JPH0992760A - 電子モジュールの放熱構造 - Google Patents
電子モジュールの放熱構造Info
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- JPH0992760A JPH0992760A JP24633095A JP24633095A JPH0992760A JP H0992760 A JPH0992760 A JP H0992760A JP 24633095 A JP24633095 A JP 24633095A JP 24633095 A JP24633095 A JP 24633095A JP H0992760 A JPH0992760 A JP H0992760A
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- heat dissipation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子モジュールの放熱効率を向上することで
ある。 【解決手段】 モジュール筐体１は集中排熱部２及びこ
の集中排熱部２を挟んで対応する位置に配設された一対
の固定部３、３を一体的に有しており、集中排熱部２に
は発熱部品４が実装されている。放熱器６はベース部７
及び複数の放熱フィン８を一体的に形成して構成されて
いる。モジュール筐体１は固定部３にて放熱器６のベー
ス部７にネジ９により固定される。集中排熱部２の放熱
器６に対する当接部は円錐状の突出部２ａとなってお
り、放熱器６の集中排熱部２に対する当接部はこれに嵌
合するように円錐状の陥没部６ａとなっている。機械的
接触圧力及び接触面積が増大することにより熱抵抗が減
少し、放熱効率が向上する。
ある。 【解決手段】 モジュール筐体１は集中排熱部２及びこ
の集中排熱部２を挟んで対応する位置に配設された一対
の固定部３、３を一体的に有しており、集中排熱部２に
は発熱部品４が実装されている。放熱器６はベース部７
及び複数の放熱フィン８を一体的に形成して構成されて
いる。モジュール筐体１は固定部３にて放熱器６のベー
ス部７にネジ９により固定される。集中排熱部２の放熱
器６に対する当接部は円錐状の突出部２ａとなってお
り、放熱器６の集中排熱部２に対する当接部はこれに嵌
合するように円錐状の陥没部６ａとなっている。機械的
接触圧力及び接触面積が増大することにより熱抵抗が減
少し、放熱効率が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱部品を具備し
た電子モジュールの放熱構造に関する。高出力ＧａＡｓ
ＭＥＳＦＥＴや高出力シリコンマイクロ波トランジスタ
等の半導体デバイスを用いたマイクロ波電力増幅器や高
出力発振器等の電子モジュールにおいては、故障や誤動
作の防止等の観点から、半導体デバイスで発生する多量
の熱を能率的に外部に放熱して半導体デバイスの温度を
適正に保つ必要があり、そのために有効な放熱構造が要
望されている。
た電子モジュールの放熱構造に関する。高出力ＧａＡｓ
ＭＥＳＦＥＴや高出力シリコンマイクロ波トランジスタ
等の半導体デバイスを用いたマイクロ波電力増幅器や高
出力発振器等の電子モジュールにおいては、故障や誤動
作の防止等の観点から、半導体デバイスで発生する多量
の熱を能率的に外部に放熱して半導体デバイスの温度を
適正に保つ必要があり、そのために有効な放熱構造が要
望されている。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の放熱構造による高出力マイ
クロ波電力増幅器の構成を示す図であり、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は断面図である。
クロ波電力増幅器の構成を示す図であり、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は断面図である。
【０００３】同図において、１１は増幅器筐体であり、
増幅器筐体１１はその中央部に集中排熱部１２と、この
集中排熱部１２を挟んで配設された一対の固定部１３と
を一体的に形成して構成されている。集中排熱部１２の
部品搭載部には増幅素子としての半導体デバイス１４が
実装される。１５は裏蓋であり、裏蓋１５が取り付けら
れた状態で、集中排熱部１２の一部（放熱器との当接
部）は露出している。固定部１３にはそれぞれ貫通穴１
６が形成されている。
増幅器筐体１１はその中央部に集中排熱部１２と、この
集中排熱部１２を挟んで配設された一対の固定部１３と
を一体的に形成して構成されている。集中排熱部１２の
部品搭載部には増幅素子としての半導体デバイス１４が
実装される。１５は裏蓋であり、裏蓋１５が取り付けら
れた状態で、集中排熱部１２の一部（放熱器との当接
部）は露出している。固定部１３にはそれぞれ貫通穴１
６が形成されている。
【０００４】１７はベース部１８に複数の放熱フィン１
９を一体的に形成してなる放熱器である。放熱器１７に
は増幅器筐体１１の固定部１３の貫通穴１６に対応した
一対のネジ穴が形成されている。
９を一体的に形成してなる放熱器である。放熱器１７に
は増幅器筐体１１の固定部１３の貫通穴１６に対応した
一対のネジ穴が形成されている。
【０００５】半導体デバイス１４が実装された増幅器筐
体１１は、それぞれの固定部１３にてネジ２０で固定さ
れることにより、放熱器１７に取付・固定される。この
状態で、集中排熱部１２の露出した一部は放熱器１７の
ベース部１８に当接し、半導体デバイス１４が発生した
熱はこの当接部分を介して図中矢印方向に伝達され、放
熱フィン１９から放熱されるようになっている。
体１１は、それぞれの固定部１３にてネジ２０で固定さ
れることにより、放熱器１７に取付・固定される。この
状態で、集中排熱部１２の露出した一部は放熱器１７の
ベース部１８に当接し、半導体デバイス１４が発生した
熱はこの当接部分を介して図中矢印方向に伝達され、放
熱フィン１９から放熱されるようになっている。
【０００６】ところで、上述のように、増幅器筐体１１
の集中排熱部１２と放熱器１７との接触は平面同士によ
る機械的圧力接触であり、それぞれの機械加工精度、熱
膨張係数差の影響等により隙間が発生すると、これが僅
かであっても、接触熱抵抗が大きくなり、半導体デバイ
ス１４の冷却が十分に行えずに、故障や誤動作による信
頼性の低下、出力電力や利得等のマイクロ波特性につい
ての電気的性能を劣化させる原因となる。
の集中排熱部１２と放熱器１７との接触は平面同士によ
る機械的圧力接触であり、それぞれの機械加工精度、熱
膨張係数差の影響等により隙間が発生すると、これが僅
かであっても、接触熱抵抗が大きくなり、半導体デバイ
ス１４の冷却が十分に行えずに、故障や誤動作による信
頼性の低下、出力電力や利得等のマイクロ波特性につい
ての電気的性能を劣化させる原因となる。
【０００７】この対策としては、増幅器筐体１１の集中
排熱部１２と放熱器１７との当接部にシリコンコンパウ
ンド又はインジウム（Ｉｎ）シートを介在させて、これ
らの間の隙間を埋め、それぞれの機械加工精度や熱膨張
係数差等の影響を軽減し、接触熱抵抗を低くすることが
行われている。
排熱部１２と放熱器１７との当接部にシリコンコンパウ
ンド又はインジウム（Ｉｎ）シートを介在させて、これ
らの間の隙間を埋め、それぞれの機械加工精度や熱膨張
係数差等の影響を軽減し、接触熱抵抗を低くすることが
行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近時における
電力増幅器等の高出力化等に伴い、半導体デバイスの発
生する熱がさらに大きくなり、より一層の放熱効率の向
上が要望されている。
電力増幅器等の高出力化等に伴い、半導体デバイスの発
生する熱がさらに大きくなり、より一層の放熱効率の向
上が要望されている。
【０００９】なお、モジュール筐体（増幅器筐体）の集
中排熱部を大きくして集中排熱部と放熱器との当接（接
触）平面積を拡大することにより、接触熱抵抗を低くす
ることが考えられるが、単に当接平面積を拡大するのみ
では、当該当接部に発生するソリによって、放熱性がそ
れほど改善されず、半導体デバイスの冷却が十分に行え
ずに、信頼性の低下や特性の劣化を招来する。
中排熱部を大きくして集中排熱部と放熱器との当接（接
触）平面積を拡大することにより、接触熱抵抗を低くす
ることが考えられるが、単に当接平面積を拡大するのみ
では、当該当接部に発生するソリによって、放熱性がそ
れほど改善されず、半導体デバイスの冷却が十分に行え
ずに、信頼性の低下や特性の劣化を招来する。
【００１０】よって、本発明の目的は、電子モジュール
の放熱効率を向上することができる放熱構造を提供する
ことである。
の放熱効率を向上することができる放熱構造を提供する
ことである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】即ち、モジュール筐体が当接される第１当
接部及び複数の放熱フィンを有する放熱器と、発熱部品
が実装されるとともに該第１当接部に当接される第２当
接部を有する集中排熱部、及び該集中排熱部を挟んで対
応する位置に配設された該放熱器に取付・固定するため
の一対の固定部を一体的に形成してなるモジュール筐体
とを備え、前記モジュール筐体を前記固定部にて前記放
熱器に固定することにより、前記集中排熱部の第２当接
部が前記放熱器の第１当接部に当接するようにした電子
モジュールの放熱構造において、前記第１当接部及び前
記第２当接部の一方を突出させて突出部とし、他方をこ
の突出部に嵌合するように陥没させて陥没部とする。
接部及び複数の放熱フィンを有する放熱器と、発熱部品
が実装されるとともに該第１当接部に当接される第２当
接部を有する集中排熱部、及び該集中排熱部を挟んで対
応する位置に配設された該放熱器に取付・固定するため
の一対の固定部を一体的に形成してなるモジュール筐体
とを備え、前記モジュール筐体を前記固定部にて前記放
熱器に固定することにより、前記集中排熱部の第２当接
部が前記放熱器の第１当接部に当接するようにした電子
モジュールの放熱構造において、前記第１当接部及び前
記第２当接部の一方を突出させて突出部とし、他方をこ
の突出部に嵌合するように陥没させて陥没部とする。
【００１３】前記突出部及び前記陥没部の形状として
は、円錐型、ドーム型（球面型）、断面Ｖ字型等を採用
することができる。前記突出部及び前記陥没部は複数形
成することができる。
は、円錐型、ドーム型（球面型）、断面Ｖ字型等を採用
することができる。前記突出部及び前記陥没部は複数形
成することができる。
【００１４】本発明によると、モジュール筐体と放熱器
との当接部は平面による接触ではなく、一方の突出部を
他方の陥没部に嵌合することにより接触するようにした
から、機械的接触圧及び接触面積が増大し、これにより
接触熱抵抗が小さくなり、放熱効率が向上する。
との当接部は平面による接触ではなく、一方の突出部を
他方の陥没部に嵌合することにより接触するようにした
から、機械的接触圧及び接触面積が増大し、これにより
接触熱抵抗が小さくなり、放熱効率が向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態を示す断面図であり、本発明が適用された高出力
マイクロ波電力増幅器（電子モジュール）の構成を示し
ている。
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態を示す断面図であり、本発明が適用された高出力
マイクロ波電力増幅器（電子モジュール）の構成を示し
ている。
【００１６】同図において、１は増幅器筐体（モジュー
ル筐体）であり、増幅器筐体１はその中央部に集中排熱
部２と、この集中排熱部２を挟んで配設された一対の固
定部３を一体的に形成して構成されている。集中排熱部
２の部品搭載部には増幅素子としての半導体デバイス４
が実装される。５は裏蓋であり、裏蓋５が取り付けられ
た状態で、集中排熱部２の一部〔放熱器に対する当接部
（第２当接部）〕は露出している。固定部３にはそれぞ
れ貫通穴が形成されている。この放熱器に対する当接部
は円錐型の突出部２ａとなっている。
ル筐体）であり、増幅器筐体１はその中央部に集中排熱
部２と、この集中排熱部２を挟んで配設された一対の固
定部３を一体的に形成して構成されている。集中排熱部
２の部品搭載部には増幅素子としての半導体デバイス４
が実装される。５は裏蓋であり、裏蓋５が取り付けられ
た状態で、集中排熱部２の一部〔放熱器に対する当接部
（第２当接部）〕は露出している。固定部３にはそれぞ
れ貫通穴が形成されている。この放熱器に対する当接部
は円錐型の突出部２ａとなっている。
【００１７】６はベース部７に複数の放熱フィン８を一
体的に形成してなる放熱器である。放熱器６には増幅器
筐体１の固定部３の貫通穴に対応した一対のネジ穴が形
成されている。放熱器６のベース部７の増幅器筐体１が
当接される部分〔増幅器筐体に対する当接部（第１当接
部）〕は、増幅器筐体１の突出部２ａが嵌合するように
円錐型の陥没部６ａとなっている。
体的に形成してなる放熱器である。放熱器６には増幅器
筐体１の固定部３の貫通穴に対応した一対のネジ穴が形
成されている。放熱器６のベース部７の増幅器筐体１が
当接される部分〔増幅器筐体に対する当接部（第１当接
部）〕は、増幅器筐体１の突出部２ａが嵌合するように
円錐型の陥没部６ａとなっている。
【００１８】半導体デバイス４が実装された増幅器筐体
１は、それぞれの固定部３にてネジ９で固定されること
により、放熱器６に取付・固定される。この状態で、集
中排熱部２の突出部２ａが放熱器６のベース部７の陥没
部６ａに嵌合し、半導体デバイス４が発生した熱はこの
当接部分を介してベース部７に伝達され、放熱フィン８
から放熱されるようになっている。
１は、それぞれの固定部３にてネジ９で固定されること
により、放熱器６に取付・固定される。この状態で、集
中排熱部２の突出部２ａが放熱器６のベース部７の陥没
部６ａに嵌合し、半導体デバイス４が発生した熱はこの
当接部分を介してベース部７に伝達され、放熱フィン８
から放熱されるようになっている。
【００１９】なお、増幅器筐体１と放熱器６の機械加工
精度、熱膨張係数差の影響による隙間の発生により、接
触熱抵抗が大きくなり、半導体デバイス４の冷却が十分
に行えなくなるという問題を回避するため、増幅器筐体
１の突出部２ａと放熱器６の陥没部６ａの間には、シリ
コンコンパウンド又はインジウム（Ｉｎ）シートを介在
させてその隙間を埋め、それぞれの機械加工精度や熱膨
張係数差等の影響を軽減し、接触熱抵抗を低くすること
が行われている。
精度、熱膨張係数差の影響による隙間の発生により、接
触熱抵抗が大きくなり、半導体デバイス４の冷却が十分
に行えなくなるという問題を回避するため、増幅器筐体
１の突出部２ａと放熱器６の陥没部６ａの間には、シリ
コンコンパウンド又はインジウム（Ｉｎ）シートを介在
させてその隙間を埋め、それぞれの機械加工精度や熱膨
張係数差等の影響を軽減し、接触熱抵抗を低くすること
が行われている。
【００２０】増幅器筐体１と放熱器６の当接（接触）面
積をＡとし、増幅器筐体１と放熱器６の材質が共にアル
ミニウム（Ａｌ）の場合についての理想的接触状態にお
ける接触熱抵抗ＲCSは、ＲCS＝（１／ｈc ）・Ａで表さ
れる。ここで、ｈc は接触熱コンダクタンスである。即
ち、接触熱コンダクタンスが大きくなれば、接触熱抵抗
を小さくすることができる。
積をＡとし、増幅器筐体１と放熱器６の材質が共にアル
ミニウム（Ａｌ）の場合についての理想的接触状態にお
ける接触熱抵抗ＲCSは、ＲCS＝（１／ｈc ）・Ａで表さ
れる。ここで、ｈc は接触熱コンダクタンスである。即
ち、接触熱コンダクタンスが大きくなれば、接触熱抵抗
を小さくすることができる。
【００２１】前記第１の実施の形態では、増幅器筐体１
の放熱器６との当接部を円錐型の突出部２ａとし、放熱
器６の増幅器筐体１との当接部を円錐型の陥没部６ａと
したから、もし増幅器筐体１にソリが発生したとして
も、円錐のかさの部分には面に垂直に機械的接触圧力が
作用し、この圧力は図５に示した従来の平面接触の場合
よりも大きく、これにより接触熱コンダクタンスが大き
くなる。従って、接触熱抵抗ＲCSが低減し、結果として
放熱効率が向上する。
の放熱器６との当接部を円錐型の突出部２ａとし、放熱
器６の増幅器筐体１との当接部を円錐型の陥没部６ａと
したから、もし増幅器筐体１にソリが発生したとして
も、円錐のかさの部分には面に垂直に機械的接触圧力が
作用し、この圧力は図５に示した従来の平面接触の場合
よりも大きく、これにより接触熱コンダクタンスが大き
くなる。従って、接触熱抵抗ＲCSが低減し、結果として
放熱効率が向上する。
【００２２】また、図５に示した従来の平面接触の場合
よりも増幅器筐体１と放熱器６の接触面積が拡大するか
ら、これによる接触熱抵抗ＲCSの低減も期待できる。な
お、これとは反対に、増幅器筐体１の放熱器６との当接
部を円錐型の陥没部とし、放熱器６の増幅器筐体１との
当接部を円錐型の突出部としても、同様の効果を得るこ
とができる。
よりも増幅器筐体１と放熱器６の接触面積が拡大するか
ら、これによる接触熱抵抗ＲCSの低減も期待できる。な
お、これとは反対に、増幅器筐体１の放熱器６との当接
部を円錐型の陥没部とし、放熱器６の増幅器筐体１との
当接部を円錐型の突出部としても、同様の効果を得るこ
とができる。
【００２３】図２は本発明の第２の実施の形態を示す断
面図であり、本発明が適用された高出力マイクロ波電力
増幅器の構成を示している。図１と実質的に同一の構成
部分については同一の番号を付し、異なる部分のみにつ
いて説明する。
面図であり、本発明が適用された高出力マイクロ波電力
増幅器の構成を示している。図１と実質的に同一の構成
部分については同一の番号を付し、異なる部分のみにつ
いて説明する。
【００２４】即ち、この実施の形態では、増幅器筐体１
の放熱器６との当接部をドーム型（球面型）の突出部２
ｂとし、放熱器６の増幅器筐体１との当接部をドーム型
の陥没部６ｂとしている。その他の構成及び効果につい
ては、前記第１の実施の形態と同一であるので、その説
明は省略する。
の放熱器６との当接部をドーム型（球面型）の突出部２
ｂとし、放熱器６の増幅器筐体１との当接部をドーム型
の陥没部６ｂとしている。その他の構成及び効果につい
ては、前記第１の実施の形態と同一であるので、その説
明は省略する。
【００２５】なお、これとは反対に、増幅器筐体１の放
熱器６との当接部をドーム型の陥没部とし、放熱器の増
幅器筐体との当接部をドーム型の突出部としても、同様
の効果を得ることができることは、前記第１の実施の形
態の場合と同様である。
熱器６との当接部をドーム型の陥没部とし、放熱器の増
幅器筐体との当接部をドーム型の突出部としても、同様
の効果を得ることができることは、前記第１の実施の形
態の場合と同様である。
【００２６】図３は本発明の第３の実施の形態を示す断
面図であり、本発明が適用された高出力マイクロ波電力
増幅器の構成を示している。図１と実質的に同一の構成
部分については同一の番号を付し、異なる部分のみにつ
いて説明する。
面図であり、本発明が適用された高出力マイクロ波電力
増幅器の構成を示している。図１と実質的に同一の構成
部分については同一の番号を付し、異なる部分のみにつ
いて説明する。
【００２７】即ち、この実施の形態では、増幅器筐体１
の放熱器６との当接部を断面Ｖ字型の陥没部（Ｖ溝）２
ｃとし、放熱器６の増幅器筐体１との当接部を断面Ｖ字
型の突出部（Ｖ山）６ｃとしている。その他の構成につ
いては、前記第１の実施の形態と同一であるので、その
説明は省略する。
の放熱器６との当接部を断面Ｖ字型の陥没部（Ｖ溝）２
ｃとし、放熱器６の増幅器筐体１との当接部を断面Ｖ字
型の突出部（Ｖ山）６ｃとしている。その他の構成につ
いては、前記第１の実施の形態と同一であるので、その
説明は省略する。
【００２８】また、効果についても前記第１の実施の形
態と同様であるが、例えば、Ｖ字型の突出部２ｃ及び陥
没部６ｃの頂角φを９０°とした場合には、図５に示し
た従来の平面接触型の場合と比較して接触面積が約１．
４１倍となり、接触熱抵抗Ｒ CSも０．７１倍に低減・改
善できる。
態と同様であるが、例えば、Ｖ字型の突出部２ｃ及び陥
没部６ｃの頂角φを９０°とした場合には、図５に示し
た従来の平面接触型の場合と比較して接触面積が約１．
４１倍となり、接触熱抵抗Ｒ CSも０．７１倍に低減・改
善できる。
【００２９】なお、これとは反対に、増幅器筐体１の放
熱器６との当接部を断面Ｖ字型の突出部（Ｖ山）とし、
放熱器６の増幅器筐体１との当接部を断面Ｖ字型の陥没
部（Ｖ溝）としても、同様の効果を得ることができるこ
とは、前記第１の実施の形態の場合と同様である。
熱器６との当接部を断面Ｖ字型の突出部（Ｖ山）とし、
放熱器６の増幅器筐体１との当接部を断面Ｖ字型の陥没
部（Ｖ溝）としても、同様の効果を得ることができるこ
とは、前記第１の実施の形態の場合と同様である。
【００３０】図４は本発明の第４の実施の形態を示す断
面図であり、本発明が適用された高出力マイクロ波電力
増幅器の構成を示している。図１と実質的に同一の構成
部分については同一の番号を付し、異なる部分のみにつ
いて説明する。
面図であり、本発明が適用された高出力マイクロ波電力
増幅器の構成を示している。図１と実質的に同一の構成
部分については同一の番号を付し、異なる部分のみにつ
いて説明する。
【００３１】即ち、この実施の形態では、増幅器筐体１
の放熱器６との当接部に複数の凹凸を形成して凹凸部２
ｄとし、放熱器６の増幅器筐体１との当接部にこれらに
それぞれ嵌合するように凹凸を形成して凹凸部６ｄとし
ている。これらの凹凸部２ｄ、６ｄが互いに嵌合するこ
とにより、接触するようにしたものである。その他の構
成については、前記第１の実施の形態と同一であるの
で、その説明は省略する。
の放熱器６との当接部に複数の凹凸を形成して凹凸部２
ｄとし、放熱器６の増幅器筐体１との当接部にこれらに
それぞれ嵌合するように凹凸を形成して凹凸部６ｄとし
ている。これらの凹凸部２ｄ、６ｄが互いに嵌合するこ
とにより、接触するようにしたものである。その他の構
成については、前記第１の実施の形態と同一であるの
で、その説明は省略する。
【００３２】また、効果についても前記第１の実施の形
態と同様であるが、特に、増幅器筐体１にソリが発生し
た場合であっても密着的な接触を維持することができ
る。凹凸の水平方向のピッチをｐ、深さをｄとして、図
５に示した平面接触型の場合と比較すると、増幅器筐体
１と放熱器６との接触面積の増大の割合は、１＋ｄ／ｐ
であり、例えば、ｐ＝２ｍｍ、ｄ＝１ｍｍとして設計・
製作すると、接触面積を１．５倍に増大することがで
き、接触熱抵抗ＲCSも０．６７倍に低減・改善できる。
態と同様であるが、特に、増幅器筐体１にソリが発生し
た場合であっても密着的な接触を維持することができ
る。凹凸の水平方向のピッチをｐ、深さをｄとして、図
５に示した平面接触型の場合と比較すると、増幅器筐体
１と放熱器６との接触面積の増大の割合は、１＋ｄ／ｐ
であり、例えば、ｐ＝２ｍｍ、ｄ＝１ｍｍとして設計・
製作すると、接触面積を１．５倍に増大することがで
き、接触熱抵抗ＲCSも０．６７倍に低減・改善できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成したか
ら、モジュール筐体と放熱器との間の機械的接触圧力を
高めることができ、接触熱抵抗の低減により、冷却効率
が向上し、マイクロ波増幅器等の電子モジュールの信頼
性、電気的特性を向上することができるとともに、大型
の半導体デバイスの採用が可能になるから、電子モジュ
ールの高出力化、高性能化を実現できるという効果を奏
する。
ら、モジュール筐体と放熱器との間の機械的接触圧力を
高めることができ、接触熱抵抗の低減により、冷却効率
が向上し、マイクロ波増幅器等の電子モジュールの信頼
性、電気的特性を向上することができるとともに、大型
の半導体デバイスの採用が可能になるから、電子モジュ
ールの高出力化、高性能化を実現できるという効果を奏
する。
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図３】本発明の第３の実施の形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図４】本発明の第４の実施の形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図５】従来技術の構成を示す図であり、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は断面図である。
図、（Ｂ）は断面図である。
１ 増幅器筐体（モジュール筐体） ２ 集中排熱部 ２ａ 円錐型突出部 ３ 固定部 ４ 半導体デバイス（発熱部品） ６ 放熱器 ６ａ 円錐型陥没部 ７ ベース部 ８ 放熱フィン
Claims (5)
- 【請求項１】 モジュール筐体が当接される第１当接部
及び複数の放熱フィンを有する放熱器と、発熱部品が実
装されるとともに該第１当接部に当接される第２当接部
を有する集中排熱部、及び該集中排熱部を挟んで対応す
る位置に配設された該放熱器に取付・固定するための一
対の固定部を一体的に形成してなるモジュール筐体とを
備え、前記モジュール筐体を前記固定部にて前記放熱器
に固定することにより、前記集中排熱部の第２当接部が
前記放熱器の第１当接部に当接するようにした電子モジ
ュールの放熱構造において、 前記第１当接部及び前記第２当接部の一方を突出させ、
他方をこれに嵌合するように陥没させたことを特徴とす
る電子モジュールの放熱構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電子モジュールの放熱
構造において、 前記第１当接部及び前記第２当接部の一方は円錐状の突
出部であり、他方はこれに嵌合する円錐状の陥没部であ
ることを特徴とする電子モジュールの放熱構造。 - 【請求項３】 請求項１に記載の電子モジュールの放熱
構造において、 前記第１当接部及び前記第２当接部の一方はドーム状の
突出部であり、他方はこれに嵌合するドーム状の陥没部
であることを特徴とする電子モジュールの放熱構造。 - 【請求項４】 請求項１に記載の電子モジュールの放熱
構造において、 前記第１当接部及び前記第２当接部の一方は断面Ｖ字状
の突出部であり、他方はこれに嵌合する断面Ｖ字状の陥
没部であることを特徴とする電子モジュールの放熱構
造。 - 【請求項５】 モジュール筐体が当接される第１当接部
及び複数の放熱フィンを有する放熱器と、発熱部品が実
装されるとともに該第１当接部に当接される第２当接部
を有する集中排熱部、及び該集中排熱部を挟んで対応す
る位置に配設された該放熱器に取付・固定するための一
対の固定部を一体的に形成してなるモジュール筐体とを
備え、前記モジュール筐体を前記固定部にて前記放熱器
に固定することにより、前記集中排熱部の第２当接部が
前記放熱器の第１当接部に当接するようにした電子モジ
ュールの放熱構造において、 前記第１当接部に複数の凹凸を形成し、前記第２当接部
に該第１当接部の凹凸に嵌合するように複数の凹凸を形
成したことを特徴とする電子モジュールの放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24633095A JPH0992760A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 電子モジュールの放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24633095A JPH0992760A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 電子モジュールの放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992760A true JPH0992760A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17146967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24633095A Withdrawn JPH0992760A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 電子モジュールの放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992760A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007235060A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Denso Corp | 両面冷却型半導体装置及びその製造方法 |
| JP2009512203A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | ヴィディーオー オートモーティヴ アクチエンゲゼルシャフト | 冷却アッセンブリを備えたｉｃ構成素子 |
| JP2012004216A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Denso Corp | 電子制御装置 |
| WO2020035172A1 (de) * | 2018-08-17 | 2020-02-20 | Carl Freudenberg Kg | Vorrichtung |
-
1995
- 1995-09-25 JP JP24633095A patent/JPH0992760A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009512203A (ja) * | 2005-10-18 | 2009-03-19 | ヴィディーオー オートモーティヴ アクチエンゲゼルシャフト | 冷却アッセンブリを備えたｉｃ構成素子 |
| JP2007235060A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Denso Corp | 両面冷却型半導体装置及びその製造方法 |
| JP4535004B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2010-09-01 | 株式会社デンソー | 両面冷却型半導体装置 |
| JP2012004216A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Denso Corp | 電子制御装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |