JPH0992846A - 集積化圧力センサ - Google Patents
集積化圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0992846A JPH0992846A JP24943495A JP24943495A JPH0992846A JP H0992846 A JPH0992846 A JP H0992846A JP 24943495 A JP24943495 A JP 24943495A JP 24943495 A JP24943495 A JP 24943495A JP H0992846 A JPH0992846 A JP H0992846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- chip
- sensor
- integrated
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサ感度を高く保持しつつセンサチップ
を小型化することができる集積化圧力センサを提供す
る。 【解決手段】センサチップ５のダイアフラムの上面に複
数個の感歪抵抗６ａ〜６ｄを配置する。そして、集積回
路が形成された集積回路チップ１を、センサチップ５の
上面に積層すると共に、集積回路チップ１の縁部に形成
されたスルーホール４ａ〜４ｆを介して、感歪抵抗６ａ
〜６ｄによるブリッジ回路と集積回路２とを電気的に接
続する。また、集積回路チップ１の下面には、センサチ
ップ５のダイアフラムが十分に変形できるように、凹部
が形成されている。
を小型化することができる集積化圧力センサを提供す
る。 【解決手段】センサチップ５のダイアフラムの上面に複
数個の感歪抵抗６ａ〜６ｄを配置する。そして、集積回
路が形成された集積回路チップ１を、センサチップ５の
上面に積層すると共に、集積回路チップ１の縁部に形成
されたスルーホール４ａ〜４ｆを介して、感歪抵抗６ａ
〜６ｄによるブリッジ回路と集積回路２とを電気的に接
続する。また、集積回路チップ１の下面には、センサチ
ップ５のダイアフラムが十分に変形できるように、凹部
が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積化圧力センサに関
し、特に血圧計及び掃除機等に使用される小型の集積化
圧力センサに関する。
し、特に血圧計及び掃除機等に使用される小型の集積化
圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の集積化圧力センサのチッ
プを示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＢ−Ｂで
切断した断面図である。この図３に示すように、集積化
圧力センサのチップでは、センサチップ２５のダイアフ
ラムの上面に４つの感歪抵抗６ａ、６ｂ、６ｃ及び６ｄ
が配置されており、これらの感歪抵抗はブリッジ構造と
なるように配線されている。また、これらの感歪抵抗６
ａ〜６ｄを取り囲むように、センサチップ２５上の周縁
部に集積回路２２が形成されている。なお、センサチッ
プ２５は、通常４ｍｍ×４ｍｍの大きさを有する。
プを示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＢ−Ｂで
切断した断面図である。この図３に示すように、集積化
圧力センサのチップでは、センサチップ２５のダイアフ
ラムの上面に４つの感歪抵抗６ａ、６ｂ、６ｃ及び６ｄ
が配置されており、これらの感歪抵抗はブリッジ構造と
なるように配線されている。また、これらの感歪抵抗６
ａ〜６ｄを取り囲むように、センサチップ２５上の周縁
部に集積回路２２が形成されている。なお、センサチッ
プ２５は、通常４ｍｍ×４ｍｍの大きさを有する。
【０００３】このように構成された従来の集積化圧力セ
ンサにおいては、感歪抵抗６ａ〜６ｄが配置されたセン
サチップ２５のダイアフラムに圧力が印加されると、こ
のダイアフラムが変形し、その歪みが感歪抵抗６ａ〜６
ｄにより構成される抵抗ブリッジで検出される。そし
て、この抵抗ブリッジの各端子の信号がセンサチップ２
５の周縁部に形成されている集積回路２２に入力され、
この集積回路にて増幅及び演算されて、圧力の検出信号
として、集積回路２２から外部へ出力される。
ンサにおいては、感歪抵抗６ａ〜６ｄが配置されたセン
サチップ２５のダイアフラムに圧力が印加されると、こ
のダイアフラムが変形し、その歪みが感歪抵抗６ａ〜６
ｄにより構成される抵抗ブリッジで検出される。そし
て、この抵抗ブリッジの各端子の信号がセンサチップ２
５の周縁部に形成されている集積回路２２に入力され、
この集積回路にて増幅及び演算されて、圧力の検出信号
として、集積回路２２から外部へ出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように構成された集積化圧力センサにおいて、小型化の
要求から、センサチップ２５の大きさを小さくしようと
すると、これに伴いダイアフラムの面積を小さくする必
要がある。これは、センサチップ２５の上面において、
集積回路２２が占有する領域を小さくするには限界があ
るからである。
ように構成された集積化圧力センサにおいて、小型化の
要求から、センサチップ２５の大きさを小さくしようと
すると、これに伴いダイアフラムの面積を小さくする必
要がある。これは、センサチップ２５の上面において、
集積回路２２が占有する領域を小さくするには限界があ
るからである。
【０００５】しかし、通常、上述のように構成された集
積化圧力センサのセンサ感度は、センサチップ２５のダ
イアフラムの面積及び厚さによって略決定される。即
ち、ダイアフラムの面積が大きい方が感度が高く、また
その厚さが薄い方が感度が高い。このため、センサチッ
プの大きさを小さくすると、ダイアフラムの面積が小さ
くなり、厚さが同じであると、集積化圧力センサのセン
サ感度は低下してしまう。従って、センサチップを小さ
くすると共に、所望のセンサ感度を得るためには、セン
サチップのダイアフラムの厚さを薄くする必要がある。
積化圧力センサのセンサ感度は、センサチップ２５のダ
イアフラムの面積及び厚さによって略決定される。即
ち、ダイアフラムの面積が大きい方が感度が高く、また
その厚さが薄い方が感度が高い。このため、センサチッ
プの大きさを小さくすると、ダイアフラムの面積が小さ
くなり、厚さが同じであると、集積化圧力センサのセン
サ感度は低下してしまう。従って、センサチップを小さ
くすると共に、所望のセンサ感度を得るためには、セン
サチップのダイアフラムの厚さを薄くする必要がある。
【０００６】しかしながら、ダイアフラムの厚さを薄く
することには、一定の限界があり、ダイアフラムの厚さ
が数μｍ程度に薄くなると、ダイアフラムの強度が低下
してしまう。このため、ダイシング時にセンサチップ２
５のダイアフラムが割れたり、ダイアフラムの破壊耐圧
が低下してしまう。
することには、一定の限界があり、ダイアフラムの厚さ
が数μｍ程度に薄くなると、ダイアフラムの強度が低下
してしまう。このため、ダイシング時にセンサチップ２
５のダイアフラムが割れたり、ダイアフラムの破壊耐圧
が低下してしまう。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、現有設備を使用して製造することができる
と共に、十分なセンサ感度を保持しつつセンサチップを
小型化することができる集積化圧力センサを提供するこ
とを目的とする。
のであって、現有設備を使用して製造することができる
と共に、十分なセンサ感度を保持しつつセンサチップを
小型化することができる集積化圧力センサを提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る集積化圧力
センサは、ダイアフラムとこのダイアフラムに配置され
た複数個の感歪抵抗を備えたセンサチップと、集積回路
が形成された集積回路チップとを有し、前記センサチッ
プと前記集積回路とは積層されていることを特徴とす
る。また、前記集積回路チップにはスルーホールが設け
られており、このスルーホールを介して前記感歪抵抗と
前記集積回路とが接続されていることが好ましい。更
に、前記集積回路チップの周縁部に前記集積回路に接続
されたパッドが形成されていて、前記センサチップ及び
集積回路チップが搭載されるモールドケースに設けられ
た端子と前記パッドとがワイヤボンディングにより接続
されていることが好ましい。
センサは、ダイアフラムとこのダイアフラムに配置され
た複数個の感歪抵抗を備えたセンサチップと、集積回路
が形成された集積回路チップとを有し、前記センサチッ
プと前記集積回路とは積層されていることを特徴とす
る。また、前記集積回路チップにはスルーホールが設け
られており、このスルーホールを介して前記感歪抵抗と
前記集積回路とが接続されていることが好ましい。更
に、前記集積回路チップの周縁部に前記集積回路に接続
されたパッドが形成されていて、前記センサチップ及び
集積回路チップが搭載されるモールドケースに設けられ
た端子と前記パッドとがワイヤボンディングにより接続
されていることが好ましい。
【０００９】
【作用】本発明においては、ダイアフラムに配置された
複数個の感歪抵抗を備えたセンサチップと、集積回路が
形成された集積回路チップとを別チップに形成してこれ
を積層するので、センサチップには集積回路を形成する
必要がない。このため、集積回路が占有していたセンサ
チップの領域は不要となるので、ダイアフラムの面積及
び厚さを変えずに、即ち十分なセンサ感度を保持しつ
つ、センサチップを小型化することができる。
複数個の感歪抵抗を備えたセンサチップと、集積回路が
形成された集積回路チップとを別チップに形成してこれ
を積層するので、センサチップには集積回路を形成する
必要がない。このため、集積回路が占有していたセンサ
チップの領域は不要となるので、ダイアフラムの面積及
び厚さを変えずに、即ち十分なセンサ感度を保持しつ
つ、センサチップを小型化することができる。
【００１０】また、センサチップと集積回路チップとは
積層されているので、集積回路チップ上の集積回路とセ
ンサチップ上の感歪抵抗とを、電気的に接続するため
に、集積回路チップにスルーホールを設け、このスルー
ホールを介して集積回路と感歪抵抗とを容易に接続する
ことができる。
積層されているので、集積回路チップ上の集積回路とセ
ンサチップ上の感歪抵抗とを、電気的に接続するため
に、集積回路チップにスルーホールを設け、このスルー
ホールを介して集積回路と感歪抵抗とを容易に接続する
ことができる。
【００１１】更に、集積回路チップの周縁部に集積回路
に接続されたパッドを形成しておくと、この集積回路チ
ップ及びセンサチップが積層されたセンサを、入出力用
の端子がその内部に備えられたモールドケース内に搭載
した場合に、前記端子と前記パッドとをワイヤボンディ
ングによって接続することにより、センサ出力を導出す
ることができる。このようにして、センサチップを小型
化できると共に、その検出圧力に対応する電気信号を正
確に外部へ出力することができ、また低コストで集積化
圧力センサを製造することができる。
に接続されたパッドを形成しておくと、この集積回路チ
ップ及びセンサチップが積層されたセンサを、入出力用
の端子がその内部に備えられたモールドケース内に搭載
した場合に、前記端子と前記パッドとをワイヤボンディ
ングによって接続することにより、センサ出力を導出す
ることができる。このようにして、センサチップを小型
化できると共に、その検出圧力に対応する電気信号を正
確に外部へ出力することができ、また低コストで集積化
圧力センサを製造することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について、添付の図面
を参照して具体的に説明する。図１は、本発明の実施例
に係る集積化圧力センサを示す図であり、（ａ）は上面
図、（ｂ）はＡ−Ａで切断した断面図である。なお、図
１において、図３と同一構成物には同一符号を付して、
その詳細な説明を省略する。
を参照して具体的に説明する。図１は、本発明の実施例
に係る集積化圧力センサを示す図であり、（ａ）は上面
図、（ｂ）はＡ−Ａで切断した断面図である。なお、図
１において、図３と同一構成物には同一符号を付して、
その詳細な説明を省略する。
【００１３】図１に示すように、センサチップ５のダイ
アフラムの上面には４つの感歪抵抗６ａ、６ｂ、６ｃ及
び６ｄが配置されている。一方、集積回路チップ１に
は、その上面中央部に集積回路２が形成され、その周縁
部にはスルーホール４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ及び
４ｆが形成されていると共に、集積回路２の外部入出力
用のパッド３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ及び３ｆが設
けられている。また、集積回路チップ１の下面には、セ
ンサチップ５のダイアフラムの変形を許容するための凹
部が形成されている。
アフラムの上面には４つの感歪抵抗６ａ、６ｂ、６ｃ及
び６ｄが配置されている。一方、集積回路チップ１に
は、その上面中央部に集積回路２が形成され、その周縁
部にはスルーホール４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ及び
４ｆが形成されていると共に、集積回路２の外部入出力
用のパッド３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ及び３ｆが設
けられている。また、集積回路チップ１の下面には、セ
ンサチップ５のダイアフラムの変形を許容するための凹
部が形成されている。
【００１４】そして、感歪抵抗６ａ〜６ｄが配置された
センサチップ５と、集積回路２が形成された集積回路チ
ップ１とを別個に形成した後、センサチップ５の上面に
集積回路チップ１を積層させて固定すると共に、感歪抵
抗６ａ〜６ｄによって構成されたブリッジ回路と、集積
回路２とをスルーホール４ａ〜４ｆを介して電気的に接
続する。
センサチップ５と、集積回路２が形成された集積回路チ
ップ１とを別個に形成した後、センサチップ５の上面に
集積回路チップ１を積層させて固定すると共に、感歪抵
抗６ａ〜６ｄによって構成されたブリッジ回路と、集積
回路２とをスルーホール４ａ〜４ｆを介して電気的に接
続する。
【００１５】なお、集積回路チップ１にスルーホールを
形成せずに、ボンディングワイヤを使用してセンサチッ
プ５に配置された感歪抵抗６ａ〜６ｄによるブリッジ回
路と、集積回路チップ１に形成された集積回路２とを電
気的に接続することもできる。
形成せずに、ボンディングワイヤを使用してセンサチッ
プ５に配置された感歪抵抗６ａ〜６ｄによるブリッジ回
路と、集積回路チップ１に形成された集積回路２とを電
気的に接続することもできる。
【００１６】このように構成された本実施例の圧力セン
サにおいては、センサチップ５のダイアフラムに圧力が
印加されると、ダイアフラムが変形し、パッド３ａ〜３
ｆの入力パッドを介して電圧が供給された感歪抵抗６ａ
〜６ｄの抵抗ブリッジ回路によりダイアフラムの変形量
が検出され、スルーホール４ａ〜４ｆを介して検出信号
が集積回路２に入力される。そして、この集積回路２に
て増幅及び演算等の所定の処理がなされ、パッド３ａ〜
３ｆの出力パッドを介して圧力を示す信号が出力され
る。
サにおいては、センサチップ５のダイアフラムに圧力が
印加されると、ダイアフラムが変形し、パッド３ａ〜３
ｆの入力パッドを介して電圧が供給された感歪抵抗６ａ
〜６ｄの抵抗ブリッジ回路によりダイアフラムの変形量
が検出され、スルーホール４ａ〜４ｆを介して検出信号
が集積回路２に入力される。そして、この集積回路２に
て増幅及び演算等の所定の処理がなされ、パッド３ａ〜
３ｆの出力パッドを介して圧力を示す信号が出力され
る。
【００１７】本実施例においては、従来の集積化圧力セ
ンサと異なり、センサチップ５に集積回路を形成する必
要がないため、センサチップ５のダイアフラムの面積及
び厚さを変えずに、即ちセンサ感度を十分高く保持しつ
つセンサチップ５を、例えば１ｍｍ×１ｍｍまで小さく
することができ、その結果、集積化圧力センサを小型化
することができる。
ンサと異なり、センサチップ５に集積回路を形成する必
要がないため、センサチップ５のダイアフラムの面積及
び厚さを変えずに、即ちセンサ感度を十分高く保持しつ
つセンサチップ５を、例えば１ｍｍ×１ｍｍまで小さく
することができ、その結果、集積化圧力センサを小型化
することができる。
【００１８】また、集積回路チップ１がセンサチップ５
の上面に積層されているため、センサチップ５のダイア
フラムに過大の圧力が作用しても、センサチップ５の変
形を抑制することができ、センサチップ５のダイアフラ
ムの割れ等を防止することができる。
の上面に積層されているため、センサチップ５のダイア
フラムに過大の圧力が作用しても、センサチップ５の変
形を抑制することができ、センサチップ５のダイアフラ
ムの割れ等を防止することができる。
【００１９】なお、感歪抵抗が設けられたセンサチップ
と、集積回路が形成された集積回路チップとを別個に形
成して、これらセンサチップと集積回路チップとを並列
にパッケージ内部に配置することも考えられるが、この
ような集積化圧力センサを製造するためには、従来より
工数が多くかかり、また現在使用されている製造装置を
使用することができず、新たに特殊な製造装置を導入す
る必要があるため好ましくない。
と、集積回路が形成された集積回路チップとを別個に形
成して、これらセンサチップと集積回路チップとを並列
にパッケージ内部に配置することも考えられるが、この
ような集積化圧力センサを製造するためには、従来より
工数が多くかかり、また現在使用されている製造装置を
使用することができず、新たに特殊な製造装置を導入す
る必要があるため好ましくない。
【００２０】そこで、本実施例のようにセンサチップと
集積回路とを積層して集積化圧力センサを構成すること
が有効であるが、本発明に係る集積化圧力センサは、図
１に示すようなセンサチップ５の上面に集積回路チップ
１を積層させたものに限定されるものではなく、センサ
チップ５の下面に集積回路チップ１を積層させたセンサ
であってもよい。
集積回路とを積層して集積化圧力センサを構成すること
が有効であるが、本発明に係る集積化圧力センサは、図
１に示すようなセンサチップ５の上面に集積回路チップ
１を積層させたものに限定されるものではなく、センサ
チップ５の下面に集積回路チップ１を積層させたセンサ
であってもよい。
【００２１】図２は、図１に示すチップをモールドケー
ス８内に搭載した集積化圧力センサの内部構造を示す上
面図である。この図２に示すように、モールドケース８
上面の両側部には、外部出力用の端子７ａ、７ｂ、７
ｃ、７ｄ、７ｅ及び７ｆが設けられており、いずれの端
子もモールドケース８の上面に垂直に下方に向けて延出
している。なお、この延出した部分が、集積化圧力セン
サを回路基板に設置するときの接合部となる。また、モ
ールドケース８の下面には、測定すべき圧力を導入する
測定圧力導入口（図示せず）が設けられている。
ス８内に搭載した集積化圧力センサの内部構造を示す上
面図である。この図２に示すように、モールドケース８
上面の両側部には、外部出力用の端子７ａ、７ｂ、７
ｃ、７ｄ、７ｅ及び７ｆが設けられており、いずれの端
子もモールドケース８の上面に垂直に下方に向けて延出
している。なお、この延出した部分が、集積化圧力セン
サを回路基板に設置するときの接合部となる。また、モ
ールドケース８の下面には、測定すべき圧力を導入する
測定圧力導入口（図示せず）が設けられている。
【００２２】更に、モールドケース８内の中央部には、
図１に示すセンサが搭載されており、集積回路チップ１
の周縁部に形成されたパッド３ａ〜３ｆが夫々端子７ａ
〜７ｆにボンディングワイヤ９によって接続されてい
る。
図１に示すセンサが搭載されており、集積回路チップ１
の周縁部に形成されたパッド３ａ〜３ｆが夫々端子７ａ
〜７ｆにボンディングワイヤ９によって接続されてい
る。
【００２３】このような集積化圧力センサを製造する場
合においては、図３の従来センサの製造に使用されてい
るような現有設備を使用して、容易に製造することがで
きるため、小型化した集積化圧力センサを低コストで製
造することができる。
合においては、図３の従来センサの製造に使用されてい
るような現有設備を使用して、容易に製造することがで
きるため、小型化した集積化圧力センサを低コストで製
造することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
感歪抵抗がダイアフラムに配置されたセンサチップと、
集積回路が形成された集積回路チップとを積層して、集
積化圧力センサのチップを構成するので、センサチップ
のダイアフラムの形状を変えずに、センサチップを小さ
くすることができる。このため、センサ感度を高く保持
しつつ、集積化圧力センサを小型化することができる。
感歪抵抗がダイアフラムに配置されたセンサチップと、
集積回路が形成された集積回路チップとを積層して、集
積化圧力センサのチップを構成するので、センサチップ
のダイアフラムの形状を変えずに、センサチップを小さ
くすることができる。このため、センサ感度を高く保持
しつつ、集積化圧力センサを小型化することができる。
【図１】本発明の実施例に係る集積化圧力センサを示す
図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａで切断した
断面図である。
図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａで切断した
断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る集積化圧力センサの内部
構造を示す上面図である。
構造を示す上面図である。
【図３】従来の集積化圧力センサのチップを示す図であ
り、（ａ）は上面図、（ｂ）はＢ−Ｂで切断した断面図
である。
り、（ａ）は上面図、（ｂ）はＢ−Ｂで切断した断面図
である。
１；集積回路チップ ２，２２；集積回路 ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ；パッド ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ；スルーホール ５，２５；センサチップ ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ；感歪抵抗 ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ；端子 ８；モールドケース ９；ボンディングワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイアフラムとこのダイアフラムに配置
された複数個の感歪抵抗を備えたセンサチップと、集積
回路が形成された集積回路チップとを有し、前記センサ
チップと前記集積回路とは積層されていることを特徴と
する集積化圧力センサ。 - 【請求項２】 前記集積回路チップにはスルーホールが
設けられており、このスルーホールを介して前記感歪抵
抗と前記集積回路とが接続されていることを特徴とする
請求項１に記載の集積化圧力センサ。 - 【請求項３】 前記集積回路チップの周縁部に前記集積
回路に接続されたパッドが形成されていて、前記センサ
チップ及び集積回路チップが搭載されるモールドケース
に設けられた端子と前記パッドとがワイヤボンディング
により接続されていることを特徴とする請求項１又は２
に記載の集積化圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943495A JPH0992846A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 集積化圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943495A JPH0992846A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 集積化圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992846A true JPH0992846A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17192917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24943495A Pending JPH0992846A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 集積化圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992846A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100330370B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2002-04-03 | 김정희 | 세라믹 다이어프램형 압력센서의 제조방법 |
| JP2010177280A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Fujikura Ltd | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
| JP2010175296A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Fujikura Ltd | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
| JP2010271079A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Fujikura Ltd | 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法 |
| JP2010281612A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Fujikura Ltd | 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法 |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP24943495A patent/JPH0992846A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100330370B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2002-04-03 | 김정희 | 세라믹 다이어프램형 압력센서의 제조방법 |
| JP2010177280A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Fujikura Ltd | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
| JP2010175296A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Fujikura Ltd | 半導体センサの製造方法、及び半導体センサ |
| JP2010271079A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Fujikura Ltd | 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法 |
| JP2010281612A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Fujikura Ltd | 圧力センサモジュール及び圧力センサパッケージ、並びにこれらの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8156804B2 (en) | Capacitive semiconductor sensor | |
| US5604363A (en) | Semiconductor pressure sensor with package | |
| JP2008039760A (ja) | 圧力センサ | |
| US20160209344A1 (en) | Complex sensor and method of manufacturing the same | |
| JP5357100B2 (ja) | フォースセンサパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2938344B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3915605B2 (ja) | 圧力センサ装置 | |
| JPH0992846A (ja) | 集積化圧力センサ | |
| GB2353401A (en) | An integrated circuit package incorporating a capacitive sensor probe | |
| JP2005127750A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
| JP5815624B2 (ja) | 防水型圧力センサ | |
| JP3645833B2 (ja) | イメージセンサのスタックパッケージ構造 | |
| JP2009265012A (ja) | 半導体センサ | |
| JPH0992670A (ja) | センサ装置の構造およびその構造を実現するための実装方法 | |
| JP3596199B2 (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JP4207847B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP4706634B2 (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
| JPH07297348A (ja) | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレームならびに半導体装置の製造方法 | |
| JPS6327724A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| US11980455B2 (en) | Measuring device | |
| WO2020246444A1 (ja) | 測定器 | |
| JPH0245721A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
| JPH0348458B2 (ja) | ||
| US20200135620A1 (en) | Semiconductor device packages with electrical routing improvements and related methods | |
| JP2788196B2 (ja) | Ｉｃカード用ｉｃ基板 |