JPH10139460A - シリカベースガラスの熱処理 - Google Patents
シリカベースガラスの熱処理Info
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- JPH10139460A JPH10139460A JP9208978A JP20897897A JPH10139460A JP H10139460 A JPH10139460 A JP H10139460A JP 9208978 A JP9208978 A JP 9208978A JP 20897897 A JP20897897 A JP 20897897A JP H10139460 A JPH10139460 A JP H10139460A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 細長くバブルフリーのガラス体の製造方法を
提供する。 【解決手段】 焼結稠密ガラスのアルミナドープ光ファ
イバプリフォームが、伸ばされ、次に１４９０−１４９
５℃の温度に加熱されて、結晶化を生じること無く泡が
除去される。その後、伸ばされたガラス本体は、光ファ
イバへと直接線引きさたり、或いはオーバクラッドされ
てから光ファイバへと線引きされる。
提供する。 【解決手段】 焼結稠密ガラスのアルミナドープ光ファ
イバプリフォームが、伸ばされ、次に１４９０−１４９
５℃の温度に加熱されて、結晶化を生じること無く泡が
除去される。その後、伸ばされたガラス本体は、光ファ
イバへと直接線引きさたり、或いはオーバクラッドされ
てから光ファイバへと線引きされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、細長くバブルフリ
ーのガラス体の製造方法に関し、特に、ファイバ増幅器
において使用される利得ファイバ（gain fibers ）など
の光ファイバの製造方法に関する。
ーのガラス体の製造方法に関し、特に、ファイバ増幅器
において使用される利得ファイバ（gain fibers ）など
の光ファイバの製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】いわゆる、外処理（outside process）
は、アウトサイド蒸着（ＯＶＤ）法と軸方向蒸着（vapo
r axial deposition：ＶＡＤ）法とを含み、均一且つ光
学的に優れたガラスプリフォームを生成する。さらに、
これらの方法は、費用効果性がある。何となれば、寸法
が大きなプリフォームを形成することができるからであ
る。ＯＶＤ及びＶＡＤの両方とも、バーナを使用してハ
ロゲン化合物や有機金属化合物などの先駆材料を反応さ
せてガラス粒子やスート（soot）の流れを生成する。
は、アウトサイド蒸着（ＯＶＤ）法と軸方向蒸着（vapo
r axial deposition：ＶＡＤ）法とを含み、均一且つ光
学的に優れたガラスプリフォームを生成する。さらに、
これらの方法は、費用効果性がある。何となれば、寸法
が大きなプリフォームを形成することができるからであ
る。ＯＶＤ及びＶＡＤの両方とも、バーナを使用してハ
ロゲン化合物や有機金属化合物などの先駆材料を反応さ
せてガラス粒子やスート（soot）の流れを生成する。
【０００３】ＯＶＤプロセスにおいて、スート流は、マ
ンドレルの外周面に積層し急速に成長して多孔質体を形
成する。マンドレルが多孔質体から除去された後、多孔
質体は、強化炉に入れられ、炉において乾燥されて焼結
される。塩素含有混合ガスが、炉を介して加熱されたプ
リフォームに向けて流されて、多孔質体を乾燥させる。
次に、ヘリウムが炉を介してプリフォーム開口の中へと
流されて、残留塩素を除去して、通常高シリカ含有ガラ
スに対する１４４０−１５２５℃野範囲内の温度での焼
結中にコアプリフォームの開いた中心線を保持する。で
きあがった稠密ガラスプリフォームは、適切な比のコア
及びクラッドガラスを含む場合、直ちに光ファイバへと
線引きされる。稠密ガラスプリフォームは、しばしばク
ラッドガラスを含まず、クラッドガラスの必要な厚みの
一部を含むのみである。かかるプリフォームが線引き炉
へと挿入され、炉において、長手方向の開口が空にされ
るが、その先端は加熱されて伸ばされて、細長いロッド
になる。開口は閉じて「中心線喪失領域」を形成する。
ロッドは、コアケーンへと切断され、このコアケーン
は、別のクラッドガラスによってオーバクラッドされ
て、光ファイバへと線引きされる線引きブランク（draw
blanks ）を形成する。
ンドレルの外周面に積層し急速に成長して多孔質体を形
成する。マンドレルが多孔質体から除去された後、多孔
質体は、強化炉に入れられ、炉において乾燥されて焼結
される。塩素含有混合ガスが、炉を介して加熱されたプ
リフォームに向けて流されて、多孔質体を乾燥させる。
次に、ヘリウムが炉を介してプリフォーム開口の中へと
流されて、残留塩素を除去して、通常高シリカ含有ガラ
スに対する１４４０−１５２５℃野範囲内の温度での焼
結中にコアプリフォームの開いた中心線を保持する。で
きあがった稠密ガラスプリフォームは、適切な比のコア
及びクラッドガラスを含む場合、直ちに光ファイバへと
線引きされる。稠密ガラスプリフォームは、しばしばク
ラッドガラスを含まず、クラッドガラスの必要な厚みの
一部を含むのみである。かかるプリフォームが線引き炉
へと挿入され、炉において、長手方向の開口が空にされ
るが、その先端は加熱されて伸ばされて、細長いロッド
になる。開口は閉じて「中心線喪失領域」を形成する。
ロッドは、コアケーンへと切断され、このコアケーン
は、別のクラッドガラスによってオーバクラッドされ
て、光ファイバへと線引きされる線引きブランク（draw
blanks ）を形成する。
【０００４】ＶＡＤプロセスにおいて、スート流は、目
標ロッドの一端に積層して軸方向に成長し、ＯＶＤプロ
セスによって生成されたものと同様な多孔質体を形成す
る。但し、この多孔質体には軸方向の開口が無い。故
に、稠密ガラスＶＡＤプリフォームには、中心線喪失領
域が無い。残りのファイバ作製プロセスは、上記と同様
であり、多孔質体は乾燥され焼結されて稠密ガラスにな
り、ファイバへと線引きされる。
標ロッドの一端に積層して軸方向に成長し、ＯＶＤプロ
セスによって生成されたものと同様な多孔質体を形成す
る。但し、この多孔質体には軸方向の開口が無い。故
に、稠密ガラスＶＡＤプリフォームには、中心線喪失領
域が無い。残りのファイバ作製プロセスは、上記と同様
であり、多孔質体は乾燥され焼結されて稠密ガラスにな
り、ファイバへと線引きされる。
【０００５】多孔質体が強化炉において晒されるヘリウ
ムが、分子レベルでガラスに若干残るが、気泡を見るこ
とはできない。ゲルマニア含有バブルフリーオーバクラ
ッド線引きブランクは、８００℃のオーブンに置かれ
て、トラップされたヘリウム分子を脱ガスしてファイバ
の線引き特性を改善する。しかしながら、線引きブラン
クのうち、ヘリウムや他の不活性ガス、場合に応じてさ
らなる含有ガスを含む識別可能なガス気泡を含むことが
ある。気泡を含むブランクから線引きされたファイバ
は、線引きの間乱れたり、または直径の変化を被ったり
する。短い長さのファイバが必要な場合、ファイバは気
泡の間で線引きされる。しかし、ファイバが乱れるたび
毎の線引き開始プロセスの始動は、高価であり、時間を
要するものである。相当量の長さの透過ラインファイバ
がブランクから線引きされる場合、長さ方向に離間配置
された気泡を含む線引きブランクは、実質的には無益で
ある。
ムが、分子レベルでガラスに若干残るが、気泡を見るこ
とはできない。ゲルマニア含有バブルフリーオーバクラ
ッド線引きブランクは、８００℃のオーブンに置かれ
て、トラップされたヘリウム分子を脱ガスしてファイバ
の線引き特性を改善する。しかしながら、線引きブラン
クのうち、ヘリウムや他の不活性ガス、場合に応じてさ
らなる含有ガスを含む識別可能なガス気泡を含むことが
ある。気泡を含むブランクから線引きされたファイバ
は、線引きの間乱れたり、または直径の変化を被ったり
する。短い長さのファイバが必要な場合、ファイバは気
泡の間で線引きされる。しかし、ファイバが乱れるたび
毎の線引き開始プロセスの始動は、高価であり、時間を
要するものである。相当量の長さの透過ラインファイバ
がブランクから線引きされる場合、長さ方向に離間配置
された気泡を含む線引きブランクは、実質的には無益で
ある。
【０００６】エルビウムなどの希土類がドープされた光
ファイバは、ファイバ増幅器において広く使用される。
かかる利得ファイバのコアは、屈折率を大きくするため
に、通常ＧｅＯ2 を含む。利得イオンクラスタを減らす
などの改良を保証するために、または利得スペクトルの
形状を改善せしめるために、アルミナが、コアに添加さ
れる。故に、ゲルマニアよりもアルミナを増幅ファイバ
において使用して、コアの屈折率の増加を含む所望の光
特性を得ることが必要と考えられる。しかし、アルミナ
は、結晶化を生じ易いということが問題になってる。標
準ＯＶＤ及びＶＡＤ焼結温度は、ガラスの組成及び処理
条件に依存して、最大許容アルミナ濃度以上を含むブラ
ンクに結晶化を生じる（米国特許第 5,262,365号参
照）。かかる結晶化に対する核形成箇所は、焼結ＯＶＤ
プリフォームの中心線喪失領域を含むように見える。結
晶化は、ガスのトラップを促進する。ヘリウム及び酸素
を含む気泡は、アルミナドープ焼結ガラスプリフォーム
において日常観察される。
ファイバは、ファイバ増幅器において広く使用される。
かかる利得ファイバのコアは、屈折率を大きくするため
に、通常ＧｅＯ2 を含む。利得イオンクラスタを減らす
などの改良を保証するために、または利得スペクトルの
形状を改善せしめるために、アルミナが、コアに添加さ
れる。故に、ゲルマニアよりもアルミナを増幅ファイバ
において使用して、コアの屈折率の増加を含む所望の光
特性を得ることが必要と考えられる。しかし、アルミナ
は、結晶化を生じ易いということが問題になってる。標
準ＯＶＤ及びＶＡＤ焼結温度は、ガラスの組成及び処理
条件に依存して、最大許容アルミナ濃度以上を含むブラ
ンクに結晶化を生じる（米国特許第 5,262,365号参
照）。かかる結晶化に対する核形成箇所は、焼結ＯＶＤ
プリフォームの中心線喪失領域を含むように見える。結
晶化は、ガスのトラップを促進する。ヘリウム及び酸素
を含む気泡は、アルミナドープ焼結ガラスプリフォーム
において日常観察される。
【０００７】ＳｉＯ2 −Ａｌ2Ｏ3平衡状態図によれば、
多孔質スート体は、結晶の核形成と成長とを防ぐため
に、１５８７℃の共融温度よりも高温で焼結する必要が
ある。これは、シリカベースのマッフルの動作温度を超
えている。結晶は、ＳｉＯ2 −Ａｌ2Ｏ3平衡状態図によ
って明らかにされるように、ムライト及びクリストバラ
イトに対する共融点を超える温度で炉において溶融され
るが、生じたガラスは、バブル密度が許容しがたい程高
く、線引き性が低かったりまたは線引き不能である。
多孔質スート体は、結晶の核形成と成長とを防ぐため
に、１５８７℃の共融温度よりも高温で焼結する必要が
ある。これは、シリカベースのマッフルの動作温度を超
えている。結晶は、ＳｉＯ2 −Ａｌ2Ｏ3平衡状態図によ
って明らかにされるように、ムライト及びクリストバラ
イトに対する共融点を超える温度で炉において溶融され
るが、生じたガラスは、バブル密度が許容しがたい程高
く、線引き性が低かったりまたは線引き不能である。
【０００８】実質的にバブルフリーの線引きブランク
が、長さの長い分布型ファイバ増幅器のファイバを線引
きするために必要になる。比較的短い長さの希土類ドー
プファイバが、ディスクリートファイバ増幅器に対して
は必要である。しかしながら、ファイバは、トラップさ
れたガスからなる気泡などの欠陥（または核）が無い状
態である必要がある。ある長さのディスクリート利得フ
ァイバがバブルの間で線引きされたとしても、線引きブ
ランクが過剰の気泡を含むときは、プロセスは高価にな
る。故に、気泡の発生と線引きブランクにおける結晶化
の生成とを低減する試みが行われてきた。アルミナによ
る結晶化の可能性を減らすために、フッ素やＰ2Ｏ5など
のドーパントがコアに添加されてきた。しかし、さらな
るドーパントの添加は、価格を上昇させ、コアにおける
かかるドーパントの存在は通常不必要なものである。
が、長さの長い分布型ファイバ増幅器のファイバを線引
きするために必要になる。比較的短い長さの希土類ドー
プファイバが、ディスクリートファイバ増幅器に対して
は必要である。しかしながら、ファイバは、トラップさ
れたガスからなる気泡などの欠陥（または核）が無い状
態である必要がある。ある長さのディスクリート利得フ
ァイバがバブルの間で線引きされたとしても、線引きブ
ランクが過剰の気泡を含むときは、プロセスは高価にな
る。故に、気泡の発生と線引きブランクにおける結晶化
の生成とを低減する試みが行われてきた。アルミナによ
る結晶化の可能性を減らすために、フッ素やＰ2Ｏ5など
のドーパントがコアに添加されてきた。しかし、さらな
るドーパントの添加は、価格を上昇させ、コアにおける
かかるドーパントの存在は通常不必要なものである。
【０００９】故に、稠密ガラス線引きブランクを含むバ
ブルフリーのまたは低バブル含有のアルミナを、さらな
る不必要なドーパントをコア領域に導入せずに作製する
プロセスが要求されている。従来のプロセスの多くは、
中心線でアルミナが最大になる。アルミナの濃度がコア
の中心で最大になる、米国特許第 4,923,279号、第 5,0
58,976号、第 5,155,621号を参照のこと。米国特許第
4,923,279号において、アルミナが使用されてファイバ
の屈折率を調整するとともに、プロセスの間の蛍光体ド
ーパントの損失を禁止する。米国特許第 5,058,976号に
開示されたプロセスにおいて、コアは、アルミナ及びゲ
ルマニアを有する中心で始まり、エルビウム及びアルミ
ナからなる次の領域と、さらにゲルマニアドーパントの
みからなる第３領域が続く領域を有する。エルビウム
は、中心ではなく、コアの直径のほぼ半分の直径の環形
リングの中にある。エルビウムは、中心のアルミニウム
層へと拡散するが、ファイバの中心には到達しない。米
国特許第 5,155,621号において、アルミナはコアの中心
に限定され、エルビウムは、コアの全体に亘って一様に
ドープされる。かかる構成は、自然放出を減らすことが
報告されている。この種のアルミナ濃度分布を有してＯ
ＶＤによって作製された線引きブランクは、中心線喪失
領域での結晶化の可能性が特別である。
ブルフリーのまたは低バブル含有のアルミナを、さらな
る不必要なドーパントをコア領域に導入せずに作製する
プロセスが要求されている。従来のプロセスの多くは、
中心線でアルミナが最大になる。アルミナの濃度がコア
の中心で最大になる、米国特許第 4,923,279号、第 5,0
58,976号、第 5,155,621号を参照のこと。米国特許第
4,923,279号において、アルミナが使用されてファイバ
の屈折率を調整するとともに、プロセスの間の蛍光体ド
ーパントの損失を禁止する。米国特許第 5,058,976号に
開示されたプロセスにおいて、コアは、アルミナ及びゲ
ルマニアを有する中心で始まり、エルビウム及びアルミ
ナからなる次の領域と、さらにゲルマニアドーパントの
みからなる第３領域が続く領域を有する。エルビウム
は、中心ではなく、コアの直径のほぼ半分の直径の環形
リングの中にある。エルビウムは、中心のアルミニウム
層へと拡散するが、ファイバの中心には到達しない。米
国特許第 5,155,621号において、アルミナはコアの中心
に限定され、エルビウムは、コアの全体に亘って一様に
ドープされる。かかる構成は、自然放出を減らすことが
報告されている。この種のアルミナ濃度分布を有してＯ
ＶＤによって作製された線引きブランクは、中心線喪失
領域での結晶化の可能性が特別である。
【００１０】
【発明の概要】本発明の目的は、光ファイバ線引きブラ
ンクの気泡の発生を低減せしめる方法を提供することで
ある。さらなる目的は、特にＯＶＤにて作製される線引
きブランクにおける結晶化の可能性を低減するアルミナ
の濃度勾配を有する光ファイバ線引きブランクを提供す
ることである。
ンクの気泡の発生を低減せしめる方法を提供することで
ある。さらなる目的は、特にＯＶＤにて作製される線引
きブランクにおける結晶化の可能性を低減するアルミナ
の濃度勾配を有する光ファイバ線引きブランクを提供す
ることである。
【００１１】すなわち、本発明は、ガラス体の気泡を減
らす方法に関する。ガラススートが、少なくとも一部が
多孔質となる細長い円筒体を形成するために、基板に積
層される。円筒体の多孔質部分は、乾燥され焼結される
ことによって、ある断面積を有する稠密ガラスに変化す
る。作製されたガラスプリフォームは、ガラスケーンを
作製するために線引きされる。このガラスケーンにおい
て、焼結稠密ガラスの断面積は、所定断面積よりも小さ
い。ガラスケーンは、気泡を除去するためにかなりの高
温で、さらにガラスケーンの結晶化を防ぐために短時間
で、加熱処理される。この方法が使用されて、ＯＶＤや
ＶＡＤ、溶液ドープＭＣＶＤプロセスなどのプロセスに
よって作製されるガラスケーンが改良される。ＯＶＤプ
ロセスにおいて、積層工程は、マンドレルの外周面にガ
ラススートを積層して多孔質コーティングを形成する工
程と、マンドレルを除去する工程と、からなる。ＶＡＤ
プロセスにおいて、積層工程は、目標ロッドの一端部に
ガラススートを積層する工程と、軸方向にコーティング
を成長させる工程と、からなる。ＭＣＶＤベースのプロ
セスにおいて、積層工程は、基板チューブの内面にガラ
ススートを積層する工程からなる。
らす方法に関する。ガラススートが、少なくとも一部が
多孔質となる細長い円筒体を形成するために、基板に積
層される。円筒体の多孔質部分は、乾燥され焼結される
ことによって、ある断面積を有する稠密ガラスに変化す
る。作製されたガラスプリフォームは、ガラスケーンを
作製するために線引きされる。このガラスケーンにおい
て、焼結稠密ガラスの断面積は、所定断面積よりも小さ
い。ガラスケーンは、気泡を除去するためにかなりの高
温で、さらにガラスケーンの結晶化を防ぐために短時間
で、加熱処理される。この方法が使用されて、ＯＶＤや
ＶＡＤ、溶液ドープＭＣＶＤプロセスなどのプロセスに
よって作製されるガラスケーンが改良される。ＯＶＤプ
ロセスにおいて、積層工程は、マンドレルの外周面にガ
ラススートを積層して多孔質コーティングを形成する工
程と、マンドレルを除去する工程と、からなる。ＶＡＤ
プロセスにおいて、積層工程は、目標ロッドの一端部に
ガラススートを積層する工程と、軸方向にコーティング
を成長させる工程と、からなる。ＭＣＶＤベースのプロ
セスにおいて、積層工程は、基板チューブの内面にガラ
ススートを積層する工程からなる。
【００１２】ＯＶＤ及びＶＡＤプロセスにおいて有効な
実施例において、ガラススートは、基板に積層されて、
第１の外径を有する多孔質の細長い円筒体を形成する。
多孔質体は、乾燥され焼結されることにより、固められ
て第１の外径よりも短い第２の直径を有するプリフォー
ムになる。プリフォームは、第２の直径よりも短い第３
の直径を有するコアケーンを形成するために、線引きさ
れる。次に、作製されたコアケーンは、加熱処理され
る。
実施例において、ガラススートは、基板に積層されて、
第１の外径を有する多孔質の細長い円筒体を形成する。
多孔質体は、乾燥され焼結されることにより、固められ
て第１の外径よりも短い第２の直径を有するプリフォー
ムになる。プリフォームは、第２の直径よりも短い第３
の直径を有するコアケーンを形成するために、線引きさ
れる。次に、作製されたコアケーンは、加熱処理され
る。
【００１３】本発明の方法は、ＯＶＤプロセスによって
ファイバ増幅器用の利得ファイバを作製する際に特に有
効である。かかるファイバは、エルビウムなどの希土類
を使用し、アルミナも、希土類イオンのクラスタ化を防
止するために存在する。このプロセスによって作製され
たガラスケーンは、アルミナの含有量が過剰に高いとき
に、中心線喪失領域に結晶化を生ぜしむる。故に、この
方法は、マンドレルにスートの複数の層を積層してコー
ティングを形成する工程を含み、スートの最初に積層さ
れた層の１つまたは複数が第１の濃度のアルミナを含む
ものである。残りの複数の層のアルミナ濃度は、第１の
濃度よりも高い。
ファイバ増幅器用の利得ファイバを作製する際に特に有
効である。かかるファイバは、エルビウムなどの希土類
を使用し、アルミナも、希土類イオンのクラスタ化を防
止するために存在する。このプロセスによって作製され
たガラスケーンは、アルミナの含有量が過剰に高いとき
に、中心線喪失領域に結晶化を生ぜしむる。故に、この
方法は、マンドレルにスートの複数の層を積層してコー
ティングを形成する工程を含み、スートの最初に積層さ
れた層の１つまたは複数が第１の濃度のアルミナを含む
ものである。残りの複数の層のアルミナ濃度は、第１の
濃度よりも高い。
【００１４】 〔発明の詳細な説明〕図１及び図２に、本発明の原理を
概略的に示す。細長い多孔質のスート体がＯＶＤやＶＡ
Ｄプロセスなどの外処理によって形成される。スート体
は、乾燥され焼結されて、稠密ガラスプリフォーム１０
を形成し、このプリフォーム１０は、外径Ｄ2 を有す
る。プリフォーム１０は、ファイバの線引きプロセスや
作製されるファイバに悪影響をもたらす気泡を含んでい
る。故に、ガラスの中の気泡を除去したりその数を減ら
すことに需要がある。プリフォーム１０の加熱処理は、
いつでも気泡の数を減少せしめるものではない。
概略的に示す。細長い多孔質のスート体がＯＶＤやＶＡ
Ｄプロセスなどの外処理によって形成される。スート体
は、乾燥され焼結されて、稠密ガラスプリフォーム１０
を形成し、このプリフォーム１０は、外径Ｄ2 を有す
る。プリフォーム１０は、ファイバの線引きプロセスや
作製されるファイバに悪影響をもたらす気泡を含んでい
る。故に、ガラスの中の気泡を除去したりその数を減ら
すことに需要がある。プリフォーム１０の加熱処理は、
いつでも気泡の数を減少せしめるものではない。
【００１５】本発明により、プリフォーム１０は、周知
の方法によって線引きされたり、または伸ばされて、直
径Ｄ3 が短いガラスケーン１４を形成する。その後、ケ
ーン１４は、炉１６内で熱処理を受ける。炉１６は、制
御された時間内でケーンの全長に亘ってケーン１４を一
様に加熱する。または、ある長さのケーンが、走査タイ
プの炉によって、或いは高温領域が狭い炉の内部にケー
ンを徐々に挿入することによって、徐々に加熱処理され
る。炉の種類に拘わらず、ケーンの長さセグメントの各
々が、長時間に亘ってかなりの高温に加熱されて、ケー
ン内部の気泡を除去したり、その数を減らしたりする。
焼結プリフォームのものに比較すると小径のコアケーン
３０は、気泡内のガスを容易に抜くことができる。直径
Ｄ3 は、この結果を得るために好ましくは５−１０ｍｍ
の範囲にある。直径が約５ｍｍ未満のケーンの長さが長
い場合、ケーンの構造上の完全性によって、使用が難し
くなる。長さの短いケーンがオーバクラッドされてファ
イバに線引きされる場合は、直径Ｄ3 は、５ｍｍよりも
短くなる。
の方法によって線引きされたり、または伸ばされて、直
径Ｄ3 が短いガラスケーン１４を形成する。その後、ケ
ーン１４は、炉１６内で熱処理を受ける。炉１６は、制
御された時間内でケーンの全長に亘ってケーン１４を一
様に加熱する。または、ある長さのケーンが、走査タイ
プの炉によって、或いは高温領域が狭い炉の内部にケー
ンを徐々に挿入することによって、徐々に加熱処理され
る。炉の種類に拘わらず、ケーンの長さセグメントの各
々が、長時間に亘ってかなりの高温に加熱されて、ケー
ン内部の気泡を除去したり、その数を減らしたりする。
焼結プリフォームのものに比較すると小径のコアケーン
３０は、気泡内のガスを容易に抜くことができる。直径
Ｄ3 は、この結果を得るために好ましくは５−１０ｍｍ
の範囲にある。直径が約５ｍｍ未満のケーンの長さが長
い場合、ケーンの構造上の完全性によって、使用が難し
くなる。長さの短いケーンがオーバクラッドされてファ
イバに線引きされる場合は、直径Ｄ3 は、５ｍｍよりも
短くなる。
【００１６】気泡の有効な除去に影響するキーファクタ
は、温度、処理時間、気泡サイズ、ガス組成を含むと考
えられている。特定の温度及び特定の処理時間は、ある
組成を有するケーンからの気泡の除去には適切である。
処理期間を短くする場合、同様な結果を得るためには、
対応して温度を高くする必要がある。同様に、有効なプ
ロセスは、ある速度での炉の高温領域へのケーンの挿入
を含む。速度が速くなれば、温度も高くすべきである。
は、温度、処理時間、気泡サイズ、ガス組成を含むと考
えられている。特定の温度及び特定の処理時間は、ある
組成を有するケーンからの気泡の除去には適切である。
処理期間を短くする場合、同様な結果を得るためには、
対応して温度を高くする必要がある。同様に、有効なプ
ロセスは、ある速度での炉の高温領域へのケーンの挿入
を含む。速度が速くなれば、温度も高くすべきである。
【００１７】様々なファクタが処理温度に影響する。ア
ルミナを含むガラスは、結晶化する傾向がある。故に、
温度は、十分に高いことが必要であり、高温の期間は、
結晶化及び結晶成長を防止しながらもガラスから気泡を
除去するために、十分に短くすることが必要である。ア
ルミナドープのガラスに対して、結晶化の防止は、加熱
処理されたケーンを急速に冷却することによって強化さ
れる。これは、加熱処理の終わりに炉からケーンを迅速
に出すことによって行われる。ゲルマニア（germania
）と最高２．３５重量％のアルミニウムがドープされ
たシリカガラスケーンを約１４４０−１５００℃の炉の
高温領域を通過せしめることによって、かかるシリカガ
ラスケーンから気泡が効率良く除去される。アルミナの
濃度が２．３５重量％よりも高い濃度に増加した場合、
望ましくない結晶化が観察される。アルミナ濃度が高い
ケーンが２時間に亘り低温（１１００−１３００℃）に
維持された後では、ケーンでは結晶化は殆ど観察されな
いが、このような低温では、気泡の数は減少しない。
ルミナを含むガラスは、結晶化する傾向がある。故に、
温度は、十分に高いことが必要であり、高温の期間は、
結晶化及び結晶成長を防止しながらもガラスから気泡を
除去するために、十分に短くすることが必要である。ア
ルミナドープのガラスに対して、結晶化の防止は、加熱
処理されたケーンを急速に冷却することによって強化さ
れる。これは、加熱処理の終わりに炉からケーンを迅速
に出すことによって行われる。ゲルマニア（germania
）と最高２．３５重量％のアルミニウムがドープされ
たシリカガラスケーンを約１４４０−１５００℃の炉の
高温領域を通過せしめることによって、かかるシリカガ
ラスケーンから気泡が効率良く除去される。アルミナの
濃度が２．３５重量％よりも高い濃度に増加した場合、
望ましくない結晶化が観察される。アルミナ濃度が高い
ケーンが２時間に亘り低温（１１００−１３００℃）に
維持された後では、ケーンでは結晶化は殆ど観察されな
いが、このような低温では、気泡の数は減少しない。
【００１８】上記の加熱処理の効果は、アルミナドープ
のガラスに限定されず、処理中の結晶生成に関係無く他
の組成に対しても適用できる。かかる組成は、最も汎用
され屈折率を増大せしめるドーパントであるゲルマニア
などのドーパントを含む。ゲルマニア含有ケーン加熱処
理するとき、温度は、ゲルマニアの分解温度である１７
２５℃を超えてはならない。処理温度がかなり高くてゲ
ルマニアが分解すれば、既存の気泡は拡大する。
のガラスに限定されず、処理中の結晶生成に関係無く他
の組成に対しても適用できる。かかる組成は、最も汎用
され屈折率を増大せしめるドーパントであるゲルマニア
などのドーパントを含む。ゲルマニア含有ケーン加熱処
理するとき、温度は、ゲルマニアの分解温度である１７
２５℃を超えてはならない。処理温度がかなり高くてゲ
ルマニアが分解すれば、既存の気泡は拡大する。
【００１９】プロセスに対するさらなる限定は、伸長に
よるケーンの変形である。ケーンが１４９５−１５５０
℃に加熱されて挿入速度が約６ｍｍ／分となる実施例に
おいて、ケーンは約０．２５ｍｍ，すなわち許容可能な
量に伸びる。しかしながら、１８４５℃の温度で挿入速
度が１５ｍｍ／分で進行する別のプロセスは、７ｍｍか
ら３．９ｍｍまでのテーパが付けられた直径を有する許
容しがたい程に伸長されたケーンを形成する。
よるケーンの変形である。ケーンが１４９５−１５５０
℃に加熱されて挿入速度が約６ｍｍ／分となる実施例に
おいて、ケーンは約０．２５ｍｍ，すなわち許容可能な
量に伸びる。しかしながら、１８４５℃の温度で挿入速
度が１５ｍｍ／分で進行する別のプロセスは、７ｍｍか
ら３．９ｍｍまでのテーパが付けられた直径を有する許
容しがたい程に伸長されたケーンを形成する。
【００２０】本発明は、光ファイバの製造方法に特に適
している。しかしながら、同様にガラスのバルク標本に
対しても使用できる。例えば、外積層プロセス（outsid
e deposition process）によって作製されたガラスロッ
ドは、レンズや窓、プリズムなどの光学部品に形成され
る小ピースへと切断される。焼結稠密ガラスプリフォー
ムは、伸長され加熱処理されてから光学部品に形成され
る。
している。しかしながら、同様にガラスのバルク標本に
対しても使用できる。例えば、外積層プロセス（outsid
e deposition process）によって作製されたガラスロッ
ドは、レンズや窓、プリズムなどの光学部品に形成され
る小ピースへと切断される。焼結稠密ガラスプリフォー
ムは、伸長され加熱処理されてから光学部品に形成され
る。
【００２１】本発明の加熱処理は、ＯＶＤプロセスによ
って作製されたファイバ増幅コアケーンとの使用に特に
適している。コアケーンは、ゲルマニア、アルミナ、エ
ルビア（erbia）がドープされたシリカから形成され
る。これらの酸化物を作製するために使用される先駆材
料を表１に示す。
って作製されたファイバ増幅コアケーンとの使用に特に
適している。コアケーンは、ゲルマニア、アルミナ、エ
ルビア（erbia）がドープされたシリカから形成され
る。これらの酸化物を作製するために使用される先駆材
料を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】図３乃至図５に、コアケーンを生成するＯ
ＶＤ法を説明する一連の概略図を示す。当業者は、この
プロセスの各ステップは周知であり、本発明の特徴部分
を説明するのに必要なプロセスがここで反復される。外
蒸着プロセスの詳細な説明については、米国特許第 4,4
53,961号、第 5,043,002号、第 5,211,732号、第 4,90
6,267号、第 4,251,251号を参照のこと。また、これら
の特許のすべての開示は、本発明においては引例として
取り込まれている。
ＶＤ法を説明する一連の概略図を示す。当業者は、この
プロセスの各ステップは周知であり、本発明の特徴部分
を説明するのに必要なプロセスがここで反復される。外
蒸着プロセスの詳細な説明については、米国特許第 4,4
53,961号、第 5,043,002号、第 5,211,732号、第 4,90
6,267号、第 4,251,251号を参照のこと。また、これら
の特許のすべての開示は、本発明においては引例として
取り込まれている。
【００２４】図３は、マンドレル２０に多孔質ガラスス
ート体２２を積層するために、バーナ２４，２６からの
ガラススート流がマンドレル２０に向けられているＯＶ
Ｄシステムを示す。２つのバーナが図示されている。積
層流（deposition runs）が、１つまたは２つのバーナ
を使用して生成される。２つのバーナを使用する場合、
第１バーナには、Ｅｒ（ＦＯＤ）3及びＡｌ（ＨＦＡ）3
またはＡｌＣｌ3 が供給され、第２バーナには、Ｓｉ
Ｃｌ4 及びＧｅＣｌ4 が供給される。アルミナの先駆物
質は、時々第１バーナよりも第２バーナに供給される。
マンドレルが外されて、開口２５を軸方向に有する多孔
質スート体２２が形成される。スート体２２の内径及び
外径は、それぞれＤ0 ，Ｄ1 である。図示せぬ次の工程
において、多孔質スート体２２は、乾燥され焼結され
て、稠密ガラスプリフォーム２４を形成する。焼結プリ
フォーム２４の外径Ｄ2 は、多孔質スート体２２の直径
Ｄ1よりも短い。軸方向開口２５’の直径Ｄ0 は、開口
２５よりも短いが識別できる。
ート体２２を積層するために、バーナ２４，２６からの
ガラススート流がマンドレル２０に向けられているＯＶ
Ｄシステムを示す。２つのバーナが図示されている。積
層流（deposition runs）が、１つまたは２つのバーナ
を使用して生成される。２つのバーナを使用する場合、
第１バーナには、Ｅｒ（ＦＯＤ）3及びＡｌ（ＨＦＡ）3
またはＡｌＣｌ3 が供給され、第２バーナには、Ｓｉ
Ｃｌ4 及びＧｅＣｌ4 が供給される。アルミナの先駆物
質は、時々第１バーナよりも第２バーナに供給される。
マンドレルが外されて、開口２５を軸方向に有する多孔
質スート体２２が形成される。スート体２２の内径及び
外径は、それぞれＤ0 ，Ｄ1 である。図示せぬ次の工程
において、多孔質スート体２２は、乾燥され焼結され
て、稠密ガラスプリフォーム２４を形成する。焼結プリ
フォーム２４の外径Ｄ2 は、多孔質スート体２２の直径
Ｄ1よりも短い。軸方向開口２５’の直径Ｄ0 は、開口
２５よりも短いが識別できる。
【００２５】次に、稠密ガラスプリフォーム２４は、線
引き炉の内部に取り付けられ、ここで、プリフォームの
先端が加熱手段２６によって加熱される（図５参照）。
多くの場合、ヘリウムの含有率が高い混合ガスが炉のマ
ッフルを流れる。ガラスロッド２８が、プリフォーム２
４の底部に取り付けられる。トラクタ３２がロッド２８
を下方に引くので、ロッド形状のコアケーン３０が線引
きされる。真空取り付け具（図示せず）がプリフォーム
２４の先端部に取り付けられる。ケーン３０が線引きさ
れると、開口２５は確実に閉じる。何となれば、開口内
部の圧力は、周囲の圧力に対して低いからである。コア
ケーン３０の直径Ｄ3 は、Ｄ2 よりも短い。一実施例に
おいて、Ｄ2 はおよそ３８ｍｍであり、Ｄ3 はおよそ７
ｍｍであり、Ｄ3 は、Ｄ2 の２０％未満である。コアケ
ーン３０はかなり長いので、多くの場合、複数のピース
に切断される。
引き炉の内部に取り付けられ、ここで、プリフォームの
先端が加熱手段２６によって加熱される（図５参照）。
多くの場合、ヘリウムの含有率が高い混合ガスが炉のマ
ッフルを流れる。ガラスロッド２８が、プリフォーム２
４の底部に取り付けられる。トラクタ３２がロッド２８
を下方に引くので、ロッド形状のコアケーン３０が線引
きされる。真空取り付け具（図示せず）がプリフォーム
２４の先端部に取り付けられる。ケーン３０が線引きさ
れると、開口２５は確実に閉じる。何となれば、開口内
部の圧力は、周囲の圧力に対して低いからである。コア
ケーン３０の直径Ｄ3 は、Ｄ2 よりも短い。一実施例に
おいて、Ｄ2 はおよそ３８ｍｍであり、Ｄ3 はおよそ７
ｍｍであり、Ｄ3 は、Ｄ2 の２０％未満である。コアケ
ーン３０はかなり長いので、多くの場合、複数のピース
に切断される。
【００２６】最も有効な動作モードにおいて、ケーン３
０は、炉４２の内部で加熱される（図６）。炉の高温領
域４４は、加熱手段４５によって生成され、１４９０℃
と１４９５℃との間の温度に維持される。チャック４６
や適宜の手段が、ケーン３０の一端を保持する。シャフ
ト４８が、ケーン３０を回転するモータ（図示せず）に
チャック４６を連結している。ケーン３０は、一定速度
で、好ましくは約６ｍｍ／分で、高温領域４４の内部を
前後に駆動される。マッフルの横断中、ケーンは、約
３．５回転／分の速度で回転される。
０は、炉４２の内部で加熱される（図６）。炉の高温領
域４４は、加熱手段４５によって生成され、１４９０℃
と１４９５℃との間の温度に維持される。チャック４６
や適宜の手段が、ケーン３０の一端を保持する。シャフ
ト４８が、ケーン３０を回転するモータ（図示せず）に
チャック４６を連結している。ケーン３０は、一定速度
で、好ましくは約６ｍｍ／分で、高温領域４４の内部を
前後に駆動される。マッフルの横断中、ケーンは、約
３．５回転／分の速度で回転される。
【００２７】ケーンは、加熱処理された後、シリカクラ
ッドガラスによってオーバクラッドされて、利得ファイ
バに線引きされる。上記ＯＶＤプロセスが、最大１．３
重量％の半径方向に一様なアルミナ（radial alumina
）濃度をコアが有する利得ファイバを作製するために
使用される。その濃度で中心線喪失領域（centerline c
ollapse region ）に沿って結晶が現れ始めるが、優れ
たファイバをブランクから線引きすることができる。ア
ルミナの含有量は、中心線喪失領域を生成しないＶＡＤ
などの後処理によって作製されたファイバにおいては高
くなる。
ッドガラスによってオーバクラッドされて、利得ファイ
バに線引きされる。上記ＯＶＤプロセスが、最大１．３
重量％の半径方向に一様なアルミナ（radial alumina
）濃度をコアが有する利得ファイバを作製するために
使用される。その濃度で中心線喪失領域（centerline c
ollapse region ）に沿って結晶が現れ始めるが、優れ
たファイバをブランクから線引きすることができる。ア
ルミナの含有量は、中心線喪失領域を生成しないＶＡＤ
などの後処理によって作製されたファイバにおいては高
くなる。
【００２８】利得スペクトラム形状が優れた利得ファイ
バは、最大１．３重量％に維持される中心線喪失領域を
除くコアの全領域において最大２．３５重量％のレベル
にアルミナ濃度を維持することによって作製できること
が分かった。使用したアルミナ分布の２つのタイプを図
７及び図８に示す。一般的なエルビアの分布を図９及び
図１０に示す。コアケーンのコア領域の領域加重平均エ
ルビア濃度は、多くの場合、ディスクリート増幅ファイ
バに対して約０．３重量％から０．５重量％までであ
る。しかしながら、有効な増幅ファイバは、この範囲を
外れるエルビア濃度で作製されてきた。分布型ファイバ
増幅器は、殆どエルビウムを含まない。
バは、最大１．３重量％に維持される中心線喪失領域を
除くコアの全領域において最大２．３５重量％のレベル
にアルミナ濃度を維持することによって作製できること
が分かった。使用したアルミナ分布の２つのタイプを図
７及び図８に示す。一般的なエルビアの分布を図９及び
図１０に示す。コアケーンのコア領域の領域加重平均エ
ルビア濃度は、多くの場合、ディスクリート増幅ファイ
バに対して約０．３重量％から０．５重量％までであ
る。しかしながら、有効な増幅ファイバは、この範囲を
外れるエルビア濃度で作製されてきた。分布型ファイバ
増幅器は、殆どエルビウムを含まない。
【００２９】ファイバのゲルマニア分布は、中心線の濃
度が低く、ステップ状の形を取る。十分な量のゲルマニ
アがコアに加えられて、屈折率に目標の変化を与えてい
る。本実施例のファイバのアルミナ濃度を表２に示す。
掲載されたアルミナ濃度は、中心線領域において且つコ
アの残りの領域に生じる最大濃度である。濃度は、ケー
ンのミクロ分析器の解析から得られる。
度が低く、ステップ状の形を取る。十分な量のゲルマニ
アがコアに加えられて、屈折率に目標の変化を与えてい
る。本実施例のファイバのアルミナ濃度を表２に示す。
掲載されたアルミナ濃度は、中心線領域において且つコ
アの残りの領域に生じる最大濃度である。濃度は、ケー
ンのミクロ分析器の解析から得られる。
【００３０】
【表２】
【００３１】焼結ガラスプリフォームの各々が、ガラス
ロッドに伸長され、ガラスロッドは、複数の直径７ｍｍ
のコアケーンに切断される。２つのプリフォーム第３号
ケーンが、加熱処理される。最初に加熱処理されたケー
ンには、結晶が無い。プリフォーム第３号からの第２の
ケーンには、若干の結晶がクラスタになっている。プリ
フォーム第４号から４つのケーンが加熱処理される。こ
れらのケーンのうちの１つは、単結晶を有する。プリフ
ォーム第４号からの残りの３つのケーンには、結晶が無
い。
ロッドに伸長され、ガラスロッドは、複数の直径７ｍｍ
のコアケーンに切断される。２つのプリフォーム第３号
ケーンが、加熱処理される。最初に加熱処理されたケー
ンには、結晶が無い。プリフォーム第３号からの第２の
ケーンには、若干の結晶がクラスタになっている。プリ
フォーム第４号から４つのケーンが加熱処理される。こ
れらのケーンのうちの１つは、単結晶を有する。プリフ
ォーム第４号からの残りの３つのケーンには、結晶が無
い。
【００３２】本発明の原理は、多孔性ガラス層がヘリウ
ムにおいて焼結されるＭＣＶＤベースの溶液注入法（so
lution impregnation method）に適用できる（本発明に
取り入れられている米国特許第 5,262,365号を参照のこ
と）。その技術によって、比較的屈折率が低いガラス
が、クラッドガラス層を形成する通常のＭＣＶＤ法によ
って、シリカガラス基板チューブの内周面に積層され
る。クラッド層の積層中の基板チューブに沿ったバーナ
の通過の各々によって、焼結層が生成され、故に、クラ
ッド層全体が稠密ガラスから形成される。比較的低温で
行われるＭＣＶＤ法によって、多孔質ガラス層が、クラ
ッド層の内面に積層される。その後、溶液中の希土類元
素とアルミナとが、コアを形成する多孔質ガラス層の孔
に導かれて、ガラス層は溶液で飽和される。次に、溶液
が注入されてコアを形成する多孔質層は、乾燥され脱水
されて、さらにヘリウムガス流の中で焼結されて、多孔
質ではない稠密のガラス層を形成する。コーティングさ
れた基板は、加熱されて変形して、中心開口が無くな
り、さらにファイバへと線引きされる。
ムにおいて焼結されるＭＣＶＤベースの溶液注入法（so
lution impregnation method）に適用できる（本発明に
取り入れられている米国特許第 5,262,365号を参照のこ
と）。その技術によって、比較的屈折率が低いガラス
が、クラッドガラス層を形成する通常のＭＣＶＤ法によ
って、シリカガラス基板チューブの内周面に積層され
る。クラッド層の積層中の基板チューブに沿ったバーナ
の通過の各々によって、焼結層が生成され、故に、クラ
ッド層全体が稠密ガラスから形成される。比較的低温で
行われるＭＣＶＤ法によって、多孔質ガラス層が、クラ
ッド層の内面に積層される。その後、溶液中の希土類元
素とアルミナとが、コアを形成する多孔質ガラス層の孔
に導かれて、ガラス層は溶液で飽和される。次に、溶液
が注入されてコアを形成する多孔質層は、乾燥され脱水
されて、さらにヘリウムガス流の中で焼結されて、多孔
質ではない稠密のガラス層を形成する。コーティングさ
れた基板は、加熱されて変形して、中心開口が無くな
り、さらにファイバへと線引きされる。
【００３３】焼結稠密ガラス層に、上記の熱処理が施さ
れて、トラップされたヘリウムによって生じた気泡を除
去する。加熱処理の前に、アルミナ含有焼結層の断面積
を低減するために、プリフォームは加熱されて伸ばされ
る。このようにして、気泡内部のガスは、確実に抜かれ
る。伸ばされ加熱処理されたプリフォームは、ファイバ
へと線引きされる。
れて、トラップされたヘリウムによって生じた気泡を除
去する。加熱処理の前に、アルミナ含有焼結層の断面積
を低減するために、プリフォームは加熱されて伸ばされ
る。このようにして、気泡内部のガスは、確実に抜かれ
る。伸ばされ加熱処理されたプリフォームは、ファイバ
へと線引きされる。
【図１】外処理によって作製される焼結ガラス体を示
す。
す。
【図２】焼結後の図１のガラス体の加熱処理を示す。
【図３】マンドレルへのガラススートの積層を示す。
【図４】マンドレルが除去された後の多孔質体の断面図
である。
である。
【図５】焼結稠密ガラスプリフォームからのロッドやケ
ーンの線引きを示す。
ーンの線引きを示す。
【図６】炉の高温領域での熱処理中のケーンを示す。
【図７】アルミナの濃度分布を示す。
【図８】アルミナの濃度分布を示す。
【図９】エルビアの濃度分布を示す。
【図１０】エルビアの濃度分布を示す。
１０ ガラスプリフォーム １４ ガラスケーン １６ 炉 ３０ コアケーン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｇ０２Ｂ 6/00 ３５６ Ｇ０２Ｂ 6/00 ３５６Ａ (72)発明者 ポーリー チュー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14870 ペインティドポスト ウェストンレーン 109
Claims (10)
- 【請求項１】 ガラス体の気泡を減らす方法であって、 基板にガラススートを積層して少なくとも一部が多孔質
となる細長い円筒体を形成する積層工程と、 前記円筒体の多孔質部分を乾燥し焼結して所定の断面積
を有する稠密ガラスに変える工程と、 生じたガラスプリフォームを線引きして前記稠密ガラス
の断面積が前記所定断面積よりも小さくなるガラスケー
ンを作製する工程と、 気泡を除去するために十分に高い温度で、且つガラスケ
ーンの結晶化を防止するために短時間で、ガラスケーン
を加熱処理する工程と、からなることを特徴とする方
法。 - 【請求項２】 前記積層工程は、マンドレルの外周面に
ガラススートを形成して前記マンドレルを外す工程と、
目標ロッドの一端部にガラススートを積層して前記コー
ティングを軸方向に形成する工程と、及び基板チューブ
の内周面にガラススートを積層する工程とからなる群か
ら選択される１の工程からなることを特徴とする請求項
１記載の方法。 - 【請求項３】 ガラス体の気泡を減らす方法であって、 基板にガラススートを積層して第１の外径を有する細長
い円筒形の多孔質体を形成する積層工程と、 前記多孔質体を乾燥し焼結することによって固めて、前
記第１の外径よりも短い第２の直径を有するプリフォー
ムにする工程と、 プリフォームを線引きして前記第２の直径よりも短い第
３の直径を有するコアケーンを形成する工程と、 気泡を除去するために十分な高温で、コアケーンの結晶
化を防止するために短時間で、コアケーンを加熱処理す
る工程と、からなることを特徴とする方法。 - 【請求項４】 ガラススートは、エルビウム、アルミ
ナ、ゲルマニア、及びこれらの組み合わせからなる群か
ら選択されるドーパントを含むことを特徴とする請求項
１または請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 ガラススートはアルミナを含み、前記ア
ルミナの最高濃度は、最高約２．３５重量％であること
を特徴とする請求項１または請求項３記載の方法。 - 【請求項６】 ガラススートは、ケーンの中心領域に初
期濃度を有し且つ前記中心領域の外径よりも大なる半径
距離では濃度が増加するアルミナを含むことを特徴とす
る請求項１または請求項３記載の方法。 - 【請求項７】 前記積層工程は、マンドレルにスートの
複数の層を積層してコーティングを形成する工程からな
り、スートの最初に積層された層の１つまたは複数は、
第１の濃度のアルミナを含み、残りの前記複数の層のア
ルミナ濃度は、前記第１の濃度よりも高いことを特徴と
する請求項１または請求項３記載の方法。 - 【請求項８】 前記中心領域のアルミナ濃度は、１．３
重量％よりも小さく、アルミナの濃度は最大２．３５重
量％まで半径方向に増加することを特徴とする請求項７
記載の方法。 - 【請求項９】 中心開口を閉塞するプリフォームの線引
き工程と、 １３００℃と１５００℃との間の温度と、 １４５０℃よりも高い温度と、 １０ｍｍよりも短いガラスケーンの直径と、 ５ｍｍから７ｍｍまでのガラスケーンの直径と、から選
択された特徴の１つまたは複数を有することを特徴とす
る請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 アルミナドープの光ファイバであっ
て、 アルミナは、中心領域に第１の最大濃度と、前記中心領
域よりも外側の半径に第１の最大濃度よりも高い第２の
最大濃度とを有し、ケーンの中心線でのアルミナは約
１．３重量％であり、最大２．３５重量％まで半径方向
に増大し、さらに、エルビウム、ゲルマニウム、及びそ
れらの組み合わせからなる群から選択されたドーパント
を選択的に含むことを特徴とするアルミナドープの光フ
ァイバ。
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