JPH0945717A - ワイヤボンディング方法およびそれに用いるキャピラリ - Google Patents

ワイヤボンディング方法およびそれに用いるキャピラリ

Info

Publication number
JPH0945717A
JPH0945717A JP3253996A JP3253996A JPH0945717A JP H0945717 A JPH0945717 A JP H0945717A JP 3253996 A JP3253996 A JP 3253996A JP 3253996 A JP3253996 A JP 3253996A JP H0945717 A JPH0945717 A JP H0945717A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
wire bonding
bonding
capillary
electrode pads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3253996A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Tsuchikawa
和弘 土川
Takatsugu Tsubaki
隆次 椿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP3253996A priority Critical patent/JPH0945717A/ja
Publication of JPH0945717A publication Critical patent/JPH0945717A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • H01L2224/78302Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 1台のワイヤボンディング装置による1個の
電子部品へのワイヤボンディング時間を短縮し、工数の
削減を図るとともに、高価なワイヤボンディング装置の
稼動率を向上させるワイヤボンディング方法およびそれ
に用いるキャピラリを提供する。 【構成】 電子部品チップの電極パッド1a、1bと外
部接続用のリード8a、8b間をワイヤ21a、22a
で接続するワイヤボンディング方法であって、複数のワ
イヤ供給部を有する1台のボンディングヘッドを用いて
複数個の前記電極パッドに同時にワイヤをボンディング
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング方法
およびそれに用いるキャピラリに関する。さらに詳しく
は、1台のボンディングヘッドによる電子部品1個あた
りのボンディング時間を短縮させたワイヤボンディング
方法およびそれに用いるキャピラリに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップやコンデンサチップなどの
電子部品チップの電極端子を外部接続用のリードと電気
的に接続するため、金線などのワイヤを用いてワイヤボ
ンディングが行われる。従来のワイヤボンディング方法
は、1個の高周波振動子に固定された1個のキャピラリ
からなるボンディングヘッドを用いて、該キャピラリを
貫通する金線などのワイヤにより、半導体チップの1個
の電極パッドと1個のリードとを順次ワイヤボンディン
グして接続し、その繰り返しによって全電極パッドのボ
ンディングを行っている。ワイヤボンディングはワイヤ
が繰り出されるキャピラリの先端とボンディングされる
電極パッドなどとの位置合わせがされ、キャピラリの先
端を加熱するとともに高周波振動を印加しながらボンデ
ィングする。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】たとえば前述のように
電極パッドが2個あるばあいは1個の電子部品チップに
対して途中でボンディングヘッドを移動させて位置調整
をし、2回のボンディング作業をする必要がある。その
ため、そのボンディング工数を多く必要とするととも
に、高価なワイヤボンディング装置のさらなる稼動率の
向上が要望されている。
【0004】一方、特開昭47−27471号公報には
複数台のワイヤボンディング装置を用いて複数個の電極
パッドにワイヤを同時にボンディングする技術が開示さ
れている。しかし、この方法によればボンディング工数
を短縮することはできるが、高価なワイヤボンディング
装置の台数が増加し、設備費が一層高価になるととも
に、1個の電子部品チップに対する1台のワイヤボンデ
ィング装置の稼動時間を短縮するものではない。
【0005】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、1台のワイヤボンディング装置による
1個の電子部品へのワイヤボンディング時間を短縮し、
工数の削減を図るとともに、高価なワイヤボンディング
装置の稼動率を向上させるワイヤボンディング方法およ
びそれに用いるキャピラリを提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤボンディ
ング方法は、電子部品チップの電極パッドと外部接続用
のリード間をワイヤで接続するワイヤボンディング方法
であって、複数のワイヤ供給部を有する1台のボンディ
ングヘッドを用いて複数個の前記電極パッドに同時にワ
イヤボンディングをすることを特徴とする。
【0007】また本発明のキャピラリは、超音波振動子
の先端に固定され、内部にワイヤが貫通する貫通孔が設
けられたワイヤボンディング用のキャピラリであって、
前記貫通孔が複数個設けられている。
【0008】
【作用】本発明のワイヤボンディング方法によれば、1
台のボンディングヘッドにより複数個の電極パッドに同
時にワイヤボンディングをしているため、1回のボンデ
ィング作業で、複数個の電極パッドへのワイヤのボンデ
ィングが同時に完了する。そのため、ボンディング工数
を短縮することができるとともに、1台のワイヤボンデ
ィング装置により単位時間あたりにワイヤボンディング
をすることができる電子部品チップの数である稼動率が
向上する。
【0009】すなわち、安価に大量生産される同一種類
の電子部品は皆同じ寸法で製造され、複数の電極パッド
のそれぞれの間隔も全て等しい。そのため、あらかじめ
電極パッドの間隔に合わせてキャピラリのワイヤ貫通用
の貫通孔の間隔を合わせて1個の高周波振動子に固定し
ておくことにより、電極パッドのボンディングされる部
分の並び方向とキャピラリの貫通孔の並び方向とをボン
ディングヘッドを回転させて合わせるだけで同時に複数
個のワイヤを複数個の電極パッドにボンディングするこ
とができる。
【0010】また、本発明のキャピラリによれば、1個
の超音波振動子に固定されるキャピラリに貫通孔が複数
個設けられているため、貫通孔の先端の間隔を電子部品
チップのボンディングされる部分の電極パッドの間隔に
合わせておけば、ボンディングの際にボンディングヘッ
ドの向きも含めて位置合わせするだけで同時に同じ条件
でワイヤボンディングをすることができる。さらにキャ
ピラリは非常に安価に製造されるため、電子部品の品種
ごとに電極パッドの間隔に合わせたキャピラリを準備し
ておくことができる。
【0011】
【実施例】つぎに添付図面を参照しつつ本発明のワイヤ
ボンディング方法およびそれに用いるキャピラリを説明
する。図1(a)は本発明のワイヤボンディング方法の
一実施例に用いる装置の一例の概略説明図、図1(b)
はそのキャピラリ部の拡大説明図である。
【0012】図1において、3はキャピラリ、4は超音
波振動子、5は水素バーナなどからなるトーチランプ、
6はカメラである。なお、本装置は、図示しないが超音
波振動子4の駆動回路やカメラ6により認識した画像の
画像処理部、キャピラリ3を上下動させる駆動部、xy
ステージなどを有している。
【0013】本発明のワイヤボンディング方法に用いる
装置は、超音波振動子4に固定されたキャピラリ3から
なるボンディングヘッドにおいて、図1(b)に示され
るように、キャピラリ3にワイヤを貫通させる貫通孔3
a、3bが複数個設けられていることに特徴がある。す
なわち、図1(b)に示されるように、キャピラリ3は
従来と同様にセラミックスやルビーなどにより形成され
るが、その際、金線などのワイヤ21、22を貫通させ
る貫通孔3a、3bが2個形成される。その先端の間隔
Eは、ワイヤをボンディングする、たとえばトランジス
タチップの電極パッドの間隔と合わせて形成され、シャ
ンク部3cが超音波振動子4に挿入されて固定されてい
る。図1(b)に示されるキャピラリ3は、セラミック
スの成形、焼結などにより一体に形成されるため、小さ
な貫通孔3a、3bでも正確な間隔で形成される。その
ため、製造が容易で、1個あたり1000円程度の安価
でえられる。
【0014】本実施例によれば、キャピラリ3に設けら
れた2個の貫通孔3a、3bに、2本のワイヤ21、2
2が挿入され、通常のボンディングの一工程で2本のワ
イヤを同時にボンディングすることができる。そのた
め、超音波振動子や画像処理部など高価な部品を有する
ワイヤボンディング装置は1台で同時に2本のワイヤボ
ンディングを行うことができ、ボンディング工程の時間
を短縮することができるとともに、高価なワイヤボンデ
ィング装置の稼働を向上(単位時間あたりにワイヤボン
ディングをすることができる電子部品チップの数を増
加)させることができる。
【0015】つぎに、図2〜3を参照しながら、図1に
示されるワイヤボンディング装置を用いてトランジスタ
チップ1にワイヤボンディングする方法について説明す
る。図3にトランジスタチップ1にワイヤボンディング
された状態の平面説明図が示されるように、トランジス
タチップ1のたとえばベースの電極パッド1aとエミッ
タの電極パッド1bのボンディング部を結ぶ方向Gはト
ランジスタチップ1の一辺、すなわちダイパッド8cの
一辺Hと角度θをなして電極パッド1a、1bが設けら
れている。この角度θはトランジスタチップ1の設計に
より定まり、製造上の僅かなバラツキがあるのみであ
る。また、電極パッド1a、1bのボンディング部の間
隔Eも設計により定まっており、この間隔Eと合わせ
て、図1(b)に示されるキャピラリ3の貫通孔3a、
3bの間隔Eが一致するようにキャピラリ3が形成され
ている。
【0016】このトランジスタチップ1のワイヤボンデ
ィングをするには、まず、ボンディングヘッドの下部に
トランジスタチップ1をセッティングし、カメラ6(図
1参照)で電極パッド1a、1bの画像を読み取り、ダ
イパッド8cの一辺Hとワイヤボンディング部を結ぶ線
Gとのなす角θと一致するようにボンディングヘッドを
回転させるとともに、電極パッド1a、1bとキャピラ
リ3の貫通孔3a、3bの先端部とが一致するようにボ
ンディングヘッドが載置されたxyステージのx方向お
よびy方向の位置合わせをする。
【0017】つぎにキャピラリ3を降下させ圧接すると
キャピラリ3の貫通孔3a、3b内を貫通し、先端にボ
ールが形成されたワイヤ21、22がそれぞれ電極パッ
ド1a、1bに押しつけられ、超音波振動子4より伝達
される超音波が印加されるとともに加熱されたキャピラ
リ3により、ワイヤ21、22の先端部のボールが電極
パッド1a、1bに熱圧着される。
【0018】そののち、図2(b)に示されるように、
キャピラリ3をもち上げ、水素バーナなどからなるトー
チランプ5によりワイヤ21、22を同時に溶断する。
その際、溶断部の両端には図2(b)に示されるよう
に、ボールが形成され、トランジスタチップ1上に先端
がボール状になったワイヤ21a、22aが形成され
る。
【0019】ワイヤボンディング装置によるボンディン
グ作業はこれで終了し、リードフレームが前方に送られ
てボンディングヘッドから離れたところで図示しない振
分け棒によりワイヤ21a、22aをリード8aおよび
8b側にそれぞれ折り曲げ、リード8aおよび8bに先
端を加熱した金属棒(図示せず)によりそれぞれ熱圧着
しワイヤボンディングが完了する(図2(c)参照)。
前述のリードフレームが前方に送られることにより、ボ
ンディングヘッドの下部にはつぎのトランジスタチップ
1がセッティングされ、前述のリード8a、8bとのワ
イヤボンディングと並行して新たなトランジスタチップ
1へのワイヤボンディングが同様に行われる。その結
果、1個のトランジスタチップあたりのワイヤボンディ
ング装置によりボンディングをする時間を1/4程度短
縮することができる。
【0020】本実施例では1個のキャピラリに2個の貫
通孔を設けたが、貫通孔の数は2個に限らず、たとえば
トランジスタの電極パッドが3個ともチップ表面に形成
されるばあいには3本のワイヤを同時にボンディングで
きるように3個の貫通孔が設けられてもよいし、簡単な
ICで4個以上の貫通孔を設けることもできる。図4は
本発明のワイヤボンディング方法の他の実施例に用いる
ボンディングヘッド部の説明図である。本実施例では、
ワイヤ21、22を貫通させる貫通孔31a、32aが
1個のキャピラリに形成されないで、1個の貫通孔31
a、32aをそれぞれ有する2個のキャピラリ31、3
2がホルダー33のシャンク部33aを介して超音波振
動子4に固定されることにより形成されている。このよ
うに別々のキャピラリ31、32により複数個の貫通孔
31a、32aが設けられていても、2つのキャピラリ
31、32は共に1個の超音波振動子4に固定されてい
るため、安価なキャピラリが1個増えるだけで、1台の
ワイヤボンディング装置により2個のワイヤボンディン
グを1度に行うことができる。
【0021】本実施例では1個のキャピラリに1個の貫
通孔を設けてキャピラリの数を複数にしたが、複数個の
キャピラリのうち、少なくとも1個が複数個の貫通孔を
有していてもよい。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、電子部品の品種に応じ
て複数個の貫通孔の間隔を調整しなければならないが、
キャピラリは安価に形成でき、1台のワイヤボンディン
グ装置で複数本のワイヤを1度にボンディングすること
ができるため、チップ1個あたりのボンディング工数を
1/4程度低下させることができるとともに、高価なワ
イヤボンディング装置の稼働率を向上させることがで
き、電子部品の製造コストを低下させることができる。
【0023】さらに、1個の電子部品チップに対し、キ
ャピラリを圧接する回数を1/2以下にすることができ
るため、キャピラリの交換頻度を少なくすることがで
き、作業効率が向上する。さらに、電子部品の組立ライ
ンでネックとなり易いワイヤボンディング工程を短縮す
ることができるため、全体の生産性が向上するという利
点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のワイヤボンディング方法の一実施例に
用いる装置の概略説明図である。
【図2】本発明のワイヤボンディング方法の一実施例を
説明する断面説明図である。
【図3】トランジスタチップがワイヤボンディングされ
た状態を示す平面説明図である。
【図4】本発明のワイヤボンディング方法の他の実施例
のボンディングヘッド部の説明図である。
【符号の説明】
1 トランジスタチップ 1a 電極パッド 1b 電極パッド 3 キャピラリ 3a 貫通孔 3b 貫通孔 4 超音波振動子 8a リード 8b リード 21 ワイヤ 21a ワイヤ 22 ワイヤ 22a ワイヤ 31 キャピラリ 31a 貫通孔 32 キャピラリ 32a 貫通孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子部品チップの電極パッドと外部接続
    用のリード間をワイヤで接続するワイヤボンディング方
    法であって、複数のワイヤ供給部を有する1台のボンデ
    ィングヘッドを用いて複数個の前記電極パッドに同時に
    ワイヤをボンディングするワイヤボンディング方法。
  2. 【請求項2】 超音波振動子の先端に固定され、内部に
    ワイヤが貫通する貫通孔が設けられたワイヤボンディン
    グ用のキャピラリであって、前記貫通孔が複数個設けら
    れてなるキャピラリ。
JP3253996A 1995-05-22 1996-02-21 ワイヤボンディング方法およびそれに用いるキャピラリ Pending JPH0945717A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3253996A JPH0945717A (ja) 1995-05-22 1996-02-21 ワイヤボンディング方法およびそれに用いるキャピラリ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12275795 1995-05-22
JP7-122757 1995-05-22
JP3253996A JPH0945717A (ja) 1995-05-22 1996-02-21 ワイヤボンディング方法およびそれに用いるキャピラリ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0945717A true JPH0945717A (ja) 1997-02-14

Family

ID=26371134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3253996A Pending JPH0945717A (ja) 1995-05-22 1996-02-21 ワイヤボンディング方法およびそれに用いるキャピラリ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0945717A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8008183B2 (en) * 2007-10-04 2011-08-30 Texas Instruments Incorporated Dual capillary IC wirebonding

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8008183B2 (en) * 2007-10-04 2011-08-30 Texas Instruments Incorporated Dual capillary IC wirebonding

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4970365A (en) Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate
US5842628A (en) Wire bonding method, semiconductor device, capillary for wire bonding and ball bump forming method
JPH10275827A (ja) フェイスダウンボンディング用リードフレーム
JPH08255862A (ja) リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型
JPH0945717A (ja) ワイヤボンディング方法およびそれに用いるキャピラリ
EP0423433A1 (en) Method and apparatus for bonding component leads to pads located on a non-rigid substrate
JP2003059961A (ja) ワイヤボンディング方法、および半導体装置
JP2823000B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2741204B2 (ja) 半導体装置
JPH04255237A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0228339A (ja) ワイヤボンデイング方法とその装置
JPS6178128A (ja) 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル
JPH05102223A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3293757B2 (ja) 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法
JP2846095B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0428241A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2848344B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3100710B2 (ja) ボンディングツールおよびボンディング方法
JPS61219159A (ja) 金ボ−ルバンプの製造方法
JPH0287641A (ja) 半導体集積回路
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JPH1126502A (ja) バンプのレベリング方法
JPH03127844A (ja) ボンディング装置およびボンディング方法
JPH1012618A (ja) はんだバンプ形成方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040706

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041214