JPH10118665A - Ｎｈ４系ｃｍｐ廃液の処理方法 - Google Patents
Ｎｈ４系ｃｍｐ廃液の処理方法Info
- Publication number
- JPH10118665A JPH10118665A JP27271396A JP27271396A JPH10118665A JP H10118665 A JPH10118665 A JP H10118665A JP 27271396 A JP27271396 A JP 27271396A JP 27271396 A JP27271396 A JP 27271396A JP H10118665 A JPH10118665 A JP H10118665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soln
- treatment
- flocculation
- cmp
- waste liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アンモニア水溶液にＳｉＯ2微粒子が懸濁し
たＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）廃液を処
理するに際し、脱水性および剥離性に優れ、しかもろ布
の目詰りも起こしにくい大形のフロックを形成させる。 【解決手段】 半導体製造工程の研磨工程などから排出
されるＮＨ4系ＣＭＰ廃液を第１凝集槽１に導入し、カ
チオン系高分子凝集剤７を添加して攪拌機９により急速
攪拌して反応させ、第１の凝集処理を行う。第２凝集槽
２では無機系凝集剤１０を添加し、攪拌機１２により急
速攪拌して反応させ、第２の凝集処理を行う。フロック
形成槽３では攪拌機１３により緩速攪拌してフロックを
生長させ、大形のフロックを形成させる。沈殿槽４で固
液分離した分離液は処理水として系外に排出し、分離汚
泥は脱水装置５で脱水処理する。
たＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）廃液を処
理するに際し、脱水性および剥離性に優れ、しかもろ布
の目詰りも起こしにくい大形のフロックを形成させる。 【解決手段】 半導体製造工程の研磨工程などから排出
されるＮＨ4系ＣＭＰ廃液を第１凝集槽１に導入し、カ
チオン系高分子凝集剤７を添加して攪拌機９により急速
攪拌して反応させ、第１の凝集処理を行う。第２凝集槽
２では無機系凝集剤１０を添加し、攪拌機１２により急
速攪拌して反応させ、第２の凝集処理を行う。フロック
形成槽３では攪拌機１３により緩速攪拌してフロックを
生長させ、大形のフロックを形成させる。沈殿槽４で固
液分離した分離液は処理水として系外に排出し、分離汚
泥は脱水装置５で脱水処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程の
研磨工程などから排出されるＮＨ4系ＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing）廃液の処理方法に関する。
研磨工程などから排出されるＮＨ4系ＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing）廃液の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板またはその上に形成された皮
膜の研磨にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）
が行われている。例えば半導体ウエハはＣＭＰにより研
磨され、鏡面仕上が行われている。また半導体の高集積
化に伴って多層配線構造が採用されるようになっている
が、多層配線の高信頼性および高歩留を実現するには多
層配線用層間絶縁層の平坦化が重要であり、このため層
間絶縁層の研磨としてＣＭＰが行われている。
膜の研磨にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）
が行われている。例えば半導体ウエハはＣＭＰにより研
磨され、鏡面仕上が行われている。また半導体の高集積
化に伴って多層配線構造が採用されるようになっている
が、多層配線の高信頼性および高歩留を実現するには多
層配線用層間絶縁層の平坦化が重要であり、このため層
間絶縁層の研磨としてＣＭＰが行われている。
【０００３】ＣＭＰは化学研磨と機械研磨とを複合した
研磨であり、研磨剤としてアルカリ水溶液に砥粒を懸濁
させたＣＭＰ液が用いられている。従来このようなＣＭ
Ｐ液としては、ＫＯＨ水溶液にＳｉＯ2微粒子を懸濁さ
せた、いわゆるコロイダルシリカからなるＣＭＰ液（以
下、ＫＯＨ系ＣＭＰ液という場合がある）が用いられて
いる。
研磨であり、研磨剤としてアルカリ水溶液に砥粒を懸濁
させたＣＭＰ液が用いられている。従来このようなＣＭ
Ｐ液としては、ＫＯＨ水溶液にＳｉＯ2微粒子を懸濁さ
せた、いわゆるコロイダルシリカからなるＣＭＰ液（以
下、ＫＯＨ系ＣＭＰ液という場合がある）が用いられて
いる。
【０００４】半導体製造工程の研磨工程から排出される
ＣＭＰ廃液中には、砥粒として懸濁させたＳｉＯ2粒子
のほかに、ウエハや皮膜および研磨パッドが削られて生
成する研磨屑粒子などが含まれており、ＣＭＰ廃液の処
理では凝集沈殿によりこれらの粒子の除去が行われてい
る。具体的には、ＫＯＨ系ＣＭＰ液を用いる研磨工程か
ら排出される廃液（以下、ＫＯＨ系ＣＭＰ廃液という場
合がある）に、Ａｌ塩またはＦｅ塩などの無機系凝集剤
を添加して急速攪拌したのち、高分子凝集剤を添加して
緩速攪拌を行い、これによりＳｉＯ2等の懸濁粒子を凝
集させてフロックを形成し、これを沈降分離し、分離汚
泥は脱水機により脱水処理している。
ＣＭＰ廃液中には、砥粒として懸濁させたＳｉＯ2粒子
のほかに、ウエハや皮膜および研磨パッドが削られて生
成する研磨屑粒子などが含まれており、ＣＭＰ廃液の処
理では凝集沈殿によりこれらの粒子の除去が行われてい
る。具体的には、ＫＯＨ系ＣＭＰ液を用いる研磨工程か
ら排出される廃液（以下、ＫＯＨ系ＣＭＰ廃液という場
合がある）に、Ａｌ塩またはＦｅ塩などの無機系凝集剤
を添加して急速攪拌したのち、高分子凝集剤を添加して
緩速攪拌を行い、これによりＳｉＯ2等の懸濁粒子を凝
集させてフロックを形成し、これを沈降分離し、分離汚
泥は脱水機により脱水処理している。
【０００５】ところが最近は、ＣＭＰ液としてアンモニ
ア水溶液にＳｉＯ2微粒子を懸濁させたＣＭＰ液（以
下、ＮＨ4系ＣＭＰ液という場合がある）が使用される
ようになり、このようなＮＨ4系ＣＭＰ液を用いた研磨
工程から排出される廃液（以下、ＮＨ4系ＣＭＰ廃液と
いう場合がある）に従来のＫＯＨ系ＣＭＰ廃液の処理方
法をそのまま適用すると、フロックの脱水性が悪く、フ
ィルタープレスなどの脱水機により容易に脱水処理でき
ないという問題点がある。
ア水溶液にＳｉＯ2微粒子を懸濁させたＣＭＰ液（以
下、ＮＨ4系ＣＭＰ液という場合がある）が使用される
ようになり、このようなＮＨ4系ＣＭＰ液を用いた研磨
工程から排出される廃液（以下、ＮＨ4系ＣＭＰ廃液と
いう場合がある）に従来のＫＯＨ系ＣＭＰ廃液の処理方
法をそのまま適用すると、フロックの脱水性が悪く、フ
ィルタープレスなどの脱水機により容易に脱水処理でき
ないという問題点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来の問題点を解決するため、脱水性および剥離性に優
れ、しかもろ布の目詰りも起こしにくいフロックを形成
させることができるＮＨ 4系ＣＭＰ廃液の処理方法を提
案することである。
従来の問題点を解決するため、脱水性および剥離性に優
れ、しかもろ布の目詰りも起こしにくいフロックを形成
させることができるＮＨ 4系ＣＭＰ廃液の処理方法を提
案することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アンモニアを
含むＣＭＰ廃液にカチオン系高分子凝集剤を添加し攪拌
して第１の凝集処理を行った後、無機系凝集剤を添加し
攪拌して第２の凝集処理を行い、フロックを形成させる
ことを特徴とするＮＨ4系ＣＭＰ廃液の処理方法であ
る。
含むＣＭＰ廃液にカチオン系高分子凝集剤を添加し攪拌
して第１の凝集処理を行った後、無機系凝集剤を添加し
攪拌して第２の凝集処理を行い、フロックを形成させる
ことを特徴とするＮＨ4系ＣＭＰ廃液の処理方法であ
る。
【０００８】本発明で処理の対象となるＮＨ4系ＣＭＰ
廃液は、アンモニア水溶液にＳｉＯ2微粒子を懸濁させ
て研磨剤として用いるＣＭＰ液の廃液であり、具体的な
ものとしては、半導体製造工程の研磨工程やリンス工程
等から排出されるＣＭＰ廃液などがあげられる。
廃液は、アンモニア水溶液にＳｉＯ2微粒子を懸濁させ
て研磨剤として用いるＣＭＰ液の廃液であり、具体的な
ものとしては、半導体製造工程の研磨工程やリンス工程
等から排出されるＣＭＰ廃液などがあげられる。
【０００９】本発明で用いるカチオン系高分子凝集剤と
しては、従来から使用されているカチオン系高分子凝集
剤が使用でき、例えばアミノアルキル（メタ）アクリレ
ート４級塩（共）重合体、ポリアミノメチルアクリルア
ミドの塩もしくは４級塩、ポリアクリルアミドのマンニ
ッヒ変性物、キトサン、ポリビニルアミジンなどがあげ
られる。これらの中では、（メタ）アクリロイルオキシ
エチルトリメチルアンモニウムクロリドとアクリルアミ
ドとの共重合体などのアミノアルキル（メタ）アクリレ
ート４級塩（共）重合体が好ましい。カチオン系高分子
凝集剤は市販品を使用することもできる。
しては、従来から使用されているカチオン系高分子凝集
剤が使用でき、例えばアミノアルキル（メタ）アクリレ
ート４級塩（共）重合体、ポリアミノメチルアクリルア
ミドの塩もしくは４級塩、ポリアクリルアミドのマンニ
ッヒ変性物、キトサン、ポリビニルアミジンなどがあげ
られる。これらの中では、（メタ）アクリロイルオキシ
エチルトリメチルアンモニウムクロリドとアクリルアミ
ドとの共重合体などのアミノアルキル（メタ）アクリレ
ート４級塩（共）重合体が好ましい。カチオン系高分子
凝集剤は市販品を使用することもできる。
【００１０】カチオン系高分子凝集剤の添加量は原廃液
濃度により異なるが、通常は１０〜２００ｍｇ／ｌ、好
ましくは５０〜１５０ｍｇ／ｌ程度である。なお、カチ
オン系高分子凝集剤の代わりにノニオン系またはアニオ
ン系高分子凝集剤を用いた場合、フロックは形成される
が、このフロックの脱水性はカチオン系高分子凝集剤を
用いた場合に比べて劣っている。
濃度により異なるが、通常は１０〜２００ｍｇ／ｌ、好
ましくは５０〜１５０ｍｇ／ｌ程度である。なお、カチ
オン系高分子凝集剤の代わりにノニオン系またはアニオ
ン系高分子凝集剤を用いた場合、フロックは形成される
が、このフロックの脱水性はカチオン系高分子凝集剤を
用いた場合に比べて劣っている。
【００１１】本発明で用いる無機系凝集剤としては、従
来から使用されている無機系凝集剤が使用でき、例えば
ポリ塩化アルミニウム（ＰＡＣ）、硫酸バンド等のアル
ミニウム塩；硫酸第一鉄、硫酸第二鉄、塩化第二鉄等の
鉄塩；水酸化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化カル
シウム等のアルカリ土類金属塩などがあげられる。これ
らの中ではＮＨ4−Ｎと錯体を形成しにくいポリ塩化ア
ルミニウム、硫酸バンドなどが好ましい。無機系凝集剤
は市販品を使用することもできる。無機系凝集剤の添加
量は一般的に１００〜２００００ｍｇ／ｌ、好ましくは
１５００〜１００００ｍｇ／ｌである。
来から使用されている無機系凝集剤が使用でき、例えば
ポリ塩化アルミニウム（ＰＡＣ）、硫酸バンド等のアル
ミニウム塩；硫酸第一鉄、硫酸第二鉄、塩化第二鉄等の
鉄塩；水酸化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化カル
シウム等のアルカリ土類金属塩などがあげられる。これ
らの中ではＮＨ4−Ｎと錯体を形成しにくいポリ塩化ア
ルミニウム、硫酸バンドなどが好ましい。無機系凝集剤
は市販品を使用することもできる。無機系凝集剤の添加
量は一般的に１００〜２００００ｍｇ／ｌ、好ましくは
１５００〜１００００ｍｇ／ｌである。
【００１２】本発明では、まずＮＨ4系ＣＭＰ廃液に前
記カチオン系高分子凝集剤を添加し、攪拌して第１の凝
集処理を行う。この場合、廃液のｐＨは添加するカチオ
ン系高分子凝集剤に適したｐＨとなるようにｐＨ調整す
るのが好ましい。例えば、カチオン系高分子凝集剤とし
て（メタ）アクリロイルオキシエチルトリメチルアンモ
ニウムクロリドとアクリルアミドとの共重合体を使用す
る場合は、ｐＨ６．５〜７．５、好ましくは６．８〜
７．０に調整するのが望ましい。またカチオン系高分子
凝集剤の添加後は、５〜１５分間急速攪拌を行い反応さ
せるのが好ましい。急速攪拌は攪拌手段の形状や大きさ
等によっても異なるが、通常は１００〜４００ｒｐｍ程
度で行うのが好ましい。このように第１の凝集処理を行
うことにより、ＣＭＰ廃液中に懸濁しているＳｉＯ2微
粒子およびその他の粒子が凝集してフロックが形成され
る。第１の凝集処理は連続式でもバッチ式でも行うこと
ができる。連続式で行う場合、上記攪拌時間は攪拌処理
における平均滞留時間である。第１の凝集処理におい
て、急速攪拌して続いて緩速攪拌を行ってもよいが、通
常は必要でない。
記カチオン系高分子凝集剤を添加し、攪拌して第１の凝
集処理を行う。この場合、廃液のｐＨは添加するカチオ
ン系高分子凝集剤に適したｐＨとなるようにｐＨ調整す
るのが好ましい。例えば、カチオン系高分子凝集剤とし
て（メタ）アクリロイルオキシエチルトリメチルアンモ
ニウムクロリドとアクリルアミドとの共重合体を使用す
る場合は、ｐＨ６．５〜７．５、好ましくは６．８〜
７．０に調整するのが望ましい。またカチオン系高分子
凝集剤の添加後は、５〜１５分間急速攪拌を行い反応さ
せるのが好ましい。急速攪拌は攪拌手段の形状や大きさ
等によっても異なるが、通常は１００〜４００ｒｐｍ程
度で行うのが好ましい。このように第１の凝集処理を行
うことにより、ＣＭＰ廃液中に懸濁しているＳｉＯ2微
粒子およびその他の粒子が凝集してフロックが形成され
る。第１の凝集処理は連続式でもバッチ式でも行うこと
ができる。連続式で行う場合、上記攪拌時間は攪拌処理
における平均滞留時間である。第１の凝集処理におい
て、急速攪拌して続いて緩速攪拌を行ってもよいが、通
常は必要でない。
【００１３】次に第１の凝集処理液に前記無機系凝集剤
を添加し、攪拌して第２の凝集処理を行い、フロックを
形成させる。この場合、廃液のｐＨは添加する無機系凝
集剤に適したｐＨとなるようにｐＨ調整するのが好まし
い。例えば、無機系凝集剤としてポリ塩化アルミニウム
を使用する場合は、ｐＨ６〜８、好ましくは６．５〜７
に調整するのが望ましい。また無機系凝集剤の添加後
は、５〜１５分間急速攪拌を行って反応させ、次に５〜
３０分間緩速攪拌を行ってフロックを生長させるのが望
ましい。上記急速攪拌は攪拌手段の形状や大きさ等によ
っても異なるが、通常は１００〜４００ｒｐｍ程度、緩
速攪拌も攪拌手段の形状や大きさ等によっても異なる
が、通常は１０〜１００ｒｐｍ程度で行うのが好まし
い。
を添加し、攪拌して第２の凝集処理を行い、フロックを
形成させる。この場合、廃液のｐＨは添加する無機系凝
集剤に適したｐＨとなるようにｐＨ調整するのが好まし
い。例えば、無機系凝集剤としてポリ塩化アルミニウム
を使用する場合は、ｐＨ６〜８、好ましくは６．５〜７
に調整するのが望ましい。また無機系凝集剤の添加後
は、５〜１５分間急速攪拌を行って反応させ、次に５〜
３０分間緩速攪拌を行ってフロックを生長させるのが望
ましい。上記急速攪拌は攪拌手段の形状や大きさ等によ
っても異なるが、通常は１００〜４００ｒｐｍ程度、緩
速攪拌も攪拌手段の形状や大きさ等によっても異なる
が、通常は１０〜１００ｒｐｍ程度で行うのが好まし
い。
【００１４】第２の凝集処理も連続的でもバッチ式でも
行うことができる。連続時で行う場合、上記攪拌時間は
攪拌処理における平均滞留時間である。なおバッチ式で
行う場合、急速攪拌および緩速攪拌は同一の凝集槽で行
うことができるが、連続式で行う場合は別々の槽で行う
のが好ましい。
行うことができる。連続時で行う場合、上記攪拌時間は
攪拌処理における平均滞留時間である。なおバッチ式で
行う場合、急速攪拌および緩速攪拌は同一の凝集槽で行
うことができるが、連続式で行う場合は別々の槽で行う
のが好ましい。
【００１５】このように第１の凝集処理を行ったのち第
２の凝集処理を行ってフロックを生長させることによ
り、第１の凝集処理で生成した難脱水性の微細なフロッ
クが無機系凝集剤の水酸化物のフロックに抱き込まれて
大形のフロックに生長し、これにより脱水性、剥離性に
優れ、しかもろ布の目詰りも起こしにくいフロックが形
成される。
２の凝集処理を行ってフロックを生長させることによ
り、第１の凝集処理で生成した難脱水性の微細なフロッ
クが無機系凝集剤の水酸化物のフロックに抱き込まれて
大形のフロックに生長し、これにより脱水性、剥離性に
優れ、しかもろ布の目詰りも起こしにくいフロックが形
成される。
【００１６】第２の凝集処理を行い、フロックを生長さ
せた凝集処理液は、通常沈降分離、濾過分離等により固
液分離され、分離液は処理水として系外に排出され、分
離汚泥は脱水処理されて脱水ケーキとされる。本発明の
方法により形成されるフロックは前記のように脱水性な
どに優れているため、フィルタープレスなどの公知の脱
水機により容易に脱水することができ、含水率の低い、
通常４０〜５０％の含水率の脱水ケーキが得られる。ま
た脱水ケーキの粘着性は低く、ろ布から簡単に剥離す
る。またろ布の目詰りが起こりにくいほか、ろ液（透過
液）側へのＳｉＯ 2粒子の再拡散もほとんど起こらな
い。
せた凝集処理液は、通常沈降分離、濾過分離等により固
液分離され、分離液は処理水として系外に排出され、分
離汚泥は脱水処理されて脱水ケーキとされる。本発明の
方法により形成されるフロックは前記のように脱水性な
どに優れているため、フィルタープレスなどの公知の脱
水機により容易に脱水することができ、含水率の低い、
通常４０〜５０％の含水率の脱水ケーキが得られる。ま
た脱水ケーキの粘着性は低く、ろ布から簡単に剥離す
る。またろ布の目詰りが起こりにくいほか、ろ液（透過
液）側へのＳｉＯ 2粒子の再拡散もほとんど起こらな
い。
【００１７】本発明の方法は濃厚ＣＭＰ廃液を希釈する
ことなく、直接処理することができ、このため装置が小
型でよいほか、従来用いられているＫＯＨ系ＣＭＰ廃液
処理装置をそのまま使用することもできる。さらに凝集
効率がよいため、凝集剤の添加量は少なくてよく、この
ためスラッジの発生量は少なくなる。
ことなく、直接処理することができ、このため装置が小
型でよいほか、従来用いられているＫＯＨ系ＣＭＰ廃液
処理装置をそのまま使用することもできる。さらに凝集
効率がよいため、凝集剤の添加量は少なくてよく、この
ためスラッジの発生量は少なくなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例を図面により
説明する。図１は本発明の処理方法を連続式で実施する
廃液処理装置の系統図であり、１は第１凝集槽、２は第
２凝集槽、３はフロック形成槽、４は沈殿槽、５は脱水
装置である。
説明する。図１は本発明の処理方法を連続式で実施する
廃液処理装置の系統図であり、１は第１凝集槽、２は第
２凝集槽、３はフロック形成槽、４は沈殿槽、５は脱水
装置である。
【００１９】図１の装置で廃液を処理するには、ＮＨ4
系ＣＭＰ廃液６を第１凝集槽１に連続的に導入し、カチ
オン系高分子凝集剤７およびｐＨ調整剤８を添加して攪
拌機９により急速攪拌して反応させ、第１の凝集処理を
行う。第１凝集槽１の槽内液は第２凝集槽２に連続的に
導入し、無機系凝集剤１０およびｐＨ調整剤１１を添加
して攪拌機１２により急速攪拌して反応させ、第２の凝
集処理を行う。第２凝集槽２の槽内液はフロック形成槽
３に連続的に導入し、攪拌機１３により緩速攪拌を行
い、フロックを生長させて、さらに大形のフロックを形
成する。
系ＣＭＰ廃液６を第１凝集槽１に連続的に導入し、カチ
オン系高分子凝集剤７およびｐＨ調整剤８を添加して攪
拌機９により急速攪拌して反応させ、第１の凝集処理を
行う。第１凝集槽１の槽内液は第２凝集槽２に連続的に
導入し、無機系凝集剤１０およびｐＨ調整剤１１を添加
して攪拌機１２により急速攪拌して反応させ、第２の凝
集処理を行う。第２凝集槽２の槽内液はフロック形成槽
３に連続的に導入し、攪拌機１３により緩速攪拌を行
い、フロックを生長させて、さらに大形のフロックを形
成する。
【００２０】フロック形成槽３の槽内液は沈殿槽４に連
続的に導入し、沈降分離により固液分離する。分離液は
処理水１４として系外に排出し、分離汚泥は脱水装置５
に送る。脱水装置５としては、フィルタープレス、ベル
トフィルターなどが用いられ、これによりフロックを機
械的に脱水する。脱水した脱水ケーキ１５は系外に排出
し、ろ液は第２凝集槽２に循環する。脱水装置５におい
ては、フロックは脱水性および剥離性に優れているの
で、容易に脱水することができ、脱水後の脱水ケーキ１
５もろ布から簡単に剥離することができる。またろ布の
目詰りも起こりにくく、繰返し脱水することができる。
続的に導入し、沈降分離により固液分離する。分離液は
処理水１４として系外に排出し、分離汚泥は脱水装置５
に送る。脱水装置５としては、フィルタープレス、ベル
トフィルターなどが用いられ、これによりフロックを機
械的に脱水する。脱水した脱水ケーキ１５は系外に排出
し、ろ液は第２凝集槽２に循環する。脱水装置５におい
ては、フロックは脱水性および剥離性に優れているの
で、容易に脱水することができ、脱水後の脱水ケーキ１
５もろ布から簡単に剥離することができる。またろ布の
目詰りも起こりにくく、繰返し脱水することができる。
【００２１】図２は本発明の処理方法をバッチ式で実施
する廃液処理装置の系統図である。図２の装置で廃液を
処理するには、ＮＨ4系ＣＭＰ廃液６を第１凝集槽１に
導入し、カチオン系高分子凝集剤７およびｐＨ調整剤８
を添加して攪拌機９により急速攪拌して反応させ、第１
の凝集処理を行う。次に第１凝集槽１の槽内液を第２凝
集槽２に導入し、無機系凝集剤１０およびｐＨ調整剤１
１を添加して攪拌機１２により急速攪拌して反応させ、
第２の凝集処理を行う。その後攪拌機１２により緩速攪
拌を行ってフロックを生長させ、さらに大形のフロック
を形成する。次に第２凝集槽２の槽内液を沈殿槽４に導
入し、沈降分離により固液分離する。他の処理は図１と
同様である。
する廃液処理装置の系統図である。図２の装置で廃液を
処理するには、ＮＨ4系ＣＭＰ廃液６を第１凝集槽１に
導入し、カチオン系高分子凝集剤７およびｐＨ調整剤８
を添加して攪拌機９により急速攪拌して反応させ、第１
の凝集処理を行う。次に第１凝集槽１の槽内液を第２凝
集槽２に導入し、無機系凝集剤１０およびｐＨ調整剤１
１を添加して攪拌機１２により急速攪拌して反応させ、
第２の凝集処理を行う。その後攪拌機１２により緩速攪
拌を行ってフロックを生長させ、さらに大形のフロック
を形成する。次に第２凝集槽２の槽内液を沈殿槽４に導
入し、沈降分離により固液分離する。他の処理は図１と
同様である。
【００２２】図１、図２においては、脱水により生じる
ろ液を第２凝集槽２に循環しているが、ろ液へのＳｉＯ
2微粒子の再拡散はほとんど起こらないので、ろ液はそ
のまま系外へ排出することもできる。また循環する場合
は、第１凝集槽１に循環することもできる。なお図１お
よび図２の廃液処理装置としては、従来ＫＯＨ系ＣＭＰ
廃液の処理装置として用いられていた装置を、凝集剤の
添加順序を図１および図２のように変更するだけでその
まま使用することができる。
ろ液を第２凝集槽２に循環しているが、ろ液へのＳｉＯ
2微粒子の再拡散はほとんど起こらないので、ろ液はそ
のまま系外へ排出することもできる。また循環する場合
は、第１凝集槽１に循環することもできる。なお図１お
よび図２の廃液処理装置としては、従来ＫＯＨ系ＣＭＰ
廃液の処理装置として用いられていた装置を、凝集剤の
添加順序を図１および図２のように変更するだけでその
まま使用することができる。
【００２３】
実施例１〜２ 表１に示す人工ＮＨ4系ＣＭＰ廃液の処理を行った。な
おＳＳ成分は０．２μｍ以下のＳｉＯ2粒子である。
おＳＳ成分は０．２μｍ以下のＳｉＯ2粒子である。
【表１】
【００２４】表１に示す廃液を５００ｍｌビーカーに採
り、攪拌しながら表２に示すカチオン系高分子凝集剤を
添加し、長さ６５ｍｍ、幅２５ｍｍの攪拌羽根を約２０
０ｒｐｍで回転させ、５分間急速攪拌した。次にポリ塩
化アルミニウム（ＰＡＣ）を表２に示す量で添加し、上
記と同様の急速攪拌、次いで５０ｒｐｍで１０分間緩速
攪拌した。その後静置し、上澄液は処理水とし、沈殿フ
ロックは脱水処理した。脱水処理は、フロックを約０．
１ｍｍの粗め和紙上に載せ、手で絞る方法を繰返した。
脱水性、剥離性、目詰りの具合などの結果を表２に示
す。
り、攪拌しながら表２に示すカチオン系高分子凝集剤を
添加し、長さ６５ｍｍ、幅２５ｍｍの攪拌羽根を約２０
０ｒｐｍで回転させ、５分間急速攪拌した。次にポリ塩
化アルミニウム（ＰＡＣ）を表２に示す量で添加し、上
記と同様の急速攪拌、次いで５０ｒｐｍで１０分間緩速
攪拌した。その後静置し、上澄液は処理水とし、沈殿フ
ロックは脱水処理した。脱水処理は、フロックを約０．
１ｍｍの粗め和紙上に載せ、手で絞る方法を繰返した。
脱水性、剥離性、目詰りの具合などの結果を表２に示
す。
【００２５】比較例１ ＰＡＣを添加しないで緩速攪拌を行った以外は実施例１
と同様に行った。結果を表２に示す。
と同様に行った。結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２の注 ポリマー：（メタ）アクリロイルオキシエチルトリメチ
ルアンモニウムクロリドとアクリルアミドとの共重合体
（カチオン系高分子凝集剤） ＰＡＣ：ポリ塩化アルミニウム 凝集状態：次の基準で評価した。 良好；ＳＳが５０ｍｇ／ｌ以下 不十分；ＳＳが５０ｍｇ／ｌを超える 脱水性：次の基準で評価した。 ○；ろ布で容易に水を絞ることができ、ろ液が透明な場
合 △；ろ布で容易に水を絞ることができるが、ろ液が白く
濁る場合 ×；汚泥が流出する場合 剥離性：次の基準で評価した。 ○；ろ布から簡単に脱水ケーキが剥離する △；ろ布面にケーキが付着している ×；ケーキを形成しないで流動性がある 目詰り：次の基準で評価した。 ○；６〜７回繰返し脱水試験してもろ布が目詰りしない △；３〜４回繰返し脱水試験するとろ布の目詰りが多く
なる ×；１回目の脱水試験でろ布が目詰まりする
ルアンモニウムクロリドとアクリルアミドとの共重合体
（カチオン系高分子凝集剤） ＰＡＣ：ポリ塩化アルミニウム 凝集状態：次の基準で評価した。 良好；ＳＳが５０ｍｇ／ｌ以下 不十分；ＳＳが５０ｍｇ／ｌを超える 脱水性：次の基準で評価した。 ○；ろ布で容易に水を絞ることができ、ろ液が透明な場
合 △；ろ布で容易に水を絞ることができるが、ろ液が白く
濁る場合 ×；汚泥が流出する場合 剥離性：次の基準で評価した。 ○；ろ布から簡単に脱水ケーキが剥離する △；ろ布面にケーキが付着している ×；ケーキを形成しないで流動性がある 目詰り：次の基準で評価した。 ○；６〜７回繰返し脱水試験してもろ布が目詰りしない △；３〜４回繰返し脱水試験するとろ布の目詰りが多く
なる ×；１回目の脱水試験でろ布が目詰まりする
【００２８】表２の結果から、ポリマーの添加だけで凝
集は起こる（比較例１）が、このフロックの脱水性、剥
離性は悪く、目詰りも起こることがわかる。しかしＰＡ
Ｃをその後添加することにより、脱水性、剥離性に優
れ、目詰りを起こさないフロックを形成させることがで
きることがわかる（実施例１、２）。
集は起こる（比較例１）が、このフロックの脱水性、剥
離性は悪く、目詰りも起こることがわかる。しかしＰＡ
Ｃをその後添加することにより、脱水性、剥離性に優
れ、目詰りを起こさないフロックを形成させることがで
きることがわかる（実施例１、２）。
【００２９】比較例２ 凝集剤の添加順序を逆にして、実施例１と同様にして行
った。すなわち、まずＰＡＣを５０００ｍｇ／ｌ添加し
て５分間急速攪拌した後、ポリマーを１５０ｍｇ／ｌ添
加して５分間急速攪拌、および１０分間緩速攪拌した。
その結果、上澄液のＳＳ濃度は１５ｍｇ／ｌ、ＳＳ除去
率は９９．９％で、凝集は十分であった。しかし、表２
と同様な基準で評価した脱水性は△、剥離性は×、目詰
りは×であった。
った。すなわち、まずＰＡＣを５０００ｍｇ／ｌ添加し
て５分間急速攪拌した後、ポリマーを１５０ｍｇ／ｌ添
加して５分間急速攪拌、および１０分間緩速攪拌した。
その結果、上澄液のＳＳ濃度は１５ｍｇ／ｌ、ＳＳ除去
率は９９．９％で、凝集は十分であった。しかし、表２
と同様な基準で評価した脱水性は△、剥離性は×、目詰
りは×であった。
【００３０】比較例２の結果から、凝集剤の添加順序を
逆にした場合は、フロックの形成は十分であるが、形成
されたフロックの脱水性、剥離性、目詰まりは悪いこと
がわかる。
逆にした場合は、フロックの形成は十分であるが、形成
されたフロックの脱水性、剥離性、目詰まりは悪いこと
がわかる。
【００３１】比較例３〜５ 表１に示す廃液を２倍に希釈し、ポリマーのみ添加して
凝集処理を行った。結果を表３に示す。
凝集処理を行った。結果を表３に示す。
【表３】
【００３２】表３の注 ポリマー：表２参照 ＳＶ：凝集後のスラッジの体積割合 凝集状態：表２参照
【００３３】比較例６ 従来のＫＯＨ系ＣＭＰ廃液の処理方法と同様に、表１に
示す廃液にＰＡＣを８０００〜１６０００ｍｇ／ｌ添加
した後、アニオン系高分子凝集剤を２０〜８０ｍｇ／ｌ
添加して凝集処理した。いずれの添加量においてもフロ
ックは形成されるが、フロックの脱水はできなかった。
このことから、従来の処理方法はＮＨ4系ＣＭＰ廃液処
理に適用できないことがわかる。
示す廃液にＰＡＣを８０００〜１６０００ｍｇ／ｌ添加
した後、アニオン系高分子凝集剤を２０〜８０ｍｇ／ｌ
添加して凝集処理した。いずれの添加量においてもフロ
ックは形成されるが、フロックの脱水はできなかった。
このことから、従来の処理方法はＮＨ4系ＣＭＰ廃液処
理に適用できないことがわかる。
【００３４】
【発明の効果】本発明のＮＨ4系ＣＭＰ廃液の処理方法
は、カチオン系高分子凝集剤を添加して第１の凝集処理
を行った後、無機系凝集剤を添加して第２の凝集処理を
行い、フロックを形成させるようにしているので、脱水
性および剥離性に優れ、しかもろ布の目詰りも起こしに
くい大形のフロック形成させることができる。また濃厚
廃液を直接処理することができるので、装置は小型でよ
いほか、凝集剤の添加順序を変更するだけで現状の廃液
処理装置が使用できる。またスラッジの発生量が少な
い。さらに凝集分離したフロックを脱水処理する際、ろ
液側へのＳｉＯ2粒子の再拡散がほとんど起こらない。
は、カチオン系高分子凝集剤を添加して第１の凝集処理
を行った後、無機系凝集剤を添加して第２の凝集処理を
行い、フロックを形成させるようにしているので、脱水
性および剥離性に優れ、しかもろ布の目詰りも起こしに
くい大形のフロック形成させることができる。また濃厚
廃液を直接処理することができるので、装置は小型でよ
いほか、凝集剤の添加順序を変更するだけで現状の廃液
処理装置が使用できる。またスラッジの発生量が少な
い。さらに凝集分離したフロックを脱水処理する際、ろ
液側へのＳｉＯ2粒子の再拡散がほとんど起こらない。
【図１】実施例の連続式ＮＨ4系ＣＭＰ廃液処理装置の
系統図である。
系統図である。
【図２】実施例のバッチ式ＮＨ4系ＣＭＰ廃液処理装置
の系統図である。
の系統図である。
１ 第１凝集槽 ２ 第２凝集槽 ３ フロック形成槽 ４ 沈殿槽 ５ 脱水装置 ６ 廃液 ７ カチオン系高分子凝集剤 ８、１１ ｐＨ調整剤 ９、１２、１３ 攪拌機 １０ 無機系凝集剤 １４ 処理水 １５ 脱水ケーキ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０２Ｆ 1/58 ＣＤＪ Ｃ０２Ｆ 1/58 ＣＤＪＰ
Claims (1)
- 【請求項１】 アンモニアを含むＣＭＰ廃液にカチオン
系高分子凝集剤を添加し攪拌して第１の凝集処理を行っ
た後、無機系凝集剤を添加し攪拌して第２の凝集処理を
行い、フロックを形成させることを特徴とするＮＨ4系
ＣＭＰ廃液の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27271396A JPH10118665A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | Ｎｈ４系ｃｍｐ廃液の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27271396A JPH10118665A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | Ｎｈ４系ｃｍｐ廃液の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10118665A true JPH10118665A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17517757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27271396A Pending JPH10118665A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | Ｎｈ４系ｃｍｐ廃液の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10118665A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001522720A (ja) * | 1997-11-06 | 2001-11-20 | マイクロバー インコーポレイテッド | 廃水からシリカを除去する方法 |
| JP2010119956A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Kurita Water Ind Ltd | アゾール系銅用防食剤含有水の処理方法 |
| JP2010227887A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nippon Rensui Co Ltd | 排水処理方法および排水処理装置 |
| KR101290333B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2013-07-29 | 주식회사 글라소울 | 식각 용액 재생 시스템 |
| JP2021186745A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 水ｉｎｇ株式会社 | 凝集膜ろ過システムおよび凝集膜ろ過方法 |
-
1996
- 1996-10-15 JP JP27271396A patent/JPH10118665A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001522720A (ja) * | 1997-11-06 | 2001-11-20 | マイクロバー インコーポレイテッド | 廃水からシリカを除去する方法 |
| JP2010119956A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Kurita Water Ind Ltd | アゾール系銅用防食剤含有水の処理方法 |
| JP2010227887A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nippon Rensui Co Ltd | 排水処理方法および排水処理装置 |
| KR101290333B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2013-07-29 | 주식회사 글라소울 | 식각 용액 재생 시스템 |
| JP2021186745A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 水ｉｎｇ株式会社 | 凝集膜ろ過システムおよび凝集膜ろ過方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3169899B2 (ja) | フッ素含有排水の処理方法とその装置 | |
| JP4168520B2 (ja) | Ｃｍｐ排液の処理方法 | |
| JPH1133560A (ja) | Ｃｍｐ排液の凝集処理方法 | |
| TW201125825A (en) | Method and device for treating untreated water from silicon wafer etching process | |
| JP2004261708A (ja) | シリコン微粒子及び／又はコロイドシリカ含有排水の凝集処理方法 | |
| JPH10118665A (ja) | Ｎｈ４系ｃｍｐ廃液の処理方法 | |
| JP3340029B2 (ja) | ＳｉＯ２ 含有廃水の処理方法 | |
| JP4522297B2 (ja) | 無機懸濁粒子を含む排水の処理方法及び装置 | |
| JP4272122B2 (ja) | 凝集沈殿水処理方法及び装置 | |
| JPH1128500A (ja) | 汚泥処理装置 | |
| JP4508600B2 (ja) | フッ素含有排水の処理方法及び処理装置 | |
| JP3325689B2 (ja) | 金属含有排水の処理方法 | |
| JP2000140861A (ja) | 微細砥粒子分散研磨液を含む排水の処理方法 | |
| JP2002336875A (ja) | 水中のリンの回収方法及び装置 | |
| JPH10180008A (ja) | 膜分離装置 | |
| JP2019188337A (ja) | 水処理方法及び水処理装置 | |
| JPS643159B2 (ja) | ||
| JP2004041900A (ja) | コロイダルシリカ含有水の処理方法 | |
| JP3339352B2 (ja) | 汚泥の処理方法 | |
| JP3592175B2 (ja) | フッ素含有排水の処理方法 | |
| JP3412641B2 (ja) | 発電所の低濁度排水の凝集処理法 | |
| JP2751932B2 (ja) | 銀成分の回収方法 | |
| JPS62277200A (ja) | 汚泥の凝集処理方法 | |
| JP3854471B2 (ja) | 浄水処理装置 | |
| JP2861370B2 (ja) | 排水処理法 |