JPH10163183A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH10163183A JPH10163183A JP32001896A JP32001896A JPH10163183A JP H10163183 A JPH10163183 A JP H10163183A JP 32001896 A JP32001896 A JP 32001896A JP 32001896 A JP32001896 A JP 32001896A JP H10163183 A JPH10163183 A JP H10163183A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、スループットを向上させ、コスト
を低減し、信頼性や歩留りを向上させ、作業者の人体や
環境に悪い影響を及ぼすおそれをなくすと共に、高度の
平坦性を得ることができる薄膜形成装置を提供すること
を課題とする。 【解決手段】 デポジション用ガス供給手段及びエッチ
ング用ガス供給手段により、台座１１上に搭載したウェ
ーハ１０上にデポジション用ガスとしてＴＥＯＳ及びＯ
3 が供給されると共に、そのデポジション用ガスの流域
上方にエッチング用ガスとしてＣＦ4 が供給されるよう
になっている。従って、熱ＣＶＤによってウェーハ１０
上にＴＥＯＳ膜１５が堆積されると共に、その膜厚が次
第に厚くなり、下層のデポジション用ガスの流域と上層
のエッチング用ガスの流域とのガス界面を突き抜けてプ
ラズマ領域１４に入るようになると、このＴＥＯＳ膜１
５上層部分はプラズマエッチングによって除去される。
を低減し、信頼性や歩留りを向上させ、作業者の人体や
環境に悪い影響を及ぼすおそれをなくすと共に、高度の
平坦性を得ることができる薄膜形成装置を提供すること
を課題とする。 【解決手段】 デポジション用ガス供給手段及びエッチ
ング用ガス供給手段により、台座１１上に搭載したウェ
ーハ１０上にデポジション用ガスとしてＴＥＯＳ及びＯ
3 が供給されると共に、そのデポジション用ガスの流域
上方にエッチング用ガスとしてＣＦ4 が供給されるよう
になっている。従って、熱ＣＶＤによってウェーハ１０
上にＴＥＯＳ膜１５が堆積されると共に、その膜厚が次
第に厚くなり、下層のデポジション用ガスの流域と上層
のエッチング用ガスの流域とのガス界面を突き抜けてプ
ラズマ領域１４に入るようになると、このＴＥＯＳ膜１
５上層部分はプラズマエッチングによって除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜形成装置に係
り、特にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を用
いる薄膜形成装置に関するものである。
り、特にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を用
いる薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表面に凹凸のあるウェーハ上に表面が平
坦な薄膜を形成する従来の方法を、図７を用いて説明す
る。ウェーハ２０は、例えば半導体基板２１上には金属
配線層２２が形成されているため、その表面は凹凸形状
をなしている。こうしたウェーハ２０上に、例えば熱Ｃ
ＶＤ（Thermal ＣＶＤ）法を用いて、キャリアガスによ
ってバブリングしたＴＥＯＳ（Tetra-Ethyl-Ortho-Sili
cate；Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）4 ）及びＯ3（オゾン）
を反応ガスとして、シリコン酸化膜（以下、「ＴＥＯＳ
膜」という）２３を堆積する。このとき、下地の凹凸に
沿ってＴＥＯＳ膜２３が形成されるため、ＴＥＯＳ膜２
３自体の表面が凹凸形状をなす（図７（ａ）参照）。
坦な薄膜を形成する従来の方法を、図７を用いて説明す
る。ウェーハ２０は、例えば半導体基板２１上には金属
配線層２２が形成されているため、その表面は凹凸形状
をなしている。こうしたウェーハ２０上に、例えば熱Ｃ
ＶＤ（Thermal ＣＶＤ）法を用いて、キャリアガスによ
ってバブリングしたＴＥＯＳ（Tetra-Ethyl-Ortho-Sili
cate；Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）4 ）及びＯ3（オゾン）
を反応ガスとして、シリコン酸化膜（以下、「ＴＥＯＳ
膜」という）２３を堆積する。このとき、下地の凹凸に
沿ってＴＥＯＳ膜２３が形成されるため、ＴＥＯＳ膜２
３自体の表面が凹凸形状をなす（図７（ａ）参照）。
【０００３】次いで、基体全面に、例えばＳＯＧ（Spin
-On-Glass ）法を用いてシリケートガラス膜（以下、
「ＳＯＧ膜」という）２４を塗布する。このとき、ＳＯ
Ｇ膜２４の膜厚を十分な厚さにすることにより、ＳＯＧ
膜２４が下地ＥＯＳ膜２３表面の凹部を埋めて、ＳＯＧ
膜２４表面がほぼ平坦になるようにする（図７（ｂ）参
照）。
-On-Glass ）法を用いてシリケートガラス膜（以下、
「ＳＯＧ膜」という）２４を塗布する。このとき、ＳＯ
Ｇ膜２４の膜厚を十分な厚さにすることにより、ＳＯＧ
膜２４が下地ＥＯＳ膜２３表面の凹部を埋めて、ＳＯＧ
膜２４表面がほぼ平坦になるようにする（図７（ｂ）参
照）。
【０００４】次に、ＳＯＧ膜２４全面を、下地のＴＥＯ
Ｓ膜２３の凸部表面が露出するまでエッチバック（etch
back ）を行う。こうして下地のＥＯＳ膜２３の凸部表
面とＥＯＳ膜２３の凹部を埋めるＳＯＧ膜２４表面とが
ほぼ平坦になるようにする（図７（ｃ）参照）。次い
で、ＴＥＯＳ膜２３の場合と同様にして、基体全面にＴ
ＥＯＳ膜２５を堆積する。このとき、下地をなすＴＥＯ
Ｓ膜２３表面及びＳＯＧ膜２４表面がほぼ平坦になって
いるため、ＴＥＯＳ膜２５表面も平坦になる（図７
（ｄ）参照）。
Ｓ膜２３の凸部表面が露出するまでエッチバック（etch
back ）を行う。こうして下地のＥＯＳ膜２３の凸部表
面とＥＯＳ膜２３の凹部を埋めるＳＯＧ膜２４表面とが
ほぼ平坦になるようにする（図７（ｃ）参照）。次い
で、ＴＥＯＳ膜２３の場合と同様にして、基体全面にＴ
ＥＯＳ膜２５を堆積する。このとき、下地をなすＴＥＯ
Ｓ膜２３表面及びＳＯＧ膜２４表面がほぼ平坦になって
いるため、ＴＥＯＳ膜２５表面も平坦になる（図７
（ｄ）参照）。
【０００５】なお、ＳＯＧ膜２４のエッチバックの際
に、ＳＯＧ膜２４がオーバーエッチングされて段差が生
じるといったこと等によりＴＥＯＳ膜２５表面の平坦性
が未だ十分でない場合には、図７（ｂ）〜（ｄ）に示す
工程、即ちＳＯＧ膜を塗布した後、そのエッチングバッ
クを行い、更にＴＥＯＳ膜を堆積するという工程を繰り
返す。こうして平坦性が十分に高い薄膜を形成する。
に、ＳＯＧ膜２４がオーバーエッチングされて段差が生
じるといったこと等によりＴＥＯＳ膜２５表面の平坦性
が未だ十分でない場合には、図７（ｂ）〜（ｄ）に示す
工程、即ちＳＯＧ膜を塗布した後、そのエッチングバッ
クを行い、更にＴＥＯＳ膜を堆積するという工程を繰り
返す。こうして平坦性が十分に高い薄膜を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように表面に凹
凸のあるウェーハ上に表面が平坦な薄膜を形成したい場
合、従来の方法においては、ＣＶＤ法による薄膜形成プ
ロセスの後に、ＳＯＧ膜の形成及びそのエッチバック等
の平坦化プロセスを用いなければならない。従って、以
下のような問題が生じる。即ち、 平坦化プロセスを行うための工数が必要となるため、
スループットの低下やコストの増大等を招く。 平坦化プロセスにおいて多層多種の膜を形成すること
が必要となることから、クラック等が発生し易くなるた
め、信頼性の低下や歩留りの低下を招く。 ＳＯＧ膜の塗布に有機物質を用いるため、作業者の人
体や環境に悪い影響を及ぼすおそれがある。 平坦化プロセスを用いても、近年の高集積化された半
導体装置に要求される高度の平坦性が得られない場合が
ある。
凸のあるウェーハ上に表面が平坦な薄膜を形成したい場
合、従来の方法においては、ＣＶＤ法による薄膜形成プ
ロセスの後に、ＳＯＧ膜の形成及びそのエッチバック等
の平坦化プロセスを用いなければならない。従って、以
下のような問題が生じる。即ち、 平坦化プロセスを行うための工数が必要となるため、
スループットの低下やコストの増大等を招く。 平坦化プロセスにおいて多層多種の膜を形成すること
が必要となることから、クラック等が発生し易くなるた
め、信頼性の低下や歩留りの低下を招く。 ＳＯＧ膜の塗布に有機物質を用いるため、作業者の人
体や環境に悪い影響を及ぼすおそれがある。 平坦化プロセスを用いても、近年の高集積化された半
導体装置に要求される高度の平坦性が得られない場合が
ある。
【０００７】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、スループットを向上させ、コストを低
減し、信頼性や歩留りを向上させ、作業者の人体や環境
に悪い影響を及ぼすおそれをなくすと共に、高度の平坦
性を得ることができる薄膜形成装置を提供することを目
的とする。
れたものであり、スループットを向上させ、コストを低
減し、信頼性や歩留りを向上させ、作業者の人体や環境
に悪い影響を及ぼすおそれをなくすと共に、高度の平坦
性を得ることができる薄膜形成装置を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係る薄膜形成装置によって解決される。即ち、請求
項１に係る薄膜形成装置は、ウェーハを搭載する台座
と、この台座上方に台座を挟んで設置され、プラズマを
発生させる１対の対向電極と、台座上に搭載したウェー
ハ上にデポジション用ガスを供給するデポジション用ガ
ス供給手段と、このデポジション用ガス供給手段によっ
て供給されるデポジション用ガスの流域上方にエッチン
グ用ガスを供給するエッチング用ガス供給手段とを具備
し、デポジション用ガス供給手段によって供給されたデ
ポジション用ガスにより、ウェーハ上に所定の薄膜が堆
積されると共に、この薄膜の膜厚が所定の厚さ以上にな
ると、エッチング用ガス供給手段によって供給されたエ
ッチング用ガスにより、薄膜の上層部分がプラズマエッ
チングされることを特徴とする。
明に係る薄膜形成装置によって解決される。即ち、請求
項１に係る薄膜形成装置は、ウェーハを搭載する台座
と、この台座上方に台座を挟んで設置され、プラズマを
発生させる１対の対向電極と、台座上に搭載したウェー
ハ上にデポジション用ガスを供給するデポジション用ガ
ス供給手段と、このデポジション用ガス供給手段によっ
て供給されるデポジション用ガスの流域上方にエッチン
グ用ガスを供給するエッチング用ガス供給手段とを具備
し、デポジション用ガス供給手段によって供給されたデ
ポジション用ガスにより、ウェーハ上に所定の薄膜が堆
積されると共に、この薄膜の膜厚が所定の厚さ以上にな
ると、エッチング用ガス供給手段によって供給されたエ
ッチング用ガスにより、薄膜の上層部分がプラズマエッ
チングされることを特徴とする。
【０００９】このように請求項１に係る薄膜形成装置に
おいては、台座上に搭載したウェーハ上方の空間に、デ
ポジション用ガスとエッチング用ガスとが上下に層をな
して供給されるため、下層のデポジション用ガスの流域
ではウェーハ上に所定の薄膜が堆積され、この堆積され
た薄膜の膜厚が所定の厚さ以上になりその上層部分がエ
ッチング用ガスの流域にまで達すると、その薄膜の上層
部分がプラズマエッチングされることになる。
おいては、台座上に搭載したウェーハ上方の空間に、デ
ポジション用ガスとエッチング用ガスとが上下に層をな
して供給されるため、下層のデポジション用ガスの流域
ではウェーハ上に所定の薄膜が堆積され、この堆積され
た薄膜の膜厚が所定の厚さ以上になりその上層部分がエ
ッチング用ガスの流域にまで達すると、その薄膜の上層
部分がプラズマエッチングされることになる。
【００１０】従って、この薄膜形成装置はＣＶＤ装置内
にプラズマ・エッチャの機能を内蔵させたものであり、
薄膜の堆積とその薄膜上層部分のエッチングという複合
的なプロセスにより、表面に凹凸のあるウェーハ上に薄
膜を堆積しつつその薄膜上層の凹凸部分をエッチングす
ることが可能となるため、薄膜を堆積した後に別途平坦
化プロセスを用いることなく、表面が平坦化された薄膜
を形成することができる。しかも、下層のデポジション
用ガスの流れと上層のエッチング用ガスの流れとを適切
に制御することにより、ウェーハ上方におけるガス界面
の高さを一定に維持することが可能になるため、薄膜表
面は従来の平坦化プロセスを用いた場合よりも優れた平
坦性を有することができる。
にプラズマ・エッチャの機能を内蔵させたものであり、
薄膜の堆積とその薄膜上層部分のエッチングという複合
的なプロセスにより、表面に凹凸のあるウェーハ上に薄
膜を堆積しつつその薄膜上層の凹凸部分をエッチングす
ることが可能となるため、薄膜を堆積した後に別途平坦
化プロセスを用いることなく、表面が平坦化された薄膜
を形成することができる。しかも、下層のデポジション
用ガスの流れと上層のエッチング用ガスの流れとを適切
に制御することにより、ウェーハ上方におけるガス界面
の高さを一定に維持することが可能になるため、薄膜表
面は従来の平坦化プロセスを用いた場合よりも優れた平
坦性を有することができる。
【００１１】なお、この薄膜の堆積とその薄膜上層部分
のエッチングという複合的なプロセスは同時進行的に行
われるが、薄膜の堆積プロセス及びその薄膜上層部分の
エッチングプロセスを連続的に行ってもよいし、更にこ
れらの連続的なプロセスを繰り返し行ってもよい。
のエッチングという複合的なプロセスは同時進行的に行
われるが、薄膜の堆積プロセス及びその薄膜上層部分の
エッチングプロセスを連続的に行ってもよいし、更にこ
れらの連続的なプロセスを繰り返し行ってもよい。
【００１２】また、請求項２に係る薄膜形成装置は、上
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極間に形成されたプラズマ領域にはエッチング用ガス供
給手段によるエッチング用ガスのみが供給され、薄膜が
デポジション用ガス供給手段によって供給されたデポジ
ション用ガスの熱ＣＶＤにより堆積されるように構成さ
れていることにより、下層のデポジション用ガスの流域
ではウェーハ上に所定の薄膜が熱ＣＶＤ法により堆積さ
れ、この堆積された薄膜の膜厚が所定の厚さ以上にな
り、エッチング用ガスの流域にまで達した薄膜上層部分
がプラズマエッチングされるため、表面に凹凸のあるウ
ェーハ上に薄膜を堆積しつつその薄膜上層の凹凸部分を
エッチングすることが可能となり、表面が平坦化された
薄膜を形成することができる。
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極間に形成されたプラズマ領域にはエッチング用ガス供
給手段によるエッチング用ガスのみが供給され、薄膜が
デポジション用ガス供給手段によって供給されたデポジ
ション用ガスの熱ＣＶＤにより堆積されるように構成さ
れていることにより、下層のデポジション用ガスの流域
ではウェーハ上に所定の薄膜が熱ＣＶＤ法により堆積さ
れ、この堆積された薄膜の膜厚が所定の厚さ以上にな
り、エッチング用ガスの流域にまで達した薄膜上層部分
がプラズマエッチングされるため、表面に凹凸のあるウ
ェーハ上に薄膜を堆積しつつその薄膜上層の凹凸部分を
エッチングすることが可能となり、表面が平坦化された
薄膜を形成することができる。
【００１３】また、請求項３に係る薄膜形成装置は、上
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極間に形成されたプラズマ領域にはエッチング用ガス供
給手段によるエッチング用ガス及びデポジション用ガス
供給手段によるデポジション用ガスが供給され、薄膜が
デポジション用ガス供給手段によって供給されたデポジ
ション用ガスのプラズマＣＶＤにより堆積されるように
構成されていることにより、下層のデポジション用ガス
の流域ではウェーハ上に所定の薄膜がプラズマＣＶＤ法
により堆積され、この堆積された薄膜の膜厚が所定の厚
さ以上になり、エッチング用ガスの流域にまで達した薄
膜上層部分がプラズマエッチングされるため、表面に凹
凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積しつつその薄膜上層の
凹凸部分をエッチングすることが可能となり、表面が平
坦化された薄膜を形成することができる。
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極間に形成されたプラズマ領域にはエッチング用ガス供
給手段によるエッチング用ガス及びデポジション用ガス
供給手段によるデポジション用ガスが供給され、薄膜が
デポジション用ガス供給手段によって供給されたデポジ
ション用ガスのプラズマＣＶＤにより堆積されるように
構成されていることにより、下層のデポジション用ガス
の流域ではウェーハ上に所定の薄膜がプラズマＣＶＤ法
により堆積され、この堆積された薄膜の膜厚が所定の厚
さ以上になり、エッチング用ガスの流域にまで達した薄
膜上層部分がプラズマエッチングされるため、表面に凹
凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積しつつその薄膜上層の
凹凸部分をエッチングすることが可能となり、表面が平
坦化された薄膜を形成することができる。
【００１４】また、請求項４に係る薄膜形成装置は、上
記請求項１に係る薄膜形成装置において、台座を上下に
移動させる台座移動手段を具備するように構成されてい
ることにより、この台座移動手段によって台座を上下に
移動させて、下層のデポジション用ガスの流域と上層の
エッチング用ガスの流域とのガス界面と台座上に搭載し
たウェーハの高さとの位置関係を制御することが可能に
なるため、ウエーハ上に形成する表面が平坦な薄膜の膜
厚を制御することができる。
記請求項１に係る薄膜形成装置において、台座を上下に
移動させる台座移動手段を具備するように構成されてい
ることにより、この台座移動手段によって台座を上下に
移動させて、下層のデポジション用ガスの流域と上層の
エッチング用ガスの流域とのガス界面と台座上に搭載し
たウェーハの高さとの位置関係を制御することが可能に
なるため、ウエーハ上に形成する表面が平坦な薄膜の膜
厚を制御することができる。
【００１５】また、請求項５に係る薄膜形成装置は、上
記請求項１に係る薄膜形成装置において、台座を回転さ
せる台座回転手段を具備するように構成されていること
により、この台座回転手段によって台座上に搭載したウ
ェーハを回転させながらそのウエーハ上に平坦な薄膜を
形成することが可能になるため、この薄膜の膜厚の均一
性及び平坦性を更に向上させることができる。
記請求項１に係る薄膜形成装置において、台座を回転さ
せる台座回転手段を具備するように構成されていること
により、この台座回転手段によって台座上に搭載したウ
ェーハを回転させながらそのウエーハ上に平坦な薄膜を
形成することが可能になるため、この薄膜の膜厚の均一
性及び平坦性を更に向上させることができる。
【００１６】また、請求項６に係る薄膜形成装置は、上
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極を上下に移動させる電極移動手段を具備するように構
成されていることにより、この電極移動手段によって１
対の対向電極を上下に移動させて、下層のデポジション
用ガスの流域にまでプラズマ領域を形成するか否かによ
って下層のデポジション用ガスの流域におけるウェーハ
上への薄膜の堆積を熱ＣＶＤ法により行うかプラズマＣ
ＶＤ法により行うかを選択することができる。また、熱
ＣＶＤ法によりウェーハ上への薄膜の堆積を行う場合に
は、電極移動手段によって１対の対向電極を上下に移動
させて、上層のエッチング用ガスの流域でプラズマ領域
が形成される高さと台座上に搭載したウェーハの高さと
の位置関係を制御することが可能になるため、ウエーハ
上に形成する平坦な薄膜の膜厚を制御することができ
る。
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極を上下に移動させる電極移動手段を具備するように構
成されていることにより、この電極移動手段によって１
対の対向電極を上下に移動させて、下層のデポジション
用ガスの流域にまでプラズマ領域を形成するか否かによ
って下層のデポジション用ガスの流域におけるウェーハ
上への薄膜の堆積を熱ＣＶＤ法により行うかプラズマＣ
ＶＤ法により行うかを選択することができる。また、熱
ＣＶＤ法によりウェーハ上への薄膜の堆積を行う場合に
は、電極移動手段によって１対の対向電極を上下に移動
させて、上層のエッチング用ガスの流域でプラズマ領域
が形成される高さと台座上に搭載したウェーハの高さと
の位置関係を制御することが可能になるため、ウエーハ
上に形成する平坦な薄膜の膜厚を制御することができ
る。
【００１７】また、請求項７に係る薄膜形成装置は、上
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極を台座を中心に回転させる電極回転手段を具備するよ
うに構成されていることにより、この電極回転手段によ
って１対の対向電極をウェーハを中心に回転させて、プ
ラズマの発生方向を回転変更させながらウエーハ上に平
坦な薄膜を形成することが可能になるため、この薄膜の
膜厚の均一性及び平坦性を更に向上させることができ
る。
記請求項１に係る薄膜形成装置において、１対の対向電
極を台座を中心に回転させる電極回転手段を具備するよ
うに構成されていることにより、この電極回転手段によ
って１対の対向電極をウェーハを中心に回転させて、プ
ラズマの発生方向を回転変更させながらウエーハ上に平
坦な薄膜を形成することが可能になるため、この薄膜の
膜厚の均一性及び平坦性を更に向上させることができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る薄膜形成装置を示す概略図である。図１に示すよう
に、第１の実施形態に係る薄膜形成装置は、その反応室
（図示せず）内に、ウェーハ１０を搭載する台座１１が
設置されている。そしてこの台座１１は、例えば移動用
モータ等の台座移動手段（図示せず）によってその高さ
を上下に移動することができるようになっており、また
例えばモータ等の台座回転手段（図示せず）によって回
転することができるようになっている。更に、この台座
１１には、ウェーハ１０を加熱するためのヒータ（図示
せず）が内蔵されている。
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
る薄膜形成装置を示す概略図である。図１に示すよう
に、第１の実施形態に係る薄膜形成装置は、その反応室
（図示せず）内に、ウェーハ１０を搭載する台座１１が
設置されている。そしてこの台座１１は、例えば移動用
モータ等の台座移動手段（図示せず）によってその高さ
を上下に移動することができるようになっており、また
例えばモータ等の台座回転手段（図示せず）によって回
転することができるようになっている。更に、この台座
１１には、ウェーハ１０を加熱するためのヒータ（図示
せず）が内蔵されている。
【００１９】また、この台座１１の上方には、台座１１
を挟んで１対の対向電極１２ａ、１２ｂが設置されてお
り、その一方の電極１２ａは高周波電源１３に接続さ
れ、他方の電極１２ｂは接地されている。そしてこれら
１対の対向電極１２ａ、１２ｂに高周波を印加すること
により、プラズマを発生させ、１対の対向電極１２ａ、
１２ｂ間にプラズマ領域１４を形成するようになってい
る。
を挟んで１対の対向電極１２ａ、１２ｂが設置されてお
り、その一方の電極１２ａは高周波電源１３に接続さ
れ、他方の電極１２ｂは接地されている。そしてこれら
１対の対向電極１２ａ、１２ｂに高周波を印加すること
により、プラズマを発生させ、１対の対向電極１２ａ、
１２ｂ間にプラズマ領域１４を形成するようになってい
る。
【００２０】また、反応室の側壁には、例えばインジェ
クション・ノズル等のデポジション用ガス供給手段（図
示せず）が設けられ、台座１１上に搭載したウェーハ１
０上にデポジション用ガスを供給するようになってい
る。また、同じく反応室の側壁には、例えばインジェク
ション・ノズル等のエッチング用ガス供給手段（図示せ
ず）が設けられ、デポジション用ガス供給手段によって
供給されるデポジション用ガスの流域上方にエッチング
用ガスを供給するようになっている。
クション・ノズル等のデポジション用ガス供給手段（図
示せず）が設けられ、台座１１上に搭載したウェーハ１
０上にデポジション用ガスを供給するようになってい
る。また、同じく反応室の側壁には、例えばインジェク
ション・ノズル等のエッチング用ガス供給手段（図示せ
ず）が設けられ、デポジション用ガス供給手段によって
供給されるデポジション用ガスの流域上方にエッチング
用ガスを供給するようになっている。
【００２１】そしてこの下層のデポジション用ガスの流
域と上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面（図中
に破線で示す）が、１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間に
形成されるプラズマ領域１４と非プラズマ領域との境界
面にほぼ一致するように調整されている。なお、この調
整は、例えば１対の対向電極１２ａ、１２ｂの設置位置
を上下に移動させることによって行うか、デポジション
用ガス供給手段及びエッチング用ガス供給手段の取付け
位置を上下に移動させることによって行う。
域と上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面（図中
に破線で示す）が、１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間に
形成されるプラズマ領域１４と非プラズマ領域との境界
面にほぼ一致するように調整されている。なお、この調
整は、例えば１対の対向電極１２ａ、１２ｂの設置位置
を上下に移動させることによって行うか、デポジション
用ガス供給手段及びエッチング用ガス供給手段の取付け
位置を上下に移動させることによって行う。
【００２２】次に、図１に示す薄膜形成装置の動作を、
図２〜図５を用いて説明する。先ず、台座１１上にウェ
ーハ１０をセットする。このウェーハ１０は、半導体基
板上には例えば金属配線層等が形成されているものであ
り、その表面が凹凸形状をなしている。続いて、移動用
モータ等の台座移動手段により台座１１を上下に移動さ
せ、形成したい薄膜の膜厚に応じてその高さを調節す
る。即ち、後に流す下層のデポジション用ガスの流域と
上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面の高さが、
台座１１上にセットしたウェーハ１０上に形成する薄膜
表面の高さとなるため、これに合わせて台座１１の高さ
を調節する（図２参照）。
図２〜図５を用いて説明する。先ず、台座１１上にウェ
ーハ１０をセットする。このウェーハ１０は、半導体基
板上には例えば金属配線層等が形成されているものであ
り、その表面が凹凸形状をなしている。続いて、移動用
モータ等の台座移動手段により台座１１を上下に移動さ
せ、形成したい薄膜の膜厚に応じてその高さを調節す
る。即ち、後に流す下層のデポジション用ガスの流域と
上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面の高さが、
台座１１上にセットしたウェーハ１０上に形成する薄膜
表面の高さとなるため、これに合わせて台座１１の高さ
を調節する（図２参照）。
【００２３】次いで、反応室内を所定の圧力にまで減圧
すると共に、台座１１に内蔵されたヒータによりウェー
ハ１０を加熱し、所定の温度、例えば７００℃に保持す
る。また、モータ等の台座回転手段によって台座１１と
共にその上のウェーハ１０を回転させる。
すると共に、台座１１に内蔵されたヒータによりウェー
ハ１０を加熱し、所定の温度、例えば７００℃に保持す
る。また、モータ等の台座回転手段によって台座１１と
共にその上のウェーハ１０を回転させる。
【００２４】続いて、インジェクション・ノズル等のデ
ポジション用ガス供給手段により台座１１上に搭載した
ウェーハ１０上にデポジション用ガスとして例えばＴＥ
ＯＳ−Ｏ3 を供給する。同時にインジェクション・ノズ
ル等のエッチング用ガス供給手段によりデポジション用
ガスの流域上方にエッチング用ガスとしてＣＦ4 を供給
する。そして１対の対向電極１２ａ、１２ｂに高周波電
源１３を用いて所定の高周波を印加してプラズマを発生
させ、１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間にプラズマ領域
１４を形成する。このような状態においては、ＴＥＯＳ
−Ｏ3 をデポジション用ガスとする熱ＣＶＤにより、ウ
ェーハ１０上にＴＥＯＳ膜１５が堆積される。このＴＥ
ＯＳ膜１５は、最初の段階では下地ウェーハ１０表面の
凹凸に沿って形成されるため、ＴＥＯＳ膜１５表面も凹
凸形状をなしている（図３参照）。
ポジション用ガス供給手段により台座１１上に搭載した
ウェーハ１０上にデポジション用ガスとして例えばＴＥ
ＯＳ−Ｏ3 を供給する。同時にインジェクション・ノズ
ル等のエッチング用ガス供給手段によりデポジション用
ガスの流域上方にエッチング用ガスとしてＣＦ4 を供給
する。そして１対の対向電極１２ａ、１２ｂに高周波電
源１３を用いて所定の高周波を印加してプラズマを発生
させ、１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間にプラズマ領域
１４を形成する。このような状態においては、ＴＥＯＳ
−Ｏ3 をデポジション用ガスとする熱ＣＶＤにより、ウ
ェーハ１０上にＴＥＯＳ膜１５が堆積される。このＴＥ
ＯＳ膜１５は、最初の段階では下地ウェーハ１０表面の
凹凸に沿って形成されるため、ＴＥＯＳ膜１５表面も凹
凸形状をなしている（図３参照）。
【００２５】しかし、このＴＥＯＳ膜１５の堆積が更に
進み、ＴＥＯＳ膜１５の膜厚が厚くなるにつれて、ＴＥ
ＯＳ膜１５が下地ウェーハ１０表面の凹部を埋め込んで
しまう。同時に、下地ウェーハ１０表面の凸部上に堆積
されるＴＥＯＳ膜１５表面は、下層のデポジション用ガ
スの流域と上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面
に達し、更にこのガス界面を突き抜けて、プラズマ領域
１４に入る。このようにしてＴＥＯＳ膜１５が所定の膜
厚以上になり、その上層部分がガス界面を突き抜けてプ
ラズマ領域１４に入ると、このＴＥＯＳ膜１５上層部分
は、ＣＦ4 をエッチング用ガスとするプラズマエッチン
グによって除去される。
進み、ＴＥＯＳ膜１５の膜厚が厚くなるにつれて、ＴＥ
ＯＳ膜１５が下地ウェーハ１０表面の凹部を埋め込んで
しまう。同時に、下地ウェーハ１０表面の凸部上に堆積
されるＴＥＯＳ膜１５表面は、下層のデポジション用ガ
スの流域と上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面
に達し、更にこのガス界面を突き抜けて、プラズマ領域
１４に入る。このようにしてＴＥＯＳ膜１５が所定の膜
厚以上になり、その上層部分がガス界面を突き抜けてプ
ラズマ領域１４に入ると、このＴＥＯＳ膜１５上層部分
は、ＣＦ4 をエッチング用ガスとするプラズマエッチン
グによって除去される。
【００２６】こうしてＴＥＯＳ膜１５表面が下層のデポ
ジション用ガスの流域と上層のエッチング用ガスの流域
とのガス界面に達していない部分では、ＴＥＯＳ膜１５
の堆積が継続される一方で、このガス界面を突き抜けて
プラズマ領域１４に入ったＴＥＯＳ膜１５上層部分はプ
ラズマエッチングされるという複合的なプロセスが同時
的に進行する。このため、ウェーハ１０上に堆積された
ＴＥＯＳ膜１５表面は基体全面においてガス界面にまで
到達すると共に、このガス界面を越えてＴＥＯＳ膜１５
が堆積されることはない。従って、ウェーハ１０上に
は、表面が平坦化されたＴＥＯＳ膜１５が形成される
（図４参照）。
ジション用ガスの流域と上層のエッチング用ガスの流域
とのガス界面に達していない部分では、ＴＥＯＳ膜１５
の堆積が継続される一方で、このガス界面を突き抜けて
プラズマ領域１４に入ったＴＥＯＳ膜１５上層部分はプ
ラズマエッチングされるという複合的なプロセスが同時
的に進行する。このため、ウェーハ１０上に堆積された
ＴＥＯＳ膜１５表面は基体全面においてガス界面にまで
到達すると共に、このガス界面を越えてＴＥＯＳ膜１５
が堆積されることはない。従って、ウェーハ１０上に
は、表面が平坦化されたＴＥＯＳ膜１５が形成される
（図４参照）。
【００２７】次いで、デポジション用ガスとしてのＴＥ
ＯＳ−Ｏ3 の供給及びエッチング用ガスとしてのＣＦ4
の供給を停止すると共に、１対の対向電極１２ａ、１２
ｂへの高周波の印加を停止して、ウェーハ１０上へのＴ
ＥＯＳ膜１５の形成を完了する。その後、反応室内の台
座１１上からウェーハ１０を取り出す。こうして表面が
平坦なＴＥＯＳ膜１５が形成されたウェーハ１０を得る
ことができる（図５参照）。
ＯＳ−Ｏ3 の供給及びエッチング用ガスとしてのＣＦ4
の供給を停止すると共に、１対の対向電極１２ａ、１２
ｂへの高周波の印加を停止して、ウェーハ１０上へのＴ
ＥＯＳ膜１５の形成を完了する。その後、反応室内の台
座１１上からウェーハ１０を取り出す。こうして表面が
平坦なＴＥＯＳ膜１５が形成されたウェーハ１０を得る
ことができる（図５参照）。
【００２８】以上のように第１の実施形態によれば、表
面が凹凸形状をなしているウェーハ１０上にＴＥＯＳ−
Ｏ3 をデポジション用ガスとする熱ＣＶＤによってＴＥ
ＯＳ膜１５を堆積すると共に、そのＴＥＯＳ膜１５が所
定の膜厚以上になると、このＴＥＯＳ膜１５上層の凹凸
部分をＣＦ4 をエッチング用ガスとするプラズマエッチ
ングによって除去することが可能になる。このように薄
膜形成装置がＣＶＤ装置内にプラズマ・エッチャの機能
を内蔵させ、ＴＥＯＳ膜１５の堆積とそのＴＥＯＳ膜１
５上層の凹凸部分のエッチングという複合的なプロセス
を同時的に進行させるより、表面が平坦化されたＴＥＯ
Ｓ膜１５を形成することができる。しかも、下層のデポ
ジション用ガスの流れと上層のエッチング用ガスの流れ
とを適切に制御することにより、ウェーハ１０上方にお
けるガス界面の高さを一定に維持することが可能になる
ため、ＴＥＯＳ膜１５表面は従来の平坦化プロセスを用
いた場合よりも優れた平坦性を有することができる。
面が凹凸形状をなしているウェーハ１０上にＴＥＯＳ−
Ｏ3 をデポジション用ガスとする熱ＣＶＤによってＴＥ
ＯＳ膜１５を堆積すると共に、そのＴＥＯＳ膜１５が所
定の膜厚以上になると、このＴＥＯＳ膜１５上層の凹凸
部分をＣＦ4 をエッチング用ガスとするプラズマエッチ
ングによって除去することが可能になる。このように薄
膜形成装置がＣＶＤ装置内にプラズマ・エッチャの機能
を内蔵させ、ＴＥＯＳ膜１５の堆積とそのＴＥＯＳ膜１
５上層の凹凸部分のエッチングという複合的なプロセス
を同時的に進行させるより、表面が平坦化されたＴＥＯ
Ｓ膜１５を形成することができる。しかも、下層のデポ
ジション用ガスの流れと上層のエッチング用ガスの流れ
とを適切に制御することにより、ウェーハ１０上方にお
けるガス界面の高さを一定に維持することが可能になる
ため、ＴＥＯＳ膜１５表面は従来の平坦化プロセスを用
いた場合よりも優れた平坦性を有することができる。
【００２９】従って、ＴＥＯＳ膜１５の堆積後に別途平
坦化プロセスを用いること必要がなくなるため、工数の
減少によるスループットの向上やコストの低減を実現す
ることができる。また、ＴＥＯＳ膜１５単層で平坦化す
ることができ、従来の平坦化プロセスに伴う多層多種の
膜の形成も不要となるため、クラック等の発生もなくな
り、信頼性の向上や歩留りの向上を実現することができ
る。また、ＳＯＧ膜の塗布に伴う有機物質の使用も不要
となるため、作業者の人体や環境に悪い影響を及ぼすお
それもなくなる。更に、従来の場合よりも優れた平坦性
を有するＴＥＯＳ膜１５を得ることが可能なため、素子
特性の向上や信頼性の向上を実現することができる。
坦化プロセスを用いること必要がなくなるため、工数の
減少によるスループットの向上やコストの低減を実現す
ることができる。また、ＴＥＯＳ膜１５単層で平坦化す
ることができ、従来の平坦化プロセスに伴う多層多種の
膜の形成も不要となるため、クラック等の発生もなくな
り、信頼性の向上や歩留りの向上を実現することができ
る。また、ＳＯＧ膜の塗布に伴う有機物質の使用も不要
となるため、作業者の人体や環境に悪い影響を及ぼすお
それもなくなる。更に、従来の場合よりも優れた平坦性
を有するＴＥＯＳ膜１５を得ることが可能なため、素子
特性の向上や信頼性の向上を実現することができる。
【００３０】なお、上記第１の実施形態において、熱Ｃ
ＶＤによりウェーハ１０上にＴＥＯＳ膜１５を堆積する
ためのデポジション用ガスとしては、ＴＥＯＳ−Ｏ3 の
組み合わせを用いているが、この代わりに例えばＴＥＯ
Ｓ−Ｏ2 、ＳｉＨ4 −Ｏ3 、ＳｉＨ4 −Ｏ2 、ＳｉＨ4
−ＮＯ、ＳｉＨ4 −ＮＯ2 、ＳｉＨ4 −Ｎ2 Ｏ、ＳｉＨ
4 −Ｈ2 Ｏ、ＳｉＨ4 −ＣＯ2 −Ｈ2 、ＳｉＣｌ4 −Ｃ
Ｏ2 −Ｈ2 、又はＳｉＣｌ4 −Ｈ2 Ｏ等の組み合わせを
用いてＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）を堆積してもよ
い。また、ＴＥＯＳ膜１５上層部分をエッチングするた
めのエッチング用ガスとしてＣＦ4 を用いているが、こ
の代わりに、例えばＣ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 、又はＳＦ6 等
を用いてもよい。
ＶＤによりウェーハ１０上にＴＥＯＳ膜１５を堆積する
ためのデポジション用ガスとしては、ＴＥＯＳ−Ｏ3 の
組み合わせを用いているが、この代わりに例えばＴＥＯ
Ｓ−Ｏ2 、ＳｉＨ4 −Ｏ3 、ＳｉＨ4 −Ｏ2 、ＳｉＨ4
−ＮＯ、ＳｉＨ4 −ＮＯ2 、ＳｉＨ4 −Ｎ2 Ｏ、ＳｉＨ
4 −Ｈ2 Ｏ、ＳｉＨ4 −ＣＯ2 −Ｈ2 、ＳｉＣｌ4 −Ｃ
Ｏ2 −Ｈ2 、又はＳｉＣｌ4 −Ｈ2 Ｏ等の組み合わせを
用いてＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）を堆積してもよ
い。また、ＴＥＯＳ膜１５上層部分をエッチングするた
めのエッチング用ガスとしてＣＦ4 を用いているが、こ
の代わりに、例えばＣ2 Ｆ6 、ＣＨＦ3 、又はＳＦ6 等
を用いてもよい。
【００３１】また、ＴＥＯＳ膜１５の代わりに、例えば
表面が平坦化されたＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）をウェ
ーハ１０上に形成することも可能である。この場合、熱
ＣＶＤによりＳｉＮ膜を堆積するためのデポジション用
ガスとして、例えばＳｉＨ4、ＳｉＣｌ4 、又はＳｉＨ
2 Ｃｌ2 とＮＨ3 、（ＮＨ2 ）2 、又はＮ2 等との組み
合わせを用いる。また、ＳｉＮ膜上層部分をエッチング
するためのエッチング用ガスとして、例えばＣＦ4 を用
いる。
表面が平坦化されたＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）をウェ
ーハ１０上に形成することも可能である。この場合、熱
ＣＶＤによりＳｉＮ膜を堆積するためのデポジション用
ガスとして、例えばＳｉＨ4、ＳｉＣｌ4 、又はＳｉＨ
2 Ｃｌ2 とＮＨ3 、（ＮＨ2 ）2 、又はＮ2 等との組み
合わせを用いる。また、ＳｉＮ膜上層部分をエッチング
するためのエッチング用ガスとして、例えばＣＦ4 を用
いる。
【００３２】（第２の実施形態）図６は本発明の第２の
実施形態に係る薄膜形成装置を示す概略図である。な
お、上記図１に示す薄膜形成装置の構成要素と同じ要素
には同じ符号を付して説明を省略する。図６に示すよう
に、第２の実施形態に係る薄膜形成装置は、上記図１に
示す第１の実施形態に係る薄膜形成装置とほぼ同様の構
造をしている。即ち、その反応室（図示せず）内にウェ
ーハ１０を搭載する台座１１が設置され、移動用モータ
等の台座移動手段（図示せず）によってその高さを上下
に移動することができ、またモータ等の台座回転手段
（図示せず）によって回転することができるようになっ
ており、更にウェーハ１０を加熱するためのヒータ（図
示せず）が内蔵されている。また、インジェクション・
ノズル等のデポジション用ガス供給手段（図示せず）及
びエッチング用ガス供給手段（図示せず）が設けられ、
台座１１上に搭載したウェーハ１０上にデポジション用
ガスを供給すると共に、そのデポジション用ガスの流域
上方にエッチング用ガスを供給するようになっている。
実施形態に係る薄膜形成装置を示す概略図である。な
お、上記図１に示す薄膜形成装置の構成要素と同じ要素
には同じ符号を付して説明を省略する。図６に示すよう
に、第２の実施形態に係る薄膜形成装置は、上記図１に
示す第１の実施形態に係る薄膜形成装置とほぼ同様の構
造をしている。即ち、その反応室（図示せず）内にウェ
ーハ１０を搭載する台座１１が設置され、移動用モータ
等の台座移動手段（図示せず）によってその高さを上下
に移動することができ、またモータ等の台座回転手段
（図示せず）によって回転することができるようになっ
ており、更にウェーハ１０を加熱するためのヒータ（図
示せず）が内蔵されている。また、インジェクション・
ノズル等のデポジション用ガス供給手段（図示せず）及
びエッチング用ガス供給手段（図示せず）が設けられ、
台座１１上に搭載したウェーハ１０上にデポジション用
ガスを供給すると共に、そのデポジション用ガスの流域
上方にエッチング用ガスを供給するようになっている。
【００３３】但し、台座１１の上方に台座１１を挟んで
設置されている１対の対向電極１６ａ、１６ｂは、上記
第１の実施形態の場合の１対の対向電極１２ａ、１２ｂ
と比較すると、その下端部が下方に長く延びて、下層の
デポジション用ガスの流域と上層のエッチング用ガスの
流域とのガス界面（図中に破線で示す）が１対の対向電
極１６ａ、１６ｂ間に形成されるプラズマ領域１７内に
位置するようになっている点に第２の実施形態の特徴が
ある。
設置されている１対の対向電極１６ａ、１６ｂは、上記
第１の実施形態の場合の１対の対向電極１２ａ、１２ｂ
と比較すると、その下端部が下方に長く延びて、下層の
デポジション用ガスの流域と上層のエッチング用ガスの
流域とのガス界面（図中に破線で示す）が１対の対向電
極１６ａ、１６ｂ間に形成されるプラズマ領域１７内に
位置するようになっている点に第２の実施形態の特徴が
ある。
【００３４】次に、第２の実施形態に係る薄膜形成装置
の動作を説明する。上記第１の実施形態の場合と同様に
して、先ず、台座１１上に表面が凹凸形状をなしている
ウェーハ１０をセットする。続いて、移動用モータ等の
台座移動手段により台座１１を上下に移動させ、形成し
たい薄膜の膜厚に応じてその高さを調節する。次いで、
反応室内を所定の圧力にまで減圧すると共に、台座１１
に内蔵されたヒータによってウェーハ１０を加熱して所
定の温度、例えば４００℃に保持し、更にモータ等の台
座回転手段によって台座１１と共にその上のウェーハ１
０を回転させる。
の動作を説明する。上記第１の実施形態の場合と同様に
して、先ず、台座１１上に表面が凹凸形状をなしている
ウェーハ１０をセットする。続いて、移動用モータ等の
台座移動手段により台座１１を上下に移動させ、形成し
たい薄膜の膜厚に応じてその高さを調節する。次いで、
反応室内を所定の圧力にまで減圧すると共に、台座１１
に内蔵されたヒータによってウェーハ１０を加熱して所
定の温度、例えば４００℃に保持し、更にモータ等の台
座回転手段によって台座１１と共にその上のウェーハ１
０を回転させる。
【００３５】続いて、インジェクション・ノズル等のデ
ポジション用ガス供給手段により台座１１上に搭載した
ウェーハ１０上にデポジション用ガスとして例えばＳｉ
Ｈ4及びＮＨ3 を供給する。同時にインジェクション・
ノズル等のエッチング用ガス供給手段により、供給され
るデポジション用ガスの流域上方にエッチング用ガスと
してＣＦ4 を供給する。そして１対の対向電極１６ａ、
１６ｂに高周波電源１３を用いて所定の高周波を印加し
てプラズマを発生させ、１対の対向電極１６ａ、１６ｂ
間にプラズマ領域１７を形成する。このような状態にお
いては、ＳｉＨ4 −ＮＨ3 をデポジション用ガスとする
プラズマＣＶＤにより、ウェーハ１０上にＳｉＮ膜が堆
積される。このＳｉＮ膜は、最初の段階では下地ウェー
ハ１０表面の凹凸に沿って形成されるため、ＳｉＮ膜表
面も凹凸形状をなしている。
ポジション用ガス供給手段により台座１１上に搭載した
ウェーハ１０上にデポジション用ガスとして例えばＳｉ
Ｈ4及びＮＨ3 を供給する。同時にインジェクション・
ノズル等のエッチング用ガス供給手段により、供給され
るデポジション用ガスの流域上方にエッチング用ガスと
してＣＦ4 を供給する。そして１対の対向電極１６ａ、
１６ｂに高周波電源１３を用いて所定の高周波を印加し
てプラズマを発生させ、１対の対向電極１６ａ、１６ｂ
間にプラズマ領域１７を形成する。このような状態にお
いては、ＳｉＨ4 −ＮＨ3 をデポジション用ガスとする
プラズマＣＶＤにより、ウェーハ１０上にＳｉＮ膜が堆
積される。このＳｉＮ膜は、最初の段階では下地ウェー
ハ１０表面の凹凸に沿って形成されるため、ＳｉＮ膜表
面も凹凸形状をなしている。
【００３６】しかし、このＳｉＮ膜の堆積が更に進み、
ＳｉＮ膜の膜厚が厚くなるにつれて、ＳｉＮ膜が下地ウ
ェーハ１０表面の凹部を埋め込んでしまう。同時に、下
地ウェーハ１０表面の凸部上に堆積されるＳｉＮ膜表面
は、下層のデポジション用ガスの流域と上層のエッチン
グ用ガスの流域とのガス界面に達し、更にこのガス界面
を突き抜ける。このようにＳｉＮ膜が所定の膜厚以上に
なり、その上層部分がガス界面を突き抜けると、このＳ
ｉＮ膜上層部分は、ＣＦ4 をエッチング用ガスとするプ
ラズマエッチングによって除去される。
ＳｉＮ膜の膜厚が厚くなるにつれて、ＳｉＮ膜が下地ウ
ェーハ１０表面の凹部を埋め込んでしまう。同時に、下
地ウェーハ１０表面の凸部上に堆積されるＳｉＮ膜表面
は、下層のデポジション用ガスの流域と上層のエッチン
グ用ガスの流域とのガス界面に達し、更にこのガス界面
を突き抜ける。このようにＳｉＮ膜が所定の膜厚以上に
なり、その上層部分がガス界面を突き抜けると、このＳ
ｉＮ膜上層部分は、ＣＦ4 をエッチング用ガスとするプ
ラズマエッチングによって除去される。
【００３７】こうしてＳｉＮ膜表面が下層のデポジショ
ン用ガスの流域と上層のエッチング用ガスの流域とのガ
ス界面に達していない部分では、ＳｉＮ膜の堆積が継続
される一方で、このガス界面を突き抜けてプラズマ領域
１４に入ったＳｉＮ膜上層部分はプラズマエッチングさ
れるという複合的なプロセスが同時的に進行する。この
ため、ウェーハ１０上に堆積されたＳｉＮ膜表面は、基
体全面においてガス界面にまで到達すると共に、このガ
ス界面を越えてＳｉＮ膜が堆積されることはない。従っ
て、ウェーハ１０上には、表面が平坦化されたＳｉＮ膜
が形成され、表面が平坦なＳｉＮ膜が形成されたウェー
ハ１０を得ることができる。
ン用ガスの流域と上層のエッチング用ガスの流域とのガ
ス界面に達していない部分では、ＳｉＮ膜の堆積が継続
される一方で、このガス界面を突き抜けてプラズマ領域
１４に入ったＳｉＮ膜上層部分はプラズマエッチングさ
れるという複合的なプロセスが同時的に進行する。この
ため、ウェーハ１０上に堆積されたＳｉＮ膜表面は、基
体全面においてガス界面にまで到達すると共に、このガ
ス界面を越えてＳｉＮ膜が堆積されることはない。従っ
て、ウェーハ１０上には、表面が平坦化されたＳｉＮ膜
が形成され、表面が平坦なＳｉＮ膜が形成されたウェー
ハ１０を得ることができる。
【００３８】以上のように第２の実施形態によれば、表
面が凹凸形状をなしているウェーハ１０上にＳｉＨ4 −
ＮＨ3 をデポジション用ガスとするプラズマＣＶＤによ
ってＳｉＮ膜を堆積すると共に、そのＳｉＮ膜が所定の
膜厚以上になると、このＳｉＮ膜上層の凹凸部分をＣＦ
4 をエッチング用ガスとするプラズマエッチングによっ
て除去することが可能になる。このように薄膜形成装置
がＣＶＤ装置内にプラズマ・エッチャの機能を内蔵さ
せ、ＳｉＮ膜の堆積とそのＳｉＮ膜上層の凹凸部分のエ
ッチングという複合的なプロセスを同時的に進行させる
より、表面が平坦化されたＳｉＮ膜を形成することがで
きる。従って、上記第１の実施形態の場合と同様の効果
を奏することができる。
面が凹凸形状をなしているウェーハ１０上にＳｉＨ4 −
ＮＨ3 をデポジション用ガスとするプラズマＣＶＤによ
ってＳｉＮ膜を堆積すると共に、そのＳｉＮ膜が所定の
膜厚以上になると、このＳｉＮ膜上層の凹凸部分をＣＦ
4 をエッチング用ガスとするプラズマエッチングによっ
て除去することが可能になる。このように薄膜形成装置
がＣＶＤ装置内にプラズマ・エッチャの機能を内蔵さ
せ、ＳｉＮ膜の堆積とそのＳｉＮ膜上層の凹凸部分のエ
ッチングという複合的なプロセスを同時的に進行させる
より、表面が平坦化されたＳｉＮ膜を形成することがで
きる。従って、上記第１の実施形態の場合と同様の効果
を奏することができる。
【００３９】なお、上記第１及び第２の実施形態におい
ては、ウェーハ１０上に形成するＴＥＯＳ膜１５又はＳ
ｉＮ膜（以下、単に「薄膜」という）の堆積とその薄膜
上層部分のエッチングという複合的なプロセスは同時進
行的に行われているが、薄膜の堆積プロセス及びその薄
膜上層部分のエッチングプロセスを連続的に行ってもよ
いし、更にこれらの連続的なプロセスを繰り返し行って
もよい。
ては、ウェーハ１０上に形成するＴＥＯＳ膜１５又はＳ
ｉＮ膜（以下、単に「薄膜」という）の堆積とその薄膜
上層部分のエッチングという複合的なプロセスは同時進
行的に行われているが、薄膜の堆積プロセス及びその薄
膜上層部分のエッチングプロセスを連続的に行ってもよ
いし、更にこれらの連続的なプロセスを繰り返し行って
もよい。
【００４０】また、上記第１及び第２の実施形態におい
ては、移動用モータ等の台座移動手段により台座１１を
上下に移動させることにより、ウェーハ１０上に形成す
る薄膜の膜厚の調節を行っているが、この代わりに、イ
ンジェクション・ノズル等のデポジション用ガス供給手
段及びエッチング用ガス供給手段の取付け位置を上下方
向に移動させ、下層のデポジション用ガスの流域と上層
のエッチング用ガスの流域とのガス界面を上下に移動さ
せることにより、ＴＥＯＳ膜１５の膜厚を調節してもよ
い。また、上記第１の実施形態の場合には、例えば電極
移動手段を設けて１対の対向電極１２ａ、１２ｂを上下
に移動させ、これら１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間に
形成されるプラズマ領域１４と非プラズマ領域との境界
面を上下に移動させることにより、ウェーハ１０上に形
成する薄膜の膜厚を調節してもよい。
ては、移動用モータ等の台座移動手段により台座１１を
上下に移動させることにより、ウェーハ１０上に形成す
る薄膜の膜厚の調節を行っているが、この代わりに、イ
ンジェクション・ノズル等のデポジション用ガス供給手
段及びエッチング用ガス供給手段の取付け位置を上下方
向に移動させ、下層のデポジション用ガスの流域と上層
のエッチング用ガスの流域とのガス界面を上下に移動さ
せることにより、ＴＥＯＳ膜１５の膜厚を調節してもよ
い。また、上記第１の実施形態の場合には、例えば電極
移動手段を設けて１対の対向電極１２ａ、１２ｂを上下
に移動させ、これら１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間に
形成されるプラズマ領域１４と非プラズマ領域との境界
面を上下に移動させることにより、ウェーハ１０上に形
成する薄膜の膜厚を調節してもよい。
【００４１】また、上記第１及び第２の実施形態におい
ては、台座回転手段によって台座１１上のウェーハ１０
を回転させることにより、ウェーハ１０上に形成する薄
膜の膜厚の均一性や平坦性の向上を図っているが、この
代わりに、例えばインジェクション・ノズル等のデポジ
ション用ガス供給手段及びエッチング用ガス供給手段の
取付け位置を回転させ、下層のデポジション用ガス及び
上層のエッチング用ガスの流入方向を回転させることに
より、薄膜の膜厚の均一性や平坦性を向上させてもよ
い。或いはまた、１対の対向電極１２ａ、１２ｂを回転
させ、１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間に発生するプラ
ズマの方向を回転変更させることにより、薄膜の膜厚の
均一性や平坦性を向上させることも可能である。
ては、台座回転手段によって台座１１上のウェーハ１０
を回転させることにより、ウェーハ１０上に形成する薄
膜の膜厚の均一性や平坦性の向上を図っているが、この
代わりに、例えばインジェクション・ノズル等のデポジ
ション用ガス供給手段及びエッチング用ガス供給手段の
取付け位置を回転させ、下層のデポジション用ガス及び
上層のエッチング用ガスの流入方向を回転させることに
より、薄膜の膜厚の均一性や平坦性を向上させてもよ
い。或いはまた、１対の対向電極１２ａ、１２ｂを回転
させ、１対の対向電極１２ａ、１２ｂ間に発生するプラ
ズマの方向を回転変更させることにより、薄膜の膜厚の
均一性や平坦性を向上させることも可能である。
【００４２】その他、１対の対向電極１２ａ、１２ｂ；
１６ａ、１６ｂ間に発生するプラズマの強弱を変更した
り、デポジション用ガスとエッチング用ガスとの流量比
（流速含む）を変更したり、デポジション用ガスの成分
比や成分自体を変更したり、エッチング用ガスの成分比
や成分自体を変更したり、更にはこれらを複合的に組み
合わせることにより、ウェーハ１０上に形成する薄膜が
所望の諸特性を有するように制御することが可能であ
る。
１６ａ、１６ｂ間に発生するプラズマの強弱を変更した
り、デポジション用ガスとエッチング用ガスとの流量比
（流速含む）を変更したり、デポジション用ガスの成分
比や成分自体を変更したり、エッチング用ガスの成分比
や成分自体を変更したり、更にはこれらを複合的に組み
合わせることにより、ウェーハ１０上に形成する薄膜が
所望の諸特性を有するように制御することが可能であ
る。
【００４３】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る薄膜形成装置によれば、次のような効果を奏すること
ができる。即ち、請求項１に係る薄膜形成装置によれ
ば、台座上に搭載したウェーハ上方の空間に、デポジシ
ョン用ガスとエッチング用ガスとが上下に層をなして供
給されるため、下層のデポジション用ガスの流域ではウ
ェーハ上に所定の薄膜を堆積し、この堆積した薄膜の膜
厚が所定の厚さ以上になりその上層部分がエッチング用
ガスの流域にまで達すると、その薄膜上層部分をプラズ
マエッチングすることが可能になる。即ち、薄膜の堆積
とその薄膜上層部分のエッチングという複合的なプロセ
スにより、表面に凹凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積し
つつその薄膜上層の凹凸部分をエッチングすることが可
能となるため、表面が平坦化された薄膜を形成すること
ができる。しかも、下層のデポジション用ガスの流れと
上層のエッチング用ガスの流れとを適切に制御すること
により、ウェーハ上方におけるガス界面の高さを一定に
維持することが可能になるため、薄膜表面は従来の平坦
化プロセスを用いた場合よりも優れた平坦性を有するこ
とができる。
る薄膜形成装置によれば、次のような効果を奏すること
ができる。即ち、請求項１に係る薄膜形成装置によれ
ば、台座上に搭載したウェーハ上方の空間に、デポジシ
ョン用ガスとエッチング用ガスとが上下に層をなして供
給されるため、下層のデポジション用ガスの流域ではウ
ェーハ上に所定の薄膜を堆積し、この堆積した薄膜の膜
厚が所定の厚さ以上になりその上層部分がエッチング用
ガスの流域にまで達すると、その薄膜上層部分をプラズ
マエッチングすることが可能になる。即ち、薄膜の堆積
とその薄膜上層部分のエッチングという複合的なプロセ
スにより、表面に凹凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積し
つつその薄膜上層の凹凸部分をエッチングすることが可
能となるため、表面が平坦化された薄膜を形成すること
ができる。しかも、下層のデポジション用ガスの流れと
上層のエッチング用ガスの流れとを適切に制御すること
により、ウェーハ上方におけるガス界面の高さを一定に
維持することが可能になるため、薄膜表面は従来の平坦
化プロセスを用いた場合よりも優れた平坦性を有するこ
とができる。
【００４４】従って、薄膜を堆積した後、別途に平坦化
プロセスを用いる必要がなくなるため、工数が減少し、
それに伴うスループットの向上やコストの低減を実現す
ることができる。また、単層で平坦化することができ、
従来の平坦化プロセスに伴う多層多種の膜の形成も不要
となるため、クラック等の発生もなくなり、信頼性の向
上や歩留りの向上を実現することができる。また、ＳＯ
Ｇ膜の塗布に伴う有機物質の使用も不要となるため、作
業者の人体や環境に悪い影響を及ぼすおそれもなくな
る。更に、従来の場合よりも優れた平坦性を有する薄膜
を得ることが可能なため、素子特性の向上や信頼性の向
上を実現することができる。
プロセスを用いる必要がなくなるため、工数が減少し、
それに伴うスループットの向上やコストの低減を実現す
ることができる。また、単層で平坦化することができ、
従来の平坦化プロセスに伴う多層多種の膜の形成も不要
となるため、クラック等の発生もなくなり、信頼性の向
上や歩留りの向上を実現することができる。また、ＳＯ
Ｇ膜の塗布に伴う有機物質の使用も不要となるため、作
業者の人体や環境に悪い影響を及ぼすおそれもなくな
る。更に、従来の場合よりも優れた平坦性を有する薄膜
を得ることが可能なため、素子特性の向上や信頼性の向
上を実現することができる。
【００４５】また、請求項２に係る薄膜形成装置によれ
ば、１対の対向電極間に形成されたプラズマ領域にはエ
ッチング用ガス供給手段によるエッチング用ガスのみが
供給され、薄膜がデポジション用ガス供給手段によって
供給されたデポジション用ガスの熱ＣＶＤによって堆積
されるように構成されていることにより、下層のデポジ
ション用ガスの流域ではウェーハ上に所定の薄膜が熱Ｃ
ＶＤ法により堆積され、この堆積された薄膜の膜厚が所
定の厚さ以上になり、エッチング用ガスの流域にまで達
した薄膜上層部分がプラズマエッチングされるため、表
面に凹凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積しつつその薄膜
上層の凹凸部分をエッチングすることが可能となり、表
面が平坦化された薄膜を形成することができる。
ば、１対の対向電極間に形成されたプラズマ領域にはエ
ッチング用ガス供給手段によるエッチング用ガスのみが
供給され、薄膜がデポジション用ガス供給手段によって
供給されたデポジション用ガスの熱ＣＶＤによって堆積
されるように構成されていることにより、下層のデポジ
ション用ガスの流域ではウェーハ上に所定の薄膜が熱Ｃ
ＶＤ法により堆積され、この堆積された薄膜の膜厚が所
定の厚さ以上になり、エッチング用ガスの流域にまで達
した薄膜上層部分がプラズマエッチングされるため、表
面に凹凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積しつつその薄膜
上層の凹凸部分をエッチングすることが可能となり、表
面が平坦化された薄膜を形成することができる。
【００４６】また、請求項３に係る薄膜形成装置によれ
ば、１対の対向電極間に形成されたプラズマ領域にはエ
ッチング用ガス供給手段によるエッチング用ガス及びデ
ポジション用ガス供給手段によるデポジション用ガスが
供給され、デポジション用ガス供給手段によって供給さ
れたデポジション用ガスのプラズマＣＶＤによって薄膜
が堆積されるように構成されていることにより、下層の
デポジション用ガスの流域ではウェーハ上に所定の薄膜
がプラズマＣＶＤ法により堆積され、この堆積された薄
膜の膜厚が所定の厚さ以上になり、エッチング用ガスの
流域にまで達した薄膜上層部分がプラズマエッチングさ
れるため、表面に凹凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積し
つつその薄膜上層の凹凸部分をエッチングすることが可
能となり、表面が平坦化された薄膜を形成することがで
きる。
ば、１対の対向電極間に形成されたプラズマ領域にはエ
ッチング用ガス供給手段によるエッチング用ガス及びデ
ポジション用ガス供給手段によるデポジション用ガスが
供給され、デポジション用ガス供給手段によって供給さ
れたデポジション用ガスのプラズマＣＶＤによって薄膜
が堆積されるように構成されていることにより、下層の
デポジション用ガスの流域ではウェーハ上に所定の薄膜
がプラズマＣＶＤ法により堆積され、この堆積された薄
膜の膜厚が所定の厚さ以上になり、エッチング用ガスの
流域にまで達した薄膜上層部分がプラズマエッチングさ
れるため、表面に凹凸のあるウェーハ上に薄膜を堆積し
つつその薄膜上層の凹凸部分をエッチングすることが可
能となり、表面が平坦化された薄膜を形成することがで
きる。
【００４７】また、請求項４に係る薄膜形成装置によれ
ば、台座を上下に移動させる台座移動手段を具備するよ
うに構成されていることにより、この台座移動手段によ
って台座を上下に移動させて、下層のデポジション用ガ
スの流域と上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面
と台座上に搭載したウェーハの高さとの位置関係を制御
することが可能になるため、ウエーハ上に形成する表面
が平坦な薄膜の膜厚を制御することができる。
ば、台座を上下に移動させる台座移動手段を具備するよ
うに構成されていることにより、この台座移動手段によ
って台座を上下に移動させて、下層のデポジション用ガ
スの流域と上層のエッチング用ガスの流域とのガス界面
と台座上に搭載したウェーハの高さとの位置関係を制御
することが可能になるため、ウエーハ上に形成する表面
が平坦な薄膜の膜厚を制御することができる。
【００４８】また、請求項５に係る薄膜形成装置によれ
ば、台座を回転させる台座回転手段を具備するように構
成されていることにより、この台座回転手段によって台
座上に搭載したウェーハを回転させながらそのウエーハ
上に平坦な薄膜を形成することが可能になるため、この
薄膜の膜厚の均一性及び平坦性を更に向上させることが
できる。
ば、台座を回転させる台座回転手段を具備するように構
成されていることにより、この台座回転手段によって台
座上に搭載したウェーハを回転させながらそのウエーハ
上に平坦な薄膜を形成することが可能になるため、この
薄膜の膜厚の均一性及び平坦性を更に向上させることが
できる。
【００４９】また、請求項６に係る薄膜形成装置によれ
ば、１対の対向電極を上下に移動させる電極移動手段を
具備するように構成されていることにより、この電極移
動手段によって１対の対向電極を上下に移動させて、下
層のデポジション用ガスの流域にまでプラズマ領域を形
成するか否かによって下層のデポジション用ガスの流域
におけるウェーハ上への薄膜の堆積を熱ＣＶＤ法により
行うか、プラズマＣＶＤ法により行うかを選択すること
ができる。また、熱ＣＶＤ法によりウェーハ上への薄膜
の堆積を行う場合には、１対の対向電極を上下に移動さ
せて、上層のエッチング用ガスの流域でプラズマ領域が
形成される高さと台座上に搭載したウェーハの高さとの
位置関係を調整することが可能になるため、ウエーハ上
に形成する平坦な薄膜の膜厚を制御することができる。
ば、１対の対向電極を上下に移動させる電極移動手段を
具備するように構成されていることにより、この電極移
動手段によって１対の対向電極を上下に移動させて、下
層のデポジション用ガスの流域にまでプラズマ領域を形
成するか否かによって下層のデポジション用ガスの流域
におけるウェーハ上への薄膜の堆積を熱ＣＶＤ法により
行うか、プラズマＣＶＤ法により行うかを選択すること
ができる。また、熱ＣＶＤ法によりウェーハ上への薄膜
の堆積を行う場合には、１対の対向電極を上下に移動さ
せて、上層のエッチング用ガスの流域でプラズマ領域が
形成される高さと台座上に搭載したウェーハの高さとの
位置関係を調整することが可能になるため、ウエーハ上
に形成する平坦な薄膜の膜厚を制御することができる。
【００５０】また、請求項７に係る薄膜形成装置によれ
ば、１対の対向電極を前記台座上に搭載したウェーハを
中心に回転させる電極回転手段を具備するように構成さ
れていることにより、この電極回転手段によって１対の
対向電極をウェーハを中心に回転させて、プラズマの発
生方向を回転変更させながらウエーハ上に平坦な薄膜を
形成することが可能になるため、この薄膜の膜厚の均一
性及び平坦性を更に向上させることができる。
ば、１対の対向電極を前記台座上に搭載したウェーハを
中心に回転させる電極回転手段を具備するように構成さ
れていることにより、この電極回転手段によって１対の
対向電極をウェーハを中心に回転させて、プラズマの発
生方向を回転変更させながらウエーハ上に平坦な薄膜を
形成することが可能になるため、この薄膜の膜厚の均一
性及び平坦性を更に向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る薄膜形成装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図２】図１に示す薄膜形成装置の動作を説明するため
の図（その１）である。
の図（その１）である。
【図３】図１に示す薄膜形成装置の動作を説明するため
の図（その２）である。
の図（その２）である。
【図４】図１に示す薄膜形成装置の動作を説明するため
の図（その３）である。
の図（その３）である。
【図５】図１に示す薄膜形成装置を用いて表面が平坦な
ＴＥＯＳ膜を形成したウェーハを示す図である。
ＴＥＯＳ膜を形成したウェーハを示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る薄膜形成装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図７】従来の薄膜の平坦化プロセスを説明するための
工程断面図である。
工程断面図である。
１０……ウェーハ、１１……台座、１２ａ、１２ｂ……
１対の対向電極、１３……高周波電源、１４……プラズ
マ領域、１５……ＴＥＯＳ膜、１６ａ、１６ｂ……１対
の対向電極、１７……プラズマ領域、２０……ウェー
ハ、２１……半導体基板、２２……金属配線層、２３…
…ＴＥＯＳ膜、２４……ＳＯＧ膜、２５……ＴＥＯＳ
膜。
１対の対向電極、１３……高周波電源、１４……プラズ
マ領域、１５……ＴＥＯＳ膜、１６ａ、１６ｂ……１対
の対向電極、１７……プラズマ領域、２０……ウェー
ハ、２１……半導体基板、２２……金属配線層、２３…
…ＴＥＯＳ膜、２４……ＳＯＧ膜、２５……ＴＥＯＳ
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 ウェーハを搭載する台座と、 前記台座上方に前記台座を挟んで設置され、プラズマを
発生させる１対の対向電極と、 前記台座上に搭載したウェーハ上にデポジション用ガス
を供給するデポジション用ガス供給手段と、 前記デポジション用ガス供給手段によって供給されるデ
ポジション用ガスの流域上方にエッチング用ガスを供給
するエッチング用ガス供給手段と、 を具備し、 前記デポジション用ガス供給手段によって供給されたデ
ポジション用ガスにより、前記ウェーハ上に所定の薄膜
が堆積されると共に、前記薄膜の膜厚が所定の厚さ以上
になると、前記エッチング用ガス供給手段によって供給
されたエッチング用ガスにより、前記薄膜の上層部分が
プラズマエッチングされることを特徴とする薄膜形成装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜形成装置において、 前記１対の対向電極間に形成されたプラズマ領域には、
前記エッチング用ガス供給手段によるエッチング用ガス
のみが供給され、 前記薄膜が、前記デポジション用ガス供給手段によって
供給されたデポジション用ガスの熱ＣＶＤにより堆積さ
れることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の薄膜形成装置において、 前記１対の対向電極間に形成されたプラズマ領域には、
前記エッチング用ガス供給手段によるエッチング用ガス
及び前記デポジション用ガス供給手段によるデポジショ
ン用ガスが供給され、 前記薄膜が、前記デポジション用ガス供給手段によって
供給されたデポジション用ガスのプラズマＣＶＤにより
堆積されることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の薄膜形成装置において、 前記台座を上下に移動させる台座移動手段を具備するこ
とを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の薄膜形成装置において、 前記台座を回転させる台座回転手段を具備することを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の薄膜形成装置において、 前記１対の対向電極を上下に移動させる電極移動手段を
具備することを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項７】 請求項１記載の薄膜形成装置において、 前記１対の対向電極を前記台座を中心に回転させる電極
回転手段を具備することを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32001896A JPH10163183A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32001896A JPH10163183A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163183A true JPH10163183A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18116843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32001896A Pending JPH10163183A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163183A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009539269A (ja) * | 2006-05-30 | 2009-11-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘電性ギャップ充填のためのプロセスチャンバ |
| US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
| US8980382B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
| US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
| US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP32001896A patent/JPH10163183A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009539269A (ja) * | 2006-05-30 | 2009-11-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘電性ギャップ充填のためのプロセスチャンバ |
| US8980382B2 (en) | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
| US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
| US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
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