JPH0992766A - リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH0992766A JPH0992766A JP24785095A JP24785095A JPH0992766A JP H0992766 A JPH0992766 A JP H0992766A JP 24785095 A JP24785095 A JP 24785095A JP 24785095 A JP24785095 A JP 24785095A JP H0992766 A JPH0992766 A JP H0992766A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 変形が少なく高精度で信頼性の高いリードフ
レームを提供する。 【解決手段】 本発明の第１の特徴は、半導体チップ搭
載領域を取り囲むように放射状に配置された複数のイン
ナ−リ−ド１２と、インナ−リ−ドそれぞれに連続した
複数のアウタ−リ−ド１３とを備えたリードフレ−ム本
体と、前記リードフレーム本体の表面側の前記半導体チ
ップ搭載領域および前記インナーリード先端のボンディ
ング領域を除くインナーリード、および前記インナーリ
ード裏面側を封止するパッケージング樹脂１５ａ（，１
５ｂ）とを具備したリードフレームにある。
レームを提供する。 【解決手段】 本発明の第１の特徴は、半導体チップ搭
載領域を取り囲むように放射状に配置された複数のイン
ナ−リ−ド１２と、インナ−リ−ドそれぞれに連続した
複数のアウタ−リ−ド１３とを備えたリードフレ−ム本
体と、前記リードフレーム本体の表面側の前記半導体チ
ップ搭載領域および前記インナーリード先端のボンディ
ング領域を除くインナーリード、および前記インナーリ
ード裏面側を封止するパッケージング樹脂１５ａ（，１
５ｂ）とを具備したリードフレームにある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
これを用いた半導体装置の製造方法に関する。
これを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体装置の組立に用いられるリードフレ
ームは、リードフレームメーカーにおいてスタンピング
法あるいはエッチング法で所定形状に加工され、その
後、半導体装置メーカーにおいて半導体チップの搭載や
ワイヤボンディングがなされ、インナーリードやボンデ
ィングワイヤ、半導体チップの樹脂封止工程を経て製造
される。
ームは、リードフレームメーカーにおいてスタンピング
法あるいはエッチング法で所定形状に加工され、その
後、半導体装置メーカーにおいて半導体チップの搭載や
ワイヤボンディングがなされ、インナーリードやボンデ
ィングワイヤ、半導体チップの樹脂封止工程を経て製造
される。
【０００３】近年半導体装置の高集積化に伴い、使用さ
れるリードフレームのリード特にインナーリードの幅は
極めて細くなっており、リードフレームメーカーからの
出荷時点までは、変形がない状態であっても、輸送中の
振動などの影響で変形を生じてしまうという問題があっ
た。
れるリードフレームのリード特にインナーリードの幅は
極めて細くなっており、リードフレームメーカーからの
出荷時点までは、変形がない状態であっても、輸送中の
振動などの影響で変形を生じてしまうという問題があっ
た。
【０００４】インナーリードの変形は、ボンディングミ
スの原因になり、製造歩留まりの低下の大きな原因とな
っている。
スの原因になり、製造歩留まりの低下の大きな原因とな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のリ
ードフレームでは、リードの微細化にともない、輸送中
の振動などの影響でインナーリードに変形が生じやすい
という問題があった。
ードフレームでは、リードの微細化にともない、輸送中
の振動などの影響でインナーリードに変形が生じやすい
という問題があった。
【０００６】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、変形が少なく高精度で信頼性の高いリードフレーム
を提供することを目的とする。
で、変形が少なく高精度で信頼性の高いリードフレーム
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１の特
徴は、半導体チップ搭載領域を取り囲むように放射状に
配置された複数のインナ−リ−ドと、インナ−リ−ドそ
れぞれに連続した複数のアウタ−リ−ドとを備えたリー
ドフレ−ム本体と、前記リードフレーム本体の表面側の
前記半導体チップ搭載領域および前記インナーリード先
端のボンディング領域を除くインナーリード、および前
記インナーリード裏面側をそれぞれ一体的に封止するパ
ッケージング樹脂とより構成されたリードフレームにあ
る。
徴は、半導体チップ搭載領域を取り囲むように放射状に
配置された複数のインナ−リ−ドと、インナ−リ−ドそ
れぞれに連続した複数のアウタ−リ−ドとを備えたリー
ドフレ−ム本体と、前記リードフレーム本体の表面側の
前記半導体チップ搭載領域および前記インナーリード先
端のボンディング領域を除くインナーリード、および前
記インナーリード裏面側をそれぞれ一体的に封止するパ
ッケージング樹脂とより構成されたリードフレームにあ
る。
【０００８】本発明の第２の特徴は、半導体チップ搭載
領域を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ
−リ−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数の
アウタ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体と、前記
リードフレーム本体の表面側の前記半導体チップ搭載領
域および前記インナーリード先端のボンディング領域を
除くインナーリード、および半導体チップ搭載領域裏面
を除く前記インナーリード裏面側をそれぞれ一体的に封
止するパッケージング樹脂とより構成されたリードフレ
ームにある。
領域を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ
−リ−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数の
アウタ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体と、前記
リードフレーム本体の表面側の前記半導体チップ搭載領
域および前記インナーリード先端のボンディング領域を
除くインナーリード、および半導体チップ搭載領域裏面
を除く前記インナーリード裏面側をそれぞれ一体的に封
止するパッケージング樹脂とより構成されたリードフレ
ームにある。
【０００９】本発明の第３の特徴は、半導体チップ搭載
領域を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ
−リ−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数の
アウタ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体を準備す
る工程と、前記リードフレーム本体表面側の前記半導体
チップ搭載領域および前記インナーリード先端のボンデ
ィング領域を除くインナーリード、および前記インナー
リード裏面側をパッケージング樹脂により封止する第１
の封止工程と、前記半導体チップ搭載領域に半導体チッ
プを固着し、半導体チップとインナーリード先端を電気
的に接続する半導体チップ搭載工程と、パッケージング
樹脂によりインナーリード先端および半導体チップを封
止する第２の封止工程とからなる半導体装置の製造方法
にある。本発明の第４の特徴は、半導体チップ搭載領域
を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ−リ
−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数のアウ
タ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体を準備する工
程と、前記リードフレーム本体表面側の前記半導体チッ
プ搭載領域および前記インナーリード先端のボンディン
グ領域を除くインナーリード、および半導体チップ搭載
領域裏面を除く前記インナーリード裏面側をパッケージ
ング樹脂により封止する第１の封止工程と、半導体チッ
プ搭載領域に半導体チップを固着し、前記半導体チップ
とインナーリード先端を電気的に接続する半導体チップ
搭載工程と、パッケージング樹脂により、インナーリー
ド先端および半導体チップを封止する第２の封止工程と
からなる半導体装置の製造方法にある。
領域を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ
−リ−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数の
アウタ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体を準備す
る工程と、前記リードフレーム本体表面側の前記半導体
チップ搭載領域および前記インナーリード先端のボンデ
ィング領域を除くインナーリード、および前記インナー
リード裏面側をパッケージング樹脂により封止する第１
の封止工程と、前記半導体チップ搭載領域に半導体チッ
プを固着し、半導体チップとインナーリード先端を電気
的に接続する半導体チップ搭載工程と、パッケージング
樹脂によりインナーリード先端および半導体チップを封
止する第２の封止工程とからなる半導体装置の製造方法
にある。本発明の第４の特徴は、半導体チップ搭載領域
を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ−リ
−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数のアウ
タ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体を準備する工
程と、前記リードフレーム本体表面側の前記半導体チッ
プ搭載領域および前記インナーリード先端のボンディン
グ領域を除くインナーリード、および半導体チップ搭載
領域裏面を除く前記インナーリード裏面側をパッケージ
ング樹脂により封止する第１の封止工程と、半導体チッ
プ搭載領域に半導体チップを固着し、前記半導体チップ
とインナーリード先端を電気的に接続する半導体チップ
搭載工程と、パッケージング樹脂により、インナーリー
ド先端および半導体チップを封止する第２の封止工程と
からなる半導体装置の製造方法にある。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明によれば、インナーリード
がパッケージング樹脂で固定されている状態でリードフ
レームメーカーから出荷されるため、輸送中の振動や温
度変化によって変形を起こすことがない。
がパッケージング樹脂で固定されている状態でリードフ
レームメーカーから出荷されるため、輸送中の振動や温
度変化によって変形を起こすことがない。
【００１１】さらに、本発明の第２によれば、半導体チ
ップを搭載するパッドの裏面がパッケージング樹脂から
露呈するように開口部を設けておくことで、ダイボンデ
ィングの際の加熱も容易に行うことができ、また半導体
装置使用時の放熱効果も十分に得ることができる。
ップを搭載するパッドの裏面がパッケージング樹脂から
露呈するように開口部を設けておくことで、ダイボンデ
ィングの際の加熱も容易に行うことができ、また半導体
装置使用時の放熱効果も十分に得ることができる。
【００１２】また、このリードフレームを用いることに
より、パッケージの枠が形成された状態で半導体装置メ
ーカーに供給されることになりメーカーではダイボンデ
ィング工程およびワイヤボンディング工程の後は、半導
体チップを覆うようにポッティング方式により、パッケ
ージングするだけでよいため高額なモールド金型を必要
とせず、半導体装置の製造が極めて容易となる。
より、パッケージの枠が形成された状態で半導体装置メ
ーカーに供給されることになりメーカーではダイボンデ
ィング工程およびワイヤボンディング工程の後は、半導
体チップを覆うようにポッティング方式により、パッケ
ージングするだけでよいため高額なモールド金型を必要
とせず、半導体装置の製造が極めて容易となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明実施例のリードフレームの
上面図、図２は断面図である。このリードフレーム１
は、半導体チップ搭載領域を除いてあらかじめ封止樹脂
で封止しておくようにしたことを特徴とするものであ
る。すなわち、ダイパッド１１のまわりに放射状に配列
された複数のインナーリード１２と、このインナーリー
ドそれぞれに接続されたアウターリード１３とダムバー
１４とを具備したリードフレーム本体と、この半導体チ
ップ搭載領域および前記インナーリード先端のボンディ
ング領域を除くインナーリード領域を覆うように枠状に
形成された第１のパッケージング樹脂１５ａと、前記イ
ンナーリード１２の裏面側を第２のパッケージング樹脂
１５ｂにより封止したことを特徴とするものである。こ
こで１６はサイドバーである。
上面図、図２は断面図である。このリードフレーム１
は、半導体チップ搭載領域を除いてあらかじめ封止樹脂
で封止しておくようにしたことを特徴とするものであ
る。すなわち、ダイパッド１１のまわりに放射状に配列
された複数のインナーリード１２と、このインナーリー
ドそれぞれに接続されたアウターリード１３とダムバー
１４とを具備したリードフレーム本体と、この半導体チ
ップ搭載領域および前記インナーリード先端のボンディ
ング領域を除くインナーリード領域を覆うように枠状に
形成された第１のパッケージング樹脂１５ａと、前記イ
ンナーリード１２の裏面側を第２のパッケージング樹脂
１５ｂにより封止したことを特徴とするものである。こ
こで１６はサイドバーである。
【００１５】他の部分は通常のリードフレームと全く同
様に形成されており、アロイ４２と指称されている帯状
材料を用い、順送り金型を用いて形状加工がなされ、ま
たインナーリード先端およびダイパッドにはＡｇなどの
貴金属めっき層が形成されている。
様に形成されており、アロイ４２と指称されている帯状
材料を用い、順送り金型を用いて形状加工がなされ、ま
たインナーリード先端およびダイパッドにはＡｇなどの
貴金属めっき層が形成されている。
【００１６】次にこのリードフレームの製造方法につい
て説明する。まず、図３(a) に示すように、アロイ４２
と指称されている帯状材料からプレス法により、リード
フレーム本体１を成型加工する。
て説明する。まず、図３(a) に示すように、アロイ４２
と指称されている帯状材料からプレス法により、リード
フレーム本体１を成型加工する。
【００１７】次いで、このリードフレーム本体をモール
ド金型に装着し、エポキシ樹脂を充填して、表面側にダ
イパッド１１、インナーリード先端部を残すように枠状
の第１のパッケージング樹脂１５ａを形成するととも
に、裏面側にインナーリードおよびダイパッド１１裏面
全体を覆うように第２のパッケージング樹脂１５ｂを形
成する（図３(b) ）。
ド金型に装着し、エポキシ樹脂を充填して、表面側にダ
イパッド１１、インナーリード先端部を残すように枠状
の第１のパッケージング樹脂１５ａを形成するととも
に、裏面側にインナーリードおよびダイパッド１１裏面
全体を覆うように第２のパッケージング樹脂１５ｂを形
成する（図３(b) ）。
【００１８】このようにして、リードフレームが完成せ
しめられ、半導体メーカーなどに供給される。搬送に際
しても、第１および第２のパッケージング樹脂によっ
て、インナーリードは強固に固定されているため、変形
のおそれもなく、高精度にリード間隔が維持され、信頼
性の高いものとなる。
しめられ、半導体メーカーなどに供給される。搬送に際
しても、第１および第２のパッケージング樹脂によっ
て、インナーリードは強固に固定されているため、変形
のおそれもなく、高精度にリード間隔が維持され、信頼
性の高いものとなる。
【００１９】次に、このリードフレームを用いて半導体
装置を形成する方法について説明する。まずこのリード
フレーム１のダイパッド１１に図４に斜視図を示すよう
に半導体チップ２を搭載し、ワイヤボンディング法によ
りボンディングワイヤ３を介してインナーリード１２先
端と半導体チップのボンディングパッドとを接続する。
図５(a) はこの状態を示す断面図である。
装置を形成する方法について説明する。まずこのリード
フレーム１のダイパッド１１に図４に斜視図を示すよう
に半導体チップ２を搭載し、ワイヤボンディング法によ
りボンディングワイヤ３を介してインナーリード１２先
端と半導体チップのボンディングパッドとを接続する。
図５(a) はこの状態を示す断面図である。
【００２０】次いで図５(b) に示すようにポッティング
によりエポキシ樹脂１７をリードフレーム表面側に枠状
をなすように形成されている第１のパッケージング樹脂
１５ａ内に充填することにより、半導体装置が完成す
る。
によりエポキシ樹脂１７をリードフレーム表面側に枠状
をなすように形成されている第１のパッケージング樹脂
１５ａ内に充填することにより、半導体装置が完成す
る。
【００２１】このようにして半導体装置が形成される
が、インナーリード先端はパッケージング樹脂によって
支持固定されているため、変形などにより位置ずれを生
じることもなく、良好に維持されている。
が、インナーリード先端はパッケージング樹脂によって
支持固定されているため、変形などにより位置ずれを生
じることもなく、良好に維持されている。
【００２２】また、半導体装置の実装に際しては、モー
ルド金型が不要となる上、ポッティングのみによって樹
脂封止がなされるため、粘度の低い樹脂を用いることが
でき、ボンディングワイヤのだれなどを生じることな
く、良好に封止がなされる。
ルド金型が不要となる上、ポッティングのみによって樹
脂封止がなされるため、粘度の低い樹脂を用いることが
でき、ボンディングワイヤのだれなどを生じることな
く、良好に封止がなされる。
【００２３】なお、前記実施例ではリードフレーム本体
をプレス法によって成形したが、エッチングにより形成
してもよい。また、例えばインナーリード先端およびダ
イパッドを除く領域をプレス法あるいはエッチング法に
より形状加工しておき、さらにインナーリード先端およ
びダイパッド形成のためのレジストパターンを形成した
状態で、第１および第２のパッケージング樹脂でパッケ
ージングを行い、この後インナーリード先端およびダイ
パッド形成のためのエッチングを行うようにしてもよ
い。このような方法によれば、微細パターンは、自由に
なることなく支持された状態でパターン形成がなされる
ため、変形の余地はなく、極めて高精度を維持すること
ができる。
をプレス法によって成形したが、エッチングにより形成
してもよい。また、例えばインナーリード先端およびダ
イパッドを除く領域をプレス法あるいはエッチング法に
より形状加工しておき、さらにインナーリード先端およ
びダイパッド形成のためのレジストパターンを形成した
状態で、第１および第２のパッケージング樹脂でパッケ
ージングを行い、この後インナーリード先端およびダイ
パッド形成のためのエッチングを行うようにしてもよ
い。このような方法によれば、微細パターンは、自由に
なることなく支持された状態でパターン形成がなされる
ため、変形の余地はなく、極めて高精度を維持すること
ができる。
【００２４】また、条材のまま裏面側の第２のパッケー
ジング樹脂のみを形成し、この後エッチングによりリー
ドフレーム本体のパターニングを行うようにしてもよ
い。
ジング樹脂のみを形成し、この後エッチングによりリー
ドフレーム本体のパターニングを行うようにしてもよ
い。
【００２５】この場合は第１のパッケージング樹脂形成
のために再度樹脂封止を行わなければならないが、変形
のない良好なリードフレームを得ることができる。
のために再度樹脂封止を行わなければならないが、変形
のない良好なリードフレームを得ることができる。
【００２６】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。
る。
【００２７】このリードフレームは図６に断面図を示す
ように第１の実施例のリードフレームの裏面側に位置す
る第２のパッケージング樹脂の半導体素子搭載領域に開
口Ｈを設け、実装後の放熱性を高めるようにしたことを
特徴とするものである。他の部分については前記実施例
と同様に形成される。
ように第１の実施例のリードフレームの裏面側に位置す
る第２のパッケージング樹脂の半導体素子搭載領域に開
口Ｈを設け、実装後の放熱性を高めるようにしたことを
特徴とするものである。他の部分については前記実施例
と同様に形成される。
【００２８】製造についても、第１の実施例のリードフ
レームと同様になされる。
レームと同様になされる。
【００２９】さらにまた、本発明の第３の実施例とし
て、ダイレクトボンディング用のリードフレームについ
て説明する。このリードフレームは、図７に示すよう
に、ダイパッドなしで構成されており、前記第１の実施
例と同様、インナーリードの裏面側に第２のパッケージ
ング樹脂を形成するとともに表面側にはインナーリード
の先端部を残してインナーリード全体を覆うように第１
のパッケージング樹脂が形成されている。
て、ダイレクトボンディング用のリードフレームについ
て説明する。このリードフレームは、図７に示すよう
に、ダイパッドなしで構成されており、前記第１の実施
例と同様、インナーリードの裏面側に第２のパッケージ
ング樹脂を形成するとともに表面側にはインナーリード
の先端部を残してインナーリード全体を覆うように第１
のパッケージング樹脂が形成されている。
【００３０】ここでもパターン精度を上げるために、ア
ウターリードおよびインナーリードのアウターリード側
の一部をパターニングしたのち、図７(a) に示すように
インナーリード先端部のパターニングのためのレジスト
パターンＲを形成した状態で図７(b) に示すように第１
および第２のパッケージング樹脂１５ａ，１５ｂを形成
し、最後に図７(c) に示すようにエッチングを行いイン
ナーリード先端部のパターニングを行う。
ウターリードおよびインナーリードのアウターリード側
の一部をパターニングしたのち、図７(a) に示すように
インナーリード先端部のパターニングのためのレジスト
パターンＲを形成した状態で図７(b) に示すように第１
および第２のパッケージング樹脂１５ａ，１５ｂを形成
し、最後に図７(c) に示すようにエッチングを行いイン
ナーリード先端部のパターニングを行う。
【００３１】このようにして形成されたリードフレーム
を用いて半導体チップ２の実装を行うが、フェースダウ
ンでインナーリード１２の先端に位置決めを行い、接続
を行う。この後、図８に示すように、そのままポッテイ
ングにより第１のパッケージング樹脂１５ａ内にエポキ
シ樹脂１７を充填する。
を用いて半導体チップ２の実装を行うが、フェースダウ
ンでインナーリード１２の先端に位置決めを行い、接続
を行う。この後、図８に示すように、そのままポッテイ
ングにより第１のパッケージング樹脂１５ａ内にエポキ
シ樹脂１７を充填する。
【００３２】このようにしてボンディングミスがなく高
歩留まりの半導体装置が容易に形成される。
歩留まりの半導体装置が容易に形成される。
【００３３】また必要に応じて、図９に示すように、半
導体チップ２を実装した後、ポッティングに先立ち、放
熱フィン１８を半導体チップ２の裏面に固着するように
してもよい。
導体チップ２を実装した後、ポッティングに先立ち、放
熱フィン１８を半導体チップ２の裏面に固着するように
してもよい。
【００３４】さらにまた、リードフレームのパターニン
グに際し、インナーリード先端部に相当する領域を、サ
イドバーなどの外側領域の肉厚の１／２程度に薄くした
のちパターニングしてもよい。
グに際し、インナーリード先端部に相当する領域を、サ
イドバーなどの外側領域の肉厚の１／２程度に薄くした
のちパターニングしてもよい。
【００３５】また、ダイレクトボンディング用のリード
フレームの製造に際して、パターニング精度を高めるた
めの方法について説明する。図１０に製造工程図を示す
ように、金属条材の裏面側に第２のパッケージング樹脂
１５ｂを固着したのち、フォトリソ法により形成したレ
ジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、イン
ナーリード先端部を除くインナーリードおよびアウター
リード形成領域のパターニングを行う（図１０(a) ）。
そして図１０(b) に示すように第１のパッケージング樹
脂１５ａを形成した後、この第１のパッケージング樹脂
１５ａをマスクとして、全面エッチングを行い第１のパ
ッケージングの内方に位置する条材をエッチングして肉
厚を１／２程度にする（図１０(c) ）。この後、表面に
ＰｄまたはＰｄ−Ｎｉめっきを施しめっき層（図示せ
ず）を形成し、図１０(d) に示すように、さらにレジス
トパターンを形成してインナーリード先端領域のパター
ニングを行う。これにより、先端部は高精度でかつ位置
ずれのないものとなる。
フレームの製造に際して、パターニング精度を高めるた
めの方法について説明する。図１０に製造工程図を示す
ように、金属条材の裏面側に第２のパッケージング樹脂
１５ｂを固着したのち、フォトリソ法により形成したレ
ジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、イン
ナーリード先端部を除くインナーリードおよびアウター
リード形成領域のパターニングを行う（図１０(a) ）。
そして図１０(b) に示すように第１のパッケージング樹
脂１５ａを形成した後、この第１のパッケージング樹脂
１５ａをマスクとして、全面エッチングを行い第１のパ
ッケージングの内方に位置する条材をエッチングして肉
厚を１／２程度にする（図１０(c) ）。この後、表面に
ＰｄまたはＰｄ−Ｎｉめっきを施しめっき層（図示せ
ず）を形成し、図１０(d) に示すように、さらにレジス
トパターンを形成してインナーリード先端領域のパター
ニングを行う。これにより、先端部は高精度でかつ位置
ずれのないものとなる。
【００３６】なお、前記実施例１および２においては、
ダイパッドを具備したリードフレームについて説明した
が、ヒートスプレッダーを用いたものにも適用可能であ
ることはいうまでもない。
ダイパッドを具備したリードフレームについて説明した
が、ヒートスプレッダーを用いたものにも適用可能であ
ることはいうまでもない。
【００３７】さらに、前記実施例では、ＩＣチップ、ト
ランジスタチップともにワイヤボンディングを用いて接
続する例について説明したが、ダイレクトボンディング
を用いる場合にも適用可能であることはいうまでもな
い。
ランジスタチップともにワイヤボンディングを用いて接
続する例について説明したが、ダイレクトボンディング
を用いる場合にも適用可能であることはいうまでもな
い。
【００３８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、インナーリードがパッケージング樹脂で固定されて
いる状態でリードフレームメーカーから出荷されるた
め、輸送中の振動や温度変化によって変形を起こすこと
がない。
ば、インナーリードがパッケージング樹脂で固定されて
いる状態でリードフレームメーカーから出荷されるた
め、輸送中の振動や温度変化によって変形を起こすこと
がない。
【００３９】また、このリードフレームを用いることに
より、パッケージの枠が形成された状態で半導体装置メ
ーカーに供給されることになりメーカーではダイボンデ
ィング工程およびワイヤボンディング工程の後は、半導
体チップを覆うようにポッティング方式により、パッケ
ージングするだけでよいため高額なモールド金型を必要
とせず、半導体装置の製造が極めて容易となる。
より、パッケージの枠が形成された状態で半導体装置メ
ーカーに供給されることになりメーカーではダイボンデ
ィング工程およびワイヤボンディング工程の後は、半導
体チップを覆うようにポッティング方式により、パッケ
ージングするだけでよいため高額なモールド金型を必要
とせず、半導体装置の製造が極めて容易となる。
【図１】本発明の第１の実施例のリードフレームを示す
図
図
【図２】本発明の第１の実施例のリードフレームの断面
図
図
【図３】本発明の第１の実施例のリードフレームの製造
工程図
工程図
【図４】本発明の第１の実施例のリードフレームを用い
た半導体装置の製造工程説明図
た半導体装置の製造工程説明図
【図５】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程
図
図
【図６】本発明の第２の実施例のリードフレームを示す
図
図
【図７】本発明の第３の実施例のリードフレームを示す
図
図
【図８】本発明の第３の実施例のリードフレームを用い
て形成した半導体装置を示す図
て形成した半導体装置を示す図
【図９】本発明の第３の実施例の半導体装置の変形例を
示す図
示す図
【図１０】本発明のリードフレームの製造工程を示す図
１ リードフレーム ２ 半導体チップ ３ ボンディングワイヤ １１ ダイパッド １２ インナーリード １３ アウターリード １４ タイバー １５ａ 第１のパッケージング樹脂 １５ｂ 第２のパッケージング樹脂 １６ サイドバー １７ ポッティング樹脂（エポキシ樹脂） １８ 放熱フィン
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップ搭載領域を取り囲むように
放射状に配置された複数のインナ−リ−ドと、インナ−
リ−ドそれぞれに連続した複数のアウタ−リ−ドとを備
えたリードフレ−ム本体と、 前記リードフレーム本体の表面側の前記半導体チップ搭
載領域および前記インナーリード先端のボンディング領
域を除くインナーリード、および前記インナーリード裏
面側を、それぞれ一体的に封止するパッケージング樹脂
とより構成したことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 半導体チップ搭載領域を取り囲むように
放射状に配置された複数のインナ−リ−ドと、インナ−
リ−ドそれぞれに連続した複数のアウタ−リ−ドとを備
えたリードフレ−ム本体と、 前記リードフレーム本体表面側の前記半導体チップ搭載
領域および前記インナーリード先端のボンディング領域
を除くインナーリード、および半導体チップ搭載領域裏
面を除く前記インナーリード裏面側を、それぞれ一体的
に封止するパッケージング樹脂とより構成したことを特
徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 半導体チップ搭載領域を取り囲むように
放射状に配置された複数のインナ−リ−ドと、インナ−
リ−ドそれぞれに連続した複数のアウタ−リ−ドとを備
えたリードフレ−ム本体を準備する工程と、 前記リードフレーム本体表面側の前記半導体チップ搭載
領域および前記インナーリード先端のボンディング領域
を除くインナーリード、および前記インナーリード裏面
側をパッケージング樹脂により封止する第１の封止工程
と、 前記半導体チップ搭載領域に半導体チップを固着し、半
導体チップとインナーリード先端を電気的に接続する半
導体チップ搭載工程と、 パッケージング樹脂により、インナーリード先端および
半導体チップを封止する第２の封止工程とからなる半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体チップ搭載領域を取り囲むように
放射状に配置された複数のインナ−リ−ドと、インナ−
リ−ドそれぞれに連続した複数のアウタ−リ−ドとを備
えたリードフレ−ム本体を準備する工程と、 前記リードフレーム本体表面側の前記半導体チップ搭載
領域および前記インナーリード先端のボンディング領域
を除くインナーリード、および半導体チップ搭載領域裏
面を除く前記インナーリード裏面側をパッケージング樹
脂により封止する第１の封止工程と、 半導体チップ搭載領域に半導体チップを固着し、前記半
導体チップとインナーリード先端を電気的に接続する半
導体チップ搭載工程と、 パッケージング樹脂により、インナーリード先端および
半導体チップを封止する第２の封止工程とからなる半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7247850A JP3069632B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7247850A JP3069632B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992766A true JPH0992766A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3069632B2 JP3069632B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=17169591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7247850A Expired - Fee Related JP3069632B2 (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3069632B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021533574A (ja) * | 2018-09-25 | 2021-12-02 | ▲蘇▼州▲ユン▼冢▲電▼子科技股▲フン▼有限公司 | 電気素子を有するベース及びボイスコイルモータ |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP7247850A patent/JP3069632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021533574A (ja) * | 2018-09-25 | 2021-12-02 | ▲蘇▼州▲ユン▼冢▲電▼子科技股▲フン▼有限公司 | 電気素子を有するベース及びボイスコイルモータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3069632B2 (ja) | 2000-07-24 |
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