JPH10141932A - パターン検査方法と装置 - Google Patents

パターン検査方法と装置

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JPH10141932A
JPH10141932A JP8295496A JP29549696A JPH10141932A JP H10141932 A JPH10141932 A JP H10141932A JP 8295496 A JP8295496 A JP 8295496A JP 29549696 A JP29549696 A JP 29549696A JP H10141932 A JPH10141932 A JP H10141932A
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JP8295496A
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English (en)
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Takayoshi Matsuyama
隆義 松山
Kenichi Kobayashi
賢一 小林
Katsunori Nakajima
克宜 中嶋
Yasunori Namita
安功 波田
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LASER TEC KK
Fujitsu Ltd
Original Assignee
LASER TEC KK
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レチクル、マスクないしウエハ上に形成した
微細パターンの欠陥検査に関し、高速のダイ対データベ
ース検査を可能にするパターン検査方法および装置を提
供することである。 【解決手段】 設計データを記録装置に複写する複写工
程と、設計パターンのどの部分のデータが記録装置のど
こに記録されているのかを表すインデックスデータを作
成し、該記録装置に記録するインデックスデータ作成工
程と、ステージ上の実パターンを撮像し、実画像データ
を作成する撮像工程と、実パターン上の位置に基づき、
インデックスデータを介して設計データを読み出す読出
工程と、読み出した設計データに基づき、設計画像デー
タを作成する設計画像データ作成工程と、実画像データ
を設計画像データと比較し、実画像データ中の欠陥を検
出する欠陥検出工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、作成したパターン
の欠陥検査に関し、特にレチクル、マスクないしウエハ
上に形成した微細パターンの欠陥検査に関する。
【0002】本明細書において、「設計データ」とは目
的を果たす設計パターンを作成するために初めて作成し
た第1次設計データ、用途に応じて第1次設計データを
編集することによって得られた、露光装置用データ等
の、第2次設計データのいずれをも指すものとする。実
際に作成した実パターンの欠陥検査には、パターン上の
位置に応じてデータが並ぶ露光装置用のパターンデータ
を用いると便利な場合が多い。たとえば、イーテック
(ETEC)社のメービス(MEBES)フォーマット
のデータを用いる。このようなデータも「設計データ」
と呼ぶ。
【0003】
【従来の技術】半導体集積回路装置、液晶表示装置、プ
ラズマディスプレイ装置等の回路パターンは、ますます
高密度化、高集積化している。回路パターンの複雑化と
共に、パターンデータの量は増大し、パターンの欠陥も
生じ易くなる。パターンの欠陥は回路の致命的な事故に
つながり易く、パターンの欠陥検査が必須となる。
【0004】パターンの欠陥検査法として、作成した複
数の同一パターンを相互に比較する方法がある。たとえ
ば、半導体ウエハ上に同一の半導体装置を複数個作成す
る場合、同一パターンを有するチップが複数個存在す
る。このチップ間の比較検査をダイ対ダイ検査と呼ぶ。
また、同一パターンのレチクルを複数個作成したような
場合、複数のレチクル相互のパターンを比較する。この
ような検査をプレート対プレート検査と呼ぶ。
【0005】このような同一パターン同士の比較検査
は、複数の撮像光学系を用いて比較的高速に行うことが
できる。しかしながら、ダイ対ダイ検査やプレート対プ
レート検査では、作成された実パターンが設計通りのパ
ターンであるかどうかの判定ができない。たとえば、存
在すべきパターンが共通に消滅しているような場合や、
光学系にゴミ等が付着して複数の実パターンの同一箇所
に同一の欠陥が発生しているような場合に、これらの欠
陥を検出できず、正常パターンと判定してしまう。欠陥
検査上、ダイとプレートとは特に区別する必要がないの
で、以下、特に断らない限り両者をまとめてダイと呼
ぶ。
【0006】作成した実パターンが設計通りのパターン
か否かを確認する方法として、実パターンと設計データ
とを比較検査するダイ対データベース検査がある。この
場合、データベースは、一般的にパターン設計に適した
フォーマットでデータが形成されており、検査装置にそ
のまま使用することができない。たとえば、露光装置用
の設計パターンは、より高精度に作成されており、縮
小、回転、反転等を行って実パターンとなる場合があ
る。
【0007】したがって、ダイ対データベース検査を行
う場合には、設計データのフォーマットを検査に適した
フォーマットに変換する必要がある。従来は、検査しよ
うとするパターン全体の設計データを一括変換して検査
装置用のデータベースを作成していた。これは、設計デ
ータが第1次設計データの場合にも、露光用等の第2次
設計データの場合にも同様であった。
【0008】設計データは、通常1倍の倍率で作られて
いる。レチクルは、1倍、2倍、2.5倍、4倍、5
倍、10倍のように多種の倍率で制作されている。時に
は、1枚のレチクル内に倍率の異なる領域を有する場合
もある。このため、製造工程に合わせてレチクルのパタ
ーン倍率を変更し、検査データもレチクルのパターン倍
率に合わせてその都度作成していた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】設計データを検査用の
データに変換する作業には、非常に長い時間が必要であ
る。また、変換作業中にミスが生じたような場合には、
全変換作業を再度繰り返す必要がある。パターンの集積
度が向上し、パターンデータの量が増大するにつれて、
データ変換時間は非常に長くなってきている。また、膨
大な量の設計データを取り扱うため、コンピュータ等の
演算装置や記録装置等も大型化する必要がある。設計デ
ータや変換した検査用データが記録装置内に収容しきれ
ないような場合には、検査データを分割して作成し、検
査を複数回行うことが必要であった。
【0010】本発明の目的は、高速のダイ対データベー
ス検査を可能にするパターン検査方法および装置を提供
することである。
【0011】本発明の他の目的は、記憶装置の容量を抑
え、且つ大容量の設計データを扱ってダイ対データベー
ス検査を行うこともできるパターン検査方法および装置
を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、設計パターンを表す設計データを記録装置に複写す
る複写工程と、設計パターンのどの部分のデータが記録
装置のどこに記録されているのかを表すインデックスデ
ータを作成し、該記録装置に記録するインデックスデー
タ作成工程と、ステージ上の実パターンを撮像し、実画
像データを作成する撮像工程と、実パターン上の位置に
基づき、インデックスデータを介して設計データを読み
出す読出工程と、読み出した設計データに基づき、設計
画像データを作成する設計画像データ作成工程と、実画
像データを設計画像データと比較し、実画像データ中の
欠陥を検出する欠陥検出工程とを含むパターン検査方法
が提供される。
【0013】本発明の他の観点によれば、設計パターン
を表す設計データと、設計パターン上のどの部分のデー
タがどこに記録されているのかを表すインデックスデー
タとを記録するための記録装置と、設計データを前記記
録装置へ記録し、設計パターン上のどの部分のデータが
記録装置のどこに記録されたかをインデックスデータと
して記録装置に記録する書込手段と、実パターンを撮像
し、実画像データを作成する撮像光学系と、実パターン
上の位置からインデックスデータを介して設計データを
読み出す読出手段と、読み出した設計データに基づき、
設計画像データを作成する画像展開手段と、前記実画像
データと前記設計画像データとを比較する欠陥検出手段
とを有するパターン検査装置が提供される。
【0014】インデックスデータを用いることにより、
現在検査している実パターン上の領域が、設計パターン
上のどの領域に相当するかが判れば、速やかに必要な設
計データを読み出すことができる。読み出した設計デー
タが小規模のものであれば、速やかに変換を行い、実パ
ターンに対応する設計画像データを作成することができ
る。インデックスデータの作成は、設計データの複写時
間内に重ねて実行することができ、付加的な時間はほと
んど必要ない。データ変換も、ステージの移動や検査動
作と並行して行うことができ、付加時間をほとんど必要
としない。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施例による欠
陥検査装置の構成を示すブロック図である。光源1から
の照明光は、XYステージ2上に載置されたマスク等の
検査試料3上に照射される。検査試料3は、2つの検査
試料3a、3bであってもよい。参照番号3は3a、3
bをまとめて指す。以下同様に数字にa、bを付した時
は同等機能の複数の構成要素を指し、数字のみを用いた
時は複数の構成要素全体、または構成要素が1つの場合
を指す。参照記号に数字を付した場合も同様である。検
査試料3a、3bは、複数の検査領域を有する1枚の半
導体ウエハであってもよく、また同一のパターンを有す
る一対のレチクルであってもよい。
【0016】検査試料3a、3bの上方には、一対の対
物光学系4a、4bが配置され、その像面上には一対の
受光素子6a、6bが配置されている。受光素子6は、
たとえばCCDによるラインセンサである。対物光学系
4は、自動焦点合わせ機構5によってその焦点合わせを
行なう。XYステージ2の操作により、検査試料3を2
次元的に走査することができる。対象範囲の画像が受光
素子6によって撮像される。
【0017】受光素子6で撮像された画像データは、画
像メモリ7に送られる。ここで、受光素子6bは常に画
像メモリ7bに接続されているが、受光素子6aは、切
替スイッチ11を介して選択的に画像メモリ7aに接続
される。
【0018】設計データ(露光データの場合を含む)1
5は、記憶装置17に接続され、記憶装置17内に複写
される。記憶装置17は、以下に説明するようにRAM
とハードディスクを含む。なお、ハードディスクの代わ
りに他のランダムアクセス可能なメモリを用いてもよ
い。インデックスデータ作成回路18は、設計データの
複写時にインデックスデータを作成し、記憶装置17内
にインデックスデータを登録する。記憶装置17はデー
タ変換装置14を介して画像展開部12に接続されてい
る。画像展開部12のデータが切替スイッチ11を介し
て画像メモリ7aに供給される。
【0019】画像メモリ7a、7bは、パターン合成回
路8に接続されている。パターン合成回路8は、供給さ
れた複数の画像を位置合わせして合成することができ
る。
【0020】微小欠陥検出回路9は、複数の画像または
それらを重ね合わせて形成した合成画像から、微小欠陥
を検出することのできる回路である。たとえば、画像メ
モリ7a、7bからそれぞれ供給された撮像データを比
較し、微小な差異をも検出し、欠陥情報を供給する。欠
陥情報は、欠陥情報メモリ16に記憶される。
【0021】記憶装置17からのデータ読み出し、スイ
ッチ11、欠陥検出回路9等は、システム制御装置10
によって制御される。なお、システム制御装置10は、
自動焦点合わせ機構5およびXYステージ2の制御も行
なう。
【0022】本構成において重要な点は、インデックス
データ作成回路18が設けられ、設計データ15を記憶
装置17に複写する際に、設計データに対するインデッ
クスデータを作成し、記憶装置17に併せて記憶させる
ことである。インデックスデータは、設計パターンのあ
る領域のデータが、記憶装置17のどこに記憶されてい
るかを表す情報を含む。したがって、ある領域の情報が
記憶装置の複数箇所に分散して記憶されていても、イン
デックスデータを介在させることにより、必要なデータ
を速やかに読み出すことができる。
【0023】スイッチ11が画像展開部12と画像メモ
リ7aを接続した状態で、XYステージ2が駆動され、
検査試料3上のパターンが走査されると、XYステージ
2の位置がシステム制御装置10によって検出され、撮
像中の検査試料3内の領域に対応する設計パターンの位
置が、システム制御装置10から記憶装置17に送ら
れ、インデックスデータを介して対応する領域の設計デ
ータが読み出される。
【0024】この設計データは、データ変換装置14に
よって検査試料3上の実パターンの座標、表現形式に対
応するものに変換され、画像展開部で実パターンと同一
特性の設計パターンが形成される。この設計パターンが
画像メモリ7aに供給され、ダイ対データベース検査
(またはプレート対データベース検査)を行うことがで
きる。
【0025】なお、スイッチ11が受光素子6aと画像
メモリ7aを接続する時は、従来と同様のダイ対ダイ検
査(またはプレート対プレート検査)の比較検査を行う
ことができる。
【0026】図2Aおよび2Bは、ダイ対ダイ検査およ
びダイ対データベース検査の場合の回路構成を簡略化し
て示す。
【0027】図2Aにおいて、同一パターンを有する2
枚のプレート(2つのダイ)である検査試料3a、3b
が対物光学系4a、4bの下に配置され、位置合わせさ
れている。対物光学系4a、4bで結像された画像は、
受光素子6a、6b上によって撮像され、その画像情報
は画像メモリ7a、7bに記憶される。これらの画像情
報は、パターン合成回路8を介して欠陥検出回路9で比
較検査される。パターン合成回路8は、必要に応じて画
像メモリ7a、7bの画像データを重ね合わせ、不一致
の部分を検出しやすくさせる。
【0028】図2Bにおいては、マスク等の検査試料3
の画像が対物光学系4を介して受光素子6b上に結像さ
れ、画像データが画像メモリ7bに記憶される。一方、
画像展開部12に展開された設計パターンのうち、対物
光学系4bで撮像されている部分に対応する部分のデー
タが画像メモリ7aに供給されて記憶される。画像メモ
リ7a、7bのデータは、図2Aの場合と同様、パター
ン合成回路8を介して欠陥検出回路9で比較され、欠陥
が検出される。
【0029】画像展開部12をスイッチ11を介して画
像メモリ7aに接続する場合を説明したが、図1中に破
線で示すように専用の画像メモリ7cを設け、画像展開
部12とパターン合成回路8とを接続してもよい。この
場合、スイッチ11は省略して受光素子6aは画像メモ
リ7aに直結する。パターン合成回路8を2単位の構成
とし、画像メモリ7a、7b用の単位と画像メモリ7
a、7c用の単位とする。
【0030】この構成によれば、ダイ対ダイ検査とダイ
対データベース検査とを同時に実施することもできる。
同時に実施すれば、別個に実施する場合と較べ、検査時
間を短縮できる。相互の検査結果を比較することによ
り、欠陥検出感度の向上も図れる。たとえば、ダイ対ダ
イ検査で微細な欠陥も高感度で検出し、ダイ対データベ
ース検査でデータ抜け、位置ずれ、デザインルールエラ
ー等を検出する。高速高感度の検査が可能となる。
【0031】ダイ対データベース検査を行う場合、デー
タベースから読み出した設計データはそのままでは一般
的に実パターンと一致しない。実パターンは、設計パタ
ーンに対し、回転、ミラー反転、縮小拡大、白黒反転等
の処理を行って形成されている。図2Bの画像展開部1
2に形成されている画像は、設計データを変換して得た
ものである。
【0032】図3は、設計パターンと実パターンとの関
係を概略的に示す。図3Aは、設計パターンDPを示
す。設計パターンDPは、左下角を座標原点とし、右方
向にx軸の正方向、上方向にy軸の正方向をとってその
内部の位置が座標表示される。原点に対して対角上の右
上角の座標を(CX、CY)とする。CX、CYは、設
計パターンの大きさを示す。たとえば、CX、CYは、
それぞれ100mmである。
【0033】図3B−3Kは、実パターンの形態を示
す。実パターンにおいては、座標原点は左上角にとら
れ、右側にX軸正方向、下向きにY軸正方向をとる。図
3B−3Dは、設計パターンを回転させた形状の実パタ
ーンを示す。図3Bは設計パターンを時計回り方向に9
0°回転させた実パターンRP1を示し、図3Cは18
0°回転させた実パターンRP2を示し、図3Dは27
0°回転させた実パターンRP3を示す。
【0034】設計パターンDP内の座標を(x、y)と
し、実パターンRP1、RP2、RP3内の座標をX、
Yとする。実パターンRP1の座標系(X、Y)は設計
パターンの座標系(x、y)に対し、X=y、Y=xの
関係となる。同様に実パターンRP2の座標系は、X=
CX−x、Y=yとなり、実パターンRP3の座標系
は、X=CY−y、Y=CX−xとなる。
【0035】図3Eは、設計パターンDPに対し、ミラ
ー反転の関係にある実パターンRP4を示す。ミラー反
転は、y軸を対称軸として行った。実パターンRP4の
座標系(X、Y)は、X=CX−x、Y=CY−yとな
る。
【0036】図3F、3G、3Hは、設計パターンDP
に対し、図3Eのミラー反転を行った後、90°、18
0°、270°の回転をさらに行った実パターンRP
5、RP6、RP7を示す。これらの場合の実パターン
内の座標系と設計パターン内の座標系の関係は、 RP5:X=y、Y=CX−y RP6:X=x、Y=y RP7:X=CY−y、Y=x となる。
【0037】図3I、3Jは、それぞれ設計パターンD
Pを縮小、拡大した実パターンRP8、RP9を示す。
拡大/縮小率をRとすると、実パターンRP8、RP9
内の座標系(X、Y)は、X=x×R、Y=(CY−
y)×Rとなる。
【0038】図3Kは、設計パターンDPをネガポジ反
転した実パターンRP10を示す。画像の白黒の関係が
反転している。なお、設計パターンと実パターンの限ら
れた関係を例示したが、両者の関係はこれらに制限され
ない。しかしながら、実パターンと設計パターンとの関
係は、適当な座標変換およびネガポジ反転を行うことに
より表現できることは当業者に自明であろう。
【0039】設計パターンDPと実パターンRPは、上
述のように異なる座標系で表現されるため、実パターン
と設計パターンとを比較して欠陥を検出するためには、
設計データに対し、所定のデータ変換処理を行う必要が
ある。設計データのデータ量が膨大な場合、全設計デー
タに対し、データ変換を一括して行おうとすると、膨大
な処理量の計算器および膨大な記憶容量を有する記憶装
置が必要となる。
【0040】本実施例においては、パターン領域を細分
化し、各小区画毎に設計パターンと実パターンの比較を
行うことにより、小規模の処理能力を有する欠陥検査装
置によって膨大なデータ量の設計パターンと実パターン
とを比較可能とする。
【0041】図4は、設計パターンの細分化の方法を示
す。図4Aは、設計パターンの全体を示す。レチクル2
0内に設計パターンDPが配置される。
【0042】図4Bは、設計パターンDPの左上部分を
拡大して示す。区画F11、F21、F 31、F41、…(まと
めてFijと呼ぶ)は、ダイ対データベース検査の際、
実パターン上の1視野となる領域である。ダイ対データ
ベース検査の際には、対物光学系4bを介して受光素子
6b上に結像された画像パターンを、各視野Fij単位
で検査する。
【0043】図4Cは、1視野Fijの構成を拡大して
示す。1視野Fijの区画内には、小区画Uが横方向に
128個、縦方向に12個連続して配列される。なお、
縦方向に関しては、区画Uが12個弱並ぶ寸法となって
いる。小区画Uを以下ユニットと呼ぶ。検査の便宜上、
横方向に64個のユニットが並んだ領域をセグメントS
と呼ぶ。すると、1視野内の横方向にはセグメントSが
2個並び、縦方向にはセグメントが12個並ぶ。なお、
特定の細分化を例示したが、細分化の方法や各要素の数
は任意である。
【0044】たとえば、1セグメントの大きさは、16
38.4μm×25.6μmである。設計データ上は、
データを画素に分解して示す場合が多い。たとえば、設
計データの最小単位は0.05μm角であり、この最小
単位が白または黒で示される。設計データの複数画素が
受光素子の1画素に相当してもよい。
【0045】受光素子6は、1視野Fijを一度に撮像
できるものである必要はない。たとえば、1ユニットU
の幅を持つリニアセンサをジグザグに走査することによ
り、1視野分Fijの画像データを取り込むことができ
る。
【0046】記憶装置17内には、設計データをユニッ
トU単位で記憶させる。ユニット配列の横の並びをI
0、I1、…、I127で表し、縦方向の配列をJ0、
J1、…で表す。
【0047】図5は、設計データの詳細を示す拡大図で
ある。各ユニットを(J、I)で指定するものとする。
ユニット(J0、I0)には、パターンP1、P2、P
3、P4が存在する。このうち、パターンP3、P4
は、ユニット(J0、I0)のみには収まらず、他のユ
ニットにも延在している。ユニット(J0、I1)に
は、パターンP3、P4、P5、P6、P7、P8が存
在する。
【0048】各パターンP1、P2、…は、設計データ
15上で1単位で表されており、記憶装置17に複写さ
れた時にもまとまった場所に記憶されている。したがっ
て、あるパターンの情報は、記憶装置17の書き込み先
頭アドレスを知ることにより読み出すことができる。
【0049】ただし、パターンPi+1がパターンPi
の次に書き込まれているとは限らない。本実施例におい
ては、ユニット(J、I)の設計データを速やかに読み
出し可能とするために、インデックスデータを作成し、
記憶装置17内に記憶させる。
【0050】図6は、ダイ対データベース検査の処理を
示すフローチャートである。実際の検査を開始する前に
所定のフォーマットに変換した設計データを準備する。
【0051】ステップT1で予備作業が開始すると、ス
テップT2で設計データの複写とインデックスファイル
の作成を行う。設計データ15を記憶装置17に複写す
る際、直ちに判明する設計パターン内の位置に応じ、イ
ンデックスデータ作成回路18でインデックスデータを
作成し、記憶装置17内にインデックスファイルを作成
する。
【0052】図7は、設計データの複写とインデックス
ファイル作成のサブルーチンを示すフローチャートであ
る。
【0053】設計データの複写とインデックスファイル
作成のステップT2が開始すると、ステップTA1にお
いて、設計データのヘッダを読み込む。設計データのヘ
ッダには、通常アドレスユニット、チップサイズ、各セ
グメントの開始レコード位置等が記憶されている。
【0054】ステップTA2においては、設計データの
ヘッダに基づき、インデックスファイルのヘッダを記憶
させる。インデックスファイルのヘッダには、設計デー
タのファイル名、チップサイズおよび上述のユニット配
列のJとIの数、記憶領域のインデックス部と番地部の
開始番地等が含まれる。
【0055】JとIの数は、図4A−4Cを参照して説
明したように、設計パターンDPの大きさが定まれば定
まる。JとIの数が定まると、(J、I)の数に応じた
インデックス部の大きさが定まり、ハードディスク上で
インデックス部と番地部を記憶するための開始番地を定
めることができる。但し、番地部の最終番地は未だ不明
である。
【0056】図8A、8Cは、インデックスファイルの
構成を示す。図8Aに示すように、インデックスファイ
ル21は、ヘッダ部22、インデックス部23、設計デ
ータ番地部24を含む。ヘッダ部22には、上述のよう
にファイル名、JとIの数、記憶装置上の記憶開始番地
等を登録する。
【0057】図8Bは、インデックス部23の構成を示
す。インデックス部23は、JとIの数(Jn、In)
に合わせて各(J、I)のユニットを列挙し、それぞれ
に設計データ番地部24内での記憶開始番地IA(j
i)を登録する。
【0058】図8Cは、設計データ番地部24の構成を
示す。設計データ番地部24は、各ユニット(J、I)
につき、パターン数がいくつあるかと、各パターンPが
ハードディスク上どの番地から登録されているかのアド
レスHA(Pk)を登録する。
【0059】図5に示す設計パターンの場合、ユニット
(J0、I0)にはパターンP1−P4のハードディス
ク上の記憶開始番地HA(P1)−HA(P4)が順次
登録される。ユニット(J0、I1)には、パターンP
3−P8が含まれる。したがって、パターン数は6であ
り、各パターンのハードディスク上の記録開始番地HA
(P3)−HA(P8)が順次登録される。
【0060】このようなインデックスファイルを作成す
ることにより、設計パターン上のユニットが判明すれ
ば、そのユニット内の設計データを速やかに読み出せる
ようにする。実パターン上を走査する際、その位置が設
計パターンのどのユニットであるかを検出し、インデッ
クス部23を参照すれば、ハードディスク上のどの番地
にデータが登録されているかを直ちに知ることができ
る。
【0061】図7に戻り、ステップTA3では、記憶装
置17上で、インデックス部23を記憶するための領域
を確保する。JとIの数〔(J、I)〕が定まれば、図
8Bに示すインデックス部の大きさを定めることがで
き、ハードディスク上にインデックス部を記憶させるた
めの領域を定めることができる。したがって、ステップ
TA3でインデックス部を記憶するための領域を確保す
る。
【0062】ステップTA4では、設計データ15を読
み出し、次のステップTA5で読み出した設計データを
記憶装置17に複写する。複写作業と同時に、ステップ
TA6で記憶装置17へ複写した複写番地とパターン数
を認識し、ステップTA7で設計パターンをユニットに
分解した時の座標(J、I)を確認する。
【0063】なお、記憶装置17には、上述のようにハ
ードディスクとRAMとが含まれる。設計データは、直
接ハードディスク上に書き込まれる。ステップTA8で
は、RAMに設計データのハードディスク上の記憶番地
を記録する。すなわち、RAM内に図7Cに示す設計デ
ータ番地部に相当するものを設け、ハードディスク上に
各パターンを記録すると共にその記憶開始番地をRAM
内の設計データ番地部に登録し、パターン数を順次更新
させる。このようにして、RAMにはハードディスク上
に記録した設計データの各ユニット内でのパターン数お
よび各パターンの情報が設計データの何バイト目から記
録されているかが登録される。
【0064】ステップTA9では、RAM内の書き込み
が満杯になったか否かを判断する。RAM内に未だ余裕
があれば、判断はNOとなり、ステップTA4に戻って
設計データの読み込みを続ける。RAM内が満杯になっ
た時は、ステップTA9の判断がYESとなり、次のス
テップTA10に進み、ハードディスクにRAM内のイ
ンデックスファイルの情報を記録する。
【0065】RAM内のインデックスファイルの設計デ
ータ番地をハードディスク上に転写することにより、イ
ンデックス部23における書込開始アドレスIA(j
i)が定まる。この書込開始アドレスIA(ji)をR
AM内のインデックス部23に登録する。
【0066】ステップTA11では、RAM内のインデ
ックス部23の書き込み開始番地と座標(J、I)を認
識し、次のステップTA12でハードディスクにRAM
内のインデックス部情報を記憶させる。ステップTA1
3では、インデックスファイルをハードディスク上に転
写したことに基づき、RAM内を初期化する。
【0067】次のステップTA14では、設計データの
読み込みが終了したか否かを判断する。読み込みが終了
していなければ、NOの矢印に基づき、ステップTA4
に戻る。読み込みが終了していれば、YESの矢印に従
い、ステップTA15に進む。ステップTA15では、
RAM内の初期化が終了したか否かを判断する。初期化
が終了していなければ、NOの矢印に従い、ステップT
A10に戻る。初期化が終了していれば、YESの矢印
に従い、作業を終了させる。
【0068】このようにして、ステップT2において、
設計データの複写を行うと共に、インデックスファイル
が作成される。このインデックスファイルにより、実パ
ターンの検査において、読み出したパターンが設計パタ
ーンのどの位置に相当するかが判明すれば、直ちに設計
データを読み出すことが可能となる。
【0069】図6に戻って、実パターンの検査において
は、ステップS1で作業が開始すると、ステップS2で
試料をセットし、ステップS3で検査条件を設定し、調
整を行う。たとえば、検査条件としては、設計パターン
と実パターンの関係、すなわち、図3A−3Kに示した
ような設計パターンに対する実パターンの回転、ミラー
反転、倍率変更、ネガポジ反転等の情報が設定される。
【0070】続いて、ステップS4において、実パター
ンを有する試料の位置決め、調整が行われる。位置決
め、調整を行うことにより、実パターン上の検査位置
を、設計パターン上のどの位置に相当するかを定めるこ
とが可能となる。
【0071】これらの準備工程を経た後、ステージを走
査し、ステップS5に従って検査を開始する。検査開始
時に検査条件として設定された実パターンの設計パター
ンに対するパターン情報(回転、ミラー反転、倍率変
更、ネガポジ反転等)がシステム制御装置10からデー
タ変換装置14に送られ、ステップT3でこれらのパタ
ーン情報が登録される。この設計パターン上の位置に従
い、設計パターンのユニット(J、I)が決定される。
【0072】ステップS6では、検査開始に従い、ステ
ージをスキャンし、実パターン上の各視野内のパターン
を撮像し、画像メモリに登録する。
【0073】ステージスキャンと共に、実パターン上の
検査位置が判明するため、実パターン上の走査位置
(X、Y)を記憶装置17の読出回路に供給する。
【0074】ステップT4では、実パターン上の位置や
実パターンの設計パターンに対する関係に基づき、設計
パターンを読み出し、そのデータ変換を行う。このデー
タ変換工程を、図9を参照して詳細に説明する。
【0075】図9は、データ変換ステップT4のサブル
ーチンを示すフローチャートである。
【0076】データ変換ステップT4が開始すると、ス
テップTB1において、実パターンの設計パターンに対
する倍率変更があるか否かを判断する。倍率変更があれ
ば、YESの矢印に従い、ステップTB2で倍率変換を
行い、次のステップTB3に進む。倍率変更がなけれ
ば、NOの矢印に従い、ステップTB2はバイパスす
る。
【0077】ステップTB3では、実パターンの設計パ
ターンに対するミラー反転があるか否かを判断する。ミ
ラー反転があれば、YESの矢印に従い、ステップTB
4に進み、座標反転を行う。ミラー反転がなければ、N
Oの矢印に従い、ステップTB4はバイパスする。
【0078】ステップTB5では、実パターンが設計パ
ターンに対し、回転の関係を有するか否かを判断する。
回転を有すれば、YESの矢印に従い、ステップTB6
に進み、座標回転を行う。回転がなければ、NOの矢印
に従い、ステップTB6はバイパスする。
【0079】ステップTB1−TB6を経由することに
より、ステージ座標系の位置を、設計データ系の位置に
変換する。したがって、現在検査中の実パターン上の位
置が、設計パターン上でどの位置に相当するかを知るこ
とができる。なお、倍率変更、ミラー反転、回転に対す
る座標変換を個々に行う場合を説明したが、これらの関
係の有無を符合化し、まとめて座標変換してもよい。
【0080】ステップTB7では、上述のようにして得
た設計パターン上の位置(すなわちユニット位置)に基
づき、インデックスデータを読み込む。
【0081】ステップTB8では、インデックスデータ
から設計データの記録位置を知り、ハードディスク上の
記録位置から設計データを読み込む。この設計データ
は、設計データ座標系の位置で記録されている。検査し
た実パターンと比較するためには、設計データ座標系を
ステージ座標系に変換する必要がある。
【0082】ステップTB9では、設計パターンに対
し、実パターンが回転の関係を有するか否かを判断す
る。回転の関係があれば、YESの矢印に従い、ステッ
プTB10に進み、座標を回転させる。回転の関係がな
ければ、NOの矢印に従ってステップTB10をバイパ
スする。
【0083】ステップTB11では、実パターンと設計
パターンとがミラー反転の関係を有するか否かを判断す
る。ミラー反転の関係があれば、YESの矢印に従い、
ステップTB12に進み、座標反転を行う。ミラー反転
の関係がなければ、NOの矢印に従ってステップTB1
2はバイパスする。ステップTB13では、実パターン
と設計パターンとが倍率変更の関係にあるか否かを判断
する。倍率変更があれば、YESの矢印に従い、ステッ
プTB14に進み、倍率変換を行う。倍率変更の関係が
なければ、NOの矢印に従い、ステップTB14はバイ
パスする。
【0084】ステップTB9−TB14を経由すること
により、読み出した設計データの座標が設計パターン上
の座標から実パターン上の座標に変換される。なお、ス
テップTB1〜TB6と同様、ステップTB10、TB
12、TB14の座標変換をまとめて行ってもよい。
【0085】ステップTB15では、座標変換した設計
パターンを展開し、ビットマップ化する。
【0086】なお、受光素子6bがCCD撮像装置等に
よって構成されている場合、検出した実パターンの画像
データはビットマップ状のデータである。ステップTB
15において展開された設計パターンを実パターンに対
応するビットマップとすることにより、各ビットを1対
1比較し、欠陥検出を行うことが可能となる。
【0087】通常、設計パターンの精度は受光素子6の
精度よりも高いため、そのままビットマップ化すると、
直接の比較ができない場合が多い。このような場合に
は、設計パターンの複数ビットをまとめてビットマップ
化し、設計パターンと実パターンとの1対1比較を可能
とさせる。たとえば、設計パターンの2×2画素や3×
3画素をまとめて1ビットとする。
【0088】ステップTB16では、実パターンと設計
パターンとがネガポジ反転の関係を有するか否かを判断
する。ネガポジ反転の関係を有する時は、YESの矢印
に従い、ステップTB17に進み、ビットマップ化した
設計パターンのネガポジ反転を行う。なお、設計パター
ンの代わりに実パターンのネガポジ反転を行ってもよ
い。ネガポジ反転の関係がなければ、NOの矢印に従
い、ステップTB17はバイパスする。
【0089】ステップTB18では、設計データが複数
ファイルを有するか否かを判断する。複数ファイルがあ
れば、YESの矢印に従い、ステップTB19に進み、
全ファイルの読み込みが終了したか否かを判断する。全
ファイルの読み込みが完了していなければ、NOの矢印
に従ってステップTB1に戻り、次のファイルに対して
新たなビットマップを作成する。
【0090】全ファイルの読み込みが終了していれば、
YESの矢印に従ってステップTB20に進み、各ファ
イルに対して作成した各ビットマップを合成する。合成
においては、透明領域を優先させる。すなわち、いずれ
かのビットマップの透明領域は合成ビットマップでも透
明領域となる。なお、各ファイル毎にビットマップを作
成する場合を説明したが、1枚のビットマップ上に各フ
ァイルに対するビットマップを重ね書きしてもよい。
【0091】ステップTB18で複数ファイルがない場
合、または複数ファイルがあり、ステップTB20を終
了した時、データ変換工程ステップT4は終了する。
【0092】図6に戻り、ステップT4で読み出した設
計パターンのデータ変換を終了した後、次のステップT
5でステージ座標系に変換した設計パターンを画像メモ
リ7aに登録する。
【0093】ステップS6におけるステージスキャンに
従い、ステップS7では対物光学系4b、受光素子6b
による実パターンの取り込みが行われ、取り込んだ実パ
ターンの画像データに基づき、ステップS8で画像メモ
リ7bに実パターンのデータが登録される。
【0094】ステップS9では、画像メモリ7a、7b
に登録されたパターンデータに基づき、欠陥検出が行わ
れる。
【0095】ステップS10では、検出された欠陥情報
が欠陥情報メモリ16に登録される。
【0096】ステップS11では、実パターンのスキャ
ンが終了したか否かが判断される。実パターンのスキャ
ンが終了していなれければ、NOの矢印に従い、ステッ
プS6に戻る。スキャンが終了していれば、YESの矢
印に従い、ステップS12に進む。
【0097】ステップS12では、検出した欠陥を確認
する作業を開始する。ステップS13で、登録した欠陥
情報を読み出し、欠陥の確認を行う。実パターンは、設
計パターンに基づいてはいるが、光学系、電子レンズ系
等を介することにより、干渉等の影響を受ける。したが
って、実パターンと設計パターンとが一致していなくて
も、回路動作上は何の影響も与えない不一致も存在す
る。このような場合には、パターンが不一致であっても
欠陥とは認めない。
【0098】ステップS14では、欠陥確認作業が終了
したか否かを判断する。作業が終了していなければ、N
Oの矢印に従ってステップS13に戻る。欠陥確認作業
が終了していれば、YESの矢印に従ってステップS1
5に進み、検査した試料を取り出す。このようにして、
欠陥検査が終了する。
【0099】以上実施例に基づき、本発明を説明した
が、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえ
ば、対物光学系、受光素子、画像メモリが2組ある場合
を説明したが、3組以上あってもよい。インデックスフ
ァイルは設計パターンの小区画毎にその小区画の設計デ
ータがどこに記憶されているのかを知ることができるも
のであれば、その構成は前述のものに限定されない。そ
の他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは
当業者に自明であろう。
【0100】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
検出中の実パターン上の位置に基づき、設計パターン上
の位置を知り、必要な部分の設計データのみをインデッ
クスファイルを利用して読み出すことができる。
【0101】必要な小領域の設計データのみを必要に応
じて読み出すことにより、データ変換を小規模にし、パ
ターン検査に要する時間を短縮すると共に、データ変換
に必要な論理回路や記憶装置を小規模化させることが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるパターン検査装置の構成
を概略的に示すブロック図である。
【図2】図1のパターン検査装置を、ダイ対ダイ検査
(プレート対プレート検査)に用いた場合の実質的な回
路構成およびダイ対データベース検査に用いた時の実質
的な回路構成を示す簡略化ブロック図である。
【図3】設計パターンと実パターンとの関係を示す概略
図である。
【図4】設計パターンの小区画への分割法を示す概略図
である。
【図5】設計パターンを分割したユニットの構成を概略
的に示す平面図である。
【図6】欠陥検査のフローチャートである。
【図7】欠陥検査における設計データの複写とインデッ
クスファイル作成の工程の詳細を示すサブルーチンのフ
ローチャートである。
【図8】インデックスファイルの構成を示すダイヤグラ
ムである。
【図9】欠陥検査におけるデータ変換工程の詳細を示す
サブルーチンのフローチャートである。
【符号の説明】
1 光源 2 XYステージ 3 検査試料 4 対物光学系 5 自動焦点機構 6 受光素子 7 画像メモリ 8 パターン合成回路 9 欠陥検出回路 10 システム制御装置 11 切り替えスイッチ 12 画像展開部 14 データ変換装置 15 設計データ 16 欠陥情報メモリ 17 記憶装置 18 インデックスデータ作成回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 賢一 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 中嶋 克宜 神奈川県横浜市港北区綱島東4−10−4 レーザーテック株式会社内 (72)発明者 波田 安功 神奈川県横浜市港北区綱島東4−10−4 レーザーテック株式会社内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 設計パターンを表す設計データを記録装
    置に複写する複写工程と、 設計パターンのどの部分のデータが記録装置のどこに記
    録されているのかを表すインデックスデータを作成し、
    該記録装置に記録するインデックスデータ作成工程と、 ステージ上の実パターンを撮像し、実画像データを作成
    する撮像工程と、 実パターン上の位置に基づき、インデックスデータを介
    して設計データを読み出す読出工程と、 読み出した設計データに基づき、設計画像データを作成
    する設計画像データ作成工程と、 実画像データを設計画像データと比較し、実画像データ
    中の欠陥を検出する欠陥検出工程とを含むパターン検査
    方法。
  2. 【請求項2】 前記撮像工程が、実パターン上の小区画
    を単位として行われ、前記読出工程は該小区画に相当す
    る分の設計データのみを読み出す請求項1記載のパター
    ン検査方法。
  3. 【請求項3】 前記設計パターンと前記実パターンとが
    異なる座標系を有し、前記読出工程と前記設計画像デー
    タ作成工程が座標変換を含むデータ変換を行う請求項2
    記載のパターン検査方法。
  4. 【請求項4】 前記異なる座標系が、回転、ミラー反
    転、拡大/縮小の少なくとも1つの関係にある請求項3
    記載のパターン検査方法。
  5. 【請求項5】 前記読出工程が、前記実パターン上の小
    区画の座標を前記設計パターン上の座標に変換する準工
    程と、該設計パターン上の座標を基に前記インデックス
    データを検索し、前記記録装置上のアドレスを得る準工
    程と、得たアドレスに従い、記録装置から設計パターン
    の小区画の設計データを読み出す準工程を含み、前記設
    計画像データ作成工程が読み出した設計データを基準パ
    ターン上の座標から実パターン上の座標に座標変換する
    準工程と、座標変換した設計データに基づき、設計画像
    データを作成する準工程とを含む請求項3または4記載
    のパターン検査方法。
  6. 【請求項6】 前記撮像工程が実パターン上を連続的に
    走査する準工程を含み、前記読出工程と前記設計画像デ
    ータ作成工程とが連続する実パターン上の複数の小区画
    に対する処理を並列に実行する請求項2〜5のいずれか
    に記載のパターン検査方法。
  7. 【請求項7】 前記設計データが複数ファイルあり、前
    記複写工程、前記インデックスデータ作成工程、前記読
    出工程がファイル毎に行われる請求項1〜6のいずれか
    に記載のパターン検査方法。
  8. 【請求項8】 前記設計画像データ作成工程が、各ファ
    イルの透明領域を累積して設計画像データを作成する請
    求項7記載のパターン検査方法。
  9. 【請求項9】 前記設計パターンと前記実パターンとが
    ネガポジ反転しており、前記設計画像データ作成工程が
    設計データをネガポジ反転する準工程を含む請求項1〜
    8のいずれかに記載のパターン検査方法。
  10. 【請求項10】 設計パターンを表す設計データと、設
    計パターン上のどの部分のデータがどこに記録されてい
    るのかを表すインデックスデータとを記録するための記
    録装置と、 設計データを前記記録装置へ記録し、設計パターン上の
    どの部分のデータが記録装置のどこに記録されたかをイ
    ンデックスデータとして記録装置に記録する書込手段
    と、 実パターンを撮像し、実画像データを作成する撮像光学
    系と、 実パターン上の位置からインデックスデータを介して設
    計データを読み出す読出手段と、 読み出した設計データに基づき、設計画像データを作成
    する画像展開手段と、 前記実画像データと前記設計画像データとを比較する欠
    陥検出手段とを有するパターン検査装置。
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