JPH08304447A - 半導体加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサおよびその製造方法Info
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- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 台座用に特別の材料を用意する必要がなく、
材料数を少なくすることができ、また組み立て工程を減
らすことができる信頼性の高い安価な半導体加速度セン
サを得ることを目的とする。 【構成】 少なくとも回路導体６および絶縁層８からな
る厚膜回路を持つ回路基板７と、回路基板７上に設けら
れた台座２２と、台座２２に支持されて加速度に応じて
撓む可撓性の加速度検出梁２と、加速度検出梁２上に設
けられ、加速度検出梁２の撓み量を電気信号に変換する
センサ素子１と、センサ素子１を厚膜回路に接続する導
体１０とを備え、台座２２の材料が、回路導体６および
絶縁層８の少なくともいずれか一方と同じ材料である。
材料数を少なくすることができ、また組み立て工程を減
らすことができる信頼性の高い安価な半導体加速度セン
サを得ることを目的とする。 【構成】 少なくとも回路導体６および絶縁層８からな
る厚膜回路を持つ回路基板７と、回路基板７上に設けら
れた台座２２と、台座２２に支持されて加速度に応じて
撓む可撓性の加速度検出梁２と、加速度検出梁２上に設
けられ、加速度検出梁２の撓み量を電気信号に変換する
センサ素子１と、センサ素子１を厚膜回路に接続する導
体１０とを備え、台座２２の材料が、回路導体６および
絶縁層８の少なくともいずれか一方と同じ材料である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、産業用ロボットの姿
勢制御、自動車用のサスペンション制御システム等に用
いられる半導体加速度センサに関するものである。
勢制御、自動車用のサスペンション制御システム等に用
いられる半導体加速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体加速度センサの図５
のIV-IV断面図である。図５は従来の半導体加速度セン
サの蓋を外した状態の平面図である。セラミック製の矩
形薄板であって厚膜回路を持つ回路基板である厚膜抵抗
基板７の周囲には電気信号をセンサの外部に伝達するた
めに、複数のアウターリード１１がディップにより半田
付けされて固定されている。厚膜抵抗基板７の上面には
シリコンで作成された直方体の台座４がエポキシ系接着
剤９で固定されている。台座４の上面には薄板棒状の加
速度検出梁２がその端部をエポキシ系接着剤９で固定さ
れて片持ち梁状に支持されている。厚膜抵抗基板７上に
はその上面に配置された電子部品を覆って蓋１２が配置
され、縁を厚膜抵抗基板７の周囲にシリコン系接着剤１
３で接着されて固定されている。
のIV-IV断面図である。図５は従来の半導体加速度セン
サの蓋を外した状態の平面図である。セラミック製の矩
形薄板であって厚膜回路を持つ回路基板である厚膜抵抗
基板７の周囲には電気信号をセンサの外部に伝達するた
めに、複数のアウターリード１１がディップにより半田
付けされて固定されている。厚膜抵抗基板７の上面には
シリコンで作成された直方体の台座４がエポキシ系接着
剤９で固定されている。台座４の上面には薄板棒状の加
速度検出梁２がその端部をエポキシ系接着剤９で固定さ
れて片持ち梁状に支持されている。厚膜抵抗基板７上に
はその上面に配置された電子部品を覆って蓋１２が配置
され、縁を厚膜抵抗基板７の周囲にシリコン系接着剤１
３で接着されて固定されている。
【０００３】加速度検出梁２は、台座４に支持されて加
速度に応じて撓む可撓性の梁で、加速度検出梁２の上面
の略々中央には、梁の撓み量を電気信号に変換するセン
サ素子１が設けられている。センサ素子１は、半導体の
ピエゾ抵抗効果を利用したゲージ抵抗にて構成された図
示しないブリッジ回路で構成されている。また加速度検
出梁２の上面には、センサ素子１から発生する電気信号
を増幅する増幅回路１５も形成されている。増幅回路１
５からの電気信号を厚膜抵抗基板７上の温度補償回路１
６にに伝達するために、増幅回路１５と温度補償回路１
６との間には、加速度検出梁２の上面に拡散によって形
成された図示しない配線と、導体であるＡｕワイヤ１０
が配置されている。
速度に応じて撓む可撓性の梁で、加速度検出梁２の上面
の略々中央には、梁の撓み量を電気信号に変換するセン
サ素子１が設けられている。センサ素子１は、半導体の
ピエゾ抵抗効果を利用したゲージ抵抗にて構成された図
示しないブリッジ回路で構成されている。また加速度検
出梁２の上面には、センサ素子１から発生する電気信号
を増幅する増幅回路１５も形成されている。増幅回路１
５からの電気信号を厚膜抵抗基板７上の温度補償回路１
６にに伝達するために、増幅回路１５と温度補償回路１
６との間には、加速度検出梁２の上面に拡散によって形
成された図示しない配線と、導体であるＡｕワイヤ１０
が配置されている。
【０００４】厚膜抵抗基板７の上には、増幅回路１５か
らの電気信号の温度特性を補償するため厚膜回路である
温度補償回路１６か設けられている。温度補償回路１６
は、厚膜抵抗基板７上に印刷された、酸化ルテニウム
（ＲｕＯ2、Ｒｕ2Ｏ5）にて形成された厚膜抵抗５と、
印刷された銀パラジュウム（Ａｇ−Ｐｄ）や銀白金（Ａ
ｇ−Ｐｔ）にて形成された回路導体６とで形成されてい
る。また、厚膜抵抗５および回路導体６は、その保護の
ために、絶縁層である鉛ホウ珪酸ガラス（ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ2）であるオーバーガラス８で覆われてい
る。
らの電気信号の温度特性を補償するため厚膜回路である
温度補償回路１６か設けられている。温度補償回路１６
は、厚膜抵抗基板７上に印刷された、酸化ルテニウム
（ＲｕＯ2、Ｒｕ2Ｏ5）にて形成された厚膜抵抗５と、
印刷された銀パラジュウム（Ａｇ−Ｐｄ）や銀白金（Ａ
ｇ−Ｐｔ）にて形成された回路導体６とで形成されてい
る。また、厚膜抵抗５および回路導体６は、その保護の
ために、絶縁層である鉛ホウ珪酸ガラス（ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ2）であるオーバーガラス８で覆われてい
る。
【０００５】このような半導体加速度センサは、加速度
検出梁２の撓みによって発生するセンサ素子１のピエゾ
抵抗効果を利用し、微小な加速度を電気信号に変換する
ことができる。またブリッジ回路１から発生する電気信
号を増幅回路１５にて増幅し、また温度補償回路１６に
て温度特性を補償した後、アウターリード１１によって
センサ外部に出力することができる。
検出梁２の撓みによって発生するセンサ素子１のピエゾ
抵抗効果を利用し、微小な加速度を電気信号に変換する
ことができる。またブリッジ回路１から発生する電気信
号を増幅回路１５にて増幅し、また温度補償回路１６に
て温度特性を補償した後、アウターリード１１によって
センサ外部に出力することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように構成された
従来の半導体加速度センサにおいては、加速度検出梁２
を片持ち梁構造とする為の支柱となるシリコン台座４
は、シリコンで作成された直方体の部品をエポキシ系接
着剤９で固定して形成されていた、そのため材料数が多
く、また組み立て工程数も多かった。
従来の半導体加速度センサにおいては、加速度検出梁２
を片持ち梁構造とする為の支柱となるシリコン台座４
は、シリコンで作成された直方体の部品をエポキシ系接
着剤９で固定して形成されていた、そのため材料数が多
く、また組み立て工程数も多かった。
【０００７】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、台座用に特別の材料を用意する必要
がなく、材料数を少なくすることができ、また組み立て
工程を減らすことができる信頼性の高い安価な半導体加
速度センサを得ることを目的とする。
になされたもので、台座用に特別の材料を用意する必要
がなく、材料数を少なくすることができ、また組み立て
工程を減らすことができる信頼性の高い安価な半導体加
速度センサを得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体加速度
センサにおいては、少なくとも回路導体および絶縁層か
らなる厚膜回路を持つ回路基板と、回路基板上に設けら
れた台座と、台座に支持されて加速度に応じて撓む可撓
性の加速度検出梁と、加速度検出梁上に設けられ、加速
度検出梁の撓み量を電気信号に変換するセンサ素子と、
センサ素子を厚膜回路に接続する導体とを備え、台座の
材料が、回路導体および絶縁層の少なくともいずれか一
方と同じ材料である。
センサにおいては、少なくとも回路導体および絶縁層か
らなる厚膜回路を持つ回路基板と、回路基板上に設けら
れた台座と、台座に支持されて加速度に応じて撓む可撓
性の加速度検出梁と、加速度検出梁上に設けられ、加速
度検出梁の撓み量を電気信号に変換するセンサ素子と、
センサ素子を厚膜回路に接続する導体とを備え、台座の
材料が、回路導体および絶縁層の少なくともいずれか一
方と同じ材料である。
【０００９】請求項２の半導体加速度センサにおいて
は、台座が、印刷により形成された回路導体および絶縁
層を備えている。
は、台座が、印刷により形成された回路導体および絶縁
層を備えている。
【００１０】請求項３の半導体加速度センサの製造方法
においては、回路基板上に、少なくとも回路導体および
絶縁層からなる厚膜回路ならびに回路導体および絶縁層
の少なくともいずれか一方と同じ材料からなる台座を印
刷により同時に形成する工程と、撓み量を電気信号に変
換するセンサ素子を有し、加速度に応じて撓む可撓性の
センサ梁を台座に固着する工程と、センサ素子を厚膜回
路に電気的に接続する工程とを備えている。
においては、回路基板上に、少なくとも回路導体および
絶縁層からなる厚膜回路ならびに回路導体および絶縁層
の少なくともいずれか一方と同じ材料からなる台座を印
刷により同時に形成する工程と、撓み量を電気信号に変
換するセンサ素子を有し、加速度に応じて撓む可撓性の
センサ梁を台座に固着する工程と、センサ素子を厚膜回
路に電気的に接続する工程とを備えている。
【００１１】
【作用】請求項１の半導体加速度センサにおいては、台
座が回路導体および絶縁層の少なくともいずれか一方と
同じ材料により構成されている。
座が回路導体および絶縁層の少なくともいずれか一方と
同じ材料により構成されている。
【００１２】請求項２の半導体加速度センサにおいて
は、台座の回路導体および絶縁層が、印刷により製造さ
れた同じ構造のものである。
は、台座の回路導体および絶縁層が、印刷により製造さ
れた同じ構造のものである。
【００１３】請求項３の半導体加速度センサにおいて
は、回路導体および絶縁層からなる厚膜回路と、回路導
体および絶縁層の少なくともいずれか一方と同じ材料か
らなる台座とが、印刷により同時に回路基板上に形成さ
れる。
は、回路導体および絶縁層からなる厚膜回路と、回路導
体および絶縁層の少なくともいずれか一方と同じ材料か
らなる台座とが、印刷により同時に回路基板上に形成さ
れる。
【００１４】
実施例１．図１は本発明の半導体加速度センサの一実施
例を示す図２のI-I断面図である。図２は本発明の半導
体加速度センサの蓋を外した状態の平面図である。図３
は図２のIII-III断面図である台座付近の拡大図であ
る。図において図４に示した従来の半導体加速度センサ
と同一または相当部分には同一符号を付し、その説明を
省略する。厚膜抵抗基板７の上には、増幅回路１５から
の電気信号の温度特性を補償するための温度補償回路１
６か設けられている。温度補償回路１６は、厚膜抵抗基
板７上に印刷された、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2、Ｒｕ2
Ｏ5）にて形成された厚膜抵抗５と、印刷された銀パラ
ジュウム（Ａｇ−Ｐｄ）や銀白金（Ａｇ−Ｐｔ）にて形
成された回路導体６とで形成される。また、厚膜抵抗５
および回路導体６は、その保護のために、絶縁層である
鉛ホウ珪酸ガラス（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）である
オーバーガラス８で覆われている。
例を示す図２のI-I断面図である。図２は本発明の半導
体加速度センサの蓋を外した状態の平面図である。図３
は図２のIII-III断面図である台座付近の拡大図であ
る。図において図４に示した従来の半導体加速度センサ
と同一または相当部分には同一符号を付し、その説明を
省略する。厚膜抵抗基板７の上には、増幅回路１５から
の電気信号の温度特性を補償するための温度補償回路１
６か設けられている。温度補償回路１６は、厚膜抵抗基
板７上に印刷された、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2、Ｒｕ2
Ｏ5）にて形成された厚膜抵抗５と、印刷された銀パラ
ジュウム（Ａｇ−Ｐｄ）や銀白金（Ａｇ−Ｐｔ）にて形
成された回路導体６とで形成される。また、厚膜抵抗５
および回路導体６は、その保護のために、絶縁層である
鉛ホウ珪酸ガラス（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）である
オーバーガラス８で覆われている。
【００１５】従来技術で台座４が配置されていた位置に
は、回路導体６と同じ材料の銀パラジュウムや銀白金な
どで形成された導体２０および導体２０を覆った回路導
体６と同じ材料の鉛ホウ珪酸ガラスにて形成された台座
２２が設けられている。台座２２は電気的には、他の回
路からフローティングである。台座２２上には、加速度
検出梁２がその端部をエポキシ系接着剤９で接着され
て、片持ち梁状に固定されている。
は、回路導体６と同じ材料の銀パラジュウムや銀白金な
どで形成された導体２０および導体２０を覆った回路導
体６と同じ材料の鉛ホウ珪酸ガラスにて形成された台座
２２が設けられている。台座２２は電気的には、他の回
路からフローティングである。台座２２上には、加速度
検出梁２がその端部をエポキシ系接着剤９で接着され
て、片持ち梁状に固定されている。
【００１６】このような構成の半導体加速度センサの製
造では、セラミック製の厚膜抵抗基板７上にペースト状
の酸化ルテニウムをスクリーン印刷し、その後焼成して
厚膜抵抗５を形成し、ペースト状の銀パラジュウムや銀
白金などをスクリーン印刷し、その後焼成して回路導体
６を形成して温度補償回路１６を形成し、また、温度補
償回路１６である厚膜抵抗５及び回路導体６上にペース
ト状の鉛ホウ珪酸ガラスをスクリーン印刷し、その後焼
成してオーバーガラス８を形成する。
造では、セラミック製の厚膜抵抗基板７上にペースト状
の酸化ルテニウムをスクリーン印刷し、その後焼成して
厚膜抵抗５を形成し、ペースト状の銀パラジュウムや銀
白金などをスクリーン印刷し、その後焼成して回路導体
６を形成して温度補償回路１６を形成し、また、温度補
償回路１６である厚膜抵抗５及び回路導体６上にペース
ト状の鉛ホウ珪酸ガラスをスクリーン印刷し、その後焼
成してオーバーガラス８を形成する。
【００１７】台座２２は、回路導体６と同じ材料である
ペースト状の銀パラジュウムや銀白金などをスクリーン
印刷し、その後焼成して形成された導体２０と、導体２
０上にペースト状の鉛ホウ珪酸ガラスをスクリーン印刷
し、その後焼成して形成されたオーバーガラス２１で形
成されている。導体２０およびオーバーガラス２１は、
回路導体６およびオーバーガラス８と同じ工程にて形成
される。
ペースト状の銀パラジュウムや銀白金などをスクリーン
印刷し、その後焼成して形成された導体２０と、導体２
０上にペースト状の鉛ホウ珪酸ガラスをスクリーン印刷
し、その後焼成して形成されたオーバーガラス２１で形
成されている。導体２０およびオーバーガラス２１は、
回路導体６およびオーバーガラス８と同じ工程にて形成
される。
【００１８】その後、台座２２上に、加速度検出梁２を
その端部をエポキシ系接着剤９で接着して、片持ち梁状
に固定する。従来技術と同じ様に加速度検出梁２の上面
に設けられた増幅回路１５と厚膜抵抗基板７の温度補償
回路１６とを電気的に接続するために増幅回路１５と温
度補償回路１６との間にはＡｕワイヤ１０を配置する。
その端部をエポキシ系接着剤９で接着して、片持ち梁状
に固定する。従来技術と同じ様に加速度検出梁２の上面
に設けられた増幅回路１５と厚膜抵抗基板７の温度補償
回路１６とを電気的に接続するために増幅回路１５と温
度補償回路１６との間にはＡｕワイヤ１０を配置する。
【００１９】このような構成の半導体加速度センサにお
いては、回路導体６及びオーバーガラス８と同じ材料及
び同じ工程で形成された導体２０およびオーバーガラス
２１にて形成された台座２２に、加速度検出梁２がエポ
キシ系接着剤９で接着されて、片持ち梁式に固定されて
いるので、台座用に特別の材料を用意する必要がなく部
品数を少なくすることができる。また、台座を固定する
作業がなくなり、台座２２は回路導体６およびオーバー
ガラス８を形成する工程と同じ工程で形成されるので、
組み立て工程数を減らすことができるので、その為安価
な半導体加速度センサを得ることができる。また、台座
２２は従来のシリコン製のものに比べ厚膜抵抗基板７に
強固に固定されているので、台座２２が剥がれることが
少なくなり信頼性の高い半導体加速度センサを得ること
ができる。
いては、回路導体６及びオーバーガラス８と同じ材料及
び同じ工程で形成された導体２０およびオーバーガラス
２１にて形成された台座２２に、加速度検出梁２がエポ
キシ系接着剤９で接着されて、片持ち梁式に固定されて
いるので、台座用に特別の材料を用意する必要がなく部
品数を少なくすることができる。また、台座を固定する
作業がなくなり、台座２２は回路導体６およびオーバー
ガラス８を形成する工程と同じ工程で形成されるので、
組み立て工程数を減らすことができるので、その為安価
な半導体加速度センサを得ることができる。また、台座
２２は従来のシリコン製のものに比べ厚膜抵抗基板７に
強固に固定されているので、台座２２が剥がれることが
少なくなり信頼性の高い半導体加速度センサを得ること
ができる。
【００２０】本実施例では、加速度検出梁２は片持ち梁
構造のものを示したが、両持ち梁構造のものでも対応で
きる。
構造のものを示したが、両持ち梁構造のものでも対応で
きる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の半導体加速度センサにおいて
は、少なくとも回路導体および絶縁層からなる厚膜回路
を持つ回路基板と、回路基板上に設けられた台座と、台
座に支持されて加速度に応じて撓む可撓性の加速度検出
梁と、加速度検出梁上に設けられ、加速度検出梁の撓み
量を電気信号に変換するセンサ素子と、センサ素子を厚
膜回路に接続する導体とを備え、台座の材料が、回路導
体および絶縁層の少なくともいずれか一方と同じ材料で
あるので、材料数、工程数が減り、信頼性の高い半導体
加速度センサを安価に製造できる。
は、少なくとも回路導体および絶縁層からなる厚膜回路
を持つ回路基板と、回路基板上に設けられた台座と、台
座に支持されて加速度に応じて撓む可撓性の加速度検出
梁と、加速度検出梁上に設けられ、加速度検出梁の撓み
量を電気信号に変換するセンサ素子と、センサ素子を厚
膜回路に接続する導体とを備え、台座の材料が、回路導
体および絶縁層の少なくともいずれか一方と同じ材料で
あるので、材料数、工程数が減り、信頼性の高い半導体
加速度センサを安価に製造できる。
【００２２】請求項２の半導体加速度センサにおいて
は、台座の回路導体および絶縁層が、印刷により製造さ
れた同じ構造のものであるので、台座を厚膜回路の印刷
工程で同時に形成でき、材料数、工程数が減り、信頼性
の高い半導体加速度センサを安価に製造できる。
は、台座の回路導体および絶縁層が、印刷により製造さ
れた同じ構造のものであるので、台座を厚膜回路の印刷
工程で同時に形成でき、材料数、工程数が減り、信頼性
の高い半導体加速度センサを安価に製造できる。
【００２３】請求項３の半導体加速度センサの製造方法
においては、回路基板上に、少なくとも回路導体および
絶縁層からなる厚膜回路ならびに回路導体および絶縁層
の少なくともいずれか一方と同じ材料からなる台座を印
刷により同時に形成する工程と、撓み量を電気信号に変
換するセンサ素子を有し、加速度に応じて撓む可撓性の
センサ梁を台座に固着する工程と、センサ素子を厚膜回
路に電気的に接続する工程とを備えているので、 回路
導体および絶縁層からなる厚膜回路と、回路導体および
絶縁層の少なくともいずれか一方と同じ材料からなる台
座とが、印刷により同時に回路基板上に形成され、材料
数、工程数が減り、信頼性の高い半導体加速度センサを
安価に製造できる。
においては、回路基板上に、少なくとも回路導体および
絶縁層からなる厚膜回路ならびに回路導体および絶縁層
の少なくともいずれか一方と同じ材料からなる台座を印
刷により同時に形成する工程と、撓み量を電気信号に変
換するセンサ素子を有し、加速度に応じて撓む可撓性の
センサ梁を台座に固着する工程と、センサ素子を厚膜回
路に電気的に接続する工程とを備えているので、 回路
導体および絶縁層からなる厚膜回路と、回路導体および
絶縁層の少なくともいずれか一方と同じ材料からなる台
座とが、印刷により同時に回路基板上に形成され、材料
数、工程数が減り、信頼性の高い半導体加速度センサを
安価に製造できる。
【図１】 本発明の半導体加速度センサの一実施例を示
す図２のI-I断面図である。
す図２のI-I断面図である。
【図２】 本発明の半導体加速度センサの蓋を外した状
態の平面図である。
態の平面図である。
【図３】 図２のIII-III断面図である台座付近の拡大
図である。
図である。
【図４】 従来の半導体加速度センサの図５のIV-IV断
面図である。
面図である。
【図５】 従来の半導体加速度センサの蓋を外した状態
の平面図である。
の平面図である。
１ センサ素子、２ 加速度検出梁、６ 回路導体、７
厚膜抵抗基板（回路基板）、８ オーバーガラス（絶
縁層）、１０ Ａｕワイヤ（導体）、２２ 台座。
厚膜抵抗基板（回路基板）、８ オーバーガラス（絶
縁層）、１０ Ａｕワイヤ（導体）、２２ 台座。
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも回路導体および絶縁層からな
る厚膜回路を持つ回路基板と、 上記回路基板上に設けられた台座と、 上記台座に支持されて加速度に応じて撓む可撓性の加速
度検出梁と、 上記加速度検出梁上に設けられ、上記加速度検出梁の撓
み量を電気信号に変換するセンサ素子と、 上記センサ素子を上記厚膜回路に接続する導体とを備
え、 上記台座の材料が、上記回路導体および上記絶縁層の少
なくともいずれか一方と同じ材料である半導体加速度セ
ンサ。 - 【請求項２】 上記台座が、印刷により形成された回路
導体および絶縁層を備えた請求項１記載の半導体加速度
センサ。 - 【請求項３】 回路基板上に、少なくとも回路導体およ
び絶縁層からなる厚膜回路ならびに上記回路導体および
上記絶縁層の少なくともいずれか一方と同じ材料からな
る台座を印刷により同時に形成する工程と、 撓み量を電気信号に変換するセンサ素子を有し、加速度
に応じて撓む可撓性のセンサ梁を上記台座に固着する工
程と、 上記センサ素子を上記厚膜回路に電気的に接続する工程
とを備えた半導体加速度センサの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108802A JPH08304447A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
| US08/598,975 US5665914A (en) | 1995-05-02 | 1996-02-09 | Semiconductor acceleration sensor and its fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108802A JPH08304447A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304447A true JPH08304447A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14493859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7108802A Pending JPH08304447A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 半導体加速度センサおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5665914A (ja) |
| JP (1) | JPH08304447A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH1090299A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | 静電容量式加速度センサ |
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| DE102008036837A1 (de) | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Epcos Ag | Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS62121367A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
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-
1995
- 1995-05-02 JP JP7108802A patent/JPH08304447A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-09 US US08/598,975 patent/US5665914A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5665914A (en) | 1997-09-09 |
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