JPH10128067A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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- JPH10128067A JPH10128067A JP8288458A JP28845896A JPH10128067A JP H10128067 A JPH10128067 A JP H10128067A JP 8288458 A JP8288458 A JP 8288458A JP 28845896 A JP28845896 A JP 28845896A JP H10128067 A JPH10128067 A JP H10128067A
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
- B01D53/86—Catalytic processes
- B01D53/88—Handling or mounting catalysts
- B01D53/885—Devices in general for catalytic purification of waste gases
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- B01D—SEPARATION
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- B01D53/86—Catalytic processes
- B01D53/8637—Simultaneously removing sulfur oxides and nitrogen oxides
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- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】被処理ガス排出口におけるダスト濃度を十分に
低くし、触媒の脱硫率及び脱硝率を高くする。 【解決手段】入口部材と、入口部材との間に移動層６０
を形成する出口部材と、入口部材と出口部材との間に配
設され、入口部材との間に前室６４を形成する第１の多
孔板６１と、入口部材と出口部材との間に配設され、第
１の多孔板６１との間に中室６５を、出口部材との間に
後室６６をそれぞれ形成する第２の多孔板６２と、前室
６４内、中室６５内及び後室６６内における各触媒の移
動速度を設定するための定量切出し装置とを有する。前
室６４における触媒の移動速度が中室６５における触媒
の移動速度より高く、中室６５における触媒の移動速度
が後室６６における触媒の移動速度より高くされる。
低くし、触媒の脱硫率及び脱硝率を高くする。 【解決手段】入口部材と、入口部材との間に移動層６０
を形成する出口部材と、入口部材と出口部材との間に配
設され、入口部材との間に前室６４を形成する第１の多
孔板６１と、入口部材と出口部材との間に配設され、第
１の多孔板６１との間に中室６５を、出口部材との間に
後室６６をそれぞれ形成する第２の多孔板６２と、前室
６４内、中室６５内及び後室６６内における各触媒の移
動速度を設定するための定量切出し装置とを有する。前
室６４における触媒の移動速度が中室６５における触媒
の移動速度より高く、中室６５における触媒の移動速度
が後室６６における触媒の移動速度より高くされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、排ガス処理装置に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、排ガス処理装置においては、互い
に平行な２枚のルーバの間に触媒を収容して移動層を形
成し、前記触媒を上方から下方に向けて移動させるとと
もに、被処理ガスを、一方のルーバを介して移動層内に
供給し、他方のルーバから排出するようにしている。
に平行な２枚のルーバの間に触媒を収容して移動層を形
成し、前記触媒を上方から下方に向けて移動させるとと
もに、被処理ガスを、一方のルーバを介して移動層内に
供給し、他方のルーバから排出するようにしている。
【０００３】図２は従来の排ガス処理装置の概略図であ
る。図において、３１は塔本体であり、該塔本体３１の
互いに対向する側壁３２、３３にそれぞれ被処理ガス導
入口３４及び被処理ガス排出口３５が形成される。前記
塔本体３１内は互いに平行に配設された入口ルーバ１１
及び出口ルーバ１２によって仕切られ、入口ルーバ１１
と出口ルーバ１２との間に図示しない触媒が収容され、
移動層１０が形成される。
る。図において、３１は塔本体であり、該塔本体３１の
互いに対向する側壁３２、３３にそれぞれ被処理ガス導
入口３４及び被処理ガス排出口３５が形成される。前記
塔本体３１内は互いに平行に配設された入口ルーバ１１
及び出口ルーバ１２によって仕切られ、入口ルーバ１１
と出口ルーバ１２との間に図示しない触媒が収容され、
移動層１０が形成される。
【０００４】この場合、被処理ガスは、前記被処理ガス
導入口３４から入口ルーバ１１を通って移動層１０に供
給され、該移動層１０内において十分に触媒と接触させ
られ、ダストが補集されるとともに、脱硫及び脱硝が行
われ、出口ルーバ１２を通って被処理ガス排出口３５か
ら排出される。一方、触媒は、前記塔本体３１の上端に
形成された供給口４６から移動層１０に供給され、該移
動層１０内を下方に移動させられて排出口１６から排出
される。
導入口３４から入口ルーバ１１を通って移動層１０に供
給され、該移動層１０内において十分に触媒と接触させ
られ、ダストが補集されるとともに、脱硫及び脱硝が行
われ、出口ルーバ１２を通って被処理ガス排出口３５か
ら排出される。一方、触媒は、前記塔本体３１の上端に
形成された供給口４６から移動層１０に供給され、該移
動層１０内を下方に移動させられて排出口１６から排出
される。
【０００５】該排出口１６には排出ローラ１８が配設さ
れ、該排出ローラ１８を所定の速度で矢印方向に回転さ
せることによって前記触媒が所定の移動速度で移動層１
０内を下方に移動させられ、排出口１６から排出され
る。そして、該排出口１６から排出された触媒は、再生
装置６０及びライン６１を通って前記供給口４６に循環
させられる。なお、１３、１４は下部壁、２０は整流コ
ーンである。
れ、該排出ローラ１８を所定の速度で矢印方向に回転さ
せることによって前記触媒が所定の移動速度で移動層１
０内を下方に移動させられ、排出口１６から排出され
る。そして、該排出口１６から排出された触媒は、再生
装置６０及びライン６１を通って前記供給口４６に循環
させられる。なお、１３、１４は下部壁、２０は整流コ
ーンである。
【０００６】図３は従来の排ガス処理装置の要部断面図
である。図に示すように、互いに平行に配設された入口
ルーバ１１及び出口ルーバ１２によって包囲された空間
に触媒１９が収容されて移動層１０が形成され、前記入
口ルーバ１１及び出口ルーバ１２の各下端から下方に傾
斜して２枚の下部壁１３、１４が延びる。該下部壁１
３、１４は下方になるに従って相互間の間隔が挟くな
り、下部壁１３、１４の下端に触媒１９の排出口１６が
形成され、該排出口１６に排出ローラ１８が配設され
る。また、前記移動層１０内の下部領域に、断面が逆
「Ｖ」字形の整流コーン２０が排出口１６に沿って配設
され、触媒１９の下方への移動を円滑にする。
である。図に示すように、互いに平行に配設された入口
ルーバ１１及び出口ルーバ１２によって包囲された空間
に触媒１９が収容されて移動層１０が形成され、前記入
口ルーバ１１及び出口ルーバ１２の各下端から下方に傾
斜して２枚の下部壁１３、１４が延びる。該下部壁１
３、１４は下方になるに従って相互間の間隔が挟くな
り、下部壁１３、１４の下端に触媒１９の排出口１６が
形成され、該排出口１６に排出ローラ１８が配設され
る。また、前記移動層１０内の下部領域に、断面が逆
「Ｖ」字形の整流コーン２０が排出口１６に沿って配設
され、触媒１９の下方への移動を円滑にする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の排ガス処理装置においては、前記移動層１０に、パ
ターンａで示すように供給された触媒１９が、移動層１
０内を下方に移動する間にパターンｂのように変化して
しまう。この場合、前記移動層１０内において触媒１９
の均一な流れを形成することができないので、入口ルー
バ１１の近傍において触媒１９の移動速度が低くなって
しまう。したがって、被処理ガスに含有されるダストが
入口ルーバ１１の近傍において触媒１９を目詰まりさせ
てしまう。また、入口ルーバ１１と下部壁１３との境界
部ｃ、出口ルーバ１２と下部壁１４との境界部ｄ、整流
コーン２０の上面ｅ等において触媒１９が滞留してしま
う。
来の排ガス処理装置においては、前記移動層１０に、パ
ターンａで示すように供給された触媒１９が、移動層１
０内を下方に移動する間にパターンｂのように変化して
しまう。この場合、前記移動層１０内において触媒１９
の均一な流れを形成することができないので、入口ルー
バ１１の近傍において触媒１９の移動速度が低くなって
しまう。したがって、被処理ガスに含有されるダストが
入口ルーバ１１の近傍において触媒１９を目詰まりさせ
てしまう。また、入口ルーバ１１と下部壁１３との境界
部ｃ、出口ルーバ１２と下部壁１４との境界部ｄ、整流
コーン２０の上面ｅ等において触媒１９が滞留してしま
う。
【０００８】そこで、前記移動層１０を通気性のある図
示しない多孔板によって前室と後室とに区分し、かつ、
前室における触媒１９の移動速度を後室における触媒１
９の移動速度より十分に高くすることによって、触媒１
９が目詰まりしたり、滞留したりするのを防止するよう
にした排ガス処理装置が提供されている（特開平７−１
３６４４５号公報参照）。
示しない多孔板によって前室と後室とに区分し、かつ、
前室における触媒１９の移動速度を後室における触媒１
９の移動速度より十分に高くすることによって、触媒１
９が目詰まりしたり、滞留したりするのを防止するよう
にした排ガス処理装置が提供されている（特開平７−１
３６４４５号公報参照）。
【０００９】ところが、この種の排ガス処理装置におい
ては、前室における触媒１９の移動速度が高くなると、
触媒１９が摩耗によって粉化して飛散するので、前記被
処理ガス排出口３５（図２）におけるダスト濃度がその
分高くなり、図示しない煙突からの排煙が肉眼で見えな
い程度（５〜１０〔ｍｇ／Ｎｍ3 〕）に低くすることが
できなくなってしまう。
ては、前室における触媒１９の移動速度が高くなると、
触媒１９が摩耗によって粉化して飛散するので、前記被
処理ガス排出口３５（図２）におけるダスト濃度がその
分高くなり、図示しない煙突からの排煙が肉眼で見えな
い程度（５〜１０〔ｍｇ／Ｎｍ3 〕）に低くすることが
できなくなってしまう。
【００１０】また、前室における触媒１９の移動速度が
制約されると、触媒１９の脱硫率及び脱硝率がその分低
くなってしまう。本発明は、前記従来の排ガス処理装置
の問題点を解決して、触媒が目詰まりしたり、滞留した
りすることがなく、被処理ガス排出口におけるダスト濃
度を十分に低くすることができ、触媒の脱硫率及び脱硝
率を高くすることができる排ガス処理装置を提供するこ
とを目的とする。
制約されると、触媒１９の脱硫率及び脱硝率がその分低
くなってしまう。本発明は、前記従来の排ガス処理装置
の問題点を解決して、触媒が目詰まりしたり、滞留した
りすることがなく、被処理ガス排出口におけるダスト濃
度を十分に低くすることができ、触媒の脱硫率及び脱硝
率を高くすることができる排ガス処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明の排
ガス処理装置においては、入口部材と、該入口部材との
間に移動層を形成する出口部材と、前記入口部材と出口
部材との間に配設され、前記入口部材との間に前室を形
成する第１の多孔板と、前記入口部材と出口部材との間
に配設され、前記第１の多孔板との間に中室を、前記出
口部材との間に後室をそれぞれ形成する第２の多孔板
と、前記各前室、中室及び後室の下端に配設され、前室
内、中室内及び後室内における各触媒の移動速度を設定
するための定量切出し装置とを有する。
ガス処理装置においては、入口部材と、該入口部材との
間に移動層を形成する出口部材と、前記入口部材と出口
部材との間に配設され、前記入口部材との間に前室を形
成する第１の多孔板と、前記入口部材と出口部材との間
に配設され、前記第１の多孔板との間に中室を、前記出
口部材との間に後室をそれぞれ形成する第２の多孔板
と、前記各前室、中室及び後室の下端に配設され、前室
内、中室内及び後室内における各触媒の移動速度を設定
するための定量切出し装置とを有する。
【００１２】そして、該各定量切出し装置によって、前
室における触媒の移動速度が中室における触媒の移動速
度より高く、中室における触媒の移動速度が後室におけ
る触媒の移動速度より高くされる。本発明の他の排ガス
処理装置においては、さらに、前記前室の層厚は移動層
全体の層厚の１０〜２０〔％〕にされ、前記中室の層厚
は移動層全体の層厚の２０〜４５〔％〕にされる。
室における触媒の移動速度が中室における触媒の移動速
度より高く、中室における触媒の移動速度が後室におけ
る触媒の移動速度より高くされる。本発明の他の排ガス
処理装置においては、さらに、前記前室の層厚は移動層
全体の層厚の１０〜２０〔％〕にされ、前記中室の層厚
は移動層全体の層厚の２０〜４５〔％〕にされる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１の実施の形態における排ガス処理装置の断面図であ
る。図において、３１は塔本体であり、該塔本体３１の
互いに対向する側壁３２、３３にそれぞれ被処理ガス導
入口３４及び被処理ガス排出口３５が形成される。前記
塔本体３１内は互いに平行に配設された入口部材として
の入口ルーバ３７、第１の多孔板６１、第２の多孔板６
２及び出口部材としての出口多孔板３９によって仕切ら
れ、入口ルーバ３７と出口多孔板３９との間に触媒とし
ての図示しない活性炭（Ａ．Ｃ．）が収容され、移動層
６０が形成される。本実施の形態においては、前記入口
ルーバ３７は、表面にダストが付着しないように表面積
の少ないものが使用される。なお、出口多孔板３９に代
えて出口ルーバを使用することもできる。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１の実施の形態における排ガス処理装置の断面図であ
る。図において、３１は塔本体であり、該塔本体３１の
互いに対向する側壁３２、３３にそれぞれ被処理ガス導
入口３４及び被処理ガス排出口３５が形成される。前記
塔本体３１内は互いに平行に配設された入口部材として
の入口ルーバ３７、第１の多孔板６１、第２の多孔板６
２及び出口部材としての出口多孔板３９によって仕切ら
れ、入口ルーバ３７と出口多孔板３９との間に触媒とし
ての図示しない活性炭（Ａ．Ｃ．）が収容され、移動層
６０が形成される。本実施の形態においては、前記入口
ルーバ３７は、表面にダストが付着しないように表面積
の少ないものが使用される。なお、出口多孔板３９に代
えて出口ルーバを使用することもできる。
【００１４】また、入口ルーバ３７と第１の多孔板６１
との間に前室６４が、第１の多孔板６１と第２の多孔板
６２との間に中室６５が、第２の多孔板６２と出口多孔
板３９との間に後室６６がそれぞれ形成される。そし
て、被処理ガスは、前記被処理ガス導入口３４から入口
ルーバ３７を通って前室６４に供給され、このとき、被
処理ガスの流速は、図示しない煙道内における流速と比
べて１／１０〜１／２０程度に極端に低くなり、前室６
４内を被処理ガス中のダストが重力によって沈降する。
続いて、被処理ガスは、第１の多孔板６１を通って中室
６５に供給され、更に第２の多孔板６２を通って後室６
６に供給され、出口多孔板３９を通って被処理ガス排出
口３５から排出される。
との間に前室６４が、第１の多孔板６１と第２の多孔板
６２との間に中室６５が、第２の多孔板６２と出口多孔
板３９との間に後室６６がそれぞれ形成される。そし
て、被処理ガスは、前記被処理ガス導入口３４から入口
ルーバ３７を通って前室６４に供給され、このとき、被
処理ガスの流速は、図示しない煙道内における流速と比
べて１／１０〜１／２０程度に極端に低くなり、前室６
４内を被処理ガス中のダストが重力によって沈降する。
続いて、被処理ガスは、第１の多孔板６１を通って中室
６５に供給され、更に第２の多孔板６２を通って後室６
６に供給され、出口多孔板３９を通って被処理ガス排出
口３５から排出される。
【００１５】一方、活性炭は、前記塔本体３１の上端に
形成された供給口４６から前室６４、中室６５及び後室
６６に供給され、該前室６４内、中室６５内及び後室６
６内を下方に移動して排出ホッパ４７〜４９から排出さ
れる。その間、前室６４内、中室６５内及び後室６６内
において、被処理ガスは活性炭と衝突して拡散され、活
性炭によってダストが捕集され、かつ、脱硫及び脱硝が
行われる。
形成された供給口４６から前室６４、中室６５及び後室
６６に供給され、該前室６４内、中室６５内及び後室６
６内を下方に移動して排出ホッパ４７〜４９から排出さ
れる。その間、前室６４内、中室６５内及び後室６６内
において、被処理ガスは活性炭と衝突して拡散され、活
性炭によってダストが捕集され、かつ、脱硫及び脱硝が
行われる。
【００１６】前記排出ホッパ４７〜４９は非対称の形状
を有し、それぞれ前記入口ルーバ３７の下端から下方に
垂直に延びる側壁部４７ａ、前記第１の多孔板６１の下
端から下方に垂直に延びる側壁部４８ａ、及び前記出口
多孔板３９の下端から下方に垂直に延びる側壁部４９ａ
を有する。したがって、入口ルーバ３７、出口多孔板３
９及び第１の多孔板６１に沿って下方に移動させられた
活性炭は、それぞれ側壁部４７ａ、４８ａ、４９ａに沿
って円滑に下降するので滞留することがなくなる。
を有し、それぞれ前記入口ルーバ３７の下端から下方に
垂直に延びる側壁部４７ａ、前記第１の多孔板６１の下
端から下方に垂直に延びる側壁部４８ａ、及び前記出口
多孔板３９の下端から下方に垂直に延びる側壁部４９ａ
を有する。したがって、入口ルーバ３７、出口多孔板３
９及び第１の多孔板６１に沿って下方に移動させられた
活性炭は、それぞれ側壁部４７ａ、４８ａ、４９ａに沿
って円滑に下降するので滞留することがなくなる。
【００１７】また、前記排出ホッパ４７〜４９は、それ
ぞれ下端に第１排出口４７ｂ、４８ｂ、４９ｂを有し、
該第１排出口４７ｂ、４８ｂ、４９ｂに臨んでそれぞれ
定量切出し装置としての排出ローラ４７ｃ、４８ｃ、４
９ｃが配設され、該各排出ローラ４７ｃ、４８ｃ、４９
ｃの回転数を調整することによって、それぞれ前室６４
内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移動速度ｖ
１〜ｖ３が設定される。なお、この場合、前室６４と中
室６５との間に第１の多孔板６１が、中室６５と後室６
６との間に第２の多孔板６２がそれぞれ配設され、第１
の多孔板６１、第２の多孔板６２を越えて活性炭が移動
することが阻止されるので、前室６４内、中室６５内及
び後室６６内の各活性炭の移動速度ｖ１〜ｖ３を設定ど
おりにすることができる。
ぞれ下端に第１排出口４７ｂ、４８ｂ、４９ｂを有し、
該第１排出口４７ｂ、４８ｂ、４９ｂに臨んでそれぞれ
定量切出し装置としての排出ローラ４７ｃ、４８ｃ、４
９ｃが配設され、該各排出ローラ４７ｃ、４８ｃ、４９
ｃの回転数を調整することによって、それぞれ前室６４
内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移動速度ｖ
１〜ｖ３が設定される。なお、この場合、前室６４と中
室６５との間に第１の多孔板６１が、中室６５と後室６
６との間に第２の多孔板６２がそれぞれ配設され、第１
の多孔板６１、第２の多孔板６２を越えて活性炭が移動
することが阻止されるので、前室６４内、中室６５内及
び後室６６内の各活性炭の移動速度ｖ１〜ｖ３を設定ど
おりにすることができる。
【００１８】そして、前室６４内、中室６５内及び後室
６６内を下方に移動した活性炭は、前記第１排出口４７
ｂ、４８ｂ、４９ｂから排出され、集合ホッパ５２を介
して更に第２排出口５９から排出される。なお、前記供
給口４６に供給バルブ４６ａが、第２排出口５９に排出
バルブ５９ａがそれぞれ配設される。ところで、前記前
室６４内における活性炭の移動速度ｖ１は最も高く（従
来の排ガス処理装置の２〜５倍）設定される。
６６内を下方に移動した活性炭は、前記第１排出口４７
ｂ、４８ｂ、４９ｂから排出され、集合ホッパ５２を介
して更に第２排出口５９から排出される。なお、前記供
給口４６に供給バルブ４６ａが、第２排出口５９に排出
バルブ５９ａがそれぞれ配設される。ところで、前記前
室６４内における活性炭の移動速度ｖ１は最も高く（従
来の排ガス処理装置の２〜５倍）設定される。
【００１９】この場合、ダスト濃度が２００〔ｍｇ／Ｎ
ｍ3 〕以上、例えば、３５０〜５００〔ｍｇ／Ｎｍ3 〕
の被処理ガスが前室６４内に供給され、活性炭の１粒当
たりの捕集されるダスト量が多くても、被処理ガスの通
気が良くなり、圧力損失を小さくすることができる。し
たがって、活性炭が目詰まりしたり、滞留したりするの
を防止することができる。また、活性炭の移動速度ｖ１
が高いので、被処理ガスを移動層６０内の全体に円滑に
拡散させることができる。
ｍ3 〕以上、例えば、３５０〜５００〔ｍｇ／Ｎｍ3 〕
の被処理ガスが前室６４内に供給され、活性炭の１粒当
たりの捕集されるダスト量が多くても、被処理ガスの通
気が良くなり、圧力損失を小さくすることができる。し
たがって、活性炭が目詰まりしたり、滞留したりするの
を防止することができる。また、活性炭の移動速度ｖ１
が高いので、被処理ガスを移動層６０内の全体に円滑に
拡散させることができる。
【００２０】そして、前記前室６４の層厚ｄ１は、実験
結果から移動層６０全体の層厚の１０〜２０〔％〕に設
定するのが好ましい。このように設定すると、入口ルー
バ３７、第１の多孔板６１等による摩擦の寄与度が高く
なり、前室６４内における粉体圧を小さくし、入口ルー
バ３７から供給された被処理ガスを移動層６０内の全体
に円滑に拡散させることができる。また、前室６４の容
積が移動層６０全体の容積、すなわち、ＳＶ値に比べて
小さくなるので、活性炭の摩耗が少なくなる。
結果から移動層６０全体の層厚の１０〜２０〔％〕に設
定するのが好ましい。このように設定すると、入口ルー
バ３７、第１の多孔板６１等による摩擦の寄与度が高く
なり、前室６４内における粉体圧を小さくし、入口ルー
バ３７から供給された被処理ガスを移動層６０内の全体
に円滑に拡散させることができる。また、前室６４の容
積が移動層６０全体の容積、すなわち、ＳＶ値に比べて
小さくなるので、活性炭の摩耗が少なくなる。
【００２１】なお、前室６４内には、第１の多孔板６１
に対して直角の方向に図示しない仕切板を配設すること
によって（高さが２０〔ｍ〕以上の排ガス処理装置の場
合、１〔ｍ〕ごとに配設される。）、粉体圧を一層小さ
くすることができる。そして、中室６５においては、活
性炭の１粒当たりの捕集されるダスト量が前室６４と同
様に多いので、前記中室６５内の活性炭の移動速度ｖ２
は（２／３）・ｖ１〜（１／５）・ｖ１、好ましくは、
（１／２）・ｖ１〜（１／３）・ｖ１に設定される。
に対して直角の方向に図示しない仕切板を配設すること
によって（高さが２０〔ｍ〕以上の排ガス処理装置の場
合、１〔ｍ〕ごとに配設される。）、粉体圧を一層小さ
くすることができる。そして、中室６５においては、活
性炭の１粒当たりの捕集されるダスト量が前室６４と同
様に多いので、前記中室６５内の活性炭の移動速度ｖ２
は（２／３）・ｖ１〜（１／５）・ｖ１、好ましくは、
（１／２）・ｖ１〜（１／３）・ｖ１に設定される。
【００２２】したがって、被処理ガスの通気が良くな
り、圧力損失を小さくすることができるので、活性炭が
目詰まりしたり、滞留したりするのを防止することがで
きる。また、前記中室６５の層厚ｄ２は、被処理ガス導
入口３４側のダスト濃度及び集塵（じん）効率に基づい
て設定され、本実施の形態においては、移動層６０全体
の層厚の２０〜４５〔％〕にされる。なお、集塵効率
は、被処理ガス中のダストの粒度分布、活性炭の粒径、
被処理ガスの流速等に依存するので、前記中室６５の層
厚ｄ２は被処理ガス中のダストの粒度分布、活性炭の粒
径、被処理ガスの流速等に対応させて設定される。
り、圧力損失を小さくすることができるので、活性炭が
目詰まりしたり、滞留したりするのを防止することがで
きる。また、前記中室６５の層厚ｄ２は、被処理ガス導
入口３４側のダスト濃度及び集塵（じん）効率に基づい
て設定され、本実施の形態においては、移動層６０全体
の層厚の２０〜４５〔％〕にされる。なお、集塵効率
は、被処理ガス中のダストの粒度分布、活性炭の粒径、
被処理ガスの流速等に依存するので、前記中室６５の層
厚ｄ２は被処理ガス中のダストの粒度分布、活性炭の粒
径、被処理ガスの流速等に対応させて設定される。
【００２３】そして、後室６６における活性炭の移動速
度ｖ３は、被処理ガス排出口３５側のダスト濃度に対応
させて（２／３）・ｖ２〜（１／５）・ｖ２、好ましく
は、（１／２）・ｖ２〜（１／３）・ｖ２に設定され
る。この場合、活性炭の移動速度ｖ３が低くされるの
で、活性炭が摩耗によって粉化して飛散するのを防止す
ることができる。したがって、被処理ガス排出口３５側
のダスト濃度を低くすることができる。
度ｖ３は、被処理ガス排出口３５側のダスト濃度に対応
させて（２／３）・ｖ２〜（１／５）・ｖ２、好ましく
は、（１／２）・ｖ２〜（１／３）・ｖ２に設定され
る。この場合、活性炭の移動速度ｖ３が低くされるの
で、活性炭が摩耗によって粉化して飛散するのを防止す
ることができる。したがって、被処理ガス排出口３５側
のダスト濃度を低くすることができる。
【００２４】また、前記後室６６の層厚ｄ３は、移動層
６０全体の層厚から前室６４の層厚ｄ１及び中室６５の
層厚ｄ２を減算した値とする。そして、被処理ガスを処
理するに当たり必要とされる脱硫率及び脱硝率に基づい
て、前記ＳＶ値が計算され、該ＳＶ値に基づいて移動層
６０全体の層厚を計算することができる。
６０全体の層厚から前室６４の層厚ｄ１及び中室６５の
層厚ｄ２を減算した値とする。そして、被処理ガスを処
理するに当たり必要とされる脱硫率及び脱硝率に基づい
て、前記ＳＶ値が計算され、該ＳＶ値に基づいて移動層
６０全体の層厚を計算することができる。
【００２５】なお、脱硫率は、移動層６０内における空
間速度（被処理ガスの速度）及び活性炭の滞留時間（前
室６４内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移動
速度ｖ１〜ｖ３の平均値に対応する。）を選定すること
によって比較的容易に所望の値にすることができるが、
脱硝率は、被処理ガス導入口３４側におけるＳＯ2 濃
度、ＮＯX 濃度、被処理ガスの温度等の影響を大きく受
ける。したがって、塔本体３１の寸法及び活性炭の滞留
時間は、脱硝率の値に対応させて設定される。
間速度（被処理ガスの速度）及び活性炭の滞留時間（前
室６４内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移動
速度ｖ１〜ｖ３の平均値に対応する。）を選定すること
によって比較的容易に所望の値にすることができるが、
脱硝率は、被処理ガス導入口３４側におけるＳＯ2 濃
度、ＮＯX 濃度、被処理ガスの温度等の影響を大きく受
ける。したがって、塔本体３１の寸法及び活性炭の滞留
時間は、脱硝率の値に対応させて設定される。
【００２６】ところで、活性炭は供給口４６から移動層
６０内に供給されるが、供給バルブ４６ａから落下した
ときに、粒体の安息角に基づいて、前室６４、及び後室
６６内の出口多孔板３９寄りに粗い粒体が、中室６５、
及び後室６６内の第２の多孔板６２寄りに細かい粒体が
それぞれ分配される。したがって、ダスト濃度の高い被
処理ガスが前室６４内に供給されても、活性炭の粗い粒
体が前室６４内を移動させられるので、活性炭が目詰ま
りしたり、滞留したりすることがなくなる。また、活性
炭の粗い粒体が後室６６内の出口多孔板３９寄りを移動
させられるので、活性炭が粉化して飛散することもな
い。
６０内に供給されるが、供給バルブ４６ａから落下した
ときに、粒体の安息角に基づいて、前室６４、及び後室
６６内の出口多孔板３９寄りに粗い粒体が、中室６５、
及び後室６６内の第２の多孔板６２寄りに細かい粒体が
それぞれ分配される。したがって、ダスト濃度の高い被
処理ガスが前室６４内に供給されても、活性炭の粗い粒
体が前室６４内を移動させられるので、活性炭が目詰ま
りしたり、滞留したりすることがなくなる。また、活性
炭の粗い粒体が後室６６内の出口多孔板３９寄りを移動
させられるので、活性炭が粉化して飛散することもな
い。
【００２７】そして、活性炭の細かい粒体が中室６５、
及び後室６６内の第２の多孔板６２寄りを移動させられ
るので、中室６５、及び後室６６内の第２の多孔板６２
寄りにおいて脱硫及び脱硝を行うことができる。次に、
前室６４内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移
動速度ｖ１〜ｖ３の分布について説明する。
及び後室６６内の第２の多孔板６２寄りを移動させられ
るので、中室６５、及び後室６６内の第２の多孔板６２
寄りにおいて脱硫及び脱硝を行うことができる。次に、
前室６４内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移
動速度ｖ１〜ｖ３の分布について説明する。
【００２８】図４は本発明の第１の実施の形態における
移動速度の分布図である。なお、図において、横軸に移
動層６０（図１）内の厚さ方向の位置を、縦軸に活性炭
の単位時間における降下距離を採ってある。この場合、
前室６４内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移
動速度ｖ１〜ｖ３を ｖ１：ｖ２：ｖ３＝４：２：１ とする。
移動速度の分布図である。なお、図において、横軸に移
動層６０（図１）内の厚さ方向の位置を、縦軸に活性炭
の単位時間における降下距離を採ってある。この場合、
前室６４内、中室６５内及び後室６６内の各活性炭の移
動速度ｖ１〜ｖ３を ｖ１：ｖ２：ｖ３＝４：２：１ とする。
【００２９】そして、被処理ガス導入口３４側のダスト
濃度が高くなると、前室６４及び中室６５における層厚
ｄ１、ｄ２における移動層６０全体の層厚に占める割合
が大きくされ、移動速度ｖ１、ｖ２が高くされる。ま
た、集塵効率を高くしたいときは、中室６５における層
厚ｄ２が大きくされ、移動速度ｖ２が高くされる。
濃度が高くなると、前室６４及び中室６５における層厚
ｄ１、ｄ２における移動層６０全体の層厚に占める割合
が大きくされ、移動速度ｖ１、ｖ２が高くされる。ま
た、集塵効率を高くしたいときは、中室６５における層
厚ｄ２が大きくされ、移動速度ｖ２が高くされる。
【００３０】さらに、被処理ガス排出口３５側のダスト
濃度を低くするとき、後室６６における層厚ｄ３が大き
くされ、移動速度ｖ３が高くされる。次に、圧力損失の
分布について説明する。図５は本発明の第１の実施の形
態における正常時の移動層の圧力損失の分布図、図６は
本発明の第１の実施の形態における異常時の移動層の圧
力損失の分布図である。なお、図において、横軸に圧力
損失を、縦軸に移動層の高さ方向の位置を採ってある。
濃度を低くするとき、後室６６における層厚ｄ３が大き
くされ、移動速度ｖ３が高くされる。次に、圧力損失の
分布について説明する。図５は本発明の第１の実施の形
態における正常時の移動層の圧力損失の分布図、図６は
本発明の第１の実施の形態における異常時の移動層の圧
力損失の分布図である。なお、図において、横軸に圧力
損失を、縦軸に移動層の高さ方向の位置を採ってある。
【００３１】図において、Ｌ１は前室６４（図１）内の
圧力損失を、Ｌ２は中室６５内の圧力損失を、Ｌ３は後
室６６内の圧力損失をそれぞれ示す。移動層６０が正常
に機能している場合、前室６４内、中室６５内及び後室
６６内の各圧力損失は、図５に示すようになる。すなわ
ち、圧力損失は、前室６４内及び後室６６内の上部にお
いてわずかに高くなり、中室６５内の下部においてわず
かに高くなる。このように、圧力損失の分布が高さ方向
の位置においてほとんど変化しない場合、活性炭が適切
な移動速度ｖ１〜ｖ３で移動していて、ダストによって
活性炭が目詰まりしたり、滞留したりしていないことが
分かる。また、この場合、活性炭の見かけ密度、高密度
空隙（げき）率等が高さ方向の位置で変化することはな
い。
圧力損失を、Ｌ２は中室６５内の圧力損失を、Ｌ３は後
室６６内の圧力損失をそれぞれ示す。移動層６０が正常
に機能している場合、前室６４内、中室６５内及び後室
６６内の各圧力損失は、図５に示すようになる。すなわ
ち、圧力損失は、前室６４内及び後室６６内の上部にお
いてわずかに高くなり、中室６５内の下部においてわず
かに高くなる。このように、圧力損失の分布が高さ方向
の位置においてほとんど変化しない場合、活性炭が適切
な移動速度ｖ１〜ｖ３で移動していて、ダストによって
活性炭が目詰まりしたり、滞留したりしていないことが
分かる。また、この場合、活性炭の見かけ密度、高密度
空隙（げき）率等が高さ方向の位置で変化することはな
い。
【００３２】そして、中室６５における層厚ｄ２が適切
であり、後室６６における層厚ｄ３が大きいので、後室
６６の圧力損失は中室６５の圧力損失より大きくなる。
このように、層厚ｄ１〜ｄ３と圧力損失とが完全に比例
している場合、活性炭が適切な移動速度ｖ１〜ｖ３で移
動していて、ダストによって活性炭が目詰まりしたり、
滞留したりしていないことが分かる。
であり、後室６６における層厚ｄ３が大きいので、後室
６６の圧力損失は中室６５の圧力損失より大きくなる。
このように、層厚ｄ１〜ｄ３と圧力損失とが完全に比例
している場合、活性炭が適切な移動速度ｖ１〜ｖ３で移
動していて、ダストによって活性炭が目詰まりしたり、
滞留したりしていないことが分かる。
【００３３】これに対して、移動層６０が正常に機能し
ていない場合、前室６４内、中室６５内及び後室６６内
の各圧力損失は、例えば、図６に示すようになる。この
ように、圧力損失が中室６５内の下部において極端に大
きくなると、被処理ガスが塔本体３１内の上部に偏流し
てしまう。その結果、後室６６内の上部において、ダス
トが再び飛散してしまい、中室６５内の下部において、
ダストによって活性炭が目詰まりしたり、滞留したりし
てしまう。
ていない場合、前室６４内、中室６５内及び後室６６内
の各圧力損失は、例えば、図６に示すようになる。この
ように、圧力損失が中室６５内の下部において極端に大
きくなると、被処理ガスが塔本体３１内の上部に偏流し
てしまう。その結果、後室６６内の上部において、ダス
トが再び飛散してしまい、中室６５内の下部において、
ダストによって活性炭が目詰まりしたり、滞留したりし
てしまう。
【００３４】次に、前室６４、中室６５及び後室６６の
各層厚ｄ１〜ｄ３について説明する。図７は活性炭の集
塵特性を示す図である。なお、図において、横軸に活性
炭の層厚を、縦軸に活性炭の集塵効率を採ってある。平
均粒径が３０〔μｍ〕の細かいダストを平均径が７〜９
〔ｍｍ〕の円柱状の活性炭によってろ過集塵する場合、
層厚は、脱硫率及び脱硝率を高くする場合ほど大きくす
る必要はない。被処理ガスの温度にもよるが、集塵効
率、脱硫率及び脱硝率を高くするために必要となる層厚
を、それぞれ、ｄD 、ｄS 及びｄN とすると、 ｄN ＞ｄS ＞ｄD になる。そして、図から活性炭の全体の層厚の３０
〔％〕程度の層厚があれば、集塵効率を８５〜９０
〔％〕にすることができることが分かる。
各層厚ｄ１〜ｄ３について説明する。図７は活性炭の集
塵特性を示す図である。なお、図において、横軸に活性
炭の層厚を、縦軸に活性炭の集塵効率を採ってある。平
均粒径が３０〔μｍ〕の細かいダストを平均径が７〜９
〔ｍｍ〕の円柱状の活性炭によってろ過集塵する場合、
層厚は、脱硫率及び脱硝率を高くする場合ほど大きくす
る必要はない。被処理ガスの温度にもよるが、集塵効
率、脱硫率及び脱硝率を高くするために必要となる層厚
を、それぞれ、ｄD 、ｄS 及びｄN とすると、 ｄN ＞ｄS ＞ｄD になる。そして、図から活性炭の全体の層厚の３０
〔％〕程度の層厚があれば、集塵効率を８５〜９０
〔％〕にすることができることが分かる。
【００３５】したがって、中室６５の層厚ｄ２を、ダス
ト濃度、ダストの捕集の困難性等に対応させて変化させ
ることができる。次に、中室６５における活性炭の移動
速度ｖ２について説明する。図８は本発明の第１の実施
の形態における中室内の活性炭の移動速度と圧力損失と
の関係図である。なお、図において、横軸に中室６５
（図１）内の活性炭の移動速度を、縦軸に中室６５内に
おける圧力損失を採ってある。
ト濃度、ダストの捕集の困難性等に対応させて変化させ
ることができる。次に、中室６５における活性炭の移動
速度ｖ２について説明する。図８は本発明の第１の実施
の形態における中室内の活性炭の移動速度と圧力損失と
の関係図である。なお、図において、横軸に中室６５
（図１）内の活性炭の移動速度を、縦軸に中室６５内に
おける圧力損失を採ってある。
【００３６】集塵に必要な層厚は、前述したように移動
層６０全体の層厚から見ると大きくはなく、小さな層厚
の部分においてほとんどのダストを補集することができ
る。したがって、その部分における活性炭の１粒当たり
のダスト負荷が大きいことが分かる。そして、中室６５
内における活性炭の移動速度ｖ２と圧力損失は、図に示
すような関係を有することが分かる。本実施の形態にお
いては、０．１〜０．１５〔ｍ／ｈ〕の移動速度ｖ２付
近に変曲点が存在する。したがって、中室６５内におけ
る限界の移動速度ｖ２を、安全をみて０．１５〜０．２
〔ｍ／ｈ〕にするのが好ましい。
層６０全体の層厚から見ると大きくはなく、小さな層厚
の部分においてほとんどのダストを補集することができ
る。したがって、その部分における活性炭の１粒当たり
のダスト負荷が大きいことが分かる。そして、中室６５
内における活性炭の移動速度ｖ２と圧力損失は、図に示
すような関係を有することが分かる。本実施の形態にお
いては、０．１〜０．１５〔ｍ／ｈ〕の移動速度ｖ２付
近に変曲点が存在する。したがって、中室６５内におけ
る限界の移動速度ｖ２を、安全をみて０．１５〜０．２
〔ｍ／ｈ〕にするのが好ましい。
【００３７】次に、被処理ガス排出口３５側のダスト濃
度について説明する。図９は本発明の第１の実施の形態
における後室内の活性炭の移動速度とダスト濃度との関
係図である。なお、図において、横軸に後室６６（図
１）内における活性炭の移動速度を、縦軸に被処理ガス
排出口３５側のダスト濃度を採ってある。
度について説明する。図９は本発明の第１の実施の形態
における後室内の活性炭の移動速度とダスト濃度との関
係図である。なお、図において、横軸に後室６６（図
１）内における活性炭の移動速度を、縦軸に被処理ガス
排出口３５側のダスト濃度を採ってある。
【００３８】被処理ガス排出口３５側のダスト濃度を１
０〜２０〔ｍｇ／Ｎｍ3 〕等の低い値にするためには、
後室６６における活性炭の移動速度ｖ３をできる限り低
くして、活性炭が粉化して飛散するのを抑制する必要が
ある。ダストの平均粒径及び被処理ガスの流速によって
もばらつきがあるが、後室６６における活性炭の移動速
度ｖ３を０．１５〔ｍ／ｈ〕以下、好ましくは、０．１
〔ｍ／ｈ〕以下に設定すると、被処理ガス排出口３５側
のダスト濃度を低くすることができる。
０〜２０〔ｍｇ／Ｎｍ3 〕等の低い値にするためには、
後室６６における活性炭の移動速度ｖ３をできる限り低
くして、活性炭が粉化して飛散するのを抑制する必要が
ある。ダストの平均粒径及び被処理ガスの流速によって
もばらつきがあるが、後室６６における活性炭の移動速
度ｖ３を０．１５〔ｍ／ｈ〕以下、好ましくは、０．１
〔ｍ／ｈ〕以下に設定すると、被処理ガス排出口３５側
のダスト濃度を低くすることができる。
【００３９】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図１０は本発明の第２の実施の形態における
排ガス処理装置の断面図である。なお、第１の実施の形
態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与
することによってその説明を省略する。この場合、被処
理ガス導入口３４１と入口ルーバ３７との間にコーン煙
道３４２が、被処理ガス排出口３５１と出口多孔板３９
との間にコーン煙道３５２がそれぞれ形成される。した
がって、被処理ガス導入口３４１からコーン煙道３４２
に供給された被処理ガスの流速は、前記被処理ガス排出
口３５１に接続された図示しない煙道内における流速と
比べて１／１０〜１／２０程度に極端に低くなり、コー
ン煙道３４２内において図示しないダストが沈降する。
その結果、コーン煙道３４２から前室６４に供給された
被処理ガスは、一層拡散する。
説明する。図１０は本発明の第２の実施の形態における
排ガス処理装置の断面図である。なお、第１の実施の形
態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与
することによってその説明を省略する。この場合、被処
理ガス導入口３４１と入口ルーバ３７との間にコーン煙
道３４２が、被処理ガス排出口３５１と出口多孔板３９
との間にコーン煙道３５２がそれぞれ形成される。した
がって、被処理ガス導入口３４１からコーン煙道３４２
に供給された被処理ガスの流速は、前記被処理ガス排出
口３５１に接続された図示しない煙道内における流速と
比べて１／１０〜１／２０程度に極端に低くなり、コー
ン煙道３４２内において図示しないダストが沈降する。
その結果、コーン煙道３４２から前室６４に供給された
被処理ガスは、一層拡散する。
【００４０】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【００４１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、排ガス処理装置においては、入口部材と、該入口
部材との間に移動層を形成する出口部材と、前記入口部
材と出口部材との間に配設され、前記入口部材との間に
前室を形成する第１の多孔板と、前記入口部材と出口部
材との間に配設され、前記第１の多孔板との間に中室
を、前記出口部材との間に後室をそれぞれ形成する第２
の多孔板と、前記各前室、中室及び後室の下端に配設さ
れ、前室内、中室内及び後室内における各触媒の移動速
度を設定するための定量切出し装置とを有する。
れば、排ガス処理装置においては、入口部材と、該入口
部材との間に移動層を形成する出口部材と、前記入口部
材と出口部材との間に配設され、前記入口部材との間に
前室を形成する第１の多孔板と、前記入口部材と出口部
材との間に配設され、前記第１の多孔板との間に中室
を、前記出口部材との間に後室をそれぞれ形成する第２
の多孔板と、前記各前室、中室及び後室の下端に配設さ
れ、前室内、中室内及び後室内における各触媒の移動速
度を設定するための定量切出し装置とを有する。
【００４２】そして、該各定量切出し装置によって、前
室における触媒の移動速度が中室における触媒の移動速
度より高く、中室における触媒の移動速度が後室におけ
る触媒の移動速度より高くされる。この場合、ダスト濃
度が高い被処理ガスが前室内に供給されても、前室内に
おける触媒の移動速度が高いので、被処理ガスの通気が
良くなり、圧力損失を小さくすることができる。
室における触媒の移動速度が中室における触媒の移動速
度より高く、中室における触媒の移動速度が後室におけ
る触媒の移動速度より高くされる。この場合、ダスト濃
度が高い被処理ガスが前室内に供給されても、前室内に
おける触媒の移動速度が高いので、被処理ガスの通気が
良くなり、圧力損失を小さくすることができる。
【００４３】したがって、触媒が目詰まりしたり、滞留
したりするのを防止することができる。また、移動速度
が高いので、被処理ガスを移動層内の全体に円滑に拡散
させることができる。そして、中室内の触媒の移動速度
が高く設定されるので、被処理ガスの通気が良くなり、
圧力損失を小さくすることができる。
したりするのを防止することができる。また、移動速度
が高いので、被処理ガスを移動層内の全体に円滑に拡散
させることができる。そして、中室内の触媒の移動速度
が高く設定されるので、被処理ガスの通気が良くなり、
圧力損失を小さくすることができる。
【００４４】したがって、触媒が目詰まりしたり、滞留
したりするのを防止することができる。さらに、後室内
の触媒の移動速度が低く設定されるので、触媒が摩耗に
よって粉化して飛散するのを防止することができる。し
たがって、被処理ガス排出口側のダスト濃度を低くする
ことができる。
したりするのを防止することができる。さらに、後室内
の触媒の移動速度が低く設定されるので、触媒が摩耗に
よって粉化して飛散するのを防止することができる。し
たがって、被処理ガス排出口側のダスト濃度を低くする
ことができる。
【００４５】本発明の他の排ガス処理装置においては、
さらに、前記前室の層厚は移動層全体の層厚の１０〜２
０〔％〕にされ、前記中室の層厚は移動層全体の層厚の
２０〜４５〔％〕にされる。この場合、前室の層厚は、
移動層全体の層厚の１０〜２０〔％〕にされるので、前
室内における粉体圧を小さくし、被処理ガスを移動層内
の全体に円滑に拡散させることができる。また、前室の
容積が移動層全体の容積に比べて小さくなるので、触媒
の摩耗が少なくなる。
さらに、前記前室の層厚は移動層全体の層厚の１０〜２
０〔％〕にされ、前記中室の層厚は移動層全体の層厚の
２０〜４５〔％〕にされる。この場合、前室の層厚は、
移動層全体の層厚の１０〜２０〔％〕にされるので、前
室内における粉体圧を小さくし、被処理ガスを移動層内
の全体に円滑に拡散させることができる。また、前室の
容積が移動層全体の容積に比べて小さくなるので、触媒
の摩耗が少なくなる。
【００４６】そして、前記中室の層厚は、移動層全体の
層厚の２０〜４５〔％〕にされるので、集塵効率を高く
することができる。
層厚の２０〜４５〔％〕にされるので、集塵効率を高く
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における排ガス処理
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図２】従来の排ガス処理装置の概略図である。
【図３】従来の排ガス処理装置の要部断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における移動速度の
分布図である。
分布図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における正常時の移
動層の圧力損失の分布図である。
動層の圧力損失の分布図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における異常時の移
動層の圧力損失の分布図である。
動層の圧力損失の分布図である。
【図７】活性炭の集塵特性を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態における中室内の活
性炭の移動速度と圧力損失との関係図である。
性炭の移動速度と圧力損失との関係図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態における後室内の活
性炭の移動速度とダスト濃度との関係図である。
性炭の移動速度とダスト濃度との関係図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態における排ガス処
理装置の断面図である。
理装置の断面図である。
３７ 入口ルーバ ３９ 出口ルーバ ４７ｃ、４８ｃ、４９ｃ 排出ローラ ６０ 移動層 ６１ 第１の多孔板 ６２ 第２の多孔板 ６４ 前室 ６５ 中室 ６６ 後室 ｄ１〜ｄ３ 層厚 ｖ１〜ｖ３ 移動速度
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）入口部材と、（ｂ）該入口部材と
の間に移動層を形成する出口部材と、（ｃ）前記入口部
材と出口部材との間に配設され、前記入口部材との間に
前室を形成する第１の多孔板と、（ｄ）前記入口部材と
出口部材との間に配設され、前記第１の多孔板との間に
中室を、前記出口部材との間に後室をそれぞれ形成する
第２の多孔板と、（ｅ）前記各前室、中室及び後室の下
端に配設され、前室内、中室内及び後室内における各触
媒の移動速度を設定するための定量切出し装置とを有す
るとともに、（ｆ）該各定量切出し装置によって、前室
における触媒の移動速度が中室における触媒の移動速度
より高く、中室における触媒の移動速度が後室における
触媒の移動速度より高くされることを特徴とする排ガス
処理装置。 - 【請求項２】 前記前室の層厚は移動層全体の層厚の１
０〜２０〔％〕にされ、前記中室の層厚は移動層全体の
層厚の２０〜４５〔％〕にされる請求項１に記載の排ガ
ス処理装置。
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