JPH1012534A - レジスト膜パターンの形成方法 - Google Patents
レジスト膜パターンの形成方法Info
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- JPH1012534A JPH1012534A JP8167759A JP16775996A JPH1012534A JP H1012534 A JPH1012534 A JP H1012534A JP 8167759 A JP8167759 A JP 8167759A JP 16775996 A JP16775996 A JP 16775996A JP H1012534 A JPH1012534 A JP H1012534A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反射防止膜の条件を特定して、好ましい形状の
遠紫外線用化学増幅系レジスト膜パターンを形成する。 【解決手段】レジスト膜と窒化シリコン膜１２１ｂとの
境界１５１ｂ近傍において、定在波１４５ｂの極大１４
６ｂがレジスト膜パターン１３３ｂ側になるように、窒
化シリコン膜１２１ｂの膜厚を設定する。
遠紫外線用化学増幅系レジスト膜パターンを形成する。 【解決手段】レジスト膜と窒化シリコン膜１２１ｂとの
境界１５１ｂ近傍において、定在波１４５ｂの極大１４
６ｂがレジスト膜パターン１３３ｂ側になるように、窒
化シリコン膜１２１ｂの膜厚を設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリソグラフィ工程に
おけるレジスト膜パターンの形成方法に関し、特に反射
防止膜を用いたときの遠紫外線用化学増幅系レジスト膜
からなるレジスト膜パターンの形成方法に関する。
おけるレジスト膜パターンの形成方法に関し、特に反射
防止膜を用いたときの遠紫外線用化学増幅系レジスト膜
からなるレジスト膜パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子製造におけるリソグラ
フィ工程では、シリコン基板上に設けられた酸化シリコ
ン膜，ＢＰＳＧ膜，窒化シリコン膜，多結晶シリコン
膜，各種シリサイド膜，アルミニウムおよびその合金な
どの金属膜等に代表される種々の被加工膜上にレジスト
膜を塗布形成し、露光し、現像する方法が用いられてい
る。これら被加工膜のうち、多結晶シリコン膜，シリサ
イド膜，アルミニウムおよびその合金などの金属膜等で
は、レジスト膜と被加工膜との界面での反射が大きく、
現像後のレジスト膜パターンの形状が反射の影響を受け
て大きく劣化する。露光時のこれら界面での反射率を低
減する目的で、レジスト膜と被加工膜との間に反射防止
膜を設ける各種の方法が提案されている。
フィ工程では、シリコン基板上に設けられた酸化シリコ
ン膜，ＢＰＳＧ膜，窒化シリコン膜，多結晶シリコン
膜，各種シリサイド膜，アルミニウムおよびその合金な
どの金属膜等に代表される種々の被加工膜上にレジスト
膜を塗布形成し、露光し、現像する方法が用いられてい
る。これら被加工膜のうち、多結晶シリコン膜，シリサ
イド膜，アルミニウムおよびその合金などの金属膜等で
は、レジスト膜と被加工膜との界面での反射が大きく、
現像後のレジスト膜パターンの形状が反射の影響を受け
て大きく劣化する。露光時のこれら界面での反射率を低
減する目的で、レジスト膜と被加工膜との間に反射防止
膜を設ける各種の方法が提案されている。
【０００３】レジスト膜パターンの形成方法を説明する
ための断面模式図である図９を参照すると、特開昭５９
−６５４０号公報に開示された方法（第１の従来例と記
す）は、次のとおりになっている。半導体基板２０１ａ
を覆う酸化膜２０２ａが形成され、酸化膜２０２ａの表
面上に被加工膜である膜厚０．２〜１μｍの金属膜２１
３が形成される。この金属膜２１３表面は、露光光に対
して半透明性の例えばプラズマ励起気相成長法（ＰＥＣ
ＶＤ）による窒化シリコン膜２２１ａからなる反射防止
膜により覆われる。窒化シリコン膜２２１ａの表面上に
レジスト膜２３１ａが塗布形成され、ホト・マスク２６
１を通過した入射光によりこのレジスト膜２３１ａが露
光される。このとき、窒化シリコン膜２２１ａは、反射
率が３０％以下になるように膜組成が調整されている。
ための断面模式図である図９を参照すると、特開昭５９
−６５４０号公報に開示された方法（第１の従来例と記
す）は、次のとおりになっている。半導体基板２０１ａ
を覆う酸化膜２０２ａが形成され、酸化膜２０２ａの表
面上に被加工膜である膜厚０．２〜１μｍの金属膜２１
３が形成される。この金属膜２１３表面は、露光光に対
して半透明性の例えばプラズマ励起気相成長法（ＰＥＣ
ＶＤ）による窒化シリコン膜２２１ａからなる反射防止
膜により覆われる。窒化シリコン膜２２１ａの表面上に
レジスト膜２３１ａが塗布形成され、ホト・マスク２６
１を通過した入射光によりこのレジスト膜２３１ａが露
光される。このとき、窒化シリコン膜２２１ａは、反射
率が３０％以下になるように膜組成が調整されている。
【０００４】レジスト膜パターンの形成方法を説明する
ための断面模式図である図１０を参照すると、特開昭６
２−４６５２９号公報に開示された方法（第２の従来例
と記す）は、次のとおりになっている。シリコン基板２
０１ｂの表面上に、酸化膜２０２ｂ，被加工膜である多
結晶シリコン膜２１４および反射防止膜である窒化シリ
コン膜２３１ｂが順次形成される。さらに窒化シリコン
膜２３１ｂの表面上にレジスト膜２３１ｂが塗布形成さ
れ，レジスト膜パターンが形成される。このとき、レジ
スト膜２３１ｂの屈折率（＝ｎ1 ），被加工膜である多
結晶シリコン膜２１４の屈折率（＝ｎ2 ）および反射防
止膜である窒化シリコン膜２３１ｂの屈折率（＝ｎ）が
ｎ1 〈ｎ〈ｎ2 の関係式を満足するように、条件設定が
なされれいる。
ための断面模式図である図１０を参照すると、特開昭６
２−４６５２９号公報に開示された方法（第２の従来例
と記す）は、次のとおりになっている。シリコン基板２
０１ｂの表面上に、酸化膜２０２ｂ，被加工膜である多
結晶シリコン膜２１４および反射防止膜である窒化シリ
コン膜２３１ｂが順次形成される。さらに窒化シリコン
膜２３１ｂの表面上にレジスト膜２３１ｂが塗布形成さ
れ，レジスト膜パターンが形成される。このとき、レジ
スト膜２３１ｂの屈折率（＝ｎ1 ），被加工膜である多
結晶シリコン膜２１４の屈折率（＝ｎ2 ）および反射防
止膜である窒化シリコン膜２３１ｂの屈折率（＝ｎ）が
ｎ1 〈ｎ〈ｎ2 の関係式を満足するように、条件設定が
なされれいる。
【０００５】レジスト膜パターンの形成方法を説明する
ための断面模式図である図１１を参照すると、特開平１
−２４１１２５号公報に開示された方法（第３の従来例
と記す）は、次のとおりになっている。シリコン基板２
０１ｃの表面にフィールド酸化膜２０３，ゲート酸化膜
２０４が形成され、これらフィールド酸化膜２０３，ゲ
ート酸化膜２０４の表面を覆う下地層２１５ｃがタング
ステン・シリサイド膜により形成される。さらに反射防
止膜２２２ｃが窒化シリコン膜により形成され、反射防
止膜２２２ｃ上にレジスト膜２３１ｃが塗布形成され
る。このとき、反射防止膜２２２ｃは最小の反射率（原
理的には反射率０％）になるように条件設定がなされ
る。
ための断面模式図である図１１を参照すると、特開平１
−２４１１２５号公報に開示された方法（第３の従来例
と記す）は、次のとおりになっている。シリコン基板２
０１ｃの表面にフィールド酸化膜２０３，ゲート酸化膜
２０４が形成され、これらフィールド酸化膜２０３，ゲ
ート酸化膜２０４の表面を覆う下地層２１５ｃがタング
ステン・シリサイド膜により形成される。さらに反射防
止膜２２２ｃが窒化シリコン膜により形成され、反射防
止膜２２２ｃ上にレジスト膜２３１ｃが塗布形成され
る。このとき、反射防止膜２２２ｃは最小の反射率（原
理的には反射率０％）になるように条件設定がなされ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記第１，第２および
第３の従来例は、いずれも露光波長４３６ｎｍ（ｇ線）
あるいは３６５ｎｍ（ｉ線）等に用いられるノボラック
系レジスト膜に係わる技術であり、ノボラック系レジス
ト膜は光退色性を示している。しかしながら、露光波長
が２４８ｎｍ，１９３ｎｍ等の遠紫外線露光（ＫｒＦエ
キシマ・レーザ露光，ＡｒＦエキシマ・レーザ露光等）
に用いられる化学増幅系レジスト膜は、ポシ型およびネ
ガ型いずれの場合にも、一般に光退色性を示さない。し
たがって、遠紫外線用化学増幅系レジスト膜によりレジ
スト膜パターンを形成するに際してレジスト膜と反射防
止膜との界面での反射率が低すぎると、露光し，現像し
た後のレジスト膜パターンの断面形状は、ポジ型の場合
にはテーパー状あるいは裾引き形状になりやすく、ネガ
型の場合には逆テーパー状あるいは食い込み形状になり
やすい。そのため、上記第２および第３の従来例に記載
されたように、反射率を単に小さくするのみでは断面形
状が良好な（側面が垂直形状になる）レジスト膜パター
ンは得られないという問題点がある。
第３の従来例は、いずれも露光波長４３６ｎｍ（ｇ線）
あるいは３６５ｎｍ（ｉ線）等に用いられるノボラック
系レジスト膜に係わる技術であり、ノボラック系レジス
ト膜は光退色性を示している。しかしながら、露光波長
が２４８ｎｍ，１９３ｎｍ等の遠紫外線露光（ＫｒＦエ
キシマ・レーザ露光，ＡｒＦエキシマ・レーザ露光等）
に用いられる化学増幅系レジスト膜は、ポシ型およびネ
ガ型いずれの場合にも、一般に光退色性を示さない。し
たがって、遠紫外線用化学増幅系レジスト膜によりレジ
スト膜パターンを形成するに際してレジスト膜と反射防
止膜との界面での反射率が低すぎると、露光し，現像し
た後のレジスト膜パターンの断面形状は、ポジ型の場合
にはテーパー状あるいは裾引き形状になりやすく、ネガ
型の場合には逆テーパー状あるいは食い込み形状になり
やすい。そのため、上記第２および第３の従来例に記載
されたように、反射率を単に小さくするのみでは断面形
状が良好な（側面が垂直形状になる）レジスト膜パター
ンは得られないという問題点がある。
【０００７】さらに上記第１，第２および第３の従来例
に記載された反射防止膜である窒化シリコン膜は露光光
に対して半透明性が有るため、露光時に定在波が発生す
る。定在波は積層膜（レジスト膜および反射防止膜）の
深さ方向に光強度の極大，極小を有している。ポジ型の
遠紫外線用化学増幅系レジスト膜のレジスト膜パターン
の断面模式図，平面模式図である図１２（ａ），（ｂ）
を参照して、定在波に関わる問題点の一例を説明する。
シリコン基板２０１ｄの表面上には絶縁膜２０２，下地
層２１５ｄ，窒化シリコン膜からなる反射防止膜２２２
ｄが形成される。さらに反射防止膜２２２ｄの表面上に
塗布形成されたポジ型の遠紫外線用化学増幅系のレジス
ト膜が露光，現像され、レジスト膜パターン２３３が形
成される。ここで、反射防止膜２２２ｄの膜厚が、レジ
スト膜と反射防止膜２２２ｄとの界面２５１近傍での定
在波の光強度の極大および極小がそれぞれ反射防止膜２
２２ｄ側およびレジスト膜側になるように設定されてい
るとき、レジスト膜パターン２３３の底面（レジスト膜
パターン２３３が直接に反射防止膜２２２ｄに接する
面）近傍は裾引き断面形状２３５を有することになり、
レジスト膜パターン２３３の底面の端部形状は直線状に
はならない。それ故、レジスト膜パターン２３３底面に
より規定されるパターン幅２３６は、一定の値にはなら
ずにゆらぎのある値になる。そのため、これらのレジス
ト膜パターン２３３をエッチング・マスクに用いて被加
工膜である下地層２１５ｄのパターニングを行なうと、
目的とする幅を有した下地層パターンが得られなくな
り、半導体装置の特性が劣化するという問題が生じる。
上記裾引き断面形状２３５が形成されるのは、露光光の
定在波の光強度に比例してレジスト膜内に発生する酸の
濃度が界面２５１近傍で低下するためである。これらの
ことから明らかなように、遠紫外線用化学増幅系レジス
ト膜においては、上記第１の従来例のように単純に反射
率を３０％以下に抑えても、良好な断面形状を有するレ
ジスト膜パターンは得られない。
に記載された反射防止膜である窒化シリコン膜は露光光
に対して半透明性が有るため、露光時に定在波が発生す
る。定在波は積層膜（レジスト膜および反射防止膜）の
深さ方向に光強度の極大，極小を有している。ポジ型の
遠紫外線用化学増幅系レジスト膜のレジスト膜パターン
の断面模式図，平面模式図である図１２（ａ），（ｂ）
を参照して、定在波に関わる問題点の一例を説明する。
シリコン基板２０１ｄの表面上には絶縁膜２０２，下地
層２１５ｄ，窒化シリコン膜からなる反射防止膜２２２
ｄが形成される。さらに反射防止膜２２２ｄの表面上に
塗布形成されたポジ型の遠紫外線用化学増幅系のレジス
ト膜が露光，現像され、レジスト膜パターン２３３が形
成される。ここで、反射防止膜２２２ｄの膜厚が、レジ
スト膜と反射防止膜２２２ｄとの界面２５１近傍での定
在波の光強度の極大および極小がそれぞれ反射防止膜２
２２ｄ側およびレジスト膜側になるように設定されてい
るとき、レジスト膜パターン２３３の底面（レジスト膜
パターン２３３が直接に反射防止膜２２２ｄに接する
面）近傍は裾引き断面形状２３５を有することになり、
レジスト膜パターン２３３の底面の端部形状は直線状に
はならない。それ故、レジスト膜パターン２３３底面に
より規定されるパターン幅２３６は、一定の値にはなら
ずにゆらぎのある値になる。そのため、これらのレジス
ト膜パターン２３３をエッチング・マスクに用いて被加
工膜である下地層２１５ｄのパターニングを行なうと、
目的とする幅を有した下地層パターンが得られなくな
り、半導体装置の特性が劣化するという問題が生じる。
上記裾引き断面形状２３５が形成されるのは、露光光の
定在波の光強度に比例してレジスト膜内に発生する酸の
濃度が界面２５１近傍で低下するためである。これらの
ことから明らかなように、遠紫外線用化学増幅系レジス
ト膜においては、上記第１の従来例のように単純に反射
率を３０％以下に抑えても、良好な断面形状を有するレ
ジスト膜パターンは得られない。
【０００８】したがって本発明のレジスト膜パターンの
形成方法の目的は、遠紫外線用化学増幅系レジスト膜か
らなるレジスト膜パターンの形成に際して、良好な断面
形状を有するレジスト膜パターンを形成しうる反射防止
膜の条件を提供することにある。さらに本発明の目的
は、良好な断面形状を有するレジスト膜パターンの形成
を可能にすることにより、半導体装置の特性の劣化を抑
制することにある。
形成方法の目的は、遠紫外線用化学増幅系レジスト膜か
らなるレジスト膜パターンの形成に際して、良好な断面
形状を有するレジスト膜パターンを形成しうる反射防止
膜の条件を提供することにある。さらに本発明の目的
は、良好な断面形状を有するレジスト膜パターンの形成
を可能にすることにより、半導体装置の特性の劣化を抑
制することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト膜パタ
ーンの形成方法の特徴は、半導体基板の表面上に設けら
れた被加工膜のエッチング・マスクを、遠紫外線用化学
増幅系レジスト膜からなるレジスト膜パターンにより形
成する方法において、上記被加工膜の表面を覆う反射防
止膜を形成し、この反射防止膜上に上記遠紫外線用化学
増幅系レジスト膜を塗布して露光する際に、露光時の入
射光に対するこの遠紫外線用化学増幅系レジスト膜とこ
の反射防止膜とからなる第１の界面での反射率が１０％
以上かつ２０％以下であることと、上記反射防止膜と上
記被加工膜とからなる第２の界面並びに上記第１の界面
からの反射光と上記入射光との干渉により発生する定在
波の光強度が、この第１の界面から上記遠紫外線用化学
増幅系レジスト膜上部へ向けて、極小から極大に変化す
る範囲になるように、この反射防止膜の膜厚を設定する
こととにある。
ーンの形成方法の特徴は、半導体基板の表面上に設けら
れた被加工膜のエッチング・マスクを、遠紫外線用化学
増幅系レジスト膜からなるレジスト膜パターンにより形
成する方法において、上記被加工膜の表面を覆う反射防
止膜を形成し、この反射防止膜上に上記遠紫外線用化学
増幅系レジスト膜を塗布して露光する際に、露光時の入
射光に対するこの遠紫外線用化学増幅系レジスト膜とこ
の反射防止膜とからなる第１の界面での反射率が１０％
以上かつ２０％以下であることと、上記反射防止膜と上
記被加工膜とからなる第２の界面並びに上記第１の界面
からの反射光と上記入射光との干渉により発生する定在
波の光強度が、この第１の界面から上記遠紫外線用化学
増幅系レジスト膜上部へ向けて、極小から極大に変化す
る範囲になるように、この反射防止膜の膜厚を設定する
こととにある。
【００１０】好ましくは、上記反射防止膜が窒化シリコ
ン膜，窒化酸化シリコン膜，炭化シリコン膜，水素添加
非晶質カーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）膜あるいは有機膜であ
る。
ン膜，窒化酸化シリコン膜，炭化シリコン膜，水素添加
非晶質カーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）膜あるいは有機膜であ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】まず、遠紫外線用化学増幅系のポ
ジ型のレジスト膜と反射防止膜との積層膜内に発生する
定在波の縦方向の光強度分布を示すグラフ並びにレジス
ト膜パターンを含んだ断面模式図である図１および図２
と、上記レジスト膜と反射防止膜との界面における反射
率に対するレジスト膜パターンの形状依存性を示す断面
模式図である図３とを参照して、本発明の構成並びに原
理について説明する。
ジ型のレジスト膜と反射防止膜との積層膜内に発生する
定在波の縦方向の光強度分布を示すグラフ並びにレジス
ト膜パターンを含んだ断面模式図である図１および図２
と、上記レジスト膜と反射防止膜との界面における反射
率に対するレジスト膜パターンの形状依存性を示す断面
模式図である図３とを参照して、本発明の構成並びに原
理について説明する。
【００１２】図１の構成は、以下のようになっている。
シリコン基板（図示せず）の表面は絶縁膜（図示せず）
に覆われ、絶縁膜の表面上には被加工膜であるタングス
テン・シリサイド膜１１１が形成され、タングステン・
シリサイド膜１１１の表面上には反射防止膜となる窒化
シリコン膜１２１ａが形成されている。この窒化シリコ
ン膜１２１ａの膜厚は、第１の膜厚範囲に設定されてい
る。タングステン・シリサイド膜１１１（下地をなす絶
縁膜）上面は平坦である。窒化シリコン膜１２１ａの表
面上に塗布形成された遠紫外線用化学増幅系のポジ型の
レジスト膜は、露光され，露光後現像前ベーク（Ｐｏｓ
ｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ−Ｂａｋｅ：ＰＥＢ）され，さら
に現像されて、レジスト膜パターン１３３ａが形成され
る。露光光による入射光は、レジスト膜と窒化シリコン
膜１２１ａとの（第１の）界面１５１ａおよび窒化シリ
コン膜１２１ａとタングステン・シリサイド膜１１１と
の（第２の）界面１５２ａでそれぞれ反射する。レジス
ト膜および窒化シリコン膜１２１ａからなる積層膜中に
は、上記入射光とこれらの反射光との干渉により、露光
光の定在波１４５ａが発生する。界面１５２ａ近傍での
定在波１４５ａの極大１４６ａ，極小１４７ａが、それ
ぞれ反射防止膜である窒化シリコン膜１２１ａ側，レジ
スト膜（レジスト膜パターン１３３ａ）側になるよう
に、第１の膜厚範囲が設定されている。
シリコン基板（図示せず）の表面は絶縁膜（図示せず）
に覆われ、絶縁膜の表面上には被加工膜であるタングス
テン・シリサイド膜１１１が形成され、タングステン・
シリサイド膜１１１の表面上には反射防止膜となる窒化
シリコン膜１２１ａが形成されている。この窒化シリコ
ン膜１２１ａの膜厚は、第１の膜厚範囲に設定されてい
る。タングステン・シリサイド膜１１１（下地をなす絶
縁膜）上面は平坦である。窒化シリコン膜１２１ａの表
面上に塗布形成された遠紫外線用化学増幅系のポジ型の
レジスト膜は、露光され，露光後現像前ベーク（Ｐｏｓ
ｔ−Ｅｘｐｏｓｕｒｅ−Ｂａｋｅ：ＰＥＢ）され，さら
に現像されて、レジスト膜パターン１３３ａが形成され
る。露光光による入射光は、レジスト膜と窒化シリコン
膜１２１ａとの（第１の）界面１５１ａおよび窒化シリ
コン膜１２１ａとタングステン・シリサイド膜１１１と
の（第２の）界面１５２ａでそれぞれ反射する。レジス
ト膜および窒化シリコン膜１２１ａからなる積層膜中に
は、上記入射光とこれらの反射光との干渉により、露光
光の定在波１４５ａが発生する。界面１５２ａ近傍での
定在波１４５ａの極大１４６ａ，極小１４７ａが、それ
ぞれ反射防止膜である窒化シリコン膜１２１ａ側，レジ
スト膜（レジスト膜パターン１３３ａ）側になるよう
に、第１の膜厚範囲が設定されている。
【００１３】図２の構成は、以下のようになっている。
シリコン基板の表面を覆う絶縁膜の表面上にはタングス
テン・シリサイド膜１１１が形成され、タングステン・
シリサイド膜１１１の表面上には窒化シリコン膜１２１
ｂが形成されている。この窒化シリコン膜１２１ｂの膜
厚は、第２の膜厚範囲に設定されている。窒化シリコン
膜１２１ｂの表面上に塗布形成された遠紫外線用化学増
幅系のポジ型のレジスト膜は、露光され，ＰＥＢされ，
さらに現像されて、レジスト膜パターン１３３ｂが形成
される。レジスト膜および窒化シリコン膜１２１ｂから
なる積層膜中には、上記入射光と界面１５１ｂおよび界
面１５２ｂからの反射光との干渉により、露光光の定在
波１４５ｂが発生する。界面１５２ｂ近傍での定在波１
４５ｂの極大１４６ｂ，極小１４７ｂが、それぞれレジ
スト膜（レジスト膜パターン１３３ｂ）側，反射防止膜
である窒化シリコン膜１２１ｂ側になるように、第２の
膜厚範囲が設定されている。
シリコン基板の表面を覆う絶縁膜の表面上にはタングス
テン・シリサイド膜１１１が形成され、タングステン・
シリサイド膜１１１の表面上には窒化シリコン膜１２１
ｂが形成されている。この窒化シリコン膜１２１ｂの膜
厚は、第２の膜厚範囲に設定されている。窒化シリコン
膜１２１ｂの表面上に塗布形成された遠紫外線用化学増
幅系のポジ型のレジスト膜は、露光され，ＰＥＢされ，
さらに現像されて、レジスト膜パターン１３３ｂが形成
される。レジスト膜および窒化シリコン膜１２１ｂから
なる積層膜中には、上記入射光と界面１５１ｂおよび界
面１５２ｂからの反射光との干渉により、露光光の定在
波１４５ｂが発生する。界面１５２ｂ近傍での定在波１
４５ｂの極大１４６ｂ，極小１４７ｂが、それぞれレジ
スト膜（レジスト膜パターン１３３ｂ）側，反射防止膜
である窒化シリコン膜１２１ｂ側になるように、第２の
膜厚範囲が設定されている。
【００１４】化学増幅系のレジスト膜では、露光により
酸が発生し、酸濃度は露光光の定在波の光強度に依存
し、ＰＥＢを行なうことにより酸触媒反応が生じる。ポ
ジ型のレジスト膜では、この酸触媒反応によりレジスト
膜が現像液に可溶になる。また、このＰＥＢの際に酸の
拡散も同時に起り、各位置でのレジスト膜中の酸触媒反
応量の濃度分布は多少緩和される。このため、反射防止
膜である窒化シリコン膜の膜厚が第１の膜厚範囲に設定
されているときには図１に示したようにレジスト膜パタ
ーン１３３ａの底面近傍の断面形状が裾引き断面形状１
３５となり、窒化シリコン膜の膜厚が第２の膜厚範囲に
設定されているときには図２に示したようにレジスト膜
パターン１３３ａは概ね垂直な側面を有することにな
る。
酸が発生し、酸濃度は露光光の定在波の光強度に依存
し、ＰＥＢを行なうことにより酸触媒反応が生じる。ポ
ジ型のレジスト膜では、この酸触媒反応によりレジスト
膜が現像液に可溶になる。また、このＰＥＢの際に酸の
拡散も同時に起り、各位置でのレジスト膜中の酸触媒反
応量の濃度分布は多少緩和される。このため、反射防止
膜である窒化シリコン膜の膜厚が第１の膜厚範囲に設定
されているときには図１に示したようにレジスト膜パタ
ーン１３３ａの底面近傍の断面形状が裾引き断面形状１
３５となり、窒化シリコン膜の膜厚が第２の膜厚範囲に
設定されているときには図２に示したようにレジスト膜
パターン１３３ａは概ね垂直な側面を有することにな
る。
【００１５】被加工膜（およびその下地）表面が平坦で
ない場合も含めると、第１の界面近傍において定在波の
光強度の極小が反射防止膜側（あるいは極大がレジスト
膜側）にあること（すなわち、反射防止膜の膜厚が上記
第２の膜厚範囲にあること）は、好ましい断面形状を有
したレジスト膜パターンを得るための必要条件にはな
る。この条件を満たしていても、被加工膜（およびその
下地）表面が平坦でないときには、第１の界面における
反射率が最適でないと、好ましくない断面形状を有した
レジスト膜パターンになる。図３に示す反射防止膜１２
２ａ〜１２２ｃの膜厚はいずれも第２の膜厚範囲にあ
る。例えばタンズステン・シリサイド膜１１２がゲート
電極を形成するための被加工膜である場合、被加工膜で
あるタングステン・シリサイド膜１１２の下地をなす
（シリコン基板１０１表面を覆う）絶縁膜１０３の上面
は平坦ではない傾斜部を有している。レジスト膜と反射
防止膜１２２ａ，１２２ｂおよび１２２ｃとの（第１
の）界面における反射率はそれぞれ５％，１５％および
３０％であり、特に傾斜部からの反射光１４４ａ，１４
４ｂあるいは１４４ｃの影響（ハレーション）を受けて
形成されるレジスト膜パターンはそれぞれレジスト膜パ
ターン１３４ａ，１３４ｂあるいは１３４ｃのようにな
る。
ない場合も含めると、第１の界面近傍において定在波の
光強度の極小が反射防止膜側（あるいは極大がレジスト
膜側）にあること（すなわち、反射防止膜の膜厚が上記
第２の膜厚範囲にあること）は、好ましい断面形状を有
したレジスト膜パターンを得るための必要条件にはな
る。この条件を満たしていても、被加工膜（およびその
下地）表面が平坦でないときには、第１の界面における
反射率が最適でないと、好ましくない断面形状を有した
レジスト膜パターンになる。図３に示す反射防止膜１２
２ａ〜１２２ｃの膜厚はいずれも第２の膜厚範囲にあ
る。例えばタンズステン・シリサイド膜１１２がゲート
電極を形成するための被加工膜である場合、被加工膜で
あるタングステン・シリサイド膜１１２の下地をなす
（シリコン基板１０１表面を覆う）絶縁膜１０３の上面
は平坦ではない傾斜部を有している。レジスト膜と反射
防止膜１２２ａ，１２２ｂおよび１２２ｃとの（第１
の）界面における反射率はそれぞれ５％，１５％および
３０％であり、特に傾斜部からの反射光１４４ａ，１４
４ｂあるいは１４４ｃの影響（ハレーション）を受けて
形成されるレジスト膜パターンはそれぞれレジスト膜パ
ターン１３４ａ，１３４ｂあるいは１３４ｃのようにな
る。
【００１６】反射率が１０％より低い場合には、傾斜部
からの反射光の影響は少ないが、レジスト膜パターンは
（裾引き断面形状は有さないものの）レジスト膜パター
ン１３４ａのようにテーパー状の側面を有することにな
り、このレジスト膜パターン１３４ａによりパターニン
グされたタングステン・シリサイド膜パターンは目的の
線幅より広めになる〔図３（ａ）〕。反射率が１０％以
上で２０％以下である場合には、レジスト膜パターン１
３４ｂのように概ね垂直な側面を有することになり、こ
のレジスト膜パターン１３４ｂによりパターニングされ
たタングステン・シリサイド膜パターンは概ね目標の線
幅になる〔図３（ｂ）〕。反射率が２０％より高い場合
には、傾斜部からの反射光の影響は大きく、レジスト膜
パターン１３４ｃのように覆むね垂直ではあるものの剔
れの在る側面を有することになり、このレジスト膜パタ
ーン１３４ｃによりパターニングされたタングステン・
シリサイド膜パターンは概ね目標の線幅になはなるもの
の線幅の狭い部分が局所的に形成されやすくなる〔図３
（ｃ）〕。
からの反射光の影響は少ないが、レジスト膜パターンは
（裾引き断面形状は有さないものの）レジスト膜パター
ン１３４ａのようにテーパー状の側面を有することにな
り、このレジスト膜パターン１３４ａによりパターニン
グされたタングステン・シリサイド膜パターンは目的の
線幅より広めになる〔図３（ａ）〕。反射率が１０％以
上で２０％以下である場合には、レジスト膜パターン１
３４ｂのように概ね垂直な側面を有することになり、こ
のレジスト膜パターン１３４ｂによりパターニングされ
たタングステン・シリサイド膜パターンは概ね目標の線
幅になる〔図３（ｂ）〕。反射率が２０％より高い場合
には、傾斜部からの反射光の影響は大きく、レジスト膜
パターン１３４ｃのように覆むね垂直ではあるものの剔
れの在る側面を有することになり、このレジスト膜パタ
ーン１３４ｃによりパターニングされたタングステン・
シリサイド膜パターンは概ね目標の線幅になはなるもの
の線幅の狭い部分が局所的に形成されやすくなる〔図３
（ｃ）〕。
【００１７】以上述べた結論として、遠紫外線用化学増
幅系のレジスト膜では、レジスト膜と反射防止膜との界
面における入射光の反射率を１０％以上で２０％以下に
なるように反射防止膜の膜厚を設定し、かつ、この際に
生じる定在波の光強度の上記界面近傍における極小が反
射防止膜側（あるいは極大がレジスト膜側）にあるよう
に設定するならば、好ましい断面形状を有したレジスト
膜パターンが形成される。
幅系のレジスト膜では、レジスト膜と反射防止膜との界
面における入射光の反射率を１０％以上で２０％以下に
なるように反射防止膜の膜厚を設定し、かつ、この際に
生じる定在波の光強度の上記界面近傍における極小が反
射防止膜側（あるいは極大がレジスト膜側）にあるよう
に設定するならば、好ましい断面形状を有したレジスト
膜パターンが形成される。
【００１８】次に、本発明の実施の形態について図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１９】露光時の断面模式図である図４と、本発明
者等のシミュレーションによる遠紫外線用化学増幅系の
レジスト膜と反射防止膜との界面における入射光の反射
率の反射防止膜膜厚依存性を示すグラフである図５と、
本発明者等のシミュレーションによるＰＥＢ後の溶解抑
止剤残存量のレジスト膜の深さ方向依存性を示すグラフ
である図６と、レジスト膜パターンの形成工程の断面模
式図である図７と、レジスト膜パターンをエッチング・
マスクにして得られた被加工膜パターンの平面模式図で
ある図８とを併せて参照して、発明明の一実施の形態は
以下のとおりになる。
者等のシミュレーションによる遠紫外線用化学増幅系の
レジスト膜と反射防止膜との界面における入射光の反射
率の反射防止膜膜厚依存性を示すグラフである図５と、
本発明者等のシミュレーションによるＰＥＢ後の溶解抑
止剤残存量のレジスト膜の深さ方向依存性を示すグラフ
である図６と、レジスト膜パターンの形成工程の断面模
式図である図７と、レジスト膜パターンをエッチング・
マスクにして得られた被加工膜パターンの平面模式図で
ある図８とを併せて参照して、発明明の一実施の形態は
以下のとおりになる。
【００２０】まず、シリコン基板１０１表面を覆う絶縁
膜１０２の表面上に、被加工膜として膜厚０．１μｍ程
度のタングステンシリサイド膜１１１がスパッタリング
により形成される。タングステン・シリサイド膜１１１
の複素屈折率ｎは、ｎ＝２．４０−３．１４ｉである。
次に、タングステン・シリコン膜１１１表面上には、反
射防止膜としてＰＥＣＶＤによる窒化シリコン膜１２１
が形成される。さらに、窒化シリコン膜１２１表面上に
は、膜厚０．７μｍ〜０．８μｍの遠紫外線用化学増幅
系のポジ型のレジスト膜１３１が塗布形成される。ここ
で、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ・レーザ露光を行
なう際に、レジスト膜１３１と窒化シリコン膜１２１と
の（第１の）界面での反射率が１０％〜２０％にするた
めの窒化シリコン膜１２１の成膜条件は、モノ・シラン
（ＳｉＨ4 ）／アンモニア（ＮＨ3 ）の混合ガス比＝２
０％，圧力４０Ｐａ，成膜温度３００℃，ＲＦパワー４
００Ｗである。このときの窒化シリコン膜１２１の複素
屈折率は２．５５−０．４０ｉである。また、レジスト
膜１３１の透過率は６０％〜７０％と高く、このレジス
ト膜１３１の複素屈折率は２．５５−０．０１８ｉであ
る〔図４〕。
膜１０２の表面上に、被加工膜として膜厚０．１μｍ程
度のタングステンシリサイド膜１１１がスパッタリング
により形成される。タングステン・シリサイド膜１１１
の複素屈折率ｎは、ｎ＝２．４０−３．１４ｉである。
次に、タングステン・シリコン膜１１１表面上には、反
射防止膜としてＰＥＣＶＤによる窒化シリコン膜１２１
が形成される。さらに、窒化シリコン膜１２１表面上に
は、膜厚０．７μｍ〜０．８μｍの遠紫外線用化学増幅
系のポジ型のレジスト膜１３１が塗布形成される。ここ
で、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ・レーザ露光を行
なう際に、レジスト膜１３１と窒化シリコン膜１２１と
の（第１の）界面での反射率が１０％〜２０％にするた
めの窒化シリコン膜１２１の成膜条件は、モノ・シラン
（ＳｉＨ4 ）／アンモニア（ＮＨ3 ）の混合ガス比＝２
０％，圧力４０Ｐａ，成膜温度３００℃，ＲＦパワー４
００Ｗである。このときの窒化シリコン膜１２１の複素
屈折率は２．５５−０．４０ｉである。また、レジスト
膜１３１の透過率は６０％〜７０％と高く、このレジス
ト膜１３１の複素屈折率は２．５５−０．０１８ｉであ
る〔図４〕。
【００２１】次に、ＫｒＦエキシマ・レーザ光により露
光を行なうと、入射光１４１はレジスト膜１３１と窒化
シリコン膜１２１との（第１の）界面１５１で多少反射
し、さらに入射光１４１は窒化シリコン膜１２１内を吸
収によって減衰しつつ進行し，窒化シリコン膜１２１と
タングステン・シリサイド膜１１１との（第２の）界面
１５２でほとんど反射する。界面１５１，１５２からの
反射光１４３はレジスト膜１３１内に再入射し、入射光
１４１と反射光１４３のと干渉により定在波が形成され
る。
光を行なうと、入射光１４１はレジスト膜１３１と窒化
シリコン膜１２１との（第１の）界面１５１で多少反射
し、さらに入射光１４１は窒化シリコン膜１２１内を吸
収によって減衰しつつ進行し，窒化シリコン膜１２１と
タングステン・シリサイド膜１１１との（第２の）界面
１５２でほとんど反射する。界面１５１，１５２からの
反射光１４３はレジスト膜１３１内に再入射し、入射光
１４１と反射光１４３のと干渉により定在波が形成され
る。
【００２２】この状況において界面１５１における反射
率のシミュレーション結果が図５である。反射率は窒化
シリコン膜１２１の膜厚に依存し、その膜厚の増大に伴
なって極小，極大を繰り返しながら次第に一定値に近ず
く。反射率が１０％〜２０％の範囲で、界面１５１近傍
で定在波の極大がレジスト膜１３１側になるには、窒化
シリコン膜１２１の膜厚は０．０３μｍ〜０．０４μｍ
の範囲が好ましいことになる。
率のシミュレーション結果が図５である。反射率は窒化
シリコン膜１２１の膜厚に依存し、その膜厚の増大に伴
なって極小，極大を繰り返しながら次第に一定値に近ず
く。反射率が１０％〜２０％の範囲で、界面１５１近傍
で定在波の極大がレジスト膜１３１側になるには、窒化
シリコン膜１２１の膜厚は０．０３μｍ〜０．０４μｍ
の範囲が好ましいことになる。
【００２３】ＰＥＢ後のレジスト膜１３１中の溶解抑止
剤残存量のレジスト膜１３１の深さ方向依存性について
考察しておく。溶解抑止剤残存量は酸触媒反応の起らな
かった相対値に対応し、この値が大きいほど現像されに
くい。界面１５１での反射率が極小（数％）となる窒化
シリコン膜の膜厚として０．０２μｍと、反射率が１５
％（極大）となる窒化シリコン膜１２１の膜厚として
０．０４μｍとを代表として選んだ。両者ともレジスト
膜１３１表面（図中の深さ０．０μｍ）では定在波の光
強度が高く溶解抑止剤残存量は低い。一方、界面１５１
近傍での溶解抑止剤残存量を比較すると、膜厚０．０２
μｍの窒化シリコン膜では光強度が極小になるため溶解
抑止剤残存量が高くなり、膜厚０．０４μｍの窒化シリ
コン膜１２１では逆に光強度が極大になるため溶解抑止
剤残存量が低くなる〔図６〕。したがって膜厚０．０２
μｍの窒化シリコン膜ではレジスト膜パターンの側面は
テーパー上になり、レジスト膜パターンの底面近傍にお
ける断面形状は裾引き断面形状になる。一方、窒化シリ
コン膜１２１の膜厚が上記条件を満たした本一実施の形
態では、レジスト膜パターン１３３の側面は概ね垂直に
なり，裾引き断面形状も発生しない〔図７（ａ）〕。
剤残存量のレジスト膜１３１の深さ方向依存性について
考察しておく。溶解抑止剤残存量は酸触媒反応の起らな
かった相対値に対応し、この値が大きいほど現像されに
くい。界面１５１での反射率が極小（数％）となる窒化
シリコン膜の膜厚として０．０２μｍと、反射率が１５
％（極大）となる窒化シリコン膜１２１の膜厚として
０．０４μｍとを代表として選んだ。両者ともレジスト
膜１３１表面（図中の深さ０．０μｍ）では定在波の光
強度が高く溶解抑止剤残存量は低い。一方、界面１５１
近傍での溶解抑止剤残存量を比較すると、膜厚０．０２
μｍの窒化シリコン膜では光強度が極小になるため溶解
抑止剤残存量が高くなり、膜厚０．０４μｍの窒化シリ
コン膜１２１では逆に光強度が極大になるため溶解抑止
剤残存量が低くなる〔図６〕。したがって膜厚０．０２
μｍの窒化シリコン膜ではレジスト膜パターンの側面は
テーパー上になり、レジスト膜パターンの底面近傍にお
ける断面形状は裾引き断面形状になる。一方、窒化シリ
コン膜１２１の膜厚が上記条件を満たした本一実施の形
態では、レジスト膜パターン１３３の側面は概ね垂直に
なり，裾引き断面形状も発生しない〔図７（ａ）〕。
【００２４】次に、上記レジスト膜パターン１３３をエ
ッチング・マスクにして、平行平板型あるいはマグネト
ロン型等のドライ・エッチング装置により、６弗化硫黄
（ＳＦ6 ）と塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガス，圧力２７Ｐ
ａ，ＲＦパワー４００Ｗの条件のもとに窒化シリコン膜
１２１のパターニングが行なわれ、窒化シリコン膜パタ
ーン１２３が残置形成される。さらに上記装置により、
トリ・フルオロ・メタン（ＣＨＦ3 ）とテトラ・フルオ
ロ・メタン（ＣＦ4 ）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガ
ス，圧力６７Ｐａ，ＲＦパワー８００Ｗの条件のもとに
タングステン・シリコン膜１１１のパターニングが行な
われ、タングステン・シリコン膜配線１１１ａが残置形
成される〔図７（ｂ）〕。
ッチング・マスクにして、平行平板型あるいはマグネト
ロン型等のドライ・エッチング装置により、６弗化硫黄
（ＳＦ6 ）と塩素（Ｃｌ2 ）との混合ガス，圧力２７Ｐ
ａ，ＲＦパワー４００Ｗの条件のもとに窒化シリコン膜
１２１のパターニングが行なわれ、窒化シリコン膜パタ
ーン１２３が残置形成される。さらに上記装置により、
トリ・フルオロ・メタン（ＣＨＦ3 ）とテトラ・フルオ
ロ・メタン（ＣＦ4 ）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガ
ス，圧力６７Ｐａ，ＲＦパワー８００Ｗの条件のもとに
タングステン・シリコン膜１１１のパターニングが行な
われ、タングステン・シリコン膜配線１１１ａが残置形
成される〔図７（ｂ）〕。
【００２５】続いて、レジスト膜パターン１３３が酸素
（Ｏ2 ）プラズマによるアッシングにより除去される
〔図７（ｃ）〕。さらに少なくとも絶縁膜１０２の上面
が酸化シリコン膜から構成されている場合、必要に応じ
て窒化シリコン膜パターン１２３が例えば熱燐酸による
ウェット・エッチングにより選択的に除去される。タン
グステン・シリサイド膜配線１１１ａの線幅１１６は従
来例と相違して寸法のばらつきはほとんどなく、高精度
のタングステン・シリサイド膜配線１１１ａが得られる
ことになり、配線幅等の被加工膜パターンのパターン幅
のゆらぎによる半導体特性の劣化は抑制される〔図
８〕。
（Ｏ2 ）プラズマによるアッシングにより除去される
〔図７（ｃ）〕。さらに少なくとも絶縁膜１０２の上面
が酸化シリコン膜から構成されている場合、必要に応じ
て窒化シリコン膜パターン１２３が例えば熱燐酸による
ウェット・エッチングにより選択的に除去される。タン
グステン・シリサイド膜配線１１１ａの線幅１１６は従
来例と相違して寸法のばらつきはほとんどなく、高精度
のタングステン・シリサイド膜配線１１１ａが得られる
ことになり、配線幅等の被加工膜パターンのパターン幅
のゆらぎによる半導体特性の劣化は抑制される〔図
８〕。
【００２６】上記一実施の形態では、被加工膜，反射防
止膜，遠紫外線用化学増幅系のレジスト膜および露光光
にタングステン・シリコン膜，ＰＥＣＶＤによる窒化シ
リコン膜，ポジ型のレジスト膜およびＫｒＦエキシマ・
レーザ光を採用したが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。例えば、反射防止膜としては窒化酸化シリ
コン膜，炭化シリコン膜，水素添加非晶質カーボン（ａ
−Ｃ：Ｈ）膜あるいは有機膜を採用してもよく、ネガ型
の遠紫外線用化学増幅系レジスト膜にも適用でき、露光
光としては波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマ・レーザ
光，ｉ線さらにはｇ線を用いてもよい。
止膜，遠紫外線用化学増幅系のレジスト膜および露光光
にタングステン・シリコン膜，ＰＥＣＶＤによる窒化シ
リコン膜，ポジ型のレジスト膜およびＫｒＦエキシマ・
レーザ光を採用したが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。例えば、反射防止膜としては窒化酸化シリ
コン膜，炭化シリコン膜，水素添加非晶質カーボン（ａ
−Ｃ：Ｈ）膜あるいは有機膜を採用してもよく、ネガ型
の遠紫外線用化学増幅系レジスト膜にも適用でき、露光
光としては波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマ・レーザ
光，ｉ線さらにはｇ線を用いてもよい。
【００２７】さらに上記一実施の形態では被加工膜が絶
縁膜を介してシリコン基板の表面上に設けられている
が、半導体基板としてはシリコン基板に限定されるもの
ではなく化合物半導体基板でもよく、被加工膜が半導体
基板の表面を直接に覆っていてもよい。
縁膜を介してシリコン基板の表面上に設けられている
が、半導体基板としてはシリコン基板に限定されるもの
ではなく化合物半導体基板でもよく、被加工膜が半導体
基板の表面を直接に覆っていてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレジスト膜
パターンの形成方法によれば、遠紫外線用化学増幅系の
レジスト膜からなるレジスト膜パターンの形成におい
て、レジスト膜と反射防止膜とからなる界面での反射率
が１０％以上かつ２０％以下であり、定在波の光強度が
界面からレジスト膜上部へ向けて極小から極大に変化す
る範囲になるように反射防止膜の膜厚を設定している。
パターンの形成方法によれば、遠紫外線用化学増幅系の
レジスト膜からなるレジスト膜パターンの形成におい
て、レジスト膜と反射防止膜とからなる界面での反射率
が１０％以上かつ２０％以下であり、定在波の光強度が
界面からレジスト膜上部へ向けて極小から極大に変化す
る範囲になるように反射防止膜の膜厚を設定している。
【００２９】これにより、良好な断面形状を有するレジ
スト膜パターンを形成し、さらに、このようなレジスト
膜パターンをエッチング・マスクに用いることにより被
加工膜のパターン幅の精度が向上して半導体装置の特性
の劣化を抑制することが容易になる。
スト膜パターンを形成し、さらに、このようなレジスト
膜パターンをエッチング・マスクに用いることにより被
加工膜のパターン幅の精度が向上して半導体装置の特性
の劣化を抑制することが容易になる。
【図１】本発明の構成，原理を説明するための図であ
り、遠紫外線用化学増幅系のポジ型のレジスト膜と反射
防止膜との積層膜内に発生する定在波の縦方向の光強度
分布を示すグラフ並びにレジスト膜パターンを含んだ断
面模式図である。
り、遠紫外線用化学増幅系のポジ型のレジスト膜と反射
防止膜との積層膜内に発生する定在波の縦方向の光強度
分布を示すグラフ並びにレジスト膜パターンを含んだ断
面模式図である。
【図２】本発明の構成，原理を説明するための図であ
り、遠紫外線用化学増幅系のポジ型のレジスト膜と反射
防止膜との積層膜内に発生する定在波の縦方向の光強度
分布を示すグラフ並びにレジスト膜パターンを含んだ断
面模式図である。
り、遠紫外線用化学増幅系のポジ型のレジスト膜と反射
防止膜との積層膜内に発生する定在波の縦方向の光強度
分布を示すグラフ並びにレジスト膜パターンを含んだ断
面模式図である。
【図３】本発明の構成，原理を説明するための図であ
り、上記レジスト膜と反射防止膜との界面における反射
率に対するレジスト膜パターンの形状依存性を示す断面
模式図である。
り、上記レジスト膜と反射防止膜との界面における反射
率に対するレジスト膜パターンの形状依存性を示す断面
模式図である。
【図４】本発明の一実施の形態を説明するための図であ
り、露光時の断面模式図である。
り、露光時の断面模式図である。
【図５】上記一実施の形態を説明するための図であり、
シミュレーションによる遠紫外線用化学増幅系のレジス
ト膜と反射防止膜との界面における入射光の反射率の反
射防止膜膜厚依存性を示すグラフである。
シミュレーションによる遠紫外線用化学増幅系のレジス
ト膜と反射防止膜との界面における入射光の反射率の反
射防止膜膜厚依存性を示すグラフである。
【図６】上記一実施の形態を説明するための図であり、
シミュレーションによるＰＥＢ後の溶解抑止剤残存量の
レジスト膜の深さ方向依存性を示すグラフである。
シミュレーションによるＰＥＢ後の溶解抑止剤残存量の
レジスト膜の深さ方向依存性を示すグラフである。
【図７】上記一実施の形態のレジスト膜パターンの形成
工程の断面模式図である。
工程の断面模式図である。
【図８】上記一実施の形態により得られた半導体装置の
平面模式図である。
平面模式図である。
【図９】第１の従来例を説明するための断面模式図であ
る。
る。
【図１０】第２の従来例を説明するための断面模式図で
ある。
ある。
【図１１】第３の従来例を説明するための断面模式図で
ある。
ある。
【図１２】上記第１，第２およば第３の従来例の問題点
を説明するための断面模式図および平面模式図である。
を説明するための断面模式図および平面模式図である。
１０１，２０１ｂ〜２０１ｄ シリコン基板 １０２，１０３，２０２ 絶縁膜 １１１，１１２ タングステン・シリサイド膜 １１１ａ タングステン・シリサイド膜配線 １１６ 配線幅 １２１．１２１ａ，１２１ｂ，２２１ａ，２２１ｂ
窒化シリコン膜 １２２ａ〜１２２ｃ，２２１ｃ，２２２ｄ 反射防止
膜 １２３ 窒化シリコン膜パターン １３１，２３１ａ〜２３１ｃ レジスト膜 １３３，１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ〜１３４ｃ，２
３３ レジスト膜パターン １３５，２３５ 裾引き断面形状 １４１，１４２，２４１ 入射光 １４３，１４４ａ〜１４４ｃ 反射光 １４５ａ，１４５ｂ 定在波 １４６ａ，１４６ｂ 極大 １４７ａ，１４７ｂ 極小 １５１，１５１ａ，１５１ｂ，１５２，１５２ａ，１５
２ｂ，２５１ 界面 ２０１ａ 半導体基板 ２０２ａ，２０２ｂ 酸化膜 ２０３ フィールド酸化膜 ２０４ ゲート酸化膜 ２１３ 金属膜 ２１４ 多結晶シリコン膜 ２１５ｃ，２１５ｄ 下地層 ２３６ パターン幅 ２６１ ホト・マスク
窒化シリコン膜 １２２ａ〜１２２ｃ，２２１ｃ，２２２ｄ 反射防止
膜 １２３ 窒化シリコン膜パターン １３１，２３１ａ〜２３１ｃ レジスト膜 １３３，１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ〜１３４ｃ，２
３３ レジスト膜パターン １３５，２３５ 裾引き断面形状 １４１，１４２，２４１ 入射光 １４３，１４４ａ〜１４４ｃ 反射光 １４５ａ，１４５ｂ 定在波 １４６ａ，１４６ｂ 極大 １４７ａ，１４７ｂ 極小 １５１，１５１ａ，１５１ｂ，１５２，１５２ａ，１５
２ｂ，２５１ 界面 ２０１ａ 半導体基板 ２０２ａ，２０２ｂ 酸化膜 ２０３ フィールド酸化膜 ２０４ ゲート酸化膜 ２１３ 金属膜 ２１４ 多結晶シリコン膜 ２１５ｃ，２１５ｄ 下地層 ２３６ パターン幅 ２６１ ホト・マスク
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面上に設けられた被加工
膜のエッチング・マスクを、遠紫外線用化学増幅系レジ
スト膜からなるレジスト膜パターンにより形成する方法
において、 前記被加工膜の表面を覆う反射防止膜を形成し、該反射
防止膜上に前記遠紫外線用化学増幅系レジスト膜を塗布
して露光する際に、露光時の入射光に対する該遠紫外線
用化学増幅系レジスト膜と該反射防止膜とからなる第１
の界面での反射率が１０％以上かつ２０％以下であるこ
とと、 前記反射防止膜と前記被加工膜とからなる第２の界面並
びに前記第１の界面からの反射光と前記入射光との干渉
により発生する定在波の光強度が、該第１の界面から前
記遠紫外線用化学増幅系レジスト膜上部へ向けて、極小
から極大に変化する範囲になるように、該反射防止膜の
膜厚を設定することとを併せて特徴とするレジスト膜パ
ターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記反射防止膜が、窒化シリコン膜，窒
化酸化シリコン膜，炭化シリコン膜，水素添加非晶質カ
ーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）膜あるいは有機膜であることを特
徴とする請求項１記載のレジスト膜パターンの形成方
法。
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