JP3645833B2 - イメージセンサのスタックパッケージ構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はイメージセンサのスタックパッケージ構造に係り、特に、そのうち異なる機能を有する集積回路及びイメージセンシングチップがパッケージボデー中にパッケージされて、パッケージ基板の数を減少でき、及び異なる機能を有する集積回路及びイメージセンシングチップを一体にパッケージした構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般にセンサは信号の検出に用いられ、それは光学或いはオーディオ信号とされうる。本発明のセンサはイメージ信号を受け取り、及びイメージ信号をプリント基板に伝送する電気信号に変換する。
【0003】
一般にイメージセンサはイメージ信号を受け取りイメージ信号ををプリント基板に伝送する電気信号に変換する。イメージセンサはそれから電気的に他の集積回路に連結されて必要な機能を有する。例えば、イメージセンサはイメージセンサの発生した信号を処理するディジタル信号プロセッサに電気的に連接される。さらに、イメージセンサはまた、マイクロコントローラ、中央処理装置、或いはその他の回路に連結されて、必要な機能を有する。
【0004】
しかし、伝統的なイメージセンサはパッケージされ、イメージセンサに対応する集積回路はイメージセンサとは別にパッケージされる必要がある。そして、パッケージされたイメージセンサ及び各種の信号処理ユニットは電気的にプリント基板に連結される。その後、イメージセンサが電気的に信号処理ユニットに、複数の配線によりそれぞれ連結される。ゆえに、個別に各信号処理ユニットとイメージセンサをパッケージするためには、複数の基板とパッケージボデーを使用する必要があり、このため製造コストが増した。さらに、プリント基板の必要エリアは各信号処理ユニットをプリント基板上に取り付ける時に信号処理ユニットより大きくなければならず、このため製品を小型化、薄型化、及び軽量化することができなかった。
【0005】
上述の問題を解決するため、本発明ではイメージセンサのスタックパッケージ構造を提供して従来のイメージセンサによりもたらされる欠点を解決する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ゆえに、本発明の主要な目的は、イメージセンサのスタックパッケージ構造を提供し、パッケージ素子の数とパッケージコストを減少することにある。
【0007】
本発明の別の目的は、イメージセンサのスタックパッケージ構造を提供し、製造プロセスを簡素化及び容易とすることにある。
【0008】
本発明のさらに別の目的は、イメージセンサのスタックパッケージ構造を提供し、イメージセンシング製品のエリアを減少することにある。
【0009】
本発明のさらにまた別の目的は、イメージセンサのスタックパッケージ構造を提供し、イメージセンシング製品のパッケージコスト及び試験コストを減少することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、イメージセンサをプリント基板に電気的に連結するスタックパッケージ構造において、
第1表面と該第1表面の反対に位置する第2表面を具え、該第1表面に信号入力端子が形成され、第2表面にプリント基板と電気的に連結される信号出力端子が形成された、第1基板と、
上表面と該上表面の反対に位置する下表面を具え、該下表面が第1基板の第1表面に接着され、第1基板との間にキャビティーを形成する、第2基板と、
該第1基板の第1表面上に取り付けられてキャビティー内に位置し、第1基板の第1表面の信号入力端子に電気的に連結された、集積回路と、
該第2基板の上表面に配置されて第1基板上の信号入力端子と電気的に連結された、イメージセンシングチップと、
透明層であり、イメージセンシングチップを被覆し、該イメージセンシングチップが該透明層を介してイメージ信号を受け取り、第1基板上の信号入力端子に伝送する電気信号に変換する、上記透明層と、
を具えたことを特徴とする、イメージセンサのスタックパッケージ構造としている。
請求項2の発明は、前記集積回路が信号処理ユニットとされたことを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサのスタックパッケージ構造としている。
請求項3の発明は、前記第2基板の上表面の周囲に投射構造が配置され、透明層が投射構造の上に配置されたことを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサのスタックパッケージ構造としている。
請求項4の発明は、前記透明層が透明樹脂とされたことを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサのスタックパッケージ構造としている。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明によると、プリント基板に電気的に連結するためのイメージセンサのスタックパッケージ構造は、第1基板と、第2基板と、集積回路と、イメージセンシングチップと、透明層とを具えている。該第1基板は信号入力端子が形成された第1表面を有する。第1基板の第2表面にはプリント基板に電気的に連結される信号出力端子が形成されている。第2基板は上表面と該上表面と反対の下表面を有する。該第2基板の該下表面が第1基板の第1表面に接合され、第1基板と第2基板の間にキャビティーが形成される。該集積回路は第1基板の第1表面に取り付けられ、キャビティー内に配置され、該集積回路は第1基板の第1表面の信号入力端子に電気的に連結される。該イメージセンシングチップは第2基板の上表面に配置される。該透明層はイメージセンシングチップの上方を被覆し、イメージセンシングチップが該透明層を介してイメージ信号を受け取り、第1基板に伝送される電気信号に変換する。
【0012】
こうして、イメージセンシング製品のイメージセンシングチップと集積回路が一体にパッケージされる。
【0013】
【実施例】
図1に示されるように、本発明のイメージセンサのスタックパッケージ構造は、第1基板10と、第2基板22と、集積回路30と、イメージセンシングチップ34と、投射構造38と、透明層40とを具えている。
【0014】
該第1基板10は第1表面12と該第1表面12の反対に位置する第2表面14とを具えている。第1基板10の第1表面12に信号入力端子16が形成されている。第1基板10の第2表面14には信号出力端子18が形成され、該信号出力端子18はBGA形式に配置された金属ボールとされて、第1基板10からの信号をプリント基板20に伝送する。
【0015】
第2基板22は上表面24と上表面24の反対に位置する下表面26を具えている。第2基板22の下表面26は第1基板10の第1表面12に接着され、これにより第1基板10と第2基板22の間にキャビティー28が形成される。
【0016】
集積回路30は信号処理ユニットとされ、例えばディジタル信号プロセッサ、マイクロプロセッサ、CPU或いはそれらに類似のものとされる。該集積回路30は第1基板10の第1表面12に配置されキャビティー28内に位置する。集積回路30はワイヤボンディングにより第1基板10の第1表面12に形成された信号入力端子16に複数のワイヤ32を介して電気的に連結される。これにより集積回路30が第1基板10に電気的に連結される。もし集積回路30がディジタル信号プロセッサとされるなら、イメージセンシングチップ34からの信号は前もって処理されてからプリント基板20に伝送される。
【0017】
イメージセンシングチップ34は第2基板22の上表面24に配置されて第1基板10の第1表面12に形成された信号入力端子16に電気的に連結される。これによりイメージセンシングチップ34からの信号が第1基板10に伝送される。
【0018】
該投射構造38はフレームとされ第1基板10の第1表面12に取り付けられて集積回路30とイメージセンシングチップ34を包囲する。
【0019】
該透明層40は透明ガラスとされ、投射構造38を被覆して集積回路30とイメージセンシングチップ34をシールする。イメージセンシングチップ34は透明層40を介してイメージ信号を受け取り、該イメージ信号を第1基板10に伝送する電気信号に変換する。
【0020】
図2は本発明のイメージセンサのスタックパッケージ構造の第2実施例の断面図である。第2基板22の上表面24に信号入力端子42が形成されている。第2基板22の下表面26は第1基板10の第1表面12に固定される。こうして、キャビティー28が第1基板10と第2基板22の間に形成される。集積回路30が第1表面12に配置されキャビティー28内に位置する。そして、集積回路30は第1基板10の第1表面12に形成された信号入力端子42にワイヤボンディングされたワイヤ32を介して電気的に連結される。
【0021】
イメージセンシングチップ34が第2基板22の上表面24に配置され、該イメージセンシングチップ34は第2基板22の上表面24に形成された信号入力端子42に電気的に連結される。
【0022】
投射構造38が第1基板10の第1表面12に固定されて集積回路30とイメージセンシングチップ34を包囲する。
【0023】
透明層40は透明ガラスとされ、投射構造38の上に位置して集積回路30とイメージセンシングチップ34をシールする。該イメージセンシングチップ34は透明層40を介してイメージ信号を受け取り、それを第1基板10に伝送する電気信号に変換する。
【0024】
図3は本発明のイメージセンサのスタックパッケージ構造の第3実施例の断面図である。この実施例では透明層40が透明樹脂とされ、それが第2基板22の上表面24を被覆し、ゆえに、集積回路30とイメージセンシングチップ34が透明層40によりシールされる。それから、イメージセンシングチップ34が透明層40を介してイメージ信号を受け取り、それを第1基板10に伝送する電気信号に変換する。
【0025】
図4は本発明のイメージセンサのスタックパッケージ構造の第4実施例の断面図である。この実施例では支持柱46を具え、該支持柱46が第2基板22の上表面24に固定されている。逆U形の透明層40が射出或いは加圧モールディングにより形成される。こうしてイメージセンシングチップ34及び集積回路30が透明層40に被覆され、イメージ信号が透明層40を介してイメージセンシングチップ34に受け取られる。
【0026】
該逆U形の透明層40は厚く形成され、これによりイメージセンサのスタックパッケージ構造が良好な透過品質を提供する。
【0027】
【発明の効果】
以上により、本発明は以下のような優れた点を有する。
1.イメージセンシングチップと集積回路が一体にパッケージされているため、基板形成材料を減らすことができ、ゆえにイメージセンシング製品の製造コストを削減できる。
2.イメージセンシングチップと集積回路が一体にパッケージされているため、イメージセンシング製品の区域を減少できる。
3.イメージセンシングチップと集積回路が一体にパッケージされているため、ただ一つのパッケージボデーしかない。ゆえにただ一つの試験設備しか使用する必要がなく、試験コストも減少できる。
4.イメージセンシングチップと集積回路が一体にパッケージされているため、二つのチップがたった一つのパッケージプロセスによりパッケージされる。ゆえにパッケージコストを有効に減少できる。
【0028】
以上の説明は本発明の実施例に係るものであり、本発明の請求範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例によるイメージセンサのスタックパッケージ構造表示図である。
【図2】本発明の第2実施例によるイメージセンサのスタックパッケージ構造表示図である。
【図3】本発明の第3実施例によるイメージセンサのスタックパッケージ構造表示図である。
【図4】本発明の第4実施例によるイメージセンサのスタックパッケージ構造表示図である。
【符号の説明】
10 第1基板
22 第2基板
30 集積回路
34 イメージセンシングチップ
38 投射構造
40 透明層
12 第1表面
14 第2表面
16 信号入力端子
18 信号出力端子
24 上表面
26 下表面
28 キャビティー
32 ワイヤ
42 信号入力端子
46 支持柱
Claims (4)
- イメージセンサをプリント基板に電気的に連結するスタックパッケージ構造において、
第1表面と該第1表面の反対に位置する第2表面を具え、該第1表面に信号入力端子が形成され、第2表面にプリント基板と電気的に連結される信号出力端子が形成された、第1基板と、
上表面と該上表面の反対に位置する下表面を具え、該下表面が第1基板の第1表面に接着され、第1基板との間にキャビティーを形成する、第2基板と、
該第1基板の第1表面上に取り付けられてキャビティー内に位置し、第1基板の第1表面の信号入力端子に電気的に連結された、集積回路と、
該第2基板の上表面に配置されて第1基板上の信号入力端子と電気的に連結された、イメージセンシングチップと、
透明層であり、イメージセンシングチップを被覆し、該イメージセンシングチップが該透明層を介してイメージ信号を受け取り、第1基板上の信号入力端子に伝送する電気信号に変換する、上記透明層と、
を具えたことを特徴とする、イメージセンサのスタックパッケージ構造。 - 前記集積回路が信号処理ユニットとされたことを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサのスタックパッケージ構造。
- 前記第2基板の上表面の周囲に投射構造が配置され、透明層が投射構造の上に配置されたことを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサのスタックパッケージ構造。
- 前記透明層が透明樹脂とされたことを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサのスタックパッケージ構造。
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