KR100428950B1 - 스택 구조의 영상 센서 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

스택 구조(stacked structure)의 영상 센서는 기판, 집적 회로, 패키지 층, 영상 감지 칩, 및 투명층을 포함한다. 집적 회로는 상기 기판 상에 설치되며, 그 기판에 전기적으로 연결된다. 패키지 층은 집적 회로 위를 덮는다. 영상 감지 칩은 상기 패키지 층상에 설치되어 집적 회로와 스택 구조를 형성하며, 기판에 전기적으로 연결된다. 투명층은 영상 감지 칩이 투명층을 통해 영상 신호를 받아들이도록 영상 감지 칩 상부에 설치된다. 이러한 구조에 따르면, 영상 감지 칩과 집적 회로가 용이하게 통합 스택될 수 있다.

Description

스택 구조의 영상 센서 및 그의 제조방법{Stacked structure of an image sensor and method for manufacturing the same}
본 발명은 스택 구조(stacked structure)의 영상 센서 및 그의 제조방법에관한 것으로, 보다 상세하게는 패키지 기판의 수를 감소시키고 영상 감지 칩과 다양한 기능을 보유한 처리 유닛을 통합 패키징하기 위하여 영상 감지 칩과 다양한 기능을 보유한 집적 회로가 하나의 패키지 동체 내에 패키징되어 있는 구조 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적인 센서는 신호를 감지하는데 사용되는데, 그 신호는 시각 또는 청각 신호일 수 있다. 본 발명의 센서는 영상 신호를 받아들여 그 영상 신호를 인쇄회로기판(printed circuit board)으로 전송되는 전기 신호로 변환시키는데 사용된다.
일반적인 영상 센서는 영상 신호를 받아들여 그 영상 신호를 인쇄회로기판으로 전송되는 전기 신호로 변환시키는데 사용된다. 영상 센서는 더 나아가 다양한 기능을 보유하도록 다른 집적 회로에 전기적으로 연결된다. 예를 들면, 영상 센서는 그 영상 센서로부터 발생된 신호를 처리하는 전자 신호처리기에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 영상 센서는 다양한 기능을 보유하도록 마이크로 제어기 또는 중앙처리장치에 전기적으로 연결될 수 있다.
그러나, 종래의 영상 센서는 개별적으로 패키징 되기 때문에, 영상 센서와 짝을 이루는 다양한 집적 회로는 영상 센서와 함께 개별적으로 패키징 되어야 한다. 그런 다음, 패키징된 영상 센서 및 다양한 집적 회로는 다수의 배선을 통해 인쇄회로기판에 전기적으로 연결된다.
이러한 구조에 있어서, 각각의 집적 회로와 영상 센서를 개별적으로 패키징하기 위해서는 다수의 기판 및 패키지 동체가 사용되어야 하며, 그 결과 제조 비용을 효율적으로 절감할 수 없다. 또한, 각각의 집적 회로를 인쇄회로기판 상에 설치하는 경우 비교적 큰 면적의 인쇄회로기판이 요구되며, 따라서 제품을 작게, 얇게 그리고 가볍게 만들 수 없다.
상기에서 언급한 문제점들을 해결하기 위해서 본 발명자들은 스택 구조의 영상 센서 및 그의 제조방법을 제공할 필요가 있다.
본 발명의 첫번째 목적은 패키징된 요소의 수를 감소시키고 패키지 비용을 절감하기 위하여 스택 구조의 영상 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 두번째 목적은 제조공정을 단순화시키고 용이하게 하기 위하여 스택 구조의 영상 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 세번째 목적은 영상 감지 제품의 면적을 감소시킬 수 있는 스택 구조의 영상 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 네번째 목적은 패키지 비용 및 영상 감지 제품의 검사 비용을 절감할 수 있는 스택 구조의 영상 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 측면에 따르면, 인쇄회로기판에 전기적으로 연결되는 스택 구조의 영상 센서는 기판, 집적 회로, 패키지 층(package layer), 영상 감지 칩, 및 투명층(transparent layer)을 포함한다. 기판은 윗면과 윗면에 대향하는 아랫면을 구비하고 있다. 윗면은 다수의 신호 입력 단자를 갖도록 형성되는 반면, 아랫면은인쇄회로기판에 전기적으로 연결하기 위한 다수의 신호 출력 단자를 갖도록 형성된다. 집적 회로는 상기 기판의 윗면에 설치되며, 상기 신호 입력 단자에 전기적으로 연결된다. 패키지 층은 집적 회로 위를 덮어 집적 회로를 감싼다. 영상 감지 칩은 상기 패키지 층위에 설치되어 집적 회로 상부에 스택되며, 상기 기판의 신호 입력 단자에 전기적으로 연결된다. 투명층은 상기 영상 감지 칩 위를 덮어, 영상 감지 칩은 투명층을 통과한 영상 신호를 받아들이게 된다. 상기 영상 센서의 제조방법 또한 개시된다. 이러한 구조에 따르면, 영상 감지 칩과 집적 회로가 용이하게 통합 스택될 수 있다.
도 1은 본 발명의 첫번째 실시양태에 따른 스택 구조의 영상 센서의 단면도이다.
도 2는 도 1의 구조를 도시한 첫번째 개략도이다.
도 3은 도 1의 구조를 도시한 두번째 개략도이다.
도 4는 도 1의 구조를 도시한 세번째 개략도이다.
도 5는 본 발명의 두번째 실시양태에 따른 스택 구조의 영상 센서의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 세번째 실시양태에 따른 스택 구조의 영상 센서의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 스택 구조의 영상 센서는 기판(10), 집적 회로(12), 패키지 층(package layer, 14), 영상 감지 칩(16), 프레임(frame, 18), 투명층(20), 및 다수의 배선(wirings, 22)을 포함한다.
기판(10)은 윗면(24) 및 윗면(24)에 대향하는 아랫면(26)을 포함한다. 다수의 신호 입력 단자(28)는 윗면(24) 상에 형성되는 반면, 다수의 신호 출력 단자(30)는 아랫면(26) 상에 형성된다. 신호 출력 단자(30)는 인쇄회로기판(도시하지 않음)에 전기적으로 연결하는데 사용되며, 볼 그리드 어레이(ball grid array)의 형태로 배열된 금속 볼일 수 있다.
집적 회로(12)는 전자 신호처리기, 마이크로프로세서, 또는 중앙연산처리장치(CPU)일 수 있다. 집적 회로(12)는 기판(10)의 윗면(24)에 설치되며, 다수의 배선(22)을 통해 신호 입력 단자(28)에 전기적으로 연결된다. 따라서, 집적 회로(12)로부터의 신호는 기판(10)으로 전송될 수 있다.
패키지 층(14)은 프레스 몰딩(press molding)에 의해 집적 회로(12)를 덮는다. 패키지 층(14)은 집적 회로(12) 및 다수의 배선(22)을 패킹하여 보호하는 역할을 한다. 따라서, 배선(22)은 영상 감지 칩(16)이 집적 회로(12) 상부에 스택될 때 영상 감지 칩(16)에 의해 압박되어 손상될 우려가 없다.
영상 감지 칩(16)은 집적 회로(12)와 함께 스택 구조를 형성하도록 패키지 층(14) 상에 설치된다. 영상 감지 칩(16)은 기판(10)의 신호 입력 단자(28)에 배선(22)을 통해 전기적으로 연결된다.
투명 유리 조각일 수 있는 투명층(20)은 영상 감지 칩(16)이 투명층(20)을 통과한 영상 신호를 받아들일 수 있도록 영상 감지 칩(16) 상부에 놓여 영상 감지 칩(16)을 덮는다. 이러한 실시양태에서, 프레임(18)은 기판(10)의 윗면(24)의 둘레에 설치되며, 투명층(20)은 프레임(18) 상에 놓여 영상 감지 칩(16)을 덮는다.
이하, 상술한 구조의 영상 센서의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 우선 집적 회로(12)가 기판(10)의 윗면(24) 상에 설치된다. 다음으로, 다수의 배선(22)이 집적 회로(12)를 기판(10)의 신호 입력 단자(28)에 전기적으로 연결하는데 사용된다. 이어서, 패키지 층(14)이 집적 회로(12) 및 배선(22)을 보호하기 위하여 집적 회로(12)를 덮는데 사용된다. 그런 다음, 프레임(18)이 도 1에 도시된 바와 같이 영상 감지 칩(16)을 덮는 투명층(20)을 지지하기 위해 기판(10)의 윗면(24)의 둘레에 설치된다.
도 3을 참조하면, 집적 회로(12)가 기판(10)의 윗면(24)에 설치되고 기판(10)이 배선(22)을 통해 집적 회로(12)에 전기적으로 연결된 후에, 패키지 층(14) 및 프레임(18)은 프레스 몰딩에 의해 기판(10)의 윗면(24)에 동시에 형성될 수 있다. 패키지 층(14)은 집적 회로(12) 및 배선(22) 위를 덮으며, 프레임(18)은 투명층(20)을 지지하기 위해 기판(10) 둘레에 형성된다. 따라서, 제조공정이 단순화될 수 있으며, 제조비용이 절감될 수 있다.
도 4를 참조하면, 영상 감지 칩(16)은 패키지 층(14) 상에 놓이며, 배선(22)은 기판(10)의 신호 입력 단자(28)에 전기적으로 연결된다. 이와 같이, 영상 감지 칩(16)은 집적 회로(12) 상부에 스택된다. 다시 도 1을 참조하면, 투명층(20)은 영상 감지 칩(16)을 덮도록 프레임(18) 상에 설치되어, 영상 감지 칩(16)은 투명층(20)을 통과한 영상 신호를 받아들일 수 있다.
도 5를 참조하면, 투명층(20)은 투명 접착제일 수 있다. 집적 회로(12)와 영상 감지 칩(16)이 기판(10)의 윗면(24) 상에 스택되고 기판(10)에 전기적으로 연결된 다음, 영상 감지 칩(16), 집적 회로(12) 및 배선(22)을 직접 덮기 위해 투명층(20)이 제공된다. 따라서, 영상 감지 칩(16)은 투명층(20)을 통해 영상 신호를 받아들일 수 있다.
도 6을 참조하면, 투명층(20)은 또한 기판(10)의 윗면(24), 영상 감지 칩(16), 집적 회로(12) 및 배선(22)을 덮는 "-형" 투명 접착제일 수 있다. "-형" 투명 접착제의 향상된 투과율 때문에, 보다 나은 질의 영상 신호가 영상 감지 칩(16)에 의해 받아들여질 수 있다.
본 발명이 실시예 및 바람직한 실시양태에 의해 설명되었긴 하나, 본 발명은개시된 실시양태에 국한되지 않음을 이해하여야 한다. 그와 반대로, 다양한 변형을 포괄하는 것으로 의도된다. 따라서, 첨부된 청구범위의 범위는 그러한 모든 변형을 포함하도록 가장 광범위한 해석에 따라야 한다.
본 발명의 실시양태에 따른 스택 구조 및 제조방법은 다음과 같은 잇점을 갖는다.
1. 집적 회로(12)가 패키지 층(14)으로 덮여 있기 때문에, 영상 감지 칩(16)이 패키지 층(14) 상에 직접 설치되어 집적 회로(12)와 스택 구조를 형성할 수 있다. 이와 같이, 영상 감지 칩(16)은 임의의 크기를 갖는 또다른 집적 회로(12) 상부에 스택될 수 있다.
2. 본 발명의 패키지 층(14)과 프레임(18)은 기판(10) 상에 동시에 형성될 수 있기 때문에, 패키지 공정이 더욱 단순화될 수 있다.

Claims (8)

  1. 다수의 신호 입력 단자를 갖도록 형성된 윗면, 및 인쇄회로기판에 전기적으로 연결하기 위한 다수의 신호 출력 단자를 갖도록 형성된 상기 윗면에 대향하는 아랫면을 구비한 기판;
    상기 기판의 윗면에 설치되어 있으며 상기 신호입력 단자에 전기적으로 연결된 집적회로;
    상기 집적회로를 덮어 이를 패키징하는 패키지 층;
    상기 패키지 층 상에 설치되어 상기 접적회로 상부에 스택되며 상기 기판의 신호 입력 단자에 전기적으로 연결된 영상 감지 칩;
    상기 기판의 둘레에 형성된 프레임; 및
    상기 영상 센서가 투명 레이어를 통과한 영상 신호를 수신하도록 상기 영상 센서 칩을 덮기 위하여 상기 프레임 위에 배치된 투명 레이어를 을 포함하는 인쇄회로기판에 전기적으로 연결된 스택 구조(stacked package structure)의 영상 센서.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 패키지 층은 프레스 몰딩에 의해 상기 집적 회로를 덮는 것을 특징으로 하는 스택 구조의 영상 센서.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서, 상기 투명층은 집적 회로, 패키지 층 및 영상 감지 칩을 덮기 위한 투명 접착제인 것을 특징으로 하는 스택 구조의 영상 센서.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 프레임 및 상기 패키지 층은 상기 기판의 윗면에 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 스택 구조의 영상 센서.
  6. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 집적 회로를 설치하고 그 집적 회로를 기판에 전기적으로 연결하는 단계;
    상기 집적 회로 위에 패키지 층을 덮는 단계;
    상기 집적 회로와 스택 구조를 형성하도록 상기 패키지 층 상에 영상 감지 칩을 제공하는 단계;
    상기 기판의 둘레에 형성되는 프레임을 제공하는 단계; 및
    상기 영상 감지 칩이 투명층을 통과한 영상 신호를 받아들이도록 상기 영상 감지 칩 상부을 덮기위해 상기 프레임 위에 투명층을 설치하는 단계를 포함하는 스택 구조의 영상 센서의 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제 6항에 있어서, 상기 패키지 층 및 상기 프레임은 상기 기판 상에 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 스택 구조의 영상 센서의 제조방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343353A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPH08107167A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Sony Corp 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343353A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPH08107167A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Sony Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10008533B2 (en) 2015-12-01 2018-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package

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