JPH10106965A

JPH10106965A - 縦型熱処理用ボート

Info

Publication number: JPH10106965A
Application number: JP27729796A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Adachi; 尚志足立
Original assignee: Sumitomo Sitix Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1996-09-27
Filing date: 1996-09-27
Publication date: 1998-04-24

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、半導体ウェーハを複数搭載できる
構造を有する縦型熱処理用ボートに関し、特に大口径の
半導体ウェーハの熱処理中に発生するスリップを防止す
ることができる縦型熱処理炉用ボートに関し、種々ウェ
ーハの縦型熱処理炉でウェーハ自重応力分散によるスリ
ップを低減することができる縦型熱処理用ボートを提供
することを目的とする。【解決手段】断面形状が曲線状若しくは環状の支柱を
切欠いて挿入溝１１２、１２２が形成される支持部１
１、１２に半導体ウェーハ１００を挿入載置し、この支
持部１１、１２を複数の対向した状態で連結部２１、２
２が連結支持するようにしているので、半導体ウェーハ
１００を支持する挿入溝１１２、１２２の端面を曲線状
に長く形成できることとなり、半導体ウェーハ１００の
外周部から中央近傍までの曲線状又は環状に支持するこ
とにより半導体ウェーハ１００の自重応力を極力低減し
てスリップの発生を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
複数搭載できる構造を有する縦型熱処理用ボートに関
し、特に大口径の半導体ウェーハの熱処理中に発生する
スリップを防止することができる縦型熱処理炉用ボート
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の縦型熱処理用ボートとし
て図６に示すものが主に用いられていた。この図６
（Ａ）、（Ｂ）は従来の縦型熱処理用ボートの横断面図
及び縦断面図を示す。

【０００３】同図において従来の縦型熱処理用ボート
は、上下方向に延びた支柱からなり、この支柱の複数箇
所に半導体ウェーハ１００を支持する挿入溝１４０ａ、
１５０ａ、１６０ａ、１７０ａを有する支持部１４０、
１５０、１６０、１７０と、この複数本の支持部１４
０、１５０、１６０、１７０を上下方向で固定する連結
板２１、２２とから構成され、半導体ウェーハ１００を
上下方向に略平行に複数枚搭載し、前記支持部１４０、
１５０、１６０、１７０の各挿入溝１４０ａ、１５０
ａ、１６０ａ、１７０ａにより半導体ウェーハ１００を
最外周縁部分で保持する構造である。

【０００４】このように半導体ウェーハ１００を支持部
１４０、１５０、１６０、１７０に搭載して図示を省略
する熱処理炉に投入し、この熱処理炉で約４５０℃から
１３５０℃までの温度域での熱処理が施される。特にＤ
Ｚ（Denuded zone）−ＩＧ(Intrinsic gettering)処理
やドーパント拡散熱処理では半導体ウェーハ１００は１
１００℃以上の高温で熱処理が施される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の縦型熱処理用ボ
ートは以上のように構成されていたことから、４箇所の
支持部１４０、１５０、１６０、１７０で半導体ウェー
ハ１００の一側半円側のみを支持し、他側半円側が移載
装置２００の移載ペン先を挿入するために支持されない
こととなり、この他側半円側にのみ半導体ウェーハ１０
０の自重による曲げモーメントが偏って加わることとな
る。これにより図６（Ａ）、（Ｂ）に記載の支持部１４
０、１５０の各挿入溝１４０ａ、１５０ａの領域では半
導体ウェーハ１００の自重による応力が最も大きく加え
られ、さらに熱処理工程で特に温度昇降時に半導体ウェ
ーハ１００の面内温度差による熱応力との合成応力でス
リップが発生し易いという課題を有する。また、スリッ
プの発生した半導体ウェーハ１００はウェーハ供給側で
の歩留まり低下やデバイス作成側での熱処理プロセスに
おける歩留まりを左右する一要因となっている。

【０００６】特に、今日の半導体回路素子の微細化及び
高集積化はとどまるところを知らず、著しい高密度化が
進み、これに伴い半導体ウェーハの品質に対する要求が
一層厳しくなり、従来の縦型熱処理用ボートを使用する
限りスリップ発生のない半導体ウェーハを製作するとい
う要求には事実上対応できなくなる。

【０００７】また、この半導体ウェーハ１００の大口径
化に伴い半導体ウェーハ１００の自重応力は益々増加
し、この自重応力への対応の困難さは増すばかりであ
る。この問題を解決するために保持面を大きくし自重応
力を低減させるリング支持構造が特開昭６３−１０２２
２５号の公報に開示されている。この公報に開示される
リング支持構造を採用した場合には半導体ウェーハ１０
０の投入枚数に相当するリング支持板を投入する必要が
あり熱容量の大幅な増加につながる。このことは、所望
温度での半導体ウェーハ１００を熱処理炉内への投入時
の温度低下や昇降温速度の遅れによる遅延時間の増大等
の問題があった。

【０００８】また、半導体ウェーハ１００を直接にリン
グ支持板に載置するために、このリング支持板のリング
表面精度をだすのが困難であると共に、その所定精度を
満たすためには非常に高価なものになるという課題を有
する。

【０００９】一方、半導体ウェーハ１００の自重応力を
低減するために従来の４点による支持部１４０、１５
０、１６０、１７０の挿入溝１４０ａ、１５０ａ、１６
０ａ、１７０ａを長くし、且つ点接触で半導体ウェーハ
を保持させる構造が特開平６−１６８９０２号、及び特
開平６−１６９０１０号の各公報に記載されている。し
かし、この構造は４点支持の延長に過ぎなく半導体ウェ
ーハ１００の自重による応力低減を図ることができるが
十分ではない。

【００１０】本発明は前記課題を解消するためになされ
たもので、種々の半導体ウェーハの縦型熱処理炉でウェ
ーハ自重応力分散によるスリップを低減することができ
る縦型熱処理用ボートを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る縦型熱処理
用ボートは、曲線状若しくは環状の断面形状を有する支
柱からなり、当該支柱の長手方向の複数箇所を切欠いて
複数の挿入溝が形成され、当該挿入溝内に半導体ウェー
ハを載置して支持する支持部と、前記支持部を複数対向
した状態で連結支持する連結部とを備え、前記連結部で
連結された複数の支持部に各々形成される挿入溝の上端
面に半導体ウェーハを載置するものである。このように
本発明においては、断面形状が曲線状若しくは環状の支
柱を切欠いて挿入溝が形成される支持部に半導体ウェー
ハを挿入載置し、この支持部を複数対向した状態で連結
部が連結支持するようにしているので、半導体ウェーハ
を支持する挿入溝の端面を曲線状に長く形成できること
となり、半導体ウェーハの外周部から中央近傍までの曲
線状に支持することにより半導体ウェーハの自重応力を
極力低減してスリップの発生を抑制する。

【００１２】また、本発明に係る縦型熱処理用ボートは
必要に応じて、複数の支持部は各々形成される対向する
挿入溝相互間に載置される半導体ウェーハが挿通できる
間隔以上に離隔させて配設されるものである。このよう
に本発明においては、複数の支持部に各々形成される挿
入溝相互間の間隔を半導体ウェーハが挿通できるように
しているので、半導体ウェーハを挿入溝へ挿通する開口
領域を確保できると共に、半導体ウェーハのより中心近
傍を曲線状に延出する挿入溝の端面で半導体ウェーハの
自重応力を分散させて支持できる。

【００１３】また、本発明に係る縦型熱処理用ボートは
必要に応じて、支持部に形成される挿入溝の端縁のうち
載置される半導体ウェーハの中心に最も近い部分が、前
記半導体ウェーハの外周端縁より内側に位置すると共
に、前記半導体ウェーハの中心から半導体ウェーハを移
載する移載装置と干渉しない距離だけ離反させて位置さ
せるである。このように本発明においては、半導体ウェ
ーハの中心に最も近い挿入溝の端縁部分が移載装置と干
渉しない距離だけ離反させるように配設されることか
ら、半導体ウェーハを中心近傍で曲線状の挿入溝端面で
支持してスリップの発生を抑制しつつ移載装置による移
載作業を円滑に行なうことができる。

【００１４】また、本発明に係る縦型熱処理用ボートは
必要に応じて、支持部の挿入溝の部分が、前記半導体ウ
ェーハの半径方向における重心より内側のより中心部に
近づけて位置すると共に、前記半導体ウェーハの中心か
ら半導体ウェーハを移載する移載装置と干渉しない距離
だけ離反させて位置させるものである。このように本発
明においては、半導体ウェーハの中心に最も近い挿入溝
の端縁部分が、半導体ウェーハの半径方向における重心
より内側のより中心部に近づけて配設されることから、
半導体ウェーハを広い領域で支持し自重応力をより均等
に分散できることとなり、熱処理の際に生じるスリップ
を極力抑制することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】

（本発明の第１の実施形態）以下、本発明の第１の実施
形態を図１及び図２に基づいて説明する。この図１は第
１の実施形態に係る縦型熱処理用ボートの外観斜視部
図、図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図を示す。

【００１６】前記各図において本実施形態に係る縦型熱
処理用ボートは、半円弧状の断面形状を有する支柱体の
中心部分をスリット状に切欠いて複数の挿入溝１１２、
１２２が形成され、この複数の挿入溝１１２（又は、１
２２）相互間に残存して形成される支持リブ１１３、１
２３に半導体ウェーハ１００を載置すると共に、挿入溝
１１２、１２２の両側を支柱リブ１１１ａ・１１１ｂ、
１２１ａ・１２１ｂで縦方向に支持される支持部１１、
１２と、この支持部１１、１２の上下両端部分を連結支
持する上・下の各連結板２１、２２とを備える構成であ
る。この支持部１１、１２は、半円弧状の支柱体の凸側
を突出させた状態で対向させ、この対向する挿入溝１１
２、１２２相互間の間隔Ｗが半導体ウェーハ１００の直
径Ｗφより大きく、且つ半導体ウェーハ１００の中心Ｏ
に最も近い各支持リブ１１３、１２３の部分Ｐが移載装
置２００の横幅Ｔより離反させるように前記上下の各連
結板２１、２２により固着される。

【００１７】前記各支持リブ１１３、１２３は断面半円
弧状の支柱体の中央部分を切欠いて形成されることから
端面が半円弧形状として構成され、この半円弧形状の端
面に半導体ウェーハ１００を載置して半導体ウェーハ１
００の外周部から中央近傍に亘り半円弧状に支持できる
こととなる。このように半円弧状の支持リブ１１３、１
２３で半導体ウェーハ１００を外周部から中央近傍まで
支持しているので、半導体ウェーハ１００の自重応力を
極力低減できることとなり、スリップの発生を抑制でき
る。

【００１８】即ち、前記支持リブ１１３、１２３による
半導体ウェーハ１００の支持は、半導体ウェーハ１００
の半径方向に対してほぼ全域に亘って連続して行なえる
と共に半導体ウェーハ１００の載置方向がいかなる状態
であっても半導体ウェーハ１００の結晶軸方向に対して
全体として一致しなくなり、スリップの発生を未然に防
止できることとなる。

【００１９】（本発明の他の実施形態）図３（Ａ）、
（Ｂ）に本発明の他の実施形態に係る縦型熱処理用ボー
トの各横断面図を示す。前記実施形態においては二つの
支持部１１、１２を対向させて配設する構成としたが、
図３（Ａ）に示すように二つの対向配設された支持部１
１、１２の一方の中間位置に他の支持部１３を配設する
構成とすることもできる。この他の支持部１３の正面側
は半導体ウェーハ１００を移載装置（図示を省力）によ
り挿通する挿通開口部Ｑとして利用される。この挿通開
口部Ｑは、支持部１１、１２の支柱リブ１１１ａ・１１
１ｂ及び１２１ａ・１２１ｂ相互間の間隔Ｗで形成さ
れ、この間隔Ｗを半導体ウェーハ１００の直径Ｗφより
大きく形成される。このように対応する支持部１１、１
２の外に他の支持部１３を追加して配設し、この三つの
支持部１１、１２、１３の各支持リブ１１３、１２３、
１３３に半導体ウェーハ１００を載置することにより、
半導体ウェーハ１００をより確実且つ安定して支持でき
ることとなる。

【００２０】また、前記図３（Ｂ）に示すように支持部
１４ないし１７を筒状態で形成し、この四つの支持部１
４ないし１７を各々対向して配設する構成とすることも
できる。この場合には載置される半導体ウェーハ１００
をより均一且つ安定して支持できることとなり、より確
実にスリップの発生を防止できる。

【００２１】なお、前記各実施形態における支持部１１
ないし１７は熱処理の対象となる半導体ウェーハの種類
又は熱処理温度によりその材質を選定することができ
る。例えば、１０５０℃以下の熱処理であれば、シリコ
ン材質の他に石英材質で形成することもできる。また１
０５０℃以上の熱処理であれば、シリコン材質又はＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜単体、ＳｉＣ基材にＣＶＤ−ＳｉＣを被覆
することにより形成することもできる。

【００２２】

【実施例】

（第１の実施例）本発明の第１の実施例において試料は
チョクラルスキー法によって育成された８インチφのシ
リコン半導体ウェーハ１００の基板片面に鏡面加工を施
し、材質が多結晶シリコンからなる従来の縦型熱処理用
ボート（図６に記載する縦型熱処理用ボートであって支
持溝間隔６．３５ｍｍピッチの四点支持ボート）に上記
シリコン半導体ウェーハ１００を１００枚搭載し、以下
に記す熱処理条件をアルゴンガス雰囲気下で熱処理を実
行した。

【００２３】前記熱処理条件は７００℃で熱処理炉内に
投入し、１０００℃までを昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１
２００℃までを昇温速度１℃／ｍｉｎ、１２００℃で１
時間保持させ、その後１０００℃までを１℃／ｍｉｎ、
７００℃までを３℃／ｍｉｎで降温させ７００℃で炉外
に取り出した。

【００２４】前記条件下での従来の縦型熱処理用ボート
を用いて熱処理されたシリコン半導体ウェーハ１００
は、最大自重応力が加えられる挿入溝１４０ａ、１５０
ａの近傍でスリップが数本発生しているのが１００枚全
数に確認された。

【００２５】次に、図１及び図２に記載する構成の本発
明の実施形態に係る縦型熱処理用ボートは、そのボート
材質が多結晶のシリコンからなり、半円筒管の半径１０
０ｍｍ、厚み５ｍｍ、挿入溝相互間の間隔を６．３５ｍ
ｍピッチとした２本の半円筒管を組合わせ、半径１３５
ｍｍの上下板により固定した。この図１及び図２に記載
の縦型熱処理用ボートに上記同様のシリコン半導体ウェ
ーハ１００を１００枚搭載し、上記同様１２００℃、１
時間アルゴンガス雰囲気下の熱処理を施し、その後Ｘ線
トポグラフィーによりスリップの発生有無を調査した。
この調査の結果においては図１及び図２に記載の縦型熱
処理用ボートではスリップが１００枚全数観察されなか
った。

【００２６】また、図３（Ａ）に記載する構成の本発明
の実施形態に係る縦型熱処理用ボートは、多結晶のシリ
コンからなる半円筒管の半径を６７ｍｍとし、この２本
の半円筒管を半径１３５ｍｍの上下板の間に対向して配
設し、これ以外の構成を前記図１及び図２の実施形態と
同様に形成する。このように形成された縦型熱処理用ボ
ートを前記実施形態と同じ条件下で熱処理を施してスリ
ップを調査したが、搭載した１００枚総てについてスリ
ップが観察されなかった。

【００２７】（第２の実施例）この第２の実施例におけ
る本実施形態の縦型熱処理用ボートは、肉厚３ｍｍ，半
径１０ｍｍのＰｏｒｙ−Ｓｉ性材質の円筒管状の支柱体
を図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように切削して支持リブ１
４３、１５３、１６３、１７３と挿入溝１４２、１５
２、１６２、１７２を交互に形成する。同様にこの円筒
管状の支柱体は肉厚Ｌ2が３ｍｍ，半径ｒが２３ｍｍ及
び半径ｒが４４ｍｍの円筒管で形成され、各々未切削領
域の幅Ｌ3が８ｍｍになるようにピッチＬ1が６．３５ｍ
ｍで切削した。

【００２８】上記切削された支柱体の支持部１４、１
５、１６を図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように３
本配置して製作した。図示を省略する移載装置の幅
（Ｔ）２０ｍｍ、８インチφのシリコン半導体ウェーハ
１００を前記同様１２００℃、１時間の熱処理を施しそ
の後Ｘ線観察及び集光ライト下による目視観察によりス
リップ状況を調査した。

【００２９】同調査において図５（Ｃ）に示す半径１０
ｍｍの支持部１４、１５、１６を使用した場合は、シリ
コン半導体ウェーハ１００を挿入する開口部Ｑの両側に
位置する支持部１４、１５でスリップが全数発生した。
また、図５（Ｂ）に示す半径２３ｍｍの支持部１４、１
５、１６を使用した場合は、シリコン半導体ウェーハ１
００の全投入１００枚の約１／３枚にスリップの発生を
確認した。また、図５（Ａ）に示す半径４４ｍｍの支持
部１４、１５、１６を使用した場合は、シリコン半導体
ウェーハ１００の全数にスリップの発生が確認されなか
った。従って、支持部１１、１２、１３（１４、１５、
１６、１７の支持リブ１１３、１２３、１３３における
先端部分）はシリコン半導体ウェーハの中心Ｏに近いほ
ど有効であることが解った。

【００３０】（第３の実施例）この第３の実施例におけ
る本実施形態の縦型熱処理用ボートは、上記半径２３ｍ
ｍの円筒管状の支柱体を３本使用し、この支柱体の支持
部１４２、１５２、１６２相互間に形成される開口部の
角度θを各々０°、３０°、４５°、６０°に配置させ
て製作し、８インチφのシリコン半導体ウェーハ１００
を搭載し前記同様１２００℃、１時間の熱処理を施し
た。その後、シリコン半導体ウェーハ１００のスリップ
観察を行なった結果、スリップ状況は３０°、４５°の
場合はほとんどスリップが観察されなかったが、０°、
６０°の場合は投入シリコン半導体ウェーハの約１／３
程スリップ発生が観察された。

【００３１】以上の第１、第２及び第３の各実施例を総
合すると支持部１１、１２、１３（又は１４、１５、１
６、１７）は次に示す条件で配設されることが望まし
い。図２に記載の実施形態に係る縦型熱処理用ボート
は、支持部１１、１２の半径ｒ、及びこの半径ｒの中心
と半導体ウェーハ１００の中心Ｏとを結ぶ線分が移載装
置２００の移載方向に垂直な線分に対してなす角度θが
次の通りとなる。

【００３２】ｒ＞（Ｒ／６）ここで、Ｒは半導体ウェーハ１００の半径である。０°≦θ≦３０° また、支持部１１、１２の支持リブ１１３、１２３にお
ける半導体ウェーハ１００の中心Ｏに最も近い部分Ｐが
ウェーハ外周部からＲ／３以上中心側となるように配設
される。

【００３３】また、図３（Ａ）に記載の実施形態に係る
縦型熱処理用ボートは、前記図２記載の縦型熱処理用ボ
ートと同様に半径ｒ及び角度θが次の通りとなる。ｒ＞（Ｒ／６）０°≦θ≦６０° 前記最も近い部分Ｐがウェーハ外周部からＲ／３以上中
心側に位置するように配設される。

【００３４】また、図５（Ａ）に記載の実施形態に係る
縦型熱処理用ボートは、前記図３（Ａ）に記載の縦型熱
処理用ボートと同様に半径ｒ及び角度θが次の通りであ
る。（Ｒ／６）＜ｒ＜［｛Ｒ−（Ｔ／２）｝／２］ここで、Ｔは移載装置２００の移載に必要な横幅であ
る。０°≦θ≦６０° 前記最も近い部分Ｐがウェーハ外周部からＲ／３以上中
心側に位置するように配設される。

【００３５】また、図３（Ｂ）に記載の実施形態に係る
縦型熱処理用ボートは、図３（Ａ）に記載の縦型熱処理
用ボートと同様に半径ｒ及び角度が次の通りである。（Ｒ／６）＜ｒ＜［｛Ｒ−（Ｔ／２）｝／２］０°≦θ1≦６０° ０°≦θ2≦４５° 前記最も近い部分Ｐがウェーハ外周部からＲ／３以上中
心側に位置するように配設される。

【００３６】さらに、図３（Ｂ）に記載の実施形態に係
る縦型熱処理用ボートにおいて支持部１４ないし１７が
円弧状の場合には、前記図３（Ｂ）の支持部１４ないし
１７が円筒状の場合と同様に半径ｒ及び角度θ1、θ2が
次の通りである。ｒ＞（Ｒ／６）０°≦θ1≦６０° ０°≦θ2≦４５° 前記最も近い部分Ｐがウェーハ外周部からＲ／３以上中
心側に位置するように配設される。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明においては、断面形
状が曲線状若しくは環状の支柱を切欠いて挿入溝が形成
される支持部に半導体ウェーハを挿入載置し、この支持
部を複数の対向した状態で連結部が連結支持するように
しているので、半導体ウェーハを支持する挿入溝の端面
を曲線状に長く形成できることとなり、半導体ウェーハ
の外周部から中央近傍までの曲線状に支持することによ
り半導体ウェーハの自重応力を極力低減してスリップの
発生を抑制するという効果を奏する。また、本発明にお
いては、複数の支持部に各々形成される挿入溝相互間の
間隔を半導体ウェーハが挿通できるようにしているの
で、半導体ウェーハを挿入溝へ挿通する開口領域を確保
できると共に、半導体ウェーハのより中心近傍を曲線状
に延出する挿入溝の端面で半導体ウェーハの自重応力を
分散させて支持できるという効果を有する。また、本発
明においては、半導体ウェーハの中心に最も近い挿入溝
の端縁部分が移載装置と干渉しない距離だけ離反させる
ように配設されることから、半導体ウェーハを中心近傍
で曲線状の挿入溝端面で支持してスリップの発生を抑制
しつつ移載装置による移載作業を円滑に行なうことがで
きるという効果を有する。さらに、本発明においては、
半導体ウェーハの中心に最も近い挿入溝の端縁部分が、
半導体ウェーハの半径方向における重心より内側のより
中心部に近づけて配設されることから、半導体ウェーハ
自重応力をより均等に分散できることとなり、熱処理の
際に生じるスリップを極力抑制することができるという
効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る縦型熱処理用ボ
ートの外観斜視部図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。

【図３】（Ａ）は本発明の他の実施形態に係る縦型熱処
理用ボートの各横断面図である。（Ｂ）は本発明の他の
実施形態に係る縦型熱処理用ボートの各横断面図であ
る。

【図４】（Ａ）は第２の実施例における縦型熱処理用ボ
ートの側面図である。（Ｂ）は第２の実施例における縦
型熱処理用ボートにおける図４（Ａ）のＢ−Ｂ線横断面
図である。

【図５】（Ａ）は第３の実施例における縦型熱処理用ボ
ートの横断面図である。（Ｂ）は第３の実施例における
縦型熱処理用ボートの横断面図である。（Ｃ）は第３の
実施例における縦型熱処理用ボートの横断面図である。

【図６】（Ａ）は従来の縦型熱処理用ボートの横断面図
である。（Ｂ）は従来の縦型熱処理用ボートにおける図
６（Ａ）のＣ−Ｃ線縦断面図である。

【符号の説明】

１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１４０、
１５０、１６０、１７０支持部２１、２２連結板１００半導体ウェーハ１１２、１２２、１４０ａ、１５０ａ、１６０ａ、１７
０ａ挿入溝１１１ａ、１１１ｂ、１２１ａ、１２１ｂ支柱リブ１１３、１２３、１３３、１４３、１５３、１６３、１
７３支持リブ２００移載装置Ｏ半導体ウェーハの中心Ｑ開口部Ｔ移載装置の横幅

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【手続補正書】

【提出日】平成８年１２月１８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】曲線状若しくは環状の断面形状を有する
支柱からなり、当該支柱の長手方向の複数箇所を切欠い
て複数の挿入溝が形成され、当該挿入溝内に半導体ウェ
ーハを載置して支持する支持部と、前記支持部を複数対向した状態で連結支持する連結部と
を備え、前記連結部で連結された複数の支持部に各々形成される
挿入溝の上端面に半導体ウェーハを載置することを特徴
とする縦型熱処理用ボート。
【請求項２】前記請求項１に記載の縦型熱処理用ボー
トにおいて、前記複数の支持部は各々形成される対向する挿入溝相互
間に載置される半導体ウェーハが挿通できる間隔以上に
離隔させて配設されることを特徴とする縦型熱処理用ボ
ート。
【請求項３】前記請求項１又は２に記載の縦型熱処理
用ボートにおいて、前記支持部に形成される挿入溝の端縁のうち載置される
半導体ウェーハの中心に最も近い部分が前記半導体ウェ
ーハの外周端縁より内側に位置すると共に、前記半導体
ウェーハの中心から半導体ウェーハを移載する移載装置
と干渉しない距離だけ離反させて位置させることを特徴
とする縦型熱処理用ボート。
【請求項４】前記請求項３に記載の縦型熱処理用ボー
トにおいて、前記支持部の挿入溝の部分が、前記半導体ウェーハの半
径方向における重心より内側のより中心部に近づけて位
置すると共に、前記半導体ウェーハの中心から半導体ウ
ェーハを移載する移載装置と干渉しない距離だけ離反さ
せて位置させることを特徴とする縦型熱処理用ボート。