水環化反応促進能）を有している
が、光照射により熱硬化促進能（脱水環化反応促進能）
を失活する化合物である。具体的には、このような化合
物に光を照射することにより光分解反応が生じて、側鎖
にカルボキシル基を有する含窒素複素環化合物が形成さ
れる。こうして形成された化合物によって熱硬化促進能
が失活する。

【００８５】ポリアミド前駆体（ポリアミド酸）などの
加熱により脱水環化して硬化する熱硬化性ポリマー樹脂
前駆体溶液に、これらの感光性熱硬化促進剤を添加する
ことにより、塗布、露光、ＰＥＢ（露光後ベーク）およ
び現像の工程により、微細なパターンを形成し得るポジ
型感光性ポリマー樹脂組成物が得られる。

【００８６】これらの感光性熱硬化促進剤は、単独で用
いても２種以上混合して用いてもよく、感光性ポリマー
樹脂の繰り返し単位１モル当量に対して０．１モル当量
以上配合することが好ましい。なお、感光性熱硬化促進
剤の配合量は、より好ましくは０．１〜４．０モル当量
であり、最も好ましくは０．１〜２．０モル当量であ
る。この理由は、感光性硬化促進剤の配合量が少なすぎ
る場合には樹脂層の感光性が不十分で十分な解像度が得
られなくなり、逆に感光性硬化促進剤の配合量が多すぎ
る場合には膜減りが大きくなったり、きれいな薄膜の形
成が困難になるおそれがあるためである。

【００８７】第３の感光性熱硬化促進剤は、縮環もしく
は非縮環の置換もしくは非置換のピリジンキノンジアジ
ド化合物またはキノリンキノンジアジド化合物である。

【００８８】ここで用いうる非置換のピリジンキノンジ
アジド化合物としては、例えば、ピリジン−３，４−キ
ノン−３−ジアジドが挙げられる。また、非置換のキノ
リンキノンジアジド化合物としては、キノリン−３，４
−キノン−３−ジアジド、キノリン−３，４−キノン−
４−ジアジド、キノリン−５，６−キノン−５−ジアジ
ド、キノリン−５，６−キノン−６−ジアジド、キノリ
ン−７，８−キノン−８−ジアジド、キノリン−７，８
−キノン−７−ジアジド、ベンゾ［ｆ］キノリン−３，
４−キノン−３−ジアジド、ベンゾ［ｇ］キノリン−
３，４−キノン−３−ジアジド、およびベンゾ［ｈ］キ
ノリン−３，４−キノン−３−ジアジドが挙げられる。

【００８９】これらのピリジンキノンジアジド化合物ま
たはキノリンキノンジアジド化合物に導入され、置換ピ
リジンキノンジアジド化合物または置換キノリンキノン
ジアジド化合物を構成する置換基としては、例えば、ジ
置換アミノ基（ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
ジブチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、ブチルメチ
ルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジベンジルアミノ基、
ジフェネチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリル
アミノ基、ジキシリルアミノ基、メチルフェニルアミノ
基、ベンジルメチルアミノ基など）、モノ置換アミノ基
（メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ
基、イソプロピルアミノ基、tert.-ブチルアミノ基、ア
ニリノ基、アニシジノ基、フェネチジノ基、トルイジノ
基、キシリジノ基、ピリジルアミノ基、チアゾリルアミ
ノ基、ベンジルアミノ基、ベンジリデンアミノ基な
ど）、環状アミノ基（ピロリジノ基、ピペリジノ基、ピ
ペラジノ基、モルホリノ基、１−ピロリル基、１−ピラ
ゾリル基、１−イミダゾリル基、１−トリアゾリル基な
ど）、アシルアミノ基（ホルミルアミノ基、アセチルア
ミノ基、ベンゾイルアミノ基、シンナモイルアミノ基、
ピリジンカルボニルアミノ基、トリフルオロアセチルア
ミノ基など）、スルホニルアミノ基（メシルアミノ基、
エチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ
基、ピリジルスルホニルアミノ基、トシルアミノ基、タ
ウリルアミノ基、トリフルオロメチルスルホニルアミノ
基、スルファモイルアミノ基、メチルスルファモイルア
ミノ基、スルファニルアミノ基、アセチルスルファニル
アミノ基など）、アミノ基、ヒドロキシアミノ基、ウレ
イド基、セミカルバジド基、カルバジド基、ジ置換ヒド
ラジノ基（ジメチルヒドラジノ基、ジフェニルヒドラジ
ノ基、メチルフェニルヒドラジノ基など）、モノ置換ヒ
ドラジノ基（メチルヒドラジノ基、フェニルヒドラジノ
基、ピリジルヒドラジノ基、ベンジリデンヒドラジノ基
など）、ヒドラジノ基、アミジノ基、オキシム基（ヒド
ロキシイミノメチル基、メトキシイミノメチル基、エト
キシイミノメチル基、ヒドロキシイミノエチル基、ヒド
ロキシイミノプロピル基など）、ヒドロキシ基、オキシ
基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、ヒドロキシエトキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ
基、ピリジルオキシ基、チアゾリルオキシ基、アセトキ
シ基など）、チオ基（メチルチオ基、エチルチオ基、フ
ェニルチオ基、ピリジルチオ基、チアゾリルチオ基な
ど）、アルコキシアルキル基（ヒドロキシメチル基、ヒ
ドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基など）、シア
ノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニトロ基、ニトロ
ソ基、メルカプト基、ハロゲン基（フルオロ基、クロロ
基、ブロモ基、ヨード基）、カルボキシル基およびその
塩、オキシカルボニル基（メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ピリジル
オキシカルボニル基など）、アミノカルボニル基（カル
バモイル基、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモ
イル基、ピリジルカルバモイル基、カルバゾイル基、ア
ロファノイル基、オキサモイル基、スクシンアモイル基
など）、チオカルボキシル基およびその塩、ジチオカル
ボキシル基およびその塩、チオカルボニル基（メトキシ
チオカルボニル基、メチルチオカルボニル基、メチルチ
オチオカルボニル基など）、アシル基（ホルミル基、ア
セチル基、プロピオニル基、アクリロイル基、ベンゾイ
ル基、シンナモイル基、ピリジンカルボニル基、チアゾ
ールカルボニル基、トリフルオロアセチル基など）、チ
オアシル基（チオホルミル基、チオアセチル基、チオベ
ンゾイル基、ピリジンチオカルボニル基など）、スルフ
ィン酸基およびその塩、スルホン酸基およびその塩、ス
ルフィニル基（メチルスルフィニル基、エチルスルフィ
ニル基、フェニルスルフィニル基など）、スルホニル基
（メシル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル
基、ピリジルスルホニル基、トシル基、タウリル基、ト
リフルオロメチルスルホニル基、スルファモイル基、メ
チルスルファモイル基、スルファニリル基、アセチルス
ルファニリル基など）、オキシスルホニル基（メトキシ
スルホニル基、エトキシスルホニル基、フェノキシスル
ホニル基、アセトアミノフェノキシスルホニル基、ピリ
ジルオキシスルホニル基など）、チオスルホニル基（メ
チルチオスルホニル基、エチルチオスルホニル基、フェ
ニルチオスルホニル基、アセトアミノフェニルチオスル
ホニル基、ピリジルチオスルホニル基など）、アミノス
ルホニル基（スルファモイル基、メチルスルファモイル
基、ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル
基、ジエチルスルファモイル基、フェニルスルファモイ
ル基、アセトアミノフェニルスルファモイル基、ピリジ
ルスルファモイル基など）、アンモニオ基（トリメチル
アンモニオ基、エチルジメチルアンモニオ基、ジメチル
スルフェニルアンモニオ基、ピリジニオ基、キノリニオ
基など）、アゾ基（フェニルアゾ基、ピリジルアゾ基、
チアゾリルアゾ基など）、アゾキシ基、ハロゲン化アル
キル基（クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロメ
チル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ヘプタフルオロプロピル基など）、炭化水素
基（アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニ
ル基など）、複素環基、有機ケイ素基（シリル基、ジシ
ラニル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基
など）などを挙げることができる。

【００９０】上述したピリジンキノンジアジド化合物ま
たはキノリンキノンジアジド化合物は、光照射前には熱
硬化促進能（脱水環化反応促進能）を有しているが、光
照射により熱硬化促進能（脱水環化反応促進能）を失活
する化合物である。具体的には、このような化合物に光
を照射することにより、まず、脱窒素反応が生じてケテ
ン化合物が発生する。このケテン化合物が周囲の水と反
応してピロールカルボン酸化合物またはシクロペンタピ
リジンカルボン酸化合物となることによって熱硬化促進
能が失活する。例えば、キノリン−３，４−キノン−３
−ジアジドは、光照射前には良好な熱硬化促進能を有す
る化合物であるが、この化合物に光を照射すると、ケテ
ン化合物を経て周囲の水と反応してインドール−３−カ
ルボン酸に変化して熱硬化促進能を失活する。

【００９１】ポリイミド前駆体（ポリアミド酸）などの
加熱により脱水環化して硬化する熱硬化性ポリマー樹脂
前駆体溶液に、これらの感光性熱硬化促進剤を添加する
ことにより、塗布、露光、ＰＥＢ（露光後ベーク）およ
び現像の工程により、微細なパターンを形成し得るポジ
型感光性ポリマー樹脂組成物が得られる。

【００９２】これらの感光性熱硬化促進剤は、単独で用
いても２種以上混合して用いてもよく、感光性ポリマー
樹脂の繰り返し単位１モル当量に対して０．１モル当量
以上配合することが好ましい。なお、感光性熱硬化促進
剤の配合量は、より好ましくは０．１〜４．０モル当量
であり、最も好ましくは０．１〜２．０モル当量であ
る。感光性熱硬化促進剤の配合量が少なすぎる場合に
は、樹脂層の感光性が不十分で十分な解像度が得られな
くなる。一方、感光性硬化促進剤の配合量が多すぎる場
合には、膜減りが大きくなったり、きれいな薄膜の形成
が困難になるおそれがあるためである。

【００９３】第４の感光性熱硬化促進剤は、縮環もしく
は非縮環の置換もしくは非置換の２−ヒドロキシピリジ
ン化合物のヒドロキシ基を、光照射により脱離する保護
置換基で置換した含窒素複素環化合物である。

【００９４】ここで用い得る縮環または非縮環の非置換
の２−ヒドロキシピリジン化合物としては、例えば、２
−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシキノリン、１−
ヒドロキシイソキノリン、３−ヒドロキシイソキノリ
ン、６−ヒドロキシフェナントリジン、２−ヒドロキシ
ベンゾ［ｆ］キノリン、２−ヒドロキシベンゾ［ｇ］キ
ノリン、２−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン、１−ヒ
ドロキシベンゾ［ｆ］イソキノリン、１−ヒドロキシベ
ンゾ［ｇ］イソキノリン、１−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
イソキノリン、３−ヒドロキシベンゾ［ｆ］イソキノリ
ン、３−ヒドロキシベンゾ［ｇ］イソキノリン、および
３−ヒドロキシベンゾ［ｈ］イソキノリンからなる群か
ら選択された少なくとも１種の含窒素複素環化合物が挙
げられる。

【００９５】上述したような含窒素複素環化合物に導入
され、置換含窒素複素環化合物を構成する置換基として
は、例えば、ジ置換アミノ基（ジメチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジブチルアミノ基、エチルメチルアミノ
基、ブチルメチルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジベン
ジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基、メチル
フェニルアミノ基、ベンジルメチルアミノ基など）、モ
ノ置換アミノ基（メチルアミノ基、エチルアミノ基、プ
ロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、tert.-ブチル
アミノ基、アニリノ基、アニシジノ基、フェネチジノ
基、トルイジノ基、キシリジノ基、ピリジルアミノ基、
チアゾリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ベンジリデン
アミノ基など）、環状アミノ基（ピロリジノ基、ピペリ
ジノ基、ピペラジノ基、モルホリノ基、１−ピロリル
基、１−ピラゾリル基、１−イミダゾリル基、１−トリ
アゾリル基など）、アシルアミノ基（ホルミルアミノ
基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、シンナモ
イルアミノ基、ピリジンカルボニルアミノ基、トリフル
オロアセチルアミノ基など）、スルホニルアミノ基（メ
シルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、フェニルス
ルホニルアミノ基、ピリジルスルホニルアミノ基、トシ
ルアミノ基、タウリルアミノ基、トリフルオロメチルス
ルホニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、メチルス
ルファモイルアミノ基、スルファニルアミノ基、アセチ
ルスルファニルアミノ基など）、アミノ基、ヒドロキシ
アミノ基、ウレイド基、セミカルバジド基、カルバジド
基、ジ置換ヒドラジノ基（ジメチルヒドラジノ基、ジフ
ェニルヒドラジノ基、メチルフェニルヒドラジノ基な
ど）、モノ置換ヒドラジノ基（メチルヒドラジノ基、フ
ェニルヒドラジノ基、ピリジルヒドラジノ基、ベンジリ
デンヒドラジノ基など）、ヒドラジノ基、アミジノ基、
ヒドロキシ基、オキシム基（ヒドロキシイミノメチル
基、メトキシイミノメチル基、エトキシイミノメチル
基、ヒドロキシイミノエチル基、ヒドロキシイミノプロ
ピル基など）、アルコキシアルキル基（ヒドロキシメチ
ル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基な
ど）、シアノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニトロ
基、ニトロソ基、オキシ基（メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フ
ェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基、チアゾ
リルオキシ基、アセトキシ基など）、チオ基（メチルチ
オ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ
基、チアゾリルチオ基など）、メルカプト基、ハロゲン
基（フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基）、カ
ルボキシル基およびその塩、オキシカルボニル基（メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシ
カルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基など）、ア
ミノカルボニル基（カルバモイル基、メチルカルバモイ
ル基、フェニルカルバモイル基、ピリジルカルバモイル
基、カルバゾイル基、アロファノイル基、オキサモイル
基、スクシンアモイル基など）、チオカルボキシル基お
よびその塩、ジチオカルボキシル基およびその塩、チオ
カルボニル基（メトキシチオカルボニル基、メチルチオ
カルボニル基、メチルチオチオカルボニル基など）、ア
シル基（ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ア
クリロイル基、ベンゾイル基、シンナモイル基、ピリジ
ンカルボニル基、チアゾールカルボニル基、トリフルオ
ロアセチル基など）、チオアシル基（チオホルミル基、
チオアセチル基、チオベンゾイル基、ピリジンチオカル
ボニル基など）、スルフィン酸基およびその塩、スルホ
ン酸基およびその塩、スルフィニル基（メチルスルフィ
ニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル
基など）、スルホニル基（メシル基、エチルスルホニル
基、フェニルスルホニル基、ピリジルスルホニル基、ト
シル基、タウリル基、トリフルオロメチルスルホニル
基、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、スル
ファニリル基、アセチルスルファニリル基など）、オキ
シスルホニル基（メトキシスルホニル基、エトキシスル
ホニル基、フェノキシスルホニル基、アセトアミノフェ
ノキシスルホニル基、ピリジルオキシスルホニル基な
ど）、チオスルホニル基（メチルチオスルホニル基、エ
チルチオスルホニル基、フェニルチオスルホニル基、ア
セトアミノフェニルチオスルホニル基、ピリジルチオス
ルホニル基など）、アミノスルホニル基（スルファモイ
ル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイ
ル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルファモイ
ル基、フェニルスルファモイル基、アセトアミノフェニ
ルスルファモイル基、ピリジルスルファモイル基な
ど）、アンモニオ基（トリメチルアンモニオ基、エチル
ジメチルアンモニオ基、ジメチルスルフェニルアンモニ
オ基、ピリジニオ基、キノリニオ基など）、アゾ基（フ
ェニルアゾ基、ピリジルアゾ基、チアゾリルアゾ基な
ど）、アゾキシ基、ハロゲン化アルキル基（クロロメチ
ル基、ブロモメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメ
チル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリ
フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフ
ルオロプロピル基など）、炭化水素基（アルキル基、ア
リール基、アルケニル基、アルキニル基など）、複素環
基、有機ケイ素基（シリル基、ジシラニル基、トリメチ
ルシリル基、トリフェニルシリル基など）などを挙げる
ことができる。

【００９６】また、上述したような置換または非置換の
特定の含窒素複素環化合物のヒドロキシ基を保護し得
る、光の照射により脱離する保護置換基としては、例え
ば、ニトロ基で置換されたベンジル基（２−ニトロベン
ジル基、４−ニトロベンジル基、２，４−ジニトロベン
ジル基など）、アシル基（ホルミル基、アセチル基、ベ
ンゾイル基、ニトロベンゾイル基、ピリジンカルボニル
基、トリフルオロアセチル基など）、アシルメチル基
（アセトニル基、フェナシル基、ニトロフェナシル基、
ピリジンカルボニルメチル基など）、置換もしくは非置
換のアルコキシカルボニル基（ベンジルオキシカルボニ
ル基、２−フェニルイソプロポキシカルボニル基、２−
ニトロベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル基、２，４−ジニトロベンジルオキ
シカルボニル基、２−シアノメチルイソプロポキシカル
ボニル基、２−メチルスルホニルイソプロポキシカルボ
ニル基など）、スルホニル基（メシル基、フェニルスル
ホニル基、トシル基、ピリジルスルホニル基、トリフル
オロメチルスルホニル基、ジアゾフェノールスルホニル
基、ジアゾナフトールスルホニル基など）、スルホニル
メチル基（フェニルスルホニルメチル基、トシルメチル
基、ピリジルスルホニルメチル基、トリフルオロメチル
スルホニルメチル基など）が挙げられる。

【００９７】上述したような、光照射により脱離する保
護置換基でヒドロキシ基を置換した２−ヒドロキシピリ
ジン化合物は、光照射前には熱硬化促進能（脱水環化反
応促進能）を有しているが、光照射により熱硬化促進能
（脱水環化反応促進能）を失活する化合物である。具体
的には、このような化合物に光を照射することにより、
まず、保護置換基が脱離して、核窒素原子に隣接する核
炭素原子にヒドロキシ基が発生する。次いで、互変異性
により環状アミド化することによって熱硬化促進能が失
活する。

【００９８】ポリイミド前駆体（ポリアミド酸）などの
加熱により脱水環化して硬化する熱硬化性ポリマー樹脂
前駆体溶液に、これらの感光性熱硬化促進剤を添加する
ことにより、塗布、露光、ＰＥＢ（露光後ベーク）およ
び現像の工程により、微細なパターンを形成し得るポジ
型感光性ポリマー樹脂組成物が得られる。

【００９９】これらの感光性熱硬化促進剤は、単独で用
いても２種以上混合して用いてもよく、感光性ポリマー
樹脂の繰り返し単位１モル当量に対して０．１モル当量
以上配合することが好ましい。なお、感光性熱硬化促進
剤の配合量は、より好ましくは０．１〜４．０モル当量
であり、最も好ましくは０．１〜２．０モル当量であ
る。感光性熱硬化促進剤の配合量が少なすぎる場合に
は、樹脂層の感光性が不十分で十分な解像度が得られな
くなる。一方、感光性硬化促進剤の配合量が多すぎる場
合には、膜減りが大きくなったり、きれいな薄膜の形成
が困難になるおそれがあるためである。

【０１００】本発明の感光性ポリマー樹脂組成物におい
ては、前記感光性硬化促進剤の感度を増加させるために
必要に応じて増感剤を配合してもよい。増感剤として
は、具体的には、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベ
ンゾイン、２−メチルベンゾイン、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル、アントロン、１，９−ベンゾアントロ
ン、アントラセン、フェナントレンキノン、ピレン−
１，６−キノン、９−フルオレノン、１，２−ベンゾア
ントラキノン、アントアントロン、２−クロロベンズア
ントラキノン、２−ブロモベンズアントラキノン、２−
クロロ−１，８−フタロイルナフタレン、ミヒラーケト
ン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルジメチルケタ
ール、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニ
ル］−２−モルホリノ−１−プロパノン、１−ヒドロキ
シシクロヘキシルフェニルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノ安息香酸エチル、アクリジン、シアノアクリジン、
ニトロピレン、１，８−ジニトロピレン、５−ニトロア
セナフテン、２−ニトロフルオレン、２−ターシャリー
ブチル−９，１０−アントラキノン、およびＮ−フェニ
ルマレイミドなどが挙げられる。

【０１０１】これらの増感剤は単独であるいは２種以上
混合して用いることができる。その配合量は、感光性ポ
リマー樹脂の繰り返し単位１モル当量に対して好ましく
は０．０１モル当量以上、より好ましくは０．１モル当
量以上、最も好ましくは０．１〜５モル当量である。こ
の範囲を逸脱すると現像性や成膜性に悪影響を与えるお
それがある。

【０１０２】また、本発明の感光性ポリマー樹脂組成物
においては、必要に応じて染料、界面活性剤、アルカリ
可溶性樹脂などを配合してもよい。

【０１０３】本発明の感光性ポリマー樹脂組成物は、ポ
リアミド酸などの加熱により脱水環化する熱硬化性ポリ
マー樹脂前駆体を有機溶媒に溶解して得られた溶液に、
光照射により熱硬化促進能を失活する感光性熱硬化促進
剤を加えることにより容易に調製することができる。こ
の際、必要に応じて適切な有機溶媒で希釈してもよい。
場合によっては、増感剤、染料、界面活性剤、およびア
ルカリ可溶性樹脂などを得られた混合溶液に加え、所望
により濾過などの方法で微細な不純物を除去して調合す
る。すなわち、本発明の感光性ポリマー樹脂組成物は、
煩雑な工程を何等伴うことなく容易に調製することがで
き、しかも得られる組成物中に不純物が混入することも
ない。

【０１０４】この際、使用される有機溶剤としては、例
えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメトキシアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−
２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノン、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−メチル−
ε−カプロラクタム、Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタ
ム、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエ
タン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ビス（２
−エトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メト
キシエトキシ）エタン、ビス［２−（２−メトキシエト
キシ）エチル］エーテル、１−アセトキシ−２−メトキ
シエタン、１−アセトキシ−２−エトキシエタン、（２
−アセトキシエチル）（２−メトキシエチル）エーテ
ル、（２−アセトキシエチル）（２−エトキシエチル）
エーテル、３−メトキシプロピオン酸メチル、テトラヒ
ドロフラン、１，３−ジオキサン、１，３−ジオキソラ
ン、１，４−ジオキサン、ピロリン、ピリジン、ピコリ
ン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチロラ
クトン、炭酸プロピレン、フェノール、クレゾール、ア
セトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン、アセトニルアセトンなどが例示
され、これらの有機溶剤は単独で用いてもよいし、２種
以上混合して用いてもよい。

【０１０５】次に、本発明のポジ型感光性ポリマー樹脂
組成物を用いたパターン形成方法を詳細に説明する。

【０１０６】まず、上述したように調製されたポジ型感
光性ポリマー樹脂組成物を、スピンコート法などにより
基板表面に塗布し、ホットプレートによる加熱などを施
して１８０℃以下、好ましくは１２０℃以下の温度で乾
燥して樹脂層を形成する。本発明の感光性ポリマー樹脂
組成物は、未露光時に硬化促進能を有する感光性熱硬化
促進剤を含有しているため、この上限温度を越える温度
で加熱した場合には樹脂層全体が硬化して、解像度が低
下してしまう。

【０１０７】次に、このようにして形成された樹脂層に
対し、例えば、所望のパターンを有するフォトマスクを
介して、可視光、赤外光、紫外光、ＥＢまたはＸ線など
のエネルギー線を照射し、樹脂層の所望の領域に露光を
施す。なお、この際の露光方法としては、密着露光、投
影露光の何れの方式を用いてもよい。

【０１０８】上述のように露光を施すことにより、樹脂
層の露光部においては感光性熱硬化促進剤の熱硬化促進
能が失活するので、露光後に熱処理を施しても露光部の
樹脂層が硬化するのが妨げられる。なお、第１から第４
の各感光性熱硬化促進剤における熱硬化促進能の失活の
メカニズムは、上述したとおりである。

【０１０９】続いて露光後の樹脂層に対し、ホットプレ
ートなどを用いて５０〜２００℃、好ましくは８０〜１
６０℃の熱処理を施す。この熱処理工程により、樹脂層
の未露光部では硬化促進剤の作用によってポリイミド前
駆体であるポリアミド酸の脱水環化による熱硬化が進行
してポリイミドが形成される。これに対し露光部では、
上述したように露光により感光性熱硬化促進剤の硬化促
進能が失活しているので、ほとんど熱硬化が進まず、そ
の結果、露光部と未露光部との溶解性に大きな差が生じ
る。なお、所定の温度未満で樹脂層を加熱した場合に
は、感光性熱硬化促進剤の硬化促進能を十分に発揮する
ことができないので未露光部の熱硬化がほとんど進行し
ない。一方、所定の温度より高温で樹脂層を加熱した場
合には露光部においても熱硬化がかなり進行してしま
う。いずれの場合も解像度の低下を招き、微細なパター
ンを形成することが困難になる。また、熱処理の時間
は、熱処理温度にもよるが、通常０．５〜６０分程度で
あり、０．５〜３０分程度がより好ましい。これは、熱
処理時間が短すぎる場合には未露光部の熱硬化がほとん
ど進行せず、逆に熱処理時間が長すぎる場合には露光部
の熱硬化がかなり進行してしまい、いずれの場合も解像
度の低下を招き、微細なパターンを形成することが困難
になるからである。

【０１１０】熱処理後の樹脂層は、適切な現像液を用い
て浸漬法、スプレー現像法、パドル現像法などにより現
像処理を施す。ここで使用され得る現像液としては、有
機溶剤系現像液またはアルカリ水溶液系現像液が挙げら
れる。有機溶剤系現像液としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメトキシア
セトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリドン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ヘキサメチ
ルホスホルトリアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メ
チル−ε−カプロラクタム、Ｎ−アセチル−ε−カプロ
ラクタムなどの非プロトン性極性溶媒を使用することが
できる。これらの溶媒は、単独であるいはメタノール、
エタノール、イソプロパノール、ベンゼン、トルエン、
キシレン、メチルセロソルブおよび水などのポリマー樹
脂の貧溶媒との混合液として使用してもよい。

【０１１１】また、アルカリ水溶液系現像液としては、
例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、プロピル
アミン、ブチルアミン、モノエタノールエチレンジアミ
ン、トリメチレンジアミン、トリメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、ヒドラジン、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシドなどの有機アルカリ水溶液、
または、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リ
チウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニ
ウム、炭酸水素カリウム、リン酸アンモニウム、アンモ
ニアなどの無機アルカリ水溶液を使用することができ
る。これらの水溶液に、メタノール、エタノール、アセ
トン、２−プロパノール、エチレングリコール、エチル
セロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、Ｎ−メ
チルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の
有機溶媒を混合したものも用いられ得る。なお、有機溶
媒で現像すると金属性不純物の混入が少ないという利点
があるものの、安全面、衛生面および環境面から、現像
液としてはアルカリ水溶液系現像液を用いることが望ま
しい。さらに、アルカリ水溶液で現像した場合には、得
られるポリイミド膜パターンの膨潤も避けられる。

【０１１２】このような現像処理により露光部の樹脂層
が溶解除去されて、ポジ型のポリイミド膜パターンが形
成される。特に本発明の感光性ポリマー樹脂組成物にお
いては、光の照射により硬化促進能が失活する感光性熱
硬化促進剤を配合していることに起因して、露光後の加
熱処理により樹脂層の未露光部のみで選択的にポリアミ
ド酸の脱水環化反応が生じてポリイミドが形成される。
一方、樹脂層の露光部では硬化促進剤の熱硬化促進能が
失活しているので硬化は進行せず、ポリアミド酸のまま
で存在する。

【０１１３】すなわち、適切な条件で露光後加熱を行な
うことにより、樹脂層の未露光部にはポリイミドが形成
され、一方、露光部にはポリアミド酸が残るため、露光
部と未露光部との現像液に対する溶解性に大きな差異を
設けることができる。したがって、現像処理の際には露
光部のみが選択的に溶解除去され、高い解像度で微細な
パターンを形成することが可能となった。

【０１１４】なお、現像後の樹脂層に対しては、現像液
残渣などを除去する目的で、水、アルコール、アセトン
などを用いてリンス処理することが望ましい。さらに、
現像液やリンス液を乾燥するため、および樹脂中の一部
未硬化部分の硬化を完了せしめるために、１２０〜４０
０℃の範囲内で加熱処理または真空加熱処理を施すこと
が望まれる。

【０１１５】本発明の方法によれば、フォトレジストを
別途使用することなく、パターン化されたポリイミド膜
を形成することができ、しかもアルカリ水溶液で現像可
能であるために、安全面や環境面等の問題も回避され
る。

【０１１６】上述のようにしてパターンが形成されたポ
リイミド膜は、各種の電子部品、例えばＬＳＩ素子など
の半導体素子、高密度プリント配線基板、薄膜磁気ヘッ
ド、磁気バブルメモリー、太陽電池、サーマルヘッドな
どにおいて、導体または半導体間の層間絶縁膜・配線絶
縁膜などの絶縁部材、パッシベーション膜などの保護部
材として適用することができる。さらに、光学素子の光
導波路などの光学部材や液晶素子の液晶配向膜として、
本発明の方法により形成されたポリイミド膜パターンを
適用することも可能である。いずれの場合も、ポリイミ
ド自体の耐熱性、低誘電率などの特徴に加え、ポリイミ
ド膜パターンと基板等との密着性や接着性も良好である
ことから、電子部品の信頼性を向上することができる。

【０１１７】さらに本発明では、上述したようなポジ型
のパターンをフォトリソグラフィーを利用した微細加工
技術に適用することもできる。具体的には、本発明のポ
ジ型感光性ポリマー樹脂組成物を用いて、所定の基板上
にパターンを形成した後、これをエッチングマスクとし
て常法に従いドライエッチングまたはウェットエッチン
グ剤により基板の加工を行なう。なお、特に３μｍ以下
の微細な加工を行なう場合にはドライエッチング法が好
ましい。

【０１１８】このときのウェットエッチング剤として
は、シリコン酸化膜をエッチング対象とする場合にはフ
ッ酸水溶液、フッ化アンモニウム水溶液等が用いられ、
アルミニウムをエッチング対象とする場合にはリン酸水
溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液等が用いられ、クロム系
膜をエッチング対象とする場合には硝酸セリウムアンモ
ニウム水溶液等が用いられる。ドライエッチング用ガス
としては、ＣＦ₄ ，Ｃ₂Ｆ₆ ，ＣＣｌ₄ ，ＢＣｌ₃ ，Ｃ
ｌ₂ ，ＨＣｌ，Ｈ₂ 等を挙げることができ、必要に応じ
てこれらのガスを組み合わせて使用する。エッチングの
条件は、微細パターンが形成される物質の種類と感光性
ポリマー樹脂組成物の組み合わせに基づいて反応槽内の
ウェットエッチング剤の濃度、ドライエッチング用ガス
の濃度、反応温度、反応時間等を決定するが、特にその
方法等に制限されない。なおこのエッチング後には、基
板上に残存する本発明の感光性ポリマー樹脂組成物を用
いて形成したパターンを剥離剤（例えばヒドラジン水溶
液）や酸素ガスプラズマ等を用いて除去すればよい。

【０１１９】本発明のパターン形成方法においては、ポ
リアミド酸を架橋することなく現像液に不溶化させてポ
ジ型のパターンを形成するものであるため、膜の体積収
縮による膜減りを回避して十分なパターン精度を確保す
ることが可能となる。しかも、ポリアミド前駆体として
のポリアミド酸の構造に特に制約がないことから、電気
的特性、熱特性、密着性等の優れたポリイミド膜パター
ンを容易に形成でき、非常に有利である。したがって、
本発明の感光性ポリマー樹脂組成物は、上述したような
各種の電子部品の絶縁膜等としてのみならず、所定の部
材に微細加工を施す際にも有用なものである。

【０１２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。

【０１２１】まず、下記表１に示す原料を所定の配合比
（モル当量で表示）で用い、以下のようにしてポリアミ
ド酸を合成した。まず、アルゴンガス雰囲気下、冷媒に
より−５℃〜５℃に冷却したセパラブルフラスコにＮ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド５０ｍｌを収容し、所定量の
テトラカルボン酸二無水物を加えて攪拌しながら溶解し
た。この溶液に、所定量のジアミン化合物をＮ，Ｎ−ジ
メチエルアセトアミド５０ｍｌに溶解して得られた溶液
を、圧力平衡管付きの滴下濾斗によりゆっくりと滴下
し、４時間攪拌した。さらに室温で４時間攪拌してポリ
アミド酸ＰＡＡ１〜ＰＡＡ５を得た。

【０１２２】合成したそれぞれのポリアミド酸の０．５
ｗｔ％−Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液のインヒーレ
ント粘度を３０℃において測定した。これらの結果を表
１に示す。

【０１２３】ここで、表１に表記したテトラカルボン酸
二無水物、ジアミン化合物および溶媒の略号は以下の化
合物を示す。

【０１２４】（テトラカルボン酸二無水物） ＰＭＡ：ピロメリト酸二無水物 ＢＮＴＡ：３，３´４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物 ６ＦＴＡ：1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2,2- プロピリ
デン-4,4'-ジフタル酸二無水物 （ジアミン化合物） ＯＤＡ：オキシ−４，４´−ジアニリン ＳＮＤＡ：スルホニル−３，３´−ジアニリン ＴＳＤＡ：1,3-ビス(3- アミノプロピル)-1,1,3,3-テト
ラメチルジシロキサン （溶媒） ＤＭＡＣ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド

【表１】

【０１２５】上述のようにして得られたポリアミド酸を
用いて、以下のようにして本発明のポジ型感光性ポリマ
ー樹脂組成物を調製した。

【０１２６】（実施例Ｉ）本実施例においては、前記一
般式（２）で表わされるアゾメチン化合物を感光性熱硬
化促進剤として配合してポジ型感光性ポリマー樹脂組成
物を調製し、その特性を調べた。まず、本実施例で用い
た感光性熱硬化促進剤であるアゾメチン化合物の略号を
以下にまとめる。

【０１２７】ＰＹＸ：２−ピリジンアルドキシム ＱＮＸ：２−キノリンアルドキシム ＩＭＸ：４−イミダゾールアルドキシム ＢＩＸ：２−ベンズイミダゾールアルドキシム ＰＰＸ：フェニル−２−ピリジルケトキシム ＰＰＨ：２−ピリジンカルバルデヒド＝２−ピリジルヒ
ドラゾン ＰＡＨ：２−ピリジンカルバルデヒド＝アセチルヒドラ
ゾン ＰＳＣ：２−ピリジンカルバルデヒド＝セミカルバゾン 下記表２ないし表５に示すように、上述の工程で合成し
たポリアミド酸溶液に、所定の配合比で感光性熱硬化促
進剤を加え、室温において均一になるよう攪拌混合し
た。これを細孔０．５μｍのメンブレンフィルターで濾
過することにより、本発明（実施例Ｉ−１〜Ｉ−４０）
の感光性ポリマー樹脂組成物を調製した。

【０１２８】さらに、得られた感光性ポリマー樹脂組成
物を用いてパターニングを行なって解像性を調べ、その
結果を下記表２および３に併記した。また、ポリイミド
膜を形成して密着性および耐熱性を評価して、それらの
結果を下記表４および５にまとめる。

【０１２９】なお、解像性、密着性および耐熱性は、そ
れぞれ以下のようにして評価した。

【０１３０】（解像性評価）まず、各感光性ポリマー樹
脂組成物の溶液をスピンコート法により４インチ径のシ
リコンウェハー上に塗布し、９０℃のホットプレート上
で１０分間加熱（プリベーク）して、膜厚約５μｍの樹
脂層を形成した。次に、露光装置（キャノン社製：ＰＬ
Ａ−５０１ＦＡ）により、解像力テスト用石英マスクを
介して所定の光照射量で前記樹脂層に露光を施した。

【０１３１】露光後には、１４０℃のホットプレート上
で前記シリコンウェハーを５分間加熱（ＰＥＢ）するこ
とによって、樹脂層の未露光部におけるポリアミド酸の
脱水環化による熱硬化を進行させた。

【０１３２】次いで、前記シリコンウェハーをアルカリ
現像液（１．１９ｗｔ％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液）中に１２０秒間浸漬して現像処理を行
なって樹脂層の露光部を選択的に溶解除去した後、２０
秒間水洗した。

【０１３３】最後に、現像後の樹脂膜パターンが形成さ
れたシリコンウェハーを２５０℃のホットプレート上で
３０分間加熱して、ポジ型のポリイミドパターン膜を形
成した。こうして形成されたパターン膜の断面を、電子
顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して、解像度を求めた。

【０１３４】（密着性評価）まず、各感光性ポリマー樹
脂組成物の溶液をスピンコート法により４インチ径のシ
リコンウェハー上に塗布し、９０℃のホットプレート上
で１０分間加熱（プリベーク）して膜厚約５μｍの樹脂
層を形成した。次に、前記シリコンウェハーを２５０℃
のホットプレート上で３０分間加熱して、サンプルとな
るポリイミド膜を作製した。さらに、このウェハーを２
気圧の飽和水蒸気中、１２０℃で２４時間加熱した後、
ゴバン目試験法により密着性を評価した。

【０１３５】（耐熱性評価）まず、各感光性ポリイミド
樹脂組成物をスピンコート法により４インチ径のシリコ
ンウェハー上に塗布し、９０℃のホットプレート上で１
０分間加熱（プリベーク）して、膜厚約５μｍの樹脂層
を形成した。次に、前記シリコンウェハーを２５０℃の
ホットプレート上で３０分間加熱して、サンプルとなる
ポリイミド膜を作製した。その後、樹脂層をウェハーか
ら剃刀で剥がし、樹脂層の３ｗｔ％重量減少温度（窒素
気流中）を熱重量分析法（ＴＧＡ）で測定した。

【０１３６】

【表２】

【０１３７】

【表３】

【０１３８】

【表４】

【０１３９】

【表５】

【０１４０】（実施例II）本実施例においては、前記一
般式（３）で表わされる含窒素複素環化合物を感光性熱
硬化促進剤として配合してポジ型感光性ポリマー樹脂組
成物を調製し、その特性を調べた。まず、本実施例で用
いた感光性熱硬化促進剤である含窒素化合物（ＰＹ
１）、（ＰＹ２）、（ＰＹ３）、（ＱＮ１）および（Ｑ
Ｎ２）を以下にまとめる。

【０１４１】

【化１４】

【０１４２】下記表６ないし表９に示すように、上述の
工程で合成したポリアミド酸溶液に、所定の配合比で感
光性熱硬化促進剤を加え、室温において均一になるよう
攪拌混合した。これを細孔０．５μｍのメンブレンフィ
ルターで濾過することにより、本発明（実施例II−１〜
II−３０）の感光性ポリマー樹脂組成物を調製した。

【０１４３】さらに、得られた感光性ポリマー樹脂組成
物を用いて上述と同様の条件でパターニングを行なって
解像性を調べ、その結果を下記表６および７に併記し
た。また、ポリイミド膜を形成して密着性および耐熱性
を上述と同様の手法で評価して、それらの結果を下記表
８および９にまとめる。

【０１４４】

【表６】

【０１４５】

【表７】

【０１４６】

【表８】

【０１４７】

【表９】

【０１４８】（実施例 III）本実施例においては、縮環
もしくは非縮環の置換もしくは非置換のピリジンキノン
ジアジド化合物またはキノリンキノンジアジド化合物
を、感光性熱硬化促進剤としてポジ型感光性ポリマー樹
脂組成物を調製し、その特性を調べた。まず、本実施例
で用いた感光性熱硬化促進剤の略号を以下にまとめる。

【０１４９】ＱＮＱＤ：キノリン−３，４−キノン−３
−ジアジド ７ＰＱＤ：７−フェニルキノリン−３，４−キノン−３
−ジアジド ＤＭＱＤ：５，８−ジメトキシキノリン−３，４−キノ
ン−３−ジアジド ２ＨＱＤ：２−ヒドロキシキノリン−３，４−キノン−
３−ジアジド ＢＱＱＤ：ベンゾ［ｇ］キノリン−３，４−キノン−３
−ジアジド 下記表１０ないし表１３に示すように、上述の工程で合
成したポリアミド酸溶液に、所定の配合比で感光性熱硬
化促進剤を加え、室温において均一になるよう攪拌混合
した。これを細孔０．５μｍのメンブレンフィルターで
濾過することにより、本発明（実施例 III−１〜 III−
３０）の感光性ポリマー樹脂組成物を調製した。

【０１５０】さらに、得られた感光性ポリマー樹脂組成
物を用いて上述と同様の条件でパターニングを行なって
解像性を調べ、その結果を下記表１０および１１に併記
した。また、ポリイミド膜を形成して密着性および耐熱
性を上述と同様の手法で評価して、それらの結果を下記
表１２および１３にまとめる。

【０１５１】

【表１０】

【０１５２】

【表１１】

【０１５３】

【表１２】

【０１５４】

【表１３】

【０１５５】（実施例IV）本実施例においては、縮環も
しくは非縮環の置換もしくは非置換の２−ヒドロキシピ
リジン化合物のヒドロキシ基を、光照射により脱離する
保護置換基で置換してなる含窒素複素環化合物を感光性
熱硬化促進剤としてポジ型感光性ポリマー樹脂組成物を
調製し、その特性を調べた。まず、本実施例で用いた感
光性熱硬化促進剤の略号を以下にまとめる。

【０１５６】２ＮＢＰ：２−（２−ニトロベンジルオキ
シ）ピリジン ２ＮＢＱ：２−（２−ニトロベンジルオキシ）キノリン １ＮＢＩ：１−（２−ニトロベンジルオキシ）イソキノ
リン ２ＤＮＰ：２−（２−ジアゾ−１−ナフトール−４−イ
ルスルホニルオキシ）ピリジン ２ＤＮＱ：２−（２−ジアゾ−１−ナフトール−４−イ
ルスルホニルオキシ）キノリン ＮＴＦＰ：５−ニトロ−２−（トリフルオロメタンスル
ホニルオキシ）ピリジン ２ＴＦＱ：２−（トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ）キノリン １ＴＦＩ：１−（トリフルオロメタンスルホニルオキ
シ）イソキノリン 下記表１４ないし表１７に示すように、上述の工程で合
成したポリアミド酸溶液に、所定の配合比で感光性熱硬
化促進剤を加え、室温において均一になるよう攪拌混合
した。これを細孔０．５μｍのメンブレンフィルターで
濾過することにより、本発明（実施例IV−１〜IV−４
０）の感光性ポリマー樹脂組成物を調製した。

【０１５７】さらに、得られた感光性ポリマー樹脂組成
物を用いて上述と同様の条件でパターニングを行なって
解像性を調べ、その結果を下記表１４および１５に併記
した。また、ポリイミド膜を形成して密着性および耐熱
性を上述と同様の手法で評価して、それらの結果を下記
表１６および１７にまとめる。

【０１５８】

【表１４】

【０１５９】

【表１５】

【０１６０】

【表１６】

【０１６１】

【表１７】

【０１６２】また、感光性熱硬化促進剤を配合せずに調
製した感光性ポリマー樹脂組成物を用い、上述の実施例
と同様の条件でパターニングを行なって解像性を調べ、
その結果を比較例（１〜５）として、下記表１８にまと
める。

【０１６３】

【表１８】

【０１６４】また、高温加熱プロセス（１５０℃で１時
間、２５０℃で１時間、３５０℃で１時間）によりポリ
イミド膜を成膜し、同様にして密着性および耐熱性を調
べて、比較例（６〜１０）として下記表１９にまとめ
る。

【０１６５】

【表１９】

【０１６６】以上の結果に示されるように、光の照射に
より硬化促進能が低下する感光性熱硬化促進剤を配合し
た本発明の感光性ポリマー樹脂組成物は、いずれも１５
０〜４００ｍＪ／ｃｍ² の照射量で、線幅２．０〜３．
５μｍのラインアンドスペースの良好なポジ型パターン
が形成されている。したがって、本発明の感光性ポリマ
ー樹脂組成物は、パッシベーション膜や配線絶縁膜など
に良好な解像性を有することが示唆される。

【０１６７】しかも、本発明の感光性ポリマー樹脂組成
物を用いて形成されたポリイミド膜は全く剥離せず、前
記樹脂層とシリコンウェハーとの十分な密着性を有して
いる。本発明の感光性ポリマー樹脂組成物を用いて形成
されたポリイミド膜は、いずれも４５０℃まで熱分解な
どによる重量の減少が認められず、高温加熱プロセスで
作製した比較例（６〜１０）のポリイミド膜と同等の高
い耐熱性を有していることが確認された。

【０１６８】これに対し、感光性熱硬化促進剤を配合し
ていない樹脂組成物（比較例１〜５）は、１０００ｍＪ
／ｃｍ² の照射量で露光を行なっても全くパターンを形
成することができない。

【０１６９】さらに、本発明のポジ型感光性ポリマー樹
脂組成物からなる樹脂膜をパターニングして得られたポ
リイミド膜パターンを用い、図１〜図４に示す各種の電
子部品を試作した。

【０１７０】図１は本発明の方法に係る感光性ポリマー
からなるパッシベーション膜を有する半導体素子の断面
図である。ここでは実施例（ III−１４）の感光性ポリ
マー樹脂組成物を用い、以下のようにしてパターン形成
されたポリイミド膜をパッシベーション膜として用い
た。

【０１７１】まず、ｐｎｐ型トランジスタが構成され、
その上に熱酸化膜および電極が形成されたシリコン基板
上に感光性ポリマー樹脂組成物を塗布し、９０℃で１０
分間プリベークして膜厚約１０μｍの樹脂層を形成し
た。次に、露光装置（キャノン社製：ＰＬＡ−５０１Ｆ
Ａ）により、前記樹脂層の表面上を解像力テスト用石英
マスクを介して３００ｍＪ／ｃｍ² の照射量で露光を施
した。露光後、１４０℃のホットプレート上で前記シリ
コンウェハーを５分間加熱した。この後、前記シリコン
基板をアルカリ現像液（１．１９ｗｔ％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液）中に１２０秒間浸漬し
て露光部の樹脂層を選択的に溶解・除去し、さらに２０
秒間水洗した。最後に２５０℃のホットプレート上で３
０分間加熱してポリイミドパターン膜を形成した。

【０１７２】図１において、タブ１３上に配置されたＬ
ＳＩチップ１１の上には、ボンディングパッド１２が設
けられ、さらにパターニングされたポリイミド膜からな
るパッシベーション膜１５が形成されている。なお、Ｌ
ＳＩチップ１１上のボンディングパッド１２は、ボンデ
ィングワイヤ１６によりリードフレーム１７と接続され
ており、これらは封止剤１８で封止されている。

【０１７３】本発明の感光性ポリマー樹脂組成物から得
られるポリイミド膜パターンをパッシベーション膜１５
に用いれば、高信頼性の半導体素子が得られ、製造工程
における不良もほとんどない。しかも、ＰＥＰ工程が不
要であるために製造プロセスは簡素化され、安全面等の
問題も何等伴わない。

【０１７４】図２は、本発明に係る感光性ポリマー樹脂
組成物からなる層間絶縁膜を有するマルチチップモジュ
ールの一部を表わす断面図である。ここでは実施例（IV
−４）の感光性ポリマー樹脂組成物を用い、前述と同様
の方法でパターン形成されたポリイミド膜を層間絶縁膜
として用いた。

【０１７５】図２において、シリコン基板２１上には熱
酸化膜２２が形成されている。この熱酸化膜２２上に
は、銅配線２３、ポリイミド膜からなる層間絶縁膜２
４、銅配線２５およびポリイミド膜からなる層間絶縁膜
２６が順次形成されている。さらに、上層の層間絶縁膜
２６の一部にコンタクトホールが開口され、銅配線２３
に接続するＰｂ／Ｓｎ電極２７およびＢＬＭ(Ball Limi
ting Metallization) ２８が形成されている。

【０１７６】上記の層間絶縁膜２４はポリアミド酸を含
む溶液をスピンコートした後に硬化して形成するので、
銅配線による段差を大幅に緩和して平坦化でき、高信頼
性の配線構造を得ることができる。

【０１７７】図３は、本発明に係る感光性ポリマーから
なるポリマーコア層を有する埋め込み型光導波路の断面
図である。ここでは実施例（II−１２）の感光性ポリマ
ー樹脂組成物を用い、前述と同様の方法で形成されたポ
リイミド膜パターンを層間絶縁膜として用いた。

【０１７８】図３において、シリコン基板３１上にはＰ
ＡＡ１の熱硬化膜からなる下部クラッド層３２が形成さ
れている。この下部クラッド層３２上には、ポリマーコ
ア層３３およびＰＡＡ１の熱硬化膜からなる上部クラッ
ド層３４が順次形成されている。

【０１７９】上記のポリマーコア層３３は、本発明の感
光性ポリマー樹脂組成物を用いることにより簡便かつ正
確に形成できるので、ＰＥＰ工程が不要で生産性が向上
するという利点が得られる。

【０１８０】図４は本発明に係る感光性ポリマー樹脂組
成物を硬化させて得られたポリイミド膜からなる層間絶
縁膜を有する多層配線構造の半導体素子の断面図であ
る。ここでは実施例（Ｉ−５）の感光性ポリマー樹脂組
成物を用い、前述と同様の方法で形成されたポリイミド
膜パターンを層間絶縁膜として用いた。

【０１８１】図４において、素子部４７が形成されたシ
リコン基板４１表面には熱酸化膜４２が形成されてい
る。この熱酸化膜４２の一部にコンタクトホールが開口
され、その上に１層目のＡｌ配線４３が形成されてい
る。このＡｌ配線４３上にポリイミド膜からなる層間絶
縁膜４４が形成されている。この層間絶縁膜４４の一部
にコンタクトホールが開口され、その上に１層目のＡｌ
配線４３と接続する２層目のＡｌ配線４５が形成されて
いる。このＡｌ配線４５上にさらにポリイミド膜からな
る層間絶縁膜４６が形成されている。

【０１８２】上記の層間絶縁膜４４はポリアミド酸を含
む溶液をスピンコートした後に硬化して形成するので、
表面の段差を緩和して平坦化した状態で多層のＡｌ配線
を形成することができ、高信頼性の配線構造を得ること
ができる。

【０１８３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の感光性ポ
リマー樹脂組成物には、感光性熱硬化促進剤が配合され
ているので、かかる樹脂組成物を用いることにより、フ
ォトレジストを別途使用することなく微細なパターンを
形成することができる。しかも、アルカリ水溶液を用い
て現像可能であるので、安全面、衛生面および環境面の
問題は全て回避される。さらに本発明の感光性ポリマー
樹脂組成物を用いれば、解像性、密着性および耐熱性に
優れたポリイミド膜パターンを、絶縁部材、保護膜部
材、液晶部材または光導波路として具備する、信頼性の
高い電子部品を提供することができる。

【０１８４】したがって特に、ＬＳＩの配線絶縁膜、Ｌ
ＳＩの耐湿保護膜、ＬＳＩのα線遮断膜、半導体のパッ
シベーション膜、マルチチップモジュールの配線絶縁
膜、薄膜磁気ヘッド配線絶縁膜、磁気バブルメモリー素
子配線絶縁膜、光学素子、液晶表示素子の液晶配向膜な
どに有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る感光性ポリマー樹脂組成物からな
る膜をパターニングして得られたパッシベーション膜を
有する半導体素子の断面図。

【図２】本発明に係る感光性ポリマー樹脂組成物からな
る膜をパターニングして得られた層間絶縁膜を有するマ
ルチチップモジュールの断面図。

【図３】本発明に係る感光性ポリマー樹脂組成物からな
る膜をパターニングして得られたポリマーコア層を有す
る光導波路の断面図。

【図４】本発明に係る感光性ポリマー樹脂組成物からな
る膜をパターニングして得られた層間絶縁膜を有する多
層配線構造の半導体素子の断面図。

【符号の説明】

１１…ＬＳＩチップ １２…ボンディングパッド １３…タブ １５…ポリイミド膜からなるパッシベーション膜 １６…ボンディングワイヤ １７…リードフレーム １８…封止剤 ２１…シリコン基板 ２２…熱酸化膜 ２３，２５…銅配線 ２４，２６…ポリイミド膜からなる層間絶縁膜 ２７…Ｐｂ／Ｓｎ電極 ２８…ＢＬＭ（Ball Limiting Metallization ） ３１…シリコン基板 ３２…下部クラッド ３３…ポリマーコア層 ３４…上部クラッド ４１…シリコン基板 ４２…熱酸化膜 ４３，４５…Ａｌ配線 ４４，４６…ポリイミド膜からなる層間絶縁膜 ４７…素子部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 加熱により脱水環化する熱硬化性ポリマ
   ー樹脂前駆体と、光照射により熱硬化促進能を失活する
   感光性熱硬化促進剤とを含有することを特徴とするポジ
   型感光性ポリマー樹脂組成物。
2. 【請求項２】 前記加熱により脱水環化する熱硬化性ポ
   リマー樹脂前駆体は、下記一般式（１）で表わされる繰
   り返し単位を有するポリイミド前駆体である請求項１に
   記載のポジ型感光性ポリマー樹脂組成物。 【化１】 （上記一般式（１）中、φは四価の有機基、Ψは二価の
   有機基を示す。）
3. 【請求項３】 前記光照射により熱硬化促進能を失活す
   る感光性熱硬化促進剤は、下記一般式（２）で表わされ
   るアゾメチン化合物である請求項１または２に記載のポ
   ジ型感光性ポリマー樹脂組成物。 【化２】 （上記一般式（２）中、Ａｒ¹¹は、ピリジン型核窒素原
   子（−Ｎ＝）を有し、かつ前記核窒素原子に隣接する核
   炭素原子に結合手を有する、置換または非置換の含窒素
   芳香族複素環基であり、Ｒ¹¹は、置換または非置換の芳
   香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、脂環式
   炭化水素基、アシル基または水素原子であり、Ｒ¹²は、
   −ＯＨ基、−ＮＨ−Ｒ¹³基（Ｒ¹³は、置換または非置換
   の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、脂
   環式炭化水素基、アシル基、チオアシル基またはカルバ
   モイル基である。）、または−ＣＯＯＨ基である。）
4. 【請求項４】 前記光照射により熱硬化促進能を失活す
   る感光性熱硬化促進剤は、下記一般式（３）で表わされ
   る含窒素複素環化合物である請求項１または２に記載の
   ポジ型感光性ポリマー樹脂組成物。 【化３】 （上記一般式（３）中、Ａｒ²¹は、ピリジン型核窒素原
   子（−Ｎ＝）を有する、置換または非置換の含窒素芳香
   族複素環基であり、Ｒ²⁰は、以下に示す群から選択され
   る有機基である。） 【化４】 （上記一般式中、Ｒ²¹およびＲ²²は、置換または非置換
   の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、脂
   環式炭化水素基、アルコキシ基、ヒドロキシル基または
   水素原子であり、Ｒ²¹とＲ²²とが互いに結合して脂環式
   炭化水素基を形成していてもよい。Ｒ²³，Ｒ²⁴，Ｒ²⁵，
   Ｒ³⁰およびＲ³¹は、置換または非置換の芳香族炭化水素
   基、複素環基、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基ま
   たは水素原子；Ｒ²⁶，Ｒ²⁷およびＲ²⁸は、置換または非
   置換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基
   または脂環式炭化水素基；Ｒ²⁹は置換または非置換の芳
   香族炭化水素基または芳香族複素環基；Ｘはハロゲン基
   であり、Ｚは環状アミノ基である。）
5. 【請求項５】 前記光照射により熱硬化促進能を失活す
   る感光性熱硬化促進剤は、縮環もしくは非縮環のピリジ
   ンキノンジアジド化合物またはキノリンキノンジアジド
   化合物である請求項１または２に記載のポジ型感光性ポ
   リマー樹脂組成物。
6. 【請求項６】 前記光照射により熱硬化促進能を失活す
   る感光性熱硬化促進剤は、置換もしくは非置換のピリジ
   ン−３，４−キノン−３−ジアジド、キノリン−３，４
   −キノン−３−ジアジド、キノリン−３，４−キノン−
   ４−ジアジド、キノリン−５，６−キノン−５−ジアジ
   ド、キノリン−５，６−キノン−６−ジアジド、キノリ
   ン−７，８−キノン−８−ジアジド、キノリン−７，８
   −キノン−７−ジアジド、ベンゾ［ｆ］キノリン−３，
   ４−キノン−３−ジアジド、ベンゾ［ｇ］キノリン−
   ３，４−キノン−３−ジアジド、およびベンゾ［ｈ］キ
   ノリン−３，４−キノン−３−ジアジドからなる群から
   選択された少なくとも１種である請求項５に記載のポジ
   型感光性ポリマー樹脂組成物。
7. 【請求項７】 前記光照射により熱硬化促進能を失活す
   る感光性熱硬化促進剤は、縮環もしくは非縮環の置換も
   しくは非置換の２−ヒドロキシピリジン化合物のヒドロ
   キシ基を、光照射により脱離する保護置換基で置換した
   含窒素複素環化合物である請求項１または２に記載のポ
   ジ型感光性ポリマー樹脂組成物。
8. 【請求項８】 前記２−ヒドロキシピリジン化合物は、
   ２−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシキノリン、１
   −ヒドロキシイソキノリン、３−ヒドロキシイソキノリ
   ン、６−ヒドロキシフェナントリジン、２−ヒドロキシ
   ベンゾ［ｆ］キノリン、２−ヒドロキシベンゾ［ｇ］キ
   ノリン、２−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン、１−ヒ
   ドロキシベンゾ［ｆ］イソキノリン、１−ヒドロキシベ
   ンゾ［ｇ］イソキノリン、１−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
   イソキノリン、３−ヒドロキシベンゾ［ｆ］イソキノリ
   ン、３−ヒドロキシベンゾ［ｇ］イソキノリン、および
   ３−ヒドロキシベンゾ［ｈ］イソキノリンからなる群か
   ら選択された少なくとも１種の含窒素複素環化合物であ
   る請求項７に記載のポジ型感光性ポリマー樹脂組成物。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれか１項に記載
   の感光性ポリマー樹脂組成物を基板表面に塗布し、１８
   ０℃以下の温度で加熱乾燥して樹脂層を形成する工程
   と、 前記樹脂層の所定の領域に光を照射して露光を施す工程
   と、 前記露光後の樹脂層を、５０〜２００℃の温度で熱処理
   する工程と、 熱処理後の樹脂層の露光部を現像液により溶解除去して
   現像処理する工程とを具備するパターン形成方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし８のいずれか１項に記
    載のポジ型感光性ポリマー樹脂組成物を含む層をパター
    ニングして得られたポリマー樹脂膜を、絶縁部材、保護
    部材、光学部材または液晶配向膜として具備することを
    特徴とする電子部品。