JPH10168563A - プラズマ生成用ホローカソード - Google Patents

プラズマ生成用ホローカソード

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JPH10168563A
JPH10168563A JP8352673A JP35267396A JPH10168563A JP H10168563 A JPH10168563 A JP H10168563A JP 8352673 A JP8352673 A JP 8352673A JP 35267396 A JP35267396 A JP 35267396A JP H10168563 A JPH10168563 A JP H10168563A
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cylinder
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Munehito Hakomori
宗人 箱守
Yukinobu Hibino
幸信 日比野
Kanenori Matsuzaki
松崎  封徳
Toshiharu Kurauchi
倉内  利春
Masamichi Matsuura
正道 松浦
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電電流を400Aにおいて500時間以上
の放電が可能なプラズマ生成用ホローカソードを提供す
ること。 【解決手段】 外層としての、底面の中心部に開口44
を有する有底のTaチューブ45と、内層としてのLa
6 円筒41とからなる2層構造の円筒状体で、かつL
aB6 円筒41の内表面積を8cm2 以上、肉厚を3m
m以上としたものをTaパイプ36の先端部に取り付け
てホローカソード17とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ生成用ホロ
ーカソードに関するものであり、更に詳しくは放電電流
が大であり、かつ長時間の連続放電が可能なプラズマ生
成用ホローカソードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】プラズマ生成用ホローカソード(以降、
ホローカソードと称する)はイオンプレーティング装置
や真空冶金装置において、金属を溶融ないしは蒸発させ
る場合に使用される。例えばイオンプレーティングにお
いては、ホローカソード放電によって金属を溶融して蒸
発させ、必要な場合には反応ガスを導入して基板上に薄
膜を形成させるが、この時、蒸発粒子のイオン化率が高
く基板への付着強度が大であり、蒸発粒子の基板の裏側
への回り込みもよいことから、TiC(炭化チタン)、
TiN(窒化チタン)、ZnO(酸化亜鉛)、AlN
(窒化アルミニウム)などの薄膜がホローカソード放電
によるイオンプレーティング装置によって形成されてい
る。
【0003】図3はホローカソード(中空陰極)を使用
するイオンプレーティング装置10の縦断面図である。
真空ポンプ12が接続された真空槽11内には、水冷銅
ブロック19上のハース13に蒸発材料として例えばM
g(マグネシウム)14が充填され、その直上方には流
量調節バルブ15に接続され、Ar(アルゴン)ガスの
導入パイプを兼ねるTa(タンタル)パイプ16の先端
にL字形状のホローカソード7が取り付けられており、
外部の直流電源18によってハース13とホローカソー
ド7との間に直流電圧が印加されるようになっている。
真空槽11内の上方の基板ホールダ22にはガラス基板
21が固定されており、ガラス基板21の裏面側には、
ガラス基板21の温度を制御するための赤外線ヒータ2
3が取り付けられている。更に、真空槽11の外部から
反応ガスとしてのO2 (酸素)ガスが流量調節バルブ2
4を備え、先端部をリング状とした反応ガスパイプ25
によって導入され、蒸発されてくるMgとの反応度を高
めるようにガラス基板21の周囲に設けられた円筒状の
チムニー26内においてガラス基板21に向けて噴出さ
れるようになっている。
【0004】図2は上記ホローカソード7の断面図であ
り、外径16mmφ、内径12mmφ、長さ200mm
でL字形状のTaパイプがそのままホローカソード7と
して取り付けられている。しかし、このホローカソード
7は放電電圧が高いこと、生成されるイオン等のスパッ
タ作用を受けて消耗され易く寿命が短いことなどの欠点
を有している。そして、Taパイプは高価であるために
イオンプレーティングのコストを大幅に増大させてい
る。
【0005】これに対して、本願出願人を共願者とする
特公平3−69991号公報に係る「イオンプレーティ
ング用ホローカソードガン」にはグラファイトからなる
外層と、Ta、W(タングステン)およびLaB6 (硼
化ランタン)のうちのいずれか1種からなる内層とから
なるホローカソードが開示されている。その意図すると
ころは、グラファイトを組み合わせることにより安価で
長時間使用し得るホローカソードを得んとするにある。
結果的にそれらのホローカソードの耐用時間は長くなっ
ているが、その理由については定かでない。
【0006】また、特公平8−34128号公報に係る
「プラズマ生成用陰極」にはTa、Mo(モリブデン)
またはWからなる円筒状副陰極内に低温で熱電子放出の
よいLaB6 の小片からなる主陰極が設置された小電流
用のプラズマ生成用陰極が開示されており、実施例にお
いては、外径5mm、肉厚0.3mm、長さ100mm
のTaパイプに対して0.04gのLaB6 が設置され
ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の特公平3−69
991号公報に開示されている例えば外層がグラファイ
ト、内層がTaからなるホローカソードは長寿命化され
ているが、グラファイトに直接電圧が印加した状態で使
用すると形成される薄膜中にC(炭素)が混入するの
で、Ta層とグラファイト層との間に空隙を設けること
を推奨しており、必ずしも満足なものではない。また、
外層がグラファイト、内層がLaB6 からなるホローカ
ソードについて放電電圧の低下の記述はない。
【0008】更には、上記の特公平8−34128号公
報に開示されているホローカソードはLaB6 の小片を
使用する放電電流が数Aから数十Aのホローカソードに
関するものであり、400Aまたはそれ以上の大電流を
使用する装置を対象とするものではない。
【0009】本発明は以上の問題に鑑みてなされ、放電
電圧が低く、かつ放電によって消耗され難く、放電電流
が400Aで500時間以上の連続放電が可能なホロー
カソードを提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題は請求項1の
構成によって解決されるが、その解決手段を実施の形態
によって例示すれば、図1は本実施の形態によるホロー
カソード17の断面図であり、仕事関数の小さい熱電子
放出材料であるLaB6 の円筒41を内層とし、底面の
中心部に開口48を有する有底のTaチューブ45を外
層とする円筒状体をTaパイプ36に取り付けてホロー
カソード17とするものであり、そのLaB6 円筒41
は肉厚を3mm以上、内表面積を8cm2 以上のものを
使用している。本構成によれば、LaB6 円筒外周面は
全てTa材に接触被覆されており、従来のLaB6 円筒
がむき出し、ないしは間隙を設けてカーボンスリーブ等
を覆った場合に比べ、LaB6 からの熱放射を低減でき
る。ゆえに低ジュール熱、すなわち低放電パワーで従来
型以上の電子ビーム量を取得することが可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
【0012】図1は本実施の形態によるホローカソード
17の断面図である。外径22mmφ、内径19.2m
mφ、底面の肉厚3mm、長さ63mmで、底面の中心
部に5mmφの開口44を形成させた有底のTaチュー
ブ45を外層とし、その内部に、内層としての外径19
mmφ、肉厚6mm、すなわち内径7mmφ、長さ40
mmのLaB6 の円筒41を一体的に保持させた円筒状
体を外径16mmφのTaパイプ36の先端部(下端
部)に固定してホローカソード17としている。すなわ
ち、従来例でホローカソード7として使用されたTaパ
イプと同様なTaパイプ36の下端部に溶接したTaス
リーブ36’の外周にTaチューブ45を嵌め込み溶接
固定させている。そして、全体としての寸法は従来例の
ホローカソード7と整合させている。Taは仕事関数が
4.2eVであるに対してLaB6は仕事関数が2.3
〜2.6eVとはるかに小さく熱電子を放出し易い材料
である。ちなみに、この場合のLaB6 円筒41の内表
面積は8.8cm2 である。
【0013】図1に示したホローカソード17と、図2
に示した従来例のホローカソード7とを比較するため
に、図3に示したイオンプレーティング装置10にセッ
トして、ホローカソードの消耗試験を行なった。上記の
イオンプレーティング装置10の真空槽11内を10-6
Torrの真空度まで排気した後、Arガスを流量80sc
cmで導入してArガスの分圧5×10-4Torrを維持
し、直流電源18によってハース13とホローカソード
17(または7)との間に直流電圧を印加することによ
りArガスはプラズマ化され、そのプラズマによって加
熱されるホローカソード17(または7)から熱電子が
放出されてホローカソード放電が生起する。放電電流を
400Aとして放電を10時間継続させて行なったホロ
ーカソードの消耗試験の結果を表1に示した。
【0014】
【表1】
【0015】表1から明かなように、従来例のホローカ
ソード7は放電電圧が30Vであるのに対して、仕事関
数の小さいLaB6 円筒41を使用している本実施の形
態のホローカソード17は放電電圧が20Vと低い電圧
で動作する。また、放電電圧が低い故か、熱電子放出温
度が低い故か明確ではないが、本実施の形態のホローカ
ソード17の消耗速度は従来例のホローカソード7の消
耗速度の1/40と極めて小さい値を示した。また、L
aB6 円筒41の肉厚の変化量から、肉厚が3mm以上
あれば放電電流を400Aとしても500時間以上の連
続放電が十分に可能であることが分かった。
【0016】なお、上述の特公平8−34128号公報
に開示されている小片のLaB6 をTaパイプ内に設置
するホローカソードについて検討したところ、重さ1g
程度のLaB6 を設置した場合でも、放電電流400A
の条件下では、LaB6 表面積が小さいために高温度に
加熱され、短時間でLaB6 が蒸発した。そのことによ
ると思われるが、放電は途中から不安定になり、LaB
6 小片による放電からTaパイプによる放電に移行し、
放電電圧も30Vに上昇した。
【0017】これに関連して本実施の形態によるホロー
カソード17に使用するLaB6 円筒41の適切なサイ
ズについて種々テストした結果、LaB6 円筒41の内
表面積を8cm2 以上とすることによって、電気抵抗が
十分に低下しジュール熱を発生し難いためか、発熱、蒸
発による消耗を抑え得ることが分かった。また、400
A程度の大電流を安定に持続させるためには、LaB6
円筒41と円筒形状のTaチューブ45との接触面積を
大にすることが必要であり、そのような接触面を得るた
めの加工の容易さ、得られる加工精度の観点からはLa
6 を円筒形状にすることが好ましいことも判明した。
【0018】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0019】例えば本実施の形態においては、ホローカ
ソード17内に使用する仕事関数の小さい熱電子放出材
料として、仕事関数2.3〜2.6eVのLaB6 を使
用したが、Taの仕事関数4.2eVより小さい仕事関
数を有する材料であれは、LaB6 に代えて使用し得
る。例えば、セラミックスのなかでは仕事関数3.4e
VのZrCのほか、TaCも使用し得る。また、特別な
表面形成を必要とするが仕事関数2.6eVのTh・W
(トリウム・タングステン)も使用し得る。
【0020】また本実施の形態においては、内層として
のLaB6 円筒41を一体的に保持する外層にTaチュ
ーブ45を使用し、その上端部をTaパイプ36の先端
部にとりつけたが、これらにおけるTaは融点が200
0℃以上のTa以外の金属、例えばWやMoに代え得
る。
【0021】また本実施の形態においては、ホローカソ
ード17では外層をTaチューブ45とし内層をLaB
6 円筒41として両者を円筒形状としたが、内層をLa
6円筒41とするほかは、内層のLaB6 円筒41と
外層の高融点金属との間で接触面積が広く安定な接触が
得られる限りにおいて、外層は円筒状でなくてもよい。
【0022】また本実施の形態においては、Taチュー
ブ45をTaパイプ36の下端部に溶接したが、溶接以
外の方法、例えば両者を螺合して取り付けてもよい。
【0023】また本実施の形態においては、LaB6
筒41のサイズを外径19mm、内径7mm、長さ40
mmとしたが、サイズはこれに限られず、外径や長さを
大にしてもよく内径を大にしてもよい。特に大電流を流
す場合には、LaB6 円筒41の内表面積を大にして電
気抵抗を小さくすることが望ましい。
【0024】また本実施の形態においては、プラズマ生
成用ホローカソード17をハース13の直上方において
下向きの鉛直方向に設置する例を説明したが、ハースか
ら蒸発する蒸気の障害になることを避けるために、斜め
上方から下向き傾斜に設けてもよい。
【0025】また本実施の形態においては、ホローカソ
ード17をイオンプレーティング装置10に使用する場
合を例示したが、本発明のプラズマ生成用ホローカソー
ドは真空冶金装置における金属溶融用のホローカソード
としても適用し得ることは言うまでもない。
【0026】
【発明の効果】本発明は以上に説明したような形態で実
施され、次に記載するような効果を奏する。
【0027】従来例の単なるTaパイプからなるホロー
カソードの放電電圧は30Vであるに対して、本発明
の、外層の高融点金属(例えばTa)のチューブ内に、
内層としてのLaB6 円筒を有するホローカソードの放
電電圧は20Vと低く、所要電力が小さい。また、本発
明のホローカソードの消耗速度は従来例のホローカソー
ドの1/40と小さい。従って、放電電流を400Aと
して500時間以上の連続放電が可能であり、安定した
工業生産に使用し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態によるプラズマ生成用ホローカソー
ドの断面図である。
【図2】従来例のプラズマ生成用ホローカソードの断面
図である。
【図3】イオンプレーティング装置の縦断面図である。
【符号の説明】
7 従来例のホローカソード 10 イオンプレーティング装置 11 真空層 12 真空ポンプ 13 ハース 14 蒸発材料Mg 15 流量調節バルブ 16 Taパイプ 17 ホローカソード 18 直流電源 21 ガラス基板 22 基板ホールダ 23 赤外線ヒータ 24 流量調節バルブ 25 反応ガスパイプ 26 チムニー 36 Taパイプ 41 LaB6 円筒 44 開口 45 Taチューブ
フロントページの続き (72)発明者 倉内 利春 茨城県つくば市東光台5−9−7 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 松浦 正道 茨城県つくば市東光台5−9−7 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ホローカソード放電による金属の溶融な
    いしは蒸発に使用するための、高融点金属からなる外層
    と、前記高融点金属よりは仕事関数が小さい熱電子放出
    材料からなる内層とによって構成される中空のプラズマ
    生成用ホローカソードであって、前記熱電子放出材料か
    らなる内層が円筒状に形成されていることを特徴とする
    プラズマ生成用ホローカソード。
  2. 【請求項2】 前記熱電子放出材料からなる円筒状の内
    層の肉厚が3mm以上であり、内表面積が8cm2 以上
    である請求項1に記載のプラズマ生成用ホローカソー
    ド。
  3. 【請求項3】 前記高融点金属がTa(タンタル)、W
    (タングステン)、およびMo(モリブデン)のうちの
    少なくとも何れか1種である請求項1または請求項2に
    記載のプラズマ生成用ホローカソード。
  4. 【請求項4】 前記熱電子放出材料がLaB6 (硼化ラ
    ンタン)、ZrC(炭化ジルコニウム)、TaC(炭化
    タンタル)、およびTh・W(トリウム・タングステ
    ン)のうちの少なくとも何れか1種である請求項1から
    請求項3までの何れかに記載のプラズマ生成用ホローカ
    ソード。
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