JPH10150071A

JPH10150071A - 半導体装置の製造方法および半導体装置

Info

Publication number: JPH10150071A
Application number: JP8308156A
Authority: JP
Inventors: Masako Sasaki; 雅子佐々木; Takayuki Okinaga; 隆幸沖永; Tomoaki Shimoishi; 智明下石; Hideki Tanaka; 英樹田中
Original assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Priority date: 1996-11-19
Filing date: 1996-11-19
Publication date: 1998-06-02

Abstract

(57)【要約】【課題】ＴＣＰ構造を有する半導体装置の製造時間を
短縮する。【解決手段】半導体チップ１の主面上に配置された複
数のボンディングパッド１ＢＰに、テープキャリア２上
に配置された複数のリード２Ｌを電気的に接続するとと
もに、その半導体チップ１の主面を封止樹脂によって封
止してなるＴＣＰ構造を有する半導体装置を製造する際
に、複数のボンディングパッド１ＢＰのうちの所定のボ
ンディングパッド１ＢＰ１と、複数のリード２Ｌのうち
の所定のリード２Ｌ１との接続状態を、その間にバンプ
電極を介在させるか否かにより選択的に切り換える工程
と、前記複数のボンディングパッド１ＢＰと複数のリー
ド２Ｌとをバンプ電極を介して一括して接合する工程と
を有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法および半導体装置技術に関し、特に、ＴＣＰ（Tape
Carrier Package）を有する半導体装置技術に適用して
有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】小形で、薄く、しかも高機能を有する電
子機器の開発および製造に伴い、電子機器を構成するパ
ッケージにおいて、薄形実装が可能であり、しかも多ピ
ンにできるＴＣＰが注目を集めている。

【０００３】このＴＣＰは、テープキャリアに繰り返し
形成された導体リードと半導体チップの電極とを重ね合
わせ接合し、その半導体チップを封止樹脂等によって封
止した構造のパッケージである。

【０００４】なお、ＴＣＰについては、例えば特開平５
−２１５１４号公報に記載があり、この文献には、イン
ナーリードボンディング時に半導体チップに加わる過大
圧力を緩和すべく、半導体チップ上には、その内部回路
と絶縁されたダミー突起電極を設け、テープキャリア上
にはＴＣＰ外部と電気的に接続されないダミーリードを
設け、そのダミー突起電極とダミーリードとを、通常の
半導体チップ上の突起電極とテープキャリア上のリード
とのボンディング工程時に同時にボンディングしてある
半導体装置が開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ＴＣＰにお
いては、以下の問題があることを本発明者は見出した。

【０００６】第１に、半導体チップの回路機能等の変更
に応じてテープキャリアを設計・製造し直さなければな
らず、半導体装置の製造に多大な時間と費用とがかかる
という問題がある。

【０００７】例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access
Memory）等のようなメモリ製品においては、顧客の要求
仕様によって、同一の半導体チップにおいて、ＦＰモー
ド（First Page Mode)とＥＤＯページモード（Extended
Data Out Page mode)との機能切り替えを行う場合があ
る。この場合、ワイヤボンディング方式の場合は、ボン
ディングワイヤの打ち方によってその変更に対応するこ
とができるが、ＴＣＰの場合は、ボンディングパッドと
リードとが一体一対応でありボンディングパッドに対応
するリードが固定化されているので、そのような変更に
対応することができない。したがって、その場合には、
その機能等の変更に対応可能なように、新たにテープキ
ャリアの設計および製造をし直し、さらにその検査を行
わなければならず、ＤＲＡＭの製造に多大な時間と労力
とがかかり、製品のコストも増加してしまう。

【０００８】第２に、機能等の変更に対応可能なように
共用のテープキャリアを設計および製造すると、切り替
えのためのリードを新たに設ける必要が生じ、ＴＣＰの
引き出しピンの数が増加する結果、ＴＣＰの外形サイズ
が大きくなるとともに、他のパッケージとの共用化がで
きなくなるという問題がある。

【０００９】例えばメモリモジュール等のようなモジュ
ール製品においては、ＳＯＪ（Small Outline J-lead P
ackage）やＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package) 等
のような他のパッケージをモジュール基板上に実装する
ことで製品を構成する場合がある。したがって、ＴＣＰ
のピン数が、他のパッケージのピン数と等しければ、Ｔ
ＣＰを用いてモジュール製品を製造する場合にも、他の
パッケージの実装用のモジュール基板をそのまま用いて
モジュール製品を製造することができる。しかし、上述
のようにＴＣＰのピン数がＴＣＰ特有の理由によって増
えてしまうと、他のパッケージの実装用のモジュール基
板をそのまま使用することができなくなり、ＴＣＰ実装
用のモジュール基板を特別に設計・製造しなければなら
ず、モジュール製品の製造に多大な時間と労力とがかか
り、製品のコストも増加してしまう。

【００１０】本発明の目的は、ＴＣＰ構造を有する半導
体装置の製造時間を短縮することのできる技術を提供す
ることにある。

【００１１】また、本発明の他の目的は、ＴＣＰ構造を
有する半導体装置のコストを下げることのできる技術を
提供することにある。

【００１２】また、本発明の他の目的は、他のパッケー
ジとの互換性を備えたＴＣＰを得ることのできる技術を
提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１５】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
チップの主面上に配置された複数の外部端子に、テープ
キャリア上に配置された複数のリードを電気的に接続し
た構造を有する半導体装置の製造方法であって、前記複
数の外部端子のうちの所定の外部端子と、前記複数のリ
ードのうちの所定のリードとの接続状態を、その間にバ
ンプ電極を介在させるか否かにより選択的に切り換える
工程を有するものである。

【００１６】また、本発明の半導体装置は、半導体チッ
プの主面上に配置された複数の外部端子に、テープキャ
リア上に配置された複数のリードを電気的に接続した状
態で、前記半導体チップの少なくとも主面側を封止樹脂
によって封止した構造を有する半導体装置であって、前
記複数の外部端子のうちの所定の外部端子と、前記複数
のリードのうちの所定のリードとの接続状態を、その間
にバンプ電極を介在させるか否かによって選択的に切り
換え、前記半導体チップの回路動作モードを切り換えた
構造を有し、前記所定の外部端子の近傍に、前記半導体
チップの内外の回路とは電気的に絶縁されたダミーパッ
ドを設け、前記所定のリードと前記ダミーパッドとをバ
ンプ電極を介して接合したものである。

【００１７】また、本発明の半導体装置は、半導体チッ
プの主面上に配置された複数の外部端子に、テープキャ
リア上に配置された複数のリードを電気的に接続した状
態で、前記半導体チップの少なくとも主面側を封止樹脂
によって封止した構造を有する半導体装置であって、前
記複数のリードのうち、前記複数の外部端子のうちの２
個の所定の外部端子上を通過するよう形成された所定の
リードと、前記２個の所定の外部端子のいずれか一方と
の間にバンプ電極を介在させることによって、前記２個
の所定の外部端子のいずれと所定のリードとをバンプ電
極を介して電気的に接続するかを選択的に切り換え、前
記半導体チップの回路動作モードの切り換えたものであ
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する（なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する）。

【００１９】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態である半導体装置の平面図、図２は図１のII−II線
の断面図、図３（ａ）〜（ｃ）はＤＲＡＭのアクセスモ
ードを説明するためのタイミングチャート、図４は図１
の半導体装置の一部の回路図、図５は図１の半導体装置
の要部拡大平面図、図６は図５のVI−VI線の断面図、図
７は図１の半導体装置の要部拡大平面図、図８は図７の
VIII−VIII線の断面図、図９〜図１２は図１の半導体装
置の製造工程中における断面図、図１３は図１の半導体
装置を用いた電子装置の断面図である。

【００２０】まず、本実施の形態１の半導体装置の構造
を図１〜図８によって説明する。なお、図１には図面を
見易くするため封止樹脂は図示されていない。

【００２１】本実施の形態１の半導体装置は、例えばコ
ンピュータ、携帯電話またはビデオカメラ等のような電
子機器あるいはＩＣ（Integrated Circuit）カードやメ
モリカード等のような電子カードに内蔵される半導体装
置に用いて好適なものであり、例えば半導体チップ１の
ボンディングパッド（外部端子）１ＢＰと、半導体チッ
プ１の主面上に設置されたテープキャリア２のリード２
Ｌとをバンプ電極３を介して電気的に接続するととも
に、半導体チップ１を封止樹脂４によって封止したＴＣ
Ｐ構造を有している。

【００２２】半導体チップ１は、例えば平面四角形状の
シリコン（Ｓｉ）単結晶等の小片からなり、その主面に
は、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）
が形成されている。

【００２３】また、半導体チップ１の主面中央には、複
数のボンディングパッド１ＢＰが一直線上に並んで配置
されている。このボンディングパッド１ＢＰは、上記し
たＤＲＡＭ回路の電極を半導体チップ１の外部に引き出
すための電極であり、例えばアルミニウム（Ａｌ）また
はＡｌ合金からなる。ボンディングパッド１ＢＰの上面
には、上記したバンプ電極３が接合されている。ただ
し、本発明においては、後述するように、所定のボンデ
ィングパッド（所定の外部端子）１ＢＰ1 にはバンプ電
極３が接合されていない場合もある。

【００２４】このバンプ電極３は、例えばＡｕからな
り、例えばワイヤバンプ法によって形成されている。す
なわち、バンプ電極３は、ボンディングワイヤをワイヤ
ボンディング法によってボンディングパッドに接合した
後、ボンディングワイヤの接合部のボール部分をボンデ
ィングパッド１ＢＰ上に残し、それ以外の細線部分を切
断除去することにより形成されている。

【００２５】一方、テープキャリア２は、テープ基材２
Ｔと、その片面に接着剤２ａにより接着された複数本の
リード２Ｌとを有している。

【００２６】テープ基材２Ｔは、例えばポリイミド樹脂
等からなり、その中央およびその左右には、例えば半導
体チップ１の長手方向に沿って延びる平面長方形状の開
口部２Ｔａ〜２Ｔｃが開口形成されている。

【００２７】そのうち中央の開口部２Ｔａからは上記し
た半導体チップ１のボンディングパッド１ＢＰが露出さ
れている。なお、その左右の開口部２Ｔｂ, ２Ｔｃは、
主として封止樹脂４を半導体チップ１に接触させて封止
性および強度性等を高めるために開口されたものであ
る。

【００２８】リード２Ｌは、例えば銅（Ｃｕ）からな
り、テープ基材２Ｔの長辺から中央の開口部２Ｔａに向
かって延び、その一端は、その開口部２Ｔａに突出され
ている。そのリード２Ｌの突出端表面には、例えば金
（Ａｕ）メッキが施されている。

【００２９】そして、このリード２Ｌの突出端は、上記
したバンプ電極３を介して半導体チップ１と電気的に接
続されている。なお、リード２Ｌとバンプ電極３とはＡ
ｕ−Ａｕ結合等によって接合されている。

【００３０】リード２Ｌの他端は、封止樹脂４に被覆さ
れずにテープ基材２Ｔの長辺から突出されてアウターリ
ード部を形成している。ＴＣＰは、そのアウターリード
部によって、実装基板上に実装され、実装基板上の配線
と電気的に接続されるようになっている。

【００３１】なお、図１において、ＶCC, ＶSS等は各リ
ード２Ｌの機能を示しており、ＶCCは高電位の電源電圧
を示し、ＶSSは低電位の電源電圧を示し、Ｉ/ Ｏ1 〜Ｉ
/ Ｏ4 は入出力信号を示し、ＷＥはライトイネーブル信
号を示し、バーＲＡＳはロウアドレスストローブ信号を
示し、Ａ1 〜Ａ11はアドレス信号を示し、バーＣＡＳは
カラムアドレスストローブ信号を示し、ＯＥはアウトプ
ットイネーブル信号を示している。

【００３２】このような半導体チップ１の主面、テープ
基材２Ｔの表面およびアウターリード部を除くリード２
Ｌの表面は封止樹脂４によって被覆されている。この封
止樹脂４は、例えばエポキシ系の樹脂からなり、例えば
液状樹脂を滴下し加熱硬化させることにより形成する、
いわゆるポッティング封止法等によって成形されてい
る。

【００３３】ところで、本実施の形態１においては、１
つの半導体チップ１で、例えばファーストページモード
（First Page Mode)またはＥＤＯページモード（Extend
ed Data Out Page Mode)のいずれか一方のアクセスモー
ドを組立工程時のリード２Ｌとボンディングパッド１Ｂ
Ｐとの接続状態によって選択することが可能となってい
る。

【００３４】ここで、ＤＲＡＭの幾つかのアクセスモー
ドにおけるデータ読み出し時のタイミングチャートを図
３に示す。なお、図３においてＤout は出力信号を示
し、Ｒは行アドレス、Ｃは列アドレスを示している。

【００３５】ＤＲＡＭの読み出し動作は次のような順序
で行われる。まず、１本のワード線を行アドレスによっ
て選択し、そのワード線に接続されるメモリセルのデー
タを全てセンスアンプに送る。

【００３６】続いて、どのセンスアンプの出力を選んで
出力端子にデータを出力するかを、列アドレスによって
選択する。したがって、この後で列アドレスのみを変更
すると、別のセンスアンプのデータを出力することがで
きる。なお、行アドレスを確定した後、列アドレスの変
更のみで高速にアクセスするモードを高速アクセスモー
ドという。

【００３７】図３（ａ）はノーマルモードを示してい
る。バーＲＡＳ, バーＣＡＳが立ち下がり（アクティ
ブ）となった時点で、それぞれ行アドレス、列アドレス
をラッチする。出力は、バーＣＡＳがアクティブになっ
た時点でイネーブルされ、リード・データがバーＲＡＳ
アクセス時間、バーＣＡＳアクセス時間で規定される遅
いほうの時刻までに出力される。そして、バーＣＡＳが
アクティブである間、出力状態を保つ。バーＲＡＳが非
アクティブになった時点でリードサイクルは終了する。

【００３８】また、図３（ｂ）はファーストページモー
ドを示している。バーＲＡＳをアクティブにして行アド
レスをラッチした後、バーＲＡＳをアクティブ状態に保
持したまま、列アドレス信号を変化させつつバーＣＡＳ
をアクセス毎にアクティブにして同一行内における別の
メモリセルの連続高速アクセスを実現する。

【００３９】図３（ｃ）はＥＤＯページモードを示して
いる。このモードは、出力データがバーＣＡＳの立ち下
がりでハイインピーダンス状態にならず、次のサイクル
のバーＣＡＳの立ち下がりまで維持されるモードであ
り、次のサイクルの列アドレスを高速ページモードより
も早く取り込むことができる。このため、ＥＤＯページ
モードは、高速ページモードよりも短いサイクルで動作
が可能となっている。

【００４０】本実施の形態１において図１上において
は、上述の動作モードの切り換えが、図１の右側の最上
位置に配置され先端が三つ又に分岐するリード（所定の
リード）２Ｌ1 と所定のボンディングパッド１ＢＰ1 と
の接続状態によって行われるようになっている。

【００４１】ここでは、例えば三つ又に分岐したリード
２Ｌ1 の中央のリード部２Ｌ1aがボンディングパッド１
ＢＰ1 に電気的に接続されていなければ、ファーストペ
ージモードが選択され、その中央のリード部２Ｌ1aがボ
ンディングパッド１ＢＰ1 に電気的に接続されていれ
ば、ＥＤＯページモードが選択されるようになってい
る。

【００４２】また、三つ又に分岐したリード２Ｌ1 の上
下のリード部は、ボンディングパッド１ＢＰ2,１ＢＰ3
と電気的に接続されている。すなわち、そのボンディン
グパッド１ＢＰ2,１ＢＰ3 は低電位の電源電圧ＶSSに設
定されている。

【００４３】このモード切り換えに寄与するボンディン
グパッド１ＢＰ1 が電気的に接続されている半導体チッ
プ１内の回路を図４に示す。ここには、複数のインバー
タゲートＩＮ1 〜ＩＮ6 と、複数のナンドゲートＮＡ1
〜ＮＡ4 と、ノアゲートＮＯ1 〜ＮＯ6 と、オアゲート
ＯＲとが示されている。

【００４４】上記したアクセスモード切り換えに寄与す
るボンディングパッド１ＢＰ1 は、ナンドゲートＮＡ3
の入力に電気的に接続されている。このナンドゲートＮ
Ａ3の出力はナンドゲートＮＡ2 の入力に電気的に接続
されている。ナンドゲートＮＡ2 の出力は、ナンドゲー
トＮＡ3 の入力および後段のナンドゲートＮＡ4 の入力
に電気的に接続されている。さらに、ナンドゲートＮＡ
4 の出力は、後段のインバータゲートＩＮ6 、オアゲー
トＯＲおよびノアゲートＮＯ6 の入力に電気的に接続さ
れている。なお、インバータゲートＩＮ6 、オアゲート
ＯＲおよびノアゲートＮＯ6 の出力はＤＲＡＭの内部回
路に電気的に接続されている。そして、ボンディングパ
ッド１ＢＰ1 にロウ（Ｌｏｗ）レベルの電位が印加され
るとファーストページモードに設定され、ハイ（Ｈｉｇ
ｈ）レベルの電位が印加されるとＥＤＯページモードに
設定されるようになっている。

【００４５】次に、このようなアクセスモードの切り換
えのための具体的な手段を図５〜図８によって説明す
る。なお、図５および図７においては、図面を見易くす
るため、バンプ電極が形成されているボンディングパッ
ド１ＢＰに斜線を付すとともに、アクセスモード切り換
えに寄与するボンディングパッド１ＢＰ1 を二点鎖線で
囲んである。また、図５〜図８には図面を見易くするた
め封止樹脂は図示されていない。

【００４６】まず、図５および図６は、例えばファース
トページモードに設定した場合を示している。三つ又に
分岐したリード２Ｌの中央のリード部２Ｌ1aは、ボンデ
ィングパッド１ＢＰ1 に電気的に接続されていない。具
体的には、図６に示すように、そのボンディングパッド
１ＢＰ1 上にバンプ電極が形成（供給）されておらず、
リード部２Ｌ1aの先端がボンディングパッド１ＢＰ1 の
上方に浮いた状態になっている。

【００４７】すなわち、本実施の形態１においては、リ
ード２Ｌを接続しないボンディングパッド１ＢＰ1 に初
めからバンプ電極を設けないことにより、複数のリード
２Ｌと複数のボンディングパッド１ＢＰとを一括してボ
ンディングしたとしても、そのバンプ電極の無いボンデ
ィングパッド１ＢＰ1 にはリード２Ｌが接続されないよ
うにすることが可能となっている。

【００４８】また、図７および図８は、例えばＥＤＯペ
ージモードに設定した場合を示している。三つ又に分岐
したリード２Ｌの中央のリード部２Ｌ1aは、ボンディン
グパッド１ＢＰ1 と電気的に接続されている。具体的に
は、図８に示すように、この場合のボンディングパッド
１ＢＰ1 にはバンプ電極３が接合されており、リード２
Ｌはバンプ電極３を介してボンディングパッド１ＢＰ1
と電気的に接続されている。

【００４９】すなわち、本実施の形態１においては、ボ
ンディングパッド１ＢＰ上にバンプ電極３を設けるか否
かによって、ボンディングパッド１ＢＰとリード２Ｌと
の接続状態を設定することにより、ＤＲＡＭのアクセス
モードを切り換えるようにしている。

【００５０】したがって、ＤＲＡＭのアクセスモードの
切り換えに応じて、その変更に対応可能なテープキャリ
ア２を新たに設計し製造し直す必要が無くなるので、Ｔ
ＣＰ構造を有する半導体装置の製造時間を大幅に短縮さ
せることができるとともに、その製造コストを大幅に低
減させることが可能となっている。

【００５１】次に、本実施の形態１における半導体装置
の製造方法の一例を図９〜図１２によって説明する。

【００５２】まず、図９に示すように、半導体チップ１
のボンディングパッド１ＢＰ上にワイヤバンプ法等によ
ってバンプ電極３を形成する。

【００５３】すなわち、ボンディングワイヤを通常のＡ
ｕボールワイヤボンディング法によってボンディングパ
ッド１ＢＰに熱圧着した後、そのボンディングワイヤに
おける接合部のボール（ネイルヘッド）部分をボンディ
ングパッド１ＢＰ上に残し、それ以外の細線部分を切断
除去することによりバンプ電極３を形成する。

【００５４】ただし、本実施の形態１においては、例え
ばＤＲＡＭのアクセスモードをファーストページモード
に設定する場合、バンプ電極３の形成工程に際して、所
定のボンディングパッド１ＢＰ1 （図５等参照）上には
バンプ電極３を設けないようにする。すなわち、そのボ
ンディングパッド１ＢＰ1 にはボンディングワイヤを接
合しない。

【００５５】なお、ＤＲＡＭをＥＤＯページモードに設
定する場合もワイヤバンプ法等によってバンプ電極３を
形成しても良いが、この場合は、全てのボンディングパ
ッド１ＢＰ上にバンプ電極３を形成することになるの
で、必ずしもワイヤバンプ法で形成する必要はない。例
えばリードに比較的厚いＡｕメッキを施し、熱圧着する
方法も考えられる。

【００５６】続いて、図１０に示すように、半導体チッ
プ１の主面上にテープキャリア２を位置合わせして配置
した後、その半導体チップ１とテープキャリア２とをボ
ンディングステージ上に載置する。

【００５７】その後、テープキャリア２のリード２Ｌの
先端上方に配置されたボンディングツール５を下降し、
そのリード２Ｌの先端をバンプ電極３に押し当て加熱す
ることにより、図１１に示すように、複数のリード２Ｌ
と複数のボンディングパッド１ＢＰ1 とをバンプ電極３
を介して一括して接合する。この際、バンプ電極３の形
成されていないボンディングパッド１ＢＰ1 はリード２
Ｌとは接合されない。

【００５８】次いで、インナーリードボンディング工程
後の半導体チップ１の主面上に、例えば液状樹脂を滴下
し加熱硬化させることにより、図１２に示すように、封
止樹脂４を形成する。

【００５９】その後、半導体装置の封止樹脂４から突出
するリード２Ｌのアウターリード部を所定形状に成形し
て、半導体装置の製造を終了する。

【００６０】このような半導体装置を用いて構成された
モジュールを図１３に示す。

【００６１】このモジュールを構成する実装基板６の主
面上には、例えば本実施の形態１の半導体装置がその厚
さ方向に２段重ねのような状態で実装されている。

【００６２】各半導体装置は、その半導体チップ１の主
面を実装面側に向けて、例えばガルウィング状に成形さ
れたアウターリードを実装基板６のランド６ａに電気的
に接続した状態で実装されている。

【００６３】なお、ランド６ａは実装基板６に形成され
た配線と電気的に接続されている。そして、この配線の
接続によりモジュール回路が構成されている。本実施の
形態１の半導体装置においては、アクセスモード切り換
えのためにリード本数が増えることもないので、他のパ
ッケージ用の実装基板６をそのまま使用することも可能
である。

【００６４】以上のように、本実施の形態１によれば、
次の効果を得ることが可能となる。

【００６５】(1).半導体チップ１上に配置されたボンデ
ィングパッド１ＢＰ上にバンプ電極３を設けるか否かに
よってそのボンディングパッド１ＢＰとテープキャリア
２のリード２Ｌとの接続状態を変えてアクセスモードの
切り換えを行うことにより、アクセスモードの変更の度
にそれに対応可能なテープキャリア２を設計し製造し、
さらにその検査を行う必要を無くすことができ、１つの
テープキャリア２でそのアクセスモードの変更に柔軟に
対応させることが可能となる。

【００６６】(2).上記(1) により、テープキャリア２の
設計、製造および検査のし直しが必要なくなるので、Ｔ
ＣＰ構造を有する半導体装置の開発および製造時間を大
幅に短縮させることが可能となる。

【００６７】(3).上記(1) により、テープキャリア２の
設計、製造および検査のし直しが必要なくなるので、Ｔ
ＣＰ構造を有する半導体装置のコストを大幅に低減させ
ることが可能となる。

【００６８】(4).上記(1) により、アクセスモードの切
り換えのためにピン数を増やす必要がなくなり、他のパ
ッケージ用の実装基板をそのまま使用することが可能と
なる。

【００６９】(5).上記(4) により、ＴＣＰ用に実装基板
を設計、製造および検査し直す必要がなくなるので、Ｔ
ＣＰを実装する電子装置の開発および製造時間を大幅に
短縮させることが可能となる。

【００７０】(6).上記(4) により、ＴＣＰ用に実装基板
を設計、製造および検査し直す必要がなくなるので、Ｔ
ＣＰを実装する電子装置のコストを大幅に低減させるこ
とが可能となる。

【００７１】（実施の形態２）図１４は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の要部拡大平面図、図１５お
よび図１６は図１４にリードを配置した状態を示す半導
体装置の要部拡大平面図である。なお、図１４〜図１６
においてはバンプ電極が形成されているボンディングパ
ッドに斜線を付す。

【００７２】前記実施の形態１においては、図５等にお
いてボンディングパッド１ＢＰ2,１ＢＰ3 に接続される
回路に対して、リード２Ｌを通じて外部から低電位の電
源電圧ＶSSを供給する場合について説明したが、本実施
の形態２においては、図１４の破線で示すように、その
ボンディングパッドに接続される回路に対して半導体チ
ップ１の内部回路で生成した低電位の電源電圧ＶSSを供
給する構成としている。なお、図１４には、図面を見易
くするためにリードを記していない。

【００７３】本実施の形態２において、テープキャリア
のリードを配置した場合を図１５および図１６に示す。

【００７４】この図１５は、例えばファーストページモ
ードに設定した場合を示している。モード切り換えに寄
与するリード２Ｌ1 は、その先端が分岐されておらず１
本のままとなっている。この場合、ボンディングパッド
１ＢＰ1 上には、バンプ電極が形成されておらず、リー
ド２Ｌ1 とボンディングパッド１ＢＰ1 とは電気的に接
続されていない。

【００７５】また、図１６は、例えばＥＤＯページモー
ドに設定した場合を示している。この場合もモード切り
換えに寄与するリード２Ｌ1 は、その先端が分岐されて
おらず１本のままとなっている。ただし、この場合は、
ボンディングパッド１ＢＰ1上にバンプ電極が形成され
ており、リード２Ｌ1 とボンディングパッド１ＢＰ1と
が電気的に接続されている。

【００７６】このような本実施の形態２においても前記
実施の形態１と同じ効果を得ることが可能となってい
る。

【００７７】（実施の形態３）図１７は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の要部拡大平面図、図１８お
よび図１９は図１７にリードを配置した状態を示す半導
体装置の要部拡大平面図である。なお、図１７〜図１９
においてはバンプ電極が形成されているボンディングパ
ッドに斜線を付すとともに、モード切り換え用のボンデ
ィングパッドを二点鎖線で囲んである。

【００７８】本実施の形態３おいては、図１７に示すよ
うに、アクセスモード切り換えのために２個のボンディ
ングパッド（所定の外部端子）１ＢＰ1a, １ＢＰ1bが半
導体チップ１上に配置されている。

【００７９】すなわち、本実施の形態３においては、ボ
ンディングパッド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bのいずれにリード
を接続するかによってアクセスモードを変えることが可
能となっている。

【００８０】例えばボンディングパッド１ＢＰ1aにリー
ドを接続し、ボンディングパッド１ＢＰ1bにはリードを
接続しないようにすればファーストページモードに設定
され、その反対のリード接続状態にすればＥＤＯページ
モードに設定されるようになっている。

【００８１】この図１７にテープキャリアのリードを配
置した図を図１８および図１９に示す。

【００８２】この図１８は、例えばファーストページモ
ードに設定した場合を示している。この場合、ボンディ
ングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極が形成されている
が、ボンディングパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が形
成されていない。

【００８３】アクセスモード切り換えに寄与するリード
２Ｌ1 は、その先端が二又に分岐されており、その一方
のリード部２Ｌ1aはバンプ電極３を介してボンディング
パッド１ＢＰ1 ａと電気的に接続されているが、他方の
リード部２Ｌ1bはボンディングパッド１ＢＰ1b上に浮い
た状態となっていてボンディングパッド１ＢＰ1bと電気
的に接続されていない。

【００８４】また、図１９は、例えばＥＤＯページモー
ドに設定した場合を示している。この場合、ボンディン
グパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が形成され、他方の
ボンディングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極が形成さ
れていない。

【００８５】アクセスモード切り換えに寄与するリード
２Ｌ1 は、その先端が二又に分岐されており、その一方
のリード部２Ｌ1bはバンプ電極３を介してボンディング
パッド１ＢＰ1bと電気的に接続されているが、他方のリ
ード部２Ｌ1aはボンディングパッド１ＢＰ1a上に浮いた
状態となっていてボンディングパッド１ＢＰ1aと電気的
に接続されていない。

【００８６】このような本実施の形態３においても前記
実施の形態１と同じ効果を得ることが可能となってい
る。

【００８７】（実施の形態４）図２０は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の要部拡大平面図である。

【００８８】本実施の形態４は、前記実施の形態３とほ
ぼ同じである。異なるのは、図２０に示すように、アク
セスモードの切り換えに寄与するリード２Ｌの先端がＴ
字状に形成されており、そのリード２Ｌ1 において図２
０の上下方向に延びる部分がボンディングパッド１ＢＰ
1a, １ＢＰ1b上に配置されていることである。

【００８９】この図２０は、例えばファーストページモ
ードに設定した場合を示している。したがって、ボンデ
ィングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極が形成されてい
るが、ボンディングパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が
形成されていない。そして、リード２Ｌ1 は、バンプ電
極を介してボンディングパッド１ＢＰ1aと電気的に接続
されているが、ボンディングパッド１ＢＰ1bとは電気的
に接続されていない。

【００９０】なお、ＥＤＯページモードに設定する場
合、ボンディングパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極を形
成し、ボンディングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極を
形成しないようにする。そして、リード２Ｌ1 は、バン
プ電極３を介してボンディングパッド１ＢＰ1bと電気的
に接続するが、ボンディングパッド１ＢＰ1aとは電気的
に接続しないようにすれば良い。

【００９１】このような本実施の形態４においても前記
実施の形態１と同じ効果を得ることが可能となってい
る。

【００９２】（実施の形態５）図２１は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の要部拡大平面図である。

【００９３】本実施の形態５も、前記実施の形態３とほ
ぼ同じである。異なるのは、図２１に示すように、アク
セスモードの切り換えに寄与するリード２Ｌの先端がＬ
字状に形成されており、そのリード２Ｌ1 において図２
０の上下方向に延びる部分がボンディングパッド１ＢＰ
1a, １ＢＰ1b上に配置されていることである。

【００９４】この図２１は、例えばファーストページモ
ードに設定した場合を示している。したがって、ボンデ
ィングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極が形成されてい
るが、ボンディングパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が
形成されていない。そして、リード２Ｌ1 は、バンプ電
極を介してボンディングパッド１ＢＰ1aと電気的に接続
されているが、ボンディングパッド１ＢＰ1bとは電気的
に接続されていない。

【００９５】なお、ＥＤＯページモードに設定する場
合、ボンディングパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極を形
成し、ボンディングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極を
形成しないようにする。そして、リード２Ｌ1 は、バン
プ電極３を介してボンディングパッド１ＢＰ1bと電気的
に接続するが、ボンディングパッド１ＢＰ1aとは電気的
に接続しないようにすれば良い。

【００９６】このような本実施の形態５においても前記
実施の形態１と同じ効果を得ることが可能となってい
る。

【００９７】（実施の形態６）図２２は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の要部拡大平面図、図２３は
図２２にリードを配置した状態を示す半導体装置の要部
拡大平面図、図２４は図２３のXXIV−XXIV線の断面図、
図２５は図２２にリードを配置した状態を示す半導体装
置の要部拡大平面図である。なお、図２２、図２３およ
び図２５においては図面を見易くするためモード切り換
え用のボンディングパッドおよびダミーのボンディング
パッドとを二点鎖線で囲んである。

【００９８】本実施の形態６においては、図２２に示す
ように、アクセスモード切り換え用のボンディングパッ
ド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bの各々の近傍にダミーのボンディ
ングパッド（ダミーパッド）ＤＢＰ1,ＤＢＰ2 が配置さ
れている。

【００９９】このダミーのボンディングパッドＤＢＰ1,
ＤＢＰ2 は、半導体チップ１の内外の回路から電気的に
絶縁された状態で配置されたパッドであり、例えばボン
ディングパッド１ＢＰと同じ材料で同じパターニング工
程時に形成されている。なお、ダミーのボンディングパ
ッドＤＢＰ1,ＤＢＰ2 同士は電気的に接続されていても
良い。

【０１００】この図２２に、テープキャリアのリードを
配置した図を図２３〜図２５に示す。なお、図２３およ
び図２５においてはバンプ電極が形成されているボンデ
ィングパッド１ＢＰに斜線を付す。

【０１０１】この図２３および図２４は、例えばファー
ストページモードに設定した場合を示している。

【０１０２】この場合、ボンディングパッド１ＢＰ1a上
にはバンプ電極３が形成されているが、ボンディングパ
ッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が形成されていない。た
だし、このボンディングパッド１ＢＰ1bに隣接するダミ
ーのボンディングパッドＤＢＰ2 上にはバンプ電極が形
成されている。

【０１０３】アクセスモード切り換えに寄与するリード
２Ｌ1 は、その先端が二又に分岐されており、その一方
のリード部２Ｌ1aがバンプ電極３を介してボンディング
パッド１ＢＰ1aと電気的に接続されている。なお、この
リード部２Ｌ1aは、ダミーのボンディングパッドＤＢＰ
1 と接合しても良いが、ここでは接合されていない場合
が示されている。

【０１０４】また、リード２Ｌ1 の他方のリード部２Ｌ
1bは、ボンディングパッド１ＢＰ1b上に浮いた状態とな
っていてボンディングパッド１ＢＰ1bとは電気的に接続
されていない。

【０１０５】ただし、このリード部２Ｌ1bの先端は、ダ
ミーのボンディングパッドＤＢＰ2とバンプ電極を介し
て接合されている。これにより、リード部２Ｌ1bは、し
っかりと固定され、ボンディングパッド１ＢＰ1bに接触
しないようになっている。

【０１０６】また、図２５は、例えばＥＤＯページモー
ドに設定した場合を示している。この場合、ボンディン
グパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が形成され、他方の
ボンディングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極が形成さ
れていない。ただし、このボンディングパッド１ＢＰ1a
に隣接するダミーのボンディングパッドＤＢＰ1 上には
バンプ電極が形成されている。

【０１０７】アクセスモード切り換えに寄与するリード
２Ｌ1 は、その先端が二又に分岐されており、その一方
のリード部２Ｌ1aはボンディングパッド１ＢＰ1a上に浮
いた状態となっていてボンディングパッド１ＢＰ1aと電
気的に接続されていない。

【０１０８】ただし、このリード部２Ｌ1aの先端は、ダ
ミーのボンディングパッドＤＢＰ1とバンプ電極を介し
て接合されている。これにより、リード部２Ｌ1aがしっ
かりと固定されており、ボンディングパッド１ＢＰ1aに
接触しないようになっている。

【０１０９】また、リード２Ｌ1 のリード部２Ｌ1bは、
バンプ電極３を介してボンディングパッド１ＢＰ1bと電
気的に接続されている。なお、このリード部２Ｌ1bは、
ダミーのボンディングパッドＤＢＰ2 と接合しても良い
が、ここでは接合されていない場合が示されている。

【０１１０】このような本実施の形態６においては、前
記実施の形態１で得られた効果の他に、以下の効果を得
ることが可能となっている。

【０１１１】(1).アクセスモード切り換え用のボンディ
ングパッド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bの近傍にダミーのボンデ
ィングパッドＤＢＰ1,ＤＢＰ2 を設け、リード２Ｌ1 の
先端をダミーのボンディングパッドＤＢＰ1,ＤＢＰ2 と
バンプ電極を介して接合し固定することにより、リード
２Ｌ1 の先端をしっかりと固定することが可能となる。

【０１１２】(2).上記(1) により、リード２Ｌ1 が接続
されるべきでないボンディングパッド１ＢＰに接触して
しまうのを防止することができるので、アクセスモード
の設定の信頼性を向上させることができ、ＴＣＰ構造を
有する半導体装置の歩留りおよび信頼性を向上させるこ
とが可能となる。

【０１１３】（実施の形態７）図２６は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の要部拡大平面図、図２７は
図２６にリードを配置した状態を示す半導体装置の要部
拡大平面図である。なお、図２６および図２７において
は図面を見易くするためモード切り換え用のボンディン
グパッドおよびダミーのボンディングパッドを二点鎖線
で囲んである。

【０１１４】本実施の形態７においては、図２６に示す
ように、ボンディングパッド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bの近傍
に、図２６の上下方向に延びる大形のダミーのボンディ
ングパッド（ダミーパッド）ＤＢＰ3 が１個設けられて
いる。

【０１１５】これにリードを配置した図を図２７に示
す。なお、図２７においては図面を見易くするためバン
プ電極の形成されたボンディングパッドに斜線を付す。

【０１１６】この図２７は、例えばファーストページモ
ードに設定した場合を示している。この場合、ボンディ
ングパッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極が設けられ、ボン
ディングパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が設けられて
いない。また、大形のダミーのボンディングパッドＤＢ
Ｐ3 上にはバンプ電極が設けられている。

【０１１７】そして、アクセスモードの切り換えに寄与
するリード２Ｌ1 は、その先端が二又に分岐されてお
り、その一方のリード部２Ｌ1aがバンプ電極３を介して
ボンディングパッド１ＢＰ1aと電気的に接続されている
とともに、その先端がダミーのボンディングパッドＤＢ
Ｐ3 と接合されている。

【０１１８】また、リード２Ｌ1 の他方のリード部２Ｌ
1bは、ボンディングパッド１ＢＰ1b上に浮いた状態とな
っていてボンディングパッド１ＢＰ1bとは電気的に接続
されていないが、その先端は、ダミーのボンディングパ
ッドＤＢＰ3 とバンプ電極を介して接合されている。

【０１１９】これにより、リード２Ｌ1 におけるリード
部２Ｌ1a, ２Ｌ1bの両方をしっかりと固定することが可
能となっている。

【０１２０】このように、本実施の形態７によれば、前
記実施の形態６で得られた効果の他に、以下の効果をえ
ることが可能となっている。

【０１２１】(1).アクセスモード切り換え用のボンディ
ングパッド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bの近傍に大形のダミーの
ボンディングパッドＤＢＰ3 を設け、リード２Ｌ1 の先
端のリード部２Ｌ1a, ２Ｌ1bの両方をダミーのボンディ
ングパッドＤＢＰ3 とバンプ電極を介して接合し固定す
ることにより、リード２Ｌ1 の先端をしっかりと固定す
ることが可能となる。

【０１２２】（実施の形態８）図２８は本発明の他の実
施の形態である半導体装置の要部拡大平面図、図２９は
図２８にリードを配置した状態を示す半導体装置の要部
拡大平面図である。なお、図２８および図２９において
は図面を見易くするためモード切り換え用のボンディン
グパッドおよびダミーのボンディングパッドを二点鎖線
で囲んである。

【０１２３】本実施の形態８においては、図２８のよう
に、２つのボンディングパッド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bの間
の近傍に、そのボンディングパッド１ＢＰ1a等と同寸法
のダミーのボンディングパッド（ダミーパッド）ＤＢＰ
4 が１個設けられている。

【０１２４】これにリードを配置した図を図２９に示
す。なお、図２９においては図面を見易くするためバン
プ電極の形成されたボンディングパッドに斜線を付す。

【０１２５】この図２９は、例えばＥＤＯページモード
に設定した場合を示している。この場合、ボンディング
パッド１ＢＰ1a上にはバンプ電極が設けられていない
が、ボンディングパッド１ＢＰ1b上にはバンプ電極が設
けられている。また、ダミーのボンディングパッドＤＢ
Ｐ4 上にはバンプ電極が設けられている。

【０１２６】リード２Ｌ1 は、その先端がボンディング
パッド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bおよびダミーのボンディング
パッドＤＢＰ4 の上方を通過するように環状に形成され
ている。このリード２Ｌ1 は、バンプ電極を介してボン
ディングパッド１ＢＰ1bと電気的に接続されているが、
ボンディングパッド１ＢＰ1aとは電気的に接続されてい
ない。

【０１２７】ただし、リード２Ｌ1 は、バンプ電極を介
してダミーのボンディングパッドＤＢＰ4 と接合されて
いる。これにより、リード部２Ｌ1 をしっかりと固定す
ることが可能となっている。

【０１２８】このように、本実施の形態８によれば、前
記実施の形態７で得られた効果と同じ効果を得ることが
可能となっている。

【０１２９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態１〜８に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【０１３０】例えば前記実施の形態１〜８においては、
ボンディングパッドが半導体チップの中央に配置されて
いる場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく種々変更可能である。例えば図３０に示すよう
に、半導体チップ１の長辺近傍にその辺に沿って複数の
ボンディングパッド１ＢＰを配置する場合や図３１に示
すように、半導体チップ１の外周近傍にその外周に沿っ
て複数のボンディングパッド１ＢＰを配置する場合等に
も本発明を適用することができる。

【０１３１】また、前記実施の形態１, ２においてはダ
ミーのボンディングパッドを設けない場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、前記実施の形
態１, ２においてもモード切り換えに寄与するボンディ
ングパッドの近傍にダミーのボンディングパッドを設
け、モード切り換えに寄与するリードと接合するように
しても良い。これは、特に、モード切り換えに寄与する
リードとモード切り換えに寄与するボンディングパッド
とを接続しない場合に、そのリードをダミーのボンディ
ングパッドに接合することで、しっかり固定することが
でき、そのリードがモード切り換えに寄与するボンディ
ングパッドに接触してしまうのを防止することが可能と
なる。

【０１３２】また、前記実施の形態８においては、アク
セスモードの切り換えに寄与するリードの先端を環状と
した場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく、図３２に示すように、そのリード２Ｌ1 をボン
ディングパッド１ＢＰ1a, １ＢＰ1bおよびダミーのボン
ディングパッドＤＢＰ4 の半分以上を覆い隠せるような
幅広形状としても良い。なお、図３２は、例えばＥＤＯ
ページモードに設定した場合を示している。

【０１３３】また、アクセスモード切り換え用のリード
の形状は前記実施の形態１〜８に限定されるものではな
く種々変更可能である。例えば図３３に示すように、例
えば平面コ字状としても良い。図３３はＥＤＯページモ
ードに設定した場合を示している。リード２Ｌ1 には低
電位の電源電圧ＶSSが供給される。リード２Ｌ1 におい
て図３３の上下方向に延びる部分はボンディングパッド
１ＢＰ上に配置されている。リード２Ｌ1 は、モード切
り換え用のボンディングパッド１ＢＰ1 とは電気的に接
続されていないが、低電位の電源電圧ＶSSを供給する必
要のある他のボンディングパッド１ＢＰとはバンプ電極
を介して電気的に接続されている。なお、ファーストペ
ージモードにする場合には、リード２Ｌ1 をボンディン
グパッド１ＢＰ1 とバンプ電極を介して電気的に接続す
れば良い。

【０１３４】また、図３４に示すようにしても良い。図
３４は、例えばファーストページモードに設定した場合
を示している。リード２Ｌ1 において図３４の上下方向
に延びる部分はボンディングパッド上には配置されてい
ない。リード２Ｌ1 はボンディングパッド１ＢＰ1aとは
バンプ電極を介して電気的に接続されているが、ボンデ
ィングパッド１ＢＰ1bとは電気的に接続されていない。
なお、ＥＤＯページモードにする場合には、リード２Ｌ
1 をボンディングパッド１ＢＰ1aとは電気的に接続せ
ず、ボンディングパッド１ＢＰ1bとはバンプ電極を介し
て電気的に接続すれば良い。

【０１３５】また、ダミーのボンディングパッドを有す
るボンディングパッドの配置の仕方は、図３５に示すよ
うにしても良い。すなわち、切り換え用のボンディング
パッド１ＢＰ１とそれに隣接するダミーのボンディング
パッドＤＢＰとの中間の位置が、それらのボンディング
パッド１ＢＰ１，ＤＢＰの上下に並んでいるボンディン
グパッド１ＢＰの配置線上に設定されている。この場
合、ボンディング時におけるボンディングの安定性を向
上させることが可能となる。

【０１３６】また、前記実施の形態１〜８においては、
ボンディングパッド上にバンプ電極を形成する技術の場
合について説明したが、これに限定されるものではな
く、例えばテープキャリアのリード側にバンプ電極を設
ける技術を用いても良い。この場合もボンディングパッ
ドと接合しないリードの端部にはバンプ電極を設けない
ようにすれば良い。

【０１３７】また、前記実施の形態１〜８においては、
ファーストページモードとＥＤＯページモードとの切り
換える場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく種々変更可能であり、例えばＤＲＡＭのリフレ
ッシュサイクルの切り換えにも適用できる。例えば同一
半導体チップでも４Ｋリフレッシュを行う場合に、２本
のワード線を同時に立ち上げて４Ｋ、すなわち、１本の
ワード線で２Ｋのリフレッシュを行う方式（以下、２Ｋ
リフレッシュという）と、１本のワード線を立ち上げて
４Ｋのリフレッシュを行う方式（以下、４Ｋリフレッシ
ュという）とがある。２Ｋリフレッシュの場合は、２本
のワード線を同時に立ち上げてそれぞれに接続されたメ
モリマットの複数のメモリセルを同時にリフレッシュす
るので、リフレッシュ時間が速いが、消費電力が大き
い。また、４Ｋリフレッシュの場合は、１本のワード線
を立ち上げてそれに接続されたメモリマットの複数のメ
モリセルをリフレッシュするので、２Ｋに比べて同時に
リフレッシュするメモリセル数が多くリフレッシュに時
間がかかるが、消費電力が小さくて済む。したがって、
この場合も要求に応じて切り換えが可能とする場合があ
り、その場合に本発明の方法を適用することが可能であ
る。

【０１３８】また、前記実施の形態３〜８においては、
２つのボンディングパッドを使ってモード切り換えを行
う場合について説明したが、これに限定されるものでは
なく種々変更可能であり、４つのボンディングパッドま
たはそれ以上のボンディングパッドを使ってモード切り
換えを行うようにしても良い。

【０１３９】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＤＲＡ
Ｍ技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、例えばＳＲＡＭ、疑似ＳＲＡＭ技
術等に適用できる。本発明は、少なくともＴＣＰを有す
る半導体装置においてリードとボンディングパッドとの
接続状態によって機能等を変更する条件のものに適用で
きる。

【０１４０】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【０１４１】(1).本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、所定のリードと所定の外部端子との間にバンプ電極
を介在させるか否かによって所定のリードと所定の外部
端子との接続状態を選択的に切り換えることにより、そ
の接続状態を回路動作モードの変更に応じて切り換える
度にそれに対応可能なテープキャリアを設計し製造し、
さらにその検査を行う必要を無くすことができ、１つの
テープキャリアでその変更に柔軟に対応させることが可
能となる。

【０１４２】(2).上記(1) により、テープキャリアの設
計、製造および検査のし直しが必要なくなるので、ＴＣ
Ｐ構造を有する半導体装置の開発および製造時間を大幅
に短縮させることが可能となる。

【０１４３】(3).上記(1) により、テープキャリアの設
計、製造および検査のし直しが必要なくなるので、ＴＣ
Ｐ構造を有する半導体装置のコストを大幅に低減させる
ことが可能となる。

【０１４４】(4).上記(1) により、回路動作モードの切
り換えのためにＴＣＰのピン数を増やす必要がなくな
り、他のパッケージ用の実装基板をそのまま使用するこ
とが可能となる。

【０１４５】(5).上記(4) により、ＴＣＰ用に実装基板
を設計、製造および検査し直す必要がなくなるので、Ｔ
ＣＰを実装する電子装置の開発および製造時間を大幅に
短縮させることが可能となる。

【０１４６】(6).上記(4) により、ＴＣＰ用に実装基板
を設計、製造および検査し直す必要がなくなるので、Ｔ
ＣＰを実装する電子装置のコストを大幅に低減させるこ
とが可能となる。

【０１４７】(7).本発明の半導体装置によれば、前記所
定の外部端子の近傍にダミーパッドを設け、前記所定の
リードと前記ダミーパッドとをバンプ電極を介して接合
したことにより、所定のリードがしっかり固定させるこ
とができるので、その所定のリードが電気的に接続され
ない外部端子に接触してしまうのを防止することが可能
となる。したがって、ＴＣＰ構造を有する半導体装置の
歩留りおよび信頼性を向上させることが可能となる。

【０１４８】(8).本発明の半導体装置によれば、回路動
作モード切り換え用の外部端子が２個設けられていて
も、その上方を通過するように所定のリードの形状を形
成することにより、ＴＣＰのピン数を増やすことなく、
上記(1) の効果を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の平面
図である。

【図２】図１のII−II線の断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）はＤＲＡＭのアクセスモードを
説明するためのタイミングチャートである。

【図４】図１の半導体装置の一部の回路図である。

【図５】図１の半導体装置の要部拡大平面図である。

【図６】図５のVI−VI線の断面図である。

【図７】図１の半導体装置の要部拡大平面図である。

【図８】図７のVIII−VIII線の断面図である。

【図９】図１の半導体装置の製造工程中における断面図
である。

【図１０】図１の半導体装置の図９に続く製造工程中に
おける断面図である。

【図１１】図１の半導体装置の図１０に続く製造工程中
における断面図である。

【図１２】図１の半導体装置の図１１に続く製造工程中
における断面図である。

【図１３】図１の半導体装置を用いた電子装置の断面図
である。

【図１４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図１５】図１４にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図１６】図１４にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図１７】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図１８】図１７にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図１９】図１７にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図２０】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図２１】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図２２】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図２３】図２２にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図２４】図２３のXXIV−XXIV線の断面図である。

【図２５】図２２にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図２６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図２７】図２６にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図２８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図２９】図２８にリードを配置した状態を示す半導体
装置の要部拡大平面図である。

【図３０】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
平面図である。

【図３１】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
平面図である。

【図３２】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図３３】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図３４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【図３５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の
要部拡大平面図である。

【符号の説明】

１半導体チップ１ＢＰボンディングパッド（外部端子）１ＢＰ1 ボンディングパッド（所定の外部端子）１ＢＰ1a, １ＢＰ1b ボンディングパッド（所定の外部
端子）２テープキャリア２Ｌリード２Ｌ1 リード（所定のリード）２Ｌ1a, ２Ｌ1b リード部２Ｔテープ基材２Ｔａ〜２Ｔｃ開口部２ａ接着剤３バンプ電極４封止樹脂５ボンディングツール６実装基板６ａランドＤＢＰ1 〜ＤＢＰ4 ダミーのボンディングパッド（ダ
ミーパッド）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者沖永隆幸東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者下石智明東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者田中英樹東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップの主面上に配置された複数
の外部端子に、テープキャリア上に配置された複数のリ
ードを電気的に接続した構造を有する半導体装置の製造
方法であって、（ａ）前記複数の外部端子のうち、所定
の外部端子にはバンプ電極が接合されず、それ以外の外
部端子上にはバンプ電極が接合されるようにバンプ電極
を形成する工程と、（ｂ）前記複数の外部端子と前記複
数のリードとをバンプ電極を介して一括して接合する工
程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おける前記バンプ電極の形成工程に際して、（ａ）前記
複数の外部端子のうち、所定の外部端子にはボンディン
グワイヤを接合せず、それ以外の外部端子にはボンディ
ングワイヤを接合する工程と、（ｂ）前記ボンディング
ワイヤのうちの外部端子に接合されたボール部分のみを
残し、それ以外の細線部分を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、（ａ）前記複数の外部端子の形成工程に際し
て、前記所定の外部端子の近傍に、前記半導体チップの
内外の回路とは電気的に絶縁されたダミーパッドを形成
する工程と、（ｂ）前記複数の外部端子と複数のリード
とを一括して接合する工程に際して、前記所定のリード
と、前記ダミーパッドとをバンプ電極を介して接合する
工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項４】請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記複数の外部端子と複数のリードとの接合工
程の後、前記半導体チップの少なくとも主面をポッティ
ング法によって封止する工程を有することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項５】半導体チップの主面上に配置された複数
の外部端子に、テープキャリア上に配置された複数のリ
ードを電気的に接続した構造を有する半導体装置の製造
方法であって、前記複数の外部端子のうちの所定の外部端子と、前記複
数のリードのうちの所定のリードとの接続状態を、その
間にバンプ電極を介在させるか否かにより選択的に切り
換える工程を有することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項６】請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記複数の外部端子のうち、所定の外部端子上
にはバンプ電極を形成せず、それ以外の外部端子上には
バンプ電極を形成する工程を有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おける前記バンプ電極の形成工程に際して、（ａ）前記
複数の外部端子のうち、所定の外部端子にはボンディン
グワイヤを接合せず、それ以外の外部端子にはボンディ
ングワイヤを接合する工程と、（ｂ）前記ボンディング
ワイヤのうちの外部端子に接合されたボール部分のみを
残し、それ以外の細線部分を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記複数の外部端子と複数のリードとをバンプ
電極を介して一括して接合する工程を有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、（ａ）前記複数の外部端子の形成工程に際し
て、前記所定の外部端子の近傍に、前記半導体チップの
内外の回路とは電気的に絶縁されたダミーパッドを形成
する工程と、（ｂ）前記複数の外部端子と複数のリード
とを一括して接合する工程とを有し、前記一括接合工程において、前記所定のリードと、前記
ダミーパッドとをバンプ電極を介して接合することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】請求項８記載の半導体装置の製造方法
において、前記複数の外部端子と複数のリードとの接合
工程の後、前記半導体チップの少なくとも主面をポッテ
ィング法によって封止する工程を有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項１１】請求項５記載の半導体装置の製造方法
において、前記複数の外部端子のうちの所定の外部端子
と、前記複数のリードのうちの所定のリードとの接続状
態を選択的に切り換えることにより、前記半導体チップ
の回路動作モードを切り換えることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項１２】請求項１１記載の半導体装置の製造方
法において、前記回路動作モードは、メモリ回路におけ
るアクセスモードであることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項１３】半導体チップの主面上に配置された複
数の外部端子に、テープキャリア上に配置された複数の
リードを電気的に接続した構造を有する半導体装置の製
造方法であって、前記複数の外部端子のうち、２個の所定の外部端子のい
ずれにバンプ電極を接合するか否かにより、前記２個の
所定の外部端子と、前記複数のリードのうちの所定のリ
ードとの接続状態を選択的に切り換え、前記半導体チッ
プの回路動作モードを切り換える工程を有し、前記所定のリードを、その一部が前記２個の所定の外部
端子上を通過するような形状とするとともに、いずれか
一方の所定の外部端子とバンプ電極を介して電気的に接
続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】請求項１３記載の半導体装置の製造方
法において、前記２個の所定の外部端子のうち、いずれ
か一方の上にはバンプ電極を形成せず、それ以外の外部
端子上にはバンプ電極を形成する工程を有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】請求項１４記載の半導体装置の製造方
法における前記バンプ電極の形成工程に際して、（ａ）
前記２個の所定の外部端子のいずれか一方にはボンディ
ングワイヤを接合せず、それ以外の外部端子にはボンデ
ィングワイヤを接合する工程と、（ｂ）前記ボンディン
グワイヤのうちの外部端子に接合されたボール部分のみ
を残し、それ以外の細線部分を除去する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】請求項１３記載の半導体装置の製造方
法において、前記複数の外部端子と、前記複数のリード
とを一括して接合する工程を有し、前記一括接合工程の
際に、前記所定のリードと、前記２個の所定の外部端子
のいずれか一方とをバンプ電極を介して電気的に接続す
る工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１７】請求項１６記載の半導体装置の製造方
法において、前記複数の外部端子と複数のリードとの接
合工程の後、前記半導体チップの少なくとも主面をポッ
ティング法によって封止する工程を有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
【請求項１８】請求項１３記載の半導体装置の製造方
法において、前記所定のリードの先端が、前記２個の所
定の外部端子上を通過するように二又に分岐されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】請求項１３記載の半導体装置の製造方
法において、（ａ）前記複数の外部端子の形成工程に際
して、前記２個の所定の外部端子の近傍に、前記半導体
チップの内外の回路とは電気的に絶縁されたダミーパッ
ドを形成する工程と、（ｂ）前記複数の外部端子と複数
のリードとを一括して接合する工程とを有し、前記一括
接合工程において、前記所定のリードと、前記ダミーパ
ッドとをバンプ電極を介して接合することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項２０】半導体チップの主面上に配置された複
数の外部端子に、テープキャリア上に配置された複数の
リードを電気的に接続した状態で、前記半導体チップの
少なくとも主面側を封止樹脂によって封止した構造を有
する半導体装置であって、前記複数の外部端子のうちの所定の外部端子と、それに
対向する前記複数のリードのうちの所定のリードとが、
その間にバンプ電極が設けられておらず、電気的絶縁さ
れていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】請求項２０記載の半導体装置におい
て、前記所定の外部端子の近傍に、前記半導体チップの
内外の回路とは電気的に絶縁されたダミーパッドを設
け、前記所定のリードと前記ダミーパッドとをバンプ電
極を介して接合したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】半導体チップの主面上に配置された複
数の外部端子に、テープキャリア上に配置された複数の
リードを電気的に接続した状態で、前記半導体チップの
少なくとも主面側を封止樹脂によって封止した構造を有
する半導体装置であって、前記複数の外部端子のうちの所定の外部端子と、前記複
数のリードのうちの所定のリードとの接続状態を、その
間にバンプ電極を介在させるか否かによって選択的に切
り換え、前記半導体チップの回路動作モードの切り換え
たことを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】請求項２２記載の半導体装置におい
て、前記所定の外部端子の近傍に、前記半導体チップの
内外の回路とは電気的に絶縁されたダミーパッドを設
け、前記所定のリードと前記ダミーパッドとをバンプ電
極を介して接合したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】請求項２２記載の半導体装置におい
て、前記回路動作モードがメモリ回路におけるアクセス
モードであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】半導体チップの主面上に配置された複
数の外部端子に、テープキャリア上に配置された複数の
リードを電気的に接続した状態で、前記半導体チップの
少なくとも主面側を封止樹脂によって封止した構造を有
する半導体装置であって、前記複数のリードのうち、前記複数の外部端子のうちの
２個の所定の外部端子上を通過するよう形成された所定
のリードと、前記２個の所定の外部端子のいずれか一方
との間にバンプ電極を介在させることによって、前記２
個の所定の外部端子のいずれと所定のリードとをバンプ
電極を介して電気的に接続するかを選択的に切り換え、
前記半導体チップの回路動作モードの切り換えたことを
特徴とする半導体装置。
【請求項２６】請求項２５記載の半導体装置におい
て、前記所定のリードの先端が、前記２個の所定の外部
端子上を通過するように二又に分岐されていることを特
徴とする半導体装置。
【請求項２７】請求項２５記載の半導体装置におい
て、前記２個の所定の外部端子の近傍に、前記半導体チ
ップの内外の回路とは電気的に絶縁されたダミーパッド
を設け、前記所定のリードと前記ダミーパッドとをバン
プ電極を介して接合したことを特徴とする半導体装置。