JPH10109993A - アルキルハロゲノシランの製造法 - Google Patents
アルキルハロゲノシランの製造法Info
- Publication number
- JPH10109993A JPH10109993A JP9147034A JP14703497A JPH10109993A JP H10109993 A JPH10109993 A JP H10109993A JP 9147034 A JP9147034 A JP 9147034A JP 14703497 A JP14703497 A JP 14703497A JP H10109993 A JPH10109993 A JP H10109993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- selenium
- compound
- tellurium
- copper
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 79
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 23
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 claims abstract description 7
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 18
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- -1 SeOCl Chemical class 0.000 abstract description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 abstract description 7
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 abstract 1
- 229910018274 Cu2 O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- VIEXQFHKRAHTQS-UHFFFAOYSA-N chloroselanyl selenohypochlorite Chemical compound Cl[Se][Se]Cl VIEXQFHKRAHTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- LNBXMNQCXXEHFT-UHFFFAOYSA-N selenium tetrachloride Chemical compound Cl[Se](Cl)(Cl)Cl LNBXMNQCXXEHFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- FXADMRZICBQPQY-UHFFFAOYSA-N orthotelluric acid Chemical compound O[Te](O)(O)(O)(O)O FXADMRZICBQPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015369 AuTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- KQHIGRPLCKIXNJ-UHFFFAOYSA-N chloro-methyl-silylsilane Chemical compound C[SiH]([SiH3])Cl KQHIGRPLCKIXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N dichloromethylsilane Chemical group [SiH3]C(Cl)Cl UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- LQJIDIOGYJAQMF-UHFFFAOYSA-N lambda2-silanylidenetin Chemical compound [Si].[Sn] LQJIDIOGYJAQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LGERWORIZMAZTA-UHFFFAOYSA-N silicon zinc Chemical compound [Si].[Zn] LGERWORIZMAZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHNUAKOQUGJUGA-UHFFFAOYSA-N silicon;sulfane Chemical compound [Si].S DHNUAKOQUGJUGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルキルハロゲノシランの製造法。
【解決手段】 ケイ素、セレン又はテルル促進剤及び銅
触媒の物理的混合物をアルキルハライドと反応させるこ
とを含んでなるアルキルハロゲノシランの製造法。
触媒の物理的混合物をアルキルハライドと反応させるこ
とを含んでなるアルキルハロゲノシランの製造法。
Description
【０００１】本発明は、ケイ素及び少なくとも１つの促
進剤の他に、銅、銅を含む少なくとも１つの化合物、及
びこれらの組み合わせ物を触媒として含む接触物（ｃｏ
ｎｔａｃｔ ｍａｓｓ）を、アルキルハライドと反応さ
せることによる、アルキルハロゲノシランの製造法に関
する。
進剤の他に、銅、銅を含む少なくとも１つの化合物、及
びこれらの組み合わせ物を触媒として含む接触物（ｃｏ
ｎｔａｃｔ ｍａｓｓ）を、アルキルハライドと反応さ
せることによる、アルキルハロゲノシランの製造法に関
する。
【０００２】広く使用されているメチルクロロシランの
製造法は、粉砕したケイ素と塩化メチルの、触媒として
の銅の存在下における直接的反応である。この反応は
「ロチョウ（Ｒｏｃｈｏｗ）反応」として同業者には公
知であり、米国特許第２３８０９９５号に記述されてい
る。
製造法は、粉砕したケイ素と塩化メチルの、触媒として
の銅の存在下における直接的反応である。この反応は
「ロチョウ（Ｒｏｃｈｏｗ）反応」として同業者には公
知であり、米国特許第２３８０９９５号に記述されてい
る。
【０００３】ジクロロキメチルシラン（ジ）が主成分を
構成するメチルクロロシランの混合物はこの方法で得ら
れる。メチルトリクロロシラン（トリ）も、更なる生成
物例えばトリメチルクロロシラン（モノ）、テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）、メチル水素ジクロロシラン（Ｍｅ
Ｈ）、及び高沸点のメチルクロロジシラン（ＰＳ）と同
様に、更に生成する。
構成するメチルクロロシランの混合物はこの方法で得ら
れる。メチルトリクロロシラン（トリ）も、更なる生成
物例えばトリメチルクロロシラン（モノ）、テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）、メチル水素ジクロロシラン（Ｍｅ
Ｈ）、及び高沸点のメチルクロロジシラン（ＰＳ）と同
様に、更に生成する。
【０００４】この合成法が発見されて以来、ジクロロジ
メチルシランの合成を行う方法を改善し且つその割合を
増大させるという、即ちジクロロジメチルシランの合成
をできる限り選択的に行うという目的で、多くの努力が
払われてきた。
メチルシランの合成を行う方法を改善し且つその割合を
増大させるという、即ちジクロロジメチルシランの合成
をできる限り選択的に行うという目的で、多くの努力が
払われてきた。
【０００５】これは、従来原料の純度の基準に注目する
ことにより、また促進剤を選択的に使用することにより
達成されてきた。ヨ−ロッパ特許第２２３４４７号によ
れば、この関連で公知の促進剤は、元素状形の又は化合
物形の亜鉛、錫及び燐である。揮発性の燐化合物も亜鉛
及び随時錫に加えて促進剤として使用できることは、ヨ
−ロッパ特許第３９１１３３号から公知である。
ことにより、また促進剤を選択的に使用することにより
達成されてきた。ヨ−ロッパ特許第２２３４４７号によ
れば、この関連で公知の促進剤は、元素状形の又は化合
物形の亜鉛、錫及び燐である。揮発性の燐化合物も亜鉛
及び随時錫に加えて促進剤として使用できることは、ヨ
−ロッパ特許第３９１１３３号から公知である。
【０００６】過去においては、ジ−化合物の収率の向上
に及び生成選択率の改善に力点が置かれた。しかしなが
ら、副生物の分布も、経済的な理由から重要である。現
代の接触物は，例えば塩化メチル−アルキルハロゲノシ
ラン混合物中で起こる望ましくない分解過程の指数であ
るＭｅＨ含量が高すぎるという欠点を持つ。
に及び生成選択率の改善に力点が置かれた。しかしなが
ら、副生物の分布も、経済的な理由から重要である。現
代の接触物は，例えば塩化メチル−アルキルハロゲノシ
ラン混合物中で起こる望ましくない分解過程の指数であ
るＭｅＨ含量が高すぎるという欠点を持つ。
【０００７】それゆえに本発明の目的は、ＭｅＨの低割
合が特色のアルキルハロゲノシランの製造法を提供する
ことである。更に目的はアルキルハロゲノシランを高選
択率でまた良好な生成速度で製造することである。
合が特色のアルキルハロゲノシランの製造法を提供する
ことである。更に目的はアルキルハロゲノシランを高選
択率でまた良好な生成速度で製造することである。
【０００８】驚くことに今回、これらの目的はセレン及
び／又はテルル及び／又はセレン及び／又はテルルを含
む少なくとも１つの化合物を促進剤として使用すること
によって達成される事が発見された。
び／又はテルル及び／又はセレン及び／又はテルルを含
む少なくとも１つの化合物を促進剤として使用すること
によって達成される事が発見された。
【０００９】それゆえに本発明は、ケイ素及び少なくと
も１つの促進剤の他に、銅、銅を含む少なくとも１つの
化合物、及びこれらの組み合わせ物を触媒として含む接
触物（ｃｏｎｔａｃｔ ｍａｓｓ）を、アルキルハライ
ドと反応させることによる、但しセレン及び／又はテル
ル及び／又はセレン及び／又はテルルを含む少なくとも
１つの化合物を促進剤として使用する、アルキルハロゲ
ノシランの製造法に関する。この促進剤は、ケイ素に及
び／又は銅に及び／又は銅を含む化合物に添加でき、即
ちそれは物理的に混合してよく、或いは銅に合金にして
もよい。促進剤は好ましくはケイ素と及び／又は銅と及
び／又は銅を含む化合物と物理的に混合される。
も１つの促進剤の他に、銅、銅を含む少なくとも１つの
化合物、及びこれらの組み合わせ物を触媒として含む接
触物（ｃｏｎｔａｃｔ ｍａｓｓ）を、アルキルハライ
ドと反応させることによる、但しセレン及び／又はテル
ル及び／又はセレン及び／又はテルルを含む少なくとも
１つの化合物を促進剤として使用する、アルキルハロゲ
ノシランの製造法に関する。この促進剤は、ケイ素に及
び／又は銅に及び／又は銅を含む化合物に添加でき、即
ちそれは物理的に混合してよく、或いは銅に合金にして
もよい。促進剤は好ましくはケイ素と及び／又は銅と及
び／又は銅を含む化合物と物理的に混合される。
【００１０】これに関連して、セレン及び／又はセレン
を含む化合物の使用は好適である。
を含む化合物の使用は好適である。
【００１１】元素状セレンは、そのすべての公知の改変
形で使用でき、また単結晶形でも使用できる。本発明の
意味において使用できるセレンを含む化合物の例は、式
Ｓｅ2Ｆ2，ＳｅＦ2，ＳｅＦ4，ＳｅＦ6，Ｓｅ2Ｃｌ2，
ＳｅＣｌ2，ＳｅＣｌ4，Ｓｅ2Ｂｒ2，ＳｅＢｒ2，Ｓｅ2
Ｂｒ4，Ｓｅ2Ｉ2，ＳｅＯ2Ｆ2，ＳｅＯＦ2，ＳｅＯＣｌ
2，ＳｅＯＢｒ2及び／又はＳｅＯＦ4の化合物を包含す
る。
形で使用でき、また単結晶形でも使用できる。本発明の
意味において使用できるセレンを含む化合物の例は、式
Ｓｅ2Ｆ2，ＳｅＦ2，ＳｅＦ4，ＳｅＦ6，Ｓｅ2Ｃｌ2，
ＳｅＣｌ2，ＳｅＣｌ4，Ｓｅ2Ｂｒ2，ＳｅＢｒ2，Ｓｅ2
Ｂｒ4，Ｓｅ2Ｉ2，ＳｅＯ2Ｆ2，ＳｅＯＦ2，ＳｅＯＣｌ
2，ＳｅＯＢｒ2及び／又はＳｅＯＦ4の化合物を包含す
る。
【００１２】セレンは最も好ましくは元素状形で又はＳ
ｅＯＣｌ２，ＳｅＣｌ４及びＳｅ2Ｃｌ２の形で使用さ
れ、ＳｅＯＣｌ２の使用は最も特に好適である。
ｅＯＣｌ２，ＳｅＣｌ４及びＳｅ2Ｃｌ２の形で使用さ
れ、ＳｅＯＣｌ２の使用は最も特に好適である。
【００１３】セレンの酸化物例えばＳｅＯ２も、セレン
化水素と同様に使用できる。
化水素と同様に使用できる。
【００１４】使用されるセレンを含む化合物は、公知の
方法でその場で生成させてもよい。
方法でその場で生成させてもよい。
【００１５】セレンは、元素Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｕ及び／又はＡｇを含有す
るセレンを含む固体化合物、例えば式Ａｌ2Ｓｅ3，Ｆｅ
Ｓｅ，Ｆｅ7Ｓｅ8，Ｆｅ3Ｓｅ4，Ｆｅ2Ｓｅ3，ＦｅＳｅ
2，ＴｉＳｅ，ＴｉＳｅ2，Ｃｕ2Ｓｅ，Ｃｕ3Ｓｅ，Ｃｕ
Ｓｅ，ＣａＳｅ，ＳｉＳｅ，ＺｎＳｅ，ＳｎＳｅ，Ｓｎ
2Ｓｅ2，Ｓｎ2Ｓｅ3，ＳｎＳｅ2，Ａｇ2Ｓｅ又はＡｕ2
Ｓｅの化合物の形でも使用できる。
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｔｉ，Ａｕ及び／又はＡｇを含有す
るセレンを含む固体化合物、例えば式Ａｌ2Ｓｅ3，Ｆｅ
Ｓｅ，Ｆｅ7Ｓｅ8，Ｆｅ3Ｓｅ4，Ｆｅ2Ｓｅ3，ＦｅＳｅ
2，ＴｉＳｅ，ＴｉＳｅ2，Ｃｕ2Ｓｅ，Ｃｕ3Ｓｅ，Ｃｕ
Ｓｅ，ＣａＳｅ，ＳｉＳｅ，ＺｎＳｅ，ＳｎＳｅ，Ｓｎ
2Ｓｅ2，Ｓｎ2Ｓｅ3，ＳｎＳｅ2，Ａｇ2Ｓｅ又はＡｕ2
Ｓｅの化合物の形でも使用できる。
【００１６】この関連で、元素Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓ
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃａ及び／又はＴｉを含有するセレン
を含む化合物は好適である。
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃａ及び／又はＴｉを含有するセレン
を含む化合物は好適である。
【００１７】更なる具体例において、セレン及び／又は
セレンを含む化合物は、反応に対する触媒として必要と
される銅及び／又は銅を含む化合物に添加でき且つそれ
と合金にでき、及び／又はそれと物理的に混合できる。
これに関連して、合金にする添加は、好ましくは銅の製
造中又はその精練中に行われる。
セレンを含む化合物は、反応に対する触媒として必要と
される銅及び／又は銅を含む化合物に添加でき且つそれ
と合金にでき、及び／又はそれと物理的に混合できる。
これに関連して、合金にする添加は、好ましくは銅の製
造中又はその精練中に行われる。
【００１８】セレン及び／又はセレンを含む化合物は、
セレンとして計算して、好ましくはケイ素に関し１〜３
０００ｐｐｍの量で使用される。
セレンとして計算して、好ましくはケイ素に関し１〜３
０００ｐｐｍの量で使用される。
【００１９】元素状形の又はテルルを含む化合物形のテ
ルルも促進剤として使用できる。
ルルも促進剤として使用できる。
【００２０】本発明で使用しうるテルルを含む化合物
は、式 ＴｅＸ2，（但しＸ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）；ＴｅＸ4（但し
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）；の化合物であり、またＴｅ
Ｆ６、酸化物、テルル酸（ＩＩ）及び（ＩＶ）アルカリ
金属，テルル酸金属又はＴｅＣｌ２と有機配位子との付
加生成物である。
は、式 ＴｅＸ2，（但しＸ＝Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）；ＴｅＸ4（但し
Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）；の化合物であり、またＴｅ
Ｆ６、酸化物、テルル酸（ＩＩ）及び（ＩＶ）アルカリ
金属，テルル酸金属又はＴｅＣｌ２と有機配位子との付
加生成物である。
【００２１】好適に使用されるテルルを含む化合物は、
例えばテルル酸（ＩＩ）及び（ＩＶ）アルカリ金属，例
えばＭＴｅＣｌ3（但しＭ＝Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｒｂ）及
び／又は例えばＲｂＴｅＣｌ5，ＣｓＴｅＣｌ5，Ｋ2Ｔ
ｅＣｌ6，ＲｂＴｅＣｌ6，ＣｓＴｅＣｌ6であり、また
ＴｅＣｌ２と有機配位子との付加生成物、例えばチオ尿
素付加生成物ＴｅＣｌ2［ＳＣ（ＮＨ2）2］並びに元素
状テルルを包含する。
例えばテルル酸（ＩＩ）及び（ＩＶ）アルカリ金属，例
えばＭＴｅＣｌ3（但しＭ＝Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｒｂ）及
び／又は例えばＲｂＴｅＣｌ5，ＣｓＴｅＣｌ5，Ｋ2Ｔ
ｅＣｌ6，ＲｂＴｅＣｌ6，ＣｓＴｅＣｌ6であり、また
ＴｅＣｌ２と有機配位子との付加生成物、例えばチオ尿
素付加生成物ＴｅＣｌ2［ＳＣ（ＮＨ2）2］並びに元素
状テルルを包含する。
【００２２】本発明の意味において、金属テルルの例
は、Ａｌ2Ｔｅ3，Ｃｕ2Ｔｅ，Ａｇ2Ｔｅ，ＡｕＴｅ，Ｚ
ｎＴｅ並びにテルル酸アルカリ金属／アルカリ土類金属
又はＴｅ／Ｓｅ合金を含む。
は、Ａｌ2Ｔｅ3，Ｃｕ2Ｔｅ，Ａｇ2Ｔｅ，ＡｕＴｅ，Ｚ
ｎＴｅ並びにテルル酸アルカリ金属／アルカリ土類金属
又はＴｅ／Ｓｅ合金を含む。
【００２３】元素状形のテルル又はＣｓＴｅＣｌ5，Ｒ
ｂＴｅＣｌ6，ＣｓＴｅＣｌ6，ＴｅＣｌ2［ＳＣ（Ｎ
Ｈ2）2］，Ａｌ2Ｔｅ3，Ｃｕ2Ｔｅ，ＺｎＴｅ及びＴｅ
Ｃｌ4形のテルルを含む化合物の使用は特に適当であ
る。
ｂＴｅＣｌ6，ＣｓＴｅＣｌ6，ＴｅＣｌ2［ＳＣ（Ｎ
Ｈ2）2］，Ａｌ2Ｔｅ3，Ｃｕ2Ｔｅ，ＺｎＴｅ及びＴｅ
Ｃｌ4形のテルルを含む化合物の使用は特に適当であ
る。
【００２４】テルルは酸素を含む化合物形、例えばＴｅ
Ｏ２でも使用できる。
Ｏ２でも使用できる。
【００２５】他の具体例においては、触媒として使用さ
れる銅及び／又は銅を含む化合物にテルル及び／又はセ
レンがド−プされる。テルル及び／又はセレンを触媒と
物理的に混合することも可能である。合金化及び物理的
混合の組み合わせも可能である。
れる銅及び／又は銅を含む化合物にテルル及び／又はセ
レンがド−プされる。テルル及び／又はセレンを触媒と
物理的に混合することも可能である。合金化及び物理的
混合の組み合わせも可能である。
【００２６】これに関連して、ド−プは好ましくは銅の
製造中又はその精練中に行われる。
製造中又はその精練中に行われる。
【００２７】テルル及び／又はテルルを含む化合物は、
テルルとして計算して、好ましくはケイ素に関し１〜３
０００ｐｐｍの量で使用される。
テルルとして計算して、好ましくはケイ素に関し１〜３
０００ｐｐｍの量で使用される。
【００２８】ロチョウ合成に通常使用されるすべての銅
触媒は、本発明の意味において、銅を含む化合物（触
媒）として使用できる。次のものは例として列挙でき
る：部分的に酸化された銅（Ｃｕ０／Ｃｕ2Ｏ／Ｃｕ
Ｏ）（米国特許第４５００７２４号）、金属銅及びＣｕ
2Ｏ／ＣｕＯの混合物（独国特許公報第３５０１０８５
号）、Ｃｕ2Ｃｌ２、ＣｕＣｌ２（米国特許第４７６２
９４０号）、ギ酸Ｃｕ（米国特許第４４８７９５０号）
など。構成分Ｃｕ０、Ｃｕ2Ｏ及び／又はＣｕＯを含ん
でなる部分的に酸化された銅は好適に使用される。この
関連で好適に使用される部分的に酸化された銅は好まし
くは次の組成を有する：Ｃｕ０：０〜３０重量％、Ｃｕ
2Ｏ：３０〜９０重量％及びＣｕＯ：１０〜６０重量
％、但しすべての成分の合計は１００％。本触媒、即ち
銅及び／又は銅を含む化合物は、好ましくはケイ素に関
して、０．０５〜１０重量％、最も好ましくは０．１〜
７重量％の量で使用される。
触媒は、本発明の意味において、銅を含む化合物（触
媒）として使用できる。次のものは例として列挙でき
る：部分的に酸化された銅（Ｃｕ０／Ｃｕ2Ｏ／Ｃｕ
Ｏ）（米国特許第４５００７２４号）、金属銅及びＣｕ
2Ｏ／ＣｕＯの混合物（独国特許公報第３５０１０８５
号）、Ｃｕ2Ｃｌ２、ＣｕＣｌ２（米国特許第４７６２
９４０号）、ギ酸Ｃｕ（米国特許第４４８７９５０号）
など。構成分Ｃｕ０、Ｃｕ2Ｏ及び／又はＣｕＯを含ん
でなる部分的に酸化された銅は好適に使用される。この
関連で好適に使用される部分的に酸化された銅は好まし
くは次の組成を有する：Ｃｕ０：０〜３０重量％、Ｃｕ
2Ｏ：３０〜９０重量％及びＣｕＯ：１０〜６０重量
％、但しすべての成分の合計は１００％。本触媒、即ち
銅及び／又は銅を含む化合物は、好ましくはケイ素に関
して、０．０５〜１０重量％、最も好ましくは０．１〜
７重量％の量で使用される。
【００２９】本発明の意味において、純度９５％又はそ
れ以上のケイ素がケイ素として使用できる。純度９８％
又はそれ以上のケイ素は好適である。用いるケイ素の粒
径は所望により選択できるが、好ましくは５０〜５００
ミクロンである。
れ以上のケイ素がケイ素として使用できる。純度９８％
又はそれ以上のケイ素は好適である。用いるケイ素の粒
径は所望により選択できるが、好ましくは５０〜５００
ミクロンである。
【００３０】次のものもケイ素として使用しうる：米国
特許第５０１５７５１号による原子状化ケイ素、及びヨ
−ロッパ特許第６１０８０７号による構造的に最適化さ
れたケイ素、或いはヨ−ロッパ特許第６７３８８０号又
はヨ−ロッパ特許第５２２８４４号により製造されるケ
イ素。
特許第５０１５７５１号による原子状化ケイ素、及びヨ
−ロッパ特許第６１０８０７号による構造的に最適化さ
れたケイ素、或いはヨ−ロッパ特許第６７３８８０号又
はヨ−ロッパ特許第５２２８４４号により製造されるケ
イ素。
【００３１】特別な種類のケイ素、例えば独国特許公報
第４０３７０２１号又はヨ−ロッパ特許第６８５４２８
号に記述されているものも、使用できる。
第４０３７０２１号又はヨ−ロッパ特許第６８５４２８
号に記述されているものも、使用できる。
【００３２】すべての通常のＣ１〜Ｃ８アルキルハライ
ド、例えばハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるメチル
ハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるエチル
ハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ−又
はｉ−プロピルハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉであるｎ−又はｉ−ブチルハライド、ハライドがＦ，
Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ−又はｉ−ペンチルハライド、
ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ−又はｉ−ヘキ
シルハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ
−又はｉ−ヘプチルハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂ
ｒ，Ｉであるｎ−又はｉ−オクチルハライドを含むもの
は本発明の意味においてアルキルハライドとして使用で
きるが、塩化メチルは好適である。
ド、例えばハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるメチル
ハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるエチル
ハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ−又
はｉ−プロピルハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉであるｎ−又はｉ−ブチルハライド、ハライドがＦ，
Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ−又はｉ−ペンチルハライド、
ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ−又はｉ−ヘキ
シルハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉであるｎ
−又はｉ−ヘプチルハライド、ハライドがＦ，Ｃｌ，Ｂ
ｒ，Ｉであるｎ−又はｉ−オクチルハライドを含むもの
は本発明の意味においてアルキルハライドとして使用で
きるが、塩化メチルは好適である。
【００３３】本発明の１つの具体例においては、促進剤
セレン及び／又はテルル及び／又はセレン及び／又はテ
ルルを含む少なくとも１つの化合物の他に、他の公知の
促進剤が使用される。亜鉛又は亜鉛化合物、アルミニウ
ム又はアルミニウム化合物、錫又は錫化合物、燐又は燐
化合物、硫黄又は硫黄化合物（例えば独国特許公報第１
９５３２３１号、７ペ−ジによる）、或いはインジウム
又はインジウム化合物、それ自体又は他の１つ又はそれ
以上との組み合わせ物は促進剤として好適である。
セレン及び／又はテルル及び／又はセレン及び／又はテ
ルルを含む少なくとも１つの化合物の他に、他の公知の
促進剤が使用される。亜鉛又は亜鉛化合物、アルミニウ
ム又はアルミニウム化合物、錫又は錫化合物、燐又は燐
化合物、硫黄又は硫黄化合物（例えば独国特許公報第１
９５３２３１号、７ペ−ジによる）、或いはインジウム
又はインジウム化合物、それ自体又は他の１つ又はそれ
以上との組み合わせ物は促進剤として好適である。
【００３４】酸化物、ハライド、合金などは、例えば元
素Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｐ，Ｓ及び／又はＩｎの化合物と
して適当である。
素Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｐ，Ｓ及び／又はＩｎの化合物と
して適当である。
【００３５】促進剤物質は、使用するならば、好ましく
は次の量で添加される。
は次の量で添加される。
【００３６】 −錫 ケイ素１００００００部当たり５〜２００部及び／又は −亜鉛 ケイ素１００００００部当たり１０〜１００００部及び／又は −アルミニウム ケイ素に関して０．０１〜１％及び／又は −燐 ケイ素１００００００部当たり２０〜２５００部及び／又は −インジウム ケイ素１００００００部当たり２０〜２５００部 −硫黄 ケイ素１００００００部当たり５〜２０００部。
【００３７】上述した促進剤物質Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｌ，
Ｐ，Ｉｎ及び／又はＳの量は、用いるケイ素中に、合金
添加物として存在できる量を含む（例えば米国特許第５
０４９３４３号、米国特許第４９４６９７８号、ＷＯ特
許第９４／００７９９号）。錫、アルミニウム、燐又は
亜鉛は、それぞれ独立に或いは他の１つ又はそれ以上と
組み合わせて、元素状形で又は化合物形で好適に使用さ
れる。
Ｐ，Ｉｎ及び／又はＳの量は、用いるケイ素中に、合金
添加物として存在できる量を含む（例えば米国特許第５
０４９３４３号、米国特許第４９４６９７８号、ＷＯ特
許第９４／００７９９号）。錫、アルミニウム、燐又は
亜鉛は、それぞれ独立に或いは他の１つ又はそれ以上と
組み合わせて、元素状形で又は化合物形で好適に使用さ
れる。
【００３８】本方法は、普通ロチョウ合成に通常使用さ
れる温度及び圧力の範囲内で行われる。
れる温度及び圧力の範囲内で行われる。
【００３９】２８０〜３９０℃の温度及び１〜１０バ−
ルの圧力は好適である。
ルの圧力は好適である。
【００４０】本明細書で使用される術語、接触物とは、
ケイ素及び触媒としての銅及び／又は銅を含む少なくと
も１つの化合物、並びに少なくとも１つの促進剤の物理
的混合物として定義される。
ケイ素及び触媒としての銅及び／又は銅を含む少なくと
も１つの化合物、並びに少なくとも１つの促進剤の物理
的混合物として定義される。
【００４１】接触物は、未処理で、又は適当に予備処理
して、又は予備成形して、反応に対する反応器に供給で
きる。この主の方法は例えばボ−ルヘ−ベ（Ｖｏｏｒｈ
ｏｅｖｅ），「有機ハロシラン類−シリコ−ンへの前駆
体」、エルセビア（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ）出版、１９６７
年、１２９ペ−ジに記述されている。
して、又は予備成形して、反応に対する反応器に供給で
きる。この主の方法は例えばボ−ルヘ−ベ（Ｖｏｏｒｈ
ｏｅｖｅ），「有機ハロシラン類−シリコ−ンへの前駆
体」、エルセビア（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ）出版、１９６７
年、１２９ペ−ジに記述されている。
【００４２】本発明のある好適な具体例においては、揮
発性のセレン及び／又はテルル化合物を使用する場合、
そのような揮発性化合物の所望量を、短い間隔のバッチ
式で又は連続式でアルキルハライドに添加し、接触物上
を連続的に通過させる。バッチ式で運転する試みの場
合、その使用量は用いる接触物の量に適合せしめる。連
続式運転では、それは新しいケイ素、触媒の量に且つ随
時使用される付加促進剤に有利に適合させることがで
き、これを続いて反応器に連続的に供給する。揮発性の
セレン及び／又はテルル化合物の最適な分布は気相がゆ
えに保証される。
発性のセレン及び／又はテルル化合物を使用する場合、
そのような揮発性化合物の所望量を、短い間隔のバッチ
式で又は連続式でアルキルハライドに添加し、接触物上
を連続的に通過させる。バッチ式で運転する試みの場
合、その使用量は用いる接触物の量に適合せしめる。連
続式運転では、それは新しいケイ素、触媒の量に且つ随
時使用される付加促進剤に有利に適合させることがで
き、これを続いて反応器に連続的に供給する。揮発性の
セレン及び／又はテルル化合物の最適な分布は気相がゆ
えに保証される。
【００４３】その量はケイ素に関して１〜３０００ｐｐ
ｍ、好ましくは１０〜５００ｐｐｍである。このデ−タ
は使用される各セレン又はテルル化合物のセレン又はテ
ルルの含量に関するものである。
ｍ、好ましくは１０〜５００ｐｐｍである。このデ−タ
は使用される各セレン又はテルル化合物のセレン又はテ
ルルの含量に関するものである。
【００４４】本発明の更なる具体例において、固体又は
揮発しにくいセレン及び／又はテルル化合物、並びに元
素状セレン及び／又はテルルは、好ましくはケイ素と又
は触媒と直接混合される。
揮発しにくいセレン及び／又はテルル化合物、並びに元
素状セレン及び／又はテルルは、好ましくはケイ素と又
は触媒と直接混合される。
【００４５】更に、本発明の方法は直接合成に対する定
義された工程技術に限定されはしない。即ち、反応はバ
ッチ式又は連続式で行うことができ、また流動床、撹拌
床及び固定床で行いうる。
義された工程技術に限定されはしない。即ち、反応はバ
ッチ式又は連続式で行うことができ、また流動床、撹拌
床及び固定床で行いうる。
【００４６】次の実施例に示されるように、セレン及び
／又はテルル及び／又はセレン及び／又はテルルを含む
少なくとも１つの化合物を用いる利点は、ＭｅＨの割合
がかなり減ぜられること、及び他の促進剤との組み合わ
せにおいて製造速度及び選択率がかなり改善されること
である。
／又はテルル及び／又はセレン及び／又はテルルを含む
少なくとも１つの化合物を用いる利点は、ＭｅＨの割合
がかなり減ぜられること、及び他の促進剤との組み合わ
せにおいて製造速度及び選択率がかなり改善されること
である。
【００４７】次の実施例は、本発明を更に詳細に例示す
るが、決してそれを限定するものと理解すべきではない
（パ−セントのデ−タは重量％を示す）。
るが、決してそれを限定するものと理解すべきではない
（パ−セントのデ−タは重量％を示す）。
【００４８】
【実施例】本発明の触媒の、ロチョウ合成における使用
に関して、螺旋形撹拌機を備えたガラス製の撹拌床反応
器（内径＝３０ｍｍ）中で次の実験を行った。用いるケ
イ素は、少なくとも９８．８％の純度と７１〜１６０ミ
クロンの粒径分布を有した。
に関して、螺旋形撹拌機を備えたガラス製の撹拌床反応
器（内径＝３０ｍｍ）中で次の実験を行った。用いるケ
イ素は、少なくとも９８．８％の純度と７１〜１６０ミ
クロンの粒径分布を有した。
【００４９】接触物はケイ素４０ｇ、銅触媒３．２ｇ及
びＺｎＯ０．０５ｇの物理的混合物からなり、使用前に
成形により均質にした。
びＺｎＯ０．０５ｇの物理的混合物からなり、使用前に
成形により均質にした。
【００５０】圧力２バ−ルの塩化メチルを、ガラスフリ
ットを通して下から接触物中に通過させた。塩化メチル
の導入量を一定に保ち、すべての場合に約１．８ｌ／時
とした。誘導期を経た後、接触物中３００℃において定
常実験期を確立した。これらの条件下に、単位時間当た
りに生成する粗シランの量を決定した。個々の成分をガ
スクロマトグラフィ−で決定した。
ットを通して下から接触物中に通過させた。塩化メチル
の導入量を一定に保ち、すべての場合に約１．８ｌ／時
とした。誘導期を経た後、接触物中３００℃において定
常実験期を確立した。これらの条件下に、単位時間当た
りに生成する粗シランの量を決定した。個々の成分をガ
スクロマトグラフィ−で決定した。
【００５１】それぞれの場合に示す値は、それぞれ４回
の測定の平均値である。各試験は少なくとも１回再現さ
れた。すべての定量的デ−タは用いるケイ素に関して与
えられる。
の測定の平均値である。各試験は少なくとも１回再現さ
れた。すべての定量的デ−タは用いるケイ素に関して与
えられる。
【００５２】実施例 １ 本実施例は、ロチョウ合成において、接触物に添加した
セレンの効果を示す。この場合セレンは元素状セレンと
して添加した。使用したケイ素は次の主な不純物を含ん
だ。Ａｌ：０．２２％，Ｃａ：０．０６４％，Ｆｅ：
０．４０％，Ｔｉ：０．０３０％。導入量及び得られた
結果を下表１に示す。
セレンの効果を示す。この場合セレンは元素状セレンと
して添加した。使用したケイ素は次の主な不純物を含ん
だ。Ａｌ：０．２２％，Ｃａ：０．０６４％，Ｆｅ：
０．４０％，Ｔｉ：０．０３０％。導入量及び得られた
結果を下表１に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】１）ＭｅＨ：メチル水素ジクロロシランＭ
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ２Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ２ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ２Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ２ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
【００５５】セレンを接触物に添加した場合、ＭｅＨの
割合は対比できる収率でかなり減少することが示され
る。
割合は対比できる収率でかなり減少することが示され
る。
【００５６】実施例２ 本実施例は、ロチョウ合成において、接触物に添加した
セレン及び錫の組み合わせ物の効果を示す。この場合セ
レン及び錫は元素状金属の形で添加した。使用したケイ
素は次の主な不純物を含んだ。Ａｌ：０．２２％，Ｃ
ａ：０．０５３％，Ｆｅ：０．４５％，Ｔｉ：０．０２
５％。導入量及び得られた結果を下表２に示す。
セレン及び錫の組み合わせ物の効果を示す。この場合セ
レン及び錫は元素状金属の形で添加した。使用したケイ
素は次の主な不純物を含んだ。Ａｌ：０．２２％，Ｃ
ａ：０．０５３％，Ｆｅ：０．４５％，Ｔｉ：０．０２
５％。導入量及び得られた結果を下表２に示す。
【００５７】
【表２】
【００５８】１）ＭｅＨ：メチル水素ジクロロシランＭ
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
【００５９】セレン及び錫の組み合わせ添加により、比
較し得る選択率において、収率は増大し、単量体混合物
中のＭｅＨの割合は半減した。
較し得る選択率において、収率は増大し、単量体混合物
中のＭｅＨの割合は半減した。
【００６０】実施例３ 本実施例は、ロチョウ合成において、接触物に添加した
セレン及び燐の組み合わせ物の効果を示す。この場合セ
レンは元素状金属の形で添加し、燐はＣｕ3Ｐの形で添
加した。ケイ素は実施例２と同じ物を使用した。導入量
及び得られた結果を下表３に示す。
セレン及び燐の組み合わせ物の効果を示す。この場合セ
レンは元素状金属の形で添加し、燐はＣｕ3Ｐの形で添
加した。ケイ素は実施例２と同じ物を使用した。導入量
及び得られた結果を下表３に示す。
【００６１】
【表３】
【００６２】１）ＭｅＨ：メチル水素ジクロロシランＭ
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
【００６３】燐の存在下において、セレンの効果は収率
を増大させることであった。ＭｅＨの割合は１％以下ま
で低下した。
を増大させることであった。ＭｅＨの割合は１％以下ま
で低下した。
【００６４】実施例４ 本実施例は、ロチョウ合成において、接触物に添加した
セレン及びアルミニウムの組み合わせ物の効果を示す。
この場合セレンは元素状金属の形で添加し、アルミニウ
ムはＣｕ9Ａｌ４の形で添加した。ケイ素は実施例２と
同じ物を使用した。導入量及び得られた結果を下表４に
示す。
セレン及びアルミニウムの組み合わせ物の効果を示す。
この場合セレンは元素状金属の形で添加し、アルミニウ
ムはＣｕ9Ａｌ４の形で添加した。ケイ素は実施例２と
同じ物を使用した。導入量及び得られた結果を下表４に
示す。
【００６５】
【表４】
【００６６】１）ＭｅＨ：メチル水素ジクロロシランＭ
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
【００６７】アルミニウムの存在下において、セレンの
効果は収率を増大させることであった。ＭｅＨの割合は
促進剤のない接触物に比べて低下した。
効果は収率を増大させることであった。ＭｅＨの割合は
促進剤のない接触物に比べて低下した。
【００６８】実施例５ 本実施例は、接触物に添加したセレン、錫及び燐の組み
合わせ物のロチョウ合成の結果に対する効果を示す。こ
の場合セレン及び錫は元素状金属の形で添加し、燐はＰ
Ｃｌ３の形で添加した。ケイ素は実施例２と同じ物を使
用した。導入量及び得られた結果を下表５に示す。
合わせ物のロチョウ合成の結果に対する効果を示す。こ
の場合セレン及び錫は元素状金属の形で添加し、燐はＰ
Ｃｌ３の形で添加した。ケイ素は実施例２と同じ物を使
用した。導入量及び得られた結果を下表５に示す。
【００６９】
【表５】
【００７０】１）ＭｅＨ：メチル水素ジクロロシランＭ
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
ｅＨＳｉＣｌ２；ジ：ジクロロジメチルシランＭｅ2Ｓ
ｉＣｌ２；トリ／ジ（トリクロロメチルシランＭｅＳｉ
Ｃｌ３／ジクロロジメチルシランＭｅ2ＳｉＣｌ２）；
パ−セント（重量％）でのデ−タは得られた単量体に関
して示される。
【００７１】表５は、３つの促進剤の組み合わせにより
収率及び選択率の両方が良好な値になることを示す。Ｍ
ｅＨの割合は促進剤のない接触物に比べて非常に低かっ
た。
収率及び選択率の両方が良好な値になることを示す。Ｍ
ｅＨの割合は促進剤のない接触物に比べて非常に低かっ
た。
【００７２】本発明の特徴及び態様は以下の通りであ
る。
る。
【００７３】１．ケイ素、促進剤及び触媒の物理的混合
物をアルキルハライドと反応させることを含んでなる、
但し促進剤がセレン、テルル、セレンを含む少なくとも
１つの化合物、テルルを含む少なくとも１つの化合物、
セレン及びテルルの両方を含む少なくとも１つの化合
物、及びこれらの組み合わせ物からなる群の１員であ
り、そして触媒が銅、銅を含む少なくとも１つの化合
物、及びこれらの組み合わせ物からなる群の１員であ
る、アルキルハロゲノシランの製造法。
物をアルキルハライドと反応させることを含んでなる、
但し促進剤がセレン、テルル、セレンを含む少なくとも
１つの化合物、テルルを含む少なくとも１つの化合物、
セレン及びテルルの両方を含む少なくとも１つの化合
物、及びこれらの組み合わせ物からなる群の１員であ
り、そして触媒が銅、銅を含む少なくとも１つの化合
物、及びこれらの組み合わせ物からなる群の１員であ
る、アルキルハロゲノシランの製造法。
【００７４】２．該セレンがその元素状金属形であり、
そして該セレンを含む少なくとも１つの化合物がＳｅＯ
Ｃｌ２，ＳｅＣｌ４及びＳｅ2Ｃｌ２の少なくとも１つ
である、上記１の方法。
そして該セレンを含む少なくとも１つの化合物がＳｅＯ
Ｃｌ２，ＳｅＣｌ４及びＳｅ2Ｃｌ２の少なくとも１つ
である、上記１の方法。
【００７５】３．該セレンを含む少なくとも１つの化合
物が、更にＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃａ
及びＴｉの１つ又はそれ以上を含む、上記１の方法。
物が、更にＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃａ
及びＴｉの１つ又はそれ以上を含む、上記１の方法。
【００７６】４．該セレン、又はセレンを含む化合物、
或いはこれらの組み合わせ物が、該物理的混合物中にセ
レンとして計算して、ケイ素に関し１〜３０００ｐｐｍ
の量で存在する、上記１の方法。
或いはこれらの組み合わせ物が、該物理的混合物中にセ
レンとして計算して、ケイ素に関し１〜３０００ｐｐｍ
の量で存在する、上記１の方法。
【００７７】５．該テルルが元素状金属の形であり、該
テルルを含む少なくとも１つの化合物がＣｓＴｅＣ
ｌ5，ＲｂＴｅＣｌ6，ＣｓＴｅＣｌ6，ＴｅＣｌ2［ＳＣ
（ＮＨ2）2］，Ａｌ2Ｔｅ3，Ｃｕ2Ｔｅ及びＴｅＣｌ4の
少なくとも１つである、上記１の方法。
テルルを含む少なくとも１つの化合物がＣｓＴｅＣ
ｌ5，ＲｂＴｅＣｌ6，ＣｓＴｅＣｌ6，ＴｅＣｌ2［ＳＣ
（ＮＨ2）2］，Ａｌ2Ｔｅ3，Ｃｕ2Ｔｅ及びＴｅＣｌ4の
少なくとも１つである、上記１の方法。
【００７８】６．該テルル、又はテルルを含む化合物、
或いはこれらの組み合わせ物が、該物理的混合物中にテ
ルルとして計算して、ケイ素に関し１〜３０００ｐｐｍ
の量で存在する、上記１の方法。
或いはこれらの組み合わせ物が、該物理的混合物中にテ
ルルとして計算して、ケイ素に関し１〜３０００ｐｐｍ
の量で存在する、上記１の方法。
【００７９】７．該固体混合物が錫、亜鉛、燐、硫黄、
アルミニウム、又はインジウムを更なる促進剤として、
それぞれ単独で或いは他との１つ又はそれ以上との組み
合わせで、且つその元素状金属、その化合物、又はこれ
ら両方の形で更に含んでなる、上記１の方法。
アルミニウム、又はインジウムを更なる促進剤として、
それぞれ単独で或いは他との１つ又はそれ以上との組み
合わせで、且つその元素状金属、その化合物、又はこれ
ら両方の形で更に含んでなる、上記１の方法。
【００８０】８．該銅を含む少なくとも１つの化合物が
Ｃｕ０及びＣｕ2Ｏ又はＣｕＯを含んでなる部分的に酸
化された銅である、上記１の方法。
Ｃｕ０及びＣｕ2Ｏ又はＣｕＯを含んでなる部分的に酸
化された銅である、上記１の方法。
【００８１】９．セレン、テルル、或いはセレン、テル
ル、又はその両方を含む少なくとも１つの化合物、或い
はこれらの組み合わせ物を、該銅に、該銅を含む少なく
とも１つの化合物に、或いはこれらの両方に添加する、
上記１の方法。
ル、又はその両方を含む少なくとも１つの化合物、或い
はこれらの組み合わせ物を、該銅に、該銅を含む少なく
とも１つの化合物に、或いはこれらの両方に添加する、
上記１の方法。
【００８２】１０．該アルキルハライドが塩化メチルで
ある、上記１の方法。
ある、上記１の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲプハルト・バグナー ドイツ51519オーデンタール・アカーシユ トラーセ31 (72)発明者 エルケ・リヒト ドイツ51381レーフエルクーゼン・アムゾ ネンハング23 (72)発明者 マンフレート・シユルツエ ドイツ42799ライヒリンゲン・フアザネン シユトラーセ４
Claims (5)
- 【請求項１】 ケイ素、促進剤及び触媒の物理的混合物
をアルキルハライドと反応させることを含んでなる、但
し促進剤がセレン、テルル、セレンを含む少なくとも１
つの化合物、テルルを含む少なくとも１つの化合物、セ
レン及びテルルの両方を含む少なくとも１つの化合物、
及びこれらの組み合わせ物からなる群の１員であり、そ
して触媒が銅、銅を含む少なくとも１つの化合物、及び
これらの組み合わせ物からなる群の１員である、アルキ
ルハロゲノシランの製造法。 - 【請求項２】 該セレンがその元素状金属形であり、そ
して該セレンを含む少なくとも１つの化合物がＳｅＯＣ
ｌ２，ＳｅＣｌ４，及びＳｅ2Ｃｌ２の少なくとも１つ
である、請求項１の方法。 - 【請求項３】 該固体混合物が錫、亜鉛、燐、硫黄、ア
ルミニウム、又はインジウムを更なる促進剤として、そ
れぞれ単独で或いは他との１つ又はそれ以上との組み合
わせで、且つその元素状金属、その化合物、又はこれら
両方の形で更に含んでなる、請求項１の方法。 - 【請求項４】 該銅を含む少なくとも１つの化合物がＣ
ｕ０及びＣｕ2Ｏ又はＣｕＯを含んでなる部分的に酸化
された銅である、請求項１の方法。 - 【請求項５】該アルキルハライドが塩化メチルである、
請求項１の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19621306.1 | 1996-05-28 | ||
| DE19621306A DE19621306C1 (de) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10109993A true JPH10109993A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=7795447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9147034A Pending JPH10109993A (ja) | 1996-05-28 | 1997-05-22 | アルキルハロゲノシランの製造法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5756794A (ja) |
| EP (1) | EP0810228A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10109993A (ja) |
| CN (1) | CN1166492A (ja) |
| DE (1) | DE19621306C1 (ja) |
| TW (1) | TW363972B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210063373A (ko) * | 2019-03-12 | 2021-06-01 | 와커 헤미 아게 | 오가노클로로실란을 제조하는 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4788866B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | フェニルクロロシランの製造方法 |
| US7230138B2 (en) * | 2004-12-10 | 2007-06-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Bis(3-alkoxypropan-2-ol) sulfides, sulfoxides, and sulfones: new preparative methods |
| CN100402536C (zh) * | 2006-04-24 | 2008-07-16 | 杭州师范学院 | 一种分离提纯甲基苯基二氯硅烷的化学方法 |
| CN103707004A (zh) * | 2012-10-09 | 2014-04-09 | 英茂國際有限公司 | 自行车折叠工具的拆链器制程 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3910665A1 (de) * | 1989-04-03 | 1990-10-04 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von alkylhalogensilanen |
| FR2665446B1 (fr) * | 1990-07-31 | 1992-11-27 | Rhone Poulenc Chimie | Procede et catalyseur comprenant un compose de lanthanide comme additif promoteur pour la synthese directe du dimethyldichlorosilane. |
| DE19645359A1 (de) * | 1996-11-04 | 1998-05-07 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen |
-
1996
- 1996-05-28 DE DE19621306A patent/DE19621306C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-15 TW TW086106453A patent/TW363972B/zh active
- 1997-05-16 EP EP97108007A patent/EP0810228A3/de not_active Withdrawn
- 1997-05-22 JP JP9147034A patent/JPH10109993A/ja active Pending
- 1997-05-28 CN CN97105415A patent/CN1166492A/zh active Pending
- 1997-05-28 US US08/864,396 patent/US5756794A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210063373A (ko) * | 2019-03-12 | 2021-06-01 | 와커 헤미 아게 | 오가노클로로실란을 제조하는 방법 |
| JP2022517459A (ja) * | 2019-03-12 | 2022-03-09 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | オルガノクロロシランの調製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0810228A2 (de) | 1997-12-03 |
| EP0810228A3 (de) | 1999-11-17 |
| DE19621306C1 (de) | 1997-11-13 |
| US5756794A (en) | 1998-05-26 |
| CN1166492A (zh) | 1997-12-03 |
| TW363972B (en) | 1999-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4762940A (en) | Method for preparation of alkylhalosilanes | |
| US4500724A (en) | Method for making alkylhalosilanes | |
| JP2562833B2 (ja) | トリアルコキシシラン−テトラアルコキシシラン混合物の製造方法 | |
| JPH0551596B2 (ja) | ||
| US5015751A (en) | Process for the production of organochlorosilanes | |
| US6528674B1 (en) | Method for preparing a contact mass | |
| KR900005184B1 (ko) | 디메틸디클로로실란의 직접 합성방법 | |
| USRE33452E (en) | Method for making alkylhalosilanes | |
| US6258970B1 (en) | Method for promoting dialkyldihalosilane formation during direct method alkylhalosilane production | |
| JP2744106B2 (ja) | アルキルハロゲノシランの製造法 | |
| EP1650213B1 (en) | Making of contact mass for organohalosilane preparation and preparation of organohalosilanes | |
| JPS60241934A (ja) | 触媒組成物とその用法 | |
| JPH10109993A (ja) | アルキルハロゲノシランの製造法 | |
| KR100514566B1 (ko) | 할로실란 알킬의 제조 방법 | |
| JP2925273B2 (ja) | アルキルハロゲノシランの製造法 | |
| JP2001114786A (ja) | テトラオルガノオキシシランの製造方法 | |
| JP2000063389A (ja) | メチルクロロシランの直接合成法 | |
| US4824984A (en) | Preparation of a catalyst for composition for the production of organohalosilanes | |
| JPH06298776A (ja) | 有機クロロシランの製造法 | |
| JP3364302B2 (ja) | アルキルハロシランの製造方法 | |
| US5625088A (en) | Process for preparing dimethyldichlorosilane | |
| KR100785674B1 (ko) | 알킬할로실란의 직접 합성을 위한 구리, 인 및 알칼리 금속기재 촉매 조성물 | |
| JPH04297483A (ja) | オルガノハロシラン類の調製方法 | |
| JP2002515504A (ja) | アルキルハロゲノシラン類の製造方法 | |
| JPH1171384A (ja) | アルキルハロシランの製造方法 |