JP2000091469A

JP2000091469A - プリント配線板

Info

Publication number: JP2000091469A
Application number: JP28194198A
Authority: JP
Inventors: Nobumasa Goto; 伸方後藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-09-16
Filing date: 1998-09-16
Publication date: 2000-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】導体回路、ダミーパターンの配線の線細り、
断線がなく、かつ、層間絶縁樹脂層及びめっき厚の厚み
のバラツキがないプリント配線板を提供する。【解決手段】ダミーパターン５８Ｄと接続される導体
回路５８との接続角度を直角にすることにより、製造時
のエッチング工程でエッチング液の液溜まりがなくな
り、過剰なエッチングによる配線５８Ｄの線細り、断線
の発生を防止できる。そして、ダミーパターン５８Ｄを
直角に接続するために、ダミーパターンに曲げ部Ｊを設
け、その曲げ角度の鋭角部分を４５°〜１８０°にす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、配線及びダミー
パターンからなる導体層の形成されたプリント配線板に
関し、特に、配線及びダミーパターンからなる導体層と
層間樹脂絶縁層とが積層されたビルドアップ配線層が、
コア基板の表面に形成されてなるプリント配線板に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】層間絶縁樹脂層と導体回路とを交互に積
層することにより形成するビルドアップ多層プリント配
線板において、層間樹脂絶縁層を平滑に形成すること
が、適正に導体回路を形成する上で求められる。このプ
リント配線板の構成について、図１１（Ａ）を参照して
説明する。

【０００３】コア基板２３０の上層には、導体回路２３
４が形成され、該コア基板２３０上の導体回路２３４、
２３４間には充填剤２４０が充填されている。即ち、コ
ア基板に充填剤２４０を塗布した状態で表面研磨がなさ
れており、導体回路２３４、２３４の平滑化がなされ、
該導体回路２３４及び充填剤２４０の上に塗布された層
間樹脂絶縁層２５０の平滑化が図られている。

【０００４】この層間樹脂絶縁層２５０の上には、導体
回路２５８と共にダミーパターン２５８Ｄが配設され、
該導体回路２５８及びダミーパターン２５８Ｄの上層に
層間樹脂絶縁層３５０が配設され、該層間樹脂絶縁層３
５０の上に導体回路３５８が形成されている。ここで、
層間樹脂絶縁層２５０の上に導体回路２５８と共にダミ
ーパターン２５８Ｄを配設するのは、図１１（Ｂ）に示
すように導体回路２５８と導体回路２５８との間の間隔
が開くと、層間樹脂絶縁層３５０の厚みにばらつきがで
きて、導体回路３５８が適正に配設できなくなるからで
ある。更に、層間樹脂絶縁層３５０の厚みにばらつきが
あると、導体回路３５８を電解めっきで形成する際に、
厚みが均一でなくなる。図１１（Ａ）は、片面３層のビ
ルドアップ多層プリント配線板を示しているが、更に、
層数が増えると、層間樹脂絶縁層３５０の上に層間絶縁
樹脂層、導体回路を形成することになるので、上層にな
るほど、前述の厚みのバラツキがさらに大きくなり、導
体回路の断線などを誘発し易くなる。

【０００５】このため、上述したようにダミーパターン
が、上層の層間絶縁樹脂層、めっき厚の厚みのバラツキ
の安定化のために配設されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来技術に係る導体回
路及びダミーパターンの配置を図１２に示す。この例で
は、ダミーパターン２５８Ｄは、水平又は垂直方向に配
設され、始端及び終端は導体回路２５８と接続されてい
る。図１２中のＣ部を拡大して図１１（Ｃ）に示す。図
中に示すようにダミーパターン２５８Ｄの終端の導体回
路２５８との接続部において、導体回格２５８の線細り
Ｆが発生しており、時として断線に至ることがあった。

【０００７】ここで、線細り、断線が発生すれば、ダミ
ーパターンだけでなく、接続部分の周辺の導体回路ま
で、線細り、断線が発生することもあり、導通が取れな
くなる原因となる。また、線細り、断線が発生すると、
当該発生部分上の上層に形成される層間絶縁樹脂層、お
よび、めっき厚の厚みに影響を与えることになる。

【０００８】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その主たる目的は、導体回路、ダ
ミーパターンの配線の線細り、断線がなく、かつ、層間
絶縁樹脂層及びめっき厚の厚みのバラツキがないプリン
ト配線板について提案することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究し
た結果、配線の線細り及び断線について次のような事実
を知見した。即ち、配線の線細り、および、断線の発生
したダミーパターンの接続部分は、接続する配線との接
続角度が、４５°未満であり、その鋭角側に前述の配線
の線細り、断線が発生する。

【００１０】その原因として、配線形成時のエッチング
の際、ダミーパターンの接続部の鋭角部分（図１１
（Ｃ）中のＧ部）において、エッチング液の液流れが阻
まれるため、液溜まりとなる。特に、接続角度が４５°
未満の部分でエッチング液の液溜まりによって、配線２
５８が過剰にエッチングされて、配線の線細り（図１１
（Ｃ）中のＦ部）、断線が発生すると考えられる。

【００１１】その知見に基づいて研究した結果、ダミー
パターンと接続される導体回路との接続角度（鋭角側）
を６０°〜９０°（最も好ましい態様では直角）にする
ことにより、前述のエッチング液の液溜まりがなくな
り、過剰なエッチングによる配線の線細り、断線の発生
を防止できることが分かった。

【００１２】また、ダミーパターンを直角に接続するた
めに、ダミーパターンに曲げ部を設けるときも、その曲
げ角度の鋭角部分を４５°から１８０°にすることが、
ダミーパターン自体の形成に適していることも分かっ
た。

【００１３】発明の要旨構成は、以下に示したようであ
る。ダミーパターンとその接続する配線との角度（接続
角度）を６０°〜９０°最も好ましい態様では、直角に
する。ダミーパターンの配線幅は、３５μｍ以上がよ
い。３５μｍ未満の線幅では、ダミーパターンによる層
間絶縁樹脂層、および、導体回路の厚みの均一化の効果
が薄い。特に、５０〜７５μｍの幅で形成するのが好適
である。ここで、直角が望ましいのは、液溜まりが最も
生じ難いのに加えて、マスクのパターン（ＣＡＤデー
タ）をコンピュータにより自動設計する際に、直角であ
るなら処理が容易だからである。

【００１４】また、ダミーパターンを直角に接続するた
めに、前述のダミーパターンの曲げる曲げ部を設ける必
要がある。その曲げ角度は鋭角部分で、４５°から１８
０°にするのがよい。該曲げ部を４５°未満にすると、
エッチング液の液溜まりが生じて、線細り、断線の原因
となるからである。即ち、４５°から１８０°にするこ
とで、前述の問題となる鋭角部分にエッチング液溜まり
による過剰エッチングがなくなり、ダミーパターンの線
細り、断線などを起こさず、導体回路の上層に形成され
る層聞絶縁樹脂層の厚み、および、めっき層の厚みのバ
ラツキを安定化できる。これにより配線の接続信頼性を
高めることができる。

【００１５】本発明のプリント配線基板を製造する方法
について説明する。以下の方法は、セミアディティブ法
によるものであるが、フルアディティブ法を採用しても
よい。

【００１６】まず、基板の表面に導体回格を形成した配
線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基
板、銅張り積層板、ポリイミド基板、ビスマレイミドー
トリアジン樹脂基板等の樹脂絶縁基板、セラミック基
板、金属基板等の基板に無電解めっき用接着剤層を形成
し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、この粗化
面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジスト
を形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解め
っきを施した後、めっきレジストを除去し、エッチング
処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導
体回路を形成する方法により行う。導体回路は、いずれ
も銅パターンがよい。

【００１７】導体回路を形成した基板には、導体回路あ
るいはスルーホールにより、凹部が形成される。その凹
部を埋めるために樹脂充填剤を塗布し、乾燥した後、不
要な樹脂充填剤を研磨により研削して、導体回路を露出
させ、樹脂充填剤を本硬化させる。

【００１８】本発明で使用される無電解めっき用接着剤
は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性
樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱
性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化
剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去さ
れて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成
できる。

【００１９】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が１０μｍ以下の耐熱牲樹脂粉末、平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均
粒径が２〜１０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が
２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が
２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少な
くとも１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が
０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が
０．８μｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混
合物、平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹
脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑な
アンカーを形成できるからである。

【００２０】前記酸あるいは、酸化剤に難溶性の耐熱性
樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂から
なる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂
からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者に
ついては耐熱牲が高く、後者についてはバイアホール用
の開口をフォトリソグラフイーにより形成できるからで
ある。

【００２１】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。

【００２２】エポキシ樹脂としては、フェノールノボラ
ック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポ
キシ樹脂などを使用することができる。

【００２３】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリスルホォン（ＰＳＦ）、ポリフ
ェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰ
Ｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。

【００２４】熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹
脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑
性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なう
ことなく、高い靭性値を確保できる。

【００２５】前記耐熱性樹脂粒子の混合比は、耐熱性樹
脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、望ま
しくは１０〜４０重量％がよい。耐熱性粒子は、アミノ
樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エ
ポキシ樹脂などがよい。

【００２６】なお、接着剤は、組成の異なる２層により
構成してもよい。次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方
で、その層間樹脂樹脂層にはバイアホール形成用の開口
を設ける。

【００２７】層間絶縁樹脂層の硬化処理は、無電解めっ
き用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合
は、レーザー光や酸素プラズマ等を用いて穿孔し、感光
性樹脂である場合は露光現像処理にて穿孔する。なお、
露光現像処理は、バイアホール形成のための円パターン
が描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円
パターン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて
載置した後、露光、現像処理する。

【００２８】前述の露光に使用するフォトマスク（ガラ
スマスク基板）は、静電気が帯電しているため、異物
が、凝集、付着しやすく、バイアホールの形成不良を誘
発する。よって、帯電による形成不良を防止するため、
静電除去装置を用いて、フォトマスク（ガラスマスク基
板）の除電を行った後、露光に使用する。静電気除去
は、電圧１０００〜６０００Ｖ、除電時間３０〜５００
ｓｅｃで行う。特に、電圧３０００〜５０００Ｖ、除電
時間３０〜１２０ｓｅｃで行うのが望ましい。その理由
として、除電を繰り返して行っても、マスクへの影響が
ないためである。放電電極に高圧で印加して、アース極
と放電電極の間に高圧電界ができ空気が、＋、−両方に
イオン化されて、帯電物の能動極と逆の極性のイオンが
引き付けられて、帯電が中和されることにより、マスク
上の異物を除去することができる。

【００２９】次に、バイアホール形成用開口を設けた層
間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を粗化
する。特に本発明では、無電解めっき用接着剤層の表面
に存在する耐熱性樹脂粒子を酸又は酸化剤で溶解除去す
ることにより、接着剤層表面を粗化処理する。このと
き、層問絶縁樹脂層に粗化層が形成される。

【００３０】前記酸処理としては、リン酸、塩酸、硫
酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。
特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化処理した場合
に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させに
くいからである。前記酸化処理は、クロム酸、過マンガ
ン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ま
しい。

【００３１】前記粗化層は、最大粗度Ｒｍａｘ０．１〜
２０μｍがよい。厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離し
やすく、薄すぎると密着性が低下するからである。特に
セミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着
性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからであ
る。

【００３２】次に、粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹
脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この
無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、その厚み
は、１〜５μｍ，より望ましくは２〜３μｍとする。な
お、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組
成のものを使用でき、例えば、硫酸銅：２９ｇ／l 、炭
酸ナトリウム：２５ｇ／l 、ＥＤＴＡ：１４０ｇ／ｌ、
水酸化ナトリウム：４０ｇ／ｌ、３７％ホルムアルデヒ
ド：１５０ｍｌ、（ＰＨ＝１１．５）からなる液組成の
ものがよい。

【００３３】次に、このように形成した無電解めっき膜
上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネー
トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパ
ターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）
を用いる。めっきレジストパターンには、導体回路以外
のダミーパターンの始終点の接続角度は、直角にする。
前記ダミーパターンの線幅は、３５μｍ以上で形成する
のがよい。特に、５０〜７５μｍで形成するのが望まし
い。

【００３４】また、前記ダミーパターンの曲げ部の曲げ
角度は、４５°未満の鋭角部分がないように設定する。
前記のレジストパターンが描画されたフォトマスク（ガ
ラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し、現像処
理することにより、めっきレジストパターンを配設した
非導体部分を形成する。

【００３５】前述の露光に使用するフォトマスク（ガラ
スマスク基板）は、静電気が帯電しているため、異物
が、凝集、付着しやすく、導体回路の短絡、断線を誘発
する。よって、帯電による短絡、断線を防止するため、
静電装置を用いて、フォトマスク（ガラスマスク基板）
の除電を行った後、露光に使用する。静電気除去は、電
圧１０００〜６０００Ｖ、除電時間３０〜５００ｓｅｃ
で行う。特に、電圧３０００〜５０００Ｖ、除電時間３
０〜１２０ｓｅｃで行うのが望ましい。その理由とし
て、除電を繰り返して行っても、マスクへの影響がない
ためである。放電電極に高圧で印加して、アース極と放
電電極の間に高圧電界ができ空気が、＋、−両方にイオ
ン化されて、帯電物の能動極と逆の極性のイオンが引き
付けられて、帯電が中和されることにより、マスク上の
異物を除去することができる。

【００３６】次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以
外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホールと
なる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっ
きをもちいることが望ましく、その厚みは、５〜２０μ
ｍがよい。次に、非導体回路部分のめっきレジストを除
去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸
ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第
二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、無
電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立した導
体回路とバイアホールを得る。なお、非導体部分に露出
した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過
水等により溶解除去する。

【００３７】次いで、表層の導体回路に粗化層を形成す
る。形成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、
酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面又
もしくはめっき被膜により形成された粗化面であること
が望ましい。本発明に用いられる導体回路は、無電解め
っき膜又は電解めっき膜が望ましい。厚延銅箔をエッチ
ングした導体回路では、粗化面が形成されにくいからで
ある次いで、前記導体回路上にソルダーレジスト層を形
成する。本願発明におけるソルダーレジスト層の厚さ
は、５〜４０μｍがよい。薄すぎるとソルダーダムとし
て機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と
接触し半田体に生じるクラックの原因となるからであ
る。

【００３８】ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂
を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、
ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤
などで硬化させた樹脂を使用できる。特に、ソルダーレ
ジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合に
は、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型
エポキシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾー
ル硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。このよ
うな構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーショ
ン（鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象）
が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジ
スト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートを
イミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、
耐アルカリ性に優れ、はんだが溶融する温度（２００℃
前後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきの
ような強塩基性のめっき液で分解することもない。

【００３９】しかしながら、このようなソルダーレジス
ト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生
じやすい。本発明に係る粗化層は、このような剥離を防
止できるため有利である。

【００４０】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。上記イミダゾール硬化剤は、２５℃で
液状であることが望ましい。液状であれば均一混合でき
るからである。

【００４１】このような液状イミダゾール硬化剤として
は、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（品名：１
Ｂ２ＭＺ）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール（品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）、４−メチ
ル−２−エチルイミダゾール（品名：２Ｅ４ＭＺ）を用
いることができる。

【００４２】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜１０重
量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの
範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。上記ソ
ルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコー
ルエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。

【００４３】このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させ
ない。また、人体に対する有害性も少ない。このような
グリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のも
の、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なく
とも１種を用いる。これらの溶剤は、３０〜５０℃程度
の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラ
ーケトンを完全に溶解させることができるからである。
ＣＨ₃Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−ＣＨ₃（ｎ＝１〜
５）

【００４４】このグリコールエーテル系の溶媒は、ソル
ダーレジスト組成物の全重量に対して１０〜４０ｗｔ％
がよい。

【００４５】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撚性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。

【００４６】例えば、レベリング剤としてはアクリル酸
エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤と
しては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光
増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。さら
に、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加し
てもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この
色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望
ましい。

【００４７】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後
者がよい。

【００４８】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、日本化薬製のＤＰＥ−６
Ａ、共栄社化学製のＲ−６０４のような構造の多価アク
リル系モノマーが望ましい。

【００４９】また、これらのソルダーレジスト組成物
は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１
〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコ一タで塗布しやすい粘
度だからである。ソルダーレジスト形成後、開口部を形
成する。その開口は、露光、現像処理により形成する。

【００５０】前述の露光に使用するフォトマスク（ガラ
スマスク基板）は、静電気が帯電しているため、異物
が、凝集、付着しやすく、開口部の形成不良を誘発す
る。よって、帯電による形成不良を防止するため、静電
装置を用いて、フォトマスク（ガラスマスク基板）の除
電を行った後、露光に使用する。静電気除去は、電圧１
０００〜６０００Ｖ、除電時間３０〜５００ｓｅｃで行
う。特に、電圧３０００〜５０００Ｖ、除電時間３０〜
１２０ｓｅｃで行うのが望ましい。その理由として、除
電を繰り返して行っても、マスクへの影響がないためで
ある。放電電極に高圧で印加して、アース極と放電電極
の間に高圧電界ができ空気が、＋、−両方にイオン化さ
れて、帯電物の能動極と逆の極性のイオンが引き付けら
れて、帯電が中和されることにより、マスク上の異物を
除去することができる。

【００５１】その後、ソルダーレジスト層形成後に開口
部に無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。
ニッケルめっき液の組成の例として硫酸ニッケル４．５
ｇ／l 、次亜リン酸ナトリウム２５ｇ／ｌ、クエン酸ナ
トリウム４０ｇ／l 、ホウ酸１２ｇ／l 、チオ尿素０．
１ｇ／l （ＰＨ＝１１）がある。脱脂液により、ソルダ
ーレジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの
触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させ
た後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させ
た。

【００５２】ニッケルめっき層の厚みは、０．５〜２０
μｍで、特に３〜１０μｍの厚みが望ましい。それ以下
では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取れにく
い、それ以上では、開口部に形成した半田バンプが収ま
りきれず、剥がれたりする。

【００５３】ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金
めっき層を形成させる。厚みは、０．０３μｍである。

【００５４】

【実施例】以下、本発明の第１実施例に係るプリント配
線板について図を参照して説明する。先ず、本発明の第
１実施例に係るプリント配線板１０の構成について、図
６（Ｔ）及び図７を参照して説明する。図６（Ｔ）は、
ＩＣチップ搭載前のプリント配線板（パッケージ基板）
の断面を示している。図９は、プリント配線板にＩＣチ
ップ９０を搭載し、ドータボード（サブボード）９４へ
取り付けた状態を示す図である。

【００５５】図７に示すように該プリント配線板１０で
は、多層コア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配
線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルトアップ
層８０Ａは、バイアホール６０、導体回路５８及びダミ
ーパターン５８Ｄの形成された層間樹脂絶縁層５０と、
バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成された層
間樹脂絶縁層１５０とからなる。また、ビルドアップ配
線層８０Ｂは、バイアホール６０、導体回路５８及びダ
ミーパターン５８Ｄの形成された層間樹脂絶縁層５０
と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成され
た層間樹脂絶縁層１５０とからなる。

【００５６】プリント配線板１０の上面側には、集積回
路チップ９０のランド９２へ接続するための半田バンプ
７６Ｕが配設されている。一方、下面側には、ドーター
ボード９４のランド９６に接続するための半田バンプ７
６Ｄが配設されている。

【００５７】半田バンプ７６Ｕは、ビルドアップ配線層
８０Ａ側のバイアホール１６０及びバイアホール６０を
介してスルーホール３６へ接続されている。そして、該
スルーホール３６からビルドアップ配線層８０Ｂ側のバ
イアホール６０及びバイアホール１６０を介して半田バ
ンプ７６ＤＡへ接続されている。

【００５８】図７中のＸ−Ｘ横断面、即ち、層間樹脂絶
縁層５０の上層に形成された配線パターンを図８（Ａ）
に示す。図８（Ａ）中のＤ−Ｄ断面部分が、図９中に相
当する。ダミーパターン５８Ｄの始端及び終端は、導体
回路５８に接続されている。ここで、図８（Ａ）中のＢ
部を拡大して図８（Ｂ）に示す。図中に示すように、ダ
ミーパターン５８Ｄには曲げ部Ｊが設けられ、導体配線
５８との接続角度が直角にされている。そして、ダミー
パターン５８Ｄの配線幅は５０μｍに形成されている。

【００５９】また、曲げ部Ｊの曲げ角度は、４５°から
１８０°、好適には、７０〜１１０°に設定されてい
る。これは、該曲げ部を４５°未満或いは１８０°を越
えると、後述する製造時のエッチング工程で、エッチン
グ液の液溜まりが生じて、線細り、断線の原因となるか
らである。一方、７０°から１１０°にすることで、エ
ッチング液溜まりによる過剰エッチングがなくなり、ダ
ミーパターンの線細り、断線などを起こさず、導体回路
５８の上層に形成される層聞絶縁樹脂層１５０の厚み、
及び、上層導体回路１５８のめっき層の厚みのバラツキ
を安定化できる。

【００６０】以下、図７に示すプリント配線板の製造工
程について、図１〜図６を参照して説明する。ここで
は、先ず、Ａ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶
縁剤、Ｃ．樹脂充填剤の組成について説明する。Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用
接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０ｗｔ％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３
５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックス
Ｍ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ
−６５）０．５重量部、ＮＭＰ３．６重量部を撹拌混合
して得た。

【００６１】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのものを
７．２重量部、平均粒径０．５μｍのものを３．０９重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加
し、ビーズミルで撹拌混合して得た。

【００６２】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤
（チバガイギー製、イルガキュアＩ−９０７）２重量
部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）０．２重量部、Ｎ
ＭＰ１．５重量部を撹拌混合して得た。

【００６３】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０ｗｔ％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３
５重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックス
Ｍ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６
５）０．５重量部、ＮＭＰ３．６重量部を撹拌混合して
得た。

【００６４】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのものを１
４．４９重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量
部を添加し、ビーズミルで撹拌混合して得た。

【００６５】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤
（チバガイギー製、イルガキュアＩ−９０７）２重量
部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量
部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合して得た。

【００６６】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００
重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングさ
れた平均粒径１．６μｍのＳｉＯ₂球状粒子（アドマテ
ック製、ＣＲＳ１１０１−ＣＥ、ここで、最大粒子の大
きさは後述する内層銅パターンの厚み（１５μｍ）以下
とする）１７０重量部、レベリング剤（サンノプコ製、
ベレノールＳ４）１．５重量部を撹拌混合することによ
り、その混合物の粘度を２３±１℃で４５，０００〜４
９，０００ｃｐｓに調整して得た。

【００６７】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
６．５重量部。

【００６８】引き続き、プリント配線板の製造工程につ
いて説明する。（１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビ
スマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面
に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層
板３０Ａを出発材料とした（図１の工程（Ａ））。ま
ず、この銅張積層板３０に通孔３３をドリルにより削孔
し、無電解めっき処理を施し（図１の工程（Ｂ））、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面
に内層銅パターン３４とスルーホール３６を形成した
（図１の工程（Ｃ））。

【００６９】（２）内層銅パターン３４およびスルーホ
ール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、
酸化浴（異化浴）として、ＮａＯＨ（１０ｇ／l ），Ｎ
ａＣｌＯ₂（４０ｇ／l ），Ｎａ₃ＰＯ₄（６ｇ／l
）、還元浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／l ），ＮａＢ
Ｈ₄（６ｇ／l ）を用いた酸化一還元処理により、内層
銅パターン３４およぴスルーホール３６の表面に粗化層
３８を設けた（図１の工程（Ｄ））。

【００７０】（３）Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物
を混合混練して樹脂充填剤を得た。

【００７１】（４）前記（３）で得た樹脂充填剤４０
を、調製後24時間以内に基板の導体回路３４間あるいは
スルーホール３６内に塗布、充填した（図２の工程
（Ｅ））。塗布方法として、スキージを用いた印刷法で
行った。１回目の印刷塗布は、主にスルーホール３６内
を充填して、１００℃、２０分間で乾燥させた。また、
２回目の印刷塗布は、主に導体回路３４の形成で生じた
凹部を充填して、導体回路３４およびスルーホール３６
内を充填させたあと、前述の乾燥条件で乾燥させた。

【００７２】（５）前記（４）の処理を終えた基板３０
の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を
用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン３４
の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充
填剤４０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルト
サンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行っ
た。このような一連の研磨を基板の他方の面についても
同様に行った（図２の工程（Ｆ））。次いで、１００℃
で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充
填剤４０を硬化した。

【００７３】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および内層導体回路３
４上面の粗化層３８を除去して基板両面を平滑化し、樹
脂充填剤４０と内層導体回路３４の側面とが粗化層３８
を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面
と樹脂充墳剤４０とが粗化層３８を介して強固に密着し
た配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤
４０の表面と内層銅パターン３４の表面が同一平面とな
る。

【００７４】（６）導体回路３４を形成したプリント配
線板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次
いで、塩化バラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処
理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、
硫酸銅３．９×１０^-2 ｏｌ／l 、硫酸ニッケル３．８
×１０^-3ｍｏｌ／l 、クエン酸ナトリウム７．８×１０
^-3ｍｏｌ／l 、次亜りん酸ナトリウム２．３×１０^-1ｍ
ｏｌ／l 、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール
４６５）１．１×１０^-1ｍｏｌ／l 、ＰＨ＝９からなる
無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１
回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路および
スルーホールのランドの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる
針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図２の工程
（Ｇ））。

【００７５】さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。

【００７６】（７）Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組
成物を撹拌混合し、粘度1.5 Pa ・sに調整して層間樹
脂絶縁剤（下層用）を得た。次いで、Ａの無電解めっき
用接着剤調製用の原料組成物を撹拌混合し、粘度７Pa・
S に調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得
た。

【００７７】（８）前記（６）の基板３０の両面に、前
記（７）で得られた粘度１．５Ｐａ・ｓの層間樹脂絶縁
剤（下層用）４４を調製後２４時間以内にロールコ一タ
で塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で
３０分の乾燥（ブリベーク）を行い、次いで、前記
（７）で得られた粘度７Ｐａ・ｓの感光性の接着剤溶液
（上層用）４６を調製後２４時間以内に塗布し、水平状
態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（ブ
リベーク）を行い、厚さ３５μｍの接着剤層５０αを形
成した（図２の工程（Ｈ））。

【００７８】（９）前記（８）で接着剤層５０αを形成
した基板３０の両面に、８５μｍφの黒円が印刷された
フォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧
水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ²で露光した。これをＤ
ＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高
圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ²で露光し、１００
℃で１時間、１２０℃で１時間、その後１５０℃で３時
間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォ
トマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた８５μｍ
φの開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ
３５μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した
（図３の工程（Ｉ））。なお、バイアホールとなる開口
には、スズめっき層を部分的に露出させた。

【００７９】前述の露光に使用するフォトマスク（ガラ
スマスク基板）は、静電気が帯電して、異物が凝集、付
着してしまうため、静電除去装置を用いたのち、露光に
使用する。静電除去装置として、シムコジャパン社製Ｓ
ＯＰ型静電除去バーを用いて、除電条件は、電圧３００
０Ｖ、除電時間６０ｓｅｃで行った。

【００８０】（10）開口４８が形成された基板３０を、
クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面
に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することによ
り、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化とし、その
後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いし
た（図３の工程（Ｊ））。

【００８１】さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）し
た該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を
付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイ
アホール用開口４８の内壁面に触媒核を付けた。

【００８２】（11）以下に示す組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板３０を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜
１．２μｍの無電解銅めっき膜５２を形成した（図３の
工程（Ｋ））。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ０．０８ｍｏｌ／l 硫酸銅０．０３ｍｏｌ／l ＨＣＨＯ０．０５ｍｏｌ／l ＮａＯＨ０．０５ｍｏｌ／l α、α’−ビピリジル８０ｍｇ／l ＰＥＧ０．１０ｇ／l 〔無電解めっき条件〕６５℃の液温度で２０分

【００８３】（１２）前記（１１）で形成した無電解銅
めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルム５４αを
張り付け、マスク５３を載置し（図３の工程（Ｌ））、
１００m Ｊ／ｃｍ²で露光、０．８％炭酸ナトリウムで
現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジストを設けた
（図４の工程（Ｍ））。ここで、マスク５３には、図８
（Ａ）を参照して上述した導体回路５８を３５〜７５μ
ｍに形成するためのパターン５３ａと、ダミーパターン
５８Ｄを５０〜７５μｍに形成するためのパターン５３
ｂと、ランドを形成するためパターン５３ｃとが形成し
てある。この図８（Ａ）の配線パターンを形成するため
のマスク５３の平面図を図９（Ａ）に示す。なお、マス
ク５３は、前記のダミーパターン５８Ｄの接続角度を直
角にし、ダミーパターンの曲げ部Ｊの角度を７０〜１１
０°に形成できるよう構成してある。。

【００８４】前述の露光に使用するフォトマスク（ガラ
スマスク基板）は、静電気が帯電して、異物が凝集、付
着してしまうため、静電除去装置を用いたのち、露光に
使用する。静電除去装置として、シムコジャパン社製Ｓ
ＯＰ型静電除去バーを用いて、除電条件は、電圧３００
０Ｖ、除電時間６０ｓｅｃで行った。

【００８５】（１３）ついで、レジスト非形成部分に以
下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅
めっき膜５６を形成した（図４の工程（Ｎ））。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／l 硫酸鋼０．２６ｍｏｌ／l 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／l 〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２℃

【００８６】（１４）めっきレジスト５４を５％ＫＯＨ
で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっ
き膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜からな
る厚さ１８μｍの導体回路５８、ダミーパターン５８
Ｄ、ランド５８Ｒ、バイアホール６０を形成した（図４
の工程（Ｏ））。このエッチング工程において、本実施
例では、ダミーパターン５８Ｄの接続角度を直角にし、
ダミーパターンの曲げ部Ｊの角度を７０〜１１０°に形
成してあるため、エッチング液の液溜まりが発生せず、
導体回路５８の線細り、断線を生じせしめることがな
い。

【００８７】（１５）（６）と同様の処理を行い、Ｃｕ
−Ｎｉ−Ｐからなる粗化面６２を形成し、さらにその表
面にＳｎ置換を行った（図５の工程（Ｐ）。

【００８８】（１６）前記（７）〜（１５）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５
０、導体回路１５８、バイアホール１６０を形成し、プ
リント配線板１０を得た（図５の工程（Ｑ））。但し、
Ｓｎ置換は行わなかった。

【００８９】（１７）引き続き、プリント配線板の表面
に塗布するソルダーレジストを用意する。ここでは、Ｄ
ＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をア
クリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４００
０）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた
８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ｇ、
感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬
製、Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共
栄社化学製、ＤＥＰ６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらに
この混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン
（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で
２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ
−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒ
ｐｍの場合はローターＮｏ. ３によった。

【００９０】（１８）前記（１６）で得られたプリント
配線板１０の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２
０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０分間、
７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、円パターン
（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのフォトマ
スクフィルムを密着させて載置し、１０００ｍＪ／ｃｍ
²の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。そしてさ
らに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で
１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだ
パッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）の
開口（開口径２００μｍ）７１を有するソルダーレジス
ト層（厚み２０μｍ）７０を形成した（図５の工程
（Ｒ））。

【００９１】前述の露光に使用するフォトマスク（ガラ
スマスク基板）は、静電気が帯電して、異物が凝集、付
着してしまうため、静電除去装置を用いたのち、露光に
使用する。静電除去装置として、シムコジャパン社製Ｓ
ＯＰ型静電除去バーを用いて、除電条件は、電圧３００
０Ｖ、除電時間６０ｓｅｃで行った。

【００９２】（１９）その後、塩化ニッケル２．３×１
０^-1ｍｏｌ／l 、次亜リン酸ナトリウム２．８×１０^-1
ｍｏｌ／l 、クエン酸ナトリウム１．６×１０^-1ｍｏｌ
／l 、からなるＰＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液
に、２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μm のニッ
ケルめっき層７２を形成した（図６の工程（Ｓ））。さ
らに、その基板を、シアン化金カリウム７．６×１０^-3
ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム１．９×１０^-1ｍｏｌ／
l 、クエン酸ナトリウム１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム１．７×１０^-1ｍｏｌ／l からなる
無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬し
て、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金め
っき層７４を形成した（図６の工程（Ｓ））。

【００９３】（２０）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して２００℃でリ
フローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、
７６Ｄを形成し、半田バンプを有するプリント配線板１
０を製造した（図６の工程（Ｔ））。

【００９４】引き続き、該プリント配線板１０の半田バ
ンプ７６ＵにＩＣチップ９０のパッド９２が適応するよ
うに載置した状態でリフローるすことで、ＩＣチップの
取り付けを行う。更に、プリント配線板の半田バンプ７
６Ｄにドータボード９４のパッド９６が適応するように
載置した状態でリフローるすことで、ドータボードへの
取り付けを行う（図７参照）。

【００９５】引き続き、上述した第１実施例に係るプリ
ント配線板の性能を試験するために、比較用のプリント
配線板を形成した。（比較例）基本的に製造工程は、実施例と同様である
が、マスクを用いて、図９（Ｂ）に示すようにダミーパ
ターン５８Ｄの接続角度を３０°、ダミーパターン５８
Ｄの曲げ部Ｊの曲げ角度を３０°にした。

【００９６】実施例および比較例で製造されたプリント
配線板について、ダミーパターンの接続部の線細り、断
線の発生率、ダミーパターンの曲げ部分の線細り、断線
の発生率、ダミーパターンの接続部上の上層の層間絶縁
樹脂層の厚み、導体回路の厚みの６項目について比較、
評価を行った。図１０に実施例と比較例の評価結果を示
す。実施例では、ダミーパターン、および、その周辺の
導体回路に線細り、断線の発生もなく、上層の層間絶縁
樹脂層（図７中の層間樹脂絶縁層１５０）、および、導
体回路（図７中の導体回路１５８）の厚みのバラツキの
差も見られなかった。

【００９７】なお、ダミーパターン接続部の試験及びダ
ミーパターンも曲げ部については、導体回路形成後、２
００カ所について下記の基準で発生確率を算出した。（１）線細り：２μｍ以上の配線が細くなっているもの
を１と数えた。（２）断線：完全に切れたものを１と数えた。一方、上層の厚みについては、５０カ所を測定して平均
値を算出した。ここで、実施例、比較例ともに導体回路
５８直上の層間樹脂絶縁層１５０の厚みは３５μｍで、
導体回路５８直上の導体回路１５８（図７参照）の厚み
は１０μｍである。ここで、実施例では、導体回路の直
上からはずれてもほぼ同じ厚みであるのに対して、比較
例では、薄くなっており、平均値に違いがでている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係るプリント配線板の製造
工程図である。

【図２】本発明の１実施例に係るプリント配線板の製造
工程図である。

【図３】本発明の１実施例に係るプリント配線板の製造
工程図である。

【図４】本発明の１実施例に係るプリント配線板の製造
工程図である。

【図５】本発明の１実施例に係るプリント配線板の製造
工程図である。

【図６】本発明の１実施例に係るプリント配線板の製造
工程図である。

【図７】本発明の１実施例に係るプリント配線板の断面
図である。

【図８】図８（Ａ）は、図７のＸ−Ｘ横断面図であり、
図８（Ｂ）は、図７中のＢ部を拡大して示す拡大図であ
る。

【図９】図９（Ａ）は、マスクのパターンを示す平面図
であり、図９（Ｂ）は、比較例の配線パターンを示す平
面図である。

【図１０】実施例のプリント配線板と比較例のプリント
配線板との試験結果を示す図表である。

【図１１】図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は、従来技術に
係るプリント配線板の構造を示す断面図であり、図１１
（Ｃ）は、回路パターンの平面図である。

【図１２】従来技術に係るプリント配線板の回路パター
ンの平面図である。

【符号の説明】

３０コア基板３４導体回路３６スルーホール３６ａランド４８開口５０層間樹脂絶縁層５２無電解めっき層５６電解めっき層５８導体回路（配線）５８Ｄダミーパターン６０バイアホール８０Ａ、８０Ｂビルドアップ配線層１２１樹脂１５０層間樹脂絶縁層１５８導体回路１６０バイアホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線及びダミーパターンからなる導体層
の形成されたプリント配線板において、前記ダミーパターンの始終点の接続角度が６０°〜９０
°となるよう、該ダミーパターンに曲げ部を設けたこと
を特徴とするプリント配線板。
【請求項２】配線及びダミーパターンからなる導体層
と層間樹脂絶縁層とが積層されたビルドアップ配線層
が、コア基板の表面に形成されてなるプリント配線板に
おいて、前記ダミーパターンの始終点の接続角度が６０°〜９０
°となるよう、該ダミーパターンに曲げ部を設けたこと
を特徴とするプリント配線板。
【請求項３】配線及びダミーパターンからなる導体層
と層間樹脂絶縁層とが積層されたビルドアップ配線層
が、コア基板の表面に形成されてなるプリント配線板に
おいて、前記ダミーパターンの始終点の接続角度がほぼ直角とな
るよう、該ダミーパターンに曲げ部を設けたことを特徴
とするプリント配線板。
【請求項４】前記ダミーパターンの配線幅を、３５μ
ｍ以上に形成したことを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１に記載のプリント配線板。
【請求項５】前記ダミーパターンの曲げ部の角度を４
５°〜１８０°にしたことを特徴とする請求項１〜４の
いずれか１に記載のプリント配線板。