JP2000353764A

JP2000353764A - パッケージ基板

Info

Publication number: JP2000353764A
Application number: JP23193199A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Ito; 均伊藤; Yoshiyuki Iwata; 義幸岩田; Naohiro Hirose; 直宏広瀬; Masanori Kawade; 雅徳川出
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-01-04
Filing date: 1999-08-18
Publication date: 2000-12-19
Anticipated expiration: 2019-08-18
Also published as: JP4554741B2

Abstract

(57)【要約】【課題】導電性接続ピンが剥離し難い樹脂パッケージ
基板を提供する。【解決手段】導体層５を設けた基板上に、マザーボー
ドとの電気的接続を得るための導電性接続ピン１００が
固定されてなるパッケージ基板３１０に導電性接続ピン
を固定するためのパッド１６を形成する。パッド１６を
部分的に露出させる開口部１８が形成された有機樹脂絶
縁層１５で被覆し、開口部から露出したパッドに導電性
接続ピン１００を導電性接着剤１７により固定すること
により、実装の際などに、導電性接続ピン１００を基板
から剥離しにくくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性接続ピンが
固定された樹脂パッケージ基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップ等をマザーボード又はドータ
ボードへ接続するためのパッケージ基板は、近年、信号
の高周波数化に伴い、低誘電率、低誘電正接が求められ
るようになった。そのため、基板の材質もセラミックか
ら樹脂へと主流が移りつつある。

【０００３】このような背景の下、樹脂基板を用いたプ
リント配線板に関する技術として、例えば、特公平４−
５５５５５号公報に、回路形成がなされたガラスエポキ
シ基板にエポキシアクリレートを層間樹脂絶縁層として
形成し、続いて、フォトリソグラフィの手法を用いてバ
イアホール用開口を設け、表面を粗化した後、めっきレ
ジストを設けて、めっきにより導体回路およびバイアホ
ールを形成した、いわゆるビルドアップ多層配線板が提
案されている。

【０００４】このようなビルドアップ多層配線板をパッ
ケージ基板として使用する場合には、マザーボードやド
ータボードヘ接続するための導電性接続ピンを取り付け
る必要がある。このピンはＴ型ピンと呼ばれ、図１８に
示すように柱状の接続部１２２と板状の固定部１２１と
で側面視略Ｔ字形状に形成されており、接続部１２２を
介してマザーボードのソケット等に接続するようになっ
ている。この導電性接続ピン１２０は、ビルトアップ多
層配線板の最外層の層間樹脂絶縁層２００（又は、コア
基板）の導体層をパッド１６とし、このパッド１６にハ
ンダなどの導電性接着剤１７を介して接着固定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構造では、パッド１６とその内層の層間樹脂絶縁層２
００との接着面積が小さいことに加え、金属製のパッド
と樹脂絶縁層という全く異なる材質ため、両者の接着強
度が充分でないという問題があった。そのため、信頼性
試験としての高温と低温とを繰り返すヒートサイクル条
件下で、パッケージ基板側とマザーボード又はドータボ
ード側との熱膨張率差により、基板に反りや凹凸が生じ
た場合、パッド１６と層間樹脂絶縁層２００との界面で
破壊が起こり、導電性接続ピン１２０がパッド１６と共
に基板から剥離する問題が見られた。また、当該導電性
接続ピンを介してパッケージ基板をマザーボードへ装着
する際、導電性接続ピンの位置と接続すべきマザーボー
ドのソケットとの間に位置ずれがあると、接続部に応力
が集中して導電性接続ピンがパッドとともに剥離するこ
とがあった。ヒートサイクルの高温領域下またはＩＣチ
ップを実装する際の熱によって、導電性ピンが脱落、傾
きを起こしたり、電気的接続が取れないこともあった。

【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めに提案されたものであって、導電性接続ピンが剥離し
難い樹脂パッケージ基板を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、本発明に到達した。すなわち、請求項１の発明
は、基板に他の基板との電気的接続を得るための導電性
接続ピンが固定されてなるパッケージ基板において、前
記基板上に導電性接続ピンを固定するためのパッドが形
成され、前記パッドは有機樹脂絶縁層で被覆されると共
に、該有機樹脂絶縁層には、前記パッドを部分的に露出
させる開口が形成されてなり、前記開口から露出される
パッドには、前記導電性ピンが導電性接着剤を介して固
定されていることを技術手段としている。

【０００８】請求項１の発明では、導電性接続ピンが固
定されるパッドは、当該パッドを部分的に露出する開口
部が設けられた有機樹脂絶縁層によって覆われる。従っ
て、導電性接続ピンを介してパッケージ基板をマザーボ
ード等の他の基板に取り付ける際などに、たとえば導電
性接続ピンとマザーボードのソケットとの間に位置のず
れなどがあって当該導電性接続ピンに応力が加わった場
合や、ヒートサイクル条件の熱履歴で基板に反りなどを
生じた場合でも、パッドが有機樹脂絶縁層で押さえられ
ており、基板から剥離するのを防止できる。特に、金属
性のパッドと層間樹脂絶縁層という全く異なる材質同士
の接着で、充分な接着力を得難い場合でも、パッド表面
から有機樹脂絶縁層で覆うことで、高い剥離強度を付与
することができる。

【０００９】また、請求項１の発明において、パッドの
大きさは、当該パッドが現れる有機樹脂絶縁層の開口部
よりやや大きくすることが重要である。それにより、パ
ッドが開口部から部分的に露出する。すなわち、パッド
の周縁が有機樹脂絶縁層で被われるのである。パッドの
大きさは、その直径が当該パッドを露出する有機樹脂絶
縁層の開口部の直径の、１．０２から１００倍とするの
がよい。パッドの直径が、開口部の直径の１．０２倍未
満では、パッドの周囲を有機樹脂絶縁層で確実に押さえ
ることができず、導電性接続ピンの剥離を防止できな
い。また、１００倍より大きくすると、導体層の高密度
化を阻害するからである。具体的には、有機樹脂絶縁層
に設けられた開口部の直径を１００から１，５００μｍ
としたとき、パッドの直径を１１０から２，０００μｍ
とする。

【００１０】請求項２の発明では、基板に他の基板との
電気的接続を得るための導電性接続ピンが固定されてな
るパッケージ基板において、前記基板上に、導電性接続
ピンを固定するためのパッドであって、該導電性接続ピ
ンを固定するための本体部と当該本体部の周縁に配設さ
れた延在部とからなるパッドが形成され、前記パッドの
延在部は有機樹脂絶縁層で被覆されると共に、該有機樹
脂絶縁層には、前記パッドの本体部を露出させる開口が
形成されてなり、前記開口から露出されるパッドの本体
部には、前記導電性ピンが導電性接着剤を介して固定さ
れていることを技術的特徴とする。

【００１１】請求項２では、パッドの周縁に配設された
延在部が有機樹脂絶縁層により覆われる。このため、導
電性接続ピンに応力が加わった際にも、パッドが有機樹
脂絶縁層により押さえられるため、基板から剥離するこ
とが防止できる。一方、パッドの本体部は、有機樹脂絶
縁層の開口により露出しており、有機樹脂絶縁層とパッ
ド部の本体部とは接触していないため、該有機樹脂絶縁
層とパッド部の本体部と接触によるクラックが発生する
ことがない。

【００１２】請求項５の発明は、導体層と層間樹脂絶縁
層とが交互に積層された構造を少なくとも一つ以上有す
るビルドアップ基板に、他の基板との電気的接続を得る
ための導電性接続ピンが固定されてなるパッケージ基板
において、前記ビルドアップ基板の、最外層の導体層の
一部または全部に、前記導電性接続ピンを固定するため
のパッドを形成し、前記パッドを、バイアホールを介し
て内層の導体層に接続するとともに、前記パッドに導電
性接続ピンが導電性接着剤を介して固定していることを
技術手段としている。

【００１３】請求項５の発明では、パッドがバイアホー
ルを介して内層の導体層と接合しているので、パッドと
基板との接触面積が増え、両者が強固に接合される。ま
た、前記したように、請求項１の発明では、導電性接続
ピンが固定されるパッドとそのパッドが接着する層間樹
脂絶縁層は、異素材間の接着となっているのに対し、請
求項５で示した発明では、パッドは内層の導体層と接続
する。そのため、両者は金属同士の接続となって、接続
がより確実となるとともに、パッドの剥離強度が高めら
れる。

【００１４】また、パッドを一つ以上のバイアホールを
介して内層の導体層と接続してもよい。パッドの接着面
積をさらに増して、より剥離しにくい構造とすることが
できるからである。なお、パッドをバイアホールを介し
て内層の導体層に接続する場合、バイアホールはそのパ
ッドの周辺部分に配置するのが接続性を高める上で効果
的である。そのため、バイアホールをリング状とし、そ
のリングを覆うようにパッドを設けてもよい。

【００１５】さらに、ビルドアップ基板において、導電
性接続ピンが固定されるパッドは、２層以上のバイアホ
ールを介して内層の導体層と接続するように構成しても
よく、パッケージ基板の形状や種類によっては、この二
層以上のバイアホールがそれぞれ一つ以上のバイアホー
ルよりなってもよい。いずれも、パッドの表面積が増し
ているので、接着強度を高めるために有効だからであ
る。更に、パッドが設けられるバイアホールを、パッド
を部分的に露出させる開口部を有する有機樹脂絶縁層に
よって被覆すれば、パッドの剥離を確実に防止すること
ができる。

【００１６】請求項６の発明では、導体層が形成された
コア基板に導体層と層間樹脂絶縁層が交互に積層された
構造を少なくとも一つ以上有するビルドアップ基板に、
他の基板との電気的接続を得るための導電性接続ピンが
固定されたパッケージ基板において、前記ビルドアップ
基板の最外層の導体層の一部または全部に、前記導電性
接続ピンを固定するためのパッドが形成され、前記パッ
ドはバイアホールを介して前記コア基板の導体層に接続
されるとともに、当該パッドには導電性接続ピンが導電
性接着剤を介して固定されていることを技術手段とす
る。

【００１７】コア基板上の導体層は、コア基板となる樹
脂基板の表面に粗化面（マット面）を介して強固に密着
しており、このような導体層にパッドを接続させること
により、パッドが層間樹脂絶縁層から剥離しにくくな
る。なお、パッドを一つ以上のバイアホールおよび二層
以上のバイアホールを介して内層の導体層に接合する場
合も、その内層の導体層はコア基板に設けたものであっ
てよい。

【００１８】請求項７の発明は、導体層を備えたスルー
ホールが形成されてなるコア基板の両面に、導体層と層
間樹脂絶縁層とが交互に積層された構造を少なくとも一
つ以上有するビルドアップ基板に、他の基板との電気的
接続を得るための導電性接続ピンが固定されたパッケー
ジ基板において、前記ビルドアップ基板の、最外層の導
体層の一部または全部に、前記導電性接続ピンを固定す
るためのパッドが形成され、前記パッドは、前記スルー
ホールの導体層とバイアホールを介して接続されている
とともに、当該パッドには導電性接続ピンが導電性接着
剤を介して固定されていることを技術手段とする。この
パッケージ基板によれば、外部端子である導電性接続ピ
ンと、当該導電性接続ピンが設けられる側の反対側面に
ある他の基板との配線長を短くすることができる。具体
的には、コア基板において、スルーホール周辺のランド
およびスルーホール内に充填された樹脂充填材にバイア
ホールを介してパッドを接続する。また、スルーホール
を導体層で被う、いわゆる蓋めっきを行い、この導体層
に、バイアホールを介してパッドを接続することもでき
る。さらに、スルーホールのランドのみにバイアホール
を介してパッドを接続してもよい。

【００１９】請求項１４の発明では、導電性接着剤の融
点が１８０〜２８０℃であることによって、導電性接続
ピンとの接着強度２．０Ｋg／pin以上が確保される。こ
の強度は、ヒートサイクルなどの信頼性試験後、あるい
は、ＩＣチップの実装の際に要する熱を加えた後でも、
その強度の低下が少ない。１８０℃未満の場合は、接着
強度も２．０Ｋｇ／pin前後であり、場合によっては、
１．５Ｋg／pin程度しか出ない。また、ＩＣチップ実装
の加熱によって、導電性接着剤が溶解してしまい、導電
性接続ピンの脱落、傾きを起こってしてしまう。２８０
℃を越える場合は、導電性接着剤の溶解温度に対して、
樹脂層である樹脂絶縁層、ソルダーレジスト層が溶けて
しまう。特に、望ましい温度は、２００〜２６０℃であ
る。その温度の導電性接着剤であることが、導電性接続
ピンの接着強度のバラツキも少なくなり、実際に加わる
熱がパッケージ基板を構成する樹脂層への損傷もないか
らである。

【００２０】請求項１５の発明では、導電性接着剤は、
スズ、鉛、アンチモン、銀、金、銅が少なくとも１種類
以上で形成されていることによって、前述の融点を有す
る導電性接着剤を形成することができる。特に、スズ−
鉛あるいはスズ−アンチモンが少なくとも含有されてい
る導電性接着剤が、前述の融点の範囲を形成させること
ができ、熱によって融解しても、再度、固着し易く導電
性接続ピンの脱落、傾きを引き起こさない。

【００２１】前記導電性接着剤は、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／
Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｐｂの合金であること
によって、特に、接着強度も２．０Ｋg／pinであり、そ
のバラツキも小さく、ヒートサイクル条件下やＩＣチッ
プの実装の熱によっても、導電性接続ピンの接着強度の
低下もなく、ピンの脱落、傾きを引き起こさず、電気的
接続も確保されている。

【００２２】

【発明の実施の形態】次に、図１ないし図８に従い、第
１実施例のパッケージ基板を、ビルドアップ基板の製造
方法とともに説明する。以下の方法は、セミアディティ
ブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用し
てもよい。

【００２３】［第１実施例］（１）まず、基板の表面に導体層を形成したコア基板
を作成する。コア基板としては、ガラスエポキシ基板、
ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板
などの樹脂絶縁基板の両面に銅箔８を貼った銅張積層板
を使用することができる（図１（ａ）参照）。銅箔８
は、片面が粗化面（マット面）となっており、樹脂基板
に強固に密着している。この基板に、ドリルで貫通孔を
設けた後、無電解めっきを施しスルーホール９を形成す
る。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。引き続
き、めっきレジストを形成し、エッチング処理して導体
層４を形成する。なお、銅箔の厚付けのためにさらに電
気めっきを行ってもよい。この電気めっきにも銅めっき
が好ましい。また、電気めっきの後、導体層４の表面お
よびスルーホール９の内壁面を粗面４ａ，９ａとしても
よい（図１（ｂ）参照）。

【００２４】この粗化処理方法としては、例えば、例え
ば黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第２銅錯体の混合
水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐの針状合金
めっきによる処理などが挙げられる。

【００２５】次に、得られた基板を水洗してから乾燥す
る。その後、基板表面の導体層４間およびスルーホール
９内に樹脂充填材１０を充填し、乾燥させる（図１
（ｃ））。引き続き、基板両面の不要な樹脂充填材１０
をベルトサンダー研磨などで研削し、導体層４を露出さ
せ、樹脂充填材１０を本硬化させる。導体層４間および
スルーホール９による凹部を埋めて基板を平滑化する
（図１（ｄ）参照）。

【００２６】次に、露出した導体層４の表面に粗化層１
１を再度設ける（図２（ａ）参照）。なお、図２（ａ）
中の円で示す部分は、粗化層１１が設けられた導体層４
を拡大して示している。この粗化層１１は、先に述べた
ようなＣｕ−Ｎｉ−Ｐの針状あるいは多孔質状合金層に
より形成されていることが望ましいが、この他にも黒化
（酸化）−還元処理やエッチング処理で粗化層を形成す
ることもできる。Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状または多孔質状合
金層による場合、荏原ユージライト製商品名「インター
プレート」により、また、エッチング処理は、メック社
製商品名「ＭＥＣｅｔｃｈＢｏｎｄ」により行うこ
とが望ましい。

【００２７】（２）上記（１）で作成した導体層４を
有する配線基板の両面に樹脂層２ａ、２ｂからなる樹脂
絶縁層２を形成する（図２（ｂ）参照）。この樹脂絶縁
層２は後述するようにパッケージ基板の層間樹脂絶縁層
２００として機能する。上記樹脂絶縁体層（以下、層間
樹脂絶縁層２００）を構成する材料としては、例えば、
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂またはこれらの複合樹脂な
どが挙げられる。層間樹脂絶縁層２として、無電解めっ
き用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めっき
用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性
の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬
化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
後述するように酸、酸化剤の溶液で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。

【００２８】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒子径が相
対的に大きな粒子と平均粒子径が相対的に小さな粒子を
混合した粒子が望ましい。これらはより複雑なアンカー
を形成できるからである。

【００２９】使用できる耐熱性樹脂としては、例えば、
エポキシ樹脂（ビスＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂など）、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。複合
させる熱可塑性樹脂として、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレ
ンサルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリ
エーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。また、酸や
酸化剤の溶液に溶解する耐熱性樹脂粒子としては、たと
えば、エポキシ樹脂（特にアミン系硬化剤で硬化させた
エポキシ樹脂がよい）、アミノ樹脂や、ポリエチレン系
ゴム、ポリブタン系ゴム、ポリブタジェンゴム、ポリブ
チンゴムなどのゴムが挙げられる。層間絶縁層は、塗
布、樹脂フィルムを加熱圧着などを施して形成される。

【００３０】（３）次に、層間樹脂絶縁層２に、導体
層４との電気接続を確保するためのバイアホール形成用
開口６を設ける（図２（ｃ）参照）。上述した無電解め
っき用接着剤を用いる場合には、バイアホール形成のた
めの円パターンが描画されたフォトマスクを載置し、露
光、現像処理してから熱硬化することで開口６を設け
る。一方、熱硬化性樹脂を用いた場合には、熱硬化した
のちレーザー加工することにより、上記層間樹脂絶縁層
にバイアホール用の開口６を設ける。また、樹脂フィル
ムを貼り付けて層間絶縁層を形成させた場合には、炭
酸、ＹＡＧ、エキシマ、ＵＶレーザ等のレーザで加工す
ることにより、バイアホール用の開口を設ける。必要に
応じて過マンガン酸などによるディップあるいは、プラ
ズマなどのドライエッチングによってデスミヤ処理をす
る。

【００３１】（４）次に、バイアホール形成用開口６
を設けた層間樹脂絶縁層２の表面を粗化する（図２
（ｄ）参照）。層間樹脂絶縁層２に無電解めっき用接着
剤を用いた場合、この無電解めっき用接着剤層の表面に
存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去す
ることにより、無電解めっき用接着剤層２の表面を粗化
して、蛸壺状のアンカーを設ける。

【００３２】ここで、上記酸としては、例えば、リン
酸、塩酸、硫酸などの強酸、または蟻酸や酢酸などの有
機酸を用いることができる。特に、有機酸を用いるのが
望ましい。これは、粗化処理した場合に、バイアホール
用開口６から露出する金属導体層４を腐食させにくいか
らである。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マ
ンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）の水溶液を用
いることが望ましい。

【００３３】前記粗化は、表面の最大粗度Ｒｍａｘ０．
１〜２０μｍがよい。厚すぎると粗化面自体が損傷、剥
離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。

【００３４】（５）次に、層間樹脂絶縁層２の表面を
粗化した配線基板に、触媒核を付与する。触媒核の付与
には、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いること
が望ましく、一般的には塩化パラジウムやパラジウムコ
ロイドを使用する。なお、この触媒核を固定するため
に、加熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核
にはパラジウムが好適である。

【００３５】（６）続いて、粗化し触媒核を付与した
層間樹脂絶縁層２の全面に無電解めっきを施し、無電解
めっき膜１２を形成する（図３（ａ）参照）。この無電
解めっき膜１２の厚みは、０．１〜５μｍが好ましい。

【００３６】次に、無電解めっき膜１２の表面にめっき
レジスト３を形成する（図３（ｂ）参照）。形成した無
電解めっき膜１２上に感光性樹脂フィルム（ドライフィ
ルム）をラミネートし、この感光性樹脂フィルム上に、
めっきレジストパターンが描画されたフォトマスク（ガ
ラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し現像処理
することによりめっきレジスト３を形成できる。

【００３７】（７）次に、電気めっきを施し、無電解
めっき膜１２上のめっきレジスト非形成部に電気めっき
膜を形成し、導体層５とバイアホール７を形成する。そ
の厚みは５〜２０μｍがよい。この電気めっきには、銅
めっきが好ましい。また、電気めっき後に、電解ニッケ
ルめっき、無電解ニッケルめっき、またはスパッタから
選ばれる少なくとも１の方法により、ニッケル膜１４を
形成する（図３（ｃ）参照）。このニッケル膜１４上に
はＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金めっきが析出しやすいか
らである。また、ニッケル膜はメタルレジストとして作
用するため、その後の工程でも過剰エッチングを防止す
るという効果を奏する。

【００３８】（８）続いて、めっきレジスト３を除去
した後、そのめっきレジスト下に存在していた無電解め
っき膜１２を、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナト
リウム、過硫酸アンモニウムなどの水溶液からなるエッ
チング液にて除去し、無電解めっき膜１２、電解めっき
膜１３及びニッケル膜１４の３層からなる独立した導体
層５とバイアホール７を得る（図３（ｄ）参照）。な
お、非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核
は、クロム酸、硫酸過水などにより溶解除去する。

【００３９】（９）次に、導体層５とバイアホール７
の表面に粗化層１１を設け、さらに層間樹脂絶縁層２と
して先に述べた無電解めっき用接着剤の層を形成する。
（図４（ａ）参照）。

【００４０】（１０）この層間樹脂絶縁層２に、バイ
アホール用開口６を設けるとともに、層間樹脂絶縁層２
の表面を粗化する。（図４（ｂ）参照）。

【００４１】（１１）つづいて、この粗化した層間樹
脂絶縁層２の表面に触媒核を付与した後、無電解めっき
膜１２を形成する（図４（ｃ）参照）。

【００４２】（１２）無電解めっき膜１２の表面にめ
っきレジスト３を形成し、先に述べたように、めっきレ
ジスト３の非形成部に電気メッキ膜１３、ニッケルめっ
き膜１４を形成する（図４（ｄ）参照）。

【００４３】（１３）めっきレジスト３を除去し、め
っきレジスト下の無電解めっき膜１２を除去し、導体層
（導電性接続ピンを固定するパッド１６となる導体層を
含む）５、およびバイアホール７を設け、片面３層の６
層のビルドアップ基板を得る（図５参照）。

【００４４】（１４）このようにして得られたビルド
アップ基板の導体層５及びバイアホール７に粗化層１１
を形成し、パッド１６を部分的に露出させる開口部１８
を有する有機樹脂絶縁層１５で被覆する（図６参照）。
有機樹脂絶縁層の厚さは５〜４０μｍがよい。薄すぎる
と絶縁性能が低下し、厚すぎると開口し難くなるうえ半
田と接触し、クラックなどの原因となるからである。

【００４５】この有機樹脂絶縁層を構成する樹脂として
は、種々のものが使用でき、例えば、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のア
クリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダ
ゾール硬化剤で硬化させた樹脂を使用できる。

【００４６】このような構成の有機樹脂絶縁層は、鉛の
マイグレーション（鉛イオンが、有機樹脂絶縁層内を拡
散する現象）が少ないといった利点を有する。しかも、
この有機樹脂絶縁層は、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、
ハンダなどの導電性接着剤が溶融する温度（２００℃前
後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのよ
うな強塩基性のめっき液で分解することもない。

【００４７】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしてはフェノールノボラックやクレゾー
ルノボラックのグリシジルエーテルをアクリル酸やメタ
クリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いるこ
とができる。上記イミダゾール硬化剤は、２５℃で液状
であることが望ましい。液状であれば均一混合できるか
らである。

【００４８】このような液状イミダゾール硬化剤として
は、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（品名：１
Ｂ２ＭＺ）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール（品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）、４−メチ
ル−２−エチルイミダゾール（品名：２Ｅ４ＭＺ）を用
いることができる。

【００４９】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
有機樹脂絶縁層の総固形分に対して１から１０重量％と
することが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内
にあれば均一混合がしやすいからである。上記有機樹脂
絶縁層の硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテ
ル系の溶剤を使用することが望ましい。かかる組成物を
用いた有機樹脂絶縁層は遊離酸素が発生せず、パッド表
面を酸化させず、また人体に対する有害性も少ないから
である。

【００５０】上記グリコールエーテル系溶剤としては、
望ましくはジエチレングリコールジメチルエーテル（Ｄ
ＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテ
ル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を
用いる。これらの溶剤は、３０〜５０℃程度の加温によ
り、反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトン
を完全に溶解させることができるからである。このグリ
コールエーテル系の溶媒は、有機樹脂絶縁層の組成物の
全重量に対して１０〜４０重量％がよい。

【００５１】以上説明したような有機樹脂絶縁層の組成
物には、そのほかに各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
てはチバガイギー社製のイルガキュアＩ９０７、光増感
剤としては日本化薬社製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。さら
に、有機樹脂絶縁層の組成物には色素や顔料を添加して
もよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色
素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ま
しい。

【００５２】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後
者がよい。

【００５３】また、これらの有機樹脂絶縁層組成物は、
２５℃で０．５から１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜
１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度
だからである。

【００５４】（１５）前記開口部１８内に金めっき
膜、ニッケルめっき膜−金めっき膜などの耐食金属であ
る金属膜１９の形成を行った後、パッケージ基板の下面
側（ドータボード、マザーボードとの接続面）となる開
口部１６内に、導電性接着剤１７としてハンダペースト
を印刷する。半田ペースの粘度としては、５０〜４００
ＰａＳの範囲で行うことがよい。さらに、導電性接続ピ
ン１００を適当なピン保持装置に取り付けて支持し、導
電性接続ピン１００の固定部１０１を開口部１６内の導
電性接着剤１７に当接させて、２４０〜２７０℃でリフ
ロを行い，導電性接続ピン１００を導電性接着剤１７に
固定する（図７参照）。または、導電性接着剤をボール
状等とに形成したものを開口部内に入れて、あるいは、
導電性接続ピンの板状の固定部側に接合させて導電性接
続ピンを取り付けた後、リフローさせてもよい。また、
図７において円で囲んで示した導電性接続ピン１００を
設けたパッド部分を、図８に拡大して示した。なお、パ
ッケージ基板３１０において、上面側の開口１８には、
ＩＣチップなどの部品に接続可能なハンダバンプ２３０
を設けた。

【００５５】本発明に用いられる導電性接続ピン１００
は、板状の固定部１０１とこの板状の固定部１０1の略
中央に突設された柱状の接続部１０２とからなる、いわ
ゆるＴ型ピンが好適に用いられる。板状の固定部１０１
は、パッド１６となるパッケージ基板の最外層の導体層
５に導電性接着剤１７を介して固定される部分であっ
て、パッドの大きさに合わせた円形状や多角形状など適
当に形成される。また、接続部１０２の形状は、他の基
板の端子など接続部に挿入可能な柱状であれば問題な
く、円柱・角柱・円錐・角錐など何でもよい。

【００５６】導電性接続ピン１００の材質にも金属であ
れば限定はなく、金・銀・銅・鉄・ニッケル・コバルト
・スズ・鉛などの中から少なくとも１種類以上の金属で
形成するのがよい。特に、鉄合金である、商品名「コバ
ール」（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ）、ステンレスや、銅合金で
あるリン青銅が挙げられる。電気的特性および導電性接
続ピンとしての加工性に優れているからである。また、
この導電性接続ピンは、一種類の金属または合金で形成
しても、腐食防止あるいは強度向上のために表面を他の
金属層で被覆してもよい。さらに、セラミックなどの絶
縁性物質で形成し、その表面を金属層で被覆してもよ
い。

【００５７】導電性接続ピン１００において、柱状の接
続部１０２は直径が０．１〜０．８ｍｍで長さが１．０
〜１０ｍｍ、板状の固定部１０１の直径は０．５〜２．
０ｍｍの範囲とすることが望ましく、パッドの大きさや
装着されるマザーボードのソケット等の種類などによっ
て適宜に選択される。

【００５８】本発明のパッケージ基板に用いられる導電
性接着剤１７としては、ハンダ（スズ−鉛、スズ−アン
チモン、銀−スズ−銅など）、導電性樹脂、導電性ペー
ストなどを使用することができる。導電性接着剤の融点
が１８０〜２８０℃の範囲のものを用いることがよい。
それにより、導電性接続ピンの接着強度２．０Ｋg／pin
以上が確保され、ヒートサイクル条件下やＩＣチップの
実装の際にかかる熱による導電性接続ピンの脱落、傾き
がなくなり、電気的接続も確保されるのである。ハンダ
で形成するのが最も好ましい。導電性接続ピンとの接続
強度に優れているとともに、熱にも強く、接着作業がや
りやすいからである。

【００５９】導電性接着剤１７をハンダで形成する場
合、Ｓｎ／Ｐｂ＝９５／５、６０／４０などの組成より
なるハンダを使用するのが好適である。用いられるハン
ダの融点も１８０〜２８０℃の範囲にあるものが好適で
ある。特に望ましいのは２００〜２６０℃の範囲である
ものがよい。それにより、導電性接続ピンの接着強度の
バラツキも少なくなり、実装の際に加わる熱がパッケー
ジ基板を構成する樹脂層を損傷しないからである。

【００６０】このパッド１６は、図８に示すように、当
該パッド１６を部分的に露出させる開口部１８が形成さ
れた有機樹脂絶縁層（スルーホール層）１５により被覆
されており、開口部１８から露出したパッド１６に導電
性接着剤１７を介して導電性接続ピン１００の固定部１
０１が固定されている。図から理解されるように、この
有機樹脂絶縁層１５は、パッド１６の周囲を押さえるよ
うに被覆しているので、ヒートサイクル時や、パッケー
ジ基板をマザーボードへ装着する際などに、導電性接続
ピン１００に応力が加わっても、パッド１６の破壊およ
び層間樹脂絶縁層１５との剥離を防止できる。また、金
属と樹脂という異なった素材同士の接着においても剥離
し難くなっている。なお、ここでは、層間樹脂絶縁層が
形成された多層プリント配線板から成るパッケージ基板
を例示したが、１枚の基板のみからなるパッケージ基板
にも第１実施例の構成は適用可能である。

【００６１】ａ．第１改変例図１７は、第１実施例の第１改変例に係るパッケージ基
板３１９を示している。ここで、図１７（Ａ）は、パッ
ケージ基板３１９の要部の断面図であり、図１７（Ｂ）
は、図１７（Ａ）のＢ矢視図である。ここで、図１７
（Ｂ）中のＡ−Ａ断面が、図１７（Ａ）に相当する。図
１７（Ｂ）に示すように、ランド１６は、導電性接続ピ
ン１００を取り付けるための円形の本体部１６ｂと、該
本体部１６ｂの周縁に配設された延在部１６ａとからな
り、該本体部１６ｂには、更に信号線１６ｃが接続され
ている。図８を参照して上述した例では、ランド１６の
周縁が層間樹脂絶縁層（有機樹脂絶縁層）１５により押
さえられていた。これに対して、第１改変例では、パッ
ド（本体部１６ｂ）の周縁に配設された延在部１６ａ
が、ソルダーレジスト層１５により覆われる。本体部１
６ｂは、ソルダーレジスト層１５に設けられた開口部１
８により露出されている。

【００６２】この第１改変例においても、パッド（本体
部１６ｂ）の周縁に配設された延在部１６ａがソルダー
レジスト層１５により覆われるため、導電性接続ピン１
００に応力が加わった際にも、基板から剥離することを
防止できる。一方、パッドの本体部１６ｂは、有機樹脂
絶縁層１５の開口部１８により露出しており、有機樹脂
絶縁層１５とパッド部の本体部１６ａとは接触していな
いため、該有機樹脂絶縁層１５とパッド部の本体部１６
ａと接触により、当該有機樹脂絶縁層１５側にクラック
を発生させることがない。

【００６３】［第２実施例］このパッケージ基板３１１
は、基本的には図７および図８を参照して上述した第１
実施例と同様であるが、導電性接続ピン１００を固定す
るパッド１６を、バイアホール７を介して、最外層側層
間樹脂絶縁層２００の内層の導体層１６０（５）に接続
する。この例では、有機樹脂絶縁層１５によりパッド１
６は被覆しなかった（図９参照）。製造工程は、（１）
から（１４）までは第１実施例と全く同じであるため、
以下の工程（１５）から説明する。

【００６４】（１５）バイアホール７内に、導電性接
着剤となるハンダペースト（Ｓn／Ｓb＝９５：５）１７
を充填する。ここでは、有機樹脂絶縁層１５の表面にマ
スク材（図示せず）を配置し密着させてハンダペースト
を印刷し、最高２７０℃でリフロした。（１６）導電性接続ピンのパッドへの固定は、第１実
施例と同じである。この例では、バイアホール７によっ
てパッド１６と基板との接着面積が大きくなっているの
で、パッド１６の剥離強度を高めることができる。ま
た、内層の導体層１６０は金属層であるので、同じ金属
製のパッド１６の接着性も良好で、剥がれにくい構造と
なっている。

【００６５】なお、パッドが接続する内層の導体層は、
コア基板１に設けられていてもよい。先に述べたよう
に、コア基板上の導体層は粗化面を介してコア基板と強
固に密着しているので、パッドをより剥離し難くするこ
とができる。

【００６６】ａ．第１改変例基本的に第２実施例と同じであるが、パッド１６を設け
たバイアホール７を、そのパッドが部分的に露出する開
口部１８を有する有機樹脂絶縁層１５によって被覆した
パッケージ基板３１２である（図１０参照）。このパッ
ケージ基板３１２は、パッド１６がバイアホール７に設
けられ、しかもその表面を有機樹脂絶縁層１５で覆って
いるので、パッド１６と基板との剥離強度に優れてい
る。

【００６７】ｂ．第２改変例基本的に第１改変例と同じであるが、一の導電性接続ピ
ン１００を固定するパッド１６を、複数のバイアホール
７を介して、層間樹脂絶縁層２００の内層の導体層１６
０に接続したパッケージ基板３１３である（図１１
（Ａ）参照）。本例では、図１１（Ｂ）に示すように、
バイアホール７を円形に６つ配置し、各バイアホール７
を覆うようにパッド１６を形成した。図１１（Ｂ）は、
図１１（Ａ）をバイアホール７側から見たＢ矢視図であ
る。なお、図１１（Ｂ）に示すバイアホール７の位置で
は、断面で示した場合、図１１（Ａ）のような３つのバ
イアホール７は現れないが、図示の便宜上、向こう側の
バイアホールを点線で示してある。

【００６８】ｃ．第３改変例基本的に第２改変例と同じであるが、バイアホール７の
形状を、図１２（Ｂ）で示すようなリング状としたパッ
ケージ基板３１４である（図１２参照）。図１２（Ｂ）
は図１２（Ａ）のＢ矢視図である。

【００６９】第２改変例では複数のバイアホール７によ
って、また、第３改変例ではリング状のバイアホール７
によって、基板との接着面積が更に大きくなっている。

【００７０】ｄ．第４改変例基本的に図１１に示して説明した第２改変例と同じであ
るが、内層の層間樹脂絶縁層２００にも円形に配置した
複数のバイアホール７を設け、パッド１６が設けられる
外層側バイアホール７と内層のバイアホール７とを接合
したパッケージ基板３１５である（図１３参照）。この
パッケージ基板３１５では、複数のバイアホール７同士
を結合しているので、パッド１６が極めて剥がれ難くな
っている。

【００７１】なお、先に述べたように、これら各改変例
においても、パッドが設けられる内層の導体層はコア基
板１に形成されたものであることが望ましい。コア基板
上の導体層は、コア基板となる絶縁基板と粗化面（マッ
ト面）を介して強固に密着しており、このようなコア基
板上の導体層に接続させることにより、パッド１６が層
間樹脂絶縁層２００から剥離し難くなる。

【００７２】［第３実施例］基本的に第２実施例の第２
改変例と同じであるが、パッド１６を接続する内層の導
体層をコア基板１のスルーホール９に設けた導体層（ラ
ンド９１）とし、有機樹脂絶縁層１５によりパッド１６
の周縁を覆ったパッケージ基板３１６である（図１４参
照）。図示されるように、スルーホール９のランド９１
およびスルーホール９内の樹脂充填材１０に、バイアホ
ール７を介してパッド１６を接続している。

【００７３】つまり、パッド１６は、バイアホール７を
介してコア基板１の導体層に接続していることに特徴が
ある。コア基板１上の導体層は、コア基板となる絶縁基
板と粗化面（マット面）を介して強固に密着しており、
このようなコア基板上の導体層に接続させることによ
り、パッド１６が層間樹脂絶縁層２００から剥離し難く
なる。また、スルーホール９とパッド１６とがバイアホ
ール７を介して接続されている。このため、外部端子で
ある導電性接続ピン１００と、該導電性接続ピン１００
該導電性接続ピン１００が設けられる側の反対に位置す
るＩＣチップ（半導体チップ）との間の配線長を短くで
きる。

【００７４】ａ．第１改変例基本的に第３実施例と同じであるが、スルーホール９に
当該スルーホール９を覆う蓋めっきと呼ばれる導体層９
０を形成し、この導体層９０にバイアホール７を介して
パッド１６を接続したパッケージ基板３１７である（図
１５参照）。

【００７５】ｂ．第２改変例基本的に第３実施例と同じであるが、バイアホールを介
して、スルーホール９のランド９１のみにパッド１６を
接続したパッケージ基板３１８である（図１６参照）。
これらの例では、パッド１６が、コア基板１表面の導体
層４と接着して剥がれにくい構造となっているだけでな
く、特にスルーホールのランド９１と結合させること
で、基板裏面側との配線長を短くすることができる。

【００７６】［第４実施例］基本的に第２実施例と同じ
であるが、ハンダをボール状にしたものを導電性接続ピ
ンに取り付けて、その後、導電性接続ピンを配設した。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パッドと基板との接着強度を高めることができるので、
導電性接続ピンおよび当該ピンが設けられるパッドの剥
離防止に有効で、接続信頼性を向上させることができ
る。

【００７８】図１９に実施例のパッケージ基板を評価し
た結果を示す。評価項目として、接合後の導電性接続ピ
ンの最小の接着強度、加熱試験（仮想のＩＣ実測状態の
再現、ピンを配設した基板を２５０℃にした窒素リフロ
ー炉に通すことによる評価）、およびヒートサイクル条
件下（１３０℃／３分＋−６５℃／３分を１サイクルと
して、１００００サイクル実施）後の各々のピンの状
態、最小接着強度、導通試験を行った。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ），図１
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図２】図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ），図２
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図３】図３（ａ），図３（ｂ），図３（ｃ），図３
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図４】図４（ａ），図４（ｂ），図４（ｃ），図４
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図５】本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の断
面図である。

【図６】本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の断
面図である。

【図７】本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の断
面図である。

【図８】図７において、導電性接続ピンをパッドに接続
した部分を拡大した断面図である。

【図９】本発明の第２実施例に係るパッケージ基板の断
面図である。

【図１０】第２実施例の第１改変例を示す断面図であ
る。

【図１１】第２実施例の第２改変例を示す図であって、
図１１（Ａ）はパッド部分の断面図、図１１（Ｂ）は図
１１（Ａ）のＢ矢視図である。

【図１２】第２実施例の第３改変例を示す図あって、図
１２（Ａ）パッド部分の断面図、図１２（Ｂ）は図１２
（Ａ）のＢ矢視図である。

【図１３】第２実施例の第４改変例を示す断面図であ
る。

【図１４】第３実施例に係るパッケージ基板の断面図で
ある。

【図１５】第３実施例の第１改変例を示す断面図であ
る。

【図１６】第３実施例の第２改変例を示す断面図であ
る。

【図１７】図１７（Ａ）は、第１実施例の第１改変例を
示す断面図であり、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）のＢ
矢視図である。

【図１８】従来技術のパッケージ基板を示す断面図であ
る。

【図１９】各実施例のパッケージ基板の評価結果を示す
図表である。

【符号の説明】

１コア基板２，２００層間樹脂絶縁層３めっきレジスト４導体層（下層）４ａ粗化面５導体層（上層）６バイアホール用開口７バイアホール８銅箔９スルーホール９ａ粗化面９１スルーホールのランド１０樹脂充填剤１１粗化層１２無電解めっき膜１３電解めっき膜１４ニッケルめっき層１５有機樹脂絶縁層１６パッド１６ａ延在部１６ｂ本体部１７導電性接着剤１８開口部１００導電性接続ピン１０１固定部１０２接続部３１０，３１１，３１２，３１３パッケージ基板３１４，３１５，３１６，３１７，３１８パッケージ
基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＮＨ０１Ｌ 23/12 Ｋ (72)発明者広瀬直宏岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者川出雅徳岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 5E085 BB08 BB13 CC07 DD05 EE01 EE15 EE34 GG26 HH40 JJ06 JJ35 5E344 AA01 BB06 CC23 CD14 EE17 5E346 AA41 AA43 BB16 CC08 CC09 CC10 CC37 CC41 DD25 DD33 EE33 FF07 FF15 FF18 GG17 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に他の基板との電気的接続を得るた
めの導電性接続ピンが固定されてなるパッケージ基板に
おいて、前記基板上に導電性接続ピンを固定するためのパッドが
形成され、前記パッドは有機樹脂絶縁層で被覆されると共に、該有
機樹脂絶縁層には、前記パッドを部分的に露出させる開
口が形成されてなり、前記開口から露出されるパッドには、前記導電性ピンが
導電性接着剤を介して固定されていることを特徴とする
パッケージ基板。
【請求項２】基板に他の基板との電気的接続を得るた
めの導電性接続ピンが固定されてなるパッケージ基板に
おいて、前記基板上に、導電性接続ピンを固定するためのパッド
であって、該導電性接続ピンを固定するための本体部と
当該本体部の周縁に配設された延在部とからなるパッド
が形成され、前記パッドの延在部は有機樹脂絶縁層で被覆されると共
に、該有機樹脂絶縁層には、前記パッドの本体部を露出
させる開口が形成されてなり、前記開口から露出されるパッドの本体部には、前記導電
性ピンが導電性接着剤を介して固定されていることを特
徴とするパッケージ基板。
【請求項３】前記基板が導体層と層間樹脂絶縁層とが
交互に積層された構造を少なくとも一つ以上有するビル
トアップ基板であることを特徴とする請求項１又は２に
記載のパッケージ基板。
【請求項４】前記パッドの直径は、開口部の直径の
１．０２〜１００倍であることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１に記載のパッケージ基板。
【請求項５】導体層と層間樹脂絶縁層とが交互に積層
された構造を少なくとも一つ以上有するビルドアップ基
板に、他の基板との電気的接続を得るための導電性接続
ピンが固定されてなるパッケージ基板において、前記ビルドアップ基板の最外層の導体層の一部または全
部に、前記導電性接続ピンを固定するためのパッドが形
成され、前記パッドは、バイアホールを介して内層の導体層に接
続されるとともに、前記パッドに前記導電性接続ピンが
導電性接着剤を介して固定されていることを特徴とする
パッケージ基板。
【請求項６】導体層が形成されたコア基板の両面に導
体層と層間樹脂絶縁層とが交互に積層された構造を少な
くとも一つ以上有するビルドアップ基板に、他の基板と
の電気的接続を得るための前記導電性接続ピンが固定さ
れたパッケージ基板において、前記ビルドアップ基板の、最外層の導体層の一部または
全部に、前記導電性接続ピンを固定するためのパッドが
形成され、前記パッドはバイアホールを介して前記コア基板の導体
層に接続されるとともに、当該パッドには前記導電性接
続ピンが導電性接着剤を介して固定されていることを特
徴とするパッケージ基板。
【請求項７】導体層を備えたスルーホールが形成され
てなるコア基板の両面に、導体層と層間樹脂絶縁層とが
交互に積層された構造を少なくとも一つ以上有するビル
ドアップ基板に、他の基板との電気的接続を得るための
導電性接続ピンが固定されたパッケージ基板において、前記ビルドアップ基板の、最外層の導体層の一部または
全部に、前記導電性接続ピンを固定するためのパッドが
形成され、前記パッドは、前記スルーホールの導体層とバイアホー
ルを介して接続されているとともに、当該パッドには前
記導電性接続ピンが導電性接着剤を介して固定されてい
ることを特徴とするパッケージ基板。
【請求項８】前記パッドは、少なくとも一つ以上のバ
イアホールを介して内層の導体層に接続していることを
特徴とする請求項５ないし７のいずれか１に記載のパッ
ケージ基板。
【請求項９】前記パッドは、リング状のバイアホール
を介して内層の導体層に接続されていることを特徴とす
る請求項５ないし８のいずれか１に記載のパッケージ基
板。
【請求項１０】前記パッドは、少なくとも二層以上に
設けられたバイアホールを介して内層の導体層と接続し
ていることを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１
に記載のパッケージ基板。
【請求項１１】前記最外層の導体層は、パッドを部分
的に露出させる開口部が形成された有機樹脂絶縁層で被
覆され、前記開口部から露出したパッドに前記導電性接
続ピンが導電性接着剤を介して固定されていることを特
徴とする請求項５ないし１０のいずれか１に記載のパッ
ケージ基板。
【請求項１２】前記パッドの直径は、前記開口部の直
径の１．０２〜１００倍であることを特徴とする請求項
１１に記載のパッケージ基板。
【請求項１３】前記導電性接続ピンは、柱状の接続部
と板状の固定部とからなり、前記固定部がパッドに固定
されていることを特徴とする請求項１ないし１２のいず
れか１に記載のパッケージ基板。
【請求項１４】前記導電性接着剤は、融点が１８０〜
２８０℃であることを特徴とする請求項１ないし１３の
いずれか１に記載のパッケージ基板。
【請求項１５】前記導電性接着剤は、スズ、鉛、アン
チモン、銀、金、銅が少なくとも１種類以上で形成され
ていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか
１に記載のパッケージ基板。
【請求項１６】前記導電性接着剤は、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓ
ｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｐｂの合金である
ことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１に記
載のパッケージ基板。