JP3181194B2 - 電子部品搭載用基板 - Google Patents
電子部品搭載用基板Info
- Publication number
- JP3181194B2 JP3181194B2 JP15190095A JP15190095A JP3181194B2 JP 3181194 B2 JP3181194 B2 JP 3181194B2 JP 15190095 A JP15190095 A JP 15190095A JP 15190095 A JP15190095 A JP 15190095A JP 3181194 B2 JP3181194 B2 JP 3181194B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- electronic component
- component mounting
- acid
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品搭載用基板に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フリップチップ等のようなベアチ
ップや、ＢＧＡ等のようなパッケージを搭載するための
プリント配線板として、例えば図３に示されるような電
子部品搭載用基板２１が知られている。
ップや、ＢＧＡ等のようなパッケージを搭載するための
プリント配線板として、例えば図３に示されるような電
子部品搭載用基板２１が知られている。
【０００３】この種の電子部品搭載用基板２１には、ベ
ース基板２２として、主にサブトラクティブ法によって
形成された導体層を表裏に持つ両面板が使用される。ベ
ース基板２２の表面の中央部には、部品搭載用エリアが
設けられている。同エリア内には、多数のパッド２３か
らなる第１のパッド群が密集した状態で形成されてい
る。前記各パッド２３の形成位置は、電子部品であるベ
アチップＣ1 の底面にあるバンプＢＰの位置に対応して
いる。一方、ベース基板２２の裏面の外周部には、多数
のパッド２４からなる第２のパッド群が形成されてい
る。これらのパッド２４上には、マザーボード側との接
続を図るための突起電極としてバンプ２５が形成されて
いる。また、ベース基板２２の外周部には、表裏を貫通
する多数のスルーホール２６が形成されている。これら
のスルーホール２６と表面側のパッド２３とは、ベース
基板２２の表面に形成された導体パターン２７を介して
接続されている。また、スルーホール２６と裏面側のパ
ッド２４とは、同様にベース基板２２の裏面に形成され
た導体パターン２８を介して接続されている。その結
果、この電子部品搭載用基板２１においては、第１のパ
ッド群と第２のパッド群とが互いに電気的に接続された
状態となっている。
ース基板２２として、主にサブトラクティブ法によって
形成された導体層を表裏に持つ両面板が使用される。ベ
ース基板２２の表面の中央部には、部品搭載用エリアが
設けられている。同エリア内には、多数のパッド２３か
らなる第１のパッド群が密集した状態で形成されてい
る。前記各パッド２３の形成位置は、電子部品であるベ
アチップＣ1 の底面にあるバンプＢＰの位置に対応して
いる。一方、ベース基板２２の裏面の外周部には、多数
のパッド２４からなる第２のパッド群が形成されてい
る。これらのパッド２４上には、マザーボード側との接
続を図るための突起電極としてバンプ２５が形成されて
いる。また、ベース基板２２の外周部には、表裏を貫通
する多数のスルーホール２６が形成されている。これら
のスルーホール２６と表面側のパッド２３とは、ベース
基板２２の表面に形成された導体パターン２７を介して
接続されている。また、スルーホール２６と裏面側のパ
ッド２４とは、同様にベース基板２２の裏面に形成され
た導体パターン２８を介して接続されている。その結
果、この電子部品搭載用基板２１においては、第１のパ
ッド群と第２のパッド群とが互いに電気的に接続された
状態となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の電子
部品搭載用基板２１の場合、図３に示されるように、表
面側においていったん外周部まで引き出した配線を裏面
側において再び中心方向に引き戻す、という構造になっ
ている。従って、パッド２３，２４間を接続する配線が
必要以上に長くなりやすく、配線効率が悪かった。ま
た、このような電子部品搭載用基板２１を用いた電子部
品搭載装置では、高速化の達成が難しいという問題があ
った。
部品搭載用基板２１の場合、図３に示されるように、表
面側においていったん外周部まで引き出した配線を裏面
側において再び中心方向に引き戻す、という構造になっ
ている。従って、パッド２３，２４間を接続する配線が
必要以上に長くなりやすく、配線効率が悪かった。ま
た、このような電子部品搭載用基板２１を用いた電子部
品搭載装置では、高速化の達成が難しいという問題があ
った。
【０００５】また、パッド２３，２４間を最短の配線長
でつなぐためには、スルーホール２６を基板外周部では
なく基板中央部に形成すればよいとも考えられる。しか
し、この場合にはスルーホール２６の形成面積分だけ配
線不能なスペース（デッドスペース）ができてしまう。
よって、配線可能なスペースを確保しようとすると、全
体の大型化が避けられないという事情があった。
でつなぐためには、スルーホール２６を基板外周部では
なく基板中央部に形成すればよいとも考えられる。しか
し、この場合にはスルーホール２６の形成面積分だけ配
線不能なスペース（デッドスペース）ができてしまう。
よって、配線可能なスペースを確保しようとすると、全
体の大型化が避けられないという事情があった。
【０００６】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、全体の大型化を回避しつつ
配線効率を向上させることができる電子部品搭載用基板
を提供することにある。
たものであり、その目的は、全体の大型化を回避しつつ
配線効率を向上させることができる電子部品搭載用基板
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、スルーホールを有する
ベース基板の表面側の中央部に密集した状態で形成され
た複数の接続端子からなる第１の接続端子群と、裏面側
の外周部に形成された複数の接続端子からなる第２の接
続端子群とが電気的に接続されてなる電子部品搭載用基
板において、前記第１の接続端子群は、酸あるいは酸化
剤に難溶性の感光性樹脂と酸あるいは酸化剤に可溶性の
耐熱性樹脂粒子とからなる層間絶縁層及び内層導体層を
交互に積層してなるビルドアップ層の最外層に形成され
てなり、前記第１の接続端子群と前記第２の接続端子群
とをつなぐ前記内層導体層は、スルーホール及び前記層
間絶縁層に形成されたバイアホールによって接続されつ
つ、基板外周部に向かって常に順方向にかつ遠心的に配
線されてなる電子部品搭載用基板をその要旨とする。
めに、請求項１に記載の発明は、スルーホールを有する
ベース基板の表面側の中央部に密集した状態で形成され
た複数の接続端子からなる第１の接続端子群と、裏面側
の外周部に形成された複数の接続端子からなる第２の接
続端子群とが電気的に接続されてなる電子部品搭載用基
板において、前記第１の接続端子群は、酸あるいは酸化
剤に難溶性の感光性樹脂と酸あるいは酸化剤に可溶性の
耐熱性樹脂粒子とからなる層間絶縁層及び内層導体層を
交互に積層してなるビルドアップ層の最外層に形成され
てなり、前記第１の接続端子群と前記第２の接続端子群
とをつなぐ前記内層導体層は、スルーホール及び前記層
間絶縁層に形成されたバイアホールによって接続されつ
つ、基板外周部に向かって常に順方向にかつ遠心的に配
線されてなる電子部品搭載用基板をその要旨とする。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、前記層間絶縁層は、酸あるいは酸化剤に難溶性であ
って熱硬化性樹脂を感光化した樹脂及び熱可塑性樹脂の
複合樹脂と、酸あるいは酸化剤の可溶性の耐熱性樹脂粒
子とからなることをその要旨とする。
て、前記層間絶縁層は、酸あるいは酸化剤に難溶性であ
って熱硬化性樹脂を感光化した樹脂及び熱可塑性樹脂の
複合樹脂と、酸あるいは酸化剤の可溶性の耐熱性樹脂粒
子とからなることをその要旨とする。
【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項２におい
て、前記酸あるいは酸化剤に難溶性であって熱硬化性樹
脂を感光化した樹脂は、エポキシアクリレート及び感光
性ポリイミドから選択される少なくともいずれか１つの
樹脂であり、前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルスルホ
ン、ポリスルホン、フェノキシ樹脂及びポリエチレンの
うちから選択される少なくともいずれか１つの樹脂であ
ることをその要旨とする。
て、前記酸あるいは酸化剤に難溶性であって熱硬化性樹
脂を感光化した樹脂は、エポキシアクリレート及び感光
性ポリイミドから選択される少なくともいずれか１つの
樹脂であり、前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルスルホ
ン、ポリスルホン、フェノキシ樹脂及びポリエチレンの
うちから選択される少なくともいずれか１つの樹脂であ
ることをその要旨とする。
【００１０】請求項４に記載の発明は、請求項２または
３において、前記耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂粒子及
びエポキシ樹脂粒子のうちから選択される少なくともい
ずれか１つであることをその要旨とする。
３において、前記耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂粒子及
びエポキシ樹脂粒子のうちから選択される少なくともい
ずれか１つであることをその要旨とする。
【００１１】
【作用】請求項１〜４に記載の発明によると、配線を引
き戻すことがない分だけ、第１及び第２の接続端子間を
接続する配線の長さが短くなる。また、層間絶縁層中に
は耐熱性樹脂粒子が含まれていることから、露光時に光
の散乱が起こりやすくなる。そのため、アスペクト比の
高いバイアホールであっても、その形成時に現像残りが
生じにくくなる。よって、小径のバイアホールを容易に
かつ確実に形成することができる。それゆえ、バイアホ
ールを配線が密集する中央部に形成できるため、このバ
イアホールを介して配線を中央部から外周部へと順方向
に配置でき、配線を引き戻すことがない分だけ、第１及
び第２の接続端子間の配線長が短くなる。
き戻すことがない分だけ、第１及び第２の接続端子間を
接続する配線の長さが短くなる。また、層間絶縁層中に
は耐熱性樹脂粒子が含まれていることから、露光時に光
の散乱が起こりやすくなる。そのため、アスペクト比の
高いバイアホールであっても、その形成時に現像残りが
生じにくくなる。よって、小径のバイアホールを容易に
かつ確実に形成することができる。それゆえ、バイアホ
ールを配線が密集する中央部に形成できるため、このバ
イアホールを介して配線を中央部から外周部へと順方向
に配置でき、配線を引き戻すことがない分だけ、第１及
び第２の接続端子間の配線長が短くなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１に
基づき詳細に説明する。この電子部品搭載用基板１で
は、ベース基板として両面板２が使用されている。この
両面板２は、サブトラクティブ法によって形成された導
体層３，４を樹脂製の基材５の表面Ｓ1 及び裏面Ｓ2 の
両方に有している。この両面板２には、全面にわたっ
て、導体層３，４間の導通を図るためのスルーホール６
が形成されている。これらのスルーホール６内には、銅
などの金属粉末を含む導電性樹脂７等が充填されてい
る。
基づき詳細に説明する。この電子部品搭載用基板１で
は、ベース基板として両面板２が使用されている。この
両面板２は、サブトラクティブ法によって形成された導
体層３，４を樹脂製の基材５の表面Ｓ1 及び裏面Ｓ2 の
両方に有している。この両面板２には、全面にわたっ
て、導体層３，４間の導通を図るためのスルーホール６
が形成されている。これらのスルーホール６内には、銅
などの金属粉末を含む導電性樹脂７等が充填されてい
る。
【００１３】ベース基板である両面板２の表面Ｓ1 及び
裏面Ｓ2 には、層間絶縁層８ａ，８ｂと導体層９ａ，９
ｂとを交互に積層してなるビルドアップ層Ｂ1 ，Ｂ2 が
それぞれ形成されている。
裏面Ｓ2 には、層間絶縁層８ａ，８ｂと導体層９ａ，９
ｂとを交互に積層してなるビルドアップ層Ｂ1 ，Ｂ2 が
それぞれ形成されている。
【００１４】表面Ｓ1 側に形成されたビルドアップ層Ｂ
1 において、内層に位置する第１の層間絶縁層８ａの上
面には、永久レジスト１０が形成されている。この永久
レジスト１０が形成されていない部分には、内層導体層
９ａが形成されている。そして、この内層導体層９ａと
両面板２側の内層導体層３とは、第１の層間絶縁層８ａ
に設けられたバイアホール１１によって電気的に接続さ
れている。また、前記層間絶縁層８ａに設けられた第２
の層間絶縁層８ｂ上にも、同様に永久レジスト１０が形
成されている。この永久レジスト１０が形成されていな
い部分には、外層導体層９ｂが形成されている。そし
て、この外層導体層９ｂと内層導体層９ａとは、第２の
層間絶縁層８ｂに設けられたバイアホール１１によって
電気的に接続されている。また、第２の層間絶縁層８ｂ
の中央部は、電子部品としてのＬＳＩのベアチップＣ1
を搭載するための部品搭載エリアになっている。このエ
リア内には、接続端子としての多数のパッド１２からな
る第１のパッド群が密集した状態で形成されている。な
お、これらのパッド１２の位置は、ベアチップＣ1 の底
面に形成されたバンプＢＰの形成位置に対応している。
1 において、内層に位置する第１の層間絶縁層８ａの上
面には、永久レジスト１０が形成されている。この永久
レジスト１０が形成されていない部分には、内層導体層
９ａが形成されている。そして、この内層導体層９ａと
両面板２側の内層導体層３とは、第１の層間絶縁層８ａ
に設けられたバイアホール１１によって電気的に接続さ
れている。また、前記層間絶縁層８ａに設けられた第２
の層間絶縁層８ｂ上にも、同様に永久レジスト１０が形
成されている。この永久レジスト１０が形成されていな
い部分には、外層導体層９ｂが形成されている。そし
て、この外層導体層９ｂと内層導体層９ａとは、第２の
層間絶縁層８ｂに設けられたバイアホール１１によって
電気的に接続されている。また、第２の層間絶縁層８ｂ
の中央部は、電子部品としてのＬＳＩのベアチップＣ1
を搭載するための部品搭載エリアになっている。このエ
リア内には、接続端子としての多数のパッド１２からな
る第１のパッド群が密集した状態で形成されている。な
お、これらのパッド１２の位置は、ベアチップＣ1 の底
面に形成されたバンプＢＰの形成位置に対応している。
【００１５】表面Ｓ2 側に形成されたビルドアップ層Ｂ
2 において、内層に位置する第１の層間絶縁層８ａ上に
は、永久レジスト１０が形成されている。この永久レジ
スト１０が形成されていない部分には、内層導体層９ａ
が形成されている。そして、この内層導体層９ａと両面
板２側の内層導体層４とは、第１の層間絶縁層８ａに設
けられたバイアホール１１によって電気的に接続されて
いる。また、前記層間絶縁層８ａに設けられた第２の層
間絶縁層８ｂ上にも、同様に永久レジスト１０が形成さ
れている。この永久レジスト１０が形成されていない部
分には、外層導体層９ｂが形成されている。そして、こ
の外層導体層９ｂと内層導体層９ａとは、第２の層間絶
縁層８ｂに設けられたバイアホール１１によって電気的
に接続されている。また、第２の層間絶縁層８ｂの外周
部には、接続端子としての多数のパッド１３からなる第
２のパッド群が形成されている。これらのパッド１３上
には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図
るための突起電極としてバンプ１４が形成されている。
2 において、内層に位置する第１の層間絶縁層８ａ上に
は、永久レジスト１０が形成されている。この永久レジ
スト１０が形成されていない部分には、内層導体層９ａ
が形成されている。そして、この内層導体層９ａと両面
板２側の内層導体層４とは、第１の層間絶縁層８ａに設
けられたバイアホール１１によって電気的に接続されて
いる。また、前記層間絶縁層８ａに設けられた第２の層
間絶縁層８ｂ上にも、同様に永久レジスト１０が形成さ
れている。この永久レジスト１０が形成されていない部
分には、外層導体層９ｂが形成されている。そして、こ
の外層導体層９ｂと内層導体層９ａとは、第２の層間絶
縁層８ｂに設けられたバイアホール１１によって電気的
に接続されている。また、第２の層間絶縁層８ｂの外周
部には、接続端子としての多数のパッド１３からなる第
２のパッド群が形成されている。これらのパッド１３上
には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図
るための突起電極としてバンプ１４が形成されている。
【００１６】この電子部品搭載用基板１において、第１
のパッド群を構成するパッド１２は、外層導体層９ｂ、
バイアホール１１、内層導体層９ａ、バイアホール１１
及び内層導体層３を介してスルーホール６に接続されて
いる。そして、同スルーホール６に接続される内層導体
層４は、バイアホール１１、内層導体層９ａ、バイアホ
ール１１及び外層導体層９ｂを介して第２のパッド群を
構成するパッド１３に接続されている。また、内層導体
層３，４，９ａ及び外層導体層９ｂは、バイアホール１
１によって接続されつつ、基板外周部に向かって常に順
方向にかつ遠心的に配線されている。なお、前記パッド
１２，１３のうちの一部のものについては、外層導体層
９ｂに接続されることなく、バイアホール１１の上面に
じかに接続されていてもよい。また、第１の層間絶縁層
８ａ内のバイアホール１１及び第２の層間絶縁層８ｂ内
のバイアホール１１は、直列に配置されていてもよい。
のパッド群を構成するパッド１２は、外層導体層９ｂ、
バイアホール１１、内層導体層９ａ、バイアホール１１
及び内層導体層３を介してスルーホール６に接続されて
いる。そして、同スルーホール６に接続される内層導体
層４は、バイアホール１１、内層導体層９ａ、バイアホ
ール１１及び外層導体層９ｂを介して第２のパッド群を
構成するパッド１３に接続されている。また、内層導体
層３，４，９ａ及び外層導体層９ｂは、バイアホール１
１によって接続されつつ、基板外周部に向かって常に順
方向にかつ遠心的に配線されている。なお、前記パッド
１２，１３のうちの一部のものについては、外層導体層
９ｂに接続されることなく、バイアホール１１の上面に
じかに接続されていてもよい。また、第１の層間絶縁層
８ａ内のバイアホール１１及び第２の層間絶縁層８ｂ内
のバイアホール１１は、直列に配置されていてもよい。
【００１７】ここで、ビルドアップ層Ｂ1 ，Ｂ2 を構成
する層間絶縁層８ａ，８ｂは、酸あるいは酸化剤に難溶
性の感光性樹脂と、酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性
樹脂粒子とからなることが必要である。その理由は、耐
熱性樹脂粒子が含まれていると露光時に光の散乱が起こ
りやすく、よってアスペクト比の高いバイアホール１１
であってもその形成時に現像残りが生じにくくなるから
である。なお、単なる感光性樹脂を使用した場合には、
小径（直径約８０μｍ以下）のバイアホール１１を形成
することが困難になる。
する層間絶縁層８ａ，８ｂは、酸あるいは酸化剤に難溶
性の感光性樹脂と、酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性
樹脂粒子とからなることが必要である。その理由は、耐
熱性樹脂粒子が含まれていると露光時に光の散乱が起こ
りやすく、よってアスペクト比の高いバイアホール１１
であってもその形成時に現像残りが生じにくくなるから
である。なお、単なる感光性樹脂を使用した場合には、
小径（直径約８０μｍ以下）のバイアホール１１を形成
することが困難になる。
【００１８】前記層間絶縁層８ａ，８ｂは、酸あるいは
酸化剤に難溶性であって熱硬化性樹脂を感光化した樹脂
及び熱可塑性樹脂の複合樹脂と、酸あるいは酸化剤の可
溶性の耐熱性樹脂粒子とからなることが好ましい。その
理由は、層間剤と銅めっきとの密着性を向上させるため
のアンカーを形成するためである。なお、ここでいう酸
あるいは酸化剤とは、例えば表面粗化工程において使用
されるクロム酸、クロム酸塩、過マンガン塩等を指す。
酸化剤に難溶性であって熱硬化性樹脂を感光化した樹脂
及び熱可塑性樹脂の複合樹脂と、酸あるいは酸化剤の可
溶性の耐熱性樹脂粒子とからなることが好ましい。その
理由は、層間剤と銅めっきとの密着性を向上させるため
のアンカーを形成するためである。なお、ここでいう酸
あるいは酸化剤とは、例えば表面粗化工程において使用
されるクロム酸、クロム酸塩、過マンガン塩等を指す。
【００１９】前記酸あるいは酸化剤に難溶性であって熱
硬化性樹脂を感光化した樹脂は、エポキシアクリレート
及び感光性ポリイミド（感光性ＰＩ）から選択される少
なくともいずれか１つの樹脂であることが好ましい。そ
の理由は、高耐熱、高強度を有するからである。
硬化性樹脂を感光化した樹脂は、エポキシアクリレート
及び感光性ポリイミド（感光性ＰＩ）から選択される少
なくともいずれか１つの樹脂であることが好ましい。そ
の理由は、高耐熱、高強度を有するからである。
【００２０】前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルスルホ
ン（ＰＥＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、フェノキシ樹
脂及びポリエチレン（ＰＥ）のうちから選択される少な
くともいずれか１つの樹脂であることが好ましい。その
理由は、前記熱硬化性樹脂の特性を保持したまま、高Ｔ
ｇ、高弾性率を付与することができるためである。
ン（ＰＥＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、フェノキシ樹
脂及びポリエチレン（ＰＥ）のうちから選択される少な
くともいずれか１つの樹脂であることが好ましい。その
理由は、前記熱硬化性樹脂の特性を保持したまま、高Ｔ
ｇ、高弾性率を付与することができるためである。
【００２１】前記耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂粒子及
びエポキシ樹脂（ＥＰ樹脂）粒子のうちから選択される
少なくともいずれか１つであることが好ましい。その理
由は、層間絶縁層の特性を劣化させないことである。な
お、アミン系硬化剤で硬化したエポキシ樹脂はヒドロエ
キシエーテル構造を持っていることから、この樹脂から
なる粒子は特に溶けやすいという有利な性質を有する。
また、アミノ樹脂粒子としては、例えばメラミン樹脂、
尿素樹脂、グアナミン樹脂等が選択可能である。なかで
も、メラミン樹脂を選択することが、電気特性、ＰＣ
Ｔ、ＨＨＢＴ特性が良好になるという点において好まし
い。
びエポキシ樹脂（ＥＰ樹脂）粒子のうちから選択される
少なくともいずれか１つであることが好ましい。その理
由は、層間絶縁層の特性を劣化させないことである。な
お、アミン系硬化剤で硬化したエポキシ樹脂はヒドロエ
キシエーテル構造を持っていることから、この樹脂から
なる粒子は特に溶けやすいという有利な性質を有する。
また、アミノ樹脂粒子としては、例えばメラミン樹脂、
尿素樹脂、グアナミン樹脂等が選択可能である。なかで
も、メラミン樹脂を選択することが、電気特性、ＰＣ
Ｔ、ＨＨＢＴ特性が良好になるという点において好まし
い。
【００２２】前記耐熱性樹脂粒子の粒子径は１０μｍ以
下であることがよい。その理由は、層間膜厚を薄くで
き、またファインパターンの形成ができるからである。
なお、耐熱性樹脂粒子の形状としては、真球状、破砕
片、凝集粒子など種々のものを選択することができる。
下であることがよい。その理由は、層間膜厚を薄くで
き、またファインパターンの形成ができるからである。
なお、耐熱性樹脂粒子の形状としては、真球状、破砕
片、凝集粒子など種々のものを選択することができる。
【００２３】このような構成の電子部品搭載用基板１
は、例えば以下のような手順を経ることによって作製す
ることができる。層間絶縁層８ａ，８ｂを形成するため
のアディティブ用接着剤の調製方法は、以下の通りであ
る。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基
の２５％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（Ｃ
ＮＡ２５，分子量４０００）、ＰＥＳ（分子量１７００
０）、イミダゾール硬化剤（四国化成製，商品名：２Ｂ
４ＭＺ−ＣＮ）、感光性モノマーであるトリメチルトリ
アクリレート（ＴＭＰＴＡ）、光開始剤（チバガイギー
製，商品名：Ｉ−９０７）を用い、下記組成でＤＭＦを
用いて混合し、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂
粉末（東レ製，商品名：トレパールＥＰ−Ｂ）を平均粒
径５．５μｍのものを２０重量部、平均粒径０．５μｍ
のものを１０重量部を混合した後、ホモディスパー攪拌
機で粘度１２０cps に調整し、続いて３本ロールで混練
することによって、アディティブ用接着剤とする。次い
で、この接着剤を両面板２の両面全体に塗布した後、８
０℃で乾燥を行い、さらにＵＶ硬化及び熱硬化を行う。
その結果、まず第１の層間絶縁層８ａが形成される。
は、例えば以下のような手順を経ることによって作製す
ることができる。層間絶縁層８ａ，８ｂを形成するため
のアディティブ用接着剤の調製方法は、以下の通りであ
る。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ基
の２５％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（Ｃ
ＮＡ２５，分子量４０００）、ＰＥＳ（分子量１７００
０）、イミダゾール硬化剤（四国化成製，商品名：２Ｂ
４ＭＺ−ＣＮ）、感光性モノマーであるトリメチルトリ
アクリレート（ＴＭＰＴＡ）、光開始剤（チバガイギー
製，商品名：Ｉ−９０７）を用い、下記組成でＤＭＦを
用いて混合し、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂
粉末（東レ製，商品名：トレパールＥＰ−Ｂ）を平均粒
径５．５μｍのものを２０重量部、平均粒径０．５μｍ
のものを１０重量部を混合した後、ホモディスパー攪拌
機で粘度１２０cps に調整し、続いて３本ロールで混練
することによって、アディティブ用接着剤とする。次い
で、この接着剤を両面板２の両面全体に塗布した後、８
０℃で乾燥を行い、さらにＵＶ硬化及び熱硬化を行う。
その結果、まず第１の層間絶縁層８ａが形成される。
【００２４】次に、この第１の層間絶縁層８ａの表面を
クロム酸等の粗化剤で処理することによって、多数のア
ンカー用凹部を備える粗化面を形成する。この後、常法
に従って触媒核付与、永久レジスト１０の形成、活性化
処理及び無電解銅めっきを行うことによって、内層導体
層９ａ及びバイアホール１１を形成する。
クロム酸等の粗化剤で処理することによって、多数のア
ンカー用凹部を備える粗化面を形成する。この後、常法
に従って触媒核付与、永久レジスト１０の形成、活性化
処理及び無電解銅めっきを行うことによって、内層導体
層９ａ及びバイアホール１１を形成する。
【００２５】さらに、同じアディティブ用接着剤を両面
に塗布・硬化することにより、第２の層間絶縁層８ｂを
形成する。次いで、得られた第２の層間絶縁層８ｂの表
面を粗化剤で処理することによって、粗化面を形成す
る。この後、触媒核付与、永久レジスト１０の形成、活
性化処理及び無電解銅めっきを行い、所定部分に外層導
体層９ｂ、パッド１２，１３及びバイアホール１１を形
成する。以上の工程を経ると、所望の電子部品搭載用基
板１が完成する。そして、このようにして得られた電子
部品搭載用基板１上にベアチップＣ1 を搭載すれば、図
１のような電子部品搭載装置Ｍ1 を得ることができる。
に塗布・硬化することにより、第２の層間絶縁層８ｂを
形成する。次いで、得られた第２の層間絶縁層８ｂの表
面を粗化剤で処理することによって、粗化面を形成す
る。この後、触媒核付与、永久レジスト１０の形成、活
性化処理及び無電解銅めっきを行い、所定部分に外層導
体層９ｂ、パッド１２，１３及びバイアホール１１を形
成する。以上の工程を経ると、所望の電子部品搭載用基
板１が完成する。そして、このようにして得られた電子
部品搭載用基板１上にベアチップＣ1 を搭載すれば、図
１のような電子部品搭載装置Ｍ1 を得ることができる。
【００２６】さて、本実施例においては、パッド１２，
１３間をつなぐ内層導体層３，４，９ｂ及び外層導体層
９ｂが、バイアホール１１によって接続されつつ基板外
周部に向かって常に順方向にかつ遠心的に配線されてい
る。従って、いったん外周部まで引き出した配線を再び
中心方向に引き戻す、という従来の構造とは異なってい
る（図３参照）。従って、このような配線の引き戻しが
ない分だけ、パッド１２，１３間を接続する配線の長さ
が短くなり、配線効率も確実に向上する。このため、処
理速度の速い電子部品搭載装置Ｍ1 を実現することがで
きる。
１３間をつなぐ内層導体層３，４，９ｂ及び外層導体層
９ｂが、バイアホール１１によって接続されつつ基板外
周部に向かって常に順方向にかつ遠心的に配線されてい
る。従って、いったん外周部まで引き出した配線を再び
中心方向に引き戻す、という従来の構造とは異なってい
る（図３参照）。従って、このような配線の引き戻しが
ない分だけ、パッド１２，１３間を接続する配線の長さ
が短くなり、配線効率も確実に向上する。このため、処
理速度の速い電子部品搭載装置Ｍ1 を実現することがで
きる。
【００２７】また、本実施例では、ビルドアップ層Ｂ1
，Ｂ2 を構成する層間絶縁層８ａ，８ｂの形成におい
て、酸等に難溶性の感光性樹脂と酸等に可溶性の耐熱性
樹脂粒子とからなるアディティブ用接着剤が使用されて
いる。そのため、露光時にバイアホール形成用凹部の底
面に現像残りが生じにくい。よって、従来よりも小径の
バイアホール１１を容易にかつ確実に形成することがで
きる。勿論、アディティブ法によって形成される導体層
９ａ，９ｂは、従来のサブトラクティブ法に従って形成
されるものに比べてファインなものになる。即ち、前記
のような構成は、電子部品搭載用基板１の小型化にとっ
て極めて好都合である。
，Ｂ2 を構成する層間絶縁層８ａ，８ｂの形成におい
て、酸等に難溶性の感光性樹脂と酸等に可溶性の耐熱性
樹脂粒子とからなるアディティブ用接着剤が使用されて
いる。そのため、露光時にバイアホール形成用凹部の底
面に現像残りが生じにくい。よって、従来よりも小径の
バイアホール１１を容易にかつ確実に形成することがで
きる。勿論、アディティブ法によって形成される導体層
９ａ，９ｂは、従来のサブトラクティブ法に従って形成
されるものに比べてファインなものになる。即ち、前記
のような構成は、電子部品搭載用基板１の小型化にとっ
て極めて好都合である。
【００２８】さらに、この電子部品搭載用基板１では、
両面板２の導体層３，４ばかりでなく、ビルドアップ層
Ｂ1 ，Ｂ2 の導体層９ａ，９ｂにも配線が形成されてい
るという特徴がある。このため、両面板２にスルーホー
ル６があったとしても、配線に特に悪影響を及ぼすもの
ではなく、従来のように配線可能なスペースを確保する
必要もなくなる。このことは、電子部品搭載用基板１の
大型化を確実に回避できることを意味する。
両面板２の導体層３，４ばかりでなく、ビルドアップ層
Ｂ1 ，Ｂ2 の導体層９ａ，９ｂにも配線が形成されてい
るという特徴がある。このため、両面板２にスルーホー
ル６があったとしても、配線に特に悪影響を及ぼすもの
ではなく、従来のように配線可能なスペースを確保する
必要もなくなる。このことは、電子部品搭載用基板１の
大型化を確実に回避できることを意味する。
【００２９】そして、この電子部品搭載用基板１では、
表面Ｓ1 及び裏面Ｓ2 にほぼ同じ厚さのビルドアップ層
Ｂ1 ，Ｂ2 が設けられている。このため、両面板２の両
側に付加する応力の大きさがほぼ等しくなり、結果とし
て応力が互いに相殺されやすくなる。よって、反りにく
い電子部品搭載用基板１を実現することができる。
表面Ｓ1 及び裏面Ｓ2 にほぼ同じ厚さのビルドアップ層
Ｂ1 ，Ｂ2 が設けられている。このため、両面板２の両
側に付加する応力の大きさがほぼ等しくなり、結果とし
て応力が互いに相殺されやすくなる。よって、反りにく
い電子部品搭載用基板１を実現することができる。
【００３０】なお、本発明は例えば次のように変更する
ことが可能である。 （１）図２には、別例の電子部品搭載用基板１８上にベ
アチップＣ1 を搭載してなる電子部品搭載装置Ｍ2 が示
されている。この電子部品搭載用基板１８では、表面Ｓ
1 側だけに３層構造のビルドアップ層Ｂ3 が設けられて
いる。一方、第２のパッド群を構成するパッド１３は、
裏面Ｓ2 側に形成された導体層４に接続されている。そ
して、裏面Ｓ2 側の導体層４は、全体的にソルダーレジ
スト１９によって被覆されている。このような構成であ
っても、実施例と同様の作用効果を奏する。
ことが可能である。 （１）図２には、別例の電子部品搭載用基板１８上にベ
アチップＣ1 を搭載してなる電子部品搭載装置Ｍ2 が示
されている。この電子部品搭載用基板１８では、表面Ｓ
1 側だけに３層構造のビルドアップ層Ｂ3 が設けられて
いる。一方、第２のパッド群を構成するパッド１３は、
裏面Ｓ2 側に形成された導体層４に接続されている。そ
して、裏面Ｓ2 側の導体層４は、全体的にソルダーレジ
スト１９によって被覆されている。このような構成であ
っても、実施例と同様の作用効果を奏する。
【００３１】（２）ビルドアップ層Ｂ1 〜Ｂ3 の積層数
（層間絶縁層８ａ，８ｂの層数）は２層または３層に限
定されることはなく、１層のみまたは４層，５層，６
層，７層，８層…であってもよい。また、表面Ｓ1 側の
積層数及び裏面Ｓ2 側の積層数は、必ずしも同一でなく
てもよい。
（層間絶縁層８ａ，８ｂの層数）は２層または３層に限
定されることはなく、１層のみまたは４層，５層，６
層，７層，８層…であってもよい。また、表面Ｓ1 側の
積層数及び裏面Ｓ2 側の積層数は、必ずしも同一でなく
てもよい。
【００３２】（３）ベース基板として両面板２を使用し
た実施例に代え、４層板，５層板，６層板，７層板，８
層板等の多層板を使用してもよい。なお、低コスト化を
優先したい場合には両面板２を選択することが有利であ
り、さらなる高密度化・小型化を達成したい場合には多
層板を選択することが有利である。
た実施例に代え、４層板，５層板，６層板，７層板，８
層板等の多層板を使用してもよい。なお、低コスト化を
優先したい場合には両面板２を選択することが有利であ
り、さらなる高密度化・小型化を達成したい場合には多
層板を選択することが有利である。
【００３３】（４）第２の接続端子群を構成するパッド
１３上には、実施例のバンプ１４に代えてピン等を設け
ることが可能である。また、バンプ１４もピンも設けな
い構成とすることも勿論可能である。
１３上には、実施例のバンプ１４に代えてピン等を設け
ることが可能である。また、バンプ１４もピンも設けな
い構成とすることも勿論可能である。
【００３４】（５）部品搭載エリアは実施例のように１
つのみであってもよく、または複数であってもよい。 （６）第２のパッド群を構成するパッド１３は、裏面Ｓ
2 側のビルドアップ層Ｂ2 の全体にわたって設けられて
いてもよい。この構成であると、より多くのパッド１３
を配置することができる。
つのみであってもよく、または複数であってもよい。 （６）第２のパッド群を構成するパッド１３は、裏面Ｓ
2 側のビルドアップ層Ｂ2 の全体にわたって設けられて
いてもよい。この構成であると、より多くのパッド１３
を配置することができる。
【００３５】（７）ビルドアップ層Ｂ1 〜Ｂ3 を構成す
る導体層９ａ，９ｂは、無電解銅めっき以外の金属めっ
き（例えば、無電解ニッケルめっきや無電解金めっきな
ど）であってもよい。また、めっきのような化学的成膜
方法によって形成される金属層に代え、例えばスパッタ
リング等の物理的薄膜方法によって形成される金属層を
選択することも可能である。
る導体層９ａ，９ｂは、無電解銅めっき以外の金属めっ
き（例えば、無電解ニッケルめっきや無電解金めっきな
ど）であってもよい。また、めっきのような化学的成膜
方法によって形成される金属層に代え、例えばスパッタ
リング等の物理的薄膜方法によって形成される金属層を
選択することも可能である。
【００３６】（８）電子部品搭載用基板１上に搭載され
る電子部品は、実施例のベアチップ２のほかに、例えば
ＢＧＡ，ＱＦＮ，ショートピンを持つＰＧＡ等の半導体
パッケージであってもよい。
る電子部品は、実施例のベアチップ２のほかに、例えば
ＢＧＡ，ＱＦＮ，ショートピンを持つＰＧＡ等の半導体
パッケージであってもよい。
【００３７】（９）熱硬化性樹脂を感光化した樹脂、熱
可塑性樹脂及び耐熱性樹脂の組み合わせ（Ｒ1 ＋Ｒ2 ＋
Ｒ3 ）は、実施例の組み合わせ以外にも、以下に列挙さ
れるようなものであってもよい。即ち、Ｒ1 ＋Ｒ2 ＋Ｒ
3 ＝エポキシアクリレート＋ＰＥＳ＋アミノ樹脂，エポ
キシアクリレート＋ＰＳＦ＋ＥＰ，エポキシアクリレー
ト＋フェノキシ樹脂＋ＥＰ，エポキシアクリレート＋Ｐ
Ｅ＋ＥＰ，エポキシアクリレート＋ＰＳＦ＋アミノ樹
脂，エポキシアクリレート＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹
脂，エポキシアクリレート＋ＰＥ＋アミノ樹脂，エポキ
シアクリレート＋ＰＥＳ＋アミノ樹脂及びＥＰ，エポキ
シアクリレート＋ＰＳＦ＋アミノ樹脂及びＥＰ，エポキ
シアクリレート＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹脂及びＥ
Ｐ，エポキシアクリレート＋ＰＥ＋アミノ樹脂及びＥ
Ｐ，感光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋ＥＰ，感光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋
アミノ樹脂，感光性ＰＩ＋ＰＳＦ＋ＥＰ，感光性ＰＩ＋
フェノキシ樹脂＋ＥＰ，感光性ＰＩ＋ＰＥ＋ＥＰ，感光
性ＰＩ＋ＰＳＦ＋アミノ樹脂，感光性ＰＩ＋フェノキシ
樹脂＋アミノ樹脂，感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ樹脂，感
光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋アミノ樹脂及びＥＰ，感光性ＰＩ＋
ＰＳＦ＋アミノ樹脂及びＥＰ，感光性ＰＩ＋フェノキシ
樹脂＋アミノ樹脂及びＥＰ，感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ
樹脂及びＥＰ，エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋
ＰＥＳ＋アミノ樹脂，エポキシアクリレート及び感光性
ＰＩ＋ＰＳＦ＋ＥＰ，エポキシアクリレート及び感光性
ＰＩ＋フェノキシ樹脂＋ＥＰ，エポキシアクリレート及
び感光性ＰＩ＋ＰＥ＋ＥＰ，エポキシアクリレート及び
感光性ＰＩ＋ＰＳＦ＋アミノ樹脂，エポキシアクリレー
ト及び感光性ＰＩ＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹脂，エポ
キシアクリレート及び感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ樹脂，
エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋アミノ
樹脂及びＥＰ，エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋
ＰＳＦ＋アミノ樹脂及びＥＰ，エポキシアクリレート及
び感光性ＰＩ＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹脂及びＥＰ，
エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ樹
脂及びＥＰ。勿論、ここに列挙されなかったその他の可
能な組み合わせであっても許容される。
可塑性樹脂及び耐熱性樹脂の組み合わせ（Ｒ1 ＋Ｒ2 ＋
Ｒ3 ）は、実施例の組み合わせ以外にも、以下に列挙さ
れるようなものであってもよい。即ち、Ｒ1 ＋Ｒ2 ＋Ｒ
3 ＝エポキシアクリレート＋ＰＥＳ＋アミノ樹脂，エポ
キシアクリレート＋ＰＳＦ＋ＥＰ，エポキシアクリレー
ト＋フェノキシ樹脂＋ＥＰ，エポキシアクリレート＋Ｐ
Ｅ＋ＥＰ，エポキシアクリレート＋ＰＳＦ＋アミノ樹
脂，エポキシアクリレート＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹
脂，エポキシアクリレート＋ＰＥ＋アミノ樹脂，エポキ
シアクリレート＋ＰＥＳ＋アミノ樹脂及びＥＰ，エポキ
シアクリレート＋ＰＳＦ＋アミノ樹脂及びＥＰ，エポキ
シアクリレート＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹脂及びＥ
Ｐ，エポキシアクリレート＋ＰＥ＋アミノ樹脂及びＥ
Ｐ，感光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋ＥＰ，感光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋
アミノ樹脂，感光性ＰＩ＋ＰＳＦ＋ＥＰ，感光性ＰＩ＋
フェノキシ樹脂＋ＥＰ，感光性ＰＩ＋ＰＥ＋ＥＰ，感光
性ＰＩ＋ＰＳＦ＋アミノ樹脂，感光性ＰＩ＋フェノキシ
樹脂＋アミノ樹脂，感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ樹脂，感
光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋アミノ樹脂及びＥＰ，感光性ＰＩ＋
ＰＳＦ＋アミノ樹脂及びＥＰ，感光性ＰＩ＋フェノキシ
樹脂＋アミノ樹脂及びＥＰ，感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ
樹脂及びＥＰ，エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋
ＰＥＳ＋アミノ樹脂，エポキシアクリレート及び感光性
ＰＩ＋ＰＳＦ＋ＥＰ，エポキシアクリレート及び感光性
ＰＩ＋フェノキシ樹脂＋ＥＰ，エポキシアクリレート及
び感光性ＰＩ＋ＰＥ＋ＥＰ，エポキシアクリレート及び
感光性ＰＩ＋ＰＳＦ＋アミノ樹脂，エポキシアクリレー
ト及び感光性ＰＩ＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹脂，エポ
キシアクリレート及び感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ樹脂，
エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋ＰＥＳ＋アミノ
樹脂及びＥＰ，エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋
ＰＳＦ＋アミノ樹脂及びＥＰ，エポキシアクリレート及
び感光性ＰＩ＋フェノキシ樹脂＋アミノ樹脂及びＥＰ，
エポキシアクリレート及び感光性ＰＩ＋ＰＥ＋アミノ樹
脂及びＥＰ。勿論、ここに列挙されなかったその他の可
能な組み合わせであっても許容される。
【００３８】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握
される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１〜３のいずれかにおいて、前記ビルド
アップ層はベース基板の両面に設けられていること。こ
の構成であると、より配線効率を向上できかつ反りが生
じにくくなる。
的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握
される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１〜３のいずれかにおいて、前記ビルド
アップ層はベース基板の両面に設けられていること。こ
の構成であると、より配線効率を向上できかつ反りが生
じにくくなる。
【００３９】（２） 請求項１において、前記層間絶縁
層は、２５％アクリル化したエポキシアクリレート、Ｐ
ＥＳ、エポキシ樹脂粒子（５．５μｍ及び０．５μｍの
混合物）及び感光性モノマーからなること。この構成で
あると、よりいっそう配線効率を向上できる。
層は、２５％アクリル化したエポキシアクリレート、Ｐ
ＥＳ、エポキシ樹脂粒子（５．５μｍ及び０．５μｍの
混合物）及び感光性モノマーからなること。この構成で
あると、よりいっそう配線効率を向上できる。
【００４０】（３） 技術的思想(2) において、エポキ
シ樹脂粒子をメラミン樹脂粒子に代えたこと。この構成
であると、よりいっそう配線効率を向上できる。なお、
本明細書中において使用した技術用語を次のように定義
する。
シ樹脂粒子をメラミン樹脂粒子に代えたこと。この構成
であると、よりいっそう配線効率を向上できる。なお、
本明細書中において使用した技術用語を次のように定義
する。
【００４１】「酸あるいは酸化剤： 表面粗化工程にお
いて使用されるクロム酸、クロム酸塩、過マンガン塩、
塩酸、リン酸、ギ酸、硫酸、フッ酸等を指す。」
いて使用されるクロム酸、クロム酸塩、過マンガン塩、
塩酸、リン酸、ギ酸、硫酸、フッ酸等を指す。」
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜４に記
載の発明によれば、全体の大型化を回避しつつ配線効率
を向上させることができる電子部品搭載用基板を提供す
ることができる。特に、請求項２〜４に記載の発明によ
れば、全体の大型化をより確実に回避することができ
る。
載の発明によれば、全体の大型化を回避しつつ配線効率
を向上させることができる電子部品搭載用基板を提供す
ることができる。特に、請求項２〜４に記載の発明によ
れば、全体の大型化をより確実に回避することができ
る。
【図１】実施例の電子部品搭載用基板を示す概略断面
図。
図。
【図２】別例の電子部品搭載用基板を示す概略断面図。
【図３】従来例の電子部品搭載用基板を示す概略断面
図。
図。
１，１８…電子部品搭載用基板、８ａ，８ｂ…層間絶縁
層、９ａ…内層導体層、１１…バイアホール、１２，１
３…接続端子としてのパッド、Ｓ1 …表面、Ｓ2 …裏
面、Ｂ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 …ビルドアップ層。
層、９ａ…内層導体層、１１…バイアホール、１２，１
３…接続端子としてのパッド、Ｓ1 …表面、Ｓ2 …裏
面、Ｂ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 …ビルドアップ層。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−101193（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−248589（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299837（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−215623（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46
Claims (4)
- 【請求項１】スルーホールを有するベース基板の表面側
の中央部に密集した状態で形成された複数の接続端子か
らなる第１の接続端子群と、裏面側の外周部に形成され
た複数の接続端子からなる第２の接続端子群とが電気的
に接続されてなる電子部品搭載用基板において、 前記第１の接続端子群は、酸あるいは酸化剤に難溶性の
感光性樹脂と酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒
子とからなる層間絶縁層及び内層導体層を交互に積層し
てなるビルドアップ層の最外層に形成されてなり、前記
第１の接続端子群と前記第２の接続端子群とをつなぐ前
記内層導体層は、スルーホール及び前記層間絶縁層に形
成されたバイアホールによって接続されつつ、基板外周
部に向かって常に順方向にかつ遠心的に配線されてなる
電子部品搭載用基板。 - 【請求項２】前記層間絶縁層は、酸あるいは酸化剤に難
溶性であって熱硬化性樹脂を感光化した樹脂及び熱可塑
性樹脂の複合樹脂と、酸あるいは酸化剤の可溶性の耐熱
性樹脂粒子とからなる請求項１に記載の電子部品搭載用
基板。 - 【請求項３】前記酸あるいは酸化剤に難溶性であって熱
硬化性樹脂を感光化した樹脂は、エポキシアクリレート
及び感光性ポリイミドから選択される少なくともいずれ
か１つの樹脂であり、前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテ
ルスルホン、ポリスルホン、フェノキシ樹脂及びポリエ
チレンのうちから選択される少なくともいずれか１つの
樹脂である請求項２に記載の電子部品搭載用基板。 - 【請求項４】前記耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂粒子及
びエポキシ樹脂粒子のうちから選択される少なくともい
ずれか１つである請求項２または３に記載の電子部品搭
載用基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15190095A JP3181194B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 電子部品搭載用基板 |
| US09/412,877 US6384344B1 (en) | 1995-06-19 | 1999-10-05 | Circuit board for mounting electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15190095A JP3181194B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 電子部品搭載用基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167518A Division JP3312022B2 (ja) | 1995-06-19 | 2000-06-05 | 電子部品搭載用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098460A JPH098460A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3181194B2 true JP3181194B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=15528652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15190095A Expired - Fee Related JP3181194B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 電子部品搭載用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3181194B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255300A2 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-06 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Semiconductor package |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6317333B1 (en) * | 1997-08-28 | 2001-11-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package construction of semiconductor device |
| DE19861009B4 (de) * | 1997-08-28 | 2004-08-19 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleitereinrichtung |
| WO1999021224A1 (fr) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat d'un boitier |
| US6407345B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-06-18 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of production thereof |
| JP4480207B2 (ja) * | 1999-01-04 | 2010-06-16 | イビデン株式会社 | 樹脂パッケージ基板 |
| JP4554741B2 (ja) * | 1999-01-04 | 2010-09-29 | イビデン株式会社 | パッケージ基板 |
| DE69936319T2 (de) | 1998-12-16 | 2008-02-14 | Ibiden Co., Ltd., Ogaki | Leitender verbindungsstift und baugruppenplatte |
| JP2001223467A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
| DE60031680T2 (de) | 1999-06-02 | 2007-09-06 | Ibiden Co., Ltd., Ogaki | Mehrschichtige, gedruckte leiterplatte und herstellungsmethode für eine mehrschichtige, gedruckte leiterplatte |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP15190095A patent/JP3181194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255300A2 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-06 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH098460A (ja) | 1997-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100882173B1 (ko) | 도전성접속핀 및 패키지기판 | |
| US8822839B2 (en) | Multi-layer printed circuit board and method of manufacturing multi-layer printed circuit board | |
| US6384344B1 (en) | Circuit board for mounting electronic parts | |
| KR100327887B1 (ko) | 전자회로부품탑재용기판 | |
| JP3181194B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP3064780B2 (ja) | フレックスリジッド多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3312022B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP3181193B2 (ja) | 電子回路部品搭載用基板 | |
| JPH06314883A (ja) | 多層プリント配線基板及びその製造方法 | |
| JP4480207B2 (ja) | 樹脂パッケージ基板 | |
| JP3135739B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP3091051B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP4743974B2 (ja) | 樹脂フィルムおよび多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3469214B2 (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板 | |
| JP3469146B2 (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板 | |
| JP2000353775A (ja) | 導電性接続ピンおよびパッケージ基板 | |
| EP1814153A2 (en) | Circuit board for mounting electronic parts | |
| JP2000353764A (ja) | パッケージ基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080420 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090420 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |