JP3020426B2 - トランスデューサアセンブリ、回路基板に取り付けるためのトランスデューサデバイス、及び回路基板にトランスデューサを取り付ける方法 - Google Patents

トランスデューサアセンブリ、回路基板に取り付けるためのトランスデューサデバイス、及び回路基板にトランスデューサを取り付ける方法

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JP3020426B2 JP7036298A JP3629895A JP3020426B2 JP 3020426 B2 JP3020426 B2 JP 3020426B2 JP 7036298 A JP7036298 A JP 7036298A JP 3629895 A JP3629895 A JP 3629895A JP 3020426 B2 JP3020426 B2 JP 3020426B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、車輌等の速度の変化を
感知する装置に関し、より詳しくは、支持部材に加速度
計を取り付ける方法及び構造に関する。
【0002】
【従来の技術】ミクロ機械加工された集積回路チップか
らなる加速度計は、当業者にはよく知られている。この
加速度計の例は、1991年10月29日にホワイト
(White)等に付与された米国特許第5,060,
504号明細書、1993年6月22日にステイラー
(Staller)等に付与された米国特許第5,22
1,400号明細書及び1993年8月10日にプティ
ー(Putty)等に付与された米国特許第5,22
3,874号明細書に開示されている。よく知られてい
るように、加速度計は加速度を測定する装置であり、よ
り詳しくは物体の速度が変化することによって生ずるそ
の物体に加わる力を測定する装置である。移動する物体
は、速度の変化に抵抗する慣性を有する。速度の変化に
対するこの抵抗は、移動する物体によって加えられる力
の源である。この力は、移動する物体が加速されると
き、移動方向の加速度成分に正比例する。
【0003】半導体集積回路としてミクロ機械加工され
た典型的な加速度計では、中心の、概ね円形または長方
形の質量が、1つまたは複数のマイクロブリッジによっ
て懸架されている。マイクロブリッジは、質量との間に
間隔を置いて配置された支持基板に取着されている。質
量は、支持基板内に支持されかつ支持基板に対して自由
に移動できるようになっている。例えば、一対のマイク
ロブリッジの各マイクロブリッジは、質量の両端に各々
配置されており、一対のマイクロブリッジの長手方向の
軸が質量の表面を通過する共通の軸を形成している。
【0004】即ち、質量の運動は、マイクロブリッジ内
に形成されたビーム・ピエゾ抵抗素子と共働するホイー
トストンブリッジの出力の対応する変化を測定すること
によって測定される。
【0005】そのようなミクロ機械加工された集積回路
からなる加速度計は、典型的に、例えば自動車のエアバ
ックの展開システムを起動するための、加速度計によっ
て出力される信号を処理する外付けの回路を必要とす
る。そのような加速度計は従って一般的に自動車及び他
の車輌に用いられている。
【0006】典型的にミクロ機械加工された上述された
ような加速度計には、加速度に対する単一の軸線方向に
関してのみ感度を有するという制約がある。つまり、上
述されたミクロ機械加工された加速度計は、半導体集積
回路の主面によって画定された面に垂直な方向のみの加
速度を測定することができる。半導体集積回路の主面
は、半導体集積回路チップの面内に形成されており、こ
の面に対して集積回路の製造過程中に、(マスキング、
エッチング等の)様々な製造過程が実施される。自動車
用のエアバックシステムに対して、衝突が起きたときに
検知されるべき加速度の方向は、(地面と平行な)水平
面内の方向で概ね発生する。
【0007】ミクロ機械加工された加速度計用半導体集
積回路を取り付けるための典型的な従来技術の構造が、
図1aの正面図に例示されている。ここで、通常のメタ
ル“缶タイプ”の集積回路チップ用パッケージ12は、
中心の凹部10を画定し、この凹部内には実際の加速度
計集積回路チップ14と、ASIC回路16からなる関
連する回路とが取り付けられている。ASICは、一般
的に用いられる特定用途向け集積回路(Applica
tions Specific Integrated
Circuit)を意味するが、等しい機能を有する
他の形式の集積回路が用いられてもよい。ある形式の加
速度計では、この回路が加速度計用集積回路チップに組
み込まれていることがあることが理解される。
【0008】加速度計集積回路チップ14は、導体18
によってASIC集積回路チップ16に電気的に接続さ
れており、この導体18は、2つの集積回路チップ14
と16との間で電気信号の伝達を行う。金属製の缶12
は(図示されていない)蓋によって密閉されており、一
方、加速度計集積回路チップ14及びASIC集積回路
チップ16は、缶12の内部に固定されたセラミック基
板20上に保持されている。更に、(以下に詳細に説明
される)取り付け用ブラケットに缶12をねじ止めする
ためのねじ24a、24b(及び図示されていない対応
する孔)が設けられている。
【0009】集積回路チップ14及び16を、装置の他
の部分と接続する導電性リード線(図を明瞭にするため
に実際の接続は図示されていない)は、この場合、通常
のエッジクリップ終端部(ピン)28a、28bにて終
息している。これらの終端部は、金属製ハウジング40
の床面の上に隔離碍子38a、38bによって保持され
たプリント回路基板(PCB)36に電気的に接続され
ている。
【0010】図1aの構造をより明らかに例示するため
に、図1aの線A−Aに沿った断面図が図1bに例示さ
れている。(図1aでは省略されている)缶12を(溶
接によって)密閉する蓋が、符号26によって表されて
いる。図1bはまた、缶12を支持する支持構造をも例
示おり、この支持構造は金属封止のためのガラスを備え
た金属ベースプレート28に取り付けられている。ベー
スプレート28は、ねじ24a、24bによって取付ブ
ラケット34に取着されている。取付ブラケット34
は、例えば金属、プラスチック及びセラミック等によっ
て形成された頑健性を有する構造となっている。取付ブ
ラケット34を設ける目的は、ハウジング40の側壁に
対して垂直な方向に缶12を適切に取り付けることであ
る。ブラケット34は、ねじ、リベットまたは他の手段
(図示されていない)によって側壁に保持されている。
「加速度の軸」と表された矢印によって、加速度の方向
が表されている。即ち、ベースプレート28と取付ブラ
ケット34とを設ける目的は、缶12をPCB34に対
して垂直方向に取り付けることである。従って、車輌内
では典型的にPCB36は、地表面に対して平行な面内
に取り付けられることになる。
【0011】図示されているように、リード線28a
(及びその他のリード線28b、...、28g)は、
金属製の缶12(図面を明瞭にするためにその詳細な部
分は図示されていない)の背面から延出し、PCB36
の電気的コネクタに接続されている。PCB36は、実
際のエアバック起動装置に接続されており、このエアバ
ック起動装置は、操舵輪内に収容されており、一方ハウ
ジング40は、車両のダッシュボードの下若しくはフロ
アボードに取り付けられている。図1a及び図1bに例
示された構造は、満足な結果をもたらすように機能す
る。しかしながら、この構造は、1)加速度計集積回路
チップの感度の軸に対して、及び、2)水平に取り付け
られたPCB36に対して、加速度計集積回路チップを
しっかりと取り付けるために必要とされるかなり精密な
取り付け構造のために、比較的体積が大きく、かつ高価
であるという主な欠点を有する。更に、機械的な構造及
びリード線28がかなり複雑であることによって信頼性
に関する問題点が生ずる。
【0012】アナログデバイシズ社は、集積回路チップ
の平面内でその質量が移動するミクロ機械加工された加
速度計集積回路チップを開示している(「Electr
onic Design」1991年8月8日の「Ai
rbags Boom When IC Accele
rometer Sees 50 G」の第5図を参照
のこと)。この集積回路チップは、加速度計の感度の軸
が、予測される加速度と平行となることを可能とする。
しかし、この加速度計集積回路チップは、この単独の製
造元のみから入手される。
【0013】従って、高価かつ体積の大きい取り付け構
造を必要とせず、標準的な加速計集積回路チップを用
いて、コストを低減し、かつ自動車及び他の車両または
その他の用途に於いて加速度計集積回路チップを取り付
けるための信頼性を高めることが望まれている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高価
かつ体積の大きい取り付け構造を必要とせず、標準的な
加速計集積回路チップを用いて、コストを低減し、か
つ自動車及び他の車両またはその他の用途に於いて加速
度計集積回路チップを取り付けるための信頼性を高める
ことである。
【0015】
【課題を解決するための手段】上述された目的は、トラ
ンスデューサアセンブリであって、その主面に垂直な感
度の軸を備えたトランスデューサ集積回路チップと、前
記トランスデューサ集積回路チップを収容する集積回路
チップ用パッケージと、回路基板とを有し、前記集積回
路チップ用パッケージが前記回路基板の表面に直接取り
付けられ、前記感度の軸が前記回路基板の前記表面に平
行な面内に配置されていることを特徴とするトランスデ
ューサアセンブリを提供することによって達成される。
【0016】更に、上述された目的は、回路基板にトラ
ンスデューサを取り付ける方法であって、その主面に直
交する感度の軸を備えたトランスデューサを提供する過
程と、その表面に延在する導電性のトレースを備えたパ
ッケージを提供する過程と、前記パッケージの前記表面
に平行な面内に前記感度の軸が配置されるように前記パ
ッケージ内に前記トランスデューサを固定する過程と、
前記回路基板の表面に前記パッケージの前記表面が接触
し、前記導電性トレースが前記回路基板の前記表面上の
関連するトレースと電気的に接触するように、前記回路
基板の前記表面上に前記パッケージを取り付ける過程と
を有することを特徴とする回路基板にトランスデューサ
を取り付ける方法を提供することによっても達成され
る。
【0017】また、上述された目的は、回路基板に取り
付けるためのトランスデューサデバイスであって、その
主面に直交する感度の軸を備えたトランスデューサ集積
回路チップと、その内部に前記トランスデューサ集積回
路チップが取り付けられ、かつ前記感度の軸と平行な平
面内に配置された側面を備えた集積回路チップ用パッケ
ージと、前記回路基板の前記側面を取り付けるように適
合された前記集積回路チップ用パッケージの前記側面に
形成された複数の取着とを有することを特徴とする回
路基板に取り付けるためのトランスデューサデバイス
提供することによって達成される。
【0018】
【作用】本発明に基づけば、その面(主面)に従来通り
垂直な感度の方向を有する加速度計集積回路チップが、
集積回路チップキャリア内に収容され、かつ端と端を接
してプリント回路基板に直接取り付けられる。即ち、加
速度計集積回路チップ用キャリア(パッケージ)の側面
が、PCBの面に直接取り付けられる。
【0019】例えば、多層のセラミック製の集積回路チ
ップ用キャリア内に、信号制御回路(例えば、AIS
C)と共にパッケージされた通常のミクロ機械加工され
た加速度計集積回路チップは、例えば、コバー(Kov
ar)蓋によって密閉されている。電気的な接続部は、
セラミック製の集積回路チップ用キャリアの複数の層内
に含まれており、かつキャリアの底部(実際には側面)
にて終息している。
【0020】セラミック製の集積回路チップ用パッケー
ジの終端部分の形式が多様であることによって、リード
線の無い表面取り付け構造、若しくはJ型のリード線、
S型のリード線、カモメの翼型(gull wing
s)のリード線、真鍮で作られた隔離碍子を備えたリー
ド線、及びその他のリード線などの金属製のリード線に
よって形成された、PCBを支持するための様々な取り
付け構造が提供される。
【0021】代わりに、加速度計集積回路チップは、P
CBに接続されたリード線のフレームに取り付けられる
と共にその側面がPCBに取り付けられた、プラスチッ
ク製のSIP(シングル・インライン・パッケージ;s
ingle in−linepackage)集積回路
チップ用パッケージ内にパッケージされていても良い。
【0022】従って、本発明に基づけば、低コストで、
かつコンパクトな、信頼性の高い、加速度計集積回路チ
ップを取り付ける構造が提供される。
【0023】
【実施例】図2aは、当業者にはよく知られた形の多層
のセラミック製集積回路チップ用キャリア44内に収容
された加速度計集積回路チップ14と信号制御用集積回
路チップ(例えばASIC)16の正面図を表してい
る。従来の加速度計集積回路チップ14とASICチッ
プ16とは、厚さの異なるこれら2つのデバイスを収容
するようにステップ状に形成された凹部54内に収容さ
れている。図2aでは、集積回路チップ用キャリア44
を通常通り密閉する蓋が取り除かれた状態で例示されて
いる。集積回路チップ用キャリア44は、半田パッド6
4a、...、64f(図2aにはその一部のみが例示
されている)によって通常のPCB42に取り付けられ
ており、各半田パッドは、集積回路チップ用キャリア4
4の裏面に形成されており、プリント回路基板42の対
応する金属化された領域に機械的及び電気的に取着され
ている。2つの結果的に形成された半田接合部の実際の
隅肉が、符号62a、62bによって表されている。P
CB42は、加速度計集積回路チップを機械的に支持
し、かつ集積回路チップと電気的に接続される、上述さ
れたような車両内に配置された従来のPCBからなる。
【0024】PCB44は通常、G10/FR−4材料
からなるが、当業者にはよく知られているように他の材
料からなるものであっても良い。図2aでは、加速度の
軸は、紙面に対して直交する向きなので、図面には例示
されていない。集積回路チップ14の主面が、据え付け
られた通常の保護用キャップと共に例示されている。加
速度計集積回路チップ14は、ワイヤボンド52によっ
てセラミック製の集積回路チップキャリア44の露出し
た面に形成された導電性トレース18に接続されてお
り、かつこの導電性トレース18はワイヤ50(及び図
示されていない他のワイヤ)によってASICチップ1
6に接続されている(加速度計集積回路チップ14はま
た、トレース18を介して集積回路チップ用パッケージ
44の外側に向かう1つ若しくは複数の電気的接続部を
有していても良い)。典型的には、そのような複数のト
レース及びワイヤボンドが更に存在するが、図面を明瞭
にするために図中では省略されている。TAB、フリッ
プチップ及び他の当業者には良く知られた接続方法が用
いられても良い。更に、ASICチップ16の左側に配
置された導電性トレース48が例示されており、この導
電性トレース48は集積回路チップ用キャリア44の複
数の層を貫通し、半田パッド64a、...、64fに
て、集積回路チップ用キャリア44の側面(図中では下
側部分として例示されている)に達している。
【0025】ASIC16及び加速度計集積回路チップ
14の両方は、集積回路チップ用キャリア44のステッ
プ状の凹部54内に収容されている。
【0026】図2aの線B−Bに沿った断面図が図2b
に例示されており、集積回路チップ用キャリア44と、
凹部54と、集積回路チップ14及び16と、集積回路
チップ用キャリア44を密閉するコバー蓋60とが例示
されている。錫及び金からなる通常の半田封止リング
が、コバー蓋60の内側面に形成されており、この半田
封止リングは、集積回路チップ用キャリア44に形成さ
れたタングステン、ニッケル及び金からなる対応するリ
ング72の層と整合する。ASICチップ16は、加速
度計集積回路チップ14に比べかなり薄く、ステップ状
の凹部54の浅い部分に収容され、ワイヤボンディング
を容易にするために、加速度計集積回路チップ14と同
一平面をなすように配置されている(詳細な部分は重要
ではない)。
【0027】図3aは、集積回路チップ用キャリア44
の底面を表しており、例えば、図2aに示されている
ように、PCB42と直接接触した図2aの集積回路チ
ップ用キャリア44の側面68が例示されている。ここ
でPCB42は図を明瞭にするために図示されていな
い。集積回路チップ用キャリア44の側面68の機械的
取り付け用半田パッド66a及び66bは、側面68の
各端部に所定の長さに亘って延在し、下側のPCB42
への確実な機械的な取り付けを達成する。パッド66a
及び66bは所望に応じて設けられる。電気的及び機械
的な接続半田パッド64a、64f(及び符号を付され
ていない他の半田パッド)は、上述されたように、加速
度計集積回路チップ14及びASICチップ16の回路
と電気的に接続されている。
【0028】図3bは、定位置に配置されたコバー蓋
0を伴った集積回路チップ用キャリア44の側面図を表
しており、図2aに例示されたように半田パッド66a
の実際の半田隅肉62aを表している。図2a、図3b
の寸法a、b及びcは、ある実施例では各々、1.27
cm(0.5インチ)、0.3175cm(0.125
インチ)及び0.7366cm(0.29インチ)とな
っている。これらの寸法は単なる例示であって、ここで
説明される材料と同様に、限定を意図するものではな
い。本発明に基づいて用いられる加速度計集積回路チッ
プ14は、従来の(圧電素子、圧抵抗素子、及び静電容
量素子)若しくは他の形式の素子であって良い。もちろ
ん、ASICチップ16は、加速度計集積回路チップ1
4内にその機能が集積化されている場合、省略すること
が出来る。PCBの平面と平行な感度の軸を備えた本発
明に基づく構造は、パッケージの全体の寸法を低減し、
構成要素の数を減少し、製造をより容易とし、故障の原
因となる接続部分(電気的及び機械的な)を除去する。
従って、従来技術に比べ材料費及び組立コストを低減さ
せる一方で、信頼性を向上させることができる。上述さ
れたように、プリント回路基板への実際の接続は、図2
a及び図3bに例示されているリード線の無い表面取り
付け構造に加えて、様々な形式の接続部であって良い。
即ち、様々な形式の形成された金属リード線が、PCB
42と接続するために、パッド64a、...、64f
に接続される。
【0029】他の実施例では、加速度計集積回路チップ
と信号制御用集積回路チップ16とが積み重ねられかつ
フリップチップ構造で接続され、集積回路チップ用キャ
リア44に保持されている。
【0030】図4には他の実施例の側断面図が例示され
ており、この実施例は、SIPプラスチック製集積回路
チップ用キャリア76に取り付けられた支持部(ダイ取
着用リードフレーム部分)74に保持された加速計集
積回路チップ14を有する。集積回路チップ用キャリア
76の側面がPCB82に取り付けられている。集積回
路チップ14からの導体78がリード線80に接続され
ており(他のリード線及び導体は図示されていない)、
リード線80はPCB82に接続されている。ここで、
リード線80はリードフレームの一部をなし、このリー
ドフレームには集積回路チップ14(及び図示されてい
ないが必要に応じて信号制御チップ)が取り付けられて
いる。代わりに、リードフレーム終端部(リード線)
が、別の支持部(図示されていない)のために互い違い
に配列される。
【0031】本発明に基づけば、加速度計が取り付けら
れるだけでなく、単一の感度の軸を備えた力センサまた
は他のセンサ(トランスデューサ)が取り付けられても
良い。
【0032】これまでの開示内容は単なる例示であって
限定を意図するものではなく、更なる変形がこれまでの
開示内容から当業者には明らかであり、かつこれらの変
形は添付の請求項の技術的範囲を逸脱するものではな
い。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージの全体の寸
法を低減し、構成要素の数を減少し、製造をより容易と
し、故障の原因となる接続部分(電気的及び機械的な)
を除去することができる。従って、従来技術に比べ材料
費及び組立コストを低減させる一方で、信頼性を向上さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】a及びbからなり、a及びbは各々、従来技術
の加速度計用の取り付け構造の正面図及び側面図であ
る。
【図2】a及びbからなり、aびbは各々、本発明に基
づく加速度計集積回路チップ用の取り付け構造の面図
及び側断面図である。
【図3】a及びbからなり、a及びbは各々、本発明に
基づく加速度計集積回路チップ用の取り付け構造の(取
り付けられた状態の)側面図及び第2側面図である。
【図4】本発明に基づく加速度計集積回路チップ用のプ
ラスチック製の集積回路チップ用キャリアの断面図であ
る。
【符号の説明】
10 凹部 12 集積回路チップ用パッケージ 14 加速度計集積回路チップ 16 ASIC回路 18 導体 20 セラミック基板 24a、24b ねじ 26 蓋 28 金属ベースプレート 28a、28b エッジクリップ終端部 34 取付ブラケット 36 PCB 38a、38b 隔離碍子 40 ハウジング 42 PCB 44 集積回路チップ用パッケージ 48 導電性トレース 50 ワイヤ 52 ワイヤ 54 ステップ状の凹部 60 コバー蓋 62a 半田隅肉 64a〜64f 接続半田パッド 66a、66b 半田パッド 68 キャリアの側面 72 リング 74 支持部 76 集積回路チップ用キャリア 78 導体 80 リード線 82 PCB
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−72227(JP,A) 特開 平5−322922(JP,A) 特開 昭64−25062(JP,A) 特開 平3−94167(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01P 15/08

Claims (26)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 トランスデューサアセンブリであっ
    て、 その主面によって画定された平面と直交するように配置
    された感度の軸を備えたトランスデューサ集積回路チッ
    プと、集積回路チップ用パッケージであって、 前記トランスデ
    ューサ集積回路チップを、前記集積回路チップ用パッケ
    ージの内部に密閉して収容する、前記集積回路チップ用
    パッケージと、 回路基板とを有し、 前記集積回路チップ用パッケージの側面が前記回路基板
    の表面と向かい合い、かつ前記集積回路チップが前記回
    路基板によって直接支持されていることを特徴とするト
    ランスデューサアセンブリ。
  2. 【請求項2】 前記集積回路チップの前記側面の少な
    くとも一部が、前記回路基板に直接接触していることを
    特徴とする請求項1に記載のトランスデューサアセンブ
    リ。
  3. 【請求項3】 前記回路基板に直接接触している前記
    集積回路チップ用パッケージの前記側面の一部が、前記
    集積回路チップ用パッケージの少なくとも1つの脚部を
    画定することを特徴とする請求項2に記載のトランスデ
    ューサアセンブリ。
  4. 【請求項4】 前記集積回路チップ用パッケージが、
    取付け用のブラケットを使用せずに前記回路基板によっ
    て直接支持されていることを特徴とする請求項1に記載
    のトランスデューサアセンブリ。
  5. 【請求項5】 前記集積回路チップ用パッケージの前
    記側面が、前記トランスデューサ集積回路チップの前記
    主面に対して垂直に配置され、前記感度の軸が、前記回
    路基板の前記表面によって画定される平面と平行に配置
    されることを特徴とする請求項1に記載のトランスデュ
    ーサアセンブリ。
  6. 【請求項6】 前記トランスデューサ集積回路チップ
    がミクロ機械加工された加速度計からなることを特徴と
    する請求項1に記載のトランスデューサアセンブリ。
  7. 【請求項7】 前記集積回路チップ用パッケージが、 前記トランスデューサ集積回路チップが取り付けられる
    凹部を画定する多層のセラミック製キャリアを有するこ
    とを特徴とする請求項1に記載のトランスデューサアセ
    ンブリ。
  8. 【請求項8】 前記集積回路チップ用パッケージを貫
    通し前記集積回路チップ用パッケージの側面に達して、
    前記トランスデューサ集積回路チップを前記回路基坂の
    接続パッドと接続する複数の導電性要素を更に有するこ
    とを特徴とする請求項1に記載のトランスデューサアセ
    ンブリ。
  9. 【請求項9】 前記導電性要素の各々が、前記集積回
    路チップ用パッケージの前記側面に形成された導電性パ
    ッドを含むことを特徴とする請求項8に記載のトランス
    デューサアセンブリ。
  10. 【請求項10】 前記回路基板の前記表面に接続され
    るべく、前記集積回路チップ用パッケージの前記側面に
    形成された複数の取着パッドを更に有することを特徴と
    する請求項1に記載のトランスデューサアセンブリ。
  11. 【請求項11】 前記集積回路チップ用パッケージ
    が、 前記凹部の上に配置され、かつ前記集積回路チップ用パ
    ッケージに取着された蓋を有することを特徴とする請求
    項7に記載のトランスデューサアセンブリ。
  12. 【請求項12】 前記集積回路チップ用パッケージの
    前記凹部内に取り付けられ、かつ前記トランスデューサ
    集積回路チップに電気的に接続された集積回路を更に有
    することを特徴とする請求項7に記載のトランスデュー
    サアセンブリ。
  13. 【請求項13】 前記集積回路チップ用パッケージ
    が、その中に前記トランスデューサ集積回路チップが取
    り付けられたプラスチック製のリードフレームパッケー
    ジからなることを特徴とする請求項1に記載のトランス
    デューサアセンブリ。
  14. 【請求項14】 その主面によって画定される平面と
    直交するように配置された感度の軸を有するトランスデ
    ューサ集積回路チップを回路基坂に取り付ける方法であ
    って、 前記トランスデューサ集積回路チップを、その側面から
    延在する導電性素子を備えた集積回路チップ用パッケー
    ジに取り付け、前記トランスデューサ集積回路チップの
    前記感度の軸を、前記集積回路チップ用パッケージの前
    記側面によって画定される平面と平行に配置して、前記
    トランスデューサ集積回路チップを前記集積回路チップ
    用パッケージの内部に密閉して収容する過程と、 前記集積回路チップ用パッケージの前記側面を、前記回
    路基板に向かい合うように配置し、かつ前記導電性要素
    が、前記回路基板の対応する接続部と電気的に接続され
    るように、前記回路基板の前記表面に前記集積回路チッ
    プ用パッケージを取り付ける過程とを有することを特徴
    とする回路基板にトランスデューサを取り付ける方法。
  15. 【請求項15】 前記集積回路チップ用パッケージ内
    に配置された前記トランスデューサの前記主面が、前記
    集積回路チップ用パッケージの前記側面に対して垂直に
    配置されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
  16. 【請求項16】 回路基板に取り付けるためのトラン
    スデューサデバイスであって、 その主面によって画定される平面と直交するように配置
    された感度の軸を備えたトランスデューサ集積回路チッ
    プと、集積回路チップ用パッケージであって、 前記トランスデ
    ューサ集積回路チップが前記集積回路チップ用パッケー
    ジに取り付けられて前記トランスデューサ集積回路チッ
    が前記集積回路チップ用パッケージの内部に密閉され
    収容され、前記集積回路チップ用パッケージが前記感
    度の軸と平行な平面内に配置された側面を備えた、前記
    集積回路チップ用パッケージと、 前記集積回路チップ用パッケージの前記側面を前記回路
    基板の表面に向かい合うように取り付けるべく適合され
    た前記集積回路チップ用パッケージの前記側面に設けら
    れた複数の接続部とを有することを特徴とするトランス
    デューサデバイス。
  17. 【請求項17】 前記集積回路チップ用パッケージの
    前記側面が、前記トランスデューサ集積回路チップの前
    記主面に対して垂直に配置されていることを特徴とする
    請求項16に記載のトランスデューサデバイス。
  18. 【請求項18】 前記トランスデューサ集積回路チッ
    プがミクロ機械加工された加速度計からなることを特徴
    とする請求項16に記載のトランスデューサデバイス。
  19. 【請求項19】 前記集積回路チップ用パッケージ
    が、 その内部に前記トランスデューサ集積回路チップが取り
    付けられる凹部を画定する複数の層からなるセラミック
    製の集積回路チップ用キャリアを有することを特徴とす
    る請求項16に記載のトランスデューサデバイス。
  20. 【請求項20】 前記集積回路チップ用パッケージを
    貫通して前記集積回路チップ用パッケージの側面まで延
    在して、前記トランスデューサ集積回路チップを前記集
    積回路チップ用パッケージの前記側面に接触させる複数
    の導電性要素を更に有し、 前記導電性要素が、前記回路基板の接続パッドと接続す
    るように適合されていることを特徴とする請求項16に
    記載のトランスデューサデバイス。
  21. 【請求項21】 前記導電性要素の各々が、前記集積
    回路チップ用パッケージの前記側面に形成された導電性
    パッドを含むことを特徴とする請求項20に記載のトラ
    ンスデューサデバイス。
  22. 【請求項22】 前記集積回路チップ用パッケージ
    が、 前記凹部の上に配置されかつ前記集積回路チップ用パッ
    ケージに取り付けられた蓋を更に有することを特徴とす
    る請求項19に記載のトランスデューサデバイス。
  23. 【請求項23】 前記集積回路チップ用パッケージの
    前記凹部内に取り付けられると共に前記トランスデュー
    サ集積回路チップと電気的に接続された集積回路を更に
    有することを特徴とする請求項19に記載のトランスデ
    ューサデバイス。
  24. 【請求項24】 前記集積回路チップ用パッケージ
    が、プラスチック製のリードフレームパッケージからな
    ることを特徴とする請求項16に記載のトランスデュー
    サデバイス。
  25. 【請求項25】 前記導電性要素の各々が、前記集積
    回路チップ用パッケージの前記側面から延在する導電性
    リード線からなることを特徴とする請求項16に記載の
    トランスデューサデバイス。
  26. 【請求項26】 前記接続部の各々が、前記集積回路
    チップ用パッケージの前記側面から外向きに延在する前
    記集積回路チップ用パッケージの脚部からなることを特
    徴とする請求項16に記載のトランスデューサデバイ
    ス。
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