JPH098459A - 電子回路部品搭載用基板 - Google Patents
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- JPH098459A JPH098459A JP7151899A JP15189995A JPH098459A JP H098459 A JPH098459 A JP H098459A JP 7151899 A JP7151899 A JP 7151899A JP 15189995 A JP15189995 A JP 15189995A JP H098459 A JPH098459 A JP H098459A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度化・小型化を達成できる電子回路部品
搭載用基板を提供すること。 【構成】 スルーホール6を有するベース基板2の表面
S1 には、第1の接続端子群が形成され、裏面S2 の外
周部には第2の接続端子群が形成されている。ベース基
板2の表面S1 側には、ビルドアップ多層配線層B1 ,
B2 が形成されている。ビルドアップ多層配線層B1 ,
B2 は、内層導体層9aと絶縁層8a,9bとが交互に
積層され、内層導体層8a同士がバイアホール11にて
電気的に接続され、内層導体層8aがスルーホール11
と電気的に接続されてなる。第1の接続端子群は、ビル
ドアップ多層配線層B1 ,B2 の最外層に形成されてい
る。第1の接続端子群の中央部に位置する接続端子12
Aは、バイアホール11を介してビルドアップ多層配線
層B1 の内層導体層8aと接続されている。
搭載用基板を提供すること。 【構成】 スルーホール6を有するベース基板2の表面
S1 には、第1の接続端子群が形成され、裏面S2 の外
周部には第2の接続端子群が形成されている。ベース基
板2の表面S1 側には、ビルドアップ多層配線層B1 ,
B2 が形成されている。ビルドアップ多層配線層B1 ,
B2 は、内層導体層9aと絶縁層8a,9bとが交互に
積層され、内層導体層8a同士がバイアホール11にて
電気的に接続され、内層導体層8aがスルーホール11
と電気的に接続されてなる。第1の接続端子群は、ビル
ドアップ多層配線層B1 ,B2 の最外層に形成されてい
る。第1の接続端子群の中央部に位置する接続端子12
Aは、バイアホール11を介してビルドアップ多層配線
層B1 の内層導体層8aと接続されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表裏両面にそれぞれ接
続端子群が形成された電子回路部品搭載用基板に関する
ものである。
続端子群が形成された電子回路部品搭載用基板に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、電子回路部品を搭載するため
のプリント配線板として、いわゆる電子回路部品搭載用
基板が知られている。
のプリント配線板として、いわゆる電子回路部品搭載用
基板が知られている。
【0003】この種の電子回路部品搭載用基板において
は、ベース基板として、例えばサブトラクティブ法によ
って形成される導体層を基材の表裏両面に持つ両面板な
どが使用される。ベース基板の表面の中央部には、通
常、フリップチップ等のようなLSIのベアチップや、
BGA等のようなパッケージを表面実装するためのエリ
アが設けられている。同エリア内には、多数のパッドか
らなる第1のパッド群が密集した状態で形成されてい
る。一方、ベース基板の裏面の外周部には、多数のパッ
ドからなる第2のパッド群が形成されている。そして、
これらのパッド上には、マザーボード側との接続を図る
ための突起電極としてバンプが形成されている。また、
ベース基板の外周部には、表裏を貫通する多数のスルー
ホールが形成されている。これらのスルーホールと第1
のパッド群を構成する各パッドとは、ベース基板の表面
に形成された導体パターンを介して接続されている。ま
た、スルーホールと第2のパッド群を構成する各パッド
とは、同様にベース基板の裏面に形成された導体パター
ンを介して接続されている。その結果、この電子回路部
品搭載用基板においては、第1のパッド群と第2のパッ
ド群とが互いに電気的に接続された状態となっている。
は、ベース基板として、例えばサブトラクティブ法によ
って形成される導体層を基材の表裏両面に持つ両面板な
どが使用される。ベース基板の表面の中央部には、通
常、フリップチップ等のようなLSIのベアチップや、
BGA等のようなパッケージを表面実装するためのエリ
アが設けられている。同エリア内には、多数のパッドか
らなる第1のパッド群が密集した状態で形成されてい
る。一方、ベース基板の裏面の外周部には、多数のパッ
ドからなる第2のパッド群が形成されている。そして、
これらのパッド上には、マザーボード側との接続を図る
ための突起電極としてバンプが形成されている。また、
ベース基板の外周部には、表裏を貫通する多数のスルー
ホールが形成されている。これらのスルーホールと第1
のパッド群を構成する各パッドとは、ベース基板の表面
に形成された導体パターンを介して接続されている。ま
た、スルーホールと第2のパッド群を構成する各パッド
とは、同様にベース基板の裏面に形成された導体パター
ンを介して接続されている。その結果、この電子回路部
品搭載用基板においては、第1のパッド群と第2のパッ
ド群とが互いに電気的に接続された状態となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、表面側に導
体パターンを形成する場合、第1のパッド群の外周部に
位置するパッドからベース基板の外周部に向けて導体パ
ターンを引き出すことは、それほど困難ではない。その
反面、同パッド群の中央部に位置するパッドについて
は、それらよりも外側に位置するパッドが邪魔になるた
め、外周部への導体パターンの引き出しが困難である。
従って、当該パッドから導体パターンを引き出すために
は、全体的に配線密度を低くしなければならない。それ
ゆえ、電子回路部品搭載用基板の高密度化や小型化を充
分に図ることができないという問題がある。
体パターンを形成する場合、第1のパッド群の外周部に
位置するパッドからベース基板の外周部に向けて導体パ
ターンを引き出すことは、それほど困難ではない。その
反面、同パッド群の中央部に位置するパッドについて
は、それらよりも外側に位置するパッドが邪魔になるた
め、外周部への導体パターンの引き出しが困難である。
従って、当該パッドから導体パターンを引き出すために
は、全体的に配線密度を低くしなければならない。それ
ゆえ、電子回路部品搭載用基板の高密度化や小型化を充
分に図ることができないという問題がある。
【0005】また、近年においては、マスラミネーショ
ン技術などを利用した4層板や6層板等の多層板が製造
されるようになってきている。しかし、このような多層
板をベース基板として用いたとしても、高密度化や小型
化には一定の限界があるといわざるえない。
ン技術などを利用した4層板や6層板等の多層板が製造
されるようになってきている。しかし、このような多層
板をベース基板として用いたとしても、高密度化や小型
化には一定の限界があるといわざるえない。
【0006】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、高密度化及び小型化を達成
することができる電子回路部品搭載用基板を提供するこ
とにある。
たものであり、その目的は、高密度化及び小型化を達成
することができる電子回路部品搭載用基板を提供するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明は、スルーホールを有する
ベース基板の一方の面の所定箇所に第1の接続端子群が
形成され、その反対側の面の少なくとも外周部に第2の
接続端子群が形成され、第1の接続端子群と第2の接続
端子群とがスルーホールを介して電気的に接続されてな
る電子回路部品搭載用基板において、前記ベース基板の
第1の接続端子群が形成される側には、内層導体層と絶
縁層とが交互に積層され、内層導体層同士がバイアホー
ルにて電気的に接続され、また内層導体層がスルーホー
ルと電気的に接続されたビルドアップ多層配線層が形成
されてなり、前記第1の接続端子群は、該ビルドアップ
多層配線層の最外層に形成されるとともに、前記第1の
接続端子群の中央部に位置する接続端子は、バイアホー
ルを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と
電気的に接続されてなることを特徴とする電子回路部品
搭載用基板をその要旨とする。
めに、請求項1に記載の発明は、スルーホールを有する
ベース基板の一方の面の所定箇所に第1の接続端子群が
形成され、その反対側の面の少なくとも外周部に第2の
接続端子群が形成され、第1の接続端子群と第2の接続
端子群とがスルーホールを介して電気的に接続されてな
る電子回路部品搭載用基板において、前記ベース基板の
第1の接続端子群が形成される側には、内層導体層と絶
縁層とが交互に積層され、内層導体層同士がバイアホー
ルにて電気的に接続され、また内層導体層がスルーホー
ルと電気的に接続されたビルドアップ多層配線層が形成
されてなり、前記第1の接続端子群は、該ビルドアップ
多層配線層の最外層に形成されるとともに、前記第1の
接続端子群の中央部に位置する接続端子は、バイアホー
ルを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と
電気的に接続されてなることを特徴とする電子回路部品
搭載用基板をその要旨とする。
【0008】請求項2に記載の発明は、スルーホールを
有するベース基板の一方の面の所定箇所に第1の接続端
子群が形成され、その反対側の面の少なくとも外周部に
第2の接続端子群が形成され、第1の接続端子群と第2
の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続さ
れてなる電子回路部品搭載用基板において、前記ベース
基板の両面には、内層導体層と絶縁層とが交互に積層さ
れ、内層導体層同士がバイアホールにて電気的に接続さ
れ、また内層導体層がスルーホールと電気的に接続され
たビルドアップ多層配線層が形成されてなり、前記第1
の接続端子群及び第2の接続端子群は、それぞれ該ビル
ドアップ多層配線層の最外層に形成されるとともに、前
記第1の接続端子群の中央部に位置する接続端子及び第
2の接続端子群を構成する各接続端子は、バイアホール
を介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電
気的に接続されてなることを特徴とする電子回路部品搭
載用基板をその要旨とする。
有するベース基板の一方の面の所定箇所に第1の接続端
子群が形成され、その反対側の面の少なくとも外周部に
第2の接続端子群が形成され、第1の接続端子群と第2
の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続さ
れてなる電子回路部品搭載用基板において、前記ベース
基板の両面には、内層導体層と絶縁層とが交互に積層さ
れ、内層導体層同士がバイアホールにて電気的に接続さ
れ、また内層導体層がスルーホールと電気的に接続され
たビルドアップ多層配線層が形成されてなり、前記第1
の接続端子群及び第2の接続端子群は、それぞれ該ビル
ドアップ多層配線層の最外層に形成されるとともに、前
記第1の接続端子群の中央部に位置する接続端子及び第
2の接続端子群を構成する各接続端子は、バイアホール
を介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電
気的に接続されてなることを特徴とする電子回路部品搭
載用基板をその要旨とする。
【0009】
【作用】請求項1,2に記載の発明によると、第1の接
続端子群の中央部に位置する接続端子はバイアホールを
介して内層導体層に接続されているため、最表層におい
て基板外周部への導体層の引き出しを行うことが不要に
なる。よって、配線を行う際であっても、前記接続端子
よりも外側に位置する接続端子が邪魔になるということ
もない。また、バイアホールや内層導体層が形成されて
いるのはビルドアップ多層配線層であるため、従来に比
較して配線密度を高くすることができる。
続端子群の中央部に位置する接続端子はバイアホールを
介して内層導体層に接続されているため、最表層におい
て基板外周部への導体層の引き出しを行うことが不要に
なる。よって、配線を行う際であっても、前記接続端子
よりも外側に位置する接続端子が邪魔になるということ
もない。また、バイアホールや内層導体層が形成されて
いるのはビルドアップ多層配線層であるため、従来に比
較して配線密度を高くすることができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図1に
基づき詳細に説明する。この電子回路部品搭載用基板1
では、ベース基板として両面板2が使用されている。こ
の両面板2は、サブトラクティブ法によって形成された
導体層3,4を樹脂製の基材5の表面S1 及び裏面S2
の両方に有している。この両面板2には、全面にわたっ
て、導体層3,4間の導通を図るためのスルーホール6
が形成されている。これらのスルーホール6内には、銅
などの金属粉末を含む導電性樹脂7等が充填されてい
る。
基づき詳細に説明する。この電子回路部品搭載用基板1
では、ベース基板として両面板2が使用されている。こ
の両面板2は、サブトラクティブ法によって形成された
導体層3,4を樹脂製の基材5の表面S1 及び裏面S2
の両方に有している。この両面板2には、全面にわたっ
て、導体層3,4間の導通を図るためのスルーホール6
が形成されている。これらのスルーホール6内には、銅
などの金属粉末を含む導電性樹脂7等が充填されてい
る。
【0011】ベース基板である両面板2の表面S1 及び
裏面S2 には、層間絶縁層8a,8bと導体層9a,9
bとを交互に積層してなるビルドアップ多層配線層B1
,B2 がそれぞれ形成されている。
裏面S2 には、層間絶縁層8a,8bと導体層9a,9
bとを交互に積層してなるビルドアップ多層配線層B1
,B2 がそれぞれ形成されている。
【0012】表面S1 側に形成されたビルドアップ多層
配線層B1 において、内層に位置する第1の層間絶縁層
8aの上面には、永久レジスト10が形成されている。
この永久レジスト10が形成されていない部分には、内
層導体層9aが形成されている。そして、この内層導体
層9aと両面板2側の内層導体層3とは、第1の層間絶
縁層8aに設けられたバイアホール11によって電気的
に接続されている。また、前記層間絶縁層8aに設けら
れた第2の層間絶縁層8b上にも、同様に永久レジスト
10が形成されている。この永久レジスト10が形成さ
れていない部分には、外層導体層9bが形成されてい
る。そして、この外層導体層9bと内層導体層9aと
は、第2の層間絶縁層8bに設けられたバイアホール1
1によって電気的に接続されている。また、第2の層間
絶縁層8bの中央部は、電子回路部品としてのLSIの
ベアチップC1 を搭載するための部品搭載エリアになっ
ている。このエリア内には、接続端子としての多数のパ
ッド12A,12Bからなる第1のパッド群が密集した
状態で形成されている。なお、これらのパッド12A,
12Bの位置は、ベアチップC1 の底面に形成されたバ
ンプBPの形成位置に対応している。なお、第1のパッ
ド群において最外周に位置しているものを「エクスター
ナルパッド12B」と呼ぶことにする。そして、第1の
パッド群の中央部に位置するもの、即ち前記エクスター
ナルパッド12Bよりも内側に位置するものを「インタ
ーナルパッド12A」と呼ぶことにする。
配線層B1 において、内層に位置する第1の層間絶縁層
8aの上面には、永久レジスト10が形成されている。
この永久レジスト10が形成されていない部分には、内
層導体層9aが形成されている。そして、この内層導体
層9aと両面板2側の内層導体層3とは、第1の層間絶
縁層8aに設けられたバイアホール11によって電気的
に接続されている。また、前記層間絶縁層8aに設けら
れた第2の層間絶縁層8b上にも、同様に永久レジスト
10が形成されている。この永久レジスト10が形成さ
れていない部分には、外層導体層9bが形成されてい
る。そして、この外層導体層9bと内層導体層9aと
は、第2の層間絶縁層8bに設けられたバイアホール1
1によって電気的に接続されている。また、第2の層間
絶縁層8bの中央部は、電子回路部品としてのLSIの
ベアチップC1 を搭載するための部品搭載エリアになっ
ている。このエリア内には、接続端子としての多数のパ
ッド12A,12Bからなる第1のパッド群が密集した
状態で形成されている。なお、これらのパッド12A,
12Bの位置は、ベアチップC1 の底面に形成されたバ
ンプBPの形成位置に対応している。なお、第1のパッ
ド群において最外周に位置しているものを「エクスター
ナルパッド12B」と呼ぶことにする。そして、第1の
パッド群の中央部に位置するもの、即ち前記エクスター
ナルパッド12Bよりも内側に位置するものを「インタ
ーナルパッド12A」と呼ぶことにする。
【0013】表面S2 側に形成されたビルドアップ多層
配線層B2 において、内層に位置する第1の層間絶縁層
8a上には、永久レジスト10が形成されている。この
永久レジスト10が形成されていない部分には、内層導
体層9aが形成されている。そして、この内層導体層9
aと両面板2側の内層導体層4とは、第1の層間絶縁層
8aに設けられたバイアホール11によって電気的に接
続されている。また、前記層間絶縁層8aに設けられた
第2の層間絶縁層8b上にも、同様に永久レジスト10
が形成されている。この永久レジスト10が形成されて
いない部分には、外層導体層9bが形成されている。そ
して、この外層導体層9bと内層導体層9aとは、第2
の層間絶縁層8bに設けられたバイアホール11によっ
て電気的に接続されている。また、第2の層間絶縁層8
bの外周部には、接続端子としての多数のパッド13か
らなる第2のパッド群が形成されている。これらのパッ
ド13上には、図示しないマザーボード側との電気的な
接続を図るための突起電極としてバンプ14が形成され
ている。
配線層B2 において、内層に位置する第1の層間絶縁層
8a上には、永久レジスト10が形成されている。この
永久レジスト10が形成されていない部分には、内層導
体層9aが形成されている。そして、この内層導体層9
aと両面板2側の内層導体層4とは、第1の層間絶縁層
8aに設けられたバイアホール11によって電気的に接
続されている。また、前記層間絶縁層8aに設けられた
第2の層間絶縁層8b上にも、同様に永久レジスト10
が形成されている。この永久レジスト10が形成されて
いない部分には、外層導体層9bが形成されている。そ
して、この外層導体層9bと内層導体層9aとは、第2
の層間絶縁層8bに設けられたバイアホール11によっ
て電気的に接続されている。また、第2の層間絶縁層8
bの外周部には、接続端子としての多数のパッド13か
らなる第2のパッド群が形成されている。これらのパッ
ド13上には、図示しないマザーボード側との電気的な
接続を図るための突起電極としてバンプ14が形成され
ている。
【0014】この電子回路部品搭載用基板1において、
第1のパッド群のうちのエクスターナルパッド12B
は、基板外周部に向かって延びる外層導体層9bを介し
て、バイアホール11に電気的に接続されている。一
方、その内側に位置するインターナルパッド12Aは、
外層導体層9bを介することなく、バイアホール11の
上面に直接電気的に接続されている。このような第2の
層間絶縁層8bのバイアホール11は、さらに内層導体
層9a、バイアホール11及び内層導体層3を介してス
ルーホール6に電気的に接続されている。そして、同ス
ルーホール6に接続される内層導体層4は、バイアホー
ル11、内層導体層9a、バイアホール11及び外層導
体層9bを介して、第2のパッド群を構成するパッド1
3に電気的に接続されている。また、第1のパッド群及
び第2のパッド群をつなぐ内層導体層3,4,9a及び
外層導体層9bは、基板外周部に向かって常に順方向に
かつ遠心的に配線されている。
第1のパッド群のうちのエクスターナルパッド12B
は、基板外周部に向かって延びる外層導体層9bを介し
て、バイアホール11に電気的に接続されている。一
方、その内側に位置するインターナルパッド12Aは、
外層導体層9bを介することなく、バイアホール11の
上面に直接電気的に接続されている。このような第2の
層間絶縁層8bのバイアホール11は、さらに内層導体
層9a、バイアホール11及び内層導体層3を介してス
ルーホール6に電気的に接続されている。そして、同ス
ルーホール6に接続される内層導体層4は、バイアホー
ル11、内層導体層9a、バイアホール11及び外層導
体層9bを介して、第2のパッド群を構成するパッド1
3に電気的に接続されている。また、第1のパッド群及
び第2のパッド群をつなぐ内層導体層3,4,9a及び
外層導体層9bは、基板外周部に向かって常に順方向に
かつ遠心的に配線されている。
【0015】ここで、ビルドアップ多層配線層B1 ,B
2 を構成する層間絶縁層8a,8bは、酸あるいは酸化
剤に難溶性の感光性樹脂と、酸あるいは酸化剤に可溶性
の耐熱性樹脂粒子とからなることが好ましい。その理由
は、耐熱性樹脂粒子が含まれていると露光時に光の散乱
が起こりやすく、よってアスペクト比の高いバイアホー
ル11であってもその形成時に現像残りが生じにくくな
るからである。従って、単なる感光性樹脂を使用した場
合に比べて、より小径(直径約80μm以下)のバイア
ホール11を形成することができる。
2 を構成する層間絶縁層8a,8bは、酸あるいは酸化
剤に難溶性の感光性樹脂と、酸あるいは酸化剤に可溶性
の耐熱性樹脂粒子とからなることが好ましい。その理由
は、耐熱性樹脂粒子が含まれていると露光時に光の散乱
が起こりやすく、よってアスペクト比の高いバイアホー
ル11であってもその形成時に現像残りが生じにくくな
るからである。従って、単なる感光性樹脂を使用した場
合に比べて、より小径(直径約80μm以下)のバイア
ホール11を形成することができる。
【0016】前記層間絶縁層8a,8bは、酸あるいは
酸化剤に難溶性であって熱硬化性樹脂を感光化した樹脂
及び熱可塑性樹脂の複合樹脂と、酸あるいは酸化剤の可
溶性の耐熱性樹脂粒子とからなることが好ましい。な
お、ここでいう酸あるいは酸化剤とは、例えば表面粗化
工程において使用される塩酸、リン酸、クロム酸、クロ
ム酸塩、過マンガン塩等を指す。
酸化剤に難溶性であって熱硬化性樹脂を感光化した樹脂
及び熱可塑性樹脂の複合樹脂と、酸あるいは酸化剤の可
溶性の耐熱性樹脂粒子とからなることが好ましい。な
お、ここでいう酸あるいは酸化剤とは、例えば表面粗化
工程において使用される塩酸、リン酸、クロム酸、クロ
ム酸塩、過マンガン塩等を指す。
【0017】前記酸あるいは酸化剤に難溶性であって熱
硬化性樹脂を感光化した樹脂は、エポキシアクリレート
及び感光性ポリイミド(感光性PI)から選択される少
なくともいずれか1つの樹脂であることが好ましい。ま
た、前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルスルホン(PE
S)、ポリスルホン(PSF)、フェノキシ樹脂及びポ
リエチレン(PE)のうちから選択される少なくともい
ずれか1つの樹脂であることが好ましい。さらに、前記
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂粒子及びエポキシ樹脂
(EP樹脂)粒子のうちから選択される少なくともいず
れか1つであることが好ましい。なお、エポキシ樹脂は
ヒドロエキシエーテル構造を持っていることから、この
樹脂からなる粒子は特に溶けやすいという有利な性質を
有する。また、アミノ樹脂粒子としては、例えばメラミ
ン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等が選択可能であ
る。なかでもメラミン樹脂を選択することが好ましい。
硬化性樹脂を感光化した樹脂は、エポキシアクリレート
及び感光性ポリイミド(感光性PI)から選択される少
なくともいずれか1つの樹脂であることが好ましい。ま
た、前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルスルホン(PE
S)、ポリスルホン(PSF)、フェノキシ樹脂及びポ
リエチレン(PE)のうちから選択される少なくともい
ずれか1つの樹脂であることが好ましい。さらに、前記
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂粒子及びエポキシ樹脂
(EP樹脂)粒子のうちから選択される少なくともいず
れか1つであることが好ましい。なお、エポキシ樹脂は
ヒドロエキシエーテル構造を持っていることから、この
樹脂からなる粒子は特に溶けやすいという有利な性質を
有する。また、アミノ樹脂粒子としては、例えばメラミ
ン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等が選択可能であ
る。なかでもメラミン樹脂を選択することが好ましい。
【0018】このような構成の電子回路部品搭載用基板
1は、例えば以下のような手順を経ることによって作製
することができる。層間絶縁層8a,8bを形成するた
めのアディティブ用接着剤の調製方法は、以下の通りで
ある。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ
基の25%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
(CNA25,分子量4000)、PES(分子量17
000)、イミダゾール硬化剤(四国化成製,商品名:
2B4MZ−CN)、感光性モノマーであるトリメチル
トリアクリレート(TMPTA)、光開始剤(チバガイ
ギー製,商品名:I−907)を用い、下記組成でDM
Fを用いて混合し、さらにこの混合物に対してエポキシ
樹脂粉末(東レ製,商品名:トレパールEP−B)を平
均粒径5.5μmのものを20重量部、平均粒径0.5
μmのものを10重量部を混合した後、ホモディスパー
攪拌機で粘度120cps に調整し、続いて3本ロールで
混練することによって、アディティブ用接着剤とする。
次いで、この接着剤を両面板2の両面全体に塗布した
後、25℃で真空乾燥を行い、さらにUV硬化及び熱硬
化を行う。その結果、まず第1の層間絶縁層8aが形成
される。
1は、例えば以下のような手順を経ることによって作製
することができる。層間絶縁層8a,8bを形成するた
めのアディティブ用接着剤の調製方法は、以下の通りで
ある。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ
基の25%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
(CNA25,分子量4000)、PES(分子量17
000)、イミダゾール硬化剤(四国化成製,商品名:
2B4MZ−CN)、感光性モノマーであるトリメチル
トリアクリレート(TMPTA)、光開始剤(チバガイ
ギー製,商品名:I−907)を用い、下記組成でDM
Fを用いて混合し、さらにこの混合物に対してエポキシ
樹脂粉末(東レ製,商品名:トレパールEP−B)を平
均粒径5.5μmのものを20重量部、平均粒径0.5
μmのものを10重量部を混合した後、ホモディスパー
攪拌機で粘度120cps に調整し、続いて3本ロールで
混練することによって、アディティブ用接着剤とする。
次いで、この接着剤を両面板2の両面全体に塗布した
後、25℃で真空乾燥を行い、さらにUV硬化及び熱硬
化を行う。その結果、まず第1の層間絶縁層8aが形成
される。
【0019】次に、この第1の層間絶縁層8aの表面を
クロム酸等の粗化剤で処理することによって、多数のア
ンカー用凹部を備える粗化面を形成する。この後、常法
に従って触媒核付与、永久レジスト10の形成、活性化
処理及び無電解銅めっきを行うことによって、内層導体
層9a及びバイアホール11を形成する。
クロム酸等の粗化剤で処理することによって、多数のア
ンカー用凹部を備える粗化面を形成する。この後、常法
に従って触媒核付与、永久レジスト10の形成、活性化
処理及び無電解銅めっきを行うことによって、内層導体
層9a及びバイアホール11を形成する。
【0020】さらに、同じアディティブ用接着剤を両面
に塗布・硬化することにより、第2の層間絶縁層8bを
形成する。次いで、得られた第2の層間絶縁層8bの表
面を粗化剤で処理することによって、粗化面を形成す
る。この後、触媒核付与、永久レジスト10の形成、活
性化処理及び無電解銅めっきを行い、所定部分に外層導
体層9b、パッド12A,12B,13及びバイアホー
ル11を形成する。以上の工程を経ると、所望の電子回
路部品搭載用基板1が完成する。そして、このようにし
て得られた電子回路部品搭載用基板1上にベアチップC
1 を搭載すれば、図1のような電子回路部品搭載装置M
1 を得ることができる。
に塗布・硬化することにより、第2の層間絶縁層8bを
形成する。次いで、得られた第2の層間絶縁層8bの表
面を粗化剤で処理することによって、粗化面を形成す
る。この後、触媒核付与、永久レジスト10の形成、活
性化処理及び無電解銅めっきを行い、所定部分に外層導
体層9b、パッド12A,12B,13及びバイアホー
ル11を形成する。以上の工程を経ると、所望の電子回
路部品搭載用基板1が完成する。そして、このようにし
て得られた電子回路部品搭載用基板1上にベアチップC
1 を搭載すれば、図1のような電子回路部品搭載装置M
1 を得ることができる。
【0021】さて、本実施例の電子回路部品搭載用基板
1によると、第1のパッド群の中央部に位置するインタ
ーナルパッド12Aは、いずれも外層導体層9bに接続
されることなく、バイアホール11の上面に直接電気的
に接続されている。つまり、各インターナルパッド12
Aは、バイアホール11を介して内層導体層9aに電気
的に接続されていることになる。そのため、第1のパッ
ド群が形成されている第2の層間絶縁層8b上におい
て、基板外周部への外層導体層9aの引き出しを行う必
要がない。よって、インターナルパッド12Aの外側に
エクスターナルパッド12Bが位置していたとしても、
配線を行う際にそれらが特に邪魔になるということもな
い。そして、上記のようにインターナルパッド12Aか
ら引き出される外層導体層9bが存在しなくなる結果、
エクスターナルパッド12Bから引き出される外層導体
層9bを密に配線することが可能になる。即ち、従来の
構成に比べて、全体的に配線密度を高くすることができ
る。
1によると、第1のパッド群の中央部に位置するインタ
ーナルパッド12Aは、いずれも外層導体層9bに接続
されることなく、バイアホール11の上面に直接電気的
に接続されている。つまり、各インターナルパッド12
Aは、バイアホール11を介して内層導体層9aに電気
的に接続されていることになる。そのため、第1のパッ
ド群が形成されている第2の層間絶縁層8b上におい
て、基板外周部への外層導体層9aの引き出しを行う必
要がない。よって、インターナルパッド12Aの外側に
エクスターナルパッド12Bが位置していたとしても、
配線を行う際にそれらが特に邪魔になるということもな
い。そして、上記のようにインターナルパッド12Aか
ら引き出される外層導体層9bが存在しなくなる結果、
エクスターナルパッド12Bから引き出される外層導体
層9bを密に配線することが可能になる。即ち、従来の
構成に比べて、全体的に配線密度を高くすることができ
る。
【0022】また、本実施例では、ビルドアップ多層配
線層B1 ,B2 を構成する層間絶縁層8a,8bの形成
において、酸等に難溶性の感光性樹脂と酸等に可溶性の
耐熱性樹脂粒子とからなるアディティブ用接着剤が使用
されている。そのため、露光時にバイアホール形成用凹
部の底面に現像残りが生じにくい。よって、従来よりも
小径のバイアホール11を容易にかつ確実に形成するこ
とができる。勿論、アディティブ法によって形成される
導体層9a,9bは、従来のサブトラクティブ法に従っ
て形成されるものに比べてファインなものになる。ゆえ
に、アディティブ法のような従来構造に比べて、配線密
度を高くすることができる。
線層B1 ,B2 を構成する層間絶縁層8a,8bの形成
において、酸等に難溶性の感光性樹脂と酸等に可溶性の
耐熱性樹脂粒子とからなるアディティブ用接着剤が使用
されている。そのため、露光時にバイアホール形成用凹
部の底面に現像残りが生じにくい。よって、従来よりも
小径のバイアホール11を容易にかつ確実に形成するこ
とができる。勿論、アディティブ法によって形成される
導体層9a,9bは、従来のサブトラクティブ法に従っ
て形成されるものに比べてファインなものになる。ゆえ
に、アディティブ法のような従来構造に比べて、配線密
度を高くすることができる。
【0023】以上述べたように、本実施例の電子回路部
品搭載用基板1によると、従来のものに比較して高密度
化及び小型化を達成することができる。なお、本実施例
ではビルドアップ多層配線層B1 ,B2 を両面に形成し
ているため、例えば表面S1のみに形成した場合より
も、高密度化及び小型化を図ることができる。
品搭載用基板1によると、従来のものに比較して高密度
化及び小型化を達成することができる。なお、本実施例
ではビルドアップ多層配線層B1 ,B2 を両面に形成し
ているため、例えば表面S1のみに形成した場合より
も、高密度化及び小型化を図ることができる。
【0024】また、この電子回路部品搭載用基板1で
は、表面S1 及び裏面S2 にほぼ同じ厚さのビルドアッ
プ多層配線層B1 ,B2 が設けられている。このため、
両面板2の両側に付加する応力の大きさがほぼ等しくな
り、結果として応力が互いに相殺されやすくなる。よっ
て、反りにくい電子回路部品搭載用基板1を実現するこ
とができる。
は、表面S1 及び裏面S2 にほぼ同じ厚さのビルドアッ
プ多層配線層B1 ,B2 が設けられている。このため、
両面板2の両側に付加する応力の大きさがほぼ等しくな
り、結果として応力が互いに相殺されやすくなる。よっ
て、反りにくい電子回路部品搭載用基板1を実現するこ
とができる。
【0025】なお、本発明は例えば次のように変更する
ことが可能である。 (1)図2には、別例の電子回路部品搭載用基板18上
にベアチップC1 を搭載してなる電子回路部品搭載装置
M2 が示されている。この電子回路部品搭載用基板18
では、表面S1 側だけに3層構造のビルドアップ多層配
線層B3 が設けられている。一方、第2のパッド群を構
成するパッド13は、裏面S2 側に形成された導体層4
に接続されている。そして、裏面S2 側の導体層4は、
全体的にソルダーレジスト19によって被覆されてい
る。このような構成であっても、実施例と同様の作用効
果を奏する。
ことが可能である。 (1)図2には、別例の電子回路部品搭載用基板18上
にベアチップC1 を搭載してなる電子回路部品搭載装置
M2 が示されている。この電子回路部品搭載用基板18
では、表面S1 側だけに3層構造のビルドアップ多層配
線層B3 が設けられている。一方、第2のパッド群を構
成するパッド13は、裏面S2 側に形成された導体層4
に接続されている。そして、裏面S2 側の導体層4は、
全体的にソルダーレジスト19によって被覆されてい
る。このような構成であっても、実施例と同様の作用効
果を奏する。
【0026】(2)ビルドアップ多層配線層B1 〜B3
の積層数(層間絶縁層8a,8bの層数)は2層または
3層に限定されることはなく、1層のみまたは4層,5
層,6層,7層,8層…であってもよい。また、表面S
1 側の積層数及び裏面S2 側の積層数は、必ずしも同一
でなくてもよい。
の積層数(層間絶縁層8a,8bの層数)は2層または
3層に限定されることはなく、1層のみまたは4層,5
層,6層,7層,8層…であってもよい。また、表面S
1 側の積層数及び裏面S2 側の積層数は、必ずしも同一
でなくてもよい。
【0027】(3)ベース基板として両面板2を使用し
た実施例に代え、4層板,5層板,6層板,7層板,8
層板等の多層板を使用してもよい。なお、低コスト化を
優先したい場合には両面板2を選択することが有利であ
り、さらなる高密度化・小型化を達成したい場合には多
層板を選択することが有利である。
た実施例に代え、4層板,5層板,6層板,7層板,8
層板等の多層板を使用してもよい。なお、低コスト化を
優先したい場合には両面板2を選択することが有利であ
り、さらなる高密度化・小型化を達成したい場合には多
層板を選択することが有利である。
【0028】(4)第2の接続端子群を構成するパッド
13上には、実施例のバンプ14に代えてピン等を設け
ることが可能である。また、バンプ14もピンも設けな
い構成とすることも勿論可能である。
13上には、実施例のバンプ14に代えてピン等を設け
ることが可能である。また、バンプ14もピンも設けな
い構成とすることも勿論可能である。
【0029】(5)部品搭載エリアは実施例のように1
つのみであってもよく、または複数であってもよい。 (6)第2のパッド群を構成するパッド13は、裏面S
2 側のビルドアップ多層配線層B2 の全体にわたって設
けられていてもよい。この構成であると、より多くのパ
ッド13を配置することができる。
つのみであってもよく、または複数であってもよい。 (6)第2のパッド群を構成するパッド13は、裏面S
2 側のビルドアップ多層配線層B2 の全体にわたって設
けられていてもよい。この構成であると、より多くのパ
ッド13を配置することができる。
【0030】(7)ビルドアップ多層配線層B1 〜B3
を構成する導体層9a,9bは、無電解銅めっき以外の
金属めっき(例えば、無電解ニッケルめっきや無電解金
めっきなど)であってもよい。また、めっきのような化
学的成膜方法によって形成される金属層に代え、例えば
スパッタリング等の物理的薄膜方法によって形成される
金属層を選択することも可能である。
を構成する導体層9a,9bは、無電解銅めっき以外の
金属めっき(例えば、無電解ニッケルめっきや無電解金
めっきなど)であってもよい。また、めっきのような化
学的成膜方法によって形成される金属層に代え、例えば
スパッタリング等の物理的薄膜方法によって形成される
金属層を選択することも可能である。
【0031】(8)電子回路部品搭載用基板1上に搭載
される電子回路部品は、実施例のベアチップ2のほか
に、例えばBGA,QFN,ショートピンを持つPGA
等の半導体パッケージであってもよい。
される電子回路部品は、実施例のベアチップ2のほか
に、例えばBGA,QFN,ショートピンを持つPGA
等の半導体パッケージであってもよい。
【0032】(9)インターナルパッド12Aは、必ず
しもバイアホール11の上面に直接接続されていなくて
もよく、例えば基板外周部まで延びていない短い外層導
体層9bを介してバイアホール11に接続されていても
よい。
しもバイアホール11の上面に直接接続されていなくて
もよく、例えば基板外周部まで延びていない短い外層導
体層9bを介してバイアホール11に接続されていても
よい。
【0033】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握
される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 (1) 請求項1,2において、前記ビルドアップ多層
配線層を構成する絶縁層は感光性樹脂からなること。こ
の構成であると、より高密度化及び小型化を達成でき
る。
的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握
される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 (1) 請求項1,2において、前記ビルドアップ多層
配線層を構成する絶縁層は感光性樹脂からなること。こ
の構成であると、より高密度化及び小型化を達成でき
る。
【0034】(2) 請求項1,2において、前記ビル
ドアップ多層配線層を構成する絶縁層は、酸あるいは酸
化剤に難溶性の感光性樹脂と、酸あるいは酸化剤に可溶
性の耐熱性樹脂粒子とからなること。この構成である
と、よりいっそう高密度化及び小型化を達成できる。
ドアップ多層配線層を構成する絶縁層は、酸あるいは酸
化剤に難溶性の感光性樹脂と、酸あるいは酸化剤に可溶
性の耐熱性樹脂粒子とからなること。この構成である
と、よりいっそう高密度化及び小型化を達成できる。
【0035】「アディティブ用接着剤: 絶縁層の形成
に使用される樹脂製接着剤であって、酸等に対して難溶
性の成分と可溶性の成分とを含むものをいう。」
に使用される樹脂製接着剤であって、酸等に対して難溶
性の成分と可溶性の成分とを含むものをいう。」
【0036】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1に記載の
発明によれば、ビルドアップ多層配線層のバイアホール
を介して内層導体層に接続することとしたため、高密度
化及び小型化を達成することができる電子回路部品搭載
用基板を提供することができる。請求項2に記載の発明
によれば、よりいっそうの高密度化及び小型化を達成す
ることができる。さらに、配線設計が容易となる。
発明によれば、ビルドアップ多層配線層のバイアホール
を介して内層導体層に接続することとしたため、高密度
化及び小型化を達成することができる電子回路部品搭載
用基板を提供することができる。請求項2に記載の発明
によれば、よりいっそうの高密度化及び小型化を達成す
ることができる。さらに、配線設計が容易となる。
【図1】実施例の電子回路部品搭載用基板の概略断面
図。
図。
【図2】別例の電子回路部品搭載用基板の概略断面図。
1,18…電子回路部品搭載用基板、2…ベース基板、
6…スルーホール、8a,8b…絶縁層、9a…内層導
体層、11…バイアホール、12A…第1の接続端子群
の中央部に位置する接続端子としてのインターナルパッ
ド、13…第2の接続端子を構成する接続端子としての
パッド、B1 ,B2 ,B3 …ビルドアップ多層配線層。
6…スルーホール、8a,8b…絶縁層、9a…内層導
体層、11…バイアホール、12A…第1の接続端子群
の中央部に位置する接続端子としてのインターナルパッ
ド、13…第2の接続端子を構成する接続端子としての
パッド、B1 ,B2 ,B3 …ビルドアップ多層配線層。
Claims (2)
- 【請求項1】スルーホールを有するベース基板の一方の
面の所定箇所に第1の接続端子群が形成され、その反対
側の面の少なくとも外周部に第2の接続端子群が形成さ
れ、第1の接続端子群と第2の接続端子群とがスルーホ
ールを介して電気的に接続されてなる電子回路部品搭載
用基板において、 前記ベース基板の第1の接続端子群が形成される側に
は、内層導体層と絶縁層とが交互に積層され、内層導体
層同士がバイアホールにて電気的に接続され、また内層
導体層がスルーホールと電気的に接続されたビルドアッ
プ多層配線層が形成されてなり、 前記第1の接続端子群は、該ビルドアップ多層配線層の
最外層に形成されるとともに、前記第1の接続端子群の
中央部に位置する接続端子は、バイアホールを介して前
記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続
されてなることを特徴とする電子回路部品搭載用基板。 - 【請求項2】スルーホールを有するベース基板の一方の
面の所定箇所に第1の接続端子群が形成され、その反対
側の面の少なくとも外周部に第2の接続端子群が形成さ
れ、第1の接続端子群と第2の接続端子群とがスルーホ
ールを介して電気的に接続されてなる電子回路部品搭載
用基板において、 前記ベース基板の両面には、内層導体層と絶縁層とが交
互に積層され、内層導体層同士がバイアホールにて電気
的に接続され、また内層導体層がスルーホールと電気的
に接続されたビルドアップ多層配線層が形成されてな
り、 前記第1の接続端子群及び第2の接続端子群は、それぞ
れ該ビルドアップ多層配線層の最外層に形成されるとと
もに、前記第1の接続端子群の中央部に位置する接続端
子及び第2の接続端子群を構成する各接続端子は、バイ
アホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導
体層と電気的に接続されてなることを特徴とする電子回
路部品搭載用基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15189995A JP3181193B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 電子回路部品搭載用基板 |
PCT/JP1996/002608 WO1998011605A1 (fr) | 1995-06-19 | 1996-09-12 | Carte de circuit permettant le montage de pieces electroniques |
US09/412,877 US6384344B1 (en) | 1995-06-19 | 1999-10-05 | Circuit board for mounting electronic parts |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15189995A JP3181193B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 電子回路部品搭載用基板 |
PCT/JP1996/002608 WO1998011605A1 (fr) | 1995-06-19 | 1996-09-12 | Carte de circuit permettant le montage de pieces electroniques |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH098459A true JPH098459A (ja) | 1997-01-10 |
JP3181193B2 JP3181193B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=26437241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15189995A Ceased JP3181193B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 電子回路部品搭載用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3181193B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227976A (ja) * | 2007-06-06 | 2007-09-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法、配線基板、コンデンサ内蔵コア基板 |
USRE40947E1 (en) | 1997-10-14 | 2009-10-27 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole |
JP2010192915A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-09-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体 |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP15189995A patent/JP3181193B2/ja not_active Ceased
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE40947E1 (en) | 1997-10-14 | 2009-10-27 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole |
JP2007227976A (ja) * | 2007-06-06 | 2007-09-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法、配線基板、コンデンサ内蔵コア基板 |
JP4521017B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2010-08-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法 |
JP2010192915A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-09-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3181193B2 (ja) | 2001-07-03 |
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