JPH10106981A - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents

研磨装置および研磨方法

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JPH10106981A
JPH10106981A JP8258008A JP25800896A JPH10106981A JP H10106981 A JPH10106981 A JP H10106981A JP 8258008 A JP8258008 A JP 8258008A JP 25800896 A JP25800896 A JP 25800896A JP H10106981 A JPH10106981 A JP H10106981A
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隆 藤田
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勝文 後藤
Kunio Nomoto
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Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨速度および研磨速度のウエハ面内均一性な
どを正確に評価し、研磨量や研磨量のウエハ面内均一性
などを安定させることが可能な研磨装置および研磨方法
を提供する。 【解決手段】平板状試料の供給部２と、平板状試料の研
磨手段６と、研磨後の平板状試料の洗浄手段７と、研磨
量モニタ用の平板状試料の収納部４と、研磨量モニタ用
の平板状試料の被膜の膜厚測定手段５と、研磨量モニタ
用の平板状試料の被膜の膜厚測定結果に基づき製品用の
平板状試料の研磨条件を設定する手段４７および／また
は研磨パッドの交換を判断する手段４５を備える研磨装
置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、その表面に被膜を
有するウエハやガラス基板などの平板状試料を研磨する
研磨装置および研磨方法に関し、特にＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing）法により絶縁膜などを研磨す
る研磨装置および研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ等の平板状試料を逐次研磨する場
合、あらかじめ研磨速度を測定しておき、その研磨速度
に基づいて研磨時間を見積もり、この研磨時間で研磨す
る方法が一般に行われている。この方法によれば、研磨
速度およびそのウエハ面内均一性が経時的に安定してい
る場合には、長時間ウエハを安定して研磨することがで
きる。
【０００３】しかし、研磨速度は、研磨パッドの経時変
化や研磨スラリの品質のばらつきなどにより変化する。
そのため、研磨量を高精度に管理する必要がある場合や
研磨速度の経時変化が大きい場合には、研磨速度の経時
変化を考慮する必要がある。
【０００４】この研磨速度の経時変化を考慮する方法と
して、段差形状のある被膜を備えたウエハを逐次研磨す
る際、研磨前後の被膜の膜厚を測定し、研磨速度を求
め、研磨時間を再設定する方法が提案されている（特開
平８−１７７６８号公報）。
【０００５】この方法によれば、研磨速度の経時変化に
合わせて研磨時間を変化させていくので、研磨量を一定
に保つことができる。
【０００６】しかし、この方法では、研磨を施されて製
品となるウエハ（以下、「製品ウエハ」と呼ぶ。）、す
なわち段差形状のある被膜を備えたウエハが研磨速度の
測定に用いられている。そのため、以下のような問題が
生じていた。
【０００７】製品ウエハ上には微細なパターンが形成
されているため、位置が少しずれると、例えばシリコン
からアルミニウムというように被膜の下地が変化する。
そのため、測定位置にずれがあると膜厚の測定値は不正
確になる。
【０００８】段差部によっては、測定位置が少しずれ
ると、膜厚が大幅に変化する。そのため、膜厚を正確に
測定することが難しい。
【０００９】最近、例えば反射防止膜などとして被膜
の下地にＴｉＮなどの中間膜が用いられることが多くな
っている。この場合、この中間膜の存在により膜厚の測
定精度が悪くなる。
【００１０】すなわち、研磨速度の測定に製品ウエハを
用いた場合、膜厚の測定値が不正確になるおそれが大き
いという問題があった。膜厚の測定値が不正確な場合、
研磨量（研磨速度）の評価が不正確になり、研磨時間を
正確に決めることができなくなるので、目的とする適切
な研磨量を得られなくなる。
【００１１】上記測定上の問題を避けるため、製品ウエ
ハの段差部のない周辺部で膜厚測定することが考えられ
る。しかし、ウエハ周辺部の膜厚測定のみでは、重要な
ウエハ中央部の研磨状況の評価ができない。また、重要
な指標である研磨量のウエハ面内均一性の評価もできな
い。
【００１２】また、研磨装置において研磨パッドを交換
した場合、次のような試運転を経て製品ウエハの研磨処
理が開始されている。
【００１３】まず、ウエハの研磨状況を安定させるた
め、ならし研磨が行われる。これは、シリコンウエハ等
のならし研磨用のダミーウエハ（以下、「ダミーウエ
ハ」と呼ぶ）を試料台に載置して研磨を続けて研磨パッ
ドに研磨スラリを十分になじませる処理である。
【００１４】次に、研磨量モニタ用の被膜を備えたウエ
ハ（以下、「モニタウエハ」と呼ぶ。）を用いて研磨状
況が安定したか否かがチェックされる。チェックは以下
のようにして行われる。あらかじめ被膜の膜厚が測定さ
れたモニタウエハを研磨する。このモニタウエハを洗浄
した後、光学式の膜厚計などを用いて被膜の膜厚を測定
し、研磨量および研磨速度を求める。あらかじめ求めて
おいたモニタウエハの研磨速度と製品ウエハの研磨速度
の比較換算表を用いて、モニタウエハの研磨速度から製
品ウエハの研磨時間を算出する。そして、製品ウエハの
研磨時間が装置に入力され、製品ウエハの研磨処理が開
始される。
【００１５】しかし、上記の工程は、人が関与する部分
が多く、効率が悪いという問題があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものであり、定常的な研磨
において、研磨パッドや研磨スラリの劣化などに起因す
る研磨速度などの経時変化に対して、研磨速度などを正
確に評価し、研磨量や研磨量のウエハ面内均一性などを
安定させることが可能な研磨装置および研磨方法を提供
することを目的としている。
【００１７】また、研磨パッドを交換した場合のならし
研磨を含む工程を効率良く行うことが可能な研磨装置お
よび研磨方法を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】第１発明の研磨装置は、
被膜を有する平板状試料を研磨する研磨装置であって、
平板状試料の供給部と、平板状試料の研磨手段と、研磨
後の平板状試料の洗浄手段とを備え、さらに研磨量モニ
タ用の平板状試料の収納部と、研磨量モニタ用の平板状
試料の被膜の膜厚測定手段と、研磨量モニタ用の平板状
試料の被膜の膜厚測定結果に基づき製品用の平板状試料
の研磨条件を設定する手段を備えることを特徴としてい
る。
【００１９】第２発明の研磨装置は、被膜を有する平板
状試料を研磨する研磨装置であって、平板状試料の供給
部と、平板状試料の研磨手段と、研磨後の平板状試料の
洗浄手段とを備え、さらに研磨量モニタ用の平板状試料
の収納部と、研磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜厚
測定手段と、研磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜厚
測定結果に基づき研磨パッドの交換を判断する手段を備
えることを特徴としている。
【００２０】第３発明の研磨装置は、被膜を有する平板
状試料を研磨する研磨装置であって、平板状試料の供給
部と、平板状試料の研磨手段と、研磨後の平板状試料の
洗浄手段とを備え、さらに研磨量モニタ用の平板状試料
の収納部と、研磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜厚
測定手段と、研磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜厚
測定結果に基づき製品用の平板状試料の研磨開始を判断
する手段を備えることを特徴としている。
【００２１】第４発明の研磨装置は、上記第１発明から
第３発明のいずれかの研磨装置であって、研磨量モニタ
用の平板状試料の収納部から、平板状試料の研磨手段、
研磨後の平板状試料の洗浄手段および研磨量モニタ用の
平板状試料の被膜の膜厚測定手段を経て、元の研磨量モ
ニタ用の平板状試料の収納部へ研磨量モニタ用の平板状
試料を搬送する搬送手段を備えることを特徴としてい
る。
【００２２】第５発明の研磨方法は、第１発明の研磨装
置を用いた研磨方法であって、被膜を有する複数の製品
用の平板状試料を逐次研磨する際、研磨量モニタ用の平
板状試料の被膜を研磨し、洗浄した後、被膜の膜厚を測
定し、この膜厚測定結果に基づいて製品用の平板状試料
の研磨条件の設定を行うことを特徴としている。
【００２３】第６発明の研磨方法は、第２発明の研磨装
置を用いた研磨方法であって、被膜を有する複数の製品
用の平板状試料を逐次研磨する際、研磨量モニタ用の平
板状試料の被膜を研磨し、洗浄した後、被膜の膜厚を測
定し、この膜厚測定結果に基づいて研磨パッドの交換の
判断を行うことを特徴としている。
【００２４】第７発明の研磨方法は、第３発明の研磨装
置を用いた研磨方法であって、研磨パッドを交換した
後、ならし研磨用のダミー平板状試料を研磨し、次に研
磨量モニタ用の平板状試料の被膜を研磨し、洗浄して、
被膜の膜厚を測定し、この研磨量モニタ用の平板状試料
の被膜の膜厚測定結果に基づいて製品用の平板状試料の
研磨開始を判断することを特徴としている。
【００２５】なお、前述したように、製品用の平板状試
料とは、その表面にデバイスが形成される平板状試料で
あり、配線パターンなどの段差のある被膜を表面に備え
た試料である。研磨量モニタ用の平板状試料とは、研磨
状況の評価用として用いる平板状試料であり、熱酸化膜
や、例えばＳｉＨ4−Ｏ2系プラズマ酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ
膜）やＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate : Si(OC
2H5)4 ）−Ｏ2系プラズマ酸化膜（Ｐ−ＴＥＯＳ膜）等
のプラズマ酸化膜などの被膜が表面に形成された試料で
ある。なお、本発明の研磨量モニタ用の平板状試料は、
パターンのない平坦な被膜を備える試料であり、被膜の
膜厚は均一であることが好ましい。
【００２６】第１発明および第２発明の研磨装置は、平
板状試料の供給部とは別に研磨量モニタ用の平板状試料
の収納部を備えている。そのため、通常の研磨処理の際
には平板状試料の供給部から製品用の平板状試料を供給
し、研磨状況をモニタする際には研磨量モニタ用の平板
状試料の収納部から研磨量モニタ用の平板状試料を供給
することができる。
【００２７】また、平板状試料の研磨手段と、研磨後の
平板状試料の洗浄手段と、研磨量モニタ用の平板状試料
の被膜の膜厚測定手段とを備えているので、研磨量モニ
タ用の平板状試料を用いて正確に研磨量を測定すること
ができる。
【００２８】さらに、第１発明の研磨装置にあっては研
磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜厚測定結果に基づ
き製品用の平板状試料の研磨条件を設定する手段を、ま
た第２発明の研磨装置にあっては研磨量モニタ用の平板
状試料の被膜の膜厚測定結果に基づき研磨パッドの交換
を判断する手段を備えている。
【００２９】そのため、第１発明の研磨装置にあって
は、研磨量モニタ用の平板状試料を用いることにより得
られた正確な研磨量（研磨速度）や研磨量（研磨速度）
の平板状試料の面内均一性などから、製品用の平板状試
料の研磨条件を適切に設定することができる。
【００３０】すなわち、第５発明の研磨方法を実施する
ことが可能であり、製品用の平板状試料の研磨量や研磨
量の試料面内均一性などを安定させることができる。
【００３１】また、第２発明の研磨装置にあっては、研
磨量モニタ用の平板状試料を用いることにより得られた
正確な研磨量（研磨速度）や研磨量（研磨速度）の平板
状試料の面内均一性などから、研磨パッドの交換の要否
を的確に判断することができる。
【００３２】すなわち、第６発明の研磨方法を実施する
ことが可能であり、製品用の平板状試料の研磨量や研磨
量の試料面内均一性などを安定させることができる。
【００３３】また、上記第１発明および第２発明の研磨
装置にあっては、研磨量モニタ用の平板状試料の収納部
を特に装置内に設けたので、研磨量モニタ用の平板状試
料の管理が容易になり、研磨量モニタの工程を製品用の
平板状試料の研磨工程に適宜組み込むことができる。
【００３４】第３発明の研磨装置は、第１発明の研磨装
置の製品用の平板状試料の研磨条件を設定する手段およ
び第２発明の研磨パッドの交換を判断する手段に代え
て、製品用の平板状試料の研磨開始を判断する手段を備
えている。
【００３５】この研磨装置によれば、第７発明の研磨方
法を実施することができる。すなわち、研磨パッドを交
換した後、平板状試料の供給部からならし研磨用のダミ
ー平板状試料を供給し、これを研磨し、研磨パッドに研
磨スラリを十分になじませる。次に研磨量モニタ用の平
板状試料の収納部から研磨量モニタ用の平板状試料を供
給し、これを研磨し、洗浄した後、被膜の膜厚を測定す
る。そしてこの研磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜
厚測定結果に基づいて製品用の平板状試料の研磨開始を
判断することができる。
【００３６】そのため、研磨パッドを交換した場合のな
らし研磨を含む工程をほとんど人が介入することなく効
率良く行うことができる。また、研磨量（研磨速度）を
正確に評価できるので、製品用の平板状試料の研磨開始
の際、製品用ウエハの研磨条件を適切に決定することが
できる。
【００３７】第４発明の研磨装置は、研磨量モニタ用の
平板状試料を研磨量モニタ用の平板状試料の収納部の元
の位置に戻すことができる。そのため、研磨量モニタ用
の平板状試料上の被膜の膜厚を厚くしておくことによ
り、研磨量モニタ用の平板状試料を繰り返し使用するこ
とができる。その結果、研磨量モニタ用の平板状試料の
効率良く使用でき、また研磨量モニタ用ウエハの研磨装
置への搬入および搬出の回数を減らし、研磨装置の稼働
率を向上させることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。以下、製品用のウエハを製品ウエハ、研
磨量モニタ用のウエハをモニタウエハ、ダミー用のウエ
ハをダミーウエハと呼ぶ。
【００３９】（実施の形態１）図１は、本発明の研磨装
置の１例を示すブロック図である。この研磨装置は、研
磨装置本体１と、これを制御する装置制御用計算機８と
からなっている。
【００４０】研磨装置本体１は、ウエハ供給部２と、モ
ニタウエハ収納部４と、膜厚測定手段５と、研磨手段６
と、洗浄手段７と、ウエハ搬送手段１１とを備えてい
る。
【００４１】装置制御用計算機８の処理モードの指示に
従い、研磨装置本体１の各部は協調して動作するように
構成されている。処理モードとして、例えば製品ウエハ
研磨処理、モニタウエハ収納処理、モニタウエハ研磨処
理、モニタウエハ回収処理などが設定される。
【００４２】製品ウエハ研磨処理モードは、製品ウエハ
を研磨処理するモードである。製品ウエハは、ウエハ供
給部２に置かれた製品ウエハカセットから研磨手段６、
洗浄手段７へ搬送され、研磨および洗浄処理を施され、
ウエハ供給部２の製品ウエハカセットに戻される。
【００４３】モニタウエハ収納処理モードは、モニタウ
エハをモニタウエハ収納部４に収納するモードである。
モニタウエハは、ウエハ供給部２に置かれたモニタウエ
ハカセットから膜厚測定手段５へ搬送され、被膜の膜厚
を測定されて後、モニタウエハ収納部４へ収納される。
【００４４】モニタウエハ研磨処理モードは、モニタウ
エハを研磨して研磨量を測定するモードである。モニタ
ウエハは、モニタウエハ収納部４から研磨手段６、洗浄
手段７へ搬送され、研磨および洗浄処理を施され、膜厚
測定手段５へ搬送され、被膜の膜厚を測定されて後、モ
ニタウエハ収納部４へ戻される。
【００４５】モニタウエハ回収処理モードは、モニタウ
エハをモニタウエハ収納部４から空のモニタウエハカセ
ットへ回収するモードである。モニタウエハは、モニタ
ウエハ収納部４からウエハ供給部２に置かれた空のモニ
タウエハカセットへ搬送され、回収される。
【００４６】装置制御用計算機８は、研磨状況指標演算
部４２と、研磨状況判断部４３と、一時停止指示部４４
と、パッド交換判断部４５と、パッド交換指示部４６
と、研磨条件設定部４７と、装置制御部４８と、モード
選択部４９とを備えている。
【００４７】研磨状況指標演算部４２は、膜厚記憶部と
演算部とを備えている。膜厚記憶部は、膜厚測定手段５
にて求められた被膜の膜厚を記憶するものであり、演算
部は、膜厚記憶部に記憶されている研磨前の膜厚および
研磨後の膜厚から研磨量および研磨量を演算する指標
（以下、これを研磨状況指標と呼ぶ。）を算出するもの
である。
【００４８】研磨状況判断部４３は、研磨状況指標が許
容範囲内にあるか否かを判断するものである。すなわ
ち、研磨状況に不具合がないかどうか、すなわち研磨が
適正かどうかを判断する。一時停止指示部４４は、研磨
状況指標が許容範囲内にない場合、装置の一時停止を指
示するものである。
【００４９】パッド交換判断部４５は、この研磨状況指
標から研磨パッドを交換するか否かを判断するものであ
る。パッド交換指示部４６は、研磨パッドを交換すると
の判断の場合に、研磨パッド交換の指示を出すものであ
る。
【００５０】研磨条件設定部４７は、製品ウエハの研磨
条件を設定するものである。まず、研磨状況指標から研
磨条件の変更が必要か否かを判断する。研磨条件の変更
が必要と判断した場合に、研磨条件を変更する。
【００５１】モード選択部４９は、前述の製品ウエハ研
磨処理、モニタウエハ収納処理、モニタウエハ研磨処
理、モニタウエハ回収処理などから処理モードを選択す
るものである。装置制御部４８は、これらの指示に基づ
き、研磨装置本体１に動作を指示するものである。
【００５２】研磨状況指標について説明する。研磨状況
指標として、例えば、研磨量、研磨量のウエハ面内均一
性、研磨量のバッチ内均一性、研磨形状傾向値、平均研
磨速度などを用いることができる。なお、ここでは、複
数枚のウエハを同時に研磨できる装置の場合１回の研磨
を１バッチと呼ぶこととする。
【００５３】図４は、ウエハ上の測定点の１例を示すも
のである。ウエハテーブル上には５枚のウエハが載置さ
れ、１バッチで５枚のウエハの研磨が可能である。ま
た、ウエハ上には、膜厚の測定点が１７点設けられてい
る。
【００５４】研磨量ｘij（i=1〜5、j=1〜17）は、研磨
前の膜厚および研磨後の膜厚から求められる。ここで、
ｉは１バッチの５枚のウエハ、ｊはウエハ上の測定点を
示す。
【００５５】また、ウエハ毎の平均研磨量ｘi、１バッ
チの平均研磨量ｘ、ウエハ毎のウエハ面内の均一性σ
i、バッチ内均一性Ｓ、研磨形状傾向値Ｋi、平均研磨速
度Ｒpは式（１）〜式（１０）により算出すれば良い。
ここで、ｍａｘは（）内の最大値、ｍｉｎは（）内の最
小値である。また、ｔmonはモニタウエハの研磨時間で
ある。なお、研磨形状傾向値は、この定義式からわかる
ように、ウエハ中央部とウエハ周辺部の研磨量の差の傾
向を見るものである。
【００５６】
【数１】
【００５７】次に、本発明の研磨方法について説明す
る。
【００５８】図２は、本発明の研磨方法の１例を説明す
るフローチャートである。
【００５９】(1)モニタウエハの被膜の膜厚をあらかじ
め測定する（ステップＳ１）。この膜厚は、モニタウエ
ハの研磨前の膜厚として装置制御用計算機８の研磨状況
指標演算部４２に記憶される。
【００６０】なお、この測定は、上述のモニタウエハ収
納処理の際に行われ、研磨パッド交換後の試運転時など
に行われることが多い。既に、研磨パッド交換後の試運
転時に行われている場合は、このステップＳ１はとばし
て良い。
【００６１】(2)製品ウエハの研磨条件を初期設定する
（ステップＳ２）。この研磨条件として、研磨パッド交
換後の試運転の結果により決定された研磨条件などを用
いれば良い。
【００６２】(3)製品ウエハの研磨条件が装置（装置制
御部４８）に読み込まれる（ステップＳ３）。
【００６３】(4)読み込まれた研磨条件にしたがって、
製品ウエハを研磨し、洗浄する（ステップＳ４）。
【００６４】(5)研磨状況をモニタするか否かを判断す
る（ステップＳ５）。この判断は、製品ウエハの処理枚
数などで決めるようにすれば良い。例えば、製品ウエハ
を５０枚（２カセット）処理する毎にモニタするなどと
決めれば良い。
【００６５】モニタしない場合、製品ウエハの処理（ス
テップＳ４）に戻る。
【００６６】モニタする場合、モニタウエハの処理（ス
テップＳ６）に進む。
【００６７】(6)所定の研磨条件にしたがって、モニタ
ウエハを研磨し、洗浄する（ステップＳ６）。モニタウ
エハの研磨条件は、製品ウエハの研磨条件と異ならせて
も良いし、同じにしても良い。
【００６８】(7)モニタウエハの被膜の膜厚を測定する
（ステップＳ７）。
【００６９】(8)膜厚の測定結果から、モニタウエハの
研磨状況指標を算出する（ステップＳ８）。上述した研
磨量、研磨量のウエハ面内均一性、研磨量のバッチ内均
一性、研磨形状傾向値、平均研磨速度などを算出する。
【００７０】(9)研磨状況が許容範囲内にあるか否かを
判断する（ステップＳ９）。
【００７１】図３は、この研磨状況が許容範囲内にある
か否かを判断するフローチャートの１例である。研磨量
のウエハ面内均一性σi、研磨量のバッチ内均一性Ｓ、
研磨形状傾向値Ｋiにより、研磨状況に不具合がないか
を判断するものである。
【００７２】例えば、研磨量のウエハ面内均一性(σi＜
４％)、バッチ内均一性(Ｓ＜±２％)および研磨形状傾
向値(Ｋi＜±５％)が満たされているかどうかを評価す
る。そして、これらの指標のいずれかが許容範囲内にな
い場合、エラーを表示し処理を一時停止する。これらの
指標がすべて許容範囲内にある場合、研磨パッドを交換
するか否かの判断（図１のステップＳ１０）に進む。
【００７３】(10)研磨状況指標から研磨パッドの交換が
必要か否かを判断する（ステップＳ１０）。例えば、平
均研磨速度Ｒpが所定の範囲内にあるか否かにより、判
断すれば良い。
【００７４】研磨パッドを交換すると判断した場合、処
理を一時停止する。研磨パッドの交換を含む試運転（ス
テップＳ１１）を行い、モニタウエハの研磨前膜厚測定
（ステップＳ１）に戻り、処理を再開する。
【００７５】研磨パッドを交換しないと判断した場合、
製品ウエハの研磨条件変更の判断（ステップＳ１２）に
進む。
【００７６】(11)研磨状況指標から製品ウエハの研磨条
件変更が必要か否かを判断する（ステップＳ１２）。例
えば、研磨パッドの交換の判断と同じく、平均研磨速度
Ｒpが所定の範囲内にあるか否かにより、判断すれば良
い。
【００７７】製品ウエハの研磨条件変更が必要と判断し
た場合、製品ウエハの研磨条件変更（ステップＳ１３）
にて製品ウエハの研磨条件を適正な条件に変更する。そ
の後、この研磨条件を読み込み（ステップＳ３）、製品
ウエハの研磨処理（ステップＳ４）を再開する。
【００７８】製品ウエハの研磨条件変更が不要と判断し
た場合、製品ウエハの研磨条件を変更せず、製品ウエハ
の研磨処理（ステップＳ４）を再開する。
【００７９】製品ウエハの研磨条件変更（ステップＳ１
３）における研磨条件の変更は、例えば研磨時間の変更
などによれば良い。その場合、あらかじめ求めておいた
モニタウエハの被膜の平均研磨速度と製品ウエハの被膜
の平均研磨速度の換算関数ｆを用いて、モニタウエハの
平均研磨速度Ｒpから製品ウエハの平均研磨速度Ｒp’を
求める。さらに目標研磨量ｘaimを製品ウエハの平均研
磨速度Ｒp’で割り、適正研磨時間ｔpを求める（式（１
１））。そして、製品ウエハの研磨時間を適正研磨時間
ｔpに設定すれば良い。
【００８０】
【数２】
【００８１】研磨パッド交換判断（ステップＳ９）と研
磨条件変更判断（ステップＳ１０）を平均研磨速度Ｒp
により行う判定方法の１例について説明する。
【００８２】図５は、平均研磨速度Ｒpによる判定方法
の１例を説明する模式図である。平均研磨速度の目標値
Ｒaimに対して、レベル１、レベル２およびレベル３の
範囲を設定する。そして、次のような判断をすれば良
い。
【００８３】平均研磨速度Ｒpがレベル３の範囲にある
とき、研磨パッドの交換を指示する。平均研磨速度がＲ
pがレベル２の範囲にあるとき、研磨パッドの交換はし
ないが、製品ウエハの研磨時間の変更は行う。平均研磨
速度Ｒpがレベル１の範囲にあるときは、研磨パッドの
交換をせず、また製品ウエハの研磨時間の変更もしな
い。
【００８４】上述した研磨装置および研磨方法によれ
ば、研磨量を正確に測定することが容易なモニタウエハ
を用いて研磨量を測定するので、研磨状況を正確に評価
することができる。そのため、研磨パッドや研磨スラリ
の劣化などに起因する研磨速度などの研磨状況の経時変
化に対して、研磨条件の変更や研磨パッドの交換により
対応することができるので、研磨量や研磨量のウエハ面
内均一性などを安定させることができる。
【００８５】なお、この例は、第１発明の研磨装置と第
２発明の研磨装置を組み合わせた装置、および、第５発
明の研磨方法（研磨条件の変更判断）と第６発明の研磨
方法（研磨パッドの交換判断）が組合わせた方法の例で
あるが、それぞれ個別に実施しても所定の効果が得られ
ることは言うまでもない。
【００８６】例えば、研磨条件を設定する手段のみを備
え、研磨条件の変更判断および設定のみ行う研磨装置お
よび研磨方法の場合、通常の操業工程において、製品ウ
エハの研磨量や研磨量のウエハ面内均一性などを安定さ
せることができる。
【００８７】また、研磨パッドの交換を判断する手段の
みを備え、研磨パッドの交換判断のみ行う研磨装置およ
び研磨方法の場合、研磨パッドの劣化を適切に判断し、
それにより、製品ウエハの研磨量や研磨量のウエハ面内
均一性などを安定させることができるのである。
【００８８】この例では、図２のフローチャートに示す
ように、研磨状況判断（ステップＳ９）を設けている。
この研磨状況判断を設けることにより、研磨状況に不具
合がないかをまず判断し、不具合のある場合には処理を
一時停止し、不具合を解消することができる。その結
果、製品ウエハの研磨量や研磨量のウエハ面内均一性な
どをより安定させることができる。
【００８９】この例では、研磨パッド交換判断（ステッ
プＳ１０）および研磨条件変更判断（ステップＳ１２）
には、平均研磨速度を用いたが、例えば研磨状況判断
（ステップＳ９）で説明した種々の研磨状況指標などを
用いても良い。逆に、研磨状況判断（ステップＳ９）
で、平均研磨速度などその他の指標を判断に用いても良
いことは言うまでもない。
【００９０】（実施の形態２）本発明の研磨装置および
研磨方法の他の実施の形態について説明する。
【００９１】図６は、本発明の研磨装置の他の例を示す
ブロック図である。この研磨装置は、研磨パッド交換後
の試運転を自動で実施するものである。この研磨装置
は、実施の形態１の装置と同じく、研磨装置本体１と、
これを制御する装置制御用計算機８とからなっている。
【００９２】この研磨装置は、装置制御用計算機８内の
判断手段とモード選択部で選択される処理モードの種類
が、実施の形態１の装置と異なっている。
【００９３】装置制御用計算機８は、研磨状況指標演算
部４２と、研磨開始判断部５０と、一時停止指示部５１
と、研磨条件初期設定部５２と、装置制御部４８と、モ
ード選択部４９とを備えている。
【００９４】研磨状況指標演算部４２は、実施の形態１
の装置のそれと同じく、膜厚記憶部と演算部とを備え、
研磨前の被膜の膜厚と研磨後の膜厚とから研磨量等の研
磨状況指標を演算するものである。
【００９５】研磨開始判断部５０は、この研磨状況指標
が許容範囲内にあるか否かにより製品ウエハの研磨を開
始を判断するものである。一時停止指示部５１は、研磨
開始判断部５０の判断により、装置の一時停止の指示を
出すものである。
【００９６】研磨条件初期設定部５２は、製品ウエハの
研磨開始の際、製品ウエハの研磨条件を設定するもので
ある。
【００９７】モード選択部４９は、処理モードを選択す
るものであり、処理モードとして前述の製品ウエハ研磨
処理、モニタウエハ収納処理、モニタウエハ研磨処理、
モニタウエハ回収処理に加え、ダミーウエハ研磨処理が
設けられている。
【００９８】ダミーウエハ研磨処理モードは、ダミーウ
エハによりならし研磨するモードである。ダミーウエハ
は、ウエハ供給部２に置かれたダミーウエハカセットか
ら研磨手段６、洗浄手段７へ搬送され、研磨および洗浄
処理を施され、ウエハ供給部２のダミーウエハカセット
に戻される。
【００９９】装置制御部４８は、実施の形態１の装置の
それと同じく、研磨装置本体１に処理モードや研磨条件
などの指示し動作させるものである。
【０１００】図７は、本発明の研磨方法を説明するフロ
ーチャートである。このフローチャートは、研磨パッド
交換時の試運転を説明するものである。
【０１０１】(1)研磨パッドを交換する（ステップＳ３
１）。
【０１０２】(2)モニタウエハの被膜の膜厚をあらかじ
め測定する（ステップＳ３２）。この膜厚を装置制御用
計算機８の研磨状況指標演算部４２に記憶させる。
【０１０３】(3)ダミーウエハを所定のバッチ数処理す
る（ステップＳ３３）。研磨パッドに研磨スラリを十分
になじませる。このバッチ数は、経験的に決めれば良
い。
【０１０４】(4)所定の研磨条件にしたがって、モニタ
ウエハを研磨し、洗浄する（ステップＳ３４）。
【０１０５】(5)モニタウエハの被膜の膜厚を測定する
（ステップＳ３５）。膜厚測定は、光学式の膜厚計など
によれば良い。
【０１０６】(6)膜厚の測定結果から、モニタウエハの
研磨状況指標を算出する（ステップＳ３６）。研磨量、
研磨量のウエハ面内均一性、研磨量のバッチ内均一性、
研磨形状傾向値、平均研磨速度などの研磨状況指標を算
出する。
【０１０７】(7)研磨状況指標が許容範囲内にあるか否
かにより製品ウエハの研磨開始を判断する（ステップＳ
３７）。この判断は、例えば図３の研磨状況判断と同様
のフローチャートに従って行えば良い。研磨状況指標が
許容範囲内にない場合、装置を一時停止し、例えば研磨
パッドの取付状況などを確認する。
【０１０８】(8)製品ウエハの研磨条件を設定する（ス
テップＳ３８）。例えば研磨条件の設定として研磨時間
を設定する場合、適正研磨時間ｔp（式（１１））を研
磨時間として設定するなどすれば良い。
【０１０９】(9)試運転を終了し、製品ウエハの研磨処
理を開始する。
【０１１０】上述した研磨装置および研磨方法によれ
ば、研磨パッドを交換した場合のならし研磨を含む工程
をほとんど人が介入することなく効率良く行うことがで
きる。また、研磨量を正確に測定することが容易なモニ
タウエハを用いて研磨量を測定するので、研磨状況を正
確に評価することができる。そのため、研磨量（研磨速
度）を正確に評価できるので、製品用の平板状試料の研
磨開始の際、製品用ウエハの研磨条件を適切に決定する
ことができる。
【０１１１】（実施の形態３）本発明の他の実施の形態
について説明する。この実施の形態は、上記の実施の形
態１と実施の形態２とを組み合わせた研磨装置であり、
それぞれの研磨方法を実施できるものである。また、こ
こでは、モニタウエハ収納部４の配置や、モニタウエハ
研磨処理などのいくつかの処理モードのウエハフローに
ついて、研磨装置の模式的な平面図を用いて、具体的に
説明する。
【０１１２】図８は、本発明の研磨装置の実施例を示す
ブロック図である。この研磨装置は、研磨装置本体１
と、これを制御する装置制御用計算機８とからなってい
る。
【０１１３】研磨装置本体１は、ウエハ供給部２ａ、２
ｂ、２ｃと、モニタウエハ収納部４と、膜厚測定手段５
と、研磨手段６と、洗浄手段７と、ウエハ搬送手段１１
とを備えている。研磨装置本体１の各部は、装置制御用
計算機８の処理モードの指示に従い協調して動作するよ
うに構成されている。
【０１１４】装置制御用計算機８は、図１の定常的な製
品ウエハの研磨工程である操業工程における判断手段Ａ
と図１１の研磨パッド交換後の試運転の工程における判
断手段Ｂの双方を切り替えられる構成となっている。そ
のため、定常的な製品ウエハの研磨工程にも研磨パッド
交換後の試運転にも対応することができる。
【０１１５】処理モードとしては、前述の製品ウエハ研
磨処理、モニタウエハ収納処理、モニタウエハ研磨処
理、モニタウエハ回収処理、ダミーウエハ研磨処理など
が設定されている。
【０１１６】図９は、本発明の研磨装置の実施例を示す
模式的平面図である。
【０１１７】装置前面には、製品ウエハ処理時に製品ウ
エハカセットが載置されるカセットポート２ａ、２ｂお
よびダミーウエハカセットが載置されるカセットポート
２ｃが設けられている。製品ウエハカセットは、装置手
前のカセット搬送装置３０により自動的に搬送されて載
置される。ダミーウエハカセットは、ダミーウエハ研磨
処理のときにダミーウエハを供給する以外に、製品ウエ
ハ研磨処理のときには、５枚処理時（後述）において製
品ウエハに不足が生じた場合に、ダミーウエハを供給し
それを補う役割を持っている。
【０１１８】装置左手内部には、モニタウエハ収納ポー
ト(カセット)４が設けられている。モニタウエハ収納ポ
ート４は２５枚のウエハを収納できる。
【０１１９】研磨部６には、ウエハが保持されるウエハ
テーブル２１が配設されている。ウエハテーブル２１の
上部には研磨パッドが取り付けられた研磨定盤（図示せ
ず）が配設されている。ウエハテーブル２１はウエハ保
持部２６が５つ設けられており、ウエハを５枚同時に研
磨できる構成となっている。
【０１２０】装置右側には、洗浄部７が設けられてい
る。この洗浄部７には、スクラブ洗浄部およびスピン乾
燥部が配設されている。スクラブ洗浄部では、ポリビニ
ルアルコール（ＰＶＡ）で作製されたスポンジを純水を
供給しながらウエハに接触させて洗浄する。スピン乾燥
部では、ウエハを高速自回転させ、ウエハ上の純水を吹
き飛ばすことで、ウエハを乾燥させる。
【０１２１】装置左側には、膜厚測定部５が設けられて
いる。
【０１２２】図１０は、この膜厚測定部の模式図であ
る。
【０１２３】膜厚測定部５は、光学干渉式のものであ
り、分光器６１、鏡筒６２、光源６３、対物レンズ６
４、オリフラ位置合わせ機構６５、ウエハ保持台６６
と、ハーフミラー６７とを備えている。ウエハ保持台６
６は、回転機構、水平方向のスライド機構および昇降機
構を備えており、ウエハの任意の点を測定できる。
【０１２４】モニタウエハＳは、オリフラ位置合わせ機
構６５およびウエハセンタリング機構（図示せず）によ
り位置決めされる。その後、装置制御用計算機８の指示
による所定の測定位置が走査され、膜厚が測定される。
測定された膜厚は、装置制御用計算機８に送られて、記
憶される。
【０１２５】この研磨装置のそれぞれ処理モードのウエ
ハフロー、すなわちモニタウエハ収納処理、製品ウエハ
研磨処理、モニタウエハ研磨処理、モニタウエハ回収処
理、およびダミーウエハ研磨処理のウエハフローについ
て説明する。
【０１２６】図１１は、モニタウエハ収納処理のウエハ
フローを示す模式図である。
【０１２７】カセット搬送装置３０により、モニタウエ
ハの入ったウエハカセット７４が搬送され、カセットス
テージ２ａに置かれる。次に搬送ロボット１１ａにより
このカセット７４からモニタウエハが取り出され、膜厚
測定部５へ搬送される。
【０１２８】この膜厚測定部５において膜厚が測定さ
れ、この膜厚測定結果が装置制御用計算機８に記憶され
る。膜厚測定が終わったウエハは、搬送ロボット１１ａ
によってウエハステージ１３に置かれ、搬送ロボット１
１ｃにてウエハステージ１３からモニタウエハ専用ポー
ト４へ搬送される。
【０１２９】この動作を２５回繰り返し、モニタウエハ
専用ポート４に２５枚のモニタウエハが蓄積される。な
お、この動作は、研磨パッド交換等のメンテナンス時に
行えば良い。
【０１３０】図１２は、製品ウエハ研磨処理のウエハフ
ローを示す模式図である。
【０１３１】カセット搬送装置３０により、製品ウエハ
の入ったウエハカセット７１、７２が搬送され、カセッ
トポート２ａ、２ｂに置かれる。
【０１３２】製品ウエハは、搬送ロボット１１ａにより
カセット７１、７２から取り出されウエハステージ１３
に載置される。なお、図８では、カセット７１から製品
ウエハが取り出される場合を示している。そして搬送ロ
ボット１１ｃによりウエハステージ１３からウエハロー
ドリフト２２へ搬送される。
【０１３３】製品ウエハは、ウエハロードリフト２２に
よりセンタリングされ、ロード側の搬送アーム２３によ
りウエハテーブル２１上のウエハ保持部２６へ搬送さ
れ、真空吸着などにより保持される。
【０１３４】ウエハテーブル２１は１／５回転され、同
様に次のウエハが搬送されウエハ保持部２６に保持され
る。これを５回繰り返し、全てのウエハ保持部２６にウ
エハが保持される。
【０１３５】研磨パッドの取り付けられた研磨定盤が降
下し、スラリが供給されつつ研磨定盤およびウエハテー
ブルのいずれか一方または両方が回転し、製品ウエハの
表面が研磨される。
【０１３６】研磨終了後、洗浄手段２７により製品ウエ
ハの表面がスクラブ洗浄され、アンロード側の搬送アー
ム２５によりウエハ保持部２６から取り外され、アンロ
ードリフト２４へ搬送される。搬送ロボット１１ｄによ
って搬出待機ポート（カセット）２９へ搬送される。
【０１３７】ウエハテーブル２１は１／５回転され、同
様にウエハ保持部２６に保持されていた次のウエハが、
搬出待機ポート２９へ搬送される。これを５回繰り返
し、ウエハ保持部２６に保持されていた研磨後のウエハ
が全て搬出待機ポート２９へ搬送される。
【０１３８】なお、これと同時に搬入側では次のウエハ
をウエハ保持部２６に保持させる工程が行なわれる。
【０１３９】搬出待機ポート２９へ回収されたウエハ
は、順に搬送ロボット１１ｄによって洗浄部７の方へ搬
送され、洗浄され、最後に乾燥される。その後、搬送ロ
ボット１１ｂによりウエハステージ１５に載置され、搬
送ロボット１１ａにより元のカセット７１、７２へ返さ
れる。
【０１４０】図１３は、モニタウエハ研磨処理のウエハ
フローを示す模式図である。
【０１４１】モニタウエハが、搬送ロボット１１ｃによ
ってモニタウエハ収納ポート４から取り出されウエハロ
ードリフト２２に載置される。その後、製品ウエハと同
様に、前述の研磨、洗浄工程を経る。
【０１４２】洗浄工程終了後、搬送ロボット１１ｂによ
りモニタウエハはウエハステージ１５へ載置された後、
搬送ロボット１１ａにより膜厚測定部５へ搬送される。
【０１４３】膜厚測定部５で研磨処理後の膜厚が測定さ
れ、この膜厚測定結果が装置制御用計算機８に送られ
る。
【０１４４】膜厚測定が終わったウエハは、搬送ロボッ
ト１１ａによりウエハステージ１３に置かれ、搬送ロボ
ット１１ｃによりモニタカセット４へ戻される。
【０１４５】図１４は、モニタウエハ回収処理のウエハ
フローを示す模式図である。
【０１４６】モニタウエハは、搬送ロボット１１ｃによ
りモニタウエハ収納ポート４からウエハステージ１３に
置かれ、搬送ロボット１１ａにより、空のウエハカセッ
ト７４に搬送される。
【０１４７】この動作を２５回繰り返し、モニタウエハ
収納ポート４からカセット７４に２５枚のモニタウエハ
を回収する。このモニタウエハ回収の動作もまたモニタ
ウエハ収納の動作と同じく、研磨パッド交換等のメンテ
ナンス時に行えば良い。
【０１４８】図１５は、ダミーウエハ研磨処理のウエハ
フローを示す模式図である。
【０１４９】ダミーウエハのウエハフローは、カセット
ポート２ｃに載置されたダミーウエハカセット７３から
搬送ロボット１１ｂにより取り出されまた戻される以外
は、図１２に示した製品ウエハの研磨処理時のウエハフ
ローと同じである。
【０１５０】これらの１連のウエハフローにより、モニ
タウエハ収納処理、製品ウエハ研磨処理、モニタウエハ
研磨処理、モニタウエハ回収処理、およびダミーウエハ
研磨処理のそれぞれの処理モードを行うことができる。
【０１５１】この例の研磨方法は、図２に示すフローチ
ャートの試運転（ステップＳ１１）に図７に示す試運転
のフローチャートを組み込むものである。すなわち、定
常的な製品ウエハの研磨工程である操業工程は、実施の
形態１で説明した方法により、研磨パッド交換後の試運
転の工程は、実施の形態２で説明した方法により行う。
なお、これらの操業工程と試運転の工程は、装置制御用
計算機８において、操業工程における判断手段Ａと試運
転の工程における判断手段Ｂを切り替えることにより行
われる。
【０１５２】こうすることにより、この研磨装置は操業
工程と試運転の工程を連続的に行うことができる。
【０１５３】なお、実施の形態３の研磨装置の図９から
もわかるように、実施の形態１、２、３のいずれの研磨
装置においても、モニタウエハ研磨処理モードにおい
て、モニタウエハはモニタウエハ収納部の元の位置に戻
すことが可能な構成となっている。また、装置制御用計
算機８の研磨状況指標演算部４２は、膜厚記憶部を備え
ているので、モニタウエハの研磨後の膜厚を記憶するこ
とができる。そこで、研磨状況指標演算後にモニタウエ
ハの研磨後の膜厚を研磨前の膜厚として置き換えて記憶
させることにより、モニタウエハを繰り返し使用し、研
磨量を測定することが可能になる。すなわち、モニタウ
エハ上の被膜を十分に厚くしておけば、モニタウエハの
繰り返し使用が可能になる。その結果、モニタウエハを
効率良く使用でき、またモニタウエハ収納処理および回
収処理の回数を減らし、研磨装置の稼働率を向上させる
ことができる。
【０１５４】また、モニタウエハの被膜の残りの膜厚
が、次の研磨処理の除去量に対して十分にあるかどうか
を判断する手段と、足りないと判断したときにモニタウ
エハの交換を指示する手段を装置制御用計算機８内に備
えることにより、モニタウエハの管理を容易にすること
ができる。
【０１５５】なお、上記の図２および図７のフローチャ
ートでは、モニタウエハ研磨処理による研磨状況指標の
結果は、ただちに製品ウエハの研磨条件および研磨パッ
ド交換に反映されるようになっているが、何バッチか後
の製品ウエハの研磨条件および研磨パッドの交換に反映
させて良いことは言うまでもない。
【０１５６】なお、本発明の研磨装置および研磨方法
は、ＣＭＰ法によるシリコンウエハ上の層間絶縁膜の平
坦化以外に、ブランケットタングステン（Ｗ）の平坦
化、ダマシン法での銅（Ｃｕ）配線の平坦化など種々の
研磨に使用できることは言うまでもない。
【０１５７】
【発明の効果】以上のように、モニタウエハを使用して
研磨状況を定期的にモニタし、研磨条件を変更する、研
磨パッドを交換するなどの処置を行うことで、研磨量や
研磨量のウエハ面内均一性などを安定させることができ
る。その結果、不良品を発生を抑え、歩留まりの良いプ
ロセスを実現できる。
【０１５８】また、研磨パッドを交換した後の試運転を
効率良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の研磨装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の研磨方法を説明するフローチャートで
ある。
【図３】本発明の研磨状況判断を説明するフローチャー
トである。
【図４】ウエハ上の測定点の１例を示す模式図である。
【図５】平均研磨速度Ｒpによる判断方法の１例を説明
する模式図である。
【図６】本発明の研磨装置を示すブロック図である。
【図７】本発明の研磨方法を説明するフローチャートで
ある。
【図８】本発明の研磨装置を示すブロック図である。
【図９】本発明の研磨装置を示す模式的平面図である。
【図１０】本発明の研磨装置の膜厚測定部の模式図であ
る。
【図１１】モニタウエハ収納処理のウエハフローを示す
模式図である。
【図１２】製品ウエハ研磨処理のウエハフローを示す模
式図である。
【図１３】モニタウエハ研磨処理のウエハフローを示す
模式図である。
【図１４】モニタウエハ回収処理のウエハフローを示す
模式図である。
【図１５】ダミーウエハ研磨処理のウエハフローを示す
模式図である。
【符号の説明】
１ 研磨装置本体 ２、２ａ、２ｂ、２ｃ ウエハ供給部（カセットポー
ト） ４ モニタウエハ収納部（モニタウエハ収納ポート） ５ 膜厚測定手段（膜厚測定部） ６ 研磨手段（研磨部） ７ 洗浄手段（洗浄部） ８ 装置制御用計算機 １１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ 搬送ロボット １３、１５ ウエハステージ ２１ ウエハテーブル ２２ ウエハロードリフト ２３ 搬送アーム ２４ ウエハアンロードリフト ２５ 搬送アーム ２９ 搬出待機ポート ３０ カセット搬送装置 ４２ 研磨状況指標演算部 ４３ 研磨状況判断部 ４４ 一時停止指示部 ４５ パッド交換判断部 ４６ パッド交換指示部 ４７ 研磨条件設定部 ４８ 装置制御部 ４９ モード選択部 ６１ 分光器 ６２ 鏡筒 ６３ 光源 ６４ 対物レンズ ６５ オリフラ位置合わせ機構 ６６ ウエハ保持台 ６７ ハーフミラー ７１、７２、７５ 製品ウエハカセット ７３ ダミーウエハカセット ７４ モニタウエハカセット

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】被膜を有する平板状試料を研磨する研磨装
    置であって、平板状試料の供給部と、平板状試料の研磨
    手段と、研磨後の平板状試料の洗浄手段とを備え、さら
    に研磨量モニタ用の平板状試料の収納部と、研磨量モニ
    タ用の平板状試料の被膜の膜厚測定手段と、研磨量モニ
    タ用の平板状試料の被膜の膜厚測定結果に基づき製品用
    の平板状試料の研磨条件を設定する手段を備えることを
    特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項２】被膜を有する平板状試料を研磨する研磨装
    置であって、平板状試料の供給部と、平板状試料の研磨
    手段と、研磨後の平板状試料の洗浄手段とを備え、さら
    に研磨量モニタ用の平板状試料の収納部と、研磨量モニ
    タ用の平板状試料の被膜の膜厚測定手段と、研磨量モニ
    タ用の平板状試料の被膜の膜厚測定結果に基づき研磨パ
    ッドの交換を判断する手段を備えることを特徴とする研
    磨装置。
  3. 【請求項３】被膜を有する平板状試料を研磨する研磨装
    置であって、平板状試料の供給部と、平板状試料の研磨
    手段と、研磨後の平板状試料の洗浄手段とを備え、さら
    に研磨量モニタ用の平板状試料の収納部と、研磨量モニ
    タ用の平板状試料の被膜の膜厚測定手段と、研磨量モニ
    タ用の平板状試料の被膜の膜厚測定結果に基づき製品用
    の平板状試料の研磨開始を判断する手段を備えることを
    特徴とする研磨装置。
  4. 【請求項４】研磨量モニタ用の平板状試料の収納部か
    ら、平板状試料の研磨手段、研磨後の平板状試料の洗浄
    手段および研磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜厚測
    定手段を経て、元の研磨量モニタ用の平板状試料の収納
    部へ研磨量モニタ用の平板状試料を搬送する搬送手段を
    備えることを特徴とする請求項１、請求項２または請求
    項３記載の研磨装置。
  5. 【請求項５】請求項１記載の研磨装置を用いた研磨方法
    であって、被膜を有する複数の製品用の平板状試料を逐
    次研磨する際、研磨量モニタ用の平板状試料の被膜を研
    磨し、洗浄した後、被膜の膜厚を測定し、この膜厚測定
    結果に基づいて製品用の平板状試料の研磨条件の設定を
    行うことを特徴とする研磨方法。
  6. 【請求項６】請求項２記載の研磨装置を用いた研磨方法
    であって、被膜を有する複数の製品用の平板状試料を逐
    次研磨する際、研磨量モニタ用の平板状試料の被膜を研
    磨し、洗浄した後、被膜の膜厚を測定し、この膜厚測定
    結果に基づいて研磨パッドの交換の判断を行うことを特
    徴とする研磨方法。
  7. 【請求項７】請求項３記載の研磨装置を用いた研磨方法
    であって、研磨パッドを交換した後、ならし研磨用のダ
    ミー平板状試料を研磨し、次に研磨量モニタ用の平板状
    試料の被膜を研磨し、洗浄して、被膜の膜厚を測定し、
    この研磨量モニタ用の平板状試料の被膜の膜厚測定結果
    に基づいて製品用の平板状試料の研磨開始を判断するこ
    とを特徴とする研磨方法。
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