JPH0989925A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH0989925A JPH0989925A JP24270495A JP24270495A JPH0989925A JP H0989925 A JPH0989925 A JP H0989925A JP 24270495 A JP24270495 A JP 24270495A JP 24270495 A JP24270495 A JP 24270495A JP H0989925 A JPH0989925 A JP H0989925A
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- Japan
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- acceleration sensor
- sensor chip
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Abstract
(57)【要約】
【課題】センサチップの製造工程途中において、電気的
に加速度の感度特性の測定ができ、安価で均一な特性の
センサチップを得ることと、実機搭載後においても、電
気的に故障の有無を検出し信頼性および安全性の高いセ
ンサチップを得る。 【解決手段】リードフレーム４上に絶縁樹脂５を介して
センサチップ１を固着し、リードフレーム４を樹脂ケー
ス６に固着し、樹脂ケース６と樹脂キャップ７を固着す
る。センサチップ１はシリコン基板３０に重り部１９、
支持部２０および薄肉の梁部２１とを形成し、梁部２１
に複数個のピエゾ抵抗体１４を形成する。この重り部１
９とリードフレーム４間に交流電圧を印加可能とする。
に加速度の感度特性の測定ができ、安価で均一な特性の
センサチップを得ることと、実機搭載後においても、電
気的に故障の有無を検出し信頼性および安全性の高いセ
ンサチップを得る。 【解決手段】リードフレーム４上に絶縁樹脂５を介して
センサチップ１を固着し、リードフレーム４を樹脂ケー
ス６に固着し、樹脂ケース６と樹脂キャップ７を固着す
る。センサチップ１はシリコン基板３０に重り部１９、
支持部２０および薄肉の梁部２１とを形成し、梁部２１
に複数個のピエゾ抵抗体１４を形成する。この重り部１
９とリードフレーム４間に交流電圧を印加可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、物体の加速度を
検出する加速度センサに関する。
検出する加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の加速度センサのセンサチッ
プの要部断面図を示す。半導体の微細加工技術により、
シリコン基板３０に可動部である重り部１９、連結部で
ある薄肉の梁部２１および不動部である支持部２０を設
け、梁部２１表面に加速度を検出するピエゾ抵抗体１４
を形成し、シリコン基板３０上側を凹型に加工された上
部ガラス板１７で被覆し、シリコン基板３０の下側の支
持部２０を凹型に加工された下部ガラス板１８に固着す
る。上部ガラス板１７および下部ガラス板１８は重り部
１９が加速度で上下に移動したとき、移動量を抑え、梁
部２１に過大な力が加わり、この部分で破損することを
防止するための重り部１９の上下の振れを止めるストッ
パーの役割をしている。つまり、過大な加速度でも梁部
２１が破損しないようにするための保護用のガラス板で
ある。これら全体をセンサチップ１と呼ぶこととする。
プの要部断面図を示す。半導体の微細加工技術により、
シリコン基板３０に可動部である重り部１９、連結部で
ある薄肉の梁部２１および不動部である支持部２０を設
け、梁部２１表面に加速度を検出するピエゾ抵抗体１４
を形成し、シリコン基板３０上側を凹型に加工された上
部ガラス板１７で被覆し、シリコン基板３０の下側の支
持部２０を凹型に加工された下部ガラス板１８に固着す
る。上部ガラス板１７および下部ガラス板１８は重り部
１９が加速度で上下に移動したとき、移動量を抑え、梁
部２１に過大な力が加わり、この部分で破損することを
防止するための重り部１９の上下の振れを止めるストッ
パーの役割をしている。つまり、過大な加速度でも梁部
２１が破損しないようにするための保護用のガラス板で
ある。これら全体をセンサチップ１と呼ぶこととする。
【０００３】図５はセンサチップや信号処理用ＩＣを組
み込んだ加速度センサの要部断面図を示す。金属ステム
８上にセラミック製の厚膜基板９を固着し、金属配線で
パターンニングされた厚膜基板９上にセンサチップ１と
信号処理用ＩＣ２を搭載し、厚膜基板９上の金属配線と
センサチップ１や信号処理用ＩＣ２とをアルミ線等のワ
イヤ３で接続し、また金属配線は外部導出端子２４とワ
イヤ３で接続され、金属ステム８に金属キャップ９を固
着して加速度センサが完成する。
み込んだ加速度センサの要部断面図を示す。金属ステム
８上にセラミック製の厚膜基板９を固着し、金属配線で
パターンニングされた厚膜基板９上にセンサチップ１と
信号処理用ＩＣ２を搭載し、厚膜基板９上の金属配線と
センサチップ１や信号処理用ＩＣ２とをアルミ線等のワ
イヤ３で接続し、また金属配線は外部導出端子２４とワ
イヤ３で接続され、金属ステム８に金属キャップ９を固
着して加速度センサが完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の加速度センサの
センサチップ１は重り部１９を薄肉の梁部２１で支持
し、それを保護するために、前記のように、上部ガラス
板１７および下部ガラス板１８を付ける構造とする。し
かし、この上部ガラス板１７および下部ガラス板１８を
付ける構造は非常に高価である。また加速度に対する感
度や振動特性の測定は図５のように組み立てた後の完成
品で行うため、工程途中での測定や自動車等の実機に搭
載した後での特性測定は出来ず、また完成品の特性測定
は振動試験機に搭載して行うため、大がかりで手間がか
かるという問題点があった。
センサチップ１は重り部１９を薄肉の梁部２１で支持
し、それを保護するために、前記のように、上部ガラス
板１７および下部ガラス板１８を付ける構造とする。し
かし、この上部ガラス板１７および下部ガラス板１８を
付ける構造は非常に高価である。また加速度に対する感
度や振動特性の測定は図５のように組み立てた後の完成
品で行うため、工程途中での測定や自動車等の実機に搭
載した後での特性測定は出来ず、また完成品の特性測定
は振動試験機に搭載して行うため、大がかりで手間がか
かるという問題点があった。
【０００５】この発明の目的は、前記の課題を解決し、
センサチップの製造工程途中において、電気的に加速度
の感度特性の測定ができ、安価で均一な特性のセンサチ
ップを得ることがてき、また実機搭載後においても、電
気的に故障の有無を検出することが可能となり、信頼性
および安全性の高い半導体加速度センサを提供すること
にある。
センサチップの製造工程途中において、電気的に加速度
の感度特性の測定ができ、安価で均一な特性のセンサチ
ップを得ることがてき、また実機搭載後においても、電
気的に故障の有無を検出することが可能となり、信頼性
および安全性の高い半導体加速度センサを提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、基体上の半導体基板上にピエゾ抵抗体を形成する
加速度センサにおいて、加速度により変位する可動部
と、可動部と梁部で連結され、可動部の周囲に配置され
る不動部と、梁部に形成されたピエゾ抵抗体とを備える
半導体基板の可動部が所定の距離だけ離れて対向する導
電体を有する構成とする。
めに、基体上の半導体基板上にピエゾ抵抗体を形成する
加速度センサにおいて、加速度により変位する可動部
と、可動部と梁部で連結され、可動部の周囲に配置され
る不動部と、梁部に形成されたピエゾ抵抗体とを備える
半導体基板の可動部が所定の距離だけ離れて対向する導
電体を有する構成とする。
【０００７】この導電体が多層膜で形成され、表面実装
形電極と実装時の共振防止のための固定部とを有すると
よい。可動部と導電体との間に静電引力が働くように、
可動部と連結する不動部と導電体との間に交流電圧を印
加するとよい。絶縁膜の材質がポリイミド樹脂、シリコ
ーンゴム又はエポキシ樹脂のいずれかであると効果的で
ある。また可動部に対向する基体の表面側にを凹部を有
するとよい。また前記可動部と導電体との所定の距離が
１０μｍないし５０μｍであると効果的である。
形電極と実装時の共振防止のための固定部とを有すると
よい。可動部と導電体との間に静電引力が働くように、
可動部と連結する不動部と導電体との間に交流電圧を印
加するとよい。絶縁膜の材質がポリイミド樹脂、シリコ
ーンゴム又はエポキシ樹脂のいずれかであると効果的で
ある。また可動部に対向する基体の表面側にを凹部を有
するとよい。また前記可動部と導電体との所定の距離が
１０μｍないし５０μｍであると効果的である。
【０００８】前記の構成とすることで、重り部と下部電
極との隙間を重り部の可動範囲の２〜４倍とし、不動部
上の電極と下部電極との間に５０Ｖ〜１００Ｖ程度の交
流電圧を印加することで、重り部と下部電極間に静電引
力を働らかせ、重り部を振動させる。この振動をピエゾ
抵抗体で構成されたブリッジ回路の出力電圧として計測
することで、加速度の感度を評価することができる。自
動車などに搭載された所謂実機状態では、バッテリー電
圧は１２Ｖ程度と低いが、この低い電圧でも、加速度が
９．８ｍ／ｓ2 相当の出力電圧の変化が得られるため、
自動車に搭載した後でも十分機能チェックが行える。
極との隙間を重り部の可動範囲の２〜４倍とし、不動部
上の電極と下部電極との間に５０Ｖ〜１００Ｖ程度の交
流電圧を印加することで、重り部と下部電極間に静電引
力を働らかせ、重り部を振動させる。この振動をピエゾ
抵抗体で構成されたブリッジ回路の出力電圧として計測
することで、加速度の感度を評価することができる。自
動車などに搭載された所謂実機状態では、バッテリー電
圧は１２Ｖ程度と低いが、この低い電圧でも、加速度が
９．８ｍ／ｓ2 相当の出力電圧の変化が得られるため、
自動車に搭載した後でも十分機能チェックが行える。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施例で、
同図（ａ）は加速度センサの要部断面図、同図（ｂ）は
センサチップの拡大断面図を示す。センサチップ１（加
速度をセンシングする素子）はシリコン基板３０に重り
部１９、支持部２０および薄肉の梁部２１とを形成し、
支持部２０をエポキシ樹脂、シリコーンゴム、ポリイミ
ドなどの絶縁樹脂５を介してリードフレーム４上に固着
する。シリコン基板３０の表面を汚染等から保護するた
めにパッシベーション膜１６を被覆する。また梁部２１
に複数個のピエゾ抵抗体１４を形成する。同図ではこの
ピエゾ抵抗体１４はその内の一個のみ示されている。ま
た信号処理用ＩＣ２も絶縁樹脂５を介してリードフレー
ム４上に固着する。センサチップ１、信号処理用ＩＣ２
およびリードフレーム４間の配線をアルミ線等のワイヤ
３で行う。リードフレーム４を樹脂ケース６に固着し、
樹脂ケース６と樹脂キャップ７を固着する。絶縁樹脂５
を１層または多層にして厚みを調整し、重り部１９とリ
ードフレーム４の隙間２５を所定の間隔とする。その間
隔は５〜２０μｍであり、望ましくは１０〜１６μｍ程
度がよい。またセンサチップ１の大きさは従来のチップ
の大きさである約２０×４０ｍｍ2 から約１５×２０ｍ
ｍ2 に縮小され、そのため重り部１９の大きさも小さく
なり、同じ加速度が加わっても梁部２１に加わる力は小
さく、そのため、従来のように保護用のガラス板は不要
となり、低価格となる。
同図（ａ）は加速度センサの要部断面図、同図（ｂ）は
センサチップの拡大断面図を示す。センサチップ１（加
速度をセンシングする素子）はシリコン基板３０に重り
部１９、支持部２０および薄肉の梁部２１とを形成し、
支持部２０をエポキシ樹脂、シリコーンゴム、ポリイミ
ドなどの絶縁樹脂５を介してリードフレーム４上に固着
する。シリコン基板３０の表面を汚染等から保護するた
めにパッシベーション膜１６を被覆する。また梁部２１
に複数個のピエゾ抵抗体１４を形成する。同図ではこの
ピエゾ抵抗体１４はその内の一個のみ示されている。ま
た信号処理用ＩＣ２も絶縁樹脂５を介してリードフレー
ム４上に固着する。センサチップ１、信号処理用ＩＣ２
およびリードフレーム４間の配線をアルミ線等のワイヤ
３で行う。リードフレーム４を樹脂ケース６に固着し、
樹脂ケース６と樹脂キャップ７を固着する。絶縁樹脂５
を１層または多層にして厚みを調整し、重り部１９とリ
ードフレーム４の隙間２５を所定の間隔とする。その間
隔は５〜２０μｍであり、望ましくは１０〜１６μｍ程
度がよい。またセンサチップ１の大きさは従来のチップ
の大きさである約２０×４０ｍｍ2 から約１５×２０ｍ
ｍ2 に縮小され、そのため重り部１９の大きさも小さく
なり、同じ加速度が加わっても梁部２１に加わる力は小
さく、そのため、従来のように保護用のガラス板は不要
となり、低価格となる。
【００１０】図２はこの発明の第２実施例で、同図
（ａ）は加速度センサの要部断面図、同図（ｂ）はセン
サチップに交流電圧を印加した場合の状態図を示す。第
１実施例と主に異なる点は、重り部１９に対向するリー
ドフレーム表面に凹部を設けた凹形リードフレーム８を
用いている点である。凹形リードフレーム８にすること
で、支持部２０とリードフレームを固着する絶縁樹脂５
の一部が凹部まで滲みでたとしても、重り部１９がリー
ドフレームに当たらないようにできる。図１および図２
の加速度センサへの交流電圧の印加について図１（ｂ）
を用いて説明する。図２（ｂ）において、センサチップ
１の支持部２０に交流電圧印加用の第１電極１５ａとピ
エゾ抵抗体１４に電圧を供給する第２電極１５ｂを設
け、凹形リードフレーム８と第１電極１５ａとの間に５
０Ｖ〜１００Ｖ程度の交流電圧を印加する。重り部１９
と凹形リードフレーム８との間に印加する交流電圧によ
って働く静電気による引力（以下、静電引力と呼ぶ）に
より、重り部１９はμｍオーダーの振動をする。この振
動が梁部２１に伝達され、梁部２１に形成されたピエゾ
抵抗体１４の抵抗値を変化させる。４本以上のピエゾ抵
抗体１４でブリッジ回路が構成されており、その出力電
圧が出力端子２２から取り出される。この出力電圧は重
り部１９の変位に比例する。この時、絶縁樹脂５の膜厚
を均一に制御することが、適正な静電引力を与え、絶縁
耐圧を確保するのに重要である。そのために、前記の絶
縁樹脂５を多層にして膜厚を制御すると効果的である。
（ａ）は加速度センサの要部断面図、同図（ｂ）はセン
サチップに交流電圧を印加した場合の状態図を示す。第
１実施例と主に異なる点は、重り部１９に対向するリー
ドフレーム表面に凹部を設けた凹形リードフレーム８を
用いている点である。凹形リードフレーム８にすること
で、支持部２０とリードフレームを固着する絶縁樹脂５
の一部が凹部まで滲みでたとしても、重り部１９がリー
ドフレームに当たらないようにできる。図１および図２
の加速度センサへの交流電圧の印加について図１（ｂ）
を用いて説明する。図２（ｂ）において、センサチップ
１の支持部２０に交流電圧印加用の第１電極１５ａとピ
エゾ抵抗体１４に電圧を供給する第２電極１５ｂを設
け、凹形リードフレーム８と第１電極１５ａとの間に５
０Ｖ〜１００Ｖ程度の交流電圧を印加する。重り部１９
と凹形リードフレーム８との間に印加する交流電圧によ
って働く静電気による引力（以下、静電引力と呼ぶ）に
より、重り部１９はμｍオーダーの振動をする。この振
動が梁部２１に伝達され、梁部２１に形成されたピエゾ
抵抗体１４の抵抗値を変化させる。４本以上のピエゾ抵
抗体１４でブリッジ回路が構成されており、その出力電
圧が出力端子２２から取り出される。この出力電圧は重
り部１９の変位に比例する。この時、絶縁樹脂５の膜厚
を均一に制御することが、適正な静電引力を与え、絶縁
耐圧を確保するのに重要である。そのために、前記の絶
縁樹脂５を多層にして膜厚を制御すると効果的である。
【００１１】図３はこの発明の第３実施例の加速度セン
サの要部断面図を示す。センサチップ１、信号処理用Ｉ
Ｃ２および厚膜部品であるコンデンサ１１、抵抗体１２
などをセラミック製の厚膜基板９に実装した実施例であ
る。厚膜基板９上に形成する配線用の導電膜２３は電極
１０と接続し、電極１０は外部回路と配線される。この
配線用の導電膜２３上にセンサチップ１の支持部が絶縁
樹脂５を介して固着される。そして、重り部１９に対向
する部分にも導電膜２３が設けられている。また配線用
の導電膜２３の配線パターンや絶縁ガラスパターン等の
線幅や膜厚は、印刷スクリーンのメッシュ粗さで、容易
に制御できる。そのため、重り部１９と厚膜基板９との
隙間の選択が容易にでき、また厚膜基板９は絶縁板のた
め必要な回路部品がすべて搭載でき、組み立てが容易
で、低価格化が図れる。尚、この隙間の調整は、配線用
の導電膜２３を多層に形成しても、絶縁樹脂５を多層に
しても、さらにこれらの組み合わせでもできる。また加
速度センサを構成するセンサチップ１、信号処理用ＩＣ
２や厚膜部品を収納するパッケージには表面実装形電極
（突起電極）が設けられ、且つ、自動車等に実装したと
きの振動で重り部１９が共振を起さないように固定部が
設けられる。さらに前記のコンデンサ１１や抵抗体１２
などの増幅・温度補償の信号処理回路を構成する部品な
どを複合実装できる利点もある。
サの要部断面図を示す。センサチップ１、信号処理用Ｉ
Ｃ２および厚膜部品であるコンデンサ１１、抵抗体１２
などをセラミック製の厚膜基板９に実装した実施例であ
る。厚膜基板９上に形成する配線用の導電膜２３は電極
１０と接続し、電極１０は外部回路と配線される。この
配線用の導電膜２３上にセンサチップ１の支持部が絶縁
樹脂５を介して固着される。そして、重り部１９に対向
する部分にも導電膜２３が設けられている。また配線用
の導電膜２３の配線パターンや絶縁ガラスパターン等の
線幅や膜厚は、印刷スクリーンのメッシュ粗さで、容易
に制御できる。そのため、重り部１９と厚膜基板９との
隙間の選択が容易にでき、また厚膜基板９は絶縁板のた
め必要な回路部品がすべて搭載でき、組み立てが容易
で、低価格化が図れる。尚、この隙間の調整は、配線用
の導電膜２３を多層に形成しても、絶縁樹脂５を多層に
しても、さらにこれらの組み合わせでもできる。また加
速度センサを構成するセンサチップ１、信号処理用ＩＣ
２や厚膜部品を収納するパッケージには表面実装形電極
（突起電極）が設けられ、且つ、自動車等に実装したと
きの振動で重り部１９が共振を起さないように固定部が
設けられる。さらに前記のコンデンサ１１や抵抗体１２
などの増幅・温度補償の信号処理回路を構成する部品な
どを複合実装できる利点もある。
【００１２】
【発明の効果】この発明において、加速度センサのセン
サチップの重り部と下部電極であるリードフレームまた
は厚膜基板上に形成した金属膜との間に静電引力を働か
せることで電気的に加速度を与え、加速度の感度測定が
可能となり、実機搭載時の安全性が確認でき、かつ低価
格化が図れる。またセラミック製の厚膜基板を用いるこ
とで必要部品の実装が低コストで容易にできる。
サチップの重り部と下部電極であるリードフレームまた
は厚膜基板上に形成した金属膜との間に静電引力を働か
せることで電気的に加速度を与え、加速度の感度測定が
可能となり、実機搭載時の安全性が確認でき、かつ低価
格化が図れる。またセラミック製の厚膜基板を用いるこ
とで必要部品の実装が低コストで容易にできる。
【図１】この発明の第１実施例で、（ａ）は加速度セン
サの要部断面図、（ｂ）はセンサチップの拡大断面図
サの要部断面図、（ｂ）はセンサチップの拡大断面図
【図２】この発明の第２実施例で、（ａ）は加速度セン
サの要部断面図、（ｂ）はセンサチップに交流電圧を印
加した場合の状態図
サの要部断面図、（ｂ）はセンサチップに交流電圧を印
加した場合の状態図
【図３】この発明の第３実施例の加速度センサの要部断
面図
面図
【図４】従来の加速度センサのセンサチップの要部断面
図
図
【図５】センサチップや信号処理用ＩＣを組み込んだ加
速度センサの要部断面図
速度センサの要部断面図
１ センサチップ ２ 信号処理用ＩＣ ３ ワイヤ ４ リードフレーム ５ 絶縁樹脂 ６ 樹脂ケース ７ 樹脂キャプ ８ 凹形リードフレーム ９ 厚膜基板 １０ 電極 １１ コンデンサ １２ 抵抗体 １３ はんだ １４ ピエゾ抵抗体 １５ａ 第１電極 １５ｂ 第２電極 １６ パッシベーション膜 １７ 上部ガラス板 １８ 下部ガラス板 １９ 重り部 ２０ 支持部 ２１ 梁部 ２２ 出力端子 ２３ 配線用の導電膜 ２４ 外部導出端子 ２５ 隙間
Claims (6)
- 【請求項１】基体上の半導体基板上にピエゾ抵抗体が形
成される加速度センサにおいて、加速度により変位する
可動部と、可動部と梁部で連結され、可動部の周囲に配
置される不動部と、梁部に形成されるピエゾ抵抗体とを
備える半導体基板の可動部が所定の距離だけ離れて対向
する導電体を有することを特徴とする半導体加速度セン
サ。 - 【請求項２】可動部と導電体との間に静電引力が働くよ
うに、可動部と連結する不動部と導電体との間に交流電
圧を印加することを特徴とする請求項１記載の半導体加
速度センサ。 - 【請求項３】絶縁膜の材質がポリイミド膜、シリコーン
ゴム又はエポキシ樹脂のいずれかであることを特徴とす
る請求項１記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項４】可動部に対向する基体の表面側に凹部を有
することを特徴とする請求項１記載の半導体加速度セン
サ。 - 【請求項５】可動部と導体部との所定の距離が５ないし
２０μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体
加速度センサ。 - 【請求項６】導電体が多層膜で形成され、パッケージが
表面実装形電極と実装での共振防止のための固定部とを
有することを特徴とする請求項１記載の半導体加速度セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24270495A JP3346118B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24270495A JP3346118B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0989925A true JPH0989925A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3346118B2 JP3346118B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=17093013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24270495A Expired - Fee Related JP3346118B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3346118B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009194A1 (ja) * | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | 半導体センサ |
| JP2006261560A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ |
| JP2009063550A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Rohm Co Ltd | 半導体センサ装置 |
| JP2011128140A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | センサデバイス及びその製造方法 |
| US8624339B2 (en) | 2011-07-26 | 2014-01-07 | Seiko Epson Corporation | Vibrating device and electronic apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5943107B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2016-06-29 | 大日本印刷株式会社 | センサデバイス及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP24270495A patent/JP3346118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006009194A1 (ja) * | 2004-07-21 | 2006-01-26 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | 半導体センサ |
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