JP2007083262A - イオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、試料上に形成された薄膜にイオンを衝突させ、このイオンの衝突によって薄膜が削り取られる位置を確認して、イオンの衝突位置を補正するイオンミリング加工方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、薄膜が削り取られる位置と、加工目的個所との位置関係を確認することができる。
【選択図】図2
Description
CCDカメラ等が備えられているが、イオンビームは上記装置を用いても確認することが難しく、また加工が進行しない限り、加工状況を認識することさえ困難である。
12はイオンビーム軸の偏向機能を備えたイオンビーム照射装置であり、13はX軸試料微動装置であり、14はY軸試料微動装置であり、15はデジタル映像装置から画像処理装置に画像を入力するケーブルであり、16は画像処理装置であり、17は画像処理装置用モニタであり、18は画像処理装置からビームの偏向器に出力するケーブルであり、
19は画像処理装置からX軸試料微動装置に出力するケーブルであり、20は画像処理装置からY軸試料微動装置に出力するケーブルである。映像入力装置7として、光学顕微鏡に搭載したデジタル画像入力装置の他、CCDデジタルカメラ,ビデオも使用できる。
Ptを用いれば試料表面は灰色−茶色に着色し、Auを用いれば、金色−黄色に着色する。膜厚50−100nmのPd,Pt,Pd−Pt,Au薄膜は十分に透明であるため、図1に示すように操作者は薄膜を通して樹脂中に包埋された金配線接合部の位置を容易く確認することができる。このとき、薄膜形成による試料への着色が確認できれば膜圧が
50nm以下であってもよく、また薄膜が十分に透明であれば100nm以上の膜厚でもよい。また、走査型電子顕微鏡を用いても、薄膜を通して金配線接合部を観察確認できる。このとき、薄膜形成前に比較し、チャージアップ現象が軽減されるため、高分解,高解像での走査型電子顕微鏡観察を行うことができる。
Claims (10)
- イオンを試料表面に衝突させて、試料を削り取るイオンミリング加工方法において、
前記試料のイオンの衝突個所を含む前記試料領域に、薄膜を形成し、当該薄膜を形成した試料に前記イオンを衝突させることを特徴とするイオンミリング加工方法。 - 請求項1において、
前記薄膜は、可視光線を透過する部材であることを特徴とするイオンミリング加工方法。 - 請求項1において、
前記薄膜は、VIII族−IB族の遷移金属、或いはIVA族の典型非金属であることを特徴とするイオンミリング加工方法。 - 請求項1において、
前記薄膜は、高分子フィルムであることを特徴とするイオンミリング加工方法。 - 請求項4において、
前記高分子フィルムは、ポリエステル,ポリプロピレン,ポリエチレン,ナイロン,ポリエチレンテレフタレート,ポリカーボネート,トリアセチルセルロース,ポリメタクリル酸メチル、或いは塩化ビニルであることを特徴とするイオンミリング加工方法。 - 請求項4において、
前記高分子フィルムは、アンチモンドープ酸化錫あるいはIA−VIA族の金属元素を導電性顔料として含むことを特徴とするイオンミリング加工方法。 - 請求項1において、
前記薄膜は、エポキシ系,アクリル系、或いはポリエステル系の樹脂であることを特徴とするイオンミリング加工方法。 - 請求項7において、
前記樹脂は、アンチモンドープ酸化錫あるいはIA−VIA族の金属元素を導電性顔料として含むことを特徴とするイオンミリング加工方法。 - イオンを試料表面に衝突させて、試料を削り取るイオンミリング加工方法において、
予めイオンの衝突個所に形成された薄膜に前記イオンを衝突させ、当該イオンの衝突によって前記薄膜が削り取られる位置を確認し、当該薄膜が削り取られる位置と、前記試料上の加工目的部位が異なっている場合、前記薄膜が削り取られる位置を、前記試料上の加工目的部位に位置付けるように、前記イオンの衝突位置を変更することを特徴とするイオンミリング加工方法。 - イオンビーム照射装置と、当該イオンビーム照射装置からイオンが照射される試料を保持する試料ホルダーを備えたイオンミリング加工装置において、
前記イオンが照射される個所の画像を検出する映像装置と、当該光学顕微鏡によって検出される前記試料上に形成された薄膜が削り取られる位置と、前記試料上の加工目的部位との違いを検出する画像処理装置と、
前記薄膜が削り取られる位置を、前記加工目的部位に位置付けるように、前記イオンの衝突位置を変更する偏向器、或いは試料移動装置を備えたことを特徴とするイオンミリング装置。
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WO2018003109A1 (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
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JPWO2018003109A1 (ja) * | 2016-07-01 | 2019-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
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