JPH10163370A - ベアチップ搭載基板 - Google Patents
ベアチップ搭載基板Info
- Publication number
- JPH10163370A JPH10163370A JP8322831A JP32283196A JPH10163370A JP H10163370 A JPH10163370 A JP H10163370A JP 8322831 A JP8322831 A JP 8322831A JP 32283196 A JP32283196 A JP 32283196A JP H10163370 A JPH10163370 A JP H10163370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bare chip
- resin
- chip mounting
- board
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベアチップ搭載基板にベアチップを搭載し、
ベアチップ搭載基板とベアチップとの間隙に、ボイドを
発生させずに短時間で樹脂を注入する。 【解決手段】 配線基板１０の上にベアチップと接続す
る複数の基板パッド４が形成され、基板パッド４を形成
した配線基板１０の上にソルダーレジスト２が形成され
る。ソルダーレジスト２には、基板パッド４とベアチッ
プの電極とが接続するために第１の開口部１が設けら
れ、さらに、第２の開口部５がベアチップ搭載部１１の
中心からベアチップ搭載部１１の周端の一部へと徐々に
幅を広げながら延びる溝となって設けられ、４つの第１
の開口部１の内の１つと連結している。第２の開口部５
を設けたことにより、ベアチップ搭載基板にベアチップ
を実装して、ベアチップ搭載基板とベアチップとの間隙
に樹脂を注入するときに間隙内の空気が全て排出され、
ボイドが発生しなくなる。
ベアチップ搭載基板とベアチップとの間隙に、ボイドを
発生させずに短時間で樹脂を注入する。 【解決手段】 配線基板１０の上にベアチップと接続す
る複数の基板パッド４が形成され、基板パッド４を形成
した配線基板１０の上にソルダーレジスト２が形成され
る。ソルダーレジスト２には、基板パッド４とベアチッ
プの電極とが接続するために第１の開口部１が設けら
れ、さらに、第２の開口部５がベアチップ搭載部１１の
中心からベアチップ搭載部１１の周端の一部へと徐々に
幅を広げながら延びる溝となって設けられ、４つの第１
の開口部１の内の１つと連結している。第２の開口部５
を設けたことにより、ベアチップ搭載基板にベアチップ
を実装して、ベアチップ搭載基板とベアチップとの間隙
に樹脂を注入するときに間隙内の空気が全て排出され、
ボイドが発生しなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップを配線
基板へ実装する技術に関し、特にベアチップが実装され
るベアチップ搭載基板の構造に関する。
基板へ実装する技術に関し、特にベアチップが実装され
るベアチップ搭載基板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ベアチップの電極にバンプを形成し、ベ
アチップの配線面を下にしたフェースダウンでベアチッ
プを配線基板に実装する技術において、ベアチップを配
線基板に搭載した後、一般的にはベアチップと配線基板
との間隙に樹脂が注入され硬化させられる。樹脂が硬化
されることにより、ベアチップと配線基板が一体化さ
れ、ベアチップと配線基板との接続部に加わる応力が分
散されると共に、その接続部で外気との気密性が増し、
信頼性が高くなる。ベアチップと配線基板との間隙に樹
脂を注入する方法としては、配線基板に搭載した矩形の
ベアチップの４隅あるいは４周辺の間隙に樹脂を塗布
し、塗布された樹脂が毛細管現象により間隙の中心部へ
向かって流入することにより行われることがある。
アチップの配線面を下にしたフェースダウンでベアチッ
プを配線基板に実装する技術において、ベアチップを配
線基板に搭載した後、一般的にはベアチップと配線基板
との間隙に樹脂が注入され硬化させられる。樹脂が硬化
されることにより、ベアチップと配線基板が一体化さ
れ、ベアチップと配線基板との接続部に加わる応力が分
散されると共に、その接続部で外気との気密性が増し、
信頼性が高くなる。ベアチップと配線基板との間隙に樹
脂を注入する方法としては、配線基板に搭載した矩形の
ベアチップの４隅あるいは４周辺の間隙に樹脂を塗布
し、塗布された樹脂が毛細管現象により間隙の中心部へ
向かって流入することにより行われることがある。
【０００３】矩形のベアチップの４隅あるいは４周辺の
間隙に樹脂を塗布して注入する場合、樹脂が短時間で浸
透していくが、樹脂とベアチップとの境界面および、樹
脂と配線基板との境界面の一部に樹脂が浸透していない
部分が生じる。この浸透していない部分はボイドと呼ば
れており、ボイドの発生を防ぐためにベアチップの２隅
あるいは２辺の間隙に樹脂を塗布して注入すると、樹脂
が浸透するのに時間がかかってしまい、注入時間が長く
なる。ボイドを発生させずに、しかも短時間で樹脂を注
入しようとする場合、従来では図５に示すようなベアチ
ップ搭載基板を用いることがある。
間隙に樹脂を塗布して注入する場合、樹脂が短時間で浸
透していくが、樹脂とベアチップとの境界面および、樹
脂と配線基板との境界面の一部に樹脂が浸透していない
部分が生じる。この浸透していない部分はボイドと呼ば
れており、ボイドの発生を防ぐためにベアチップの２隅
あるいは２辺の間隙に樹脂を塗布して注入すると、樹脂
が浸透するのに時間がかかってしまい、注入時間が長く
なる。ボイドを発生させずに、しかも短時間で樹脂を注
入しようとする場合、従来では図５に示すようなベアチ
ップ搭載基板を用いることがある。
【０００４】図５の（ａ）は従来のベアチップ搭載基板
の平面図であり、図５の（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断
面図である。図５の（ａ）に示した２点鎖線のベアチッ
プ搭載部３１は、ベアチップが搭載される領域を仮想線
で示している。図５の（ｂ）に示すように従来のベアチ
ップ搭載基板では、配線基板３０の上に、ベアチップと
接続する複数の基板パッド２４がベアチップの電極に対
応して形成され、基板パッド２４が形成された配線基板
３０上にソルダーレジスト２２が形成されている。この
ソルダーレジスト２２には、基板パッド２４とベアチッ
プの電極とが接合するために、４つの矩形状の開口部２
１がそれぞれ、ベアチップの電極に対応してベアチップ
搭載部３１の４周辺と平行に延びている。ベアチップ搭
載部３１の中心には、後述するような、樹脂を注入する
時の空気と樹脂が流動する穴として貫通穴２３が設けら
れている。
の平面図であり、図５の（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断
面図である。図５の（ａ）に示した２点鎖線のベアチッ
プ搭載部３１は、ベアチップが搭載される領域を仮想線
で示している。図５の（ｂ）に示すように従来のベアチ
ップ搭載基板では、配線基板３０の上に、ベアチップと
接続する複数の基板パッド２４がベアチップの電極に対
応して形成され、基板パッド２４が形成された配線基板
３０上にソルダーレジスト２２が形成されている。この
ソルダーレジスト２２には、基板パッド２４とベアチッ
プの電極とが接合するために、４つの矩形状の開口部２
１がそれぞれ、ベアチップの電極に対応してベアチップ
搭載部３１の４周辺と平行に延びている。ベアチップ搭
載部３１の中心には、後述するような、樹脂を注入する
時の空気と樹脂が流動する穴として貫通穴２３が設けら
れている。
【０００５】図５に示したベアチップ搭載基板にベアチ
ップを搭載した状態を示す断面図が図６である。図６に
示すように、ベアチップ搭載基板３２にベアチップ２６
を搭載するには、ベアチップ２６のアルミ電極２７上に
バンプ２８を形成し、このベアチップ２６をフェースダ
ウンでベアチップ搭載基板３２上に置く。バンプ２８と
基板パッド２４との位置合わせを行った後、加熱してバ
ンプ２８を溶融し、温度を下げてバンプ２８が固まるこ
とにより、ベアチップ搭載基板３２にベアチップ２６が
ボンディングされる。ベアチップ搭載基板３２にベアチ
ップ２６を搭載した後、ベアチップ搭載基板３２に設け
られた貫通穴２３から樹脂が加圧注入される。このよう
にしてベアチップ搭載基板３２とベアチップ２６との間
隙に樹脂が充填された状態を示す断面図が図７である。
ップを搭載した状態を示す断面図が図６である。図６に
示すように、ベアチップ搭載基板３２にベアチップ２６
を搭載するには、ベアチップ２６のアルミ電極２７上に
バンプ２８を形成し、このベアチップ２６をフェースダ
ウンでベアチップ搭載基板３２上に置く。バンプ２８と
基板パッド２４との位置合わせを行った後、加熱してバ
ンプ２８を溶融し、温度を下げてバンプ２８が固まるこ
とにより、ベアチップ搭載基板３２にベアチップ２６が
ボンディングされる。ベアチップ搭載基板３２にベアチ
ップ２６を搭載した後、ベアチップ搭載基板３２に設け
られた貫通穴２３から樹脂が加圧注入される。このよう
にしてベアチップ搭載基板３２とベアチップ２６との間
隙に樹脂が充填された状態を示す断面図が図７である。
【０００６】図７に示すようにベアチップ搭載基板３２
とベアチップ２６との間隙に樹脂２９を充填するには別
の方法もあり、ベアチップ２６を搭載した側のベアチッ
プ搭載基板３２の面に樹脂２９をポッティングし、ポッ
ティングした面の反対側のベアチップ搭載基板３２の面
から貫通穴２３を通して真空引きしてベアチップ２６側
に供給した樹脂２９を吸引して注入することもできる。
いずれの方法にしても、貫通穴２３を利用して樹脂２９
を加圧注入したり、真空引きしたりすることにより、ボ
イドを発生させずに、しかも短時間で樹脂２９を注入す
ることができる。充填された樹脂２９は硬化され、ベア
チップ搭載基板３２とベアチップ２６とが一体化され
る。
とベアチップ２６との間隙に樹脂２９を充填するには別
の方法もあり、ベアチップ２６を搭載した側のベアチッ
プ搭載基板３２の面に樹脂２９をポッティングし、ポッ
ティングした面の反対側のベアチップ搭載基板３２の面
から貫通穴２３を通して真空引きしてベアチップ２６側
に供給した樹脂２９を吸引して注入することもできる。
いずれの方法にしても、貫通穴２３を利用して樹脂２９
を加圧注入したり、真空引きしたりすることにより、ボ
イドを発生させずに、しかも短時間で樹脂２９を注入す
ることができる。充填された樹脂２９は硬化され、ベア
チップ搭載基板３２とベアチップ２６とが一体化され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ベアチ
ップ搭載基板の、ベアチップを搭載する部分に貫通穴を
設け、貫通穴を設けたベアチップ搭載基板にベアチップ
を搭載し、貫通穴を利用してベアチップ搭載基板とベア
チップとの間隙に樹脂を注入する場合、ボイドを発生さ
せずに、短時間で樹脂が注入されるが、ベアチップ搭載
基板に貫通穴を設けるので、ベアチップ搭載基板の配線
引き回しが制約される上に、配線スペースが減少して配
線効率が悪くなるという問題が生じる。
ップ搭載基板の、ベアチップを搭載する部分に貫通穴を
設け、貫通穴を設けたベアチップ搭載基板にベアチップ
を搭載し、貫通穴を利用してベアチップ搭載基板とベア
チップとの間隙に樹脂を注入する場合、ボイドを発生さ
せずに、短時間で樹脂が注入されるが、ベアチップ搭載
基板に貫通穴を設けるので、ベアチップ搭載基板の配線
引き回しが制約される上に、配線スペースが減少して配
線効率が悪くなるという問題が生じる。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
に鑑み、ベアチップ搭載基板の、ベアチップを搭載する
部分に貫通穴を設けないで、ベアチップ搭載基板の配線
効率を低下させることがないようにした上で、ベアチッ
プ搭載基板とベアチップとの間隙にボイドを発生させず
に、短時間で樹脂を注入させることができるベアチップ
搭載基板を提供することにある。
に鑑み、ベアチップ搭載基板の、ベアチップを搭載する
部分に貫通穴を設けないで、ベアチップ搭載基板の配線
効率を低下させることがないようにした上で、ベアチッ
プ搭載基板とベアチップとの間隙にボイドを発生させず
に、短時間で樹脂を注入させることができるベアチップ
搭載基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、ベアチップを搭載する搭載部を有するベア
チップ搭載基板において、前記搭載部に、前記搭載部の
中心から前記搭載部の周端の一部へと徐々に幅を広げな
がら延びる溝が備えられたことを特徴とする。
の本発明は、ベアチップを搭載する搭載部を有するベア
チップ搭載基板において、前記搭載部に、前記搭載部の
中心から前記搭載部の周端の一部へと徐々に幅を広げな
がら延びる溝が備えられたことを特徴とする。
【００１０】また、前記搭載部はソルダーレジストで被
覆されており、前記溝は該ソルダーレジストの一部を除
去して形成されていることが好ましい。
覆されており、前記溝は該ソルダーレジストの一部を除
去して形成されていることが好ましい。
【００１１】上記のとおりの発明では、ベアチップ搭載
基板の上にベアチップを搭載する搭載部に、搭載部の中
心から搭載部の周端の一部へと徐々に幅を広げながら延
びる溝が備えられる。このような溝が備えられたことに
より、ベアチップの搭載部に搭載されたベアチップの周
辺部分のうち、前記溝が延びているベアチップの搭載部
の周端の一部を除いた部分の間隙に樹脂を塗布すると、
毛細管現象により樹脂がベアチップの中心部へ浸透して
いき、樹脂の浸透と共に間隙内の空気が前記溝を通って
間隙外部へ排出される。浸透していく樹脂は、樹脂に働
く表面張力の作用により、前記溝以外の間隙に樹脂が浸
透し終った後に、ベアチップの搭載部中心から前記溝の
中へ流入していき、前記溝内部の空気が全て、前記溝が
延びる搭載部の周端の一部を通って外部に排出される。
従って、ベアチップ搭載基板とベアチップとの間隙にボ
イドを発生させないで樹脂を注入することができる。
基板の上にベアチップを搭載する搭載部に、搭載部の中
心から搭載部の周端の一部へと徐々に幅を広げながら延
びる溝が備えられる。このような溝が備えられたことに
より、ベアチップの搭載部に搭載されたベアチップの周
辺部分のうち、前記溝が延びているベアチップの搭載部
の周端の一部を除いた部分の間隙に樹脂を塗布すると、
毛細管現象により樹脂がベアチップの中心部へ浸透して
いき、樹脂の浸透と共に間隙内の空気が前記溝を通って
間隙外部へ排出される。浸透していく樹脂は、樹脂に働
く表面張力の作用により、前記溝以外の間隙に樹脂が浸
透し終った後に、ベアチップの搭載部中心から前記溝の
中へ流入していき、前記溝内部の空気が全て、前記溝が
延びる搭載部の周端の一部を通って外部に排出される。
従って、ベアチップ搭載基板とベアチップとの間隙にボ
イドを発生させないで樹脂を注入することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】図１は、本発明のベアチップ搭載基板の一
実施形態を示す平面図および断面図であり、（ａ）が平
面図、（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。図１
の（ａ）に示した２点鎖線のベアチップ搭載部１１は、
ベアチップが搭載される領域を仮想線で示している。図
１の（ｂ）に示すように、本実施形態のベアチップ搭載
基板は、配線基板１０の上にベアチップと接続する複数
の基板パッド４がベアチップの電極に対応して形成さ
れ、基板パッド４が形成された配線基板１０上にソルダ
ーレジスト２が形成されている。ソルダーレジスト２に
は、基板パッド４とベアチップの電極とが接続するため
に、４つの矩形状の第１の開口部１がそれぞれ、ベアチ
ップの電極の位置に対応してベアチップ搭載部１１の４
辺と平行に延びている。さらにソルダーレジスト２に
は、第２の開口部５が、ベアチップ搭載部１１の中心か
らベアチップ搭載部１１の周端の一部へと徐々に幅を広
げながら延びる溝となっており、第１の開口部１の１つ
と連結している。
実施形態を示す平面図および断面図であり、（ａ）が平
面図、（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。図１
の（ａ）に示した２点鎖線のベアチップ搭載部１１は、
ベアチップが搭載される領域を仮想線で示している。図
１の（ｂ）に示すように、本実施形態のベアチップ搭載
基板は、配線基板１０の上にベアチップと接続する複数
の基板パッド４がベアチップの電極に対応して形成さ
れ、基板パッド４が形成された配線基板１０上にソルダ
ーレジスト２が形成されている。ソルダーレジスト２に
は、基板パッド４とベアチップの電極とが接続するため
に、４つの矩形状の第１の開口部１がそれぞれ、ベアチ
ップの電極の位置に対応してベアチップ搭載部１１の４
辺と平行に延びている。さらにソルダーレジスト２に
は、第２の開口部５が、ベアチップ搭載部１１の中心か
らベアチップ搭載部１１の周端の一部へと徐々に幅を広
げながら延びる溝となっており、第１の開口部１の１つ
と連結している。
【００１４】図２は、図１に示したベアチップ搭載基板
にベアチップを搭載した状態を示す断面図である。図２
に示すように、ベアチップ搭載基板１２上に、バンプ８
を形成したベアチップ６をフェースダウンで置き、バン
プ８と基板パッド４との位置合わせを行った後、加熱し
てバンプ８を溶融し、温度を下げてバンプ２８が固まる
ことにより、ベアチップ搭載基板１２にベアチップ６が
ボンディングされる。バンプ付きのベアチップ６をベア
チップ搭載基板１２に搭載する方法はいろいろあり、例
えばベアチップ搭載基板１２の基板パッド４にあらかじ
め半田を供給しておき、バンプ付きのベアチップをベア
チップ搭載基板１２上に置いて位置合わせをした後、加
熱して半田付けによって接続する。ベアチップ搭載基板
１２にベアチップ６を搭載した後には、ベアチップ搭載
基板１２とベアチップ６との間隙に樹脂が注入される。
この樹脂の注入は、適量の樹脂をディスペンサなどによ
ってベアチップ６の４隅、または３周辺の間隙に塗布す
ることによって行われる。
にベアチップを搭載した状態を示す断面図である。図２
に示すように、ベアチップ搭載基板１２上に、バンプ８
を形成したベアチップ６をフェースダウンで置き、バン
プ８と基板パッド４との位置合わせを行った後、加熱し
てバンプ８を溶融し、温度を下げてバンプ２８が固まる
ことにより、ベアチップ搭載基板１２にベアチップ６が
ボンディングされる。バンプ付きのベアチップ６をベア
チップ搭載基板１２に搭載する方法はいろいろあり、例
えばベアチップ搭載基板１２の基板パッド４にあらかじ
め半田を供給しておき、バンプ付きのベアチップをベア
チップ搭載基板１２上に置いて位置合わせをした後、加
熱して半田付けによって接続する。ベアチップ搭載基板
１２にベアチップ６を搭載した後には、ベアチップ搭載
基板１２とベアチップ６との間隙に樹脂が注入される。
この樹脂の注入は、適量の樹脂をディスペンサなどによ
ってベアチップ６の４隅、または３周辺の間隙に塗布す
ることによって行われる。
【００１５】図３は、ベアチップを搭載したベアチップ
搭載基板１２に樹脂を塗布した状態を示す平面図であ
る。図３の（ａ）は、ベアチップ６の４隅に樹脂を塗布
した状態を示しており、図３の（ｂ）は、ベアチップ６
の３周辺に樹脂を塗布した状態を示し、この（ｂ）の場
合、図１の（ａ）で示した第２の開口部５が向かって延
びるベアチップ６の一辺に樹脂を塗布しない。塗布する
樹脂には、熱による樹脂の膨張を防ぐために、一般的に
熱膨張係数の低いものが用いられる。熱膨張係数の低い
樹脂ほどアルミナやシリカのフィラーが多く混入されて
おり、粘度が高く樹脂を注入するのが困難になる。従っ
て、粘度が高い樹脂を浸透させるために、ベアチップ６
を搭載したベアチップ搭載基板１２を加熱ステージ上に
設置して加熱し、塗布した樹脂の温度が高くなり、樹脂
の粘度が低い状態で樹脂の注入が行われる。
搭載基板１２に樹脂を塗布した状態を示す平面図であ
る。図３の（ａ）は、ベアチップ６の４隅に樹脂を塗布
した状態を示しており、図３の（ｂ）は、ベアチップ６
の３周辺に樹脂を塗布した状態を示し、この（ｂ）の場
合、図１の（ａ）で示した第２の開口部５が向かって延
びるベアチップ６の一辺に樹脂を塗布しない。塗布する
樹脂には、熱による樹脂の膨張を防ぐために、一般的に
熱膨張係数の低いものが用いられる。熱膨張係数の低い
樹脂ほどアルミナやシリカのフィラーが多く混入されて
おり、粘度が高く樹脂を注入するのが困難になる。従っ
て、粘度が高い樹脂を浸透させるために、ベアチップ６
を搭載したベアチップ搭載基板１２を加熱ステージ上に
設置して加熱し、塗布した樹脂の温度が高くなり、樹脂
の粘度が低い状態で樹脂の注入が行われる。
【００１６】図３の（ａ）または図３の（ｂ）で示した
いずれかの方法で樹脂が塗布されることによって、樹脂
が毛細管現象により塗布した位置からベアチップ６の中
心に向かって浸透していく。樹脂が浸透すると共に、浸
透していく樹脂によって押しのけられた空気が、ベアチ
ップ搭載基板１２の第２の開口部５を通って間隙の外部
へ排出される。ここで、樹脂に働く表面張力の作用によ
って、第２の開口部５の間隙以外の全ての間隙に樹脂が
浸透し終えるまで、第２の開口部５の間隙には樹脂が流
入しない。また、第２の開口部５が延びるベアチップ搭
載部１１の端部である、ソルダーレジスト２とベアチッ
プとの間隙（図１の（ａ）に示したの周辺部分）にも
間隙の幅が狭いため樹脂が浸透しない。第２の開口部５
の間隙および、第２の開口部５が延びるベアチップ搭載
部１１の端部（）以外の全ての間隙に樹脂が浸透し終
ると、ベアチップ搭載部１１の中心部分の、図１の
（ａ）で示したの部分から徐々に第２の開口部５内部
へ樹脂が流入していき、樹脂の流入と共に第２の開口部
５の空気が、第２の開口部５が延びるベアチップ搭載部
１１の端部を通って外部に排出される。この時、樹脂が
ベアチップ搭載部１１の中心部から第２の開口部５内部
へ流入するので、第２の開口部５の間隙にある空気が全
て外部へ押し出される。従って、最終的にベアチップ搭
載基板１２とベアチップ６との間隙全体に樹脂が充填さ
れ、充填された間隙にあった空気が全て間隙の外部へ排
出され、ボイドが発生しない。このようにしてベアチッ
プ搭載基板１２とベアチップ６との間隙に樹脂が充填さ
れた状態を示す断面図が図４である。図４に示すように
樹脂９を充填した後、樹脂９が硬化されて、ベアチップ
６がベアチップ搭載基板１２に一体化される。
いずれかの方法で樹脂が塗布されることによって、樹脂
が毛細管現象により塗布した位置からベアチップ６の中
心に向かって浸透していく。樹脂が浸透すると共に、浸
透していく樹脂によって押しのけられた空気が、ベアチ
ップ搭載基板１２の第２の開口部５を通って間隙の外部
へ排出される。ここで、樹脂に働く表面張力の作用によ
って、第２の開口部５の間隙以外の全ての間隙に樹脂が
浸透し終えるまで、第２の開口部５の間隙には樹脂が流
入しない。また、第２の開口部５が延びるベアチップ搭
載部１１の端部である、ソルダーレジスト２とベアチッ
プとの間隙（図１の（ａ）に示したの周辺部分）にも
間隙の幅が狭いため樹脂が浸透しない。第２の開口部５
の間隙および、第２の開口部５が延びるベアチップ搭載
部１１の端部（）以外の全ての間隙に樹脂が浸透し終
ると、ベアチップ搭載部１１の中心部分の、図１の
（ａ）で示したの部分から徐々に第２の開口部５内部
へ樹脂が流入していき、樹脂の流入と共に第２の開口部
５の空気が、第２の開口部５が延びるベアチップ搭載部
１１の端部を通って外部に排出される。この時、樹脂が
ベアチップ搭載部１１の中心部から第２の開口部５内部
へ流入するので、第２の開口部５の間隙にある空気が全
て外部へ押し出される。従って、最終的にベアチップ搭
載基板１２とベアチップ６との間隙全体に樹脂が充填さ
れ、充填された間隙にあった空気が全て間隙の外部へ排
出され、ボイドが発生しない。このようにしてベアチッ
プ搭載基板１２とベアチップ６との間隙に樹脂が充填さ
れた状態を示す断面図が図４である。図４に示すように
樹脂９を充填した後、樹脂９が硬化されて、ベアチップ
６がベアチップ搭載基板１２に一体化される。
【００１７】ベアチップ搭載基板１２に搭載したベアチ
ップ６の４隅あるいは３辺に樹脂を塗布して樹脂の注入
を行ったが、排出される空気の通り道になる第２の開口
部５の端部あたる部分のベアチップ周辺部（図１の
（ａ）に示したの周辺部分）以外に樹脂を塗布すれば
よく、ボイドを発生させずに樹脂を浸透させることがで
きれば、どこへ樹脂を塗布しても構わない。
ップ６の４隅あるいは３辺に樹脂を塗布して樹脂の注入
を行ったが、排出される空気の通り道になる第２の開口
部５の端部あたる部分のベアチップ周辺部（図１の
（ａ）に示したの周辺部分）以外に樹脂を塗布すれば
よく、ボイドを発生させずに樹脂を浸透させることがで
きれば、どこへ樹脂を塗布しても構わない。
【００１８】上述したように、ベアチップ搭載基板１２
の上に形成されたソルダーレジスト２に、ベアチップ搭
載部１１の中心からベアチップ搭載部１１の周端の一部
へと徐々に幅を広げながら延びる溝を設けて、樹脂の注
入と共にベアチップ搭載基板１２とベアチップ６との間
隙にある空気を全て排出するので、ボイドの発生がなく
なり、高い信頼性を持ってベアチップ６をベアチップ搭
載基板１２に接続することができる。ボイドが発生しな
いので、ボイドの発生を防止するために従来のような貫
通穴をベアチップ搭載部１１に設ける必要がなくなり、
ベアチップ搭載基板の配線引き回しを制約したり、配線
スペースが減少したりして配線効率を悪くさせることが
ない。
の上に形成されたソルダーレジスト２に、ベアチップ搭
載部１１の中心からベアチップ搭載部１１の周端の一部
へと徐々に幅を広げながら延びる溝を設けて、樹脂の注
入と共にベアチップ搭載基板１２とベアチップ６との間
隙にある空気を全て排出するので、ボイドの発生がなく
なり、高い信頼性を持ってベアチップ６をベアチップ搭
載基板１２に接続することができる。ボイドが発生しな
いので、ボイドの発生を防止するために従来のような貫
通穴をベアチップ搭載部１１に設ける必要がなくなり、
ベアチップ搭載基板の配線引き回しを制約したり、配線
スペースが減少したりして配線効率を悪くさせることが
ない。
【００１９】さらに、本実施形態では、樹脂の注入がベ
アチップ６の２隅または２辺に樹脂を塗布して行われる
のでなく、ベアチップ６の４隅または３辺に樹脂を塗布
して行えるので、短時間で樹脂を注入することができ
る。
アチップ６の２隅または２辺に樹脂を塗布して行われる
のでなく、ベアチップ６の４隅または３辺に樹脂を塗布
して行えるので、短時間で樹脂を注入することができ
る。
【００２０】本実施形態のベアチップ搭載基板１２で
は、ソルダーレジスト２に第２の開口部５を設けてボイ
ドを発生させずに樹脂を注入したが、ソルダーレジスト
が形成されていない基板にベアチップを搭載する場合、
ベアチップを搭載する基板自体に第２の開口部５と同様
な形状で溝を設けることにより同じ効果が得られる。
は、ソルダーレジスト２に第２の開口部５を設けてボイ
ドを発生させずに樹脂を注入したが、ソルダーレジスト
が形成されていない基板にベアチップを搭載する場合、
ベアチップを搭載する基板自体に第２の開口部５と同様
な形状で溝を設けることにより同じ効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ベアチッ
プを搭載する搭載部を有するベアチップ搭載基板におい
て、搭載部に、搭載部の中心から前記搭載部の周端の一
部へと徐々に幅を広げながら延びる溝が備えられたの
で、ベアチップの搭載部にベアチップを搭載し、ベアチ
ップ搭載基板とベアチップとの間隙に樹脂を注入する工
程において、ベアチップ周辺の間隙に樹脂を塗布して樹
脂を浸透させると、間隙にある空気および、溝にある空
気が、樹脂の浸透と共に全て排出される。従って、ベア
チップ搭載基板とベアチップとの間隙にボイドを発生さ
せないで樹脂を注入することができ、ベアチップ搭載基
板とベアチップとの接続に高い信頼性を得るという効果
がある。
プを搭載する搭載部を有するベアチップ搭載基板におい
て、搭載部に、搭載部の中心から前記搭載部の周端の一
部へと徐々に幅を広げながら延びる溝が備えられたの
で、ベアチップの搭載部にベアチップを搭載し、ベアチ
ップ搭載基板とベアチップとの間隙に樹脂を注入する工
程において、ベアチップ周辺の間隙に樹脂を塗布して樹
脂を浸透させると、間隙にある空気および、溝にある空
気が、樹脂の浸透と共に全て排出される。従って、ベア
チップ搭載基板とベアチップとの間隙にボイドを発生さ
せないで樹脂を注入することができ、ベアチップ搭載基
板とベアチップとの接続に高い信頼性を得るという効果
がある。
【００２２】また、従来の技術のように、ボイドを発生
させずに樹脂を注入するためにベアチップ搭載基板の、
ベアチップを搭載する部分に貫通穴を設ける必要がなく
なるので、ベアチップ搭載基板の配線引き回しを制約せ
ず、配線スペースを減少させずに、しかもボイドを発生
させずに樹脂を注入することができるという効果があ
る。
させずに樹脂を注入するためにベアチップ搭載基板の、
ベアチップを搭載する部分に貫通穴を設ける必要がなく
なるので、ベアチップ搭載基板の配線引き回しを制約せ
ず、配線スペースを減少させずに、しかもボイドを発生
させずに樹脂を注入することができるという効果があ
る。
【００２３】さらに、樹脂の注入が、ボイドの発生を防
ぐためにベアチップの２隅または２辺に樹脂を塗布して
行われるのでなく、ベアチップの４隅または３辺に樹脂
を塗布して行うことができるので、短時間で樹脂を注入
することができる効果がある。
ぐためにベアチップの２隅または２辺に樹脂を塗布して
行われるのでなく、ベアチップの４隅または３辺に樹脂
を塗布して行うことができるので、短時間で樹脂を注入
することができる効果がある。
【図１】本発明の一実施形態によるベアチップ搭載基板
の平面図および断面図である。
の平面図および断面図である。
【図２】図１で示したベアチップ搭載基板にベアチップ
を搭載した状態を示す断面図である。
を搭載した状態を示す断面図である。
【図３】図２で示したベアチップを搭載したベアチップ
搭載基板に樹脂を塗布した状態を示す平面図である。
搭載基板に樹脂を塗布した状態を示す平面図である。
【図４】図２で示したベアチップを搭載したベアチップ
搭載基板に樹脂を注入した状態を示す断面図である。
搭載基板に樹脂を注入した状態を示す断面図である。
【図５】従来の技術によるベアチップ搭載基板の平面図
および断面図である。
および断面図である。
【図６】図５で示したベアチップ搭載基板にベアチップ
を搭載した状態を示す断面図である。
を搭載した状態を示す断面図である。
【図７】図６で示したベアチップを搭載したベアチップ
搭載基板に樹脂を注入した状態を示す断面図である。
搭載基板に樹脂を注入した状態を示す断面図である。
１ 第１の開口部 ２、２２ ソルダーレジスト ４、２４ 基板パッド ５ 第２の開口部 ６、２６ ベアチップ ７、２７ アルミ電極 ８、２８ バンプ ９、２９ 樹脂 １０、３０ 配線基板 １１、３１ ベアチップ搭載部 １２、３２ ベアチップ搭載基板 ２１ 開口部 ２３ 貫通穴
Claims (2)
- 【請求項１】 ベアチップを搭載する搭載部を有するベ
アチップ搭載基板において、 前記搭載部には、前記搭載部の中心から前記搭載部の周
端の一部へと徐々に幅を広げながら延びる溝が備えられ
たことを特徴とするベアチップ搭載基板。 - 【請求項２】 前記搭載部はソルダーレジストで被覆さ
れており、前記溝は該ソルダーレジストの一部を除去し
て形成されていることを特徴とする請求項１に記載のベ
アチップ搭載基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32283196A JP2917941B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | ベアチップ搭載基板 |
| TW086117969A TW392315B (en) | 1996-12-03 | 1997-11-28 | Boards mounting with chips, mounting structure of chips, and manufacturing method for boards mounting with chips |
| US08/980,914 US6094354A (en) | 1996-12-03 | 1997-12-01 | Chip component mounting board, chip component mounting structure, and method of manufacturing chip component mounting board |
| KR1019970065552A KR100253521B1 (ko) | 1996-12-03 | 1997-12-03 | 칩 부품 탑재 기판, 칩 부품 탑재 구조, 및칩 부품 탑재 기판 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32283196A JP2917941B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | ベアチップ搭載基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163370A true JPH10163370A (ja) | 1998-06-19 |
| JP2917941B2 JP2917941B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=18148098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32283196A Expired - Lifetime JP2917941B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | ベアチップ搭載基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917941B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004026010A1 (ja) * | 2002-09-12 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路部品内蔵モジュール |
| JP2007019197A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Apic Yamada Corp | 配線基板およびアンダーフィル方法並びに半導体装置 |
| JP2007227708A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010153495A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2019102599A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-03 JP JP32283196A patent/JP2917941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004026010A1 (ja) * | 2002-09-12 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路部品内蔵モジュール |
| US7382628B2 (en) | 2002-09-12 | 2008-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit-component-containing module |
| JP2007019197A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Apic Yamada Corp | 配線基板およびアンダーフィル方法並びに半導体装置 |
| JP2007227708A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010153495A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2019102599A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2917941B2 (ja) | 1999-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3118187B2 (ja) | 再加工可能な電子デバイス及び形成方法 | |
| JP3431406B2 (ja) | 半導体パッケージ装置 | |
| US5892289A (en) | Bare chip mounting structure and manufacturing method therefor | |
| KR100253521B1 (ko) | 칩 부품 탑재 기판, 칩 부품 탑재 구조, 및칩 부품 탑재 기판 제조 방법 | |
| JPH0897313A (ja) | マルチチップモジュール | |
| JP2000036520A (ja) | フリップチップ実装方法及び装置 | |
| KR20070024366A (ko) | 언더필 재료를 사용하여 전자 부품을 탑재한 기판 및 그제조 방법 | |
| JP3391282B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2917941B2 (ja) | ベアチップ搭載基板 | |
| JP3353501B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3631922B2 (ja) | センタパッド型半導体パッケージ素子の製造方法 | |
| JP2001257437A (ja) | 電子回路基板及びその製造方法 | |
| JP2671720B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP2892348B1 (ja) | 半導体ユニットおよび半導体素子の実装方法 | |
| JPH09306934A (ja) | チップ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH11163049A (ja) | バンプ付電子部品の実装構造および実装方法 | |
| JP3014577B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2940491B2 (ja) | マルチチップモジュールにおけるフリップチップ実装構造及び方法並びにマルチチップモジュールにおけるフリップチップ実装用基板 | |
| JP2003092464A (ja) | 回路基板、半導体パッケージの実装構造および半導体パッケージの実装方法 | |
| JP2908373B2 (ja) | 溝付きボールグリッドアレイ | |
| JPH08335594A (ja) | 半導体チップの封止構造及び封止方法 | |
| JPH1098077A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3767769B2 (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
| JPH10178048A (ja) | 配線基板 | |
| JP2008243879A (ja) | 電子装置およびその製造方法 |