JPH10158637A

JPH10158637A - フォトクロミック材料及びそれを用いた光記録媒体

Info

Publication number: JPH10158637A
Application number: JP8322816A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Yokoyama; 泰横山
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1996-12-03
Filing date: 1996-12-03
Publication date: 1998-06-16

Abstract

(57)【要約】【課題】熱安定性及びフォトクロミック反応の繰り返
し耐久性に優れたフォトクロミック材料及びこのフォト
クロミック材料を用いた光記録媒体を提供する。【解決手段】下記式（III ）で代表されるフルギド系
化合物を含むフォトクロミック材料。このフォトクロミ
ック材料を含む記録部を有する光記録媒体。【化２０】【効果】Ｆを含む置換基の存在により、熱安定性及び
フォトクロミック反応の繰り返し耐久性が著しく高めら
れる。環境安全性、コスト、重量などの面で多くの利点
を有し、耐候性並びに情報の記録・読み取りの繰り返し
耐久性に優れ、信頼性の高い光記録媒体が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はフォトクロミック材
料及びそれを用いた光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フォトクロミック材料とは、光の作用に
より化学結合状態を異にする２つ以上の異性体を可逆的
に生成する、フォトクロミック反応を起こす分子又は分
子集合体を含む材料である。フォトクロミック材料は、
異性体に変化する際に、吸収スペクトル或いは屈折率、
体積などの物性が変化することから、従来、この変化を
光記録に応用することが研究されてきた。

【０００３】従来提案されているフォトクロミック材料
のうち、フルギド系化合物としては、次のようなものが
知られている（Ａ．Ｋａｎｅｋｏｅｔ．ａｔ．，Ｂｕ
ｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．６１３５６９（１
９８８））。

【０００４】

【化４】

【０００５】その他、スピロオキサジン系化合物、ジア
リルエテン系化合物などがあり、これらのフルギド系化
合物については、季刊化学総説「有機フォトクロミスム
の化学」（学会出版センター）に詳述されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来のフォトクロ
ミック材料を用いた光記録媒体は、無機材料を用いた光
記録媒体に比べて、環境安全性、コスト、重量など、多
くの点で優れているにもかかわらず、熱安定性や記録・
読み取りの繰り返し耐久性に劣るという欠点がある。即
ち、従来のフォトクロミック材料は、熱による劣化を受
け易く、また、フォトクロミック反応の繰り返し耐久性
に劣るという実用上重大な欠点があった。

【０００７】従来、この問題に対処するために酸化防止
剤の添加など間接的な手段が試みられてきたが、フォト
クロミック分子自体の熱安定性やフォトクロミック反応
の繰り返し耐久性の改善には到っていない。

【０００８】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、熱安定性、フォトクロミック反応の繰り
返し耐久性に優れたフォトクロミック分子よりなるフォ
トクロミック材料及びこのフォトクロミック材料を用い
た光記録媒体を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のフォトクロミッ
ク材料は、下記一般式で表されるフルギド系化合物を含
むことを特徴とする。

【００１０】

【化５】

【００１１】（（Ｉ）式中、ＸはＣＦ₃，ＣＦＲ₂又は
ＣＦ₂Ｒ（ただし、Ｒは水素原子又はアルキル基を示
し、ＣＦＲ₂において、Ｒ₂は同一の置換基で構成され
ていても異なる置換基で構成されていても良い。）を示
し、Ｙ，Ｚはそれぞれ独立してＯ，Ｓ，Ｓｅ又はＮ−Ｒ
（ただし、Ｒは水素原子又はアルキル基を示す。）を示
し、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³はそれぞれ独立して水素原子或い
は置換基を有していても良いアルキル基又はアルコキシ
基を示し、Ｌは置換基を有していても良いアルキル基又
はアミノ基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、
ｎ＝２のとき、（Ｌ）₂は同一の置換基で構成されてい
ても異なる置換基で構成されていても良く、また、
（Ｌ）₂は、Ｚを含むヘテロ五員環の炭素と共に、置換
基を有していても良い飽和又は不飽和の環；例えば、置
換基を有していても良いベンゼン環、インドリル環、ナ
フタレン環等の不飽和の環又はシクロヘキセン環等の飽
和の環を形成していても良い。）本発明に係るフルギド系化合物は、好ましくは、下記一
般式（II）で表され、より好ましくは下記構造式（III
）で表される化合物である。

【００１２】

【化６】

【００１３】

【化７】

【００１４】本発明の光記録媒体は、光の照射により情
報の記録・読み取りが可能な記録部を有する光記録媒体
であって、該記録部に上記本発明のフォトクロミッック
材料が含まれているものである。

【００１５】即ち、本発明者は、従来のフォトクロミッ
ク材料のうち、特に、フルギド系化合物に着目し、添加
物などによる間接的手段ではなく、分子修飾という直接
的な手段によって該フルギド系化合物の熱安定性及びフ
ォトクロミック反応の繰り返し耐久性の向上を図るべく
鋭意検討を重ねた結果、フルギド系化合物にＣＦ₃等の
フッ素を含有する置換基を導入することにより、熱安定
性及びフォトクロミック反応の繰り返し耐久性が著しく
向上することを見出し、本発明を完成させた。

【００１６】本発明によれば、上記一般式（Ｉ）の置換
基Ｘ（＝ＣＦ₃，ＣＦＲ₂又はＣＦ₂Ｒ）の存在によ
り、熱安定性及びフォトクロミック反応の繰り返し耐久
性が著しく高められ、耐候性並びに記録及び読み取りの
繰り返し耐久性に優れた光記録媒体を提供することが可
能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。

【００１８】本発明のフォトクロミック材料は、前記一
般式（Ｉ）で表されるフルギド系化合物を含むものであ
る。このフルギド系化合物は、紫外光又は可視光の照射
により、下記のようにシス型の開環体（以下「Ｅ体」と
称す。）と閉環体（以下「Ｃ体」と称す。）とに可逆的
に変化する。

【００１９】

【化８】

【００２０】前記一般式（Ｉ）において、ＸはＣＦ₃，
ＣＦ₂Ｒ，又はＣＦＲ₂（ＲはＨ又はアルキル基）であ
るが、ここで、Ｒのアルキル基としてはメチル基、エチ
ル基、プロピル基等の炭素数１０以下のアルキル基が好
ましい。なお、ＸがＣＦＲ₂のとき、Ｒ₂は同一の置換
基で構成されても良く、異なる置換基で構成されても良
い。

【００２１】また、Ｙ，Ｚはそれぞれ独立してＯ，Ｓ，
Ｓｅ，Ｎ−Ｒ（ＲはＨ又はアルキル基）である。即ち、
本発明に係るフルギド系化合物は、ヘテロ五員環として
フラン環、チオフェン環、セレノフェン環及び／又はピ
ロール環を有するものである。なお、Ｎ−ＲのＲのアル
キル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭
素数１０以下のアルキル基が好ましい。

【００２２】Ｌは置換基を有していても良い、アルキル
基又はアミノ基を示し、ここで、アルキル基としてはメ
チル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１０以下のア
ルキル基、アミノ基としてはジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基等が好ましい。

【００２３】（Ｌ）_nのｎは０，１又は２を示すが、ｎ
＝２のとき、（Ｌ）₂は同一の置換基で構成されていて
も異なる置換基で構成されていても良い。また（Ｌ）₂
はＺを含むヘテロ五員環と共に環を形成していても良
く、この場合、形成される環は、ベンゼン環、インドリ
ル環、ナフタレン環等の不飽和の環又はシクロヘキセン
環等の飽和の環が挙げられる。

【００２４】Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³はそれぞれ独立してＨ或
いは置換基を有していても良いアルキル基又はアルコキ
シ基を示し、ここでアルキル基としてはメチル基、エチ
ル基、プロピル基等の炭素数１０以下のアルキル基が挙
げられる。また、アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基等の炭素数１０以下のアルコキシ基が挙げられ
る。

【００２５】本発明に係るフルギド系化合物は、特に、
前記一般式（II）で表される化合物が好ましい。前記一
般式（II）において、Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷は、それ
ぞれ独立してＨ或いは置換基を有していても良いアルキ
ル基又はアルコキシ基を示し、ここでアルキル基として
はメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１０以下
のアルキル基が挙げられる。また、アルコキシ基として
はメトキシ基、エトキシ基等の炭素数１０以下のアルコ
キシ基が挙げられる。

【００２６】なお、前記Ｌ及びＲ¹〜Ｒ⁷に導入される
置換基としては、アルキル基，アルコキシ基，アミノ
基，アルキルアミノ基，ニトロ基，水酸基，ハロゲン
基，スルホン基，芳香環を含むアルキル基などが挙げら
れる。

【００２７】本発明に係るフルギド系化合物としては、
特に、前記構成式（III ）で表されるＣＦ₃置換インド
リルフルギドが好適である。

【００２８】このようなフルギド系化合物を含有する記
録部を有する本発明の光記録媒体は、公知の方法に準じ
て容易に得ることができる。

【００２９】例えば、次の [１] 又は [２] の方法に従
って記録層を形成することにより、本発明の光記録媒体
を製造することができる。

【００３０】[１] 前記フルギド系化合物を、必要に
応じて、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビ
ニルブチラール樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリ酢酸ビニル、酢酸
セルロース、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のバイン
ダーと共に、必要に応じて、四塩化炭素、ベンゼン、シ
クロヘキサン、メチルエチルケトン、テトラクロロエタ
ン等の溶媒に分散又は溶解させて、適当な基板上に塗布
するか、或いは、公知の蒸着法又は他の化合物との共蒸
着法により、適当な基板上に蒸着するなどにより、基板
上に記録層を成膜する。 [２] 前記フルギド系化合物を上述の様な溶媒に溶解
し、ガラスセル等に封入する。

【００３１】なお、 [１] の方法において、使用される
基板としては、使用する光に対して透明又は不透明のい
ずれでも良い。基板材料の材質としては、ガラス、プラ
スチック、紙、板状又は箔状のアルミニウム等の金属等
の一般の記録材料の支持体が挙げられ、これらのうちプ
ラスチックが種々の点から好適である。プラスチックと
しては、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられる。

【００３２】このような基板上に形成する記録層の膜厚
は、２ｎｍ〜５０μｍ、特に１０ｎｍ〜３０μｍとする
のが好ましい。

【００３３】また、成膜法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、ドク
ターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など
一般に行なわれている薄膜形成法を採用することができ
る。

【００３４】なお、成膜にバインダーを用いる場合、成
膜されたフィルム中の本発明に係るフルギド系化合物の
含有量には特に制限はなく、当該化合物の吸光度とその
変化量及び所望とするスペックを考慮して適宜決定され
る。

【００３５】本発明において、記録層にはその耐候性向
上等の目的で紫外線硬化樹脂等の公知の保護膜を厚さ１
〜１００μｍ程度に形成するのが好ましい。

【００３６】上記の記録層は、基板の両面に設けても良
いし、片面だけに設けても良い。

【００３７】上記のようにして得られる本発明の光記録
媒体への記録は、基体の両面又は片面に設けた記録層或
いはセル中の記録層に集束した光をあてることにより行
なう。しかして、光照射された部分は、光エネルギーの
吸収により構造変化が起こる。記録された情報の再生は
光による構造変化が起きている部分と起きていない部分
の吸光度又は反射率の差を読みとることにより行なうこ
とができる。

【００３８】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施
例により限定されるものではない。

【００３９】実施例１：ＣＦ₃置換インドリルフルギド
の合成前記構造式（III ）で表されるＣＦ₃置換インドリルフ
ルギドを下記のような経路で合成した。なお、以下にお
いてＭｅはメチル基，Ｂｕはブチル基を示す。

【００４０】

【化９】

【００４１】１，２−ジメチルインドールの合成

【００４２】

【化１０】

【００４３】１００ｍｌ二ツ口フラスコに水素化ナトリ
ウム（６０％ｉｎｏｉｌ）０．９６ｇ（２４ｍｍｏ
ｌ）を入れ窒素置換し、溶媒としてＴＨＦ（テトラヒド
ロフラン）１６ｍｌを加え、氷浴で溶液を０℃にした。
これに２−メチルインドール３．１８ｇ（２４．２ｍｍ
ｏｌ）をＴＨＦに溶かしたものを滴下して（１ｄｒｏｐ
／ｓｅｃ）、６０分撹拌した。更に、ヨードメタン１．
９２ｍｌ（３０ｍｍｏｌ）を加え、１２０分撹拌した。
その後、水を加えて反応を終了し、水層を酢酸エチルで
３回抽出した。集めた有機層を飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムを入れて乾燥した。これを、吸引濾過
した後、溶媒をエバポレーターで減圧留去し、残査をフ
ラッシュカラムクロマトグラフィー（１００％：ヘキサ
ン）で精製した。収量１．７６ｇ（１２．１ｍｍｏ
ｌ）、収率５０％で、生成物の分析結果（ＮＭＲスペク
トル）は下記の通りであった。

【００４４】

【化１１】

【００４５】３−（１，２ジメチルインドリル）ト
リフルオロメチルケトンの合成

【００４６】

【化１２】

【００４７】３００ｍｌニツ口フラスコに、で合成し
た１，２−ジメチルインドール４．７００５ｇ（３２ｍ
ｍｏｌ）と２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチル
ピリジン４．９ｇ（２４ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換し
た。これに、蒸留して脱水したベンゼン１３０ｍｌを加
え、氷浴で溶液を０℃にした。更に、ベンゼン１００ｍ
ｌに溶かしたトリフルオロアセチルトリフレート４．５
ｇ（１８．３ｍｍｏｌ）を滴下し（１ｄｒｏｐ／ｓｅ
ｃ）、溶液を徐々に室温に戻した。２時間後、反応を終
了し、吸引濾過によりトリフレート塩を除去した後、水
を加え、水層を酢酸エチルで３回抽出した。集めた有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを入れて
乾燥した。これを、吸引濾過した後、溶媒をエバポレー
ターで減圧留去し、残査をフラッシュカラムクロマトグ
ラフィー（５％：酢酸エチル／ヘキサン）で精製した。
収量１．８５９２ｇ（７．７１ｍｍｏｌ）、収率４２％
で、生成物の分析結果（ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペク
トル、質量分析、融点）は下記の通りであった。

【００４８】

【化１３】

【００４９】ジメチルイソプロピリデンサクシネー
トの合成

【００５０】

【化１４】

【００５１】５００ｍｌ三ツ口フラスコに、カリウム−
ｔｅｒｔ−ブトキシド８．５０ｇ（７７．３ｍｍｏｌ）
を５０ｍｌ滴下漏斗に蒸留したアセトン７．５ｍｌ（１
０２ｍｍｏｌ）と蒸留したジメチルサクシネート１２．
５ｍｌ（７５．１ｍｍｏｌ）をそれぞれ入れて、窒素置
換した。蒸留したｔｅｒｔ−ブタノール７５ｍｌを加
え、還流しながら１ｄｒｏｐ／ｓｅｃの速さで滴下漏斗
から滴下した。滴下終了後、９０分還流を続けた後放冷
し、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。その後、水
とエーテルを加えて分液漏斗で水層と有機層に分液し
た。水層を酢酸エチルで抽出し、無水硫酸ナトリウムを
入れ一晩撹拌した。その後、硫酸ナトリウムを吸引濾過
により除去し、エバポレーターで溶媒を減圧留去した
後、３００ｍｌナス型フラスコに移して、メタノール５
０ｍｌと濃硫酸２ｍｌを加えて２時間３０分還流した。
還流後エバポレーターで溶媒を減圧留去した後、エーテ
ルを加え１０％ＮａＯＨ水溶液で３回洗浄した。水層を
２回エーテルで抽出し、無水硫酸ナトリウムを加え一晩
撹拌した。その後、吸引濾過により硫酸ナトリウムを除
去した後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。その
後、減圧蒸留（７．０ｍｍＨｇ，９１０℃）で精製し
た。収量８．８８１２ｇ（４７．７ｍｍｏｌ），収率６
４％で、生成物の分析結果（ＮＭＲスペクトル）は下記
の通りであった。

【００５２】

【化１５】

【００５３】３−（１，２−ジメチルインドリル）
トリフルオロメチルケトンとジメチルイソプロピリデン
サクシネートのＳｔｏｂｂｅ縮合

【００５４】

【化１６】

【００５５】１００ｍｌ二ツ口フラスコに２，２−ビピ
リジルを微量入れ窒素置換し、ＴＨＦ５ｍｌを加えた。
これに蒸留したジイソプロピルアミン０．０９７ｍｌ
（０．６９ｍｍｏｌ）を加え、寒剤浴で−７０℃に冷や
し、この温度を維持しつつ、ｎ−ブチルリチウム／ヘキ
サン溶液（１．４７ｍｍｏｌ／ｄｍ³）を０．４４ｍｌ
（０．６４ｍｍｏｌ）加え、で合成したジメチルイソ
プロピリデンサクシネート０．１０２９ｇ（０．５５ｍ
ｍｏｌ）をＴＨＦ３ｍｌに溶かし滴下（１ｄｒｏｐ／ｓ
ｅｃ）した。滴下収量後、で合成した３−（１，２−
ジメチルインドリル）トリフルオロメチルケトン０．１
１４１ｇ（０．４６ｍｍｏｌ）をＴＨＦに溶かし加え
た。その後、３時間、−７０℃位に保ちながら撹拌を続
け、徐々に温度を上げ寒剤浴をはずした。４日間撹拌し
た後、５ＭＨＣｌ水溶液１０ｍｌを加え酸性にし、水層
を酢酸エチルで５回抽出した。集めた有機層を飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを入れて乾燥した。こ
れを吸引濾過した後、溶媒をエバポレーターで減圧留去
した。残査をフラッシュカラムクロマトグラフィー（５
％：酢酸エチル／ヘキサン）で精製した。

【００５６】ハーフエステルの加水分解

【００５７】

【化１７】

【００５８】３０ｍｌ二ツ口フラスコにで合成したハ
ーフエステル、メタノール１ｍｌ、ＫＯＨ０．９ｇ及び
水０．４ｍｌを入れ、２時間還流した。その後、エバポ
レーターで溶媒を減圧留去し、５ＭＨＣｌ水溶液を加え
て酸性にした。次いで、酢酸エチルを加え分液漏斗で水
層と有機層に分け、水層を酢酸エチルで抽出した。飽和
食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加えて一晩
撹拌し、吸引濾過した後、エバポレーターで溶媒を減圧
留去して真空乾燥した。

【００５９】脱水環化

【００６０】

【化１８】

【００６１】１００ｍｌ二ツ口フラスコにで得た加水
分解生成物のジカルボン酸０．２７５３ｇ（０．７２３
ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換してＴＨＦを加えた。これ
に、暗所でＮ−トリフルオロアセチルイミダゾール０．
１６ｍｌ（１．４ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した
後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。

【００６２】ＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）に
よる単離サンプル管にで合成したフルギドを５０ｍｇ秤りと
り、ジクロロメタンにできるだけ飽和させるように溶か
した。この溶液を２０ｃｍ×２０ｃｍのシリカゲルＴＬ
Ｃ板２枚分にスポットした。これをシリカゲル面が内側
になるように展開層（４０％：酢酸エチル／ヘキサン）
につけた。展開層のなかには、系の中が展開溶媒で飽和
するように濾紙を二枚入れておいた。展開後、シリカゲ
ルの必要な部分を削りとり三角フラスコに入れた。そこ
に酢酸エチルを入れて抽出した後、吸引濾過でシリカゲ
ルを取り除いた。エバポレーターで溶媒を減圧留去し、
ジエチルエーテルとヘキサンを用いて再結晶した。収量
及び収率は下記の通りであった。再結晶前：収量７０．０ｍｇ（０．１９３ｍｍｏｌ）、
収率３％（対ケトン）再結晶後：収量１５．４ｍｇ（０．０４２ｍｍｏｌ）、
収率０．８％（対ケトン）得られた生成物の分析結果（ＮＭＲスペクトル、ＩＲス
ペクトル、質量分析、融点）は下記の通りであった。な
お、ＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトルは各々図１，
２に示す。

【００６３】

【化１９】

【００６４】実施例２：ＣＦ₃置換インドリルフルギド
のフォトクロミック反応実施例１で合成したＣＦ₃置換インドリルフルギドのフ
ォトクロミック反応の繰り返し耐久性及び熱安定性を調
べた。

【００６５】なお、フィルムの作製に用いた溶液の調製
方法、試験に用いた光照射装置、光強度の測定方法は下
記の通りである。

【００６６】[溶液の調整]実施例１で再結晶により精製
したフルギドのＥ体１４．４ｍｇを精秤した。これを、
２５ｍｌのトルエン溶液とすることで１．５９×１０^-3
ｍｏｌ／ｄｍ³のフルギド溶液を調製した。このうちの
３．２ｍｌをホールピペットで採取し、５０ｍｌに希釈
してフルギドのＥ体の約１×１０^-4ｍｏｌ／ｄｍ³トル
エン溶液を調製した（以下、この溶液を「フルギド−Ｅ
標準溶液」と称す。）。

【００６７】[光照射装置]図３（ａ），（ｂ）に示す構
成のものを用いた。

【００６８】[光強度の測定]照射光強度は、フォトメー
ターで測定した。フォトメーターの感度には波長依存性
がある。また、１ｃｍ角石英セルを用いる場合、セルに
よる反射を考慮に入れなければならない。そこで、フォ
トメーターの指示値を次式によって補正した。補正値＝Ａ（Ｐ／Ｓ−Ｂ）Ａ，Ｂ：石英セルの透過率、反射率を考慮に入れた補正
係数（Ａ＝０．８９６，Ｂ＝０．００４）Ｓ：フォトメーターの感度（４０５ｎｍ：０．８４
５５９ｎｍ：０．９７）Ｐ：フォトメーターの指示値繰り返し耐久性試験フィルムの作成三角フラスコにポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
０．２５ｇを入れ、ジクロロメタン２０ｍｌに溶かし
た。これにフルギド−Ｅ標準溶液２ｍｌをホールピペッ
トで加え撹拌した。この溶液をフラットシャーレ（直径
８．３ｃｍ）に移し、平らな場所に放置し、溶媒を飛ば
した。溶媒が完全に飛んだらシャーレに水を入れてフィ
ルムを取り出し、濾紙に挟んで水分を取った。フィルム
は数時間真空乾燥して用いた。このフィルムのフルギド
濃度Ｃ_fは９．５２×１０^-4ｍｏｌ／１で、厚さ（マイ
クロメーターで測定）は３０μｍであった。

【００６９】なお、フィルムのフルギド濃度Ｃ_fは以下
のようにして求めた。フルギドの物質量をＣ、フルギド
分散系の密度をｄ、ポリマーの重量をＷとすると、ポリ
マー中のフルギドの濃度Ｃ_fは次式で与えられる。Ｃ_f＝Ｃｄ／Ｗいま、Ｃ＝２×１０^-7ｍｏｌ，ｄ＝１．１９ｇ／ｃ
ｍ³，Ｗ＝０．２５ｇであるのでＣ_f＝９．５２×１０^-4ｍｏｌ／ｌである。

【００７０】試験方法作成したフルギドを含むＰＭＭＡフィルムを適当な大き
さに切り、紫外可視吸収スペクトル用石英セル（光路長
１ｃｍ）に張り付けた。このフィルムに紫外光を照射
し、光定常状態にした。この状態をサイクル０とし、こ
の時のＣ体のλ_maxにおける吸光度をＡ₀（＝０．００
９）とする。このセルを図３（ａ），（ｂ）のような装
置に組み込み可視光２ｍｉｎ、紫外光１０ｍｉｎを繰り
返し照射したときのＣ体のλ_maxにおける吸光度Ａ_nの
変化を測定した。可視光、紫外光の切り替えはタイマー
を用いた。

【００７１】比較のため、前記従来のフルギド系化合物
（ｉ），（ii）についても同様にしてフィルムを作製
し、同様に吸光度の測定を行った。結果を図４に示す。
図４より、既存の化合物（ｉ），（ii）が４００サイク
ル以前に劣化するのに比べて、本発明に係る化合物は１
０００サイクル以上の繰り返し後にも吸光度の低下がな
く、フォトクロミック性の繰り返し耐久性に優れること
が確認された。

【００７２】熱安定性試験フィルムの作成三角フラスコにポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
０．５ｇを入れ、ジクロロメタン２０ｍｌに溶かした。
これに、フルギド−Ｅ標準溶液５ｍｌをホールピペット
で加えて撹拌した。この溶液をフラットシャーレ（直径
８．３ｃｍ）に移し、平らな場所に放置して溶媒を飛ば
した。溶媒が完全に飛んだらシャーレに水をいれてフィ
ルムを取り出し、濾紙に挟んで水分を取った。フィルム
は数時間真空乾燥して用いた。このフィルムのフルギド
濃度Ｃ_fは０．０１１９ｍｏｌ／ｌで、厚さ（マイクロ
メーターで測定）は６４μｍであった。

【００７３】試験方法作成したフルギドを含むＰＭＭＡフィルムを適当な大き
さに切り、１ｃｍ角石英セルの光透過面に張り付けた。
このフィルムに紫外光を８０分照射して光定常状態にし
た。この時のＣ体のλ_maxにおける吸光度をＡ₀とす
る。このフィルムを８０℃の恒温層に放置し、数日おき
にＣ体のλ_maxにおける吸光度Ａ_nを測定した。恒温層
は、ガスクロマトグラフィーのオーブン部分を用いた。

【００７４】比較のため、前記従来のフルギド系化合物
（ｉ），（ii）についても同様にしてフィルムを作製
し、同様に吸光度の測定を行った。得られた結果を図５
に示す。図５より、既存の化合物（ｉ），（ii）の吸光
度が回数とともに低下（Ａ_n／Ａ₀値）するのに対し
て、本発明に係る化合物は吸光度は殆ど低下せず優れた
熱安定性を示すことが確認された。

【００７５】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のフォトオク
ロミック材料は、熱安定性及びフォトクロミック反応の
繰り返し耐久性に優れる。このため、このフォトクロミ
ック材料を用いた本発明の光記録媒体によれば、環境安
全性、コスト、重量などの面で多くの利点を有し、か
つ、耐候性並びに情報の記録・読み取りの繰り返し耐久
性に優れ、信頼性の高い光記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で合成したＣＦ₃置換インドリルフル
ギドの ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。

【図２】実施例１で合成したＣＦ₃置換インドリルフル
ギドのＩＲスペクトル（ヌジョール）を示すグラフであ
る。

【図３】実施例２で用いた光照射装置の構成を示す説明
図である。

【図４】実施例２におけるフォトクロミック反応の繰り
返し耐久性の試験結果を示すグラフである。

【図５】実施例２における熱安定性の試験結果を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１５００Ｗ超高圧水銀ランプ２５００ＷＸｅｎｏｎランプ３石英セル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式で表されるフルギド系化合物
を含むフォトクロミック材料。【化１】（（Ｉ）式中、ＸはＣＦ₃，ＣＦＲ₂又はＣＦ₂Ｒ（た
だし、Ｒは水素原子又はアルキル基を示し、ＣＦＲ₂に
おいて、Ｒ₂は同一の置換基で構成されていても異なる
置換基で構成されていても良い。）を示し、Ｙ，Ｚはそ
れぞれ独立してＯ，Ｓ，Ｓｅ又はＮ−Ｒ（ただし、Ｒは
水素原子又はアルキル基を示す。）を示し、Ｒ¹，
Ｒ²，Ｒ³はそれぞれ独立して水素原子或いは置換基を
有していても良いアルキル基又はアルコキシ基を示し、
Ｌは置換基を有していても良いアルキル基又はアミノ基
を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎ＝２のと
き、（Ｌ）₂は同一の置換基で構成されていても異なる
置換基で構成されていても良く、また、（Ｌ）₂は、Ｚ
を含むヘテロ五員環の炭素と共に、置換基を有していて
も良い飽和又は不飽和の環を形成していても良い。）
【請求項２】請求項１において、フルギド系化合物が
下記一般式（II）で表される化合物であるフォトクロミ
ック材料。【化２】（（II）式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵，Ｒ⁶，
Ｒ⁷はそれぞれ独立して水素原子或いは置換基を有して
いても良いアルキル基又はアルコキシ基を示す。）
【請求項３】請求項２において、フルギド系化合物が
下記構造式（III ）で表される化合物であるフォトクロ
ミック材料。【化３】
【請求項４】光の照射により情報の記録・読み取りが
可能な記録部を有する光記録媒体であって、該記録部に
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のフォトクロミ
ック材料が含まれていることを特徴とする光記録媒体。