JPH0982743A - 半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ベアチップ上のボンディング用のパッドを近接
して設けても、隣接パッド間で短絡せず、高密度の実装
が可能な半導体の製造方法を提供する。 【解決手段】基板に搭載された半導体チップのボンディ
ング用パッドにキャピラリに通したワイヤの一端を固定
する第1ボンディング後、ワイヤをキャピラリより引出
して基板上に形成されたボンディング用パッドに固定す
る第2ボンディングを行う半導体の製造方法において、
第2ボンディング終了後に、キャピラリと第2ボンディ
ング部の間のワイヤ部を加熱手段により細線化した後、
ワイヤを細線部において切断する。
して設けても、隣接パッド間で短絡せず、高密度の実装
が可能な半導体の製造方法を提供する。 【解決手段】基板に搭載された半導体チップのボンディ
ング用パッドにキャピラリに通したワイヤの一端を固定
する第1ボンディング後、ワイヤをキャピラリより引出
して基板上に形成されたボンディング用パッドに固定す
る第2ボンディングを行う半導体の製造方法において、
第2ボンディング終了後に、キャピラリと第2ボンディ
ング部の間のワイヤ部を加熱手段により細線化した後、
ワイヤを細線部において切断する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップと基
板間を金、アルミニウム等の金属細線で接続するボンデ
ィング方法を改善し、高密度ボンディングを可能にした
半導体の製造方法に関する。
板間を金、アルミニウム等の金属細線で接続するボンデ
ィング方法を改善し、高密度ボンディングを可能にした
半導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は半導体のボンディング部の構造を
示す図で、(a)は上面図、(b)は断面図である。以
下,図を用いて説明する。1はセラミック等の基板で、
周辺部にはボンディング用のパッド11が設けられてい
る。2は基板1上に搭載された半導体のベアチップで、
ベアチップ2の周辺部にもボンディング用のパッド21
が設けられている。3はベアチップ2のパッド21と基
板1のパッド11の間を接続するワイヤである。
示す図で、(a)は上面図、(b)は断面図である。以
下,図を用いて説明する。1はセラミック等の基板で、
周辺部にはボンディング用のパッド11が設けられてい
る。2は基板1上に搭載された半導体のベアチップで、
ベアチップ2の周辺部にもボンディング用のパッド21
が設けられている。3はベアチップ2のパッド21と基
板1のパッド11の間を接続するワイヤである。
【0003】先ず、基板1上に搭載されたベアチップ2
のパッド21にワイヤ3(金等の細線)を使用して超音
波ボンディングを行う(1stボンディングと称す)。
次に、そのワイヤ3の他端を基板1の対応するパッド1
1部に移動して同様に超音波ボンディングを行う(2n
dボンディングと称す)。2ndボンディング終了後、
余分のワイヤ3は電気スパーク等により切断される。以
上の工程が対応する全パッドについて繰り返される。
のパッド21にワイヤ3(金等の細線)を使用して超音
波ボンディングを行う(1stボンディングと称す)。
次に、そのワイヤ3の他端を基板1の対応するパッド1
1部に移動して同様に超音波ボンディングを行う(2n
dボンディングと称す)。2ndボンディング終了後、
余分のワイヤ3は電気スパーク等により切断される。以
上の工程が対応する全パッドについて繰り返される。
【0004】図3は従来の半導体の基板側のボンディン
グ工程(2ndボンディング)を説明するための図で、
(a)は2ndボンディング工程、(b)はワイヤ引出
し工程、(c)はワイヤ切断工程、(d)はボール形成
工程である。以下,図を用いて述べる。先ず、ベアチッ
プ2側のボンディング(1stボンディング)が完了し
た後、ワイヤ3の通されたキャピラリ4を緩めてワイヤ
3が自由に引き出される状態にして、キャピラリ4を基
板1側のパッド11上に移動させ、キャピラリ4を締め
てワイヤ3を固定して超音波振動を加えてボンディング
(2ndボンディング)を行う。ボンディング完了後も
2ndボンディング部31にはワイヤ3が繋がっている
(図3(a)参照)。
グ工程(2ndボンディング)を説明するための図で、
(a)は2ndボンディング工程、(b)はワイヤ引出
し工程、(c)はワイヤ切断工程、(d)はボール形成
工程である。以下,図を用いて述べる。先ず、ベアチッ
プ2側のボンディング(1stボンディング)が完了し
た後、ワイヤ3の通されたキャピラリ4を緩めてワイヤ
3が自由に引き出される状態にして、キャピラリ4を基
板1側のパッド11上に移動させ、キャピラリ4を締め
てワイヤ3を固定して超音波振動を加えてボンディング
(2ndボンディング)を行う。ボンディング完了後も
2ndボンディング部31にはワイヤ3が繋がっている
(図3(a)参照)。
【0005】次に、キャピラリ4を緩めて少し上昇さ
せ、2ndボンディング部31とキャピラリ4の間を広
げてワイヤ3を少し引き出す(図3(b)参照)。続い
て、キャピラリ4を締めてワイヤ3を固定し、2ndボ
ンディング部31とキャピラリ4の間でワイヤ3に電極
5を接近させる(図3(c)参照)。さらに、ワイヤ3
と電極5の間でスパークさせて余分のワイヤ3を切断す
る。この時、キャピラリ4側のワイヤ3の先端部も溶融
して表面張力により球形のボール36が形成される(図
3(d)参照)。
せ、2ndボンディング部31とキャピラリ4の間を広
げてワイヤ3を少し引き出す(図3(b)参照)。続い
て、キャピラリ4を締めてワイヤ3を固定し、2ndボ
ンディング部31とキャピラリ4の間でワイヤ3に電極
5を接近させる(図3(c)参照)。さらに、ワイヤ3
と電極5の間でスパークさせて余分のワイヤ3を切断す
る。この時、キャピラリ4側のワイヤ3の先端部も溶融
して表面張力により球形のボール36が形成される(図
3(d)参照)。
【0006】このワイヤ3の先端のボール36はキャピ
ラリ4に捕捉された状態で、ベアチップ2上の次のパッ
ド21に移動されて1stボンディングされる。ボンデ
ィングによりボール36は変形して広がりパッド21に
溶着される。以上の操作が対応するパッド21、11間
で繰り返される。
ラリ4に捕捉された状態で、ベアチップ2上の次のパッ
ド21に移動されて1stボンディングされる。ボンデ
ィングによりボール36は変形して広がりパッド21に
溶着される。以上の操作が対応するパッド21、11間
で繰り返される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】集積回路等では、通常
基板1上に形成されるパッド11の間隔は約300μm
と広いが、ベアチップ2上に形成されるパッド21は約
100μmと非常に近接している。上述の2ndボンデ
ィング方法では、20〜30μmのワイヤを使用した時
に、スパークによりワイヤ3の切断時に形成されるボー
ル36の直径は40〜80μmと大きくなる。このボー
ル36をベアチップ2上のパッド21に移動して1st
ボンディングしようとすると、ボール36が大きいため
にボンディングにより変形したワイヤが隣接するパッド
21に接触する恐れがある。そのため、ベアチップ2上
にパッド21を近接して設けることができず、従って高
密度のベアチップが構成できないという問題がある。細
いワイヤを使用すると先端部に形成されるボールも小さ
くできるが、その場合には、ワイヤの強度が低下するの
で、ボンディング中またはボンディング完了後にワイヤ
3が切断する恐れがある。
基板1上に形成されるパッド11の間隔は約300μm
と広いが、ベアチップ2上に形成されるパッド21は約
100μmと非常に近接している。上述の2ndボンデ
ィング方法では、20〜30μmのワイヤを使用した時
に、スパークによりワイヤ3の切断時に形成されるボー
ル36の直径は40〜80μmと大きくなる。このボー
ル36をベアチップ2上のパッド21に移動して1st
ボンディングしようとすると、ボール36が大きいため
にボンディングにより変形したワイヤが隣接するパッド
21に接触する恐れがある。そのため、ベアチップ2上
にパッド21を近接して設けることができず、従って高
密度のベアチップが構成できないという問題がある。細
いワイヤを使用すると先端部に形成されるボールも小さ
くできるが、その場合には、ワイヤの強度が低下するの
で、ボンディング中またはボンディング完了後にワイヤ
3が切断する恐れがある。
【0008】本発明は、ベアチップ上のボンディング用
のパッドを近接して設けても、隣接パッド間で短絡せ
ず、高密度の実装が可能な半導体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
のパッドを近接して設けても、隣接パッド間で短絡せ
ず、高密度の実装が可能な半導体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板に搭載された半導体チップのボンディ
ング用パッドにキャピラリに通したワイヤの一端を固定
する第1ボンディング後、前記ワイヤを前記キャピラリ
より引出して前記基板上に形成されたボンディング用パ
ッドに固定する第2ボンディングを行う半導体の製造方
法において、前記第2ボンディング終了後に、前記キャ
ピラリと前記第2ボンディング部の間のワイヤ部を加熱
手段により細線化した後、前記ワイヤを前記細線部にお
いて切断することを特徴とするものである。
に本発明は、基板に搭載された半導体チップのボンディ
ング用パッドにキャピラリに通したワイヤの一端を固定
する第1ボンディング後、前記ワイヤを前記キャピラリ
より引出して前記基板上に形成されたボンディング用パ
ッドに固定する第2ボンディングを行う半導体の製造方
法において、前記第2ボンディング終了後に、前記キャ
ピラリと前記第2ボンディング部の間のワイヤ部を加熱
手段により細線化した後、前記ワイヤを前記細線部にお
いて切断することを特徴とするものである。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例の半導体の基板側の
ボンディング工程(2ndボンディング)を説明するた
めの図で、(a)は2ndボンディング工程、(b)は
ワイヤ細線化工程、(c)はワイヤ切断工程、(d)は
ボール形成工程である。以下,図を用いて述べる。
ボンディング工程(2ndボンディング)を説明するた
めの図で、(a)は2ndボンディング工程、(b)は
ワイヤ細線化工程、(c)はワイヤ切断工程、(d)は
ボール形成工程である。以下,図を用いて述べる。
【0011】先ず、ベアチップ2側のボンディング(1
stボンディング)が完了した後、ワイヤ3の通された
キャピラリ4を緩めてワイヤ3が自由に引き出される状
態にして、キャピラリ4を基板1側のパッド11上に移
動させ、キャピラリ4を締めてワイヤ3を固定して超音
波振動を加えてボンディング(2ndボンディング)を
行う。ボンディング完了後も2ndボンディング部31
にはワイヤ3が繋がっている(図1(a)参照)。
stボンディング)が完了した後、ワイヤ3の通された
キャピラリ4を緩めてワイヤ3が自由に引き出される状
態にして、キャピラリ4を基板1側のパッド11上に移
動させ、キャピラリ4を締めてワイヤ3を固定して超音
波振動を加えてボンディング(2ndボンディング)を
行う。ボンディング完了後も2ndボンディング部31
にはワイヤ3が繋がっている(図1(a)参照)。
【0012】次に、キャピラリ4を緩めて少し上昇さ
せ、ワイヤ3を少し引き出して、2ndボンディング部
とキャピラリ4の間を広げる。キャピラリ4を締めてワ
イヤ3をクランプした状態で、トーチ(ガスによるマイ
クロトーチ)6によりキャピラリ4とボンディング部3
1の間のワイヤ3を加熱する。ワイヤ3はキャピラリ4
にクランプされ張力が懸かっているので、トーチ6によ
る加熱部が引き延ばされて10〜15μmの細線部32
が形成される(通常部のワイヤ径は20〜30μm)
(図1(b)参照)。
せ、ワイヤ3を少し引き出して、2ndボンディング部
とキャピラリ4の間を広げる。キャピラリ4を締めてワ
イヤ3をクランプした状態で、トーチ(ガスによるマイ
クロトーチ)6によりキャピラリ4とボンディング部3
1の間のワイヤ3を加熱する。ワイヤ3はキャピラリ4
にクランプされ張力が懸かっているので、トーチ6によ
る加熱部が引き延ばされて10〜15μmの細線部32
が形成される(通常部のワイヤ径は20〜30μm)
(図1(b)参照)。
【0013】続いて、2ndボンディング部31とキャ
ピラリ4間のワイヤ3の細線部32に電極5を接近させ
る(図1(c)参照)。さらに、ワイヤ3と電極5の間
でスパークさせて細線部32で余分のワイヤ3を切断す
る。この時、キャピラリ4側のワイヤ3の先端部も溶融
して表面張力により球形の小さいボール33が形成され
る(図1(d)参照)。
ピラリ4間のワイヤ3の細線部32に電極5を接近させ
る(図1(c)参照)。さらに、ワイヤ3と電極5の間
でスパークさせて細線部32で余分のワイヤ3を切断す
る。この時、キャピラリ4側のワイヤ3の先端部も溶融
して表面張力により球形の小さいボール33が形成され
る(図1(d)参照)。
【0014】このワイヤ3の先端のボール33はキャピ
ラリ4に捕捉された状態で、ベアチップ2上の次のパッ
ド21に移動されて1stボンディングされる。ボンデ
ィングによりボール33は変形して広がりパッド21に
溶着されるが、ボール33が小さいために隣接するパッ
ド21間で短絡する恐れはない。また、ワイヤ3の径は
従来と変わらず、先端部のボール33だけが小さく形成
されているので、強度は低下しない。以上の操作が対応
するパッド21、11間で繰り返される。
ラリ4に捕捉された状態で、ベアチップ2上の次のパッ
ド21に移動されて1stボンディングされる。ボンデ
ィングによりボール33は変形して広がりパッド21に
溶着されるが、ボール33が小さいために隣接するパッ
ド21間で短絡する恐れはない。また、ワイヤ3の径は
従来と変わらず、先端部のボール33だけが小さく形成
されているので、強度は低下しない。以上の操作が対応
するパッド21、11間で繰り返される。
【0015】尚、ワイヤ3をトーチ6により細線化する
時に(図1(b)参照)、細線化工程に引き続きトーチ
6をさらにワイヤ3に接近させて切断することも可能で
ある。ワイヤ3の切断と同時に溶融したワイヤ3の先端
にボール33が形成される。トーチ6によりワイヤ3を
切断する場合には、スパークによるワイヤ切断工程(図
1(c)に相当する工程)は省略できる。
時に(図1(b)参照)、細線化工程に引き続きトーチ
6をさらにワイヤ3に接近させて切断することも可能で
ある。ワイヤ3の切断と同時に溶融したワイヤ3の先端
にボール33が形成される。トーチ6によりワイヤ3を
切断する場合には、スパークによるワイヤ切断工程(図
1(c)に相当する工程)は省略できる。
【0016】以上のように本実施例では、基板1への1
stボンディング後、ワイヤ3の先端部が細線化されて
ボール33が形成されるので、次に、ベアチップ2上で
2ndボンディングされるワイヤ3の先端のボール33
が小さくなるので、高密度実装が可能になる。
stボンディング後、ワイヤ3の先端部が細線化されて
ボール33が形成されるので、次に、ベアチップ2上で
2ndボンディングされるワイヤ3の先端のボール33
が小さくなるので、高密度実装が可能になる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明ではベアチ
ップ上のボンディング用のパッドを近接して設けても、
隣接パッド間で短絡せず、高密度の実装が可能な半導体
の製造方法が提供できる。
ップ上のボンディング用のパッドを近接して設けても、
隣接パッド間で短絡せず、高密度の実装が可能な半導体
の製造方法が提供できる。
【図1】本発明の一実施例の半導体の基板側のボンディ
ング工程(2ndボンディング)を説明するための図
で、(a)は2ndボンディング工程、(b)はワイヤ
細線化工程、(c)はワイヤ切断工程、(d)はボール
形成工程である。
ング工程(2ndボンディング)を説明するための図
で、(a)は2ndボンディング工程、(b)はワイヤ
細線化工程、(c)はワイヤ切断工程、(d)はボール
形成工程である。
【図2】半導体のボンディング部の構造を示す図で、
(a)は上面図、(b)は断面図である。
(a)は上面図、(b)は断面図である。
【図3】従来の半導体の基板側のボンディング工程(2
ndボンディング)を説明するための図で、(a)は2
ndボンディング工程、(b)はワイヤ引出し工程、
(c)はワイヤ切断工程、(d)はボール形成工程であ
る。
ndボンディング)を説明するための図で、(a)は2
ndボンディング工程、(b)はワイヤ引出し工程、
(c)はワイヤ切断工程、(d)はボール形成工程であ
る。
1・・・・基板 32・・・細線
部 2・・・・ベアチップ 33・・・ボー
ル 21・・・パッド 4・・・・キャ
ピラリ 3・・・・ワイヤ 5・・・・電極 31・・・2ndボンディング部 6・・・・トー
チ
部 2・・・・ベアチップ 33・・・ボー
ル 21・・・パッド 4・・・・キャ
ピラリ 3・・・・ワイヤ 5・・・・電極 31・・・2ndボンディング部 6・・・・トー
チ
Claims (1)
- 【請求項1】 基板に搭載された半導体チップのボンデ
ィング用パッドにキャピラリに通したワイヤの一端を固
定する第1ボンディング後、前記ワイヤを前記キャピラ
リより引出して前記基板上に形成されたボンディング用
パッドに固定する第2ボンディングを行う半導体の製造
方法において、 前記第2ボンディング終了後に、前記キャピラリと前記
第2ボンディング部の間のワイヤ部を加熱手段により細
線化した後、前記ワイヤを前記細線部において切断する
ことを特徴とする半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23221395A JP3455618B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23221395A JP3455618B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 半導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0982743A true JPH0982743A (ja) | 1997-03-28 |
JP3455618B2 JP3455618B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=16935765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23221395A Expired - Fee Related JP3455618B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3455618B2 (ja) |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP23221395A patent/JP3455618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3455618B2 (ja) | 2003-10-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030715 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |