JPH10102254A - タングステンブロンズ型酸化物誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
タングステンブロンズ型酸化物誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPH10102254A JPH10102254A JP29219796A JP29219796A JPH10102254A JP H10102254 A JPH10102254 A JP H10102254A JP 29219796 A JP29219796 A JP 29219796A JP 29219796 A JP29219796 A JP 29219796A JP H10102254 A JPH10102254 A JP H10102254A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体高集積メモリー、光変調素子、赤外線
検出子などに用いられる（ＳｒｘＢａ１−ｘ）（Ｎｂｙ
Ｔａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブロンズ型
酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で形成する方法を
提供する。 【解決手段】 Ａ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２（ただし、式中Ａ
＝Ｓｒ，Ｂａ，Ｂ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｒ＝Ｃ２Ｈ５，ＣＨ
（ＣＨ３）２のいずれかを表す）で表されるダブルアル
コキシドを原料として、気化させてＣＶＤ装置に導入
し、３００〜５００℃に加熱した基板上に導き分解堆積
させ、次いで酸化性ガス中で熱処理する。
検出子などに用いられる（ＳｒｘＢａ１−ｘ）（Ｎｂｙ
Ｔａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブロンズ型
酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で形成する方法を
提供する。 【解決手段】 Ａ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２（ただし、式中Ａ
＝Ｓｒ，Ｂａ，Ｂ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｒ＝Ｃ２Ｈ５，ＣＨ
（ＣＨ３）２のいずれかを表す）で表されるダブルアル
コキシドを原料として、気化させてＣＶＤ装置に導入
し、３００〜５００℃に加熱した基板上に導き分解堆積
させ、次いで酸化性ガス中で熱処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化ニオブおよび
／または酸化タンタルと酸化ストロンチウムおよび／ま
たは酸化バリウムとから成るメタニオブ酸塩および／ま
たはメタタンタル酸塩のタングステンブロンズ型酸化物
誘電体薄膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、原料
として、特定のダブルアルコキシドを用いて、化学気相
成長法で該薄膜を製造する方法に関する。
／または酸化タンタルと酸化ストロンチウムおよび／ま
たは酸化バリウムとから成るメタニオブ酸塩および／ま
たはメタタンタル酸塩のタングステンブロンズ型酸化物
誘電体薄膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、原料
として、特定のダブルアルコキシドを用いて、化学気相
成長法で該薄膜を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ニオブ酸ストロンチウム・バリウム（Ｓ
ｒ０．７５Ｂａ０．２５Ｎｂ２Ｏ６、Ｓｒ０．４８Ｂａ
０．５２Ｎｂ２Ｏ６）やタンタル酸ストロンチウム（Ｓ
ｒＴａ２Ｏ６）に代表されるメタニオブ酸塩および／ま
たはメタタンタル酸塩のタングステンブロンズ型酸化物
単結晶は、強誘電体であり、焦電効果を利用した赤外線
検出素子や電気光学効果を利用した光変調素子として用
いられている。しかしながらこれらの素子を作る上で、
高価なバルク単結晶を切り出して使う必要は必ずしもな
いはずである。すなわち、上述のデバイスにおいて実際
に機能するのは結晶表面のミクロン単位の領域であるか
らである。よってデバイスに応用可能な良好な薄膜材料
を低コストで製造する技術を確立することは、工業生産
上重要である。また、近年半導体高集積メモリー用に高
誘電率常誘電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の応用がなさ
れているが、この目的にもメタニオブ酸塩および／また
はメタタンタル酸塩のタングステンブロンズ型誘電体薄
膜が期待できる。しかしこれらの薄膜形成の報告は少な
い。中野充らは、レーザーアブレーション法による（Ｓ
ｒ，Ｂａ）Ｎｂ２Ｏ６薄膜の作製とその誘電特性を報告
している（第４３回応用物理学関係連合講演会講演予稿
集２６ａ−Ｖ−４）。しかし未だこれらの薄膜を、一般
的に量産性に優れる有機金属化学気相成長法で作ったと
いう報告はない。
ｒ０．７５Ｂａ０．２５Ｎｂ２Ｏ６、Ｓｒ０．４８Ｂａ
０．５２Ｎｂ２Ｏ６）やタンタル酸ストロンチウム（Ｓ
ｒＴａ２Ｏ６）に代表されるメタニオブ酸塩および／ま
たはメタタンタル酸塩のタングステンブロンズ型酸化物
単結晶は、強誘電体であり、焦電効果を利用した赤外線
検出素子や電気光学効果を利用した光変調素子として用
いられている。しかしながらこれらの素子を作る上で、
高価なバルク単結晶を切り出して使う必要は必ずしもな
いはずである。すなわち、上述のデバイスにおいて実際
に機能するのは結晶表面のミクロン単位の領域であるか
らである。よってデバイスに応用可能な良好な薄膜材料
を低コストで製造する技術を確立することは、工業生産
上重要である。また、近年半導体高集積メモリー用に高
誘電率常誘電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の応用がなさ
れているが、この目的にもメタニオブ酸塩および／また
はメタタンタル酸塩のタングステンブロンズ型誘電体薄
膜が期待できる。しかしこれらの薄膜形成の報告は少な
い。中野充らは、レーザーアブレーション法による（Ｓ
ｒ，Ｂａ）Ｎｂ２Ｏ６薄膜の作製とその誘電特性を報告
している（第４３回応用物理学関係連合講演会講演予稿
集２６ａ−Ｖ−４）。しかし未だこれらの薄膜を、一般
的に量産性に優れる有機金属化学気相成長法で作ったと
いう報告はない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】（ＳｒｘＢａ１−ｘ）
（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブ
ロンズ型酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で製造す
る場合に以下の２点の課題があった。第１点は、Ｓｒお
よびＢａについて適当な揮発性のある安定な化合物が得
難いことである。ＳｒおよびＢａのアルコキシドやジピ
バロイルメタナートなどのβ−ジケトナートは会合で多
量体となっているため、揮発性が低く使い難い。第２点
は、組成の制御である。多成分になればなるほど個々の
原料を正確に制御することが必要になる。
（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブ
ロンズ型酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で製造す
る場合に以下の２点の課題があった。第１点は、Ｓｒお
よびＢａについて適当な揮発性のある安定な化合物が得
難いことである。ＳｒおよびＢａのアルコキシドやジピ
バロイルメタナートなどのβ−ジケトナートは会合で多
量体となっているため、揮発性が低く使い難い。第２点
は、組成の制御である。多成分になればなるほど個々の
原料を正確に制御することが必要になる。
【０００４】本発明の目的は、（ＳｒｘＢａ１−ｘ）
（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブ
ロンズ型酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で製造す
る方法を提供することである。
（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブ
ロンズ型酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で製造す
る方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、原料とし
てＡ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２で表されるダブルアルコキシド
を使えば、前記目的が容易に達成されることを見いだし
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、（Ｓ
ｒｘＢａ１−ｘ）（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６（ここで
０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）で表されるタングステンブロ
ンズ型酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で製造する
場合において、原料としてＡ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２（ただ
し、式中Ａ＝Ｓｒ，Ｂａ，Ｂ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｒ＝Ｃ２Ｈ
５，ＣＨ（ＣＨ３）２のいずれかを表す）で表されるダ
ブルアルコキシドを用いるものであり、該ダブルアルコ
キシドを有機溶媒に溶解して得られた溶液を気化させ、
この気化によって得られたガスを基板上に供給して化学
気相成長させるものである。本発明の特徴は、Ａ／Ｂが
膜と同じ組成比１／２からなる特定のダブルアルコキシ
ドを使用することである。
てＡ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２で表されるダブルアルコキシド
を使えば、前記目的が容易に達成されることを見いだし
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、（Ｓ
ｒｘＢａ１−ｘ）（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６（ここで
０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）で表されるタングステンブロ
ンズ型酸化物誘電体の薄膜を化学気相成長法で製造する
場合において、原料としてＡ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２（ただ
し、式中Ａ＝Ｓｒ，Ｂａ，Ｂ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｒ＝Ｃ２Ｈ
５，ＣＨ（ＣＨ３）２のいずれかを表す）で表されるダ
ブルアルコキシドを用いるものであり、該ダブルアルコ
キシドを有機溶媒に溶解して得られた溶液を気化させ、
この気化によって得られたガスを基板上に供給して化学
気相成長させるものである。本発明の特徴は、Ａ／Ｂが
膜と同じ組成比１／２からなる特定のダブルアルコキシ
ドを使用することである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のタングステンブロンズ型
酸化物誘電体としては、ＳｒＮｂ２Ｏ６，ＢａＮｂ２Ｏ
６，（Ｓｒ０．７５Ｂａ０．２５）Ｎｂ２Ｏ６，（Ｓｒ
ｘＢａ１−ｘ）Ｎｂ２Ｏ６（ここで０≦ｘ≦１），Ｓｒ
Ｔａ２Ｏ６，ＢａＴａ２Ｏ６などである。バルクの（Ｓ
ｒ０．７５Ｂａ０．２５）Ｎｂ２Ｏ６は、キュリー温度
が４０℃、室温での誘電率εが９０００の強誘電体であ
り、またバルクのＳｒ０．４８Ｂａ０．５２Ｎｂ２Ｏ６
は、キュリー温度が１１５℃、室温での誘電率εが３８
０の強誘電体であることが知られている。
酸化物誘電体としては、ＳｒＮｂ２Ｏ６，ＢａＮｂ２Ｏ
６，（Ｓｒ０．７５Ｂａ０．２５）Ｎｂ２Ｏ６，（Ｓｒ
ｘＢａ１−ｘ）Ｎｂ２Ｏ６（ここで０≦ｘ≦１），Ｓｒ
Ｔａ２Ｏ６，ＢａＴａ２Ｏ６などである。バルクの（Ｓ
ｒ０．７５Ｂａ０．２５）Ｎｂ２Ｏ６は、キュリー温度
が４０℃、室温での誘電率εが９０００の強誘電体であ
り、またバルクのＳｒ０．４８Ｂａ０．５２Ｎｂ２Ｏ６
は、キュリー温度が１１５℃、室温での誘電率εが３８
０の強誘電体であることが知られている。
【０００７】本発明のダブルアルコキシドとしては、Ｓ
ｒ〔Ｎｂ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓｒ〔Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ（ＯＥｔ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ
（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｓｒ〔Ｔａ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓ
ｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｔａ（ＯＥ
ｔ）６〕２，Ｂａ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２の８種とそ
れらの混合物である（上記においてＯＥｔはエトキシ基
を、ＯｉＰｒはイソプロポキシ基を表す）。
ｒ〔Ｎｂ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓｒ〔Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ（ＯＥｔ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ
（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｓｒ〔Ｔａ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓ
ｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｔａ（ＯＥ
ｔ）６〕２，Ｂａ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２の８種とそ
れらの混合物である（上記においてＯＥｔはエトキシ基
を、ＯｉＰｒはイソプロポキシ基を表す）。
【０００８】上記ダブルアルコキシドは蒸留あるいは昇
華精製することができる。いずれも単量体であり、本発
明者等が気体飽和法により測定した蒸気圧あるいは昇華
圧は表１のとおりであった。
華精製することができる。いずれも単量体であり、本発
明者等が気体飽和法により測定した蒸気圧あるいは昇華
圧は表１のとおりであった。
【０００９】
【表１】
【００１０】上記ダブルアルコキシドを、目的とする薄
膜の組成に応じて選び、それらの個々のソース温度やキ
ャリヤーガス流量を調節することにより気化させてＣＶ
Ｄ室に供給する。あるいは上記ダブルアルコキシドをテ
トラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）などの有機溶媒
にとかし、その溶液を流量調節しながら供給し全量気化
させてＣＶＤ室に供給してもよい。
膜の組成に応じて選び、それらの個々のソース温度やキ
ャリヤーガス流量を調節することにより気化させてＣＶ
Ｄ室に供給する。あるいは上記ダブルアルコキシドをテ
トラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）などの有機溶媒
にとかし、その溶液を流量調節しながら供給し全量気化
させてＣＶＤ室に供給してもよい。
【００１１】本発明で該薄膜を製造するに際し、原料と
して用いるダブルアルコキシドのＡ／Ｂ元素比と膜のＡ
／Ｂ元素比が同じになるようにするには基板温度は５０
０℃以下が好ましい。温度が５００℃より高いと原料ダ
ブルアルコキシドガスが基板に到達前に解離してしまう
ため分解堆積のＡ／Ｂの比率が原料の比率と異なってし
まうと推定される。よって基板到達前に基板からの熱に
より高温に加熱されることを避けるのが望ましい。すな
わち、できるだけ基板の温度を低くしてＣＶＤするのが
好ましい。
して用いるダブルアルコキシドのＡ／Ｂ元素比と膜のＡ
／Ｂ元素比が同じになるようにするには基板温度は５０
０℃以下が好ましい。温度が５００℃より高いと原料ダ
ブルアルコキシドガスが基板に到達前に解離してしまう
ため分解堆積のＡ／Ｂの比率が原料の比率と異なってし
まうと推定される。よって基板到達前に基板からの熱に
より高温に加熱されることを避けるのが望ましい。すな
わち、できるだけ基板の温度を低くしてＣＶＤするのが
好ましい。
【００１２】そこで３００〜５００℃の基体上に分解堆
積し成膜する工程と該膜を目的のタングステンブロンズ
構造に転化するために４００〜８００℃で熱処理する工
程にわけて実施することもできる。
積し成膜する工程と該膜を目的のタングステンブロンズ
構造に転化するために４００〜８００℃で熱処理する工
程にわけて実施することもできる。
【００１３】上記熱処理工程では、膜中の残留炭素をへ
らし、結晶化を早めるために酸化性ガスの共存下で行う
ことが好ましい。酸化性ガスとして酸素、亜酸化窒素、
オゾンなどが用いられる。
らし、結晶化を早めるために酸化性ガスの共存下で行う
ことが好ましい。酸化性ガスとして酸素、亜酸化窒素、
オゾンなどが用いられる。
【００１４】化学気相成長をおこさせるエネルギー源と
して、熱、プラズマ、光などがあり、目的によって適当
なものを選ぶことができる。光ＣＶＤの際には２００〜
２６０ｎｍの紫外線が有効である。例えば、Ｓｒ〔Ｔａ
（ＯｉＰｒ）６〕２を５．０×１０−３ｍｏｌ／ｌの溶
液にして光の吸収特性を測定したところ、２３０〜２５
０ｎｍに吸収ピークがあり、２４８ｎｍにおける分子吸
収係数は、４９４（１・ｍｏｌ−１・ｃｍ−１）であっ
た。この付近の紫外線で分解が促進される。
して、熱、プラズマ、光などがあり、目的によって適当
なものを選ぶことができる。光ＣＶＤの際には２００〜
２６０ｎｍの紫外線が有効である。例えば、Ｓｒ〔Ｔａ
（ＯｉＰｒ）６〕２を５．０×１０−３ｍｏｌ／ｌの溶
液にして光の吸収特性を測定したところ、２３０〜２５
０ｎｍに吸収ピークがあり、２４８ｎｍにおける分子吸
収係数は、４９４（１・ｍｏｌ−１・ｃｍ−１）であっ
た。この付近の紫外線で分解が促進される。
【００１５】以下に本発明の実施例を説明する。
【実施例１】減圧熱ＣＶＤ装置系（全圧５Ｔｏｒｒ）の
原料容器にＳｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２２０ｇを充填
し、該容器を１８０℃の恒温に保ち、アルゴンを９０ｍ
ｌ／ｍｉｎ導入し、Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２の昇
華した蒸気を同伴させ、熱分解炉に送った。熱分解炉中
では、Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板を３５０℃に加熱して
おり、この基板上に上記のガスを導き、２０分間、分解
堆積をおこさしめた。次いで、酸素ガスを流しながら昇
温して行き、７００℃、３０分間の熱処理を施した。こ
うして基板上に２５０ｎｍの厚さの薄膜を得た。この結
晶構造をＸＲＤで分析した結果、正方タングステンブロ
ンズ構造のＳｒＴａ２Ｏ６であった。この際の参照した
ＸＲＤは、Ｆ．Ｇａｌａｓｓｏ，Ｌ．Ｋａｔｚ ａｎｄ
Ｒ．Ｗａｒｄ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ
８１，５８９８（１９５９）である。そして、この膜
の一部を湿式分解し、ＩＣＰ発光分析により元素分析し
た結果、膜の組成はＳｒ１．０Ｔａ２．１Ｏ６．０であ
った。
原料容器にＳｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２２０ｇを充填
し、該容器を１８０℃の恒温に保ち、アルゴンを９０ｍ
ｌ／ｍｉｎ導入し、Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２の昇
華した蒸気を同伴させ、熱分解炉に送った。熱分解炉中
では、Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板を３５０℃に加熱して
おり、この基板上に上記のガスを導き、２０分間、分解
堆積をおこさしめた。次いで、酸素ガスを流しながら昇
温して行き、７００℃、３０分間の熱処理を施した。こ
うして基板上に２５０ｎｍの厚さの薄膜を得た。この結
晶構造をＸＲＤで分析した結果、正方タングステンブロ
ンズ構造のＳｒＴａ２Ｏ６であった。この際の参照した
ＸＲＤは、Ｆ．Ｇａｌａｓｓｏ，Ｌ．Ｋａｔｚ ａｎｄ
Ｒ．Ｗａｒｄ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ
８１，５８９８（１９５９）である。そして、この膜
の一部を湿式分解し、ＩＣＰ発光分析により元素分析し
た結果、膜の組成はＳｒ１．０Ｔａ２．１Ｏ６．０であ
った。
【００１６】
【実施例２】Ｓｒ〔Ｎｂ（ＯｉＰｒ）６〕２９．８３ｇ
（１０ｎｍｏｌ）とＢａ〔Ｎｂ（ＯｉＰｒ）６〕２１
０．３２ｇ（１０ｎｍｏｌ）を乾燥したＴＨＦに溶か
し、２００ｍｌのＴＨＦ溶液とした。このＴＨＦ溶液を
液体マスフローコントローラーにより０．３ｍｌ／ｍｉ
ｎでフラッシュ蒸発器に供給し、キャリヤーガスのアル
ゴン４００ＳＣＣＭ中に全量を気化させ、次いで、酸素
ガス１００ＳＣＣＭを合わせ減圧熱ＣＶＤ装置系（全圧
５Ｔｏｒｒ）に導いた。熱分解炉中では、Ｐｔ／ＳｉＯ
２／Ｓｉ基板を３５０℃に加熱しており、この基板上に
上記の混合ガスを導き、３０分間、分解堆積をおこさし
めた。次いで、酸素ガスを流しながら昇温して行き、７
００℃、３０分間の熱処理を施した。こうして基板上に
３００ｎｍの厚さの薄膜を得た。この結晶構造をＸＲＤ
で分析した結果、正方タングステンブロンズ構造であっ
た。そして、この膜の一部を湿式分解し、ＩＣＰ発光分
析により元素分析した結果、膜の組成はＳｒ０．５０Ｂ
ａ０．５０Ｎｂ２．０Ｏ６．０であった。
（１０ｎｍｏｌ）とＢａ〔Ｎｂ（ＯｉＰｒ）６〕２１
０．３２ｇ（１０ｎｍｏｌ）を乾燥したＴＨＦに溶か
し、２００ｍｌのＴＨＦ溶液とした。このＴＨＦ溶液を
液体マスフローコントローラーにより０．３ｍｌ／ｍｉ
ｎでフラッシュ蒸発器に供給し、キャリヤーガスのアル
ゴン４００ＳＣＣＭ中に全量を気化させ、次いで、酸素
ガス１００ＳＣＣＭを合わせ減圧熱ＣＶＤ装置系（全圧
５Ｔｏｒｒ）に導いた。熱分解炉中では、Ｐｔ／ＳｉＯ
２／Ｓｉ基板を３５０℃に加熱しており、この基板上に
上記の混合ガスを導き、３０分間、分解堆積をおこさし
めた。次いで、酸素ガスを流しながら昇温して行き、７
００℃、３０分間の熱処理を施した。こうして基板上に
３００ｎｍの厚さの薄膜を得た。この結晶構造をＸＲＤ
で分析した結果、正方タングステンブロンズ構造であっ
た。そして、この膜の一部を湿式分解し、ＩＣＰ発光分
析により元素分析した結果、膜の組成はＳｒ０．５０Ｂ
ａ０．５０Ｎｂ２．０Ｏ６．０であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、（ＳｒｘＢａ１−ｘ）
（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブ
ロンズ型酸化物誘電体の薄膜を、原料として特定のダブ
ルアルコキシドを用いることにより、量産性に優れる化
学気相成長法で製造することができる。
（ＮｂｙＴａ１−ｙ）２Ｏ６で表されるタングステンブ
ロンズ型酸化物誘電体の薄膜を、原料として特定のダブ
ルアルコキシドを用いることにより、量産性に優れる化
学気相成長法で製造することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 （ＳｒｘＢａ１−ｘ）（ＮｂｙＴａ
１−ｙ）２Ｏ６（ここで０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）で表
されるタングステンブロンズ形酸化物誘電体の薄膜を化
学気相成長法で製造する場合において、原料としてＡ
〔Ｂ（ＯＲ）６〕２（ただし、式中Ａ＝Ｓｒ，Ｂａ，Ｂ
＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｒ＝Ｃ２Ｈ５，ＣＨ（ＣＨ３）２のいず
れかを表す）で表されるダブルアルコキシドを用いるこ
とを特徴とするタングステンブロンズ型酸化物誘電体薄
膜の製造方法。 - 【請求項２】 Ａ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２で表されるダブル
アルコキシドを有機溶媒に溶解して得られた溶液を気化
させ、この気化により得られたガスを基板上に供給して
化学気相成長することを特徴とする請求項１のタングス
テンブロンズ型酸化物誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29219796A JP3823399B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | タングステンブロンズ型酸化物誘電体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29219796A JP3823399B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | タングステンブロンズ型酸化物誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10102254A true JPH10102254A (ja) | 1998-04-21 |
| JP3823399B2 JP3823399B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=17778795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29219796A Expired - Fee Related JP3823399B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | タングステンブロンズ型酸化物誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3823399B2 (ja) |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP29219796A patent/JP3823399B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3823399B2 (ja) | 2006-09-20 |
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