JPH06308150A - 半導体加速度センサ - Google Patents

半導体加速度センサ

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Publication number
JPH06308150A
JPH06308150A JP14593993A JP14593993A JPH06308150A JP H06308150 A JPH06308150 A JP H06308150A JP 14593993 A JP14593993 A JP 14593993A JP 14593993 A JP14593993 A JP 14593993A JP H06308150 A JPH06308150 A JP H06308150A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor chip
layer
acceleration
mounting
mounting substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP14593993A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirofumi Okada
裕文 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
Priority to JP14593993A priority Critical patent/JPH06308150A/ja
Publication of JPH06308150A publication Critical patent/JPH06308150A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装基板へのセンサチップの実装において、
シリコン台座をなくして安価且つ簡単な構成とする。 【構成】 センサチップ11の枠体14の形状に対応し
て実装基板15の実装位置に絶縁層16を印刷により形
成すると共に、その絶縁層16を覆うようにしてガラス
層17を印刷により形成する。絶縁層16の部分にセン
サチップ11を接着固定する。感知部12が加速度に応
じて上下に移動しても実装基板15と接触することがな
くなる。また、シリコン台座を形成して実装する手間が
なくなり、安価且つ簡単に実装できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製のセンサチッ
プを絶縁材製の実装基板に実装して構成される半導体加
速度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体加速度センサとし
ては、例えば、図4に示すようなものがある。すなわ
ち、センサチップ1は、周知構成のもので、シリコン基
板を異方性エッチング等により溝部を形成し、これによ
り、感知部2,カンチレバー3および枠体4を連結した
状態に一体に形成したものである。また、カンチレバー
3の部分にはシリコンのピエゾ抵抗を利用して形成され
たブリッジ回路が形成されている。そして、センサチッ
プ1に加わる加速度Gにより感知部2が移動すると、こ
れによりピエゾ抵抗の値が変化するのをブリッジ回路に
より検出し、加速度を検出する構成である。
【0003】このようなセンサチップ1を、例えば、ア
ルミナ等の絶縁性を有する実装基板5に接着固定するこ
とにより実装するものであるが、この場合に、センサチ
ップ1の感知部2が加速度Gに応じた変位により下方に
移動して実装基板5と接触しないようにするために、シ
リコン台座6を介した状態で接着固定するようになって
いる。
【0004】この場合、シリコン台座6は、センサチッ
プ1の枠体4の形状に対応して異方性エッチング等によ
り凹部6aを形成してなるもので、実装基板5に絶縁用
のガラス体7を印刷により形成した後、シリコーン樹脂
等の接着剤8により固定されるようになっている。そし
て、シリコン台座6の上にセンサチップ1を同様に接着
剤8により接着固定する。また、カンチレバー3部分に
形成したブリッジ回路にはアルミワイヤ9により電気的
に接続されるようになっており、このアルミワイヤ9は
実装基板5の導体部5a上にハンダ付により固定された
スタッド10から接続されるようになっている。
【0005】これにより、センサチップ1の感知部2が
加速度に応じて上下に移動変位した場合でも、その感知
部2が実装基板5に接触することがなくなり、加速度を
測定することができるものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来構成のものでは、センサチップ1を実装基板
5から持ち上げた状態で固定する必要があるために、シ
リコン台座6を別途に製作する必要があると共にその接
着固定をするための位置合わせを行う必要があり、工程
が複雑になると共に、コストが高くなる不具合がある。
【0007】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、センサチップを実装基板に実装する場
合に、シリコン台座を用いることなく、簡単且つ安価な
構成により、かさ上げした状態で実装することができる
半導体加速度センサを提供するにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、加速度に応じ
て変位する感知部をカンチレバーを介して枠体に一体に
連結してなる半導体製のセンサチップを絶縁材製の実装
基板に実装して構成される半導体加速度センサを対象と
するものであり、前記実装基板に前記センサチップの枠
体の形状に対応して印刷により形成された隆起部を設
け、前記センサチップを、前記隆起部上に接着固定する
ところに特徴を有する。
【0009】
【作用】本発明の半導体加速度センサによれば、実装基
板にあらかじめ印刷により隆起部を形成し、その隆起部
に対応してセンサチップの枠体の部分を接着固定するこ
とができ、これにより、簡単且つ安価にシリコン台座に
相当する部分を形成でき、センサチップの感知部は加速
度に応じた変位で実装基板に接触することがなくなる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例について図1を
参照しながら説明する。図1は、全体構成を断面で示す
もので、センサチップ11は、周知構成のもので、シリ
コン基板を異方性エッチング等により溝部を形成し、こ
れにより、感知部としての感知部12,カンチレバー1
3および枠体14を連結した状態に一体に形成したもの
である。また、カンチレバー13の部分にはシリコンの
ピエゾ抵抗を利用して形成されたブリッジ回路が形成さ
れている。そして、センサチップ11に加わる加速度G
により感知部12が移動すると、これによりピエゾ抵抗
の値が変化するのをブリッジ回路により検出し、加速度
を検出する構成である。
【0011】このようなセンサチップ11は、例えば、
アルミナ等の絶縁性を有するHIC用の実装基板15に
接着固定することにより実装されている。実装基板15
には、センサチップ11が配置される部分に、枠体14
の形状に対応して隆起部としての絶縁層16(厚さ寸法
は50μm程度)が周知のスクリーン印刷などの方法に
より形成されていると共に、その絶縁層16を覆うよう
にしてガラス層17が同様にスクリーン印刷などの方法
により形成されている。また、実装基板15のセンサチ
ップ11の配置部近傍には導体18が印刷された部分の
上部にはんだ付けによりボンディング用のスタッド19
が固定されている。
【0012】さて、センサチップ11は実装基板15の
絶縁層16の部分に枠体14が位置するようにしてシリ
コーン樹脂等の接着剤20により固定される。そして、
センサチップ11のカンチレバー13部分に形成したブ
リッジ回路とスタッド19との間にはアルミワイヤ21
により電気的にボンディング接続される。
【0013】上記構成によれば、センサチップ11の感
知部12が加速度に応じて上下に移動変位した場合で
も、その感知部12が実装基板15に接触することがな
くなり、加速度を測定することができるものである。そ
して、このようにセンサチップ11を実装基板15に実
装することにより、従来のようなシリコン台座を用いる
ことなく、あらかじめ絶縁層16によりかさ上げした状
態の実装基板15に直接接着固定すれば良いので、簡単
且つ安価な構成として、かさ上げした状態で実装するこ
とができるようになる。
【0014】図2は本発明の第2の実施例を示すもの
で、第1の実施例と異なるところは、絶縁層16に代え
て隆起部としての導体層22(例えば50μm程度の厚
さ)をスクリーン印刷により形成したところである。そ
して、これによっても第1の実施例と同様の効果が得ら
れると共に、実装基板15に形成する導体18や各部の
導体層を形成するときに導体層22を同時に形成するこ
とができるようになるので、製作工数を低減させること
ができるようになる。
【0015】なお、上記第1および第2の実施例におい
ては、絶縁層16あるいは導体層22の上部にガラス層
17を設ける構成としているが、このガラス層17はそ
れら絶縁層16あるいは導体層22を保護するためのも
のであって、必ずしも設ける必要がなく、あるいは、ガ
ラス層17に代えて導電性を有する層が形成されても良
いものである。
【0016】図3は本発明の第3の実施例を示すもの
で、第2の実施例と異なるところは、導体層22とガラ
ス層17との形成順序を逆にした構成としたところであ
り、導体層22を隆起部として形成している。そして、
このような構成の第3の実施例によっても第2の実施例
と同様の効果を得ることができる。
【0017】なお、上記第3の実施例においては、ガラ
ス層17の上に導体層22を設ける構成としたが、両者
共に絶縁部材により構成しても良いし、あるいは両者共
に導体部材により構成しても良い。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体加
速度センサによれば、実装基板にセンサチップの枠体の
形状に対応して印刷により絶縁層を形成し、センサチッ
プを、その絶縁層上に位置して接着固定するようにした
ので、簡単且つ安価にシリコン台座に相当する部分を形
成でき、センサチップの感知部は加速度に応じた変位で
実装基板に接触することがなくなるという優れた効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す全体構成の縦断側面図
【図2】本発明の第2の実施例を示す図1相当図
【図3】本発明の第3の実施例を示す図1相当図
【図4】従来例を示す図1相当図
【符号の説明】
11はセンサチップ、12は感知部、13はカンチレバ
ー、14は枠体、15は実装基板、16は絶縁層、17
はガラス層、18は導体、19はスタッド、20は接着
剤、21はアルミワイヤである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加速度に応じて変位する感知部をカンチ
    レバーを介して枠体に一体に連結してなる半導体製のセ
    ンサチップを絶縁材製の実装基板に実装して構成される
    半導体加速度センサにおいて、 前記実装基板に前記センサチップの枠体の形状に対応し
    て印刷により形成された隆起部を設け、 前記センサチップは、前記隆起部上に接着固定されるこ
    とを特徴とする半導体加速度センサ。
JP14593993A 1993-02-25 1993-06-17 半導体加速度センサ Pending JPH06308150A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14593993A JPH06308150A (ja) 1993-02-25 1993-06-17 半導体加速度センサ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3641993 1993-02-25
JP5-36419 1993-02-25
JP14593993A JPH06308150A (ja) 1993-02-25 1993-06-17 半導体加速度センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06308150A true JPH06308150A (ja) 1994-11-04

Family

ID=26375463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14593993A Pending JPH06308150A (ja) 1993-02-25 1993-06-17 半導体加速度センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06308150A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6483160B2 (en) * 2000-07-21 2002-11-19 Daimlerchrysler Ag Micromechanical enclosure

Cited By (1)

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