JPH10163306A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JPH10163306A JPH10163306A JP32407396A JP32407396A JPH10163306A JP H10163306 A JPH10163306 A JP H10163306A JP 32407396 A JP32407396 A JP 32407396A JP 32407396 A JP32407396 A JP 32407396A JP H10163306 A JPH10163306 A JP H10163306A
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- JP
- Japan
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- wafer
- semiconductor device
- manufacturing
- pin
- measured
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電吸着式電極を用いた半導体装置製造技術
において、脱着時のウェーハ内残留電荷のデバイスに与
える影響を容易に評価でき、最小限の時間で最適条件を
導くことができる手段を提供する。 【解決手段】 静電吸着式電極１を用いて半導体ウ
ェーハ３を支持する工程を有する半導体装置の製造方法
において、静電吸着式電極から脱着するときのウェーハ
内残留電荷をウェーハ押し上げピン２を通して測定する
構成とした半導体装置の製造方法。半導体ウェーハ３
を支持する静電吸着式電極１を備えた半導体装置の製造
装置において、半導体ウェーハを静電吸着式電極脱着す
るウェーハ押し上げピン２を設けるとともに、このウェ
ーハ押し上げピンを通してウェーハ内残留電荷を測定す
る構成とした半導体装置の製造装置。
において、脱着時のウェーハ内残留電荷のデバイスに与
える影響を容易に評価でき、最小限の時間で最適条件を
導くことができる手段を提供する。 【解決手段】 静電吸着式電極１を用いて半導体ウ
ェーハ３を支持する工程を有する半導体装置の製造方法
において、静電吸着式電極から脱着するときのウェーハ
内残留電荷をウェーハ押し上げピン２を通して測定する
構成とした半導体装置の製造方法。半導体ウェーハ３
を支持する静電吸着式電極１を備えた半導体装置の製造
装置において、半導体ウェーハを静電吸着式電極脱着す
るウェーハ押し上げピン２を設けるとともに、このウェ
ーハ押し上げピンを通してウェーハ内残留電荷を測定す
る構成とした半導体装置の製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電吸着式電極を
用いた半導体装置製造技術に関する。特に、半導体ウェ
ーハを静電吸着式電極から脱着するときのウェーハ内残
留電荷を簡易に測定可能な半導体装置製造技術を提供す
るものである。本発明は、静電吸着式電極を用いる手法
において重要となる除電周りの最適条件を導く場合に好
適な手段として利用することができる。
用いた半導体装置製造技術に関する。特に、半導体ウェ
ーハを静電吸着式電極から脱着するときのウェーハ内残
留電荷を簡易に測定可能な半導体装置製造技術を提供す
るものである。本発明は、静電吸着式電極を用いる手法
において重要となる除電周りの最適条件を導く場合に好
適な手段として利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】静電吸着式電極を用いた半導体装置製造
においては、半導体ウェーハは、当該電極に静電的に吸
着支持されるが、その半導体ウェーハを静電吸着式電極
から脱着するときのウェーハ内残留電荷は、製造される
半導体デバイスの特性に影響を及ぼすことがある。たと
えば、ゲート破壊を引き起こす要因のひとつとなる。
においては、半導体ウェーハは、当該電極に静電的に吸
着支持されるが、その半導体ウェーハを静電吸着式電極
から脱着するときのウェーハ内残留電荷は、製造される
半導体デバイスの特性に影響を及ぼすことがある。たと
えば、ゲート破壊を引き起こす要因のひとつとなる。
【０００３】この残留電荷量は、ウェーハ処理条件（た
とえばＤＣバイアス等）、除電条件（たとえば除電時
間、ガス種、ＤＣバイアス、圧力等）、電極からの脱着
時の圧力、処理枚数等によって決定されるが、これらの
デバイスへの影響を確認するには、すなわち最適条件を
導くためには、ゲート耐圧の評価が必要となり、これら
ひとつひとつの依存性を評価するには、かなりの時間を
要してしまう。
とえばＤＣバイアス等）、除電条件（たとえば除電時
間、ガス種、ＤＣバイアス、圧力等）、電極からの脱着
時の圧力、処理枚数等によって決定されるが、これらの
デバイスへの影響を確認するには、すなわち最適条件を
導くためには、ゲート耐圧の評価が必要となり、これら
ひとつひとつの依存性を評価するには、かなりの時間を
要してしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、静電吸着式
電極を用いた半導体装置製造技術において、脱着時のウ
ェーハ内残留電荷のデバイスに与える影響を容易に評価
でき、最小限の時間で最適条件を導くことができる手段
を提供することを目的とする。
電極を用いた半導体装置製造技術において、脱着時のウ
ェーハ内残留電荷のデバイスに与える影響を容易に評価
でき、最小限の時間で最適条件を導くことができる手段
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の製造方法は、静電吸着式
電極を用いて半導体ウェーハを支持する工程を有する半
導体装置の製造方法において、静電吸着式電極から脱着
するときのウェーハ内残留電荷をウェーハ押し上げピン
を通して測定する構成としたことを特徴とするものであ
る。
め、本発明に係る半導体装置の製造方法は、静電吸着式
電極を用いて半導体ウェーハを支持する工程を有する半
導体装置の製造方法において、静電吸着式電極から脱着
するときのウェーハ内残留電荷をウェーハ押し上げピン
を通して測定する構成としたことを特徴とするものであ
る。
【０００６】また本発明に係る半導体装置の製造装置
は、半導体ウェーハを支持する静電吸着式電極を備えた
半導体装置の製造装置において、半導体ウェーハを静電
吸着式電極脱着するウェーハ押し上げピンを設けるとと
もに、このウェーハ押し上げピンを通してウェーハ内残
留電荷を測定する構成としたことを特徴とするものであ
る。
は、半導体ウェーハを支持する静電吸着式電極を備えた
半導体装置の製造装置において、半導体ウェーハを静電
吸着式電極脱着するウェーハ押し上げピンを設けるとと
もに、このウェーハ押し上げピンを通してウェーハ内残
留電荷を測定する構成としたことを特徴とするものであ
る。
【０００７】本発明は、上記ウェーハ押し上げピンを通
して測定したウェーハ内残留電荷に基づいて、製造する
半導体装置への影響に対して依存性のあるパラメータ抽
出を行う構成とした形態をとることができる。
して測定したウェーハ内残留電荷に基づいて、製造する
半導体装置への影響に対して依存性のあるパラメータ抽
出を行う構成とした形態をとることができる。
【０００８】また本発明は、上記抽出パラメータによ
り、最適条件出しを行う構成とした形態をとることがで
きる。
り、最適条件出しを行う構成とした形態をとることがで
きる。
【０００９】また本発明は、上記ウェーハ押し上げピン
を通して測定したウェーハ内残留電荷をデバイスの製造
装置にフィードバックすることなどによって、この測定
したウェーハ内残留電荷により、半導体装置製造の制御
を行う構成とした形態をとることができる。
を通して測定したウェーハ内残留電荷をデバイスの製造
装置にフィードバックすることなどによって、この測定
したウェーハ内残留電荷により、半導体装置製造の制御
を行う構成とした形態をとることができる。
【００１０】本発明によれば、静電吸着式電極から脱着
するときのウェーハ内残留電荷をウェーハ押し上げピン
を通して測定する構成としたので、このような簡易的な
手法でウェーハ内残留電荷を知ることができる。これに
より必要とするパラメータを抽出し、また、最適条件を
導くことができる。従来は、ゲート破壊の要因となるウ
ェーハ脱着時のウェーハ内残留電荷については、この残
留電荷に依存するパラメータは多種にわたるため、ゲー
ト耐圧評価等を行うには多大の時間を要していたのであ
るが、本発明によれば、従来よりもはるかに短時間で、
最小限の時間で最適条件を見いだすことができる。
するときのウェーハ内残留電荷をウェーハ押し上げピン
を通して測定する構成としたので、このような簡易的な
手法でウェーハ内残留電荷を知ることができる。これに
より必要とするパラメータを抽出し、また、最適条件を
導くことができる。従来は、ゲート破壊の要因となるウ
ェーハ脱着時のウェーハ内残留電荷については、この残
留電荷に依存するパラメータは多種にわたるため、ゲー
ト耐圧評価等を行うには多大の時間を要していたのであ
るが、本発明によれば、従来よりもはるかに短時間で、
最小限の時間で最適条件を見いだすことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明の好ましい実施の形態
について説明し、また、図面を参照して具体的な実施の
形態例を説明する。但し当然のことではあるが、本発明
は以下に述べる実施の形態例に限定されるものではな
い。
について説明し、また、図面を参照して具体的な実施の
形態例を説明する。但し当然のことではあるが、本発明
は以下に述べる実施の形態例に限定されるものではな
い。
【００１２】本発明は、静電吸着式電極を用いた半導体
装置製造の場合に、処理後のウェーハ内残留電荷をウェ
ーハ押し上げピンを通して簡易的に測定する構成で、実
施できる。
装置製造の場合に、処理後のウェーハ内残留電荷をウェ
ーハ押し上げピンを通して簡易的に測定する構成で、実
施できる。
【００１３】また本発明は、上記のように簡易的にウェ
ーハ内残留電荷を測定することが可能なため、ゲート破
壊に対して依存性のあるパラメータ抽出を容易に行うこ
とができる。
ーハ内残留電荷を測定することが可能なため、ゲート破
壊に対して依存性のあるパラメータ抽出を容易に行うこ
とができる。
【００１４】また上記のようにして抽出したパラメータ
に対してのみゲート耐圧に対する評価を特定できるた
め、最適条件出しの簡易化ができる。
に対してのみゲート耐圧に対する評価を特定できるた
め、最適条件出しの簡易化ができる。
【００１５】また、上記ウェーハ押し上げピンを通して
簡易的に測定したウェーハ内残留電荷を、デバイス製造
装置へとフィードバックすることで、適正な制御が行
え、たとえば、装置の適正な保守管理を常に行うことが
できる。
簡易的に測定したウェーハ内残留電荷を、デバイス製造
装置へとフィードバックすることで、適正な制御が行
え、たとえば、装置の適正な保守管理を常に行うことが
できる。
【００１６】以下、具体的な実施の形態例を述べる。実
施の形態例１この実施の形態例の構成の概要を、図１に
示す。図１を参照して、本例を説明する。
施の形態例１この実施の形態例の構成の概要を、図１に
示す。図１を参照して、本例を説明する。
【００１７】図１中、符号１で示すのは静電吸着式下部
電極であり、この静電吸着式下部電極１上に半導体ウェ
ーハ３が支持され、各種処理が行われる。この静電吸着
式下部電極１は、さらに、静電吸着のための直流電源印
加部１１と、ＲＦ電源印加部１２にわけられる。本実施
の形態例においては、半導体ウェーハ３を押し上げて下
部電極１から脱着させる押し上げピン２を有する。押し
上げピン２は、図１中に矢印で示すように上下に移動可
能になっており、ウェーハ３の脱着時には図の上方向に
駆動されて、静電吸着式下部電極１上に載置され吸着支
持されているウェーハ３を押し上げ、下部電極１から離
す。この押し上げピン２は、通常時はＲＦ電源印加部１
２内に配置され、ウェーハ３を押し上げるときには直流
電源印加部１１の孔をとおって、ウェーハ３を下部電極
１から離す動作を行う。
電極であり、この静電吸着式下部電極１上に半導体ウェ
ーハ３が支持され、各種処理が行われる。この静電吸着
式下部電極１は、さらに、静電吸着のための直流電源印
加部１１と、ＲＦ電源印加部１２にわけられる。本実施
の形態例においては、半導体ウェーハ３を押し上げて下
部電極１から脱着させる押し上げピン２を有する。押し
上げピン２は、図１中に矢印で示すように上下に移動可
能になっており、ウェーハ３の脱着時には図の上方向に
駆動されて、静電吸着式下部電極１上に載置され吸着支
持されているウェーハ３を押し上げ、下部電極１から離
す。この押し上げピン２は、通常時はＲＦ電源印加部１
２内に配置され、ウェーハ３を押し上げるときには直流
電源印加部１１の孔をとおって、ウェーハ３を下部電極
１から離す動作を行う。
【００１８】ここで、押し上げピン２は、ウェーハ３の
残留電荷が流れ込むような材料を用いて形成する。少な
くとも、表面には、コーティングを施していない。本例
では、この押し上げピン２をオシロスコープ４に接続
し、押し上げピン２を通してオシロスコープ４により残
留電荷の簡易的な測定を行う。
残留電荷が流れ込むような材料を用いて形成する。少な
くとも、表面には、コーティングを施していない。本例
では、この押し上げピン２をオシロスコープ４に接続
し、押し上げピン２を通してオシロスコープ４により残
留電荷の簡易的な測定を行う。
【００１９】この測定によって、ウェーハ３内残留電荷
に対して依存性のあるパラメータの抽出を容易に行うこ
とができ、必要最小限のゲート耐圧測定にて、最適条件
を導き出すことが可能となる。
に対して依存性のあるパラメータの抽出を容易に行うこ
とができ、必要最小限のゲート耐圧測定にて、最適条件
を導き出すことが可能となる。
【００２０】さらに、この結果を、装置へとフィードバ
ックすることにより、常に装置の保守管理が行える。
ックすることにより、常に装置の保守管理が行える。
【００２１】上述したように、本実施の形態例によれ
ば、静電吸着式電極を用いた場合の半導体装置のゲート
破壊に対するパラメータ依存性を、容易に抽出すること
が可能となる。
ば、静電吸着式電極を用いた場合の半導体装置のゲート
破壊に対するパラメータ依存性を、容易に抽出すること
が可能となる。
【００２２】また、ゲート破壊に対するパラメータ依存
性を容易に抽出することが可能なため、ゲート耐圧につ
いて最小限の測定数で評価ができ、最適条件出しの簡易
化が実現できる。
性を容易に抽出することが可能なため、ゲート耐圧につ
いて最小限の測定数で評価ができ、最適条件出しの簡易
化が実現できる。
【００２３】また、測定したウェーハ３内残留電荷値を
装置へフィードバックすることにより、常に装置の保守
管理が行えると言う利点がある。
装置へフィードバックすることにより、常に装置の保守
管理が行えると言う利点がある。
【００２４】
【発明の効果】上述のとおり、本発明によれば、静電吸
着式電極を用いた半導体装置製造技術において、脱着時
のウェーハ内残留電荷のデバイスに与える影響を容易に
評価でき、最小限の時間で最適条件を導くことができる
半導体装置の製造方法及び製造装置を得ることができ
る。
着式電極を用いた半導体装置製造技術において、脱着時
のウェーハ内残留電荷のデバイスに与える影響を容易に
評価でき、最小限の時間で最適条件を導くことができる
半導体装置の製造方法及び製造装置を得ることができ
る。
【図１】 本発明の実施の形態例１の構成を示す図であ
る。
る。
１・・・静電吸着式電極（下部電極）、１１・・・静電
吸着のための直流電源印加部、１２・・・ＲＦ電源印加
部、２・・・押し上げピン、３・・・半導体ウェーハ。
吸着のための直流電源印加部、１２・・・ＲＦ電源印加
部、２・・・押し上げピン、３・・・半導体ウェーハ。
Claims (8)
- 【請求項１】静電吸着式電極を用いて半導体ウェーハを
支持する工程を有する半導体装置の製造方法において、 静電吸着式電極から脱着するときのウェーハ内残留電荷
をウェーハ押し上げピンを通して測定する構成としたこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】上記ウェーハ押し上げピンを通して測定し
たウェーハ内残留電荷に基づいて、製造する半導体装置
への影響に対して依存性のあるパラメータ抽出を行う構
成としたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】上記抽出パラメータにより、最適条件出し
を行う構成としたことを特徴とする請求項２に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】上記ウェーハ押し上げピンを通して測定し
たウェーハ内残留電荷により、半導体装置製造の制御を
行う構成としたことを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項５】半導体ウェーハを支持する静電吸着式電極
を備えた半導体装置の製造装置において、 半導体ウェーハを静電吸着式電極脱着するウェーハ押し
上げピンを設けるとともに、このウェーハ押し上げピン
を通してウェーハ内残留電荷を測定する構成としたこと
を特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項６】上記ウェーハ押し上げピンを通して測定し
たウェーハ内残留電荷に基づいて、製造する半導体装置
への影響に対して依存性のあるパラメータ抽出を行う構
成としたことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置
の製造装置。 - 【請求項７】上記抽出パラメータにより、最適条件出し
を行う構成としたことを特徴とする請求項６に記載の半
導体装置の製造装置。 - 【請求項８】上記ウェーハ押し上げピンを通して測定し
たウェーハ内残留電荷をフィードバックして、半導体装
置製造の制御を行う構成としたことを特徴とする請求項
５に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32407396A JPH10163306A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32407396A JPH10163306A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163306A true JPH10163306A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18161852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32407396A Pending JPH10163306A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163306A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316535B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2001-12-12 | 박종섭 | 웨이퍼 정전 리프팅 장치 |
| WO2003100849A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Tokyo Electron Limited | Processeur a semiconducteur |
| JP2007019524A (ja) * | 1997-05-23 | 2007-01-25 | Ulvac Japan Ltd | 離脱状態判断方法及び真空処理装置 |
| JP2007165917A (ja) * | 1997-05-23 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 被吸着物の処理方法 |
| JP2013504874A (ja) * | 2009-09-10 | 2013-02-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板位置及び基板電位へのプラズマ信号の結合に基づくプラズマデチャック最適化のための方法と装置 |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP32407396A patent/JPH10163306A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019524A (ja) * | 1997-05-23 | 2007-01-25 | Ulvac Japan Ltd | 離脱状態判断方法及び真空処理装置 |
| JP2007165917A (ja) * | 1997-05-23 | 2007-06-28 | Ulvac Japan Ltd | 被吸着物の処理方法 |
| JP4484883B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2010-06-16 | 株式会社アルバック | 被吸着物の処理方法 |
| JP4579206B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2010-11-10 | 株式会社アルバック | 離脱状態判断方法及び真空処理装置 |
| KR100316535B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2001-12-12 | 박종섭 | 웨이퍼 정전 리프팅 장치 |
| WO2003100849A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Tokyo Electron Limited | Processeur a semiconducteur |
| JP2013504874A (ja) * | 2009-09-10 | 2013-02-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板位置及び基板電位へのプラズマ信号の結合に基づくプラズマデチャック最適化のための方法と装置 |
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