JPH10185192A - セラミックグロープラグ及びその製造方法 - Google Patents
セラミックグロープラグ及びその製造方法Info
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Abstract
ツキの少ないセラミックグロープラグ及びその製造方法
の提供。 【解決手段】 ハウジング6と,ハウジング6の先端寄
りに嵌挿したヒータ2と,ヒータ2の基端部に向けてハ
ウジング6内に挿入した通電用の中軸3と,ヒータ2と
中軸3とを接続するための接続金具4とを有する。接続
金具4は内孔を有するパイプ形状であって,接続金具4
の内孔の基端部側には中軸3の先端部32が挿入され,
かつ接続金具4を外周よりかしめることにより固定され
ており,中軸3と接続金具4とのかしめ部分における面
接触率は80%以上である。
Description
内を予熱するためのセラミックグロープラグ,特にその
中軸とヒータとの接合構造に関する。
13に示すごとく,金属製のハウジング6の中に嵌挿し
たセラミック製のヒータ2と,このヒータ2の基端部2
1に向けてハウジング6内に挿入した通電用の中軸3
と,上記ヒータ2と上記中軸3とを電気的に接続するた
めの接続金具94とよりなる。上記接続金具94は,図
13に示すごとく,金属線をコイル状に成形したヒータ
保持部942と基端部941とからなる。そして,接続
金具94の基端部941と中軸3とは抵抗溶接してあ
る。一方,ヒータ保持部942とヒータ2とは,ロウ接
してある。
製造に当たっては,上記ヒータ2と中軸3とを接続金具
94によって接合して一体化した後,これらをハウジン
グ6中に挿入する。そして,ヒータ2に装着してロウ接
した金属スリーブ28をハウジング6にロウ接すること
により,これらを固定する。この時,上記中軸3は,ハ
ウジング6と電気的に絶縁する必要がある。そのため,
中軸3及び接続金具94は,ハウジング6に接触しない
ように配設しなければならない。このため,ヒータ2と
中軸3とは,ほぼ同一軸芯上に位置する状態,即ち同軸
度が高い状態で接合されることが必要である。また,ハ
ウジング6内への組付け時には,曲がり等が発生しない
ように十分な注意を払って慎重に行うことが必要であ
る。
2と中軸3との同軸度を高め,かつ接合の信頼性を高め
るため,接続金具として金属パイプを用い中軸3とかし
めにより接合するセラミックグロープラグを既に提案済
である(特願平8−71417号出願参照)。即ち,図
14に示すように,パイプ状の接続金具4を用いてヒー
タ2と中軸3とを接続する。そのため,製造過程におけ
る中軸3と接続金具4との接合工程においては,接続金
具4の内孔内に中軸3を差し込むだけで容易に高い同軸
度が得られる。
周よりかしめても,中軸3と接続金具4との高い同軸度
が維持される。それ故,中軸3をハウジング6内へ挿入
する組付け作業を容易に行うことができる。また,中軸
3と接続金具4とは,上記のごとく接続金具4をその外
周よりかしめることにより接合する。同図において符号
35,45は,それぞれ中軸3と接続金具4のかしめ部
である。そのため,接続金具4と中軸3との接合作業が
非常に容易であり,大量生産時においても常に安定した
接合状態が得られる。
も,接続金具4が断線等することがなく,中軸と接続金
具との確実な電気的導通を得ることができる。なお,上
記中軸3は,通常S45C等の炭素鋼によって形成され
ており,切削加工により成形されている。また,接続金
具4はステンレス鋼により形成され絞り加工により成形
されている。
具とは,断線等が生じないように確実に接合することに
加えてその電気的な接触抵抗を低くし,かつ接触抵抗の
バラツキを少なくすることが極めて重要である。例え
ば,接触抵抗の具体的な値としては,中軸3と接続金具
4との間で20mΩ以下とすることが好ましい。しかし
ながら,直径3.5mm程度の上記中軸3を約0.2m
mかしめた場合において,炉中でエイジングを行うと従
来は80mΩを越えることが多く見られた(後述する図
9参照)。
ものであり,接続金具と中軸との間の接触抵抗が低く且
つ接触抵抗のバラツキが少ないセラミックグロープラグ
及びその製造方法を提供しようとするものである。
グロープラグは,その接続金具が内孔を有するパイプ形
状であって,この接続金具の内孔の基端部側には上記中
軸の先端部が挿入され,かつ上記接続金具を外周よりか
しめることにより固定されており,かつ,上記中軸と接
続金具とのかしめ部分における面接触率が80%以上
(線接触率が略90%以上)であることを特徴とする。
面積Soに対する接触面積S1の比率である面積接触率
によって表すことができる他,後述する(1)式で示す
線接触率等によって表現することができる。即ち,中軸
と接続金具とをかしめた場合に,両部材は面接触するこ
とになるが,両部材のかしめ部の面は100%接触して
いる訳ではない。即ち,図11又は図12(b)に模式
的に示すように,中軸3(かしめ部35)と接続金具4
(かしめ部45)とは,その一部分が短い間隙gi (i
=1〜n)で間欠的に離隔している。
両部材の接触率の大小が,接触抵抗の大小を大きく左右
することを究明した。即ち,空隙は単に加工後の接触抵
抗値を決めるばかりではなく,空隙に含まれる空気等に
より経年的に酸化等を促進し,これによって接触抵抗を
大幅に増大させることを究明した。そして,かしめ時に
おける両部材間の面接触率を80%以上(線接触率が略
90%以上)とすることにより,かしめ時の接触抵抗の
値を低くすると共にその後の経年的な変化(増加)を大
幅に抑制することができることを究明した。
具をステンレス鋼により形成し,中軸をS15CからS
45Cの炭素鋼により形成したセラミックグロープラグ
に対して,上記のように構成することにより20mΩ以
下の良好な接触抵抗が得られるようになり,その値はエ
イジング後におても大きく変化しないことを究明した
(後述する実施形態例,図10参照)。また,請求項3
に記載のように,かしめ前における中軸を冷間鍛造によ
り加工することにより,中軸の表面の平滑度が図12の
(a)から図6(a)に示すように良好にすることが可
能となり,その結果かしめ後の両部材の接触抵抗が大幅
に低下することを究明した。
応力を印加した場合において,前記中軸と接続金具との
かしめ部分における面接触率が80%以上(線接触率が
略90%以上)となるように,かしめ前における中軸の
かしめ部の表面の粗さを加工することを特徴とするセラ
ミックグロープラグの製造方法にある。即ち,両部材の
接触率は,印加するかしめ応力と両部材の表面粗さとは
によって変化するが,かしめ応力の大きさは通常接続金
具が耐えられる強度によって制限を受け,表面粗さは主
として中軸の表面粗さに左右される。
持することのできる範囲内の最大のかしめ応力を印加し
た場合には,中軸の表面粗さを適正な細かさとすること
により,かしめ部分に所望の接触率を得ることができ
る。そして,接触率が上記の値となるように高くするこ
とにより,前期のように低い接触抵抗を達成することが
できる。それ故,請求項4記載の発明によれば,中軸と
接続金具との間に良好な接触抵抗が得られるセラミック
グロープラグの製造方法を得ることができる。
合には,かしめによる接続金具の強度の低下を抑制する
ために,請求項5記載のように,かしめ応力を500M
Paから1500MPaの範囲とすると共に,前記のよ
うに中軸を冷間鍛造により加工することが好ましい。そ
の結果,かしめ部の接触率を上げ,接触抵抗を低くする
と共に接触抵抗を安定化することができる。
グ6の先端寄りに嵌挿したセラミック製のヒータ2と,
ヒータ2の基端部21に向けてハウジング6内に挿入し
た通電用の中軸3と,ヒータ2と中軸3とを接続するた
めの接続金具4とを有するセラミックグロープラグ10
である。
形状であって,図2に示すように,接続金具4の内孔の
基端部側には中軸3の先端部32が挿入され,かつ接続
金具4を外周よりかしめることにより固定されている。
また,図3に示すように,中軸3と接続金具4とのかし
め部分35,45における面接触率は80%以上(線接
触率が略90%以上)である。そして,接続金具4はス
テンレス鋼により形成され,中軸3はS45Cの炭素鋼
により形成されている。また,かしめ前における中軸3
は冷間鍛造により加工し,切削により加工した場合より
も表面の粗さを細かくしてある。
記のように,接続金具4におけるかしめ部45は,図3
に示すごとく,8方からかしめられ,8か所の凸部45
1と8か所の接触部452が形成されている。そして,
その内側の中軸3のかしめ部35は,略八角形に変形
し,接続金具4と強固に嵌合している。そして,かしめ
ることにより,図6(a)に示すようにかしめ前には互
いに離隔していたかしめ部35,45は,同図(b)に
示すように互いに接触するようになる。
1(図5)は,3.5mmであり,かしめ後の径D2
(図5)は3.3mmである。そして,かしめ前におけ
る中軸3は冷間鍛造により製作され,その表面粗さは切
削加工によって製作した場合よりも細かくなっている。
即ち,冷間鍛造により製作することにより,切削後に研
磨したのと同様の表面粗さとすることができる(模式
図,図6(a)と図12(a)参照)。そして,接続金
具4と中軸3とを上記のかしめ量(0.2mm)だけか
しめた後における両部材の線接触率C,即ち図11に示
す諸量の間に成立する下式の値Cが90%以上となるよ
うに,かしめ前の中軸3の表面粗さを製作する(面接触
率に換算すると81%以上)。 C={(L−Σgi )/L}×100,i=1〜n ・・・(1)
記内孔40の先端部402には,ヒータ2の基端部21
を挿入してロウ接してある。そして,図1に示すごと
く,ヒータ2は金属スリーブ28内に挿通すると共にこ
れにロウ接され,さらに金属スリーブ28はハウジング
6にロウ接されている。また,中軸3の基端部31は,
図1に示すように,ハウジング6の開口部60から上方
に突出しており,開口部60を閉止するようにブッシュ
72を介してナット71が螺着してある。また,ハウジ
ング6内において,中軸3とハウジング6の内壁との間
には,半径方向の位置決めを行うための絶縁リング74
が介設され,また該絶縁リング74の上方には,ガラス
からなる絶縁体73が配設されている。
製造するに当たっては,図4に示すように,まずヒータ
2と,中軸3と,内孔40を有するパイプ形状の接続金
具4とを準備する。該接続金具4は,位置決め部として
のくびれ部47を有すると共に,これを境にして小径の
上部403と大径の下部402とを有する。上記接続金
具4の上部403の内径は,中軸3の先端部32の外径
と略同一であり,一方接続金具4の先端部402の内径
は,ヒータ2の基端部21の外径と略同一である。
上記ヒータ2とロウ材(図示略)を上記くびれ部47に
当接するまで挿入しロウ接する。次いで,上記接続金具
4の上部403には,中軸3の段部329が接続金具4
の上端に当接するまで中軸3の下端部32を挿入する。
そして,図2に示すように,接続金具4の上記かしめ部
45を,その外周側からかしめる。これにより,中軸3
と接続金具4とが接合され,中軸3とヒータ2とがほぼ
同一軸芯上に位置して一体的に結合する。
8を装着し,上記ヒータ2と接続金具4とをロウ接する
際に,同時にロウ接する。そして,一体となった上記中
軸3からヒータ2までをハウジング6内に挿入し,金属
スリーブ28とハウジング6の内壁とをロウ接する。次
いで,中軸3とハウジング6との間に絶縁リング74及
び絶縁体73を配設し,また中軸3の上端部31にはブ
ッシュ72を介してナット71を螺着し,セラミックグ
ロープラグ10を得る。
る。本例のセラミックグロープラグ10では,接続金具
4と中軸3とは,接続金具4をその外周よりかしめるこ
とにより接合する。そのため,接続金具4と中軸3との
接合作業が容易であり,量産時においても常に安定した
接合状態が得られる。また,本例のセラミックグロープ
ラグ10における中軸3と接続金具4との間の接触抵抗
値は,中軸3を切削加工により製造した従来品の場合に
比べると大幅に低くなり,且つ接触抵抗値のバラツキは
大幅に低下する。
においては,図7に示すように,接触抵抗値が5mΩ以
下になると共にその変動範囲が従来品よりも大幅に低下
している(但し,●は従来品,○は本例のセラミックグ
ロープラグを示す。図10を除き以下同じ)。そして,
前記かしめ量(D1−D2)を0.05mmから0.4
mmの間で変化させた場合にも,かしめ直後の値は,図
8に示すように,従来品よりも大幅に小さくなる(D1
=3.5mm)。
エイジングした場合においても,図9に示すように,接
触抵抗値の大きさとその増加の傾向及びバラツキの大き
さは従来品よりも大幅に小さくなる(かしめ量D1−D
2=0.2mm)。また,両部材の線接触率Cの大きさ
を変えた場合においては,図10に示すように,線接触
率Cの値を90%以上にすることにより,かしめ直後の
値,炉中で200℃100時間エイジングした場合及び
500℃で100時間エイジングした場合のいづれの場
合においても,20mΩ以下となった。上記のように,
いずれのケースにおいても本例の中軸3と接続金具3の
間の接触抵抗は,大幅に低下する。
においては,パイプ状の接続金具4を用いているから,
接続金具4に中軸3を差し込むだけで,確実に中軸3と
接続金具4との同軸度が精度良く得られるようになる。
一方,ヒータ2と接続金具4とは,その外径と内径とが
略同一であって,これらを嵌合してロウ接する。そのた
め,ヒータ2と接続金具4とも容易に高い同軸度が得ら
れる。それ故,中軸3からヒータ2までは,ほぼ同一軸
芯となり,ハウジング6への組付け作業が容易となる。
図。
図。
とかしめ後の接続金具の寸法D1,D2を模式的に示し
た断面図。
金具のかしめ部の表面状態を模式的に示す図((a)は
かしめ前,(b)はかしめ後)。
セラミックグロープラグにおける中軸と接続金具との接
触抵抗値の分布を示す図。
セラミックグロープラグにおける中軸と接続金具との接
触抵抗値をかしめ量を変えて測定した値をプロットした
図。
セラミックグロープラグにおける中軸と接続金具との接
触抵抗値をエイジング温度を変えて測定した値をプロッ
トした図(エイジング時間はいずれも100時間,かし
め量はいずれも0.2mm)。
る中軸と接続金具との接触抵抗値をかしめ後の線接触率
変えて測定した値をプロットした図(かしめ直後を○,
200℃の炉中で100時間エイジングした後を■,5
00℃の炉中で100時間エイジングした後を▲で示
す)。
量L,gi を模式的に示す図。
金具のかしめ部の表面状態を模式的に示す図((a)は
かしめ前,(b)はかしめ後)。
び接続金具の近傍の断面図。
Claims (5)
- 【請求項1】 ハウジングと,このハウジングの先端寄
りに嵌挿したセラミック製のヒータと,このヒータの基
端部に向けてハウジング内に挿入した通電用の中軸と,
上記ヒータと上記中軸とを接続するための接続金具とを
有するセラミックグロープラグにおいて,上記接続金具
は内孔を有するパイプ形状であって,この接続金具の内
孔の基端部側には上記中軸の先端部が挿入され,かつ上
記接続金具を外周よりかしめることにより固定されてお
り,上記中軸と接続金具とのかしめ部分における面接触
率が80%以上であることを特徴とするセラミックグロ
ープラグ。 - 【請求項2】 請求項1において,前記接続金具はステ
ンレス鋼により形成され,前記中軸はS15CからS4
5Cの炭素鋼により形成されていることを特徴とするセ
ラミックグロープラグ。 - 【請求項3】 請求項2において,かしめ前における中
軸は冷間鍛造により加工されていることを特徴とするセ
ラミックグロープラグ。 - 【請求項4】 所定のかしめ応力を印加した場合におい
て,前記中軸と接続金具とのかしめ部分における面接触
率が80%以上となるように,かしめ前における中軸の
かしめ部の表面の粗さを加工することを特徴とする請求
項1から請求項3のいづれか1項に記載のセラミックグ
ロープラグの製造方法。 - 【請求項5】 かしめ応力を500MPaから1500
MPaの範囲とし,前記中軸を冷間鍛造により加工する
ことを特徴とする請求項2記載のセラミックグロープラ
グの製造方法。
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JP35533596A JP3861348B2 (ja) | 1996-12-21 | 1996-12-21 | セラミックグロープラグ及びその製造方法 |
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- 1996-12-21 JP JP35533596A patent/JP3861348B2/ja not_active Expired - Fee Related
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