JPH10177957A - 有機金属気相成長方法 - Google Patents
有機金属気相成長方法Info
- Publication number
- JPH10177957A JPH10177957A JP33943896A JP33943896A JPH10177957A JP H10177957 A JPH10177957 A JP H10177957A JP 33943896 A JP33943896 A JP 33943896A JP 33943896 A JP33943896 A JP 33943896A JP H10177957 A JPH10177957 A JP H10177957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor substrate
- thermally decomposed
- heated
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 GaAs層、InGaAs層、およびAlG
aAs層の結晶性が良好で、かつ、HEMTの特性に優
れた有機金属気相成長方法を提供するものである。 【解決手段】 反応炉5内の半導体基板1の表面に、少
なくともGaを構成元素とする化合物半導体の薄膜をエ
ピタキシャル成長させる有機金属気相成長方法におい
て、原料ガスの1つであるトリメチルガリウム15を他
の有機金属原料ガスとは別個に加熱し、熱分解させた状
態で上記反応炉5内に供給するものである。
aAs層の結晶性が良好で、かつ、HEMTの特性に優
れた有機金属気相成長方法を提供するものである。 【解決手段】 反応炉5内の半導体基板1の表面に、少
なくともGaを構成元素とする化合物半導体の薄膜をエ
ピタキシャル成長させる有機金属気相成長方法におい
て、原料ガスの1つであるトリメチルガリウム15を他
の有機金属原料ガスとは別個に加熱し、熱分解させた状
態で上記反応炉5内に供給するものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属気相成長
方法に係り、特に、InGaAsシュードモフィック型
HEMTを製造する際の有機金属気相成長方法に関する
ものである。
方法に係り、特に、InGaAsシュードモフィック型
HEMTを製造する際の有機金属気相成長方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】シュードモフィック型HEMT(Pse
udo morphic 高電子移動度トランジスタ)
と呼ばれるHEMTが知られている。シュードモフィッ
クは、GaAsとInGaAsというように格子定数が
異なる2種類の半導体接合に対して使用され、成長膜厚
が臨界膜厚より薄い場合、格子定数が異なっていても格
子が歪むことによって界面に転位が生じない綺麗な接合
が得られる。格子が歪んで界面で格子欠陥が生じないよ
うな状態をシュードモフィック状態と呼ぶ。
udo morphic 高電子移動度トランジスタ)
と呼ばれるHEMTが知られている。シュードモフィッ
クは、GaAsとInGaAsというように格子定数が
異なる2種類の半導体接合に対して使用され、成長膜厚
が臨界膜厚より薄い場合、格子定数が異なっていても格
子が歪むことによって界面に転位が生じない綺麗な接合
が得られる。格子が歪んで界面で格子欠陥が生じないよ
うな状態をシュードモフィック状態と呼ぶ。
【0003】従来のシュードモフィック型HEMTを製
造するための有機金属気相成長装置の縦断面図を図2に
示す。
造するための有機金属気相成長装置の縦断面図を図2に
示す。
【0004】図2に示すように、有機金属気相成長装置
21は、原料ガス供給口(原料ガス供給手段)4及び排
気口9を備えた有機金属原料ガスを流すための原料ガス
整流治具(反応炉)5と、その上面に半導体基板(以
下、基板と呼ぶ)1が複数枚(図中では2枚)載置され
ると共に、少なくとも基板1の表面が原料ガス整流治具
5内に位置するように保持する円盤状のサセプタ2と、
そのサセプタ2を支持するためのサセプタ支持棒7と、
サセプタ支持棒7を回転するためのモータ8と、原料ガ
ス整流治具5の一部を囲繞すると共に、基板1の表面を
加熱するためのヒータ(加熱手段)3からなる。
21は、原料ガス供給口(原料ガス供給手段)4及び排
気口9を備えた有機金属原料ガスを流すための原料ガス
整流治具(反応炉)5と、その上面に半導体基板(以
下、基板と呼ぶ)1が複数枚(図中では2枚)載置され
ると共に、少なくとも基板1の表面が原料ガス整流治具
5内に位置するように保持する円盤状のサセプタ2と、
そのサセプタ2を支持するためのサセプタ支持棒7と、
サセプタ支持棒7を回転するためのモータ8と、原料ガ
ス整流治具5の一部を囲繞すると共に、基板1の表面を
加熱するためのヒータ(加熱手段)3からなる。
【0005】所定の速度で回転するサセプタ2上に載置
された基板1を、ヒータ3によって600〜750℃に
加熱する。その後、原料ガス供給口4からトリメチルガ
リウム(以下、TMGと呼ぶ)15、アルシンガス(以
下、AsH3 と呼ぶ)16、トリメチルアルミニウム
(以下、TMAと呼ぶ)17、およびトリメチルインジ
ウム(以下、TMIと呼ぶ)18などの有機金属原料ガ
スを制御しながら原料ガス整流治具5内に供給し、過剰
な有機金属原料ガスを排気口9から排気する(図中では
左から右に流れる)。
された基板1を、ヒータ3によって600〜750℃に
加熱する。その後、原料ガス供給口4からトリメチルガ
リウム(以下、TMGと呼ぶ)15、アルシンガス(以
下、AsH3 と呼ぶ)16、トリメチルアルミニウム
(以下、TMAと呼ぶ)17、およびトリメチルインジ
ウム(以下、TMIと呼ぶ)18などの有機金属原料ガ
スを制御しながら原料ガス整流治具5内に供給し、過剰
な有機金属原料ガスを排気口9から排気する(図中では
左から右に流れる)。
【0006】原料ガス供給口4から原料ガス整流治具5
内に供給された有機金属原料ガスは、ヒータ3で加熱さ
れることによって熱分解を起こす。
内に供給された有機金属原料ガスは、ヒータ3で加熱さ
れることによって熱分解を起こす。
【0007】ここで、InGaAsシュードモフィック
型HEMTを製造する場合を除いてTMI18は供給す
る必要はなく、適宜、別の有機金属原料ガスで置き換え
てもよいことは言うまでもない。
型HEMTを製造する場合を除いてTMI18は供給す
る必要はなく、適宜、別の有機金属原料ガスで置き換え
てもよいことは言うまでもない。
【0008】シュードモフィック型HEMTの薄膜の縦
断面図を図3に示す。尚、図2と同様の部材には同じ符
号を付している。
断面図を図3に示す。尚、図2と同様の部材には同じ符
号を付している。
【0009】図3に示すように、この熱分解を起こした
有機金属原料ガスを、基板1の表面に沿って水平に流す
と共に、接触反応させることによって、基板1の表面に
GaAs層12、InGaAs層13、AlGaAs層
14などの薄膜が、順次、エピタキシャル成長する。I
nGaAs層13におけるAlGaAs層14との界面
には、二次元電子チャネル13aが形成される。
有機金属原料ガスを、基板1の表面に沿って水平に流す
と共に、接触反応させることによって、基板1の表面に
GaAs層12、InGaAs層13、AlGaAs層
14などの薄膜が、順次、エピタキシャル成長する。I
nGaAs層13におけるAlGaAs層14との界面
には、二次元電子チャネル13aが形成される。
【0010】ここで、GaAs層12およびInGaA
s層13はアンドープ型であるが、AlGaAs層14
はn型ドープされている。n型ドープ材としては、例え
ば、Siなどが挙げられる。
s層13はアンドープ型であるが、AlGaAs層14
はn型ドープされている。n型ドープ材としては、例え
ば、Siなどが挙げられる。
【0011】シュードモフィック型HEMTに必要な薄
膜であるGaAs層12、InGaAs層13、および
AlGaAs層14の化学反応過程は次の通りである。
膜であるGaAs層12、InGaAs層13、および
AlGaAs層14の化学反応過程は次の通りである。
【0012】GaAs層:(CH3 )3 Ga+AsH3
→GaAs+3CH4 InGaAs層:(1−X)(CH3 )3 Ga+X(C
H3 )3 Al+AsH3 →Ga1-X AlX As+3CH
4 AlGaAs層:(1−Y)(CH3 )3 Ga+Y(C
H3 )3 In+AsH3 →Ga1-Y InY As+3CH
4 基板1上にエピタキシャル成長するGaAs層12、I
nGaAs層13、およびAlGaAs層14などの薄
膜は、有機金属原料ガスの供給量によって結晶成長速度
が律速される。通常は、輸送律速の温度範囲(基板温度
で600〜750℃)でエピタキシャル成長を行ってお
り、特に基板温度が700℃以上だと結晶が良質になる
と考えられている。
→GaAs+3CH4 InGaAs層:(1−X)(CH3 )3 Ga+X(C
H3 )3 Al+AsH3 →Ga1-X AlX As+3CH
4 AlGaAs層:(1−Y)(CH3 )3 Ga+Y(C
H3 )3 In+AsH3 →Ga1-Y InY As+3CH
4 基板1上にエピタキシャル成長するGaAs層12、I
nGaAs層13、およびAlGaAs層14などの薄
膜は、有機金属原料ガスの供給量によって結晶成長速度
が律速される。通常は、輸送律速の温度範囲(基板温度
で600〜750℃)でエピタキシャル成長を行ってお
り、特に基板温度が700℃以上だと結晶が良質になる
と考えられている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、InG
aAsシュードモフィック型HEMTの薄膜におけるI
nGaAs層は、基板温度700℃での結晶成長の際、
結晶表面が曇り(3次元成長が起こっていると考えられ
ている)を起こす。このため、HEMTの特性があまり
良好ではなかった。
aAsシュードモフィック型HEMTの薄膜におけるI
nGaAs層は、基板温度700℃での結晶成長の際、
結晶表面が曇り(3次元成長が起こっていると考えられ
ている)を起こす。このため、HEMTの特性があまり
良好ではなかった。
【0014】InGaAs層の結晶性を良くするには、
基板温度を下げることで改善されるが、例えば、基板温
度を600℃付近まで下げると、今度はAlGaAs層
の結晶性があまり良好ではなくなり、延いては、HEM
Tの特性の低下を招くことになる。
基板温度を下げることで改善されるが、例えば、基板温
度を600℃付近まで下げると、今度はAlGaAs層
の結晶性があまり良好ではなくなり、延いては、HEM
Tの特性の低下を招くことになる。
【0015】そこで本発明は、上記課題を解決し、Ga
As層、InGaAs層、およびAlGaAs層の結晶
性が良好で、かつ、HEMTの特性に優れた有機金属気
相成長方法を提供することにある。
As層、InGaAs層、およびAlGaAs層の結晶
性が良好で、かつ、HEMTの特性に優れた有機金属気
相成長方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1の発明は、反応炉内の半導体基板の表面に、
少なくともGaを構成元素とする化合物半導体の薄膜を
エピタキシャル成長させる有機金属気相成長方法におい
て、原料ガスの1つであるトリメチルガリウムを他の有
機金属原料ガスとは別個に加熱し、熱分解させた状態で
上記反応炉内に供給するものである。
に請求項1の発明は、反応炉内の半導体基板の表面に、
少なくともGaを構成元素とする化合物半導体の薄膜を
エピタキシャル成長させる有機金属気相成長方法におい
て、原料ガスの1つであるトリメチルガリウムを他の有
機金属原料ガスとは別個に加熱し、熱分解させた状態で
上記反応炉内に供給するものである。
【0017】請求項2の発明は、上記トリメチルガリウ
ムの加熱温度が400〜700℃である請求項1記載の
有機金属気相成長方法である。
ムの加熱温度が400〜700℃である請求項1記載の
有機金属気相成長方法である。
【0018】請求項3の発明は、上記半導体基板の加熱
温度が450〜550℃である請求項1記載の有機金属
気相成長方法である。
温度が450〜550℃である請求項1記載の有機金属
気相成長方法である。
【0019】請求項4の発明は、少なくとも半導体基板
の表面が反応炉内に位置するようにサセプタで保持し、
その半導体基板の表面を加熱手段で加熱し、原料ガス供
給手段からトリメチルガリウム、アルシンガス、トリメ
チルアルミニウム、およびトリメチルインジウムなどの
有機金属原料ガスを上記反応炉内に供給すると共に、そ
の有機金属原料ガスを上記半導体基板の表面に接触さ
せ、上記半導体基板の表面にGaAs層、InGaAs
層、AlGaAs層などの薄膜をエピタキシャル成長さ
せる有機金属気相成長方法において、上記半導体基板の
加熱温度を450〜550℃とすると共に、上記トリメ
チルガリウムを他の上記有機金属原料ガスとは別個に4
00〜700℃に加熱し、熱分解させた状態で上記反応
炉内に供給するものである。
の表面が反応炉内に位置するようにサセプタで保持し、
その半導体基板の表面を加熱手段で加熱し、原料ガス供
給手段からトリメチルガリウム、アルシンガス、トリメ
チルアルミニウム、およびトリメチルインジウムなどの
有機金属原料ガスを上記反応炉内に供給すると共に、そ
の有機金属原料ガスを上記半導体基板の表面に接触さ
せ、上記半導体基板の表面にGaAs層、InGaAs
層、AlGaAs層などの薄膜をエピタキシャル成長さ
せる有機金属気相成長方法において、上記半導体基板の
加熱温度を450〜550℃とすると共に、上記トリメ
チルガリウムを他の上記有機金属原料ガスとは別個に4
00〜700℃に加熱し、熱分解させた状態で上記反応
炉内に供給するものである。
【0020】以上の構成によれば、反応炉内の半導体基
板の表面に、少なくともGaを構成元素とする化合物半
導体の薄膜をエピタキシャル成長させる有機金属気相成
長方法において、原料ガスの1つであるトリメチルガリ
ウムを他の有機金属原料ガスとは別個に加熱し、熱分解
させた状態で上記反応炉内に供給するため、GaAs
層、InGaAs層、およびAlGaAs層の結晶性が
良好で、かつ、HEMTの特性に優れたInGaAsシ
ュードモフィック型HEMTを得ることができる。
板の表面に、少なくともGaを構成元素とする化合物半
導体の薄膜をエピタキシャル成長させる有機金属気相成
長方法において、原料ガスの1つであるトリメチルガリ
ウムを他の有機金属原料ガスとは別個に加熱し、熱分解
させた状態で上記反応炉内に供給するため、GaAs
層、InGaAs層、およびAlGaAs層の結晶性が
良好で、かつ、HEMTの特性に優れたInGaAsシ
ュードモフィック型HEMTを得ることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【0022】本発明の有機金属気相成長方法は、半導体
基板の加熱温度を450〜550℃とし、これまで同じ
原料ガス供給手段から同じガス温度で供給していた有機
金属原料ガスの内、トリメチルガリウムのみを他の有機
金属原料ガスとは別個に400〜700℃に加熱し、熱
分解させた状態で反応炉内に供給するものである。
基板の加熱温度を450〜550℃とし、これまで同じ
原料ガス供給手段から同じガス温度で供給していた有機
金属原料ガスの内、トリメチルガリウムのみを他の有機
金属原料ガスとは別個に400〜700℃に加熱し、熱
分解させた状態で反応炉内に供給するものである。
【0023】本発明のシュードモフィック型HEMTを
製造するための有機金属気相成長装置の縦断面図を図1
に示す。尚、図2と同様の部材には同じ符号を付してい
る。
製造するための有機金属気相成長装置の縦断面図を図1
に示す。尚、図2と同様の部材には同じ符号を付してい
る。
【0024】図1に示すように、有機金属気相成長装置
11は、原料ガス供給口4及び排気口9を備えた有機金
属原料ガスを流すための原料ガス整流治具5と、その上
面に基板1が複数枚(図中では2枚)載置されると共
に、少なくとも基板1の表面が原料ガス整流治具5内に
位置するように保持する円盤状のサセプタ2と、そのサ
セプタ2を支持するためのサセプタ支持棒7と、サセプ
タ支持棒7を回転するためのモータ8と、原料ガス整流
治具5の一部を囲繞すると共に、基板1の表面を加熱す
るためのヒータ3と、有機金属原料ガスの流れ方向にお
けるヒータ3の上流側に設けられ、原料ガス整流治具5
内にTMG15を供給するためのTMG供給管6と、T
MG供給管6を囲繞すると共に、TMG15を加熱する
ためのヒータ10からなる。
11は、原料ガス供給口4及び排気口9を備えた有機金
属原料ガスを流すための原料ガス整流治具5と、その上
面に基板1が複数枚(図中では2枚)載置されると共
に、少なくとも基板1の表面が原料ガス整流治具5内に
位置するように保持する円盤状のサセプタ2と、そのサ
セプタ2を支持するためのサセプタ支持棒7と、サセプ
タ支持棒7を回転するためのモータ8と、原料ガス整流
治具5の一部を囲繞すると共に、基板1の表面を加熱す
るためのヒータ3と、有機金属原料ガスの流れ方向にお
けるヒータ3の上流側に設けられ、原料ガス整流治具5
内にTMG15を供給するためのTMG供給管6と、T
MG供給管6を囲繞すると共に、TMG15を加熱する
ためのヒータ10からなる。
【0025】所定の速度で回転するサセプタ2上に載置
された基板1を、ヒータ3によって450〜550℃に
加熱する。その後、原料ガス供給口4からAsH3 1
6、TMA17、およびTMI18などの有機金属原料
ガスを制御しながら原料ガス整流治具5内に供給する。
原料ガス供給口4から原料ガス整流治具5内に供給され
た有機金属原料ガスは、ヒータ3で加熱されることによ
って熱分解を起こす。
された基板1を、ヒータ3によって450〜550℃に
加熱する。その後、原料ガス供給口4からAsH3 1
6、TMA17、およびTMI18などの有機金属原料
ガスを制御しながら原料ガス整流治具5内に供給する。
原料ガス供給口4から原料ガス整流治具5内に供給され
た有機金属原料ガスは、ヒータ3で加熱されることによ
って熱分解を起こす。
【0026】TMG15はヒータ10によって400〜
700℃に加熱され、熱分解した状態でTMG供給管6
を介して原料ガス整流治具5内に供給する。
700℃に加熱され、熱分解した状態でTMG供給管6
を介して原料ガス整流治具5内に供給する。
【0027】熱分解を起こしたTMG15、AsH3 1
6、TMA17、およびTMI18は、基板1の表面に
沿って水平に流れる。これらの熱分解を起こした有機金
属原料ガスが、基板1の表面と接触反応することによっ
て、基板1の表面にGaAs層、InGaAs層、Al
GaAs層などの薄膜が、順次、エピタキシャル成長す
る。
6、TMA17、およびTMI18は、基板1の表面に
沿って水平に流れる。これらの熱分解を起こした有機金
属原料ガスが、基板1の表面と接触反応することによっ
て、基板1の表面にGaAs層、InGaAs層、Al
GaAs層などの薄膜が、順次、エピタキシャル成長す
る。
【0028】ここで、InGaAsシュードモフィック
型HEMTを製造する場合を除いてTMI18は供給す
る必要はなく、適宜、別の有機金属原料ガスで置き換え
てもよいことは言うまでもない。
型HEMTを製造する場合を除いてTMI18は供給す
る必要はなく、適宜、別の有機金属原料ガスで置き換え
てもよいことは言うまでもない。
【0029】本発明の気相成長方法によれば、基板1の
加熱温度を450〜550℃としているため、InGa
Asシュードモフィック型HEMTの薄膜におけるIn
GaAs層は、結晶成長の際に結晶表面が曇ることな
く、HEMTの特性が良好となる。
加熱温度を450〜550℃としているため、InGa
Asシュードモフィック型HEMTの薄膜におけるIn
GaAs層は、結晶成長の際に結晶表面が曇ることな
く、HEMTの特性が良好となる。
【0030】ここで、基板1の加熱温度をただ下げるだ
けでは、AlGaAs層の結晶性があまり良好ではなく
なり、延いては、HEMTの特性の低下を招くため、本
発明の気相成長方法においては、さらに、TMG15を
他の有機金属原料ガスとは別個に400〜700℃に加
熱し、熱分解させた状態で原料ガス整流治具5内に供給
している。
けでは、AlGaAs層の結晶性があまり良好ではなく
なり、延いては、HEMTの特性の低下を招くため、本
発明の気相成長方法においては、さらに、TMG15を
他の有機金属原料ガスとは別個に400〜700℃に加
熱し、熱分解させた状態で原料ガス整流治具5内に供給
している。
【0031】これによって、GaAs層、InGaAs
層、およびAlGaAs層の結晶性が良好で、かつ、特
性に優れたInGaAsシュードモフィック型HEMT
を得ることができる。
層、およびAlGaAs層の結晶性が良好で、かつ、特
性に優れたInGaAsシュードモフィック型HEMT
を得ることができる。
【0032】電子移動度とシートキャリア濃度の関係を
図4に示す。図中の曲線Aは、本発明の気相成長方法で
製造したInGaAsシュードモフィック型HEMTの
特性を示し、図中の曲線Bは、従来の気相成長方法で製
造したInGaAsシュードモフィック型HEMTの特
性を示している。
図4に示す。図中の曲線Aは、本発明の気相成長方法で
製造したInGaAsシュードモフィック型HEMTの
特性を示し、図中の曲線Bは、従来の気相成長方法で製
造したInGaAsシュードモフィック型HEMTの特
性を示している。
【0033】図4に示すように、同じシートキャリア濃
度(ns)においても、本発明の気相成長方法で製造し
たInGaAsシュードモフィック型HEMTの方が、
従来の気相成長方法で製造したInGaAsシュードモ
フィック型HEMTよりもHEMTの特性良否を判断す
る電子移動度(μn )が良好であることがわかる。
度(ns)においても、本発明の気相成長方法で製造し
たInGaAsシュードモフィック型HEMTの方が、
従来の気相成長方法で製造したInGaAsシュードモ
フィック型HEMTよりもHEMTの特性良否を判断す
る電子移動度(μn )が良好であることがわかる。
【0034】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、結晶成長
時の基板温度を450〜550℃に下げ、かつ、トリメ
チルガリウムを他の有機金属原料ガスとは別個に400
〜700℃に加熱し、熱分解させた状態で反応炉内に供
給することで、GaAs層、InGaAs層、およびA
lGaAs層の結晶性が良好で、かつ、特性に優れたI
nGaAsシュードモフィック型HEMTを得ることが
できるという優れた効果を発揮する。
時の基板温度を450〜550℃に下げ、かつ、トリメ
チルガリウムを他の有機金属原料ガスとは別個に400
〜700℃に加熱し、熱分解させた状態で反応炉内に供
給することで、GaAs層、InGaAs層、およびA
lGaAs層の結晶性が良好で、かつ、特性に優れたI
nGaAsシュードモフィック型HEMTを得ることが
できるという優れた効果を発揮する。
【図1】本発明のシュードモフィック型HEMTを製造
するための有機金属気相成長装置の縦断面図である。
するための有機金属気相成長装置の縦断面図である。
【図2】従来のシュードモフィック型HEMTを製造す
るための有機金属気相成長装置の縦断面図である。
るための有機金属気相成長装置の縦断面図である。
【図3】シュードモフィック型HEMTの薄膜の縦断面
図である。
図である。
【図4】電子移動度とシートキャリア濃度の関係を示す
図である。
図である。
1 基板(半導体基板) 2 サセプタ 3 ヒータ(加熱手段) 4 原料ガス供給口(原料ガス供給手段) 5 原料ガス整流治具(反応炉) 12 GaAs層 13 InGaAs層 14 AlGaAs層 15 TMG(トリメチルガリウム) 16 AsH3 (アルシンガス) 17 TMA(トリメチルアルミニウム) 18 TMI(トリメチルインジウム)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 29/812
Claims (4)
- 【請求項1】 反応炉内の半導体基板の表面に、少なく
ともGaを構成元素とする化合物半導体の薄膜をエピタ
キシャル成長させる有機金属気相成長方法において、原
料ガスの1つであるトリメチルガリウムを他の有機金属
原料ガスとは別個に加熱し、熱分解させた状態で上記反
応炉内に供給することを特徴とする有機金属気相成長方
法。 - 【請求項2】 上記トリメチルガリウムの加熱温度が4
00〜700℃である請求項1記載の有機金属気相成長
方法。 - 【請求項3】 上記半導体基板の加熱温度が450〜5
50℃である請求項1記載の有機金属気相成長方法。 - 【請求項4】 少なくとも半導体基板の表面が反応炉内
に位置するようにサセプタで保持し、その半導体基板の
表面を加熱手段で加熱し、原料ガス供給手段からトリメ
チルガリウム、アルシンガス、トリメチルアルミニウ
ム、およびトリメチルインジウムなどの有機金属原料ガ
スを上記反応炉内に供給すると共に、その有機金属原料
ガスを上記半導体基板の表面に接触させ、上記半導体基
板の表面にGaAs層、InGaAs層、AlGaAs
層などの薄膜をエピタキシャル成長させる有機金属気相
成長方法において、上記半導体基板の加熱温度を450
〜550℃とすると共に、上記トリメチルガリウムを他
の上記有機金属原料ガスとは別個に400〜700℃に
加熱し、熱分解させた状態で上記反応炉内に供給するこ
とを特徴とする有機金属気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33943896A JPH10177957A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 有機金属気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33943896A JPH10177957A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 有機金属気相成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10177957A true JPH10177957A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18327473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33943896A Pending JPH10177957A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 有機金属気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10177957A (ja) |
-
1996
- 1996-12-19 JP JP33943896A patent/JPH10177957A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4659401A (en) | Growth of epitaxial films by plasma enchanced chemical vapor deposition (PE-CVD) | |
JPH06244112A (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
EP1381718A2 (en) | Method and apparatus for growing submicron group iii nitride structures utilizing hvpe techniques | |
JPS6134928A (ja) | 元素半導体単結晶薄膜の成長法 | |
US4773355A (en) | Growth of epitaxial films by chemical vapor deposition | |
US6334901B1 (en) | Apparatus for forming semiconductor crystal | |
GB2162862A (en) | Process for forming monocrystalline thin film of compound semiconductor | |
EP0524817B1 (en) | Crystal growth method of III - V compound semiconductor | |
JPH10177957A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
JPH0574705A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR960004591B1 (ko) | 도우프된 결정 성장 방법 | |
JP2736655B2 (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
JP2885435B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JP3242571B2 (ja) | 気相成長方法 | |
JP2704223B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP2004207545A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
JPH0547674A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JPH0794409A (ja) | Iii−v族化合物半導体薄膜の形成方法 | |
JPH07201761A (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
JP3424315B2 (ja) | Iii−v族化合物混晶半導体薄膜の気相成長方法 | |
JP2646966B2 (ja) | Iii−v族化合物半導体の薄膜成長方法 | |
JP2793239B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JP2753832B2 (ja) | 第▲iii▼・v族化合物半導体の気相成長法 | |
JP2744782B2 (ja) | Mocvd法 | |
JP2005085850A (ja) | 気相エピタキシャル成長装置 |