JPH10140348A - イオンビーム加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】材料の種類や膜厚のばらつきに拘わらず、極め
て簡単かつ確実に終点検出すること。 【解決手段】 観察時、イオンビーム２０の照射を遮断
すると共に、プローブ２１が基板１３側に向くことによ
り、基板１３の表面を撮像するので、基板１３のミリン
グ状態を表示器２４により直接目視することができ、し
かもその際、例えミリング不足状態となっていても、プ
ローブ２１及びシャッタ２５が元の位置に戻ることによ
り、ミリングを速やか続行することができるので、終点
検出を正確に行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオンビームを用
いて微細加工を行うイオンビーム加工装置に係り、特に
試料の表面状態を観察するのに好適なイオンビーム加工
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】イオンビーム加工装置は、真空チャンバ
内部に配置した試料ホルダに試料を設置し、真空チャン
バ内をアルゴン等のような不活性ガスの雰囲気の状態で
プラズマ化すると共に、該プラズマを引出し電極から運
動エネルギをもったイオンビームとして引出し、該イオ
ンビームを試料である基板面に照射することにより、基
板表面を微細加工する装置である。

【０００３】イオンビーム加工装置で利用される試料と
しては、例えば半導体分野で用いられるシリコンウエ
ハ、薄膜磁気ヘッドの基板となるセラミックス系材料、
液晶表示用のガラス基板等がある。このような試料は、
加工に際し図４及び図５に示すように、予め、基板３の
表面に種類の異なる薄膜３１，３２が設けられると共
に、その薄膜３２上にこれを所望形状に形成するための
パターンをもったマスク３３が設けられている。そし
て、不活性ガス雰囲気中の真空チャンバ内で基板３に向
かい、図５（ａ）に示す矢印の如くイオンビーム７を照
射すると、上層の薄膜３２においてマスク３３で覆われ
ていない部分がイオンビーム７によって削られていき、
その加工処理が時間の経過に伴って進むと、同図（ｂ）
に示すように二層目の薄膜３１が現れてくる。

【０００４】このように加工される処理をミリングと云
い、ある部材が全て削られることをジャストエッチと云
い、材料の削れる速度をミリングレートと云う。そし
て、ミリングレートが判る場合、薄膜の膜厚をミリング
レートで割った一定時間でミリングを終了すれば、ジャ
ストエッチさせることができる。

【０００５】ジャストエッチ、あるいは薄膜３２を削っ
て更に薄膜３１をも若干削り込むオーバーエッチを行う
ことにより、種々のデバイスを所望形状に作成する。薄
膜３１，３２の厚さは、必要にして充分な寸法であるた
め、デバイス作成上ジャストエッチの判断（これを終点
検出とも呼ぶ）を精度良く行わせることが重要になって
きている。

【０００６】このようなイオンビーム加工装置の第一の
従来技術を図６に示す。同図において、真空チャンバ１
の内部に試料ホルダ２が配置され、該試料ホルダ２に固
定された基板３に対し、イオン源４で生成されたプラズ
マの中からイオンビーム２０を引出すことにより、ビー
ムを基板３に照射させてミリングを行う。この場合、真
空チャンバ１に透明材料からなる観察窓５が組み込まれ
ており、オペレータがこの観察窓５を通して基板３の表
面を観察し、材質による色の変化を見て終点検出を判断
するようにしている。

【０００７】また、第二の従来技術としては、図６に鎖
線にて示すように、真空チャンバ１の内部に観察用のプ
ローブ６が配置され、真空チャンバ１の外部からプロー
ブ６を通し、基板加工中に発生する材料固有の発光スペ
クトルを観察し、材料が上層から二層目に加工されるこ
とによって発生する発光スペクトルの強度変化を電気信
号として取り込むことにより、終点検出するようにした
ものがある。なお、終点検出については、「真空」１９
８８年度 第３１巻 第４号（２５３〜３５８Ｐ）にお
いて論じられている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記に示す
従来技術のものは、以下の点について配慮されていな
い。即ち、第一の従来技術においては、真空チャンバ１
に観察窓５を設けているものの、観察窓５では基板３を
斜め方向から見ているので、良好な観察を行うことがで
きず、また加工中にスパッタが飛散するが、そのスパッ
タが観察窓５に付着して内部が見にくくなる等の問題が
ある。

【０００９】しかも、ミリング中に観察窓５からの観察
している場合、終点検出を判断し難いと、ミリングを中
止して真空チャンバ内を大気に一度開放し、大気中で基
板を目視すれば良くわかるが、そのようにした場合、ミ
リング不足のときには真空チャンバ内部を再度真空に排
気した後、また新たに不活性ガス雰囲気にしてから追加
ミリングを行わなければならないので、手間がかかるば
かりでなく、それだけ時間のロスを招く問題もある。

【００１０】また、第二の従来技術のものは、加工中の
材料が発する発光スペクトルの強度の変化に基づいて終
点検出しているものの、材料の種類によってはスペクト
ルの強度比が明確にならないものがあると共に、信号強
度が弱い場合にはノイズが入ってしまう結果、発光スペ
クトルの強度に基づいて判定するのでは全ての材料に適
用が難しいと云う問題がある。

【００１１】他の従来技術として、ミリングレートから
ミリング時間を決める方法のものがあるが、そのような
方法では、基板毎に膜厚にばらつきがあると、その分誤
差を生じると云う問題がある。

【００１２】本発明の目的は、上記従来技術の問題点に
鑑み、材料の種類や膜厚のばらつきに拘わらず、極めて
簡単かつ確実に終点検出することができるイオンビーム
加工装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明では、試料を搭載
する試料ホルダを有する真空チャンバと、該真空チャン
バ内の試料に向かってイオンビームを照射するイオンビ
ーム源と、試料のミリング状態を観察する観察機構とを
備えたイオンビーム加工装置において、前記観察機構
は、真空チャンバ内の試料の表面状態を撮像する撮像手
段と、該撮像された画像を表示する表示手段と、観察
時、撮像手段による撮像を可能状態に開ける一方、観察
の不要時、撮像手段による撮像を不可能状態に閉じるシ
ャッタ手段とを有することを特徴とするものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図１〜図
３により説明する。図１は本発明によるイオン加工装置
の第一の実施例を示している。この実施例のイオンビー
ム加工装置は、図１に示すように、真空チャンバ１１
と、これに取付けられたイオン源１４とを備えて構成さ
れている。

【００１５】詳細に説明すると、真空チャンバ１１は、
試料である基板１３の加工に際し、内部を真空引きする
ための真空排気系（図示せず）に接続されている。この
真空チャンバ１１の内部には、基板１３を設置するため
の試料ホルダ１２が配置されている。本例で取り扱う基
板１３は、半導体分野で用いられるシリコンウエハであ
り、ミリングされる際の構造は図４及び図５にて述べた
のでここではその説明を省略する。

【００１６】該試料ホルダ１２は、ホルダステージ１２
ａと、該ホルダステージ１２ａを出力軸に連結する駆動
源１２ｂとを有し、該駆動源１２ｂの駆動でホルダステ
ージ１２ａが矢印の如く回転する。ホルダステージ１２
ａは図示していないが、内部に冷却水が循環するように
構成され、その冷却水の循環によりホルダステージ１２
ａを介し基板１３を冷却するようにしている。

【００１７】前記イオン源１４は、真空チャンバ１１の
隣接する位置に引出し電極１５を介し取付けられてい
る。このイオン源１４にはガス供給源１６に接続された
ガス供給口１７が設けられると共に、そのガス供給口１
７の周囲にフィラメント１８が配置されている。ガス供
給源１６は、本例ではアルゴンガスを供給するものであ
るが、それに限らず、イオンビームに必要なものであれ
ば他の不活性ガスであってもよい。

【００１８】このイオンビーム加工装置は、真空チャン
バ１１及びイオン源１４の内部が高真空状態に排気され
た後、これらにガス供給源１６によりガスが供給される
ことにより、真空チャンバ１１の内圧を所望オーダー
（例えば、ガスを１分間に１０ｃｃといった一定量供給
して１０^-2Ｐａにする）のガス雰囲気とする。

【００１９】そして、イオン源１４においては、フィラ
メント１８に所定の電流を印加し、アーク放電を起こす
ことによりプラズマを発生させ、該発生したプラズマが
引出し電極１５から、運動エネルギをもったイオンビー
ム２０として引き出され、基板１３に向かって照射され
ることによりミリングを行う。

【００２０】ここで、イオンビーム２０が基板１３に対
し斜め方向から照射しているが、これは通常の材料で
は、ビームの垂直入射よりもある程度の角度をつけた方
が、ミリングレートが速く、しかもミリング後の断面形
状も綺麗なことに起因する。ビームが斜め方向から入射
しても、ホルダステージ１２ａが自転することで、基板
表面は全体として均一にミリングされる。

【００２１】なお、プラズマ生成手段としては、直流に
よる生成だけでなく、高周波（ＲＦ）あるいはマイクロ
波を用いることによって生成する手段でもよい。引出し
電極１５は、二枚あるいは三枚の電極で構成されてお
り、本例の如き二枚構成の場合には、イオン源１４側の
電極に正の電位を、かつ基板側の電極に負の電位を付与
し、また三枚構成の場合には、イオン源側から基板側に
至るに従い、正電位，負電位，接地電位が付与される。

【００２２】しかして本実施例においては、基板１３の
観察が必要なとき、基板１３の表面を撮像し得る観察機
構を備えている。

【００２３】即ち、観察機構は、真空チャンバ１１内に
プローブ２１が設置されている。このプローブ２１は、
フレキシブルな細い筒状をなしており、その先端部にビ
デオカメラ等の撮像部２２を内蔵している。これらプロ
ーブ２１と撮像部２２とにより撮像手段を構成する。撮
像部２２は、真空チャンバ１１の外部に設けられている
増幅器２３を介しＣＲＴ等の表示器２４に接続され、撮
像信号が増幅器２３で増幅されることにより、表示器２
４に画像として表示される。

【００２４】そして、イオンビームの照射時、プローブ
２１の先端部が図１（ａ）に示すように、イオンビーム
２０を避けるように伏臥姿勢をとり、観察時、同図
（ｂ）に示すように先端部が基板１３側を向くように起
立姿勢をとり、撮像部２２によって基板表面の加工状態
を観察するようにしている。そのため、プローブ２１
は、オペレータの外部からの操作により、先端部がイオ
ンビーム２０の照射方向に沿うように退避する位置と、
基板１３側を向く起立姿勢位置とに移動するよう、真空
チャンバ１１内に取付けられている。

【００２５】また、真空チャンバ１１内には、基板１３
に照射されるイオンビーム２０を遮断するシャッタ２５
が設けられ、観察が不要なときは、図１（ａ）に示す如
く下降し、観察が必要なときは、同図（ｂ）に示す如く
シャッタ２５が引出し電極１５と対向する位置に移動す
るようにしている。

【００２６】さらに、プローブ２１の先端部には、基板
１３の表面に向かう照明手段（図示せず）が設けられて
いる。該照明手段としては、例えば一般的な照明ラン
プ，発光ダイオード，あるいは光源に接続された光ファ
イバ等の何れでもよく、要は照明光を基板表面に向かい
照射することで基板表面を明確に照明できるようにして
いる。従って、この観察機構は、プローブ２１と、撮像
部２２と、表示器２４と、照明手段とを有して構成され
ている。

【００２７】実施例のイオンビーム加工装置は、上記の
如き構成よりなるので、その動作について述べる。今、
図１（ａ）に示す如く、イオンビーム２０が照射状態に
あって、観察機構のシャッタ２５が下降した位置にある
と、イオンビーム２０が基板１３に照射され、基板１３
をミリングしている。この場合、プローブ２１は先端部
がイオンビーム２０の照射方向に沿う伏臥姿勢をとって
いるので、プローブ２１はビームに曝されて削られるお
それがない。

【００２８】次に、ミリングが進行し、ある程度の時間
が経過したときに、オペレータが基板１３を観察する。
このとき、ビームの照射状態のままでシャッタ２５を引
出し電極１５側に昇降させ、またプローブ２１を起立さ
せて該プローブ２１の先端部を基板１３側に向かせる。
これにより、プローブ２１に装着された撮像部２２が基
板１３の表面を撮像し、その撮像画面が表示器２４に表
示されるので、オペレータは基板１３の表面を観察する
ことができる。この場合、オペレータは、基板表面の色
の変化を見ることで、図５（ｂ）に示した如く薄膜３１
が現れたかどうかを判断し、そのとき薄膜３２が未だ残
っていると、図１（ａ）に示すミリング状態と、同図
（ｂ）に示す観察状態とを繰り返す。なお、試料ホルダ
１２は、ビームの照射中であってかつ遅い速度で回転し
ているので、その遅い速度の回転のままで観察してもよ
いが、基板１３を停止させた状態で観察する方がより好
ましい。

【００２９】本実施例では上記の如く、観察時、イオン
ビーム２０の照射を遮断すると共に、プローブ２１が基
板１３側に向くことにより、基板１３の表面を撮像する
ので、基板１３のミリング状態を表示器２４により直接
目視することができ、しかもその際、例えミリング不足
状態となっていても、プローブ２１及びシャッタ２５が
元の位置に戻ることにより、ミリングを速やか続行する
ことができるので、終点検出を正確に行うことができ
る。

【００３０】従って、第一の従来技術に比較し、観察時
にイオンビームの照射を停止することがなく、また例え
ミリング不足であったとしても、大気すると云う手間を
省略することができる。

【００３１】また、オペレータが直接基板表面を観察す
るので、発光スペクトルの強度に基づいて終点検出を行
う第二の従来技術に比較し、材質の種類に拘わることな
く終点検出を確実に判断することができる。

【００３２】さらに、上述の如く、オペレータが直接目
視して終点検出するので、他の従来技術に比較し、基板
の膜厚にばらつきがある場合や材料が種々異なっていて
も、それに拘わることなく容易にかつ確実に判断するこ
とができる。

【００３３】またさらに、プローブ２１の先端部に図示
しない照明手段が設けられ、該照明手段からの照明光で
基板表面を明確に照明するので、シャッタ２５によって
イオンビームが遮断され、真空チャンバ１１内でイオン
ビームによる光源がなくなることによって暗くなって
も、終点検出を確実に行うことができる。この照明手段
は、シャッタ２５がイオンビーム２０を遮断したときに
連動して点灯するようにすれば、点灯操作の手間を省略
することもできる。

【００３４】なお、図示実施例では、ミリングをある時
間行った後で観察するようにした例を示したが、観察に
際しては、各種材質のミリングレートが予め判っている
ので、例えば、予測終了時間の９０％まではミリングを
実行し、残り１０％の時間で観察とミリングとを繰り返
すこともできる。

【００３５】図２に第二の実施例を示している。この実
施例では、真空チャンバ１１内にプローブ２１が取付け
られ、該プローブ２１の先端部がイオンビーム２０の照
射方向にほぼ沿うように配置され、しかも基板１３の表
面側に可吸的に近づくように配置されている。このプロ
ーブ２１の先端部には拡大レンズ２２ａを装着したビデ
オカメラ等の撮像部２２が内蔵され、さらに基板表面に
向かい光を照射する照明手段（図示せず）が設けられて
いる。なお、撮像部２２には前記第一の実施例と同様に
増幅器２３を介し表示器２４が接続されている。以上の
構成は、基本的には第一の実施例とほぼ同様である。

【００３６】そして、この実施例において第一の実施例
と異なるのは、プローブ２１の先端部の前方位置にシャ
ッタ２６が取付けられ、シャッタ２６の開閉動作によ
り、ミリング時には撮像部２２を閉じると共に、観察時
には撮像部２２を開けるようにしている。即ち、シャッ
タ２６は、ミリング時では閉じているが、観察時では開
くことにより、基板１３の表面を撮像画像として見るこ
とができるようにしている。

【００３７】従って、この実施例によれば、シャッタ２
６を開けることによって基板１３を撮像でき、しかもそ
の撮像画像をオペレータが直接目視することにより、終
点検出を判断するように構成したので、基本的には前記
第一の実施例と同様の効果を得ることができる。

【００３８】これに加え、第一の実施例に比較して以下
の効果もある。即ち、ミリング中であっても、基板１３
の表面を必要に応じ随時撮像して観察でき、ミリング工
程を中断する必要がないので、ミリング工程を遅滞なく
行うことができる。また、ミリング中に飛散するスパッ
タを考慮すれば、基板１３の表面近傍に撮像部２２を配
置させることができにくく、距離をできるだけ置いた方
が望ましいが、上述の如く、プローブ２１の先端部がイ
オンビーム２０の照射方向にほぼ沿うように配置される
と共に、撮像部２２が拡大レンズ２２ａを装着している
ので、基板１３の観察をより明確に行うことができる。
さらに、プローブ２１の前方位置にシャッタ２６が配置
され、プローブ２１内の撮像部２２を開閉するだけであ
るので、観察時以外では、撮像部２２にスパッタが付着
するのを確実に防止でき、しかも、シャッタ２５が引出
し電極１５を開閉する第一実施例に比較し、シャッタ２
６の開閉距離を小さくできるので、シャッタ２５の設置
が容易となる。

【００３９】そして、観察時は、シャッタ２６が開くこ
とによって撮像するが、その撮像時間を短時間（例えば
１秒間だけ）で行うと共に、その短時間で撮像した画像
を静止画像として表示することができる。これは、撮像
部２２からの撮像信号を撮像部２２内のメモリに格納
し、あるいは撮像部２２からの撮像信号を表示器２４内
のメモリに格納し、何れかで格納した画像を静止画像と
してモニタ表示することにより実現できる。このように
して静止画像を表示すれば、シャッタの開いている時間
を短時間で済ませることができ、これによってスパッタ
の付着防止効果をいっそう高めることができると共に、
拡大レンズ２２ａの汚れを取り除くクリーニングの周期
を大幅に延ばすことができ、保守管理上の簡素化を図り
得る。

【００４０】図３は他の実施例を示している。これまで
述べた各実施例では、プローブ２１が何れも真空チャン
バ１１内に取付けられた例を示したが、本実施例では、
真空チャンバ１１の外部に取付けられたものである。

【００４１】詳細に述べると、この実施例は、真空チャ
ンバ１１を画成する外壁に内方に向かって凹ませた筒状
の凹部１１ａが形成されると共に、その凹部１１ａの底
部に透明な材質によって形成された透明窓１１ｂが設け
られている。該透明窓１１ｂである凹部１１ａは、イオ
ンビーム２０の照射方向にほぼ沿いかつ基板１３の表面
に向くように配置されている。この窓１１ｂの前方に
は、該窓１１ｂを開閉するシャッタ２７が取付けられて
いる。

【００４２】そして、前記凹部１１ａ内にプローブ２１
が設置されている。該プローブ２１の先端部には第一，
第二の実施例と同様にビデオカメラ等からなる撮像部２
２が内蔵され、その撮像部２２に増幅器２３を介し表示
器２４が接続されている。この場合、プローブ２１を用
いず、撮像部２２が直接設置されてもよい。従って、本
例の撮像手段としては、透明窓１１ｂを設けた凹部１１
ａと、プローブ２１と、撮像部２２と、照明手段とを具
えて構成されているが、プローブ２１を用いず、撮像部
２２を直接凹部１１内に設置してもよい。

【００４３】この実施例によれば、シャッタ２７を開け
ることによって基板１３を撮像でき、しかもその撮像画
像をオペレータが直接目視することにより、終点検出を
判断するように構成したので、基本的には前記第一，第
二の実施例とほぼ同様の効果を得ることができる。ま
た、この実施例においても第二の実施例と同様ミリング
時でも観察できると共に、シャッタ２７の開いている時
間を短時間で済ませることができるので、第二の実施例
と同様の効果を得ることができる。

【００４４】そして、この実施例では、プローブ２１が
真空チャンバ１１の外部に設置されているので、真空チ
ャンバ１１の製作を極めて容易に行うことができる。即
ち、真空チャンバ１１を構成する外壁の一部に凹部１１
ａを設けると共に、その真空チャンバ１１の凹部１１ａ
にプローブ２１を設置するので、真空チャンバ内を複雑
な構造にする必要がなく、また外部に設置されるプロー
ブ２１ではその先端部の位置を回動自在に容易に設置す
ることができる。そのため、プローブ２１の角度を任意
に変えることにより、オペレータの操作性を良好にでき
ると共に、良好な角度を得ることによって終点検出を個
々のオペレータに拘わることなく観察することができ
る。

【００４５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１〜
４によれば、観察時、試料のミリング状態を表示手段に
より直接目視することができるように構成したので、板
の膜厚にばらつきがある場合や材料が種々異なっていて
も、それに拘わることなく容易にかつ確実に終点位置を
判断することができる効果がある。

【００４６】特に、請求項３，４によれば、ミリング中
でも確実に観察できるので、ミリング加工を中断する必
要がなく、加工時間の迅速化を図ることができる効果が
あり、また撮像部にスパッタ粒子が付着するのを抑え、
クリーニング周期を長くすることができる効果がある。
請求項５によれば、試料の表面側を照明する照明手段を
有するので、真空チャンバ内が暗くても、試料表面を的
確に観察できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるイオンビーム加工装置の第一の実
施例を示すミリング時の説明図（ａ）及び観察時の説明
図。

【図２】本発明によるイオンビーム加工装置の第二の実
施例を示す説明図。

【図３】本発明によるイオンビーム加工装置の他の実施
例を示す説明図。

【図４】試料としての基板の正面図。

【図５】基板にイオンビームを照射した状態を示す説明
図（ａ）及びミリングした状態を示す説明図（ｂ。）

【図６】従来技術のイオンビーム加工装置の例を示す説
明図。

【符号の説明】

１，１１…真空チャンバ、１１ａ…凹部、２，１２…試
料ホルダ、３，１３…試料としての基板、４，１４…イ
オン源、２１…プローブ、２２…撮像部、２２ａ…拡大
レンズ、２３…増幅器、２４…表示器、２５〜２７…シ
ャッタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大貫 久生 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料を搭載する試料ホルダを有する真空
   チャンバと、該真空チャンバ内の試料に向かってイオン
   ビームを照射するイオンビーム源と、試料のミリング状
   態を観察する観察機構とを備えたイオンビーム加工装置
   において、前記観察機構は、真空チャンバ内の試料の表
   面状態を撮像する撮像手段と、該撮像された画像を表示
   する表示手段と、観察時、撮像手段による撮像を可能状
   態に開ける一方、観察の不要時、撮像手段による撮像を
   不可能状態に閉じるシャッタ手段とを有することを特徴
   とするイオンビーム加工装置。
2. 【請求項２】 試料を搭載する試料ホルダを有する真空
   チャンバと、該真空チャンバ内の試料に向かってイオン
   ビームを照射するイオンビーム源と、試料のミリング状
   態を観察する観察手段とを備えたイオンビーム加工装置
   において、前記観察手段は、真空チャンバ内の試料の表
   面状態を撮像する撮像手段と、該撮像された画像を表示
   する表示手段と、観察時、撮像手段による撮像を可能状
   態に開ける一方、観察の不要時、撮像手段による撮像を
   不可能状態に閉じるシャッタ手段とを有し、前記撮像手
   段は、真空チャンバ内に先端部がイオンビームの照射方
   向にほぼ沿う伏臥位置と試料の表面側に向かう起立位置
   とに変更可能に取付けられたプローブと、該プローブの
   先端部に内蔵された撮像部とを具え、前記シャッタ手段
   は、真空チャンバ及びイオンビーム源間に開閉可能に取
   付けられることを特徴とするイオンビーム加工装置。
3. 【請求項３】 試料を搭載する試料ホルダを有する真空
   チャンバと、該真空チャンバ内の試料に向かってイオン
   ビームを照射するイオンビーム源と、試料のミリング状
   態を観察する観察手段とを備えたイオンビーム加工装置
   において、前記観察手段は、真空チャンバ内の試料の表
   面状態を撮像する撮像手段と、該撮像された画像を表示
   する表示手段と、観察時、撮像手段による撮像を可能状
   態に開ける一方、観察の不要時、撮像手段による撮像を
   不可能状態に閉じるシャッタ手段とを有し、前記撮像手
   段は、真空チャンバ内に取付けられ、先端部がイオンビ
   ームの照射方向にほぼ沿いながらかつ試料の表面側に向
   かって配置されたプローブと、該プローブの先端部に内
   蔵された撮像部とを具え、前記シャッタ手段は、真空チ
   ャンバ内におけるプローブ先端部及び試料間に開閉可能
   に取付けられていることを特徴とするイオンビーム加工
   装置。
4. 【請求項４】 試料を搭載する試料ホルダを有する真空
   チャンバと、該真空チャンバ内の試料に向かってイオン
   ビームを照射するイオンビーム源と、試料のミリング状
   態を観察する観察手段とを備えたイオンビーム加工装置
   において、前記観察手段は、真空チャンバ内の試料の表
   面状態を撮像する撮像手段と、該撮像された画像を表示
   する表示手段と、観察時、撮像手段による撮像を可能状
   態に開ける一方、観察の不要時、撮像手段による撮像を
   不可能状態に閉じるシャッタ手段とを有し、前記撮像手
   段は、真空チャンバの外壁に凹んで形成され、かつ該凹
   み部分の底部がイオンビームの照射方向にほぼ沿って配
   置されると共に透明窓を有する凹部と、該凹部内に配置
   された撮像部とを具え、前記シャッタ手段は、真空チャ
   ンバ内における凹部の透明窓及び試料間に開閉可能に取
   付けられていることを特徴とするイオンビーム加工装
   置。
5. 【請求項５】 前記撮像部は、試料の表面側を照明する
   照明手段を有することを特徴とする請求項２〜４の何れ
   か一項に記載のイオンビーム加工装置。