JP3020481B1 - 多チップ半導体パッケージ構造とその製造方法 - Google Patents
多チップ半導体パッケージ構造とその製造方法Info
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Abstract
【要約】
【課題】 多チップ半導体パッケージ構造とその製造方
法の提供。 【解決手段】 ＬＯＣ技術とＢＧＡ技術を融合させるこ
とで二つのチップを同一のＩＣ素子中に積み重ね、その
うちの一つのチップでは、リードフレームのリードをチ
ップ上の回路と外界を連結するインタフェースとなし、
もう一つのチップでは、錫球をチップ上の回路と外界を
連結するインタフェースとなし、且つこれら二つのチッ
プをリードフレームで支持固定することで、従来のＢＧ
Ａ技術に必要であった基板素子を省略する。こうして二
つのチップにそれぞれ異なる或いは同じ機能を持たせる
ことができるようにすると共に、全体の構造を簡素化
し、製造工程を容易とし、製造コストを下げ、並びにＩ
Ｃ素子の全体面積、長さをいずれも従来の技術より縮小
する。
法の提供。 【解決手段】 ＬＯＣ技術とＢＧＡ技術を融合させるこ
とで二つのチップを同一のＩＣ素子中に積み重ね、その
うちの一つのチップでは、リードフレームのリードをチ
ップ上の回路と外界を連結するインタフェースとなし、
もう一つのチップでは、錫球をチップ上の回路と外界を
連結するインタフェースとなし、且つこれら二つのチッ
プをリードフレームで支持固定することで、従来のＢＧ
Ａ技術に必要であった基板素子を省略する。こうして二
つのチップにそれぞれ異なる或いは同じ機能を持たせる
ことができるようにすると共に、全体の構造を簡素化
し、製造工程を容易とし、製造コストを下げ、並びにＩ
Ｃ素子の全体面積、長さをいずれも従来の技術より縮小
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種の多チップ半導
体パッケージ構造とその製造方法に関し、特に、二つ以
上の、同じ或いは異なる機能を有するチップを同一パッ
ケージ中に積み重ね、且つそのうちの一つのチップにつ
いてはリードフレームのリードを外界とのインタフェー
スとし、もう一つのチップについては半田バンプを外界
とのインタフェースとなした多チップ半導体パッケージ
構造とその製造方法に関する。
体パッケージ構造とその製造方法に関し、特に、二つ以
上の、同じ或いは異なる機能を有するチップを同一パッ
ケージ中に積み重ね、且つそのうちの一つのチップにつ
いてはリードフレームのリードを外界とのインタフェー
スとし、もう一つのチップについては半田バンプを外界
とのインタフェースとなした多チップ半導体パッケージ
構造とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造においては、いかに小さいパ
ッケージ中に多くのロジック回路を詰め込んで相対的に
製造コストを下げるか、ということが製造業者の一致し
た研究課題とされている。ゆえにこの領域の研究、競争
は非常に激烈となっており、チップ上の回路を縮小して
最小素子寸法とする方法以外に、最低コストで直接単一
の半導体パッケージのメモリ容量を倍増する方法とし
て、同一パッケージ中に２片以上のチップを包装する方
法がある。
ッケージ中に多くのロジック回路を詰め込んで相対的に
製造コストを下げるか、ということが製造業者の一致し
た研究課題とされている。ゆえにこの領域の研究、競争
は非常に激烈となっており、チップ上の回路を縮小して
最小素子寸法とする方法以外に、最低コストで直接単一
の半導体パッケージのメモリ容量を倍増する方法とし
て、同一パッケージ中に２片以上のチップを包装する方
法がある。
【０００３】図１には従来の多チップ半導体パッケージ
構造の例が示される。それは、ＬＯＣ技術で２片のチッ
プ１ａ、１ｂをホットメルト両面テープ２ａ、２ｂでそ
れぞれ別々のリードフレーム３ａ、３ｂ上に結合し、並
びに金線４ａ、４ｂを使用したリードボンディングによ
りチップ１ａ、１ｂの回路とリードフレーム３ａ、３ｂ
の対応するリードとを連接し、最後にモールド樹脂で封
止５し、一体の半導体パッケージ素子（ＩＣ）を形成し
ている。しかし、このように単純にリードフレームのリ
ード６を複数のチップ１ａ、１ｂと外界とのインタフェ
ースとすることの最大の欠点は、リード６数が倍増する
ため、半導体パッケージ素子の長さがリードの数の増加
につれて増加したことである。最近のシングルチップパ
ッケージ素子（例えば４ＭＢ ＤＲＡＭ ＩＣ）のピン
数はすでに過去の２０対から３０対から、現在の４２対
から５０対となっている。各一対のピンはいずれもその
固定された幅を有するため、ＩＣ素子は不断に長く、大
きくなり、もし図１の技術を以て多チップのパッケージ
を進行するならば、ピン数は８０対から１００対以上に
もなり、あまりにも長さが増して実用的でなくなってし
まう。
構造の例が示される。それは、ＬＯＣ技術で２片のチッ
プ１ａ、１ｂをホットメルト両面テープ２ａ、２ｂでそ
れぞれ別々のリードフレーム３ａ、３ｂ上に結合し、並
びに金線４ａ、４ｂを使用したリードボンディングによ
りチップ１ａ、１ｂの回路とリードフレーム３ａ、３ｂ
の対応するリードとを連接し、最後にモールド樹脂で封
止５し、一体の半導体パッケージ素子（ＩＣ）を形成し
ている。しかし、このように単純にリードフレームのリ
ード６を複数のチップ１ａ、１ｂと外界とのインタフェ
ースとすることの最大の欠点は、リード６数が倍増する
ため、半導体パッケージ素子の長さがリードの数の増加
につれて増加したことである。最近のシングルチップパ
ッケージ素子（例えば４ＭＢ ＤＲＡＭ ＩＣ）のピン
数はすでに過去の２０対から３０対から、現在の４２対
から５０対となっている。各一対のピンはいずれもその
固定された幅を有するため、ＩＣ素子は不断に長く、大
きくなり、もし図１の技術を以て多チップのパッケージ
を進行するならば、ピン数は８０対から１００対以上に
もなり、あまりにも長さが増して実用的でなくなってし
まう。
【０００４】図２に示されるのは、もう一種の従来の多
チップ半導体パッケージ構造の例であり、それは、ＢＧ
Ａ技術を採用して、二つのチップ７ａ、７ｂをエポキシ
で相互に結合した後にさらに一つの基板８上に接着し、
並びに金線９ａ、９ｂでチップ７ａ、７ｂ上の回路と基
板８の対応するボンディングパッドが連接された後、基
板８上の回路設計或いは基板８を貫通する導電プラグ設
計により、チップ７ａ、７ｂ上の電気回路が金線９ａ、
９ｂを透過して基板８の底面の対応する半田バンプ１０
上に連接し、こうして一体の半導体パッケージ素子（Ｉ
Ｃ）が形成されている。ただし、このように単純に、Ｂ
ＧＡ技術の基板８の半田バンプ１０を複数チップ７ａ、
７ｂ上の回路と外界とのインタフェースとすることの最
大の欠点は、基板８の面積が増大するために該半導体パ
ッケージ素子の面積が非常に大きくなり、且つ工程上多
くの不便があり実施が困難であることである。現在のＢ
ＧＡ技術ではいずれも一つの基板８でチップを支持、固
定し、さらに基板８の底面に設けられた半田バンプを信
号伝送の接点となしているため、基板の面積は一般に実
際のチップの寸法より少なからず大きくなり、さらに複
数チップの積み重ねは半田バンプの数量と基板面積を増
加させ、実用上が相対的に下がった。このように単純
に、ＢＧＡ技術により複数チップを積み重ねることのも
う一つの欠点は、製造工程上の難しさであり、例えば図
２に示される構造では、その上のチップ７ａと基板８の
間を連接する金線９ａがほぼ金線９ｂの２倍の長さとな
り、このように長すぎる金線９ａはボンディングが非常
に難しく、且つ外力或いは過熱（抵抗値が比較的大きい
ことによる）により極めて断線しやすかった。且つ、こ
のような構造におけるチップ７ａの寸法はその下のチッ
プ７ｂより小さくなければならず、二つの同じ寸法或い
は規格のチップを積み重ねることはできず、設計上の困
難がもたらされた。このほか過長で密集する金線９ａ、
９ｂが封止時に、樹脂による衝撃を受けて脱落し回路が
遮断されることがあるため、歩留りが悪くなり、実施に
向かなかった。
チップ半導体パッケージ構造の例であり、それは、ＢＧ
Ａ技術を採用して、二つのチップ７ａ、７ｂをエポキシ
で相互に結合した後にさらに一つの基板８上に接着し、
並びに金線９ａ、９ｂでチップ７ａ、７ｂ上の回路と基
板８の対応するボンディングパッドが連接された後、基
板８上の回路設計或いは基板８を貫通する導電プラグ設
計により、チップ７ａ、７ｂ上の電気回路が金線９ａ、
９ｂを透過して基板８の底面の対応する半田バンプ１０
上に連接し、こうして一体の半導体パッケージ素子（Ｉ
Ｃ）が形成されている。ただし、このように単純に、Ｂ
ＧＡ技術の基板８の半田バンプ１０を複数チップ７ａ、
７ｂ上の回路と外界とのインタフェースとすることの最
大の欠点は、基板８の面積が増大するために該半導体パ
ッケージ素子の面積が非常に大きくなり、且つ工程上多
くの不便があり実施が困難であることである。現在のＢ
ＧＡ技術ではいずれも一つの基板８でチップを支持、固
定し、さらに基板８の底面に設けられた半田バンプを信
号伝送の接点となしているため、基板の面積は一般に実
際のチップの寸法より少なからず大きくなり、さらに複
数チップの積み重ねは半田バンプの数量と基板面積を増
加させ、実用上が相対的に下がった。このように単純
に、ＢＧＡ技術により複数チップを積み重ねることのも
う一つの欠点は、製造工程上の難しさであり、例えば図
２に示される構造では、その上のチップ７ａと基板８の
間を連接する金線９ａがほぼ金線９ｂの２倍の長さとな
り、このように長すぎる金線９ａはボンディングが非常
に難しく、且つ外力或いは過熱（抵抗値が比較的大きい
ことによる）により極めて断線しやすかった。且つ、こ
のような構造におけるチップ７ａの寸法はその下のチッ
プ７ｂより小さくなければならず、二つの同じ寸法或い
は規格のチップを積み重ねることはできず、設計上の困
難がもたらされた。このほか過長で密集する金線９ａ、
９ｂが封止時に、樹脂による衝撃を受けて脱落し回路が
遮断されることがあるため、歩留りが悪くなり、実施に
向かなかった。
【０００５】ゆえに、上述の各種の従来の技術は、実際
的に、完全には半導体素子寸法の縮小と製造コストの削
減という要求を満足させることができず、改善の必要が
あった。
的に、完全には半導体素子寸法の縮小と製造コストの削
減という要求を満足させることができず、改善の必要が
あった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、一種の多チ
ップ半導体パッケージ構造とその製造方法を提供するこ
とを課題とし、本発明により構造が簡単で、製造が容易
であり、製造コストが低く、且つＩＣ素子の全体面積、
長さを従来の技術より縮小できる提供される多チップ半
導体パッケージを提供できるものとする。
ップ半導体パッケージ構造とその製造方法を提供するこ
とを課題とし、本発明により構造が簡単で、製造が容易
であり、製造コストが低く、且つＩＣ素子の全体面積、
長さを従来の技術より縮小できる提供される多チップ半
導体パッケージを提供できるものとする。
【０００７】本発明は一種の多チップ半導体パッケージ
構造とその製造方法を提供することを課題とし、それは
ＬＯＣ技術とＢＧＡ技術を融合して二つのチップを同一
のＩＣ素子中に積み重ね、前述の従来の技術の数々の欠
点を解決すると共に、該二つのチップにそれぞれ同じか
或いは異なる機能を持たせられるようにする構造と製造
方法であるものとする。
構造とその製造方法を提供することを課題とし、それは
ＬＯＣ技術とＢＧＡ技術を融合して二つのチップを同一
のＩＣ素子中に積み重ね、前述の従来の技術の数々の欠
点を解決すると共に、該二つのチップにそれぞれ同じか
或いは異なる機能を持たせられるようにする構造と製造
方法であるものとする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、複数
のチップとされて、いずれも一つの作動面と一つの非作
動面を有して、各チップの作動面それぞれに複数のボン
ディングパッドが設置されてチップ上の回路と外界を連
結するインタフェースとされる、上記複数のチップ、一
つのリードフレームとされて、複数のリードを具え、該
第２チップの作動面の複数のボンディングパッドが一つ
の技術手段によりそれぞれ対応するリードに連結される
一方、該第１チップの非作動面が該リードフレームに結
合される、上記リードフレーム、複数の半田バンプとさ
れて、第１チップの作動面の対応する上記ボンディング
パッドに連接される、上記複数の半田バンプ、モールド
樹脂とされ、前述の複数のチップを封止して一体の半導
体パッケージとなすと共に、該複数のリードと半田バン
プを外部に露出させて外界との連結のインタフェースと
なす、上記モールド樹脂。以上を包括して構成された多
チップ半導体パッケージとしている。
のチップとされて、いずれも一つの作動面と一つの非作
動面を有して、各チップの作動面それぞれに複数のボン
ディングパッドが設置されてチップ上の回路と外界を連
結するインタフェースとされる、上記複数のチップ、一
つのリードフレームとされて、複数のリードを具え、該
第２チップの作動面の複数のボンディングパッドが一つ
の技術手段によりそれぞれ対応するリードに連結される
一方、該第１チップの非作動面が該リードフレームに結
合される、上記リードフレーム、複数の半田バンプとさ
れて、第１チップの作動面の対応する上記ボンディング
パッドに連接される、上記複数の半田バンプ、モールド
樹脂とされ、前述の複数のチップを封止して一体の半導
体パッケージとなすと共に、該複数のリードと半田バン
プを外部に露出させて外界との連結のインタフェースと
なす、上記モールド樹脂。以上を包括して構成された多
チップ半導体パッケージとしている。
【０００９】請求項２の発明は、前記ボンディングパッ
ドがＡｌパッドとされたことを特徴とする、請求項１に
記載の多チップ半導体パッケージとしている。
ドがＡｌパッドとされたことを特徴とする、請求項１に
記載の多チップ半導体パッケージとしている。
【００１０】請求項３の発明は、前記第２チップのボン
ディングパッドと対応するリードを連接する技術手段が
ボンディングワイヤとされたことを特徴とする、請求項
１に記載の多チップ半導体パッケージとしている。
ディングパッドと対応するリードを連接する技術手段が
ボンディングワイヤとされたことを特徴とする、請求項
１に記載の多チップ半導体パッケージとしている。
【００１１】請求項４の発明は、前記第２チップのボン
ディングパッドとリードを連結する技術手段として、前
記第２チップのボンディングパッドが直接対応するリー
ドに溶接され、それにより第２チップがリードフレーム
に結合、固定されることを特徴とする、請求項１に記載
の多チップ半導体パッケージとしている。
ディングパッドとリードを連結する技術手段として、前
記第２チップのボンディングパッドが直接対応するリー
ドに溶接され、それにより第２チップがリードフレーム
に結合、固定されることを特徴とする、請求項１に記載
の多チップ半導体パッケージとしている。
【００１２】請求項５の発明は、前記第２チップの非作
動面と第１チップの非作動面の間がエポキシで結合され
ていることを特徴とする、請求項１に記載の多チップ半
導体パッケージとしている。
動面と第１チップの非作動面の間がエポキシで結合され
ていることを特徴とする、請求項１に記載の多チップ半
導体パッケージとしている。
【００１３】請求項６の発明は、前記第１チップの非作
動面が熱溶性の両面テープでリードフレームの第２チッ
プと結合していない一側面に結合されていることを特徴
とする、請求項１に記載の多チップ半導体パッケージと
している。
動面が熱溶性の両面テープでリードフレームの第２チッ
プと結合していない一側面に結合されていることを特徴
とする、請求項１に記載の多チップ半導体パッケージと
している。
【００１４】請求項７の発明は、前記第１チップの回路
が直接第２チップの回路と結合しておらず、リードフレ
ームのリードが直接半田バンプと結合していないことを
特徴とする、請求項１に記載の多チップ半導体パッケー
ジとしている。
が直接第２チップの回路と結合しておらず、リードフレ
ームのリードが直接半田バンプと結合していないことを
特徴とする、請求項１に記載の多チップ半導体パッケー
ジとしている。
【００１５】請求項８の発明は、前記第１チップと第２
チップが異なる機能を有するチップとされたことを特徴
とする、請求項１に記載の多チップ半導体パッケージと
している。
チップが異なる機能を有するチップとされたことを特徴
とする、請求項１に記載の多チップ半導体パッケージと
している。
【００１６】請求項９の発明は、作動面と非作動面を有
する複数のチップを封止してある多チップ半導体パッケ
ージの製造方法において、以下のａからｆのステップ、
即ち、 ａ．第１チップの非作動面に複数のリードを具えた一つ
のリードフレームを結合するステップ ｂ．第２チップの非作動面を第１チップの非作動面に結
合するステップ ｃ．第２チップの作動面を、第１チップの上記リードフ
レームのリードに連接するステップ ｄ．第１チップ２１の作動面の適当な位置に複数の内バ
ンプを植え込んでからモールド樹脂で第１チップと第２
チップを封止すると共に、該リード及び内バンプの少な
くとも一部を樹脂の外に露出させるステップ ｅ．複数の半田バンプを複数の内バンプの位置に植え込
むステップ ｆ．リードを折り曲げて半田バンプの方向に所定の角度
と長さに延伸させるステップ、 以上を包括する多チップ半導体パッケージの製造方法と
している。
する複数のチップを封止してある多チップ半導体パッケ
ージの製造方法において、以下のａからｆのステップ、
即ち、 ａ．第１チップの非作動面に複数のリードを具えた一つ
のリードフレームを結合するステップ ｂ．第２チップの非作動面を第１チップの非作動面に結
合するステップ ｃ．第２チップの作動面を、第１チップの上記リードフ
レームのリードに連接するステップ ｄ．第１チップ２１の作動面の適当な位置に複数の内バ
ンプを植え込んでからモールド樹脂で第１チップと第２
チップを封止すると共に、該リード及び内バンプの少な
くとも一部を樹脂の外に露出させるステップ ｅ．複数の半田バンプを複数の内バンプの位置に植え込
むステップ ｆ．リードを折り曲げて半田バンプの方向に所定の角度
と長さに延伸させるステップ、 以上を包括する多チップ半導体パッケージの製造方法と
している。
【００１７】請求項１０の発明は、作動面と非作動面を
有する複数のチップを封止してある多チップ半導体パッ
ケージの製造方法において、以下のａからｆのステッ
プ、即ち、 ａ．第２チップの作動面の適当な位置に複数の導電性の
溶接材を植え込むステップ ｂ．第２チップの複数の溶接材を溶接方式でリードフレ
ームの対応するリードに結合させるステップ ｃ．第１チップの非作動面を該リードフレームの第２チ
ップと反対の側面に結合させるステップ ｄ．第１チップの作動面の適当な位置に複数の内バンプ
を植え込み、並びに樹脂で第１チップと第２チップを封
止し、且つリード及び内バンプの少なくとも一部を樹脂
の外に露出させるステップ ｅ．複数の半田バンプを複数の内バンプの位置に植え込
むステップ ｆ．リードを折り曲げてフォーミングし、リードを半田
バンプの方向に延伸させて所定の角度、長さ及び形状と
なすステップ 以上を包括する多チップ半導体パッケージの製造方法と
している。
有する複数のチップを封止してある多チップ半導体パッ
ケージの製造方法において、以下のａからｆのステッ
プ、即ち、 ａ．第２チップの作動面の適当な位置に複数の導電性の
溶接材を植え込むステップ ｂ．第２チップの複数の溶接材を溶接方式でリードフレ
ームの対応するリードに結合させるステップ ｃ．第１チップの非作動面を該リードフレームの第２チ
ップと反対の側面に結合させるステップ ｄ．第１チップの作動面の適当な位置に複数の内バンプ
を植え込み、並びに樹脂で第１チップと第２チップを封
止し、且つリード及び内バンプの少なくとも一部を樹脂
の外に露出させるステップ ｅ．複数の半田バンプを複数の内バンプの位置に植え込
むステップ ｆ．リードを折り曲げてフォーミングし、リードを半田
バンプの方向に延伸させて所定の角度、長さ及び形状と
なすステップ 以上を包括する多チップ半導体パッケージの製造方法と
している。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の多チップ半導体パッケー
ジ構造の望ましい一つの実施例は、二つのチップ、即ち
第１チップと第２チップと、複数のリードを具えたリー
ドフレーム、複数の半田バンプ及び樹脂を少なくとも包
括する。各チップはいずれも作動面と非作動面を有し、
且つ各チップの作動面に複数のボンディングパッドが設
けられてチップ上の回路と外界との連結のインタフェー
スとされている。第２チップの作動面上の複数の連接パ
ッドは一つの技術手段によりそれぞれ対応するリードに
結合され、且つ第１チップの非作動面はリードフレーム
上に結合されている。該複数の半田バンプは直接第１チ
ップの作動面上の対応する複数のボンディングパッド上
に連接される。該樹脂は前述のチップを封止して一つの
半導体パッケージ構造となすのに用いられ、該複数のリ
ード及び半田ボールは樹脂外に露出して外界との連結用
のインタフェースとされている。本発明の多チップ半導
体パッケージ構造には従来のＢＧＡ基板の設置がなく
（二つのチップがリードフレームにより支持、固定され
ている）、このためＩＣ素子の面積が大幅に縮小され、
二つのチップはリードと半田バンプを接点として利用し
ているため、そのピン数は多すぎず、ＩＣ素子の長さは
比較的短く、且つ本発明の全体構造は簡単で製造が容易
であり、製造コストが比較的低い。
ジ構造の望ましい一つの実施例は、二つのチップ、即ち
第１チップと第２チップと、複数のリードを具えたリー
ドフレーム、複数の半田バンプ及び樹脂を少なくとも包
括する。各チップはいずれも作動面と非作動面を有し、
且つ各チップの作動面に複数のボンディングパッドが設
けられてチップ上の回路と外界との連結のインタフェー
スとされている。第２チップの作動面上の複数の連接パ
ッドは一つの技術手段によりそれぞれ対応するリードに
結合され、且つ第１チップの非作動面はリードフレーム
上に結合されている。該複数の半田バンプは直接第１チ
ップの作動面上の対応する複数のボンディングパッド上
に連接される。該樹脂は前述のチップを封止して一つの
半導体パッケージ構造となすのに用いられ、該複数のリ
ード及び半田ボールは樹脂外に露出して外界との連結用
のインタフェースとされている。本発明の多チップ半導
体パッケージ構造には従来のＢＧＡ基板の設置がなく
（二つのチップがリードフレームにより支持、固定され
ている）、このためＩＣ素子の面積が大幅に縮小され、
二つのチップはリードと半田バンプを接点として利用し
ているため、そのピン数は多すぎず、ＩＣ素子の長さは
比較的短く、且つ本発明の全体構造は簡単で製造が容易
であり、製造コストが比較的低い。
【００１９】
【実施例】本発明の提供する多チップ半導体パッケージ
構造とその製造方法では、ＬＯＣ技術とＢＧＡ技術を融
合させることで二つのチップを同一のＩＣ素子中に積み
重ね、そのうちの一つのチップでは、リードフレームの
リードをチップ上の回路と外界を連結するインタフェー
スとなし、もう一つのチップでは、錫球をチップ上の回
路と外界を連結するインタフェースとなし、且つこれら
二つのチップをリードフレームで支持固定することで、
従来のＢＧＡ技術に必要であった基板素子を省略する。
こうして二つのチップにそれぞれ異なる或いは同じ機能
を持たせることができるようにすると共に、全体の構造
を簡素化し、製造工程を容易とし、製造コストを下げ、
並びにＩＣ素子の全体面積、長さをいずれも従来の技術
より縮小することができる。
構造とその製造方法では、ＬＯＣ技術とＢＧＡ技術を融
合させることで二つのチップを同一のＩＣ素子中に積み
重ね、そのうちの一つのチップでは、リードフレームの
リードをチップ上の回路と外界を連結するインタフェー
スとなし、もう一つのチップでは、錫球をチップ上の回
路と外界を連結するインタフェースとなし、且つこれら
二つのチップをリードフレームで支持固定することで、
従来のＢＧＡ技術に必要であった基板素子を省略する。
こうして二つのチップにそれぞれ異なる或いは同じ機能
を持たせることができるようにすると共に、全体の構造
を簡素化し、製造工程を容易とし、製造コストを下げ、
並びにＩＣ素子の全体面積、長さをいずれも従来の技術
より縮小することができる。
【００２０】図３は本発明の多チップ半導体パッケージ
構造の望ましい一実施例を示している。図４から図５は
図３に示される実施例の製造フローの望ましい実施例を
示す。
構造の望ましい一実施例を示している。図４から図５は
図３に示される実施例の製造フローの望ましい実施例を
示す。
【００２１】図３に示されるように、本発明の提供する
多チップ半導体パッケージ２０は、複数のチップ、一つ
のリードフレーム２４、複数の半田バンプ２７及び樹脂
２６を含む。該複数のチップは本実施例では第１チップ
２１と第２チップ２２を包括し、各チップ２１、２２は
いずれも一つの作動面２１１、２２１と非作動面２１
２、２２２を有し、該作動面２１１、２２１はチップ２
１、２２の回路設計のある一側の表面とされ、且つ各チ
ップ２１、２２の作動面２１１、２２１の所定の位置に
複数のボンディングパッド２１３、２２３が設けられて
チップ２１、２２の外部を連結するためのインタフェー
スとされている。本実施例では該ボンディングパッド２
１３、２２３は、Ａｌ或いはそれに代替可能な金属のパ
ッドとされる。
多チップ半導体パッケージ２０は、複数のチップ、一つ
のリードフレーム２４、複数の半田バンプ２７及び樹脂
２６を含む。該複数のチップは本実施例では第１チップ
２１と第２チップ２２を包括し、各チップ２１、２２は
いずれも一つの作動面２１１、２２１と非作動面２１
２、２２２を有し、該作動面２１１、２２１はチップ２
１、２２の回路設計のある一側の表面とされ、且つ各チ
ップ２１、２２の作動面２１１、２２１の所定の位置に
複数のボンディングパッド２１３、２２３が設けられて
チップ２１、２２の外部を連結するためのインタフェー
スとされている。本実施例では該ボンディングパッド２
１３、２２３は、Ａｌ或いはそれに代替可能な金属のパ
ッドとされる。
【００２２】該リードフレーム２４は複数のリード２４
１を具え、該第２チップ２２の作動面２１１上の複数の
ボンディングパッド２１３は一つの技術手段によりそれ
ぞれ対応するリード２４１に連結され、且つ第１チップ
２１の非作動面２１２はリードフレーム２４上に結合し
ている。本実施例では、第２チップ２２のボンディング
パッド２２３と対応するリード２４１との結合手段とし
て金線などのボンディングワイヤ２２４が使用され、第
１チップ２１の非作動面２１２は熱溶性の両面テープ２
３でリードフレーム２４の第２チップ２２をボンディン
グしていない一側面に結合されている。当然、半導体技
術に習熟した者が以上の説明から容易に思いつくよう
に、両面テープ２３で第２チップ２２と第１チップ２１
を結合しうる。
１を具え、該第２チップ２２の作動面２１１上の複数の
ボンディングパッド２１３は一つの技術手段によりそれ
ぞれ対応するリード２４１に連結され、且つ第１チップ
２１の非作動面２１２はリードフレーム２４上に結合し
ている。本実施例では、第２チップ２２のボンディング
パッド２２３と対応するリード２４１との結合手段とし
て金線などのボンディングワイヤ２２４が使用され、第
１チップ２１の非作動面２１２は熱溶性の両面テープ２
３でリードフレーム２４の第２チップ２２をボンディン
グしていない一側面に結合されている。当然、半導体技
術に習熟した者が以上の説明から容易に思いつくよう
に、両面テープ２３で第２チップ２２と第１チップ２１
を結合しうる。
【００２３】複数の半田バンプ２７は、それぞれ第１チ
ップ２１の作動面２１１上の対応する複数のボンディン
グパッド２１３上に設置され、半田バンプ２７とボンデ
ィングパッド２１３の間に予め内ボール２１４が植え込
まれて半田バンプ２７とボンディングパッド２１３を結
合させる介装物とされる。その後、モールド樹脂２６で
封止を進行して前述の二つのチップ２１、２２を被覆し
て一体の半導体パッケージ２０となし、且つ複数のリー
ド２４１と半田バンプ２７は該樹脂２６の外に露出して
外界との連結用のインタフェースとされる。
ップ２１の作動面２１１上の対応する複数のボンディン
グパッド２１３上に設置され、半田バンプ２７とボンデ
ィングパッド２１３の間に予め内ボール２１４が植え込
まれて半田バンプ２７とボンディングパッド２１３を結
合させる介装物とされる。その後、モールド樹脂２６で
封止を進行して前述の二つのチップ２１、２２を被覆し
て一体の半導体パッケージ２０となし、且つ複数のリー
ド２４１と半田バンプ２７は該樹脂２６の外に露出して
外界との連結用のインタフェースとされる。
【００２４】図３に示される構造によると、第２チップ
２２がリードフレーム２４のリード２４１を第２チップ
２２上の回路と外界との連結のインタフェースとしてお
り、第１チップ２１は半田バンプ２７を第１チップ２１
上の回路と外界との連結のインタフェースとしており、
並びに第１チップ２１と第２チップ２２がいずれもリー
ドフレーム２４上に位置決めされて、従来のＢＧＡ技術
で必要であった基板素子が省略されている。ゆえに、本
発明により提供される多チップ半導体パッケージ２０
は、図３に示されるように、全体体積が比較的小さく、
ピン数が適当でＩＣの長さが過長とならず、少なくとも
従来の基板素子を設置したＩＣの面積よりその面積が縮
小され、且つ構造と素子数量の簡素化により製造コスト
削減を達成しうる。このほか、該チップ２１、２２はそ
れぞれ半田バンプ２７とリード２４１をチップ上の回路
と外界との連結のインタフェースとしており、ゆえに第
１チップ２１上の回路が直接第２チップ２２上の回路と
結合され且つリード２４１が直接半田バンプ２７と結合
されない時、該第１チップ２１と第２チップ２２は異な
る機能のチップとされうる。例えば、第１チップ２１が
ロジック回路のチップとされて第２チップ２２がメモリ
回路のチップとされうる。このように、同一ＩＣ中に同
時に数種類の異なる機能のチップを包括することで、Ｉ
Ｃの設計及び使用弾性が大幅に増加する。当然、半導体
技術に習熟した者が以上の説明より容易に思いつくよう
に、該第１チップ２１と第２チップ２２は同じ機能のチ
ップとされうるほか、第１チップ２１と第２チップ２２
上の電気回路は直接或いは間接的に相互に結合されう
る。
２２がリードフレーム２４のリード２４１を第２チップ
２２上の回路と外界との連結のインタフェースとしてお
り、第１チップ２１は半田バンプ２７を第１チップ２１
上の回路と外界との連結のインタフェースとしており、
並びに第１チップ２１と第２チップ２２がいずれもリー
ドフレーム２４上に位置決めされて、従来のＢＧＡ技術
で必要であった基板素子が省略されている。ゆえに、本
発明により提供される多チップ半導体パッケージ２０
は、図３に示されるように、全体体積が比較的小さく、
ピン数が適当でＩＣの長さが過長とならず、少なくとも
従来の基板素子を設置したＩＣの面積よりその面積が縮
小され、且つ構造と素子数量の簡素化により製造コスト
削減を達成しうる。このほか、該チップ２１、２２はそ
れぞれ半田バンプ２７とリード２４１をチップ上の回路
と外界との連結のインタフェースとしており、ゆえに第
１チップ２１上の回路が直接第２チップ２２上の回路と
結合され且つリード２４１が直接半田バンプ２７と結合
されない時、該第１チップ２１と第２チップ２２は異な
る機能のチップとされうる。例えば、第１チップ２１が
ロジック回路のチップとされて第２チップ２２がメモリ
回路のチップとされうる。このように、同一ＩＣ中に同
時に数種類の異なる機能のチップを包括することで、Ｉ
Ｃの設計及び使用弾性が大幅に増加する。当然、半導体
技術に習熟した者が以上の説明より容易に思いつくよう
に、該第１チップ２１と第２チップ２２は同じ機能のチ
ップとされうるほか、第１チップ２１と第２チップ２２
上の電気回路は直接或いは間接的に相互に結合されう
る。
【００２５】図４から図５は、図３に示される本発明の
望ましい多チップ半導体パッケージ構造の実施例の望ま
しい製造フローの実施例であり、それは以下のａからｆ
のステップを包括する。 ａ．第１チップ２１の非作動面２１２上に両面テープ２
３を利用して複数のリード２４１を具えた一つのリード
フレーム２４を結合する ｂ．第２チップ２２の非作動面２２２をエポキシ樹脂２
５で第１チップ２１の非作動面２１２に結合する。 ｃ．第２チップ２２の作動面２１１上のボンディングパ
ッド２１３をボンディングワイヤ２２４を利用してリー
ドフレーム２４のリード２４１に連接し、第２チップ２
２上の回路をリード２４１で外界と連接可能とする。 ｄ．第１チップ２１の作動面２１１上の適当な位置のボ
ンディングパッド２１３に複数の内バンプ２１４を植え
込み、同時に樹脂２６で第１チップ２１と第２チップ２
２を封止して一つの半導体ＩＣ素子を形成し、且つリー
ド２４１及び内バンプ２１４それぞれの少なくとも一部
を樹脂２６の外に露出させる。 ｅ．複数の半田バンプ２７を複数の内バンプ２１４の位
置に植え込んで第１チップ２１上の回路を半田バンプ２
７を介して外界と連通させられるようにする。 ｆ．リード２４１を曲げてフォーミングしリード２４１
を半田バンプ２７のある方向に延伸して、所定の角度、
長さ及び形状を有するものとなし、必要時にはさらに複
数のＩＣ間の切断分離工程を進行し、本発明の半導体パ
ッケージ２０を完成する。
望ましい多チップ半導体パッケージ構造の実施例の望ま
しい製造フローの実施例であり、それは以下のａからｆ
のステップを包括する。 ａ．第１チップ２１の非作動面２１２上に両面テープ２
３を利用して複数のリード２４１を具えた一つのリード
フレーム２４を結合する ｂ．第２チップ２２の非作動面２２２をエポキシ樹脂２
５で第１チップ２１の非作動面２１２に結合する。 ｃ．第２チップ２２の作動面２１１上のボンディングパ
ッド２１３をボンディングワイヤ２２４を利用してリー
ドフレーム２４のリード２４１に連接し、第２チップ２
２上の回路をリード２４１で外界と連接可能とする。 ｄ．第１チップ２１の作動面２１１上の適当な位置のボ
ンディングパッド２１３に複数の内バンプ２１４を植え
込み、同時に樹脂２６で第１チップ２１と第２チップ２
２を封止して一つの半導体ＩＣ素子を形成し、且つリー
ド２４１及び内バンプ２１４それぞれの少なくとも一部
を樹脂２６の外に露出させる。 ｅ．複数の半田バンプ２７を複数の内バンプ２１４の位
置に植え込んで第１チップ２１上の回路を半田バンプ２
７を介して外界と連通させられるようにする。 ｆ．リード２４１を曲げてフォーミングしリード２４１
を半田バンプ２７のある方向に延伸して、所定の角度、
長さ及び形状を有するものとなし、必要時にはさらに複
数のＩＣ間の切断分離工程を進行し、本発明の半導体パ
ッケージ２０を完成する。
【００２６】図６は本発明の多チップ半導体パッケージ
４０のもう一つの望ましい実施例を示し、図７から図８
はその製造フローを示す。
４０のもう一つの望ましい実施例を示し、図７から図８
はその製造フローを示す。
【００２７】図６に示される実施例の多チップ半導体パ
ッケージ（ＩＣ）構造も、同様に、二つのチップ、即ち
第１チップ４１と第２チップ４２、複数のリード４４１
を有するリードフレーム４４、複数の半田バンプ４７、
及び、第１チップ４１と第２チップ４２を封止する樹脂
４６を包括する。これら第１チップ４１、第２チップ４
２は同様に、ぞれぞれ一つの作動面４１１、４２１と一
つの非作動面４１２、４２２を具え、且つ各チップの作
動面４１１、４２１それぞれに複数のボンディングパッ
ド４１３、４２３が設けられている。
ッケージ（ＩＣ）構造も、同様に、二つのチップ、即ち
第１チップ４１と第２チップ４２、複数のリード４４１
を有するリードフレーム４４、複数の半田バンプ４７、
及び、第１チップ４１と第２チップ４２を封止する樹脂
４６を包括する。これら第１チップ４１、第２チップ４
２は同様に、ぞれぞれ一つの作動面４１１、４２１と一
つの非作動面４１２、４２２を具え、且つ各チップの作
動面４１１、４２１それぞれに複数のボンディングパッ
ド４１３、４２３が設けられている。
【００２８】該第１チップ４１は図５に示される実施例
でも、両面テープ４３によりリードフレーム４４の一側
面上に接着されているが、しかし、この技術の分野に習
熟した者であれば簡単に思いつけるように、第１チップ
４１をエポキシ樹脂でリードフレーム４４上に接着する
ことも可能である。リードフレーム４４の、第１チップ
２１と反対のもう一側面上に第２チップ４２が結合さ
れ、且つ第２チップ４２の作動面４２１上のボンディン
グパッド４２３は溶接材４２４（例えば半田バンプ）で
直接対応するリード４４１に連接され、これにより第２
チップ４２がリードフレーム４４に結合されると共に、
第２チップ４２上の回路がリード４４１により外界と連
通可能となる。第１チップ４１上のボンディングパッド
４１３には図３の実施例と同様、内バンプ４１４と半田
バンプ４７が結合され、こうして第１チップ４１上の回
路が半田バンプ４７により外界と連接可能となる。
でも、両面テープ４３によりリードフレーム４４の一側
面上に接着されているが、しかし、この技術の分野に習
熟した者であれば簡単に思いつけるように、第１チップ
４１をエポキシ樹脂でリードフレーム４４上に接着する
ことも可能である。リードフレーム４４の、第１チップ
２１と反対のもう一側面上に第２チップ４２が結合さ
れ、且つ第２チップ４２の作動面４２１上のボンディン
グパッド４２３は溶接材４２４（例えば半田バンプ）で
直接対応するリード４４１に連接され、これにより第２
チップ４２がリードフレーム４４に結合されると共に、
第２チップ４２上の回路がリード４４１により外界と連
通可能となる。第１チップ４１上のボンディングパッド
４１３には図３の実施例と同様、内バンプ４１４と半田
バンプ４７が結合され、こうして第１チップ４１上の回
路が半田バンプ４７により外界と連接可能となる。
【００２９】図７から図８は図６に示される実施例の製
造フローであり、以下のａからｆのステップを包括す
る。 ａ．第２チップ４２の作動面４２１の複数のボンディン
グパッド４２３部分に導電性の溶接材４２４を植え込
む。 ｂ．第２チップ４２の複数の溶接材４２４を溶接方式で
リードフレーム４４の対応するリード４４１に結合させ
て、リード４４１を第２チップ４２上の回路と外界とを
連結するインタフェースとなし、リードフレーム４４の
第２チップ４２と反対のもう一側面の適当な位置に両面
テープ４３を設置する。 ｃ．第１チップ４１の非作動面４１２を該リードフレー
ム４４の両面テープ４３に結合させ、第１チップ４１を
リードフレーム４４に固定する。 ｄ．第１チップ４１の作動面４１１の複数のボンディン
グパッド４１３部分にそれぞれ内バンプ４１４を植え込
み、並びに樹脂４６で第１チップ４１と第２チップ４２
を封止し、且つリード４４１及び内バンプ４１４の一部
を樹脂４６の外に露出させる。 ｅ．複数の半田バンプ４７を複数の内バンプ４１４の位
置に植え込み、半田バンプ４７を第１チップ４１の回路
と外界との連結のインタフェースとなす。 ｆ．リード４４１を折り曲げてフォーミングし、リード
４４１を半田バンプ４７の方向に延伸させて所定の角
度、長さ及び形状とし、本発明の多チップ半導体パッケ
ージ構造を完成する。
造フローであり、以下のａからｆのステップを包括す
る。 ａ．第２チップ４２の作動面４２１の複数のボンディン
グパッド４２３部分に導電性の溶接材４２４を植え込
む。 ｂ．第２チップ４２の複数の溶接材４２４を溶接方式で
リードフレーム４４の対応するリード４４１に結合させ
て、リード４４１を第２チップ４２上の回路と外界とを
連結するインタフェースとなし、リードフレーム４４の
第２チップ４２と反対のもう一側面の適当な位置に両面
テープ４３を設置する。 ｃ．第１チップ４１の非作動面４１２を該リードフレー
ム４４の両面テープ４３に結合させ、第１チップ４１を
リードフレーム４４に固定する。 ｄ．第１チップ４１の作動面４１１の複数のボンディン
グパッド４１３部分にそれぞれ内バンプ４１４を植え込
み、並びに樹脂４６で第１チップ４１と第２チップ４２
を封止し、且つリード４４１及び内バンプ４１４の一部
を樹脂４６の外に露出させる。 ｅ．複数の半田バンプ４７を複数の内バンプ４１４の位
置に植え込み、半田バンプ４７を第１チップ４１の回路
と外界との連結のインタフェースとなす。 ｆ．リード４４１を折り曲げてフォーミングし、リード
４４１を半田バンプ４７の方向に延伸させて所定の角
度、長さ及び形状とし、本発明の多チップ半導体パッケ
ージ構造を完成する。
【００３０】
【発明の効果】総合すると、本発明は多チップ半導体パ
ッケージ構造とその製造方法を提供するものであり、そ
れは、有効に従来の単純なＬＯＣ或いは単純なＢＧＡ技
術により製造された従来の多チップ半導体パッケージ構
造の有する問題、即ち、半導体の長さが長すぎ、面積が
大きすぎ、全体構造が複雑で、製造が難しく、コストが
高く、実用性が劣るなどの数々の欠点を解決する。且つ
本発明の多チップ半導体パッケージ構造は、同一ＩＣ中
に数種の異なる機能のチップを有するか或いは同一の機
能のチップを有するかを選択でき、これによりＩＣの設
計及び使用弾性を大幅に増加することができ、またその
全体構造は非常に簡単で、体積面積及び長さがいずれも
小さく、製造が容易であり、コストが非常に低く、進歩
性を有し、産業上の利用価値を有しており、且つ新規性
を有している。
ッケージ構造とその製造方法を提供するものであり、そ
れは、有効に従来の単純なＬＯＣ或いは単純なＢＧＡ技
術により製造された従来の多チップ半導体パッケージ構
造の有する問題、即ち、半導体の長さが長すぎ、面積が
大きすぎ、全体構造が複雑で、製造が難しく、コストが
高く、実用性が劣るなどの数々の欠点を解決する。且つ
本発明の多チップ半導体パッケージ構造は、同一ＩＣ中
に数種の異なる機能のチップを有するか或いは同一の機
能のチップを有するかを選択でき、これによりＩＣの設
計及び使用弾性を大幅に増加することができ、またその
全体構造は非常に簡単で、体積面積及び長さがいずれも
小さく、製造が容易であり、コストが非常に低く、進歩
性を有し、産業上の利用価値を有しており、且つ新規性
を有している。
【図１】従来の多チップ半導体パッケージ構造の実施例
図である。
図である。
【図２】従来の多チップ半導体パッケージ構造のもう一
つの実施例図である。
つの実施例図である。
【図３】本発明の多チップ半導体パッケージ構造の望ま
しい一つの実施例図である。
しい一つの実施例図である。
【図４】本発明の多チップ半導体パッケージ構造の製造
フローの実施例図である。
フローの実施例図である。
【図５】図４に続く本発明の多チップ半導体パッケージ
構造の製造フローの実施例図である。
構造の製造フローの実施例図である。
【図６】本発明の多チップ半導体パッケージ構造のもう
一つの望ましい実施例図である。
一つの望ましい実施例図である。
【図７】本発明の多チップ半導体パッケージ構造の製造
フローのもう一つの実施例図である。
フローのもう一つの実施例図である。
【図８】図７に続く本発明の多チップ半導体パッケージ
構造の製造フローの実施例図である。
構造の製造フローの実施例図である。
１ａ、１ｂ、７ａ、７ｂ チップ ３ａ、３ｂ リードフレーム ４ａ、４ｂ、９ａ、９ｂ 金線 ５ 樹脂 ６ リード ８ 基板 １０ 半田バンプ ２０、４０ 多チップ半導体パッケージ ２１、４１ 第１チップ ２２、４２ 第２チップ ２１１、２２１、４１１、４２１ 作動面 ２１２、２２２、４１２、４２２ 非作動面 ２１３、２２３、４１３、４２３ ボンディングパッド ２１４、４１４ 内バンプ ２２４ ボンディングワイヤ ２３、４３ 両面テープ ２４、４４ リードフレーム ２４１、４４１ リード ２５ エポキシ樹脂 ２６、４６ 樹脂 ４２４ 溶接材 ２７、４７ 半田バンプ
Claims (10)
- 【請求項１】 複数のチップとされて、いずれも一つの
作動面と一つの非作動面を有して、各チップの作動面そ
れぞれに複数のボンディングパッドが設置されてチップ
上の回路と外界を連結するインタフェースとされる、上
記複数のチップ、 一つのリードフレームとされて、複数のリードを具え、
該第２チップの作動面の複数のボンディングパッドが一
つの技術手段によりそれぞれ対応するリードに連結され
る一方、該第１チップの非作動面が該リードフレームに
結合される、上記リードフレーム、 複数の半田バンプとされて、第１チップの作動面の対応
する上記ボンディングパッドに連接される、上記複数の
半田バンプ、 モールド樹脂とされ、前述の複数のチップを封止して一
体の半導体パッケージとなすと共に、該複数のリードと
半田バンプを外部に露出させて外界との連結のインタフ
ェースとなす、上記モールド樹脂。以上を包括して構成
された多チップ半導体パッケージ。 - 【請求項２】 前記ボンディングパッドがＡｌパッドと
されたことを特徴とする、請求項１に記載の多チップ半
導体パッケージ。 - 【請求項３】 前記第２チップのボンディングパッドと
対応するリードを連接する技術手段がボンディングワイ
ヤとされたことを特徴とする、請求項１に記載の多チッ
プ半導体パッケージ。 - 【請求項４】 前記第２チップのボンディングパッドと
リードを連結する技術手段として、前記第２チップのボ
ンディングパッドが直接対応するリードに溶接され、そ
れにより第２チップがリードフレームに結合、固定され
ることを特徴とする、請求項１に記載の多チップ半導体
パッケージ。 - 【請求項５】 前記第２チップの非作動面と第１チップ
の非作動面の間がエポキシで結合されていることを特徴
とする、請求項１に記載の多チップ半導体パッケージ。 - 【請求項６】 前記第１チップの非作動面が熱溶性の両
面テープでリードフレームの第２チップと結合していな
い一側面に結合されていることを特徴とする、請求項１
に記載の多チップ半導体パッケージ。 - 【請求項７】 前記第１チップの回路が直接第２チップ
の回路と結合しておらず、リードフレームのリードが直
接半田バンプと結合していないことを特徴とする、請求
項１に記載の多チップ半導体パッケージ。 - 【請求項８】 前記第１チップと第２チップが異なる機
能を有するチップとされたことを特徴とする、請求項１
に記載の多チップ半導体パッケージ。 - 【請求項９】 作動面と非作動面を有する複数のチップ
を封止してある多チップ半導体パッケージの製造方法に
おいて、以下のａからｆのステップ、即ち、 ａ．第１チップの非作動面に複数のリードを具えた一つ
のリードフレームを結合するステップ ｂ．第２チップの非作動面を第１チップの非作動面に結
合するステップ ｃ．第２チップの作動面を、第１チップの上記リードフ
レームのリードに連接するステップ ｄ．第１チップ２１の作動面の適当な位置に複数の内バ
ンプを植え込んでからモールド樹脂で第１チップと第２
チップを封止すると共に、該リード及び内バンプの少な
くとも一部を樹脂の外に露出させるステップ ｅ．複数の半田バンプを複数の内バンプの位置に植え込
むステップ ｆ．リードを折り曲げて半田バンプの方向に所定の角度
と長さに延伸させるステップ、 以上を包括する多チップ半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項１０】 作動面と非作動面を有する複数のチッ
プを封止してある多チップ半導体パッケージの製造方法
において、以下のａからｆのステップ、即ち、 ａ．第２チップの作動面の適当な位置に複数の導電性の
溶接材を植え込むステップ ｂ．第２チップの複数の溶接材を溶接方式でリードフレ
ームの対応するリードに結合させるステップ ｃ．第１チップの非作動面を該リードフレームの第２チ
ップと反対の側面に結合させるステップ ｄ．第１チップの作動面の適当な位置に複数の内バンプ
を植え込み、並びに樹脂で第１チップと第２チップを封
止し、且つリード及び内バンプの少なくとも一部を樹脂
の外に露出させるステップ ｅ．複数の半田バンプを複数の内バンプの位置に植え込
むステップ ｆ．リードを折り曲げてフォーミングし、リードを半田
バンプの方向に延伸させて所定の角度、長さ及び形状と
なすステップ 以上を包括する多チップ半導体パッケージの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP10286410A JP3020481B1 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 多チップ半導体パッケージ構造とその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP10286410A JP3020481B1 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 多チップ半導体パッケージ構造とその製造方法 |
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