JPH10162341A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 走行性、耐久性が向上した磁気記録媒体およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金属薄膜型磁気記録層３上に、ダイアモ
ンド状カーボンのようなカーボン系保護層４、および潤
滑剤層５を形成し、この潤滑剤層５の厚さを特定範囲に
制御する。 【効果】 摩擦係数、シャトル耐久性、スチル耐久性の
いずれもが向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は金属薄膜型の磁気記
録媒体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、安
定した走行性や耐久性を得るため、潤滑剤層の厚さに特
徴を有する金属薄膜型の磁気記録媒体およびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】オーディオ装置、ビデオ装置あるいはコ
ンピュータ装置等に付随する磁気記録装置で用いられる
磁気記録テープ等の磁気記録媒体として、薄膜型と塗布
型のものが主として用いられている。薄膜型は、非磁性
支持体上にＣｏ等の強磁性金属薄膜をスパッタリング、
蒸着あるいはめっき等の薄膜形成技術により被着したも
のである。また塗布型のものは、磁性粉末、有機バイン
ダおよび各種添加剤等を有機溶媒に分散、混練して調整
される磁性塗料を、非磁性支持体上に塗布、乾燥、硬化
することにより形成される磁気記録層を用いたものであ
る。

【０００３】これらの各種磁気記録装置においては、近
年ますます小型軽量化、高画質化、長時間化あるいはデ
ィジタル記録化等が進展し、磁気記録媒体に対しても高
密度記録化が強く要望されるようになっている。この要
望に応えるため、近年の磁気記録媒体、特に金属薄膜型
磁気記録媒体においては、その磁気記録層表面を鏡面に
近い状態にまで平滑化し、磁気ヘッド／磁気記録層間の
間隙を狭め、スペーシングロスを可及的に低減する方向
にある。

【０００４】一方、磁気記録テープは、その使用形態か
ら各種ガイドピン等の摺動部材と摺動しつつ走行する。
一例として８ミリビデオテープレコーダの場合、磁気記
録テープは１０個以上のステンレス等からなる固定ガイ
ドピンを通過して磁気ドラムに巻き付けられ、ピンチロ
ーラ、キャプスタンおよびリールモータにより、テープ
テンションは約２０ｇ、走行速度は０．５ｃｍ／ｓｅｃ
と、共に一定に保持されつつ走行する。磁気記録テープ
レコーダの走行系では、摺動部材／磁記録テープ間の摩
擦力が大きくなると、磁気テープがスティックスリップ
と呼ばれる自励振動によるテープ鳴きを起こし、再生画
面の歪みを発生する。また摺動部材への磁気記録媒体の
凝着現象、いわゆる張り付き等が起き易い。また磁気ヘ
ッド／磁気テープ間の相対速度は３．８ｍ／ｓｅｃと高
速であるため、摩擦・磨耗により耐久性、走行性あるい
は耐蝕性が低下し易い。このように、金属薄膜型磁気記
録媒体においては、走行性や耐久性に解決すべき問題点
を残している。

【０００５】これら諸問題を解決するために、鏡面状態
の金属薄膜型磁気記録層表面に硬質のカーボン系保護
層、特にダイアモンド状カーボン保護層を設けることが
有効とされている。しかしながら、この保護層は磁気ヘ
ッド／磁気記録層間のスペーシングロスのともなるの
で、むやみに厚さを増加することはできず、例えば５ｎ
ｍ〜１０ｎｍの厚さが採用される。このためカーボン系
保護層だけでは充分な耐久性を得ることは困難で、さら
にトップコート層を設ける試みがなされている。トップ
コート層としては、含フッ素有機化合物や、リン酸エス
テル等の含リン有機化合物を塗布や気相成長により形成
する例がある。一例として、ダイアモンド状カーボン上
に含フッ素カルボン酸を３〜４ｎｍの厚さに真空蒸着す
る方法が、特開平７−５７２５４号公報および特開平６
−１６８４３６号公報に開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、今後一
層磁気記録層表面の平滑性が要求され、より厳しい走行
条件下での耐久性が求められることが予想される。本発
明はかかる現状に鑑み提案するものであり、安定した走
行性および耐久性が得られる金属薄膜型磁気記録媒体お
よびその製造方法を提供することをその課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、上述した課題を解決するために提案するものであ
り、非磁性支持体の一方の面に、金属薄膜型磁気記録層
と、カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの順に有する
磁気記録媒体において、この潤滑剤層の厚さは、０．３
ｎｍ以上０．９ｎｍ以下であることを特徴とする。

【０００８】また本発明の磁気記録媒体の製造方法は、
非磁性支持体の一方の面に、金属薄膜型磁気記録層を形
成する工程、カーボン系保護層を形成する工程、潤滑剤
層を形成する工程とをこの順に有する磁気記録媒体の製
造方法において、この潤滑剤層の厚さを、０．３ｎｍ以
上０．９ｎｍ以下に形成することを特徴とする。

【０００９】いずれの発明においても、潤滑剤層の厚さ
が０．３ｎｍ未満では充分な耐久性が得られず、０．９
ｎｍを超えるとやはり耐久性が低下し、ドラムへの貼り
付き現象が見られる。潤滑剤層の厚さは０．５ｎｍ以上
０．８ｎｍ以下であることがさらに好ましい。この潤滑
剤層の材料としては、パーフルオロポリエーテル化合物
を好適に用いることができる。潤滑剤層の形成方法は、
グラビアコーティング等の各種塗布法が採用される。潤
滑剤層の厚さの制御は、溶媒への希釈率や塗布条件等の
選択により、前述した厚さとすればよい。

【００１０】またカーボン系保護層としては、ダイアモ
ンド状カーボン（ＤＬＣ；Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ
Ｃａｒｂｏｎ）が望ましい。ダイアモンド状カーボン
は、化学的気相成長法（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成すること
ができる。カーボン系保護層は一層で構成しても良い
し、下層に他の材料を設けて多層に形成しても良い。か
かる他の材料としては、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯ
Ｎ、ＳｉＣ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＡｌＮ、ＴｉＯ₂ 、Ｃｒ₂ Ｏ
₃ 、ＴｉＮ、ＴｉＣ、ＺｒＯ₂ 、ＭｇＯ、ＢＮ、ＣｏＯ
あるいは非磁性金属等が例示される。

【００１１】金属薄膜型磁気記録層を形成する非磁性支
持体としては、通常の薄膜型磁気記録媒体で用いられる
ものはいずれも使用可能であり、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリ
エステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオ
レフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダ
イセテート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル等の
ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン等のビニリデン樹
脂、ポリカーボネート、ポリアミドイミド、ポリイミド
等の有機高分子が例示される。これら非磁性支持体の表
面には接着性向上のために、有機バインダからなる下地
材料層を設けてもよい。また、この下地材料層中や非磁
性支持体中に、ＳｉＯ₂ やラテックス等のフィラーを含
有させ、微細な表面突起を形成してもよい。これら表面
突起は、金属磁性薄膜の表面性を制御して、磁気記録テ
ープの走行性の向上に寄与する。さらにハードディスク
等の磁気記録媒体の場合には非磁性支持体としてＡｌ系
金属、セラミクスやガラス等の剛体基板をもちいること
ができる。

【００１２】金属薄膜型磁気記録層は、強磁性金属を蒸
着やスパッタリングあるいはめっき等の薄膜形成技術に
より非磁性支持体上に形成したものである。強磁性金属
の材料としては、Ｃｏ、ＦｅあるいはＮｉ等の単体強磁
性金属や、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合
金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ合金等のＣｏ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｂ合金等のＦｅ系合金等や、これら強磁性材料
中や粒界に酸化物、窒化物あるいは炭化物等が析出した
構造からなるものが例示される。特に、面内磁化モード
による薄膜型磁気記録媒体では、非磁性支持体表面に対
し斜め蒸着等で磁性層を形成して磁化容易軸を磁性層の
略面内に配向する。非磁性支持体上にＢｉ、Ｓｂ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、ＳｉあるいはＴｉ等の非
磁性下地層を形成しておき、ここに非磁性支持体表面の
垂直方向環から強磁性金属を蒸着あるいはスパッタリン
グしてもよい。かかる非磁性下地層を介在させることに
より、非磁性金属を磁性層中に拡散したり、磁性層のモ
ホロジ（morphology) を制御して面内等方性磁化を付与
するとともに、抗磁力を向上することができる。金属薄
膜型磁気記録層は単層あるいは積層で用いられる。積層
の場合には、中間層として非磁性層を介在させてもよ
い。

【００１３】非磁性支持体の他方の面に、塗布型あるい
は薄膜型のバックコート層を設けてもよい。バックコー
ト層の構成は特に限定されない。塗布バックコート層は
非磁性粒子を有機バインダ中に分散させたものであり、
非磁性粒子の材料としては例えばヘマタイト、ベーマイ
ト、溶融アルミナ、α，β，γ−アルミナ等の各種アル
ミナ、雲母、カオリン、タルク、粘土、シリカ、酸化マ
グネシウム、酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、
酸化亜鉛、硫化亜鉛、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウ
ム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸鉛、硫化タング
ステン等の無機化合物、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリイミド、ポリテトラフフルオロエチレン等の高
分子樹脂、デンプン、あるいは非磁性金属等が例示され
る。非磁性粒子は、平均粒子径０．０５〜１μｍ、好ま
しくは０．１〜０．７μｍの大きさのものが使用され、
有機バインダ１００重量部に対して通常１〜２０重量部
の範囲で添加される。また粒子形状は塗料適性や耐久性
等の観点から、略球形、略正多面体等の等方的な形状を
有するものが好ましい。

【００１４】また塗布バックコート層に用いる有機バイ
ンダ材料としては、これも特に限定されないが、従来よ
り使用されている熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型
樹脂等のすべてが使用可能である。熱可塑性樹脂は、熱
硬化性樹脂や反応型樹脂等と混合して用いることが望ま
しい。樹脂の分子量としては、平均分子量５，０００な
いし２００，０００のものが好適であり、１０，０００
ないし１００，０００のものがさらに好適である。熱可
塑性樹脂としては、例えば塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、フッ化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、塩化ビニ
ル−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリデン−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリル
ニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−
塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化
ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデ
ン共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合
体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、スチレン
−ブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ルポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ートポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース誘導
体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイ
アセテート、セルローストリアセテート、セルロースプ
ロピオネート、ニトロセルロース等）、スチレンブタジ
エン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、各種合
成ゴム系等があげられる。また熱硬化性樹脂および反応
型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン硬化型樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、
メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
アミン樹脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソシアネー
トプレポリマの混合物、ポリエステルポリオールとポリ
イソシアネートの混合物、低分子量グリコールと高分子
量ジオールとイソシアネートの混合物等、およびこれら
樹脂の混合物が例示される。これらの樹脂のうち、柔軟
性を付与するとされるポリウレタン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体等の使用が好ましい。これらの樹脂は、
非磁性粒子の分散性を向上するために−ＳＯ₃ Ｍ、−Ｏ
ＳＯ₃ Ｍ、−ＣＯＯＭ、あるいは −ＰＯ（ＯＭ’）₂
等の極性官能基を含有していてもよい（但し、ＭはＨま
たはＬｉ、Ｋａ、Ｎａ等のアルカリ金属、Ｍ’はＨまた
はＬｉ、Ｋａ、Ｎａ等のアルカリ金属またはアルキル基
をあらわす）。極性官能基としてはこの他に−ＮＲ₁ Ｒ
₂ 、−ＮＲ₁ Ｒ₂ Ｒ₃ ⁺ Ｘ^- の末端基を有する側鎖型の
もの、＞ＮＲ₁ Ｒ₂ ⁺ Ｘ^- の主鎖型のもの等がある（こ
こでＲ₁ 、Ｒ₂、Ｒ₃ は水素原子または炭化水素基であ
り、Ｘ^- はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンイ
オンあるいは無機、有機イオンをあらわす）。この他に
−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基で
あってもよい。これら極性官能基の含有量は１０^-1〜１
０^-8ｍｏｌ／ｇであり、好ましくは１０^-2〜１０^-6ｍｏ
ｌ／ｇである。これら有機バインダは単独で用いること
も可能であるが、２種類以上を併用することも可能であ
る。塗布バックコート層中におけるこれら有機バインダ
の量は、非磁性粒子１００重量部に対して１〜２００重
量部、好ましくは１０〜５０重量部である。

【００１５】上述した有機バインダを架橋硬化する硬化
剤として、例えばポリイソシアネート等を添加すること
が可能である。ポリイソシアネートとしては、トリメチ
ロールプロパンと２，４−トリレンジイソシアネート
（ＴＤＩ）の付加体（例えば商品名コロネートＬ−５
０）が一般的であるが、４，４−ジフェニルメタンジイ
ソシアネート（ＭＤＩ）やヘキサンジイソシアネート
（ＨＤＩ）等のアルキレンジイソシアネートの付加体を
使用してもよい。この他、テトラグリシジルメタキシレ
ンジアミン、テトラグリシジル−１，３−ビスアミノメ
チルシクロヘキサン、テトラグリシジルアミノジフェニ
ルメタン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール等の
ポリグリシジルアミン化合物、２−ジブチルアミノ−
４，６−ジメルカプト置換トリアジン等のポリチオール
化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等のエポキシ
化合物、エポキシ化合物とイソシアネート化合物の混合
物、エポキシ化合物とオキサゾリン化合物との混合物、
イミダゾール化合物とイソシアネート化合物の混合物、
無水メチルナジン酸等、従来より公知のものはいずれも
使用可能である。これら硬化剤の有機バインダへの配合
割合は、有機バインダ１００重量部に対し５〜８０重量
部、好ましくは１０〜５０重量部である。

【００１６】塗布バックコート層と非磁性支持体との間
に、塗布バックコート層の接着性向上等の目的で、下部
塗布バックコート層を形成してもよい。下部塗布バック
コート層は、有機バインダ単独、あるいはカーボン粉末
および必要に応じて他の非磁性粉末および有機バインダ
を溶剤に溶解し塗料化し、これを非磁性支持体上に塗
布、乾燥することにより形成される。

【００１７】塗布バックコート層形成用の塗料に用いら
れる溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プ
ロピル、酢酸ブチル、乳酸エチル、エチレングリコール
モノアセテート等のエステル類、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチレン
クロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロ
ホルム、ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素等が
使用される。

【００１８】非磁性支持体上に塗布バックコート層を形
成するための塗布方法は特に限定されず、エアドクタコ
ート、ブレードコート、エアナイフコート、スクィズコ
ート、含浸コート、リバースロールコート、トランスフ
ァロールコート、グラビアコート、キスコート、キャス
トコート、エクストルージョンコート、スピンコート等
従来の方法はいずれも採用可能である。非磁性支持体上
に形成された塗布バックコート層は、加熱空気等により
乾燥して有機溶剤を除去し、必要に応じて硬化処理を施
す。

【００１９】薄膜バックコート層に採用される材料とし
ては、例えばカーボン、グラファイト、ダイアモンド状
カーボン、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、
Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＡｌＮ、ＴｉＯ₂ 、Ｃｒ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＮ、
ＴｉＣ、ＺｒＯ₂ 、ＭｇＯ、ＢＮ、ＣｏＯあるいは非磁
性金属等を単独あるいは複合膜として使用される。さら
にはポリパラキシリレン（商品名パリレン）やフッ素樹
脂等、真空薄膜形成技術を適用可能な有機高分子を用い
ることもできる。これら材料を単層あるいは積層で用い
てもよい。

【００２０】薄膜バックコート層の形成方法は、真空薄
膜形成法すなわちＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタ
リング法、イオンビームスパッタリング法、マグネトロ
ンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等の各種
スパッタリング法や、蒸着法、反応性蒸着法、イオンプ
レーティング法等が採用される。プラズマＣＶＤ法やＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等を採用してもよ
い。有機高分子薄膜の場合には、蒸着法や原料モノマガ
スのプラズマ重合により形成することができる。いずれ
の方法においても、非磁性支持体やこの上に設けられた
塗布バックコート層が熱変形しないように非磁性支持体
等を冷却しながら形成することが望ましい。

【００２１】これらバックコート層上に潤滑剤層を形成
してもよい。中でも薄膜型のバックコート層、特にダイ
アモンド状カーボンを採用する場合には、この表面に
０．３ｎｍ以上０．９ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ
以上０．８ｎｍ以下の裏面潤滑剤層を設けることによ
り、安定した走行性、耐久性を有する磁気記録媒体を得
ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体およ
びその製造方法につき、Ｃｏ合金を磁気記録層に採用し
た金属薄膜形の磁気記録テープを例にとり、比較例を交
えながら詳細な説明を加える。

【００２３】本発明の磁気記録媒体の一例の概略断面図
を図１に示す。非磁性支持体１の一方の面には、下塗り
層２、金属薄膜型磁気記録層３、カーボン系保護層４お
よび潤滑剤層５が形成されている。また非磁性支持体１
の他方の面には、バックコート層６および裏面潤滑剤層
７が形成され、８ｍｍＶＴＲ用の金属薄膜型磁気テープ
が構成されている。このうち潤滑剤層４は、０．３ｎｍ
以上０．９ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上０．８
ｎｍ以下の厚さを有している。

【００２４】次に、図１に示した磁気記録媒体の製造方
法の一例を説明する。厚さ９．５μｍ、幅１５０ｍｍの
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムからな
る非磁性支持体１の片面に、アクリル酸エステルを主成
分とする水溶性ラテックスを分散させたエマルジョン溶
液を塗布し、粒子密度１０⁷ 個／ｍｍ ² の表面突起を有
する下塗り層２を形成した。次に下塗り層２上に、リー
ルツーリール方式の連続巻き取り蒸着装置を用いて、金
属薄膜型磁気記録層３を形成した。蒸着条件の一例を下
記に示す。 インゴット材 ： Ｃｏ８０Ｎｉ２０ 重量％ 入射角 ４５〜９０ ° 走行速度 ０．１７ ｍ／ｓｅｃ 酸素導入量 ３．３〜４．０×１０^-6 ｍ³ ／ｓｅｃ 蒸着時真空度 ７×１０^-2 Ｐａ 膜厚 ２００ ｎｍ この金属薄膜型磁気記録層３の磁気特性は、保磁力Ｈｃ
＝１２２０Ｏｅ、残留磁束密度４３００Ｇであった。

【００２５】次にＰＥＴフィルムの他方の面（裏面）に
バックコート層６を形成した。バックコート層６用の塗
料は、一例として下記組成によった。 カーボン粒子 １００ 重量部 （旭カーボン社製 カーボンブラック＃６０） 有機バインダ １００ 重量部 （ポリウレタンを主成分とする） 溶剤 ２５０ 重量部 （メチルエチルケトン／トルエン／シクロヘキサノン＝
２／２／１） この組成物をボールミルで混合し、塗布直前に硬化剤
（コロネートＬ）を５重量部添加した。この塗料をグラ
ビアコータにより、乾燥塗布厚が０．６μｍとなるよう
に塗布した。

【００２６】次に、金属薄膜型磁気記録層３上にカーボ
ン系保護層４を形成した。図２にカーボン系保護層４形
成用のＣＶＤ装置の一例として、プラズマＣＶＤ装置の
概略断面図を示す。非磁性支持体１の一方の面に下塗り
層２、金属薄膜型磁気記録層３、他の面にバックコート
層６を形成した被処理体ウェブ１１を、巻きだしロール
１３から供給し、ガイドロール１２、成膜ロール１９、
ガイドロール１２を経由して走行させ、巻き取りロール
１４に巻き取る。成膜ロール１９の軸方向の全長には、
その上部の開口を有する反応管１５が配設されている。
反応管１５の下部にはガス導入口１８が連結され、ここ
から炭化水素系ガスを主成分とする反応ガスが導入され
る。反応管１５内にはＤＣ電源１７からの＋５００〜２
０００ＶのＤＣ電圧が印加されるメッシュ状の電極１６
が収納されており、接地電位の成膜ロール１９との間で
炭化水素系ガスのプラズマを生成し、走行する被処理体
ウェブ１１表面に連続的にカーボン系保護層を形成する
ことができる。これらの構成部材は、真空チャンバ２２
内に収容され、チャンバ内を排気系２１により所望の真
空度に制御することが可能である。

【００２７】図２に示すプラズマＣＶＤ装置により、先
に形成した金属薄膜型磁気記録層３上にカーボン系保護
層４を成膜した。プラズマＣＶＤ条件の一例を下記に示
す。 導入ガス：キャリアガスで希釈したトルエン 反応圧力 １０ Ｐａ ＤＣ電圧 １．５ ｋＶ カーボン系保護層膜厚 １０ ｎｍ このようにカーボン系保護層４を形成した長尺の試料を
作製し、これに潤滑剤層５を塗布して実施例１〜４、お
よび比較例１〜５の各磁気記録媒体を製造した。

【００２８】実施例１ 構造式（１）で示されるパーフルオロポリエーテルを採
用し、潤滑剤層５を０．３９ｎｍの乾燥後厚さに形成し
た。 Ｆ（ＣＦ₂ ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｏ）_n ＣＦ₃ （１） ただしｎは５００ないし５０００程度の自然数である。

【００２９】潤滑剤層５の形成にあたっては、溶剤とし
て構造式（２）で示されるガルデンモノカルボン酸（Ｇ
ａｌｄｅｎ ｍｏｎｏ ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ａｃｉ
ｄ、アウジモント社商品名、フッ点約８０℃）を採用
し、パーフルオロポリエーテルを所定濃度に溶解た潤滑
剤溶液中に、先に作製した長尺試料を一定速度で浸漬走
行させ、連続的にディップコーテイングした。この際、
バックコート層６上にも裏面潤滑剤層７が同時に形成さ
れた。潤滑剤層５が形成された長尺試料を８ｍｍ幅に裁
断後、カセットに収納して実施例１の磁気記録媒体を完
成した。

【００３０】

【化１】

【００３１】実施例２〜４および比較例１〜５ 潤滑剤溶液の濃度、および長尺試料の走行速度を変えて
潤滑剤層５の厚さを０．２８ｎｍから２．９８ｎｍの範
囲で変えた他は、前実施例１に準拠して実施例２〜４お
よび比較例１〜５の磁気記録媒体を製造した。個別試料
の潤滑剤層５の厚さについては、〔表１〕に後掲する。

【００３２】これら各実施例および比較例の９種の磁気
記録媒体につき、市販の８ｍｍビデオテープレコーダを
改造した試験機、および後述するステンレスガイドピン
を有する摩擦試験機を用いて特性を評価した。評価項目
は、摩擦係数、スチル特性およびシャトル特性の３項目
である。以下、各測定項目の測定評価方法を示す。

【００３３】摩擦係数の測定 測定装置の概略を図３に示す。ステンレス製のガイドピ
ンＤを水平に配置し、この外周面に角度θにわたって磁
気記録媒体Ｐの潤滑剤層５側を案内させる。磁気記録媒
体Ｐの一端に、おもりＷを係合し、このおもりＷにより
テンションＴ１をかける。磁気記録テープＰの他端は、
一定速度で移動する力測定装置Ｍの検出端に係合し、ガ
イドピンＤと磁気記録テープＰとの摺動時のテンション
Ｔ２の測定をおこなう。このとき下式（１１）の関係が
成り立つ。 Ｔ２／Ｔ１＝ｅｘｐ（μ・θ） （１１） （１１）式より、摩擦係数μは下式（１２）より求めら
れる。 μ＝（１／θ）ｌｎ（Ｔ２／Ｔ１） （１２） 実際の測定は、恒温高湿糟中４０℃８０％の雰囲気で８
ｍｍＶＴＲ試験機により１００回シャトル走行させた
後、および走行前の磁気記録媒体について、Ｗ＝１０ｇ
ｆ、θ＝９０°、Ｖ＝２０ｍｍ／ｓｅｃの条件を用い、
２５℃５０％ＲＨの測定環境下でおこなった。

【００３４】シャトル測定 ２５℃５０％ＲＨの測定環境下で８ｍｍＶＴＲ試験機に
より１００回シャトル走行させた後、その再生出力を初
期再生出力と比較した。

【００３５】スチル測定 −５℃に制御した恒温糟中でスチル再生し、再生出力が
初期再生出力から３ｄＢ落ちるまでの時間を測定した。

【００３６】以上の各測定結果を〔表１〕にまとめて示
す。

【００３７】

【表１】

【００３８】〔表１〕から明らかなように、潤滑剤層５
の厚さが０．３ｎｍ以上０．９ｎｍ以下の実施例の磁気
記録媒体は、各測定項目ともに満足すべき結果が得られ
ることがわかる。これに対し、潤滑剤層５の厚さが０．
３ｎｍに満たない比較例１の磁気記録媒体は、スチル特
性およびシャトル特性が不充分である。また潤滑剤層５
の厚さが０．９ｎｍを超える比較例２〜５の磁気記録媒
体は、やはりスチル特性およびシャトル特性が不充分で
あり、特に比較例４〜５については貼り付き現象により
摩擦係数の測定は不可能であった。

【００３９】以上、本発明の磁気記録媒体およびその製
造方法につき詳細な説明を加えたが、これらは単なる例
示であり、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
ではない。

【００４０】実施例では潤滑剤として化学式（１）で示
されるパーフルオロポリエーテルを採用したが、下式
（３）〜（１０）にその一部を示す各種パーフルオロポ
リエーテル化合物を採用して、その塗布厚を所定範囲内
におさめることにより、同様の効果がえられる。

【００４１】

【化２】

【００４２】バックコート層の材料としても、ダイアモ
ンド状カーボンのようなカーボン系材料を採用する場合
には、この上に形成する裏面潤滑剤層の厚さを０．３ｎ
ｍ以上０．９ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上０．
８ｎｍ以下とすることにより、磁気記録媒体の走行性能
や耐久性をさらに向上することができる。

【００４３】また、実施例は磁気記録媒体としてＣｏ−
２０％Ｎｉの合金組成による薄膜型の磁気記録テープを
例示したが、この合金組成にかかわらず各種の薄膜型磁
気記録テープに適用が可能である。また非磁性支持体と
してＡｌ系金属やガラス、セラミックス等を採用するハ
ードデイスク型の磁気記録媒体についても、潤滑剤層の
厚さを０．３ｎｍ以上０．９ｎｍ以下、好ましくは０．
５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下とすることにより、磁気記録
層の耐久性が得られ、ヘッドクラッシュ等を低減するこ
とができる。

【００４４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば特定膜厚の潤滑剤層の採用により、磁気記録媒
体の走行性、耐久性を向上することができる。したがっ
て、かかる磁気記録媒体の採用により、高密度磁気記録
再生システム全体の信頼性を高めることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体を磁気記録テープに適用
した例の概略断面図である。

【図２】プラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図で
ある。

【図３】摩擦係数の測定装置の概略を示す図である。

【符号の説明】

１…非磁性支持体、２…下塗り層、３…金属薄膜型磁気
記録層、４…カーボン系保護層層、５…潤滑剤層、６…
バックコート層、７…裏面潤滑剤層、１１…被処理体ウ
ェブ、１２…ガイドロール、１３…巻きだしロール、１
４…巻き取りロール、１５…反応管、１６…電極、１７
…ＤＣ電源、１８…ガス導入口、１９…成膜ロール、２
１…排気系、２２…真空チャンバ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体の一方の面に、金属薄膜型
   磁気記録層と、カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの
   順に有する磁気記録媒体において、 前記潤滑剤層の厚さは、０．３ｎｍ以上０．９ｎｍ以下
   であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記潤滑剤層の厚さは、０．５ｎｍ以上
   ０．８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
   磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記潤滑剤層は、パーフルオロポリエー
   テル化合物からなることを特徴とする請求項１記載の磁
   気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記カーボン系保護層は、ダイアモンド
   状カーボンからなることを特徴とする請求項１記載の磁
   気記録媒体。
5. 【請求項５】 非磁性支持体の一方の面に、金属薄膜型
   磁気記録層を形成する工程、カーボン系保護層を形成す
   る工程、潤滑剤層を形成する工程とをこの順に有する磁
   気記録媒体の製造方法において、 前記潤滑剤層の厚さを、０．３ｎｍ以上０．９ｎｍ以下
   に形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記潤滑剤層の厚さを、０．５ｎｍ以上
   ０．８ｎｍ以下に形成することことを特徴とする請求項
   ５記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記潤滑剤層を形成する工程は、パーフ
   ルオロポリエーテル化合物を塗布法により形成すること
   を特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記カーボン系保護層を形成する工程
   は、ダイアモンド状カーボンを化学的気相成長法により
   形成することを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体
   の製造方法。