JP3001481B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JP3001481B2 JP9294363A JP29436397A JP3001481B2 JP 3001481 B2 JP3001481 B2 JP 3001481B2 JP 9294363 A JP9294363 A JP 9294363A JP 29436397 A JP29436397 A JP 29436397A JP 3001481 B2 JP3001481 B2 JP 3001481B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係わ
り、特に1つのパッケージの中に半導体チップとその周
辺機能ブロックとを内蔵させた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化技術が著しく
進展したことにより、1チップに集積される回路規模も
飛躍的に増大してきた。回路規模が増大したことにより
中央演算処理装置を中心にその周辺回路、電子部品等を
含む所定の機能処理システム全体を同一基板上に配置す
ることが容易に実現されるようになってきた。この種の
半導体装置のうちでマルチチップモジュールの一例が特
開平9−22982号公報に記載されている。同公報記
載のマルチチップモジュールの断面図および平面図を示
した図5を参照すると、このマルチチップモジュール
は、半導体チップ25が搭載されるアルミナセラミック
からなる絶縁性基板27には予め必要な配線が施されて
おり、この配線に接続された外部リード23が基板裏面
に植設されている。さらにこの基板裏面には、半導体チ
ップ25を搭載するための凹部が設けられている。
【0003】この半導体チップ25は、例えば発熱量の
多い中央処理ユニットCPUや浮動小数点処理ユニット
FPU等の論理回路素子であり、この半導体チップ25
および凹部内に設けたステッチランド間を金属細線26
で接続した後、ロウ材によりキャップ24で封止を行っ
ている。
【0004】基板27の凹部が設けられた裏面と反対面
にはキャリア21が搭載される。このキャリア21は、
裏面に凹部を有する絶縁基板であって、その側面には側
面電極22が形成されている。さらに、キャリア表面に
は必要な配線および部品搭載のためのパッドが形成され
るとしている。
【0005】このキャリア上に半田ペーストを印刷し、
メモリ等のモールドパッケージ半導体装置28やチップ
コンデンサ等のチップ部品が搭載され、さらにこのキャ
リア21上に別のキャリア21を重ね合わせている。
【0006】絶縁性基板27の半導体チップ25の搭載
面と反対面にヒートシンク29が高熱伝導性の接着剤3
0により接着された構成からなる。
【0007】このような構造を有する半導体装置におい
ては、これらの内蔵された機能ブロックと外部装置との
間で相互に授受される各種の信号や電源電流は、外部リ
ード23を経由して伝送される。
【0008】このように外部リード23が外部端子とな
り、電気的に接続された状態では、外部に接続される装
置との何らかの原因により仮に過電流が流れた場合、半
導体装置に内蔵された半導体素子が破壊されることがあ
る。
【0009】この破壊を防止する手段の一つとして半導
体装置と外部装置との間の信号伝送を無線にすることが
考えられる。
【0010】例えば、ICカードもその一例である。デ
ータメモリおよびCPUなどの制御素子を内蔵し必要な
情報が記録された従来のICカードは、外部の所定の外
部装置に挿入することにより、ICカードに内蔵される
CPUと外部装置とのデータの電送が行われる。
【0011】このICカードを無線により外部装置との
データ電送を行う場合、カード内に無線部が当然必要で
ある。これを解決するためにこのICカードを収容する
収容ケースを用いる例が特開平3−142292号公報
に記載されている。同公報記載の収容ケースは、ICカ
ードとのデータを書き込み読み出すリードライト部と、
CPUと、無線部とを有し、外部装置の無線部と無線で
データを送受する。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】前述した、外部リード
を経由して電源電流やデータの送受を行っている従来の
半導体装置においては、小型化、多ピン化の傾向が著し
いが、多ピン化になるとリードピッチが狭くなり、加工
コストが高くなる。さらに構造も複雑となり、不良発生
も多くなる。さらにまた、外部装置との間で相互に授受
される各種の信号や電源電流は、外部リード23を経由
して伝送されるが、このような外部リード23が外部端
子となり、電気的に接続された状態では、外部に接続さ
れる装置との何らかの原因により仮に過電流が流れた場
合、半導体装置に内蔵された半導体素子が破壊される。
【0013】一方、ICカードを収納する携帯可能で、
かつ無線でデータを送受する機能を持つ収納ケースは、
長時間使用すると供給電源の電流供給能力が低下し、誤
動作の原因となる。
【0014】本発明の目的は、上述した欠点に鑑みなさ
れたものであり、外部リードを有しない、携帯性のある
半導体装置を提供することにある。
【0015】
【0016】
【課題を解決するための手段】 本発明の半導体装置
は、 制御用の半導体チップとこの半導体チップの入出力
信号を外部装置との間で無線で送受信する機能ブロック
とを内蔵することにより、外部装置との入出力信号用の
外部リードを持たないリードレス構造のパッケージとす
る半導体装置において、予め必要な配線が施された絶縁
性基板の裏面に前記半導体チップが搭載され、この半導
体チップ上の信号入出力用パッドと前記半導体チップ搭
載面に前記半導体チップを囲むように配設されたリード
および第1のパッドとがそれぞれ金属細線でワイヤボン
ディングされて電気的に接続され、これら金属配線で接
続された前記パッド下の絶縁性基板にはスルーホールが
それぞれ形成され、これらのスルーホールで接続される
前記絶縁性基板の前記半導体チップ搭載面の反対面に
は、前記スルーホールの位置に第2のパッドがそれぞれ
設けられ、この半導体チップがフェイスアップの状態に
なるように絶縁性基板に搭載された状態で、かつこの絶
縁性基板面積と略等面積で上部が開口された樹脂封止パ
ッケージが用いられ、前記開口部に前記機能ブロック搭
載の絶縁性基板が配置され、前記機能ブロックおよび前
記半導体チップ間を接続する第2および第3のパッドが
設けられ、これら第2および第3のパッドが対応する前
記第1および前記第2のパッドとそれぞれ1対1で熱圧
着されたリードレスのパッケージ構造を有する。
【0017】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、制御用の半導体チップとこの半導体チップの入出力
信号を外部装置との間で無線で送受信するとともに、受
信した信号を整流して所定の電源電流に変換する手段を
有する機能ブロックとを内蔵することにより、外部装置
との入出力信号用の外部リードを持たないリードレス構
造のパッケージをもつ半導体装置の製造方法は、予め所
定の配線が印刷配線で形成され、さらに、後工程で前記
半導体チップが搭載される第1の絶縁性基板の信号入出
力用の第1および第2のパッド対応部分に半田ペースト
による第3および第4のパッドを形成した第2の絶縁性
基板に前記機能ブロックを搭載する第1の工程と、前記
第2の絶縁性基板の電気的特性試験をテスターで行い、
良品を選別する第2の工程と、予めウエハ選別試験で電
気的特性が確認され、ペレッタイズを完了した良品の前
記半導体チップが前記第1の絶縁性基板に搭載される第
3の工程と、予め前記第1および前記第2のパッドとス
ルーホール5を介して半田ペーストで第5および第6の
パッドが形成された前記第1の絶縁性基板に前記良品の
半導体チップが搭載される第4の工程と、前記半導体チ
ップ上の信号入出力パッドと前記第1の絶縁性基板上の
前記第1および前記第2のパッドとをそれぞれ金属細線
を用いて電気的接続をする第5の工程と、前記半導体チ
ップが搭載された前記第1の絶縁性基板を電気的特性試
験により良品選別する第6の工程と、前記第1の絶縁性
基板の上部樹脂部にこの絶縁性基板と同じ面積の開口部
を開口するための開口用型が加工された成形型を用いて
前記第1の絶縁性基板をパッケージに樹脂封止する第7
の工程と、樹脂封止された前記パッケージの開口部から
樹脂接着剤を塗布し、その上に前記機能ブロックが搭載
された前記第2の絶縁性基板をはめ込み、高温加熱によ
るリフローで前記第1および前記第2の絶縁成基板それ
ぞれの前記第3および前記第4並びに前記第5および前
記6のパッドを溶融しソルダリングする第8の工程と、
予め用意したカバーの周縁部に接着剤を塗布し、このカ
バーを前記機能ブロックに被せて前記パッケージの前記
開口部周縁部に固定する第9の工程と、前記第9の工程
完了後、組立後の外観チェックに続いて電気的特性試験
に移行し、外部の専用測定装置との間で無線により所定
信号を送受信させて前記半導体チップおよび前記機能ブ
ロック内の各部ブロックの総合 動作試験を行う第10の
工程とを有することを特徴とする。
【0018】
【0019】
【0020】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一実施の形態を図
面を参照しながら説明する。図1は本発明の半導体装置
の断面図であり、図2は絶縁性基板に半導体チップが搭
載された状態を示す平面図である。図1を参照すると、
予め必要な配線が施された絶縁性基板1の裏面に半導体
チップ2がフェイスアップで搭載され、この半導体チッ
プ2上の信号入出力用のパッド(図2参照))と絶縁性
基板1の裏面に半導体チップ2を囲むように配設された
リード3aおよびパッド3bとが金属細線4でワイヤボ
ンディングされ、これらパッド間の電気的接続がなされ
ている。
【0021】この金属配線4に接続された絶縁基板1上
のパッド下の絶縁基板にはスルーホール5a,5bがそ
れぞれ形成され、これらのスルーホール5a,5bと反
対側の面に形成された内部リード(パッド)6a,6b
にそれぞれ1対1で接続されている。半導体チップ2
は、例えばCPU、メモリ、周辺回路を含む1チップの
論理回路素子であり、絶縁性基板1に樹脂接着剤7で接
着される。半導体チップ2の素子形成面にはパッド3c
が千鳥状で2列に形成されている。
【0022】図2を参照すると、この絶縁性基板1の周
辺部には、半導体チップ2の4辺と対向するようにリー
ド3aが配設され、これらのリード3aの絶縁性基板縁
端側の一端には第1のスルーホール5aが形成されてい
る。さらに、これらのリード3aと半導体チップ2の4
辺との間にもそれぞれ第2のスルーホール5bが形成さ
れている。これらのリード3aの他端と半導体チップ2
のパッド3cのうち、内側の列のパッドとが金属細線4
でワイヤボンディングされている。半導体チップ2のパ
ッドのうち、外側の列のパッドと第2のスルーホールと
の間も金属細線でそれぞれワイヤボンディングされて電
気的接続がなされている。
【0023】この半導体チップ2がフェイスアップの状
態になるように絶縁性基板1に搭載された状態で、かつ
この絶縁性基板1の面積で上部が開口された樹脂封止パ
ッケージ構造を有する。
【0024】絶縁性基板1の半導体チップ搭載面の反対
面には、前述したスルーホール5a,5bの位置にパッ
ド6a,6bが設けてある。この半導体チップ搭載面の
反対面には、機能ブロック8が搭載された絶縁性基板9
がブロック搭載面の反対面が互いに対向するように配置
される。
【0025】この機能ブロック搭載面の反対面には、半
導体チップ搭載面の反対面および機能ブロック搭載面の
反対面が互いに対向するように配置されたときに前述し
たスルーホール5a,5bの対応するホール位置にパッ
ド10a,10bが設けられている。これらのスルーホ
ール5a,5bに対応したパッド10a,10bは、機
能ブロック8の対応する端子と印刷配線で予め接続され
ている。
【0026】機能ブロック8は、例えばアンテナを含む
無線受信部と、受信した電源電流信号とデータ信号のう
ち電源電流信号を整流する整流部と、この整流部の出力
する電源電流を蓄電する電池部と、外部装置へデータを
送信する送信部とからなり、データ信号が供給される半
導体チップ2は所定の処理動作を実行する。
【0027】つまりこの半導体装置は、電源電流が無線
で供給されるため通常の電池交換の手間が無く、この装
置だけで独立した回路機能を有するとともに、外部リー
ドがないので携帯性がある。
【0028】上述した構造を有する半導体装置の製造工
程を示した図3を参照すると、予めこの半導体装置に搭
載する機能ブロック8は絶縁性基板9に搭載される。こ
の絶縁性基板9にはまず所定の配線が印刷配線で形成さ
れ、さらに、半導体チップ2が搭載された絶縁性基板1
のスルーホール5a,5bの位置に対応するパッド6
a,6b,10a,10b部分に半田ペーストによるパ
ッドを形成されている。機能ブロック8が絶縁性基板9
に搭載された状態で用意され、上述したそれぞれの回路
部の電気的試験をテスターで行い、良品であることを確
認しておく。この確認には後述する検査用テストボード
が共用される。
【0029】次に、半導体チップ2は、通常のLSIの
製造工程と同様に、ウエハ選別試験で電気的特性が確認
され、ペレッタイズを完了した良品が用意され、絶縁性
基板1に搭載される。
【0030】絶縁性基板1は、予め前述したリード3a
とスルーホール5a,5bが印刷配線されスルーホール
5a部分に半田ペーストでパッド3bが、スルーホール
5b部分に半田ペーストでパッド5が形成されており、
この絶縁性基板1の中心部に半導体チップ2が搭載され
る。この半導体チップ2のパッド3cと絶縁性基板上の
リード3aまたは第2のスルーホール5b上のパッド5
とをそれぞれウェッジボンディング法で金属細線4を配
線する。
【0031】その後、絶縁性基板1に搭載された半導体
チップ2の選別試験を、図4に示した検査用テストボー
ドを用いて実施し、良品と判断されたパッケージのみが
次工程に投入される。なお、この段階での選別検査は省
略して次工程でまとめて行ってもよい。
【0032】次に、絶縁性基板1に搭載された半導体チ
ップ2を、通常行われているトランスファモールド法に
より所定の成形型の中で樹脂封止を行う。その際、絶縁
性基板1の上部の樹脂部には絶縁性基板1と同じ面積の
開口部を開けるために、開口用型が加工された成形型が
用いられる。成形された半導体装置は機能ブロック8の
規模にもよるが、約40mm×40mmである。
【0033】半導体チップ2が樹脂封止された段階で電
気的特性試験を行い良品を選別する。この選別で使用す
る治具として、前述した、絶縁基板上のスルーホール5
a,5bの位置に合わせ検査用探針14が植設された検
査用テストボード13を用いる。このテストボード13
は各検査用探針14とテスタを接続する配線群によりテ
ストヘッド部に装着される。なおこのテストボード13
の検査用探針配置は、機能ブロック8の搭載された絶縁
性基板9および半導体チップ2が搭載された絶縁性基板
1のパッド位置が同一であるから、双方の試験に共用さ
れる。
【0034】次に、樹脂封止された半導体装置の樹脂パ
ッケージ11の開口部から樹脂接着剤7を塗布し、その
上に機能ブロック8が搭載された絶縁性基板9をはめ込
み、赤外線フロー装置等の高温加熱によるリフローで両
絶縁成基板1,9の半田ペーストによるパッド6a,6
b,10a,10bを溶融しソルダリングする。
【0035】この後で、予め用意したプラスティックカ
バー12の周縁部に接着剤を塗布し、このカバー12を
機能ブロック8に被せて樹脂パッケージ11の開口部周
縁部に固定する。ここまでの工程により本実施の形態の
半導体装置の組立工程は完了する。
【0036】全体の組立が完了した後、組立後の外観チ
ェックに続いて電気的特性試験に移行する。この試験で
は、この半導体装置を動作させる所定の周波数を外部の
専用測定装置から無線により送信させて半導体チップ2
および機能ブロック8内の各部ロック受信部、整流部、
電池部、送信部の総合動作試験を行うとともに、送信部
から発信された信号を専用測定装置で受信し動作を確認
する。
【0037】上述の説明では、1個の樹脂パッケージの
中に、半導体チップ、この例では専用の1チップLSI
としてそれ自身CPU、メモリおよび周辺回路を内蔵し
た場合のパッケージ構造を説明しているが、絶縁性基板
1に搭載する半導体チップはMCM等の複数のLSIか
ら構成することもできる。
【0038】また、上述の例では電源電流を受信電波か
ら整流して得ている例を述べたが、この整流部および電
池部を削除し、通常のボタン電池を収納する構造として
もリードレスのパッケージとすることができる。
【0039】従って、本実施の形態の半導体装置は、リ
ード部をなくすことにより多ピン対応が容易になり、小
型化ができるので、パッケージ単独で携帯用装置を構成
することが出来る。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、制御用の半導体チップとこの半導体チップの入出
力信号を外部装置との間で無線で送受信する機能ブロッ
クとを内蔵することにより、外部装置との入出力信号用
の外部リードを持たないリードレス構造のパッケージを
備えるので、パッケージの外部リードを省略でき、複雑
なリード加工が不要になる半導体装置が得られ、従って
小型化ができ、パッケージ単独で携帯用装置を構成する
ことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置における一実施の形態の断
面図である。
【図2】半導体チップ搭載状態の絶縁性基板の平面図で
ある。
【図3】本発明の半導体装置の製造工程説明用の断面図
である。
【図4】選別試験に用いる検査用テストボードの平面図
である。
【図5】従来の半導体装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
1,9,27 絶縁性基板 2,25 半導体チップ 3a リード 4,26 金属細線 5a,5b スルーホール 3b,3c,5,6a,6b,10a,10b パッ
ド 7,30 接着剤 8 機能ブロック 11 樹脂パッケージ 12 カバー 13 検査用テストボード 14 検査用探針 21 キャリア 22 側面電極 23 外部リード 24 キャップ 28 半導体装置 29 ヒートシンク

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 制御用の半導体チップとこの半導体チッ
    プの入出力信号を外部装置との間で無線で送受信する機
    能ブロックとを内蔵することにより、外部装置との入出
    力信号用の外部リードを持たないリードレス構造のパッ
    ケージとする半導体装置において、予め必要な配線が施
    された絶縁性基板の裏面に前記半導体チップが搭載さ
    れ、この半導体チップ上の信号入出力用パッドと前記半
    導体チップ搭載面に前記半導体チップを囲むように配設
    されたリードおよび第1のパッドとがそれぞれ金属細線
    でワイヤボンディングされて電気的に接続され、これら
    金属配線で接続された前記パッド下の絶縁性基板にはス
    ルーホールがそれぞれ形成され、これらのスルーホール
    で接続される前記絶縁性基板の前記半導体チップ搭載面
    の反対面には、前記スルーホールの位置に第2のパッド
    がそれぞれ設けられ、この半導体チップがフェイスアッ
    プの状態になるように絶縁性基板に搭載された状態で、
    かつこの絶縁性基板面積と略等面積で上部が開口された
    樹脂封止パッケージが用いられ、前記開口部に前記機能
    ブロック搭載の絶縁性基板が配置され、前記機能ブロッ
    クおよび前記半導体チップ間を接続する第2および第3
    のパッドが設けられ、これら第2および第3のパッドが
    対応する前記第1および前記第2のパッドとそれぞれ1
    対1で熱圧着されたリードレスのパッケージ構造を有す
    ることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 制御用の半導体チップとこの半導体チッ
    プの入出力信号を外部装置との間で無線で送受信すると
    ともに、受信した信号を整流して所定の電源電流に変換
    する手段を有する機能ブロックとを内蔵することによ
    り、外部装置との入出力信号用の外部リードを持たない
    リードレス構造のパッケージをもつ半導体装置の製造方
    法は、予め所定の配線が印刷配線で形成され、さらに、
    後工程で前記半導体チップが搭載される第1の絶縁性基
    板の信号入出力用の第1および第2のパッド対応部分に
    半田ペーストによる第3および第4のパッドを形成した
    第2の絶縁性基板に前記機能ブロックを搭載する第1の
    工程と、前記第2の絶縁性基板の電気的特性試験をテス
    ターで行い、良品を選別する第2の工程と、予めウエハ
    選別試験で電気的特性が確認され、ペレッタイズを完了
    した良品の前記半導体チップが前記第1の絶縁性基板に
    搭載される第3の工程と、予め前記第1および前記第2
    のパッドとスルーホール5を介して半田ペーストで第5
    および第6のパッドが形成された前記第1の絶縁性基板
    に前記良品の半導体チップが搭載される第4の工程と、
    前記半導体チップ上の信号入出力パッドと前記第1の絶
    縁性基板上の前記第1および前記第2のパッドとをそれ
    ぞれ金属細線を用いて電気的接続をする第5の工程と、
    前記半導体チップが搭載された前記第1の絶縁性基板を
    電気的特性試験により良品選別する第6の工程と、前記
    第1の絶縁性基板の上部樹脂部にこの絶縁性基板と同じ
    面積の開口部を開口するための開口用型が加工された成
    形型を用いて前記第1の絶縁性基板をパッケージに樹脂
    封止する第7の工程と、樹脂封止された前記パッケージ
    の開口部から樹脂接着剤を塗布し、その上に前記機能ブ
    ロックが搭載された前記第2の絶縁性基板をはめ込み、
    高温加熱によるリフローで前記第1および前記第2の絶
    縁成基板それぞれの前記第3および前記第4並びに前記
    第5および前記6のパッドを溶融しソルダリングする第
    8の工程と、予め用意したカバーの周縁部に接着剤を塗
    布し、このカバーを前記機能ブロックに被せて前記パッ
    ケージの前記開口部周縁部に固定する第9の工程と、前
    記第9の工程完了後、組立後の外観チェックに続いて電
    気的特性試験に移行し、外部の専用測定装置との間で無
    線により所定信号を送受信させて前記半導体チップおよ
    び前記機能ブロック内の各部ブロックの総合動作試験を
    行う第10の工程とを有することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
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