JPH11330125A - キャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子部品及びその製造方法 - Google Patents

キャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子部品及びその製造方法

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JPH11330125A
JPH11330125A JP10155250A JP15525098A JPH11330125A JP H11330125 A JPH11330125 A JP H11330125A JP 10155250 A JP10155250 A JP 10155250A JP 15525098 A JP15525098 A JP 15525098A JP H11330125 A JPH11330125 A JP H11330125A
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bump
wire
electrode
capillary
ball
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Tsutomu Sakatsu
務 坂津
Kozo Komatsu
耕三 小松
Shinji Tezuka
伸治 手塚
Toshiaki Iwabuchi
寿章 岩渕
Satoshi Kuwazaki
聡 桑崎
Hideaki Okura
秀章 大倉
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Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電極パッドの面積が縮小化して
も、ボールと電極パッドとの良好な接続特性と信頼性を
確保することが可能なキャピラリ及びバンプ形成方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 底面が円周状の縁部から中心部のホール
に向かってすり鉢状に凹むテーパ形状をなしているキャ
ピラリ１２を使用して、ボール１６を電極パッド１０に
押圧し超音波加振し、ワイヤバンプ１８を形成する。こ
のときのエネルギーの伝達と塑性変形の分布は、キャピ
ラリ１２底面のテーパ形状に規定されて電極パッド１０
の中央部に集中するため、ワイヤバンプ１８と電極パッ
ド１０との円環状の接合エリア２０は、たとえ電極パッ
ド１０の面積が従来よりも小さくても、電極パッド１０
内に納まってしまう。従って、実質的な接合面積が十分
に確保されて接合強度が向上し、良好な接続特性と信頼
性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はキャピラリ、バンプ
形成方法、並びに電子部品及びその製造方法に係り、特
に半導体実装分野においてフリップチップ接続を行う際
に使用されるキャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子
部品及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】先ず、本発明に関連する先行技術の幾つ
かを紹介する。例えば特開平４−１３０６３４号公報に
記載の「バンプ電極の形成方法」においては、バンプ電
極の形状を安定化させ、ワイヤの切断部と底部との圧着
不良を防止することが可能なバンプ電極の形成方法を提
供することを目的として、キャピラリにより電極パッド
にボールを圧着した後、この圧着位置からキャピラリを
垂直上方向、水平方向、垂直下方向および上記水平方向
と逆の水平方向に移動させることによりキャピラリの位
置を圧着位置から水平方向にわずかに移動させた後、キ
ャピラリの先端を圧着したボールに押し当てることによ
り圧着したボールから延びたワイヤを圧潰切断すること
を特徴とする。
【０００３】また、特開昭６２−１１５７４８号公報に
記載の「金バンプ形成法」においては、複数個の端子電
極が形成された半導体基板を加熱する工程と、キャピラ
リ中を通したＡｕ（金）線の先端を球状にする工程と、
端子電極中の少なくとも一電極上に球状のＡｕ先端部を
キャピラリによつて押圧すると同時に超音波振動を印加
して圧着する工程と、キャピラリを押し当てたままこの
キャピラリを水平方向に移動する工程と、Ａｕ線が供給
される方向と逆方向に張力を与えてこのＡｕ線を切断す
る工程と、キャピラリを上昇させ圧着部から引き離す工
程とを有することを特徴とする。
【０００４】また、特開平５−１６６８１１号公報に記
載の「半田バンプの形成方法」においては、ＩＣ（集積
回路）等の半導体部品のアルミ電極にＡｕのスタッドバ
ンプをワイヤボンダで形成し、その上に半田でスタッド
バンプを形成することで拡散防止のバリアメタルの形成
を省略することを目的として、ＩＣ等の半導体部品のＡ
ｌ（アルミニウム）電極にＡｕのスタッドバンプをまず
形成し、さらにその上に半田のスタッドバンプを形成す
ることを特徴とする。
【０００５】また、特開平９−６９５３９号公報記載の
「バンプ形成方法及び半導体装置」においては、バンプ
形成方法及び半導体装置に関し、バンプを低コストで形
成すると共に、バンプを用いた半導体装置の信頼性を向
上させることを目的として、基板に設けられた電極パッ
ド上に第１のバンプを形成する工程と、この基板上を絶
縁膜で覆う工程と、第１のバンプの表面を露出させ、絶
縁膜と第１のバンプとを平坦化する工程と、露出した第
１のバンプの表面に第２のバンプを形成する工程を有す
ることを特徴とする。
【０００６】一般のワイヤバンプの製造方法には、次の
ような方法がある。 （１） キャピラリ中を通したワイヤの先端を溶融して
形成したボールをキャピラリによって電極パッドに圧着
した後、そのままキャピラリを引き上げることによりワ
イヤを引っ張って切断し、バンプを形成する。いわゆる
引きちぎり法である。
【０００７】（２） キャピラリ中を通したワイヤの先
端を溶融して形成したボールをキャピラリによって電極
パッドに圧着した後、２回目のボンディング動作を少し
ずらした位置に行うことによりワイヤを切断し、バンプ
形成する。例えば上記特開平４−１３０６３４号に係る
「バンプ電極の形成方法」が該当する。
【０００８】（３） キャピラリ中を通したワイヤの先
端を溶融して形成したボールをキャピラリによって電極
パッドに圧着した後、キャピラリを押し当てたまま水平
方向に移動することによりワイヤを切断し、バンプを形
成する。例えば上記特開昭６２−１１５７４８号に係る
「金バンプ形成法」が該当する。
【０００９】但し、これらのワイヤバンプの製造方法に
おいては、ワイヤの切断方法は互いに異なるものの、い
ずれの場合も、図１０（ａ）、（ｂ）に示されるよう
に、半導体チップに配置されている例えば正方形状の電
極パッド１００上方において、キャピラリ１０２の中心
に開口されたホールにワイヤ１０４を通し、更にこのワ
イヤ１０４の先端部を放電等によって溶融して、ボール
１０６を形成した後、キャピラリ１２を下降させ、この
キャピラリ１０２の底面によってボール１０４を電極パ
ッド１００に圧着し、ワイヤバンプ１０８を形成すると
いう点は共通している。
【００１０】そして、このとき、ワイヤバンプ１０８と
電極パッド１００とが金属同士の固相拡散接合をなす接
合エリア１２０は、円環状に形成される。この円環状の
接合エリア１２０は、キャピラリ１０２の底面によって
ボール１０６を電極パッド１００に圧着し、例えば超音
波加する際のエネルギーの伝達と塑性変形の偏りによっ
て発生する。
【００１１】また、上記従来のワイヤバンプの製造方法
によって電極パッド上にバンプを形成した半導体チップ
は、例えばプリント配線基板等の実装基板にフリップチ
ップ接続される。即ち、図１１（ａ）に示されるよう
に、半導体チップ１３０の電極形成面の複数の電極パッ
ド１３２上にそれぞれワイヤバンプ１３４を形成した
後、この半導体チップ１３０をフェイスダウンに裏返し
て実装基板１３６に対向させ、半導体チップ１３０の複
数の電極パッド１３２上のワイヤバンプ１３４と実装基
板１３６の配線層の複数の電極パッド１３８とを対峙さ
せる。
【００１２】次いで、図１１（ｂ）に示されるように、
半導体チップ１３０を下降させ、半導体チップ１３０の
複数のワイヤバンプ１３４を実装基板１３６の複数の電
極パッド１３８に接触させると共に、ワイヤバンプ１３
４を溶融し、この溶融したワイヤバンプ１４０を介して
半導体チップ１３０の複数の電極パッド１３２と実装基
板１３６の複数の電極パッド１３８とを一括してフリッ
プチップ接続する。
【００１３】また、信頼性向上等を目的とする２段構造
のバンプ形成方法においては、Ａｕバンプを電極パッド
上に形成した後、このＡｕバンプ上に直接に接して半田
バンプを形成している。例えば上記特開平５−１６６８
１１号に係る「半田バンプの形成方法」や特開平９−６
９５３９号に係る「バンプ形成方法及び半導体装置」が
該当する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記図１０
（ａ）、（ｂ）に示されるような従来のワイヤバンピン
グ法において、半導体チップにおける素子の高集積化、
高密度化等に伴って電極パッドの面積が小さくなる場合
には、図１０（ｃ）に示されるように、キャピラリ１０
２の平坦な底面の中心を相対的に小面積の電極パッド１
００ａの中央部に一致させてワイヤバンプ１０８を形成
すると、従来の円環状の接合エリア１２０が小面積の電
極パッド１００ａをはみ出してしまい、ワイヤバンプ１
０８と電極パッド１００ａとの実質的な接合エリア１２
０ａはその接合面積が小さくなる。このため、接合強度
が弱くなり、ワイヤバンプ１０８と電極パッド１００ａ
との接続に関する信頼性が低下するという問題が生じ
る。
【００１５】特に、ワイヤとして半田ワイヤを使用する
半田ワイヤボンディングの場合、現在においては４０μ
ｍφのワイヤを用いて１５０μｍピッチ程度のバンプを
形成することが可能であるが、半田ワイヤの径が４０μ
ｍφよりも更に細くなると、ワイヤ強度が急激に弱くな
るために、信頼性の高い微細なバンプの形成が困難にな
るという問題がある。また、こうして微細なバンプ形成
ができないために、半田ワイヤバンプは、電極パッド間
のピッチがある程度よりも大きな半導体チップにしか使
用されず、微細ピッチの半導体チップを実装する際には
使用できないという問題もある。
【００１６】また、上記図１１（ａ）、（ｂ）に示され
るような従来の半導体チップの実装基板へのフリップチ
ップ接続において、半導体チップに形成される素子の高
集積化、高密度化に伴って電極パッド間のピッチが狭く
なる場合には、図１１（ｃ）、（ｄ）に示されるよう
に、半導体チップ１３０の相対的に小面積の電極パッド
１３２ａ上に形成するワイヤバンプ１３４ａの大きさも
従来のワイヤバンプ１３４より小さくしなければなら
ず、この小さなワイヤバンプ１３４ａを溶融したワイヤ
バンプ１４０を介して半導体チップ１３０の電極パッド
１３２ａと実装基板１３６の相対的に小面積の電極パッ
ド１３８ａとを溶融接続した際の接続間ギャップは、従
来の図１１（ｂ）に示すＧ１から電極パッドの微細ピッ
チ化が進んだ図１１（ｄ）に示すＧ２へと狭くなる。そ
して、この半導体チップ１３０と実装基板１３６とのギ
ャップが狭くなると、接続プロセスが難しくなったり、
接続後の熱応力に対して信頼性が低下したりするなどの
問題が生じる。
【００１７】また、上記従来のＡｕバンプ上に直接に半
田バンプが形成されている２段構造のバンプ形成方法に
おいては、半田バンプ側が実装基板の配線パターンの電
極パッドに接して接続されることになるため、この半田
バンプの溶融接続の際に半田が実装基板の電極パッドに
濡れ広がって、バンプ量にばらつきが生じることにな
る。このとき、実装基板の電極パッドの設計仕様は半田
の濡れ広がりまでをも想定した高精度な寸法に製作する
のは事実上困難であるため、バンプ量のばらつきによっ
て半導体チップと実装基板とのギャップがばらつき、両
者間の接続不良が発生するなどの危険がある。
【００１８】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたもので、電極パッドの面積が縮小化しても、ボール
と電極パッドとの良好な接続特性と信頼性を確保するこ
とが可能なキャピラリ及びバンプ形成方法を提供するこ
とを第１の目的とする。
【００１９】また、電極パッド間のピッチが微細化して
も、それに対応した微細なバンプを形成する一方、半導
体チップと実装基板とのギャップを広くして、接続プロ
セスを容易にすると共に、接続後の熱応力に対する信頼
性を向上させることが可能な電子部品及びその製造方法
を提供することを第２の目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係るキャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子部品
及びその製造方法により達成される。即ち、請求項１に
係るキャピラリは、ワイヤを通すホールと、このホール
を通ったワイヤの先端部を溶融して形成したボールを電
極パッドに押圧する底面と、を有するキャピラリであっ
て、その底面が円周状の縁部から中心部のホールに向か
ってすり鉢状に凹むテーパ形状をなしていることを特徴
とする。このように請求項１に係るキャピラリにおいて
は、そのキャピラリの底面が円周状の縁部から中心部の
ホールに向かってすり鉢状に凹むテーパ形状をなしてい
ることにより、このテーパ形状の底面を用いてボールを
電極パッドに押圧し超音波加振する際のエネルギーの伝
達と塑性変形の分布が円環状の接合エリアの中心部へ集
中するため、たとえ電極の面積が小さい場合であって
も、円環状の接合エリアが電極内に納まってしまう。従
って、ボールと電極との実質的な接合面積が十分に確保
され、両者の接合強度が向上して、良好な接続特性と信
頼性が得られる。
【００２１】また、請求項２に係るキャピラリは、ワイ
ヤを通すホールと、このホールを通ったワイヤの先端部
を溶融して形成したボールを電極パッドに押圧する底面
と、を有するキャピラリであって、ホール内のワイヤに
熱風を吹き付ける熱風供給孔が設置されていることを特
徴とする。
【００２２】このように請求項２に係るキャピラリにお
いては、ホール内のワイヤに熱風を吹き付ける熱風供給
孔が設置されていることにより、ワイヤの先端部を溶融
して形成したボールを電極パッドに押圧してバンプを形
成した後、バンプに接続しているワイヤに熱風供給孔か
ら熱風を吹き付けると、この熱風が吹き付けられた箇所
のワイヤの結晶状態が変化して、ワイヤが破断され易く
なるため、バンプに接続しているワイヤ残部が必要十分
な長さになるように破断位置をコントロールすることが
可能になる。
【００２３】また、請求項３に係るバンプ形成方法は、
ワイヤバンピング法により電子部品の電極上にバンプを
形成するバンプ形成方法であって、請求項１記載のキャ
ピラリを用いて、このキャピラリのホールを通したワイ
ヤの先端部を溶融してボールを形成した後、キャピラリ
の円周状の縁部から中心部のホールに向かってすり鉢状
に凹んでいる底面によりボールを電極に押圧し超音波加
振して、バンプを形成することを特徴とする。
【００２４】このように請求項３に係るバンプ形成方法
においては、請求項１に係るキャピラリを用いて、キャ
ピラリの円周状の縁部から中心部のホールに向かってす
り鉢状に凹んでいる底面によりボールを電極に押圧し超
音波加振することにより、その際のエネルギーの伝達と
塑性変形の分布を円環状の接合エリアの中心部へ集中さ
せることが可能になるため、たとえ電極の面積が小さい
場合であっても、円環状の接合エリアが電極内に納まっ
てしまう。従って、ボールと電極との実質的な接合面積
が十分に確保され、両者の接合強度が向上して、良好な
接続特性と信頼性が得られる。
【００２５】また、請求項４に係るバンプ形成方法は、
ワイヤバンピング法により電子部品の電極上にバンプを
形成するバンプ形成方法であって、キャピラリのホール
を通したワイヤの先端部を溶融してボールを形成した
後、このボールをキャピラリの平坦な底面により電極に
押圧し超音波加振する際に、キャピラリの位置をずらし
て複数回ボールを電極に押圧し超音波加振して、バンプ
を形成することを特徴とする。
【００２６】このように請求項４に係るバンプ形成方法
においては、キャピラリの平坦な底面によりボールを電
極に押圧し超音波加振する際に、キャピラリの位置をず
らして複数回ボンディングすることにより、たとえ電極
の面積が円環状の接合エリアよりも相対的に小さい場合
であっても、ボールと電極との実質的な接合面積を増大
させることが可能になるため、両者の接合強度が向上し
て、良好な接続特性と信頼性が得られる。
【００２７】また、請求項５に係るバンプ形成方法は、
上記請求項４記載のバンプ形成方法において、キャピラ
リの位置をずらして複数回押圧及び超音波加振を行う際
に、最初にキャピラリの底面の中心を電極の中央部から
一の方向にずらしてボールを押圧し超音波加振してバン
プを形成し、次にキャピラリの底面の中心を電極の中央
部から一の方向と反対側にずらしてバンプを押圧し超音
波加振することを特徴とする。
【００２８】このように請求項５に係るバンプ形成方法
においては、キャピラリの位置をずらして複数回ボンデ
ィングする際に、先ずキャピラリの底面の中心を電極の
中央部からずらしてボンディングすることにより、たと
え電極の面積が小さい場合であっても、接合エリアを電
極内で非対称に形成して、電極を対称的に分割したとき
にそのーつのエリア内での接合面積比率が高くなるよう
にし、次に反対側にずらしてボンディングすることによ
り、他のエリア内での接合面積比率が高くなるようにし
て、最初のボンディングの際の未接合エリアを埋めるこ
とが可能になるため、全体としての接合エリアが増大
し、ボールと電極との接合強度が向上して、良好な接続
特性と信頼性が得られる。
【００２９】また、請求項６に係るバンプ形成方法は、
上記請求項４記載のバンプ形成方法において、キャピラ
リの位置をずらして複数回押圧及び超音波加振を行う際
に、最初にキャピラリの底面の中心を電極の略中央部に
一致させてボールを押圧し超音波加振してバンプを形成
し、次にこのバンプに接続するワイヤを切断した後、キ
ャピラリの平坦な底面をバンプの略中心部に当てて押圧
し超音波加振することを特徴とする。
【００３０】このように請求項６に係るバンプ形成方法
においては、キャピラリの位置をずらして複数回ボンデ
ィングする際に、先ず従来通りにキャピラリの底面の中
心を電極の略中央部に一致させてボールを押圧し超音波
加振してバンプを形成することにより、電極の面積が円
環状の接合エリアよりも相対的に小さい場合には、円環
状の接合エリアが電極を多少はみ出すものの、次にキャ
ピラリの平坦な底面をバンプの略中心部に当てて押圧し
超音波加振することにより、電極の略中央部の未接合エ
リアが接合エリアになるため、全体としての接合エリア
が増大し、ボールと電極との接合強度が向上して、良好
な接続特性と信頼性が得られる。また、同時に、この２
回目のボンディングにおいて、キャピラリの底面の高さ
を制御することにより、バンプの高さのレベリングを行
うことも可能になる。なお、最初のボンディングの後
に、バンプに接続するワイヤを切断ワイヤを切断する方
法としては、例えば従来の引きちぎり法を用いればよ
い。
【００３１】また、請求項７に係るバンプ形成方法は、
ワイヤバンピング法により電子部品の電極上にバンプを
形成するバンプ形成方法であって、ウェッジツールに斜
めに設けられた供給穴を通過したワイヤの先端部を溶融
してボールを形成した後、ウェッジツールの平坦な底面
によりボールを電極に押圧し超音波加振して、バンプを
形成することを特徴とする。
【００３２】ウェッジツールに斜めに設けられた供給穴
を通過したワイヤの先端部をウェッジツールの平坦な底
面により電極に押圧し超音波加振するワイヤボンディン
グ法は従来よりあるが、この従来の方法と同様にしてワ
イヤ材を電極上に残すバンピング法を用いても、バンプ
高さが低くなるという問題が生じる。また、半田ワイヤ
を使用する場合には、放電によるボール形成プロセスに
おいてボール表面近傍に偏在する添加元素の効果を必要
とするが、ここではその効果を利用することができない
ため、Ａｌ電極上にの直接バンピングすることがができ
ないという問題も生じる。そこで、請求項７に係るバン
プ形成方法においては、ウェッジツールの斜めの供給穴
を通過したワイヤの先端部を溶融してボールを形成する
ことにより、半田ワイヤを使用する場合であっても、ボ
ール形成プロセスにおいてボール表面近傍に偏在する添
加元素の効果を利用することができるため、Ａｌ電極上
に直接バンピングすることが可能になる。
【００３３】また、このボールを電極に押圧してバンプ
を形成することにより、バンプを必要十分な高さにする
ことも可能になる。更に、ウェッジツールの平坦な底面
によりボール全体を電極に押圧し超音波加振することに
より、接合エリアは円状になり、通常の円環状の場合よ
りも接合エリアが増大するため、バンプと電極との接合
強度が向上して、良好な接続特性と信頼性が得られる。
なお、ワイヤの切断は、バンプを形成した後、従来のワ
イヤボンディング法の場合と同様に、ワイヤを後退させ
て引きちぎることによって行えばよい。
【００３４】また、請求項８に係るバンプ形成方法は、
ワイヤバンピング法により電子部品の電極上にバンプを
形成するバンプ形成方法であって、請求項２記載のキャ
ピラリを用いて、このキャピラリのホールを通したワイ
ヤの先端部を溶融してボールを形成した後、キャピラリ
の平坦な底面によりボールを電極に押圧し超音波加振し
てバンプを形成し、続いてこのバンプに接続しているワ
イヤに熱風供給孔から熱風を吹き付けて、ワイヤを所定
の位置において切断することを特徴とする。
【００３５】このように請求項８に係るバンプ形成方法
においては、請求項２に係るキャピラリを用いて、バン
プ形成後、バンプに接続しているワイヤに熱風供給孔か
ら熱風を吹き付け、その箇所のワイヤの結晶状態を変化
させて、ワイヤを所定の位置において切断することによ
り、ワイヤの破断位置をコントロールすることが可能に
なるため、バンプに接続しているワイヤ残部の長さが必
要十分な長さに制御される。
【００３６】また、請求項９に係る電子部品は、基板の
電極形成面上に配置された電極と、この電極上にワイヤ
バンピング法により形成された第１のバンプと、この第
１のバンプに接続している所定の長さのワイヤ残部と、
基板の電極形成面、電極、第１のバンプ、及びワイヤ残
部を被覆すると共に、このワイヤ残部の端部近傍を露出
させている所定の厚さの絶縁性の樹脂層と、ワイヤ残部
の露出している端部近傍及び周囲の樹脂層上にワイヤバ
ンピング法により形成され、ワイヤ残部を介して第１の
バンプに接続されている第２のバンプとを有することを
特徴とする。
【００３７】このように請求項９に係る電子部品におい
ては、電極上に形成された第１のバンプと所定の厚さの
絶縁性の樹脂層上に形成された第２のバンプとがワイヤ
を介して接続されていることにより、電極上に樹脂層の
厚さと同等の高さをもってバンプが形成されていること
になるため、たとえ電極の微細ピッチ化の進展に伴って
電極上に形成するバンプの大きさを小さくしなければな
らない場合であっても、電子部品を実装基板に実装する
際の接続間ギャップを十分に確保することが可能にな
る。従って、接続プロセスが容易になると共に、接続後
の熱応力に対する信頼性が向上する。
【００３８】また、請求項１０に係る電子部品は、第１
の基板に配置されている電極上にワイヤバンピング法に
より形成されている第１のバンプと、第１の基板に対向
する第２の基板に配置されている電極上にワイヤバンピ
ング法により形成されている第２のバンプと、第１の基
板の第１のバンプと第２の基板の第２のバンプとを接続
させる半田ペーストとを有することを特徴とする。
【００３９】このように請求項１０に係る電子部品にお
いては、第１の基板の電極上に形成されている第１のバ
ンプと第２の基板の電極上に形成されている第２のバン
プとが半田ペーストを介して接続されていることによ
り、第１及び第２の基板の各電極上に形成されている第
１及び第２のバンプとして例えばＡｕワイヤバンプを使
用することが可能になるため、バンプの微細化を実現し
て電極の微細ピッチ化の進展等に対応することが可能に
なる。
【００４０】また、対峙する第１の基板の第１のバンプ
と第２の基板の第２のバンプと間の間隔に多少のばらつ
きがあっても両バンプが半田ペーストによって接続され
ているため、良好な接続特性と信頼性が得られる。ま
た、半田が第１及び第２の基板の各電極上へ濡れ広がる
こともなくなるため、その濡れ広がりを想定して高精度
の寸法で電極を作製する必要もなくなる。更に、例えば
従来のＡｕバンプと半田バンプとの２段構造の場合より
も第１及び第２の基板の接続間ギャップを十分に確保す
ることが可能になるため、接続プロセスが容易になると
共に、接続後の熱応力に対する信頼性も向上する。
【００４１】また、請求項１１に係る電子部品の製造方
法は、請求項８記載のバンプ形成方法を用いて、キャピ
ラリのホールを通したワイヤの先端部を溶融して第１の
ボールを形成した後、キャピラリの平坦な底面により第
１のボールを基板に配置されている電極に押圧し超音波
加振して、第１のバンプを形成し、続いて、この第１の
バンプに接続しているワイヤに熱風供給孔から熱風を吹
き付けて、このワイヤを所定の位置において切断する工
程と、基板の電極形成面、電極、第１のバンプ、及びこ
の第１のバンプに接続しているワイヤ残部を、所定の厚
さの絶縁性の樹脂層によって被覆すると共に、この樹脂
層表面からワイヤ残部の切断部近傍を露出させる工程
と、キャピラリのホールを通したワイヤの先端部を溶融
して形成した第２のボールを、キャピラリの底面により
ワイヤ残部の露出している切断部近傍及び周囲の樹脂層
に押圧し超音波加振して、第２のバンプを形成する工程
とを有することを特徴とする。
【００４２】このように請求項１１に係る電子部品の製
造方法においては、請求項８記載のバンプ形成方法を用
いて、必要十分な長さのワイヤ残部が接続する第１のバ
ンプを形成した後、この十分に長いワイヤ残部を所定の
厚さの絶縁性の樹脂層によって被覆することによって固
定し、更にこの樹脂層表面から露出させたワイヤ残部の
切断部近傍及び周囲の樹脂層上に第２のバンプを形成す
ることにより、第１のバンプと所定の厚さの絶縁性の樹
脂層上に形成された第２のバンプとが長いワイヤ残部を
介して接続されている電子部品、即ち電極上に樹脂層の
厚さと同等の高さをもってバンプが形成されている電子
部品が容易に作製される。このため、たとえ電極の微細
ピッチ化の進展に伴って電極上に形成するバンプの大き
さを小さくしなければならない場合であっても、電子部
品を実装基板に実装する際の接続間ギャップを十分に確
保して、接続プロセスを容易にすると共に、接続後の熱
応力に対する信頼性を向上することが可能になる。
【００４３】また、請求項１２に係る電子部品の製造方
法は、第１の基板に配置されている電極上にワイヤバン
ピング法により第１のバンプを形成する工程と、第２の
基板に配置されている電極上にワイヤバンピング法によ
り第２のバンプを形成する工程と、第２のバンプを構成
する金属より低融点の半田ペーストを第２のバンプ上に
転写する工程と、第１の基板の第１のバンプを第２の基
板の第２のバンプに対峙させ、第１のバンプを第２のバ
ンプ上の半田ペーストに接触させた後、半田ペーストを
溶融させ、この半田ペーストを介して第１のバンプと第
２のバンプとを接続させることを特徴とする。
【００４４】このように請求項１２に係る電子部品の製
造方法においては、第２の基板の電極上に形成した第２
のバンプ上に半田ペーストを転写した後、この半田ペー
ストに第１の基板の電極上に形成した第１のバンプを接
触させ、半田ペーストを溶融させることにより、第１の
基板の電極上に形成されている第１のバンプと第２の基
板の電極上に形成されている第２のバンプとが半田ペー
ストを介して接続されている電子部品が容易に作製され
る。このため、第１及び第２のバンプとして例えばＡｕ
ワイヤバンプを使用することが可能になり、電極の微細
ピッチ化の進展等に対応してバンプの微細化が実現され
る。
【００４５】また、対峙する第１の基板の第１のバンプ
と第２の基板の第２のバンプと間の間隔に多少のばらつ
きがあっても両バンプが半田ペーストによって接続され
ているため、良好な接続特性と信頼性が得られる。ま
た、半田が第１及び第２の基板の各電極上へ濡れ広がる
こともなくなるため、その濡れ広がりを想定して高精度
の寸法で電極を作製する必要もなくなる。更に、例えば
従来のＡｕバンプと半田バンプとの２段構造の場合より
も第１及び第２の基板の接続間ギャップを十分に確保す
ることが可能になるため、接続プロセスが容易になると
共に、接続後の熱応力に対する信頼性も向上する。
【００４６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発
明の第１の実施形態に係るバンプ形成方法を説明するた
めの概略図であり、各図において、上段にはキャピラリ
及び電極パッド等の断面を示し、下段には電極パッドの
平面を示す。
【００４７】図１（ａ）に示すように、半導体チップに
配置されている例えば正方形状の電極パッド１０上方に
おいて、キャピラリ１２の中心に開口されたホールにワ
イヤ１４を通した後、このワイヤ１４の先端部を放電等
によって溶融して、ボール１６を形成する。なお、ここ
で、電極パッド１０は、半導体チップにおける素子の高
集積化、高密度化等に伴って、その面積は従来の場合よ
りも小さくなっているものとする。また、ここで使用す
るキャピラリ１２は、その底面が円周状の縁部から中心
部のホールに向かってすり鉢状に凹むテーパ形状をなし
ている点に特徴がある。
【００４８】次いで、図１（ｂ）に示すように、キャピ
ラリ１２を下降させてボンディングを行う。即ち、キャ
ピラリ１２のテーパ形状の底面によってボール１６を電
極パッド１０に押圧し、更に超音波加振して、ワイヤバ
ンプ１８を形成する。このとき、キャピラリ１２の底面
が円周状の縁部から中心部のホールに向かってすり鉢状
に凹むテーパ形状をなしているため、このテーパ形状の
底面を用いてボール１６を電極パッド１０に押圧し超音
波加振する際のエネルギーの伝達と塑性変形の分布は、
電極パッド１０の中央部に集中する。従って、ワイヤバ
ンプ１８と電極パッド１０と金属同士の固相拡散接合を
なす円環状の接合エリア２０は、電極パッド１０の面積
が従来の場合よりも小さくなっていても、この小さな電
極パッド１０内に納まってしまう。
【００４９】次いで、図示はしないが、ワイヤバンプ１
８に接続しているワイヤ１４を、例えば従来の引きちぎ
り法を用いて切断する。
【００５０】以上のように本実施例によれば、底面が円
周状の縁部から中心部のホールに向かってすり鉢状に凹
むテーパ形状をなしているキャピラリ１２を使用し、そ
のテーパ形状の底面によってボール１６を電極パッド１
０に押圧し超音波加振してワイヤバンプ１８を形成する
ことにより、その際のエネルギーの伝達と塑性変形の分
布を電極パッド１０の中央部に集中して、円環状の接合
エリア２０を従来よりも小さな電極パッド１０内に納め
てしまうことが可能になるため、ワイヤバンプ１８と電
極パッド１０との実質的な接合面積を十分に確保して両
者の接合強度を向上させ、良好な接続特性と信頼性を得
ることができる。
【００５１】（第２の実施形態）図２（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第２の実施形態に係るバンプ形成方法
を説明するための概略図であり、各図において、上段に
はキャピラリ及び電極パッド等の断面を示し、下段には
電極パッドの平面を示す。なお、上記図１に示す構成要
素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。
【００５２】上記図１（ａ）に示す場合と同様にして、
半導体チップに配置されている正方形状の電極パッド１
０上方において、キャピラリ２２の中心に開口されたホ
ールにワイヤ１４を通した後、このワイヤ１４の先端部
を放電等によって溶融して、ボールを形成する。なお、
ここで、電極パッド１０は、その面積が従来の場合より
も小さくなっているものとするが、ここで使用するキャ
ピラリ２２は、従来のものと同様に、その底面は中心部
のホールを除いて平坦になっている。
【００５３】次いで、図２（ａ）に示すように、キャピ
ラリ２２を下降させて、第１回目のボンディングを行
う。即ち、キャピラリ２２の平坦な底面によってボール
を電極パッド１０に押圧し、更に超音波加振して、ワイ
ヤバンプ２４を形成する。このとき、ボールを押圧する
キャピラリ２２の底面の中心を電極パッド１０の中央部
から一の方向にずらして押圧し超音波加振する。こうし
て、接合エリア２６ａを電極パッド１０内に非対称に形
成し、電極パッド１０を対称的に分割したときにそのー
つのエリア（図２（ａ）の下段に示す正方形状の電極パ
ッド１０の左上半分）内における接合面積の比率が高く
なるようにする。
【００５４】次いで、図２（ｂ）に示すように、第２回
目のボンディングを行う。即ち、キャピラリ２２の底面
の中心を電極パッド１０の中央部から一の方向と反対側
にずらしてワイヤバンプ２４を押圧し超音波加振する。
こうして、接合エリア２６ｂを電極パッド１０内に非対
称に形成し、電極パッド１０を対称的に分割したときに
他のエリア（図２（ｂ）の下段に示す正方形状の電極パ
ッド１０の右下半分）内における接合面積の比率が高く
なるようにする。即ち、第１回目のボンディングによっ
て接合エリア２６ａを形成した際の未接合エリアを埋め
るように、第２回目のボンディングによって接合エリア
２６ｂを形成する。
【００５５】従って、上記図１０（ａ）〜（ｃ）を用い
て説明した従来の場合、即ちキャピラリ１０２の平坦な
底面の中心を小面積の電極パッド１００ａの中央部に一
致させてボールを押圧し超音波加振してワイヤバンプ１
０８を形成する際に、従来の円環状の接合エリア１２０
が電極パッド１００ａをはみ出して、ワイヤバンプ１０
８と電極パッド１００ａとの実質的な接合エリア１２０
ａの接合面積が小さくなってしまう場合と比較すると、
２度のボンディングによって形成される接合エリア２６
ａ、２６ｂの全体としての面積は増大する。
【００５６】次いで、図示はしないが、ワイヤバンプ２
４に接続しているワイヤ１４を、例えば従来の引きちぎ
り法を用いて切断する。
【００５７】以上のように本実施例によれば、第１回目
のボンディングにおいて、キャピラリ２２の底面の中心
を電極パッド１０の中央部からずらしてボール１６を押
圧し超音波加振してワイヤバンプ２４を形成することに
より、接合エリア２６ａを電極パッド１０内に非対称に
形成し、更に、第２回目のボンディングにおいて、反対
側にずらしてワイヤバンプ２４を押圧し超音波加振する
ことにより、第１回目のボンディングにおける未接合エ
リアを埋めるように接合エリア２６ｂを非対称に形成す
る。こうして、２度のボンディングによって形成される
接合エリア２６ａ、２６ｂを増大させることが可能にな
るため、ワイヤバンプ２４と電極パッド１０との実質的
な接合面積を十分に確保して両者の接合強度を向上さ
せ、良好な接続特性と信頼性を得ることができる。
【００５８】（第３の実施形態）図３（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）はそれぞれ本発明の第３の実施形態に係るバンプ
形成方法を説明するための概略図であり、各図におい
て、上段にはキャピラリ及び電極パッド等の断面を示
し、下段には電極パッドの平面を示す。なお、上記図１
に示す構成要素と同一の要素には同一の符号を付して説
明を省略する。
【００５９】上記図１（ａ）に示す場合と同様にして、
半導体チップに配置されている正方形状の電極パッド１
０上方において、キャピラリ２２の中心に開口されたホ
ールにワイヤ１４を通した後、このワイヤ１４の先端部
を放電等によって溶融して、ボールを形成する。なお、
ここで、電極パッド１０は、その面積が従来の場合より
も小さくなっているものとするが、ここで使用するキャ
ピラリ２２は、従来のものと同様、その底面は中心部の
ホールを除いて平坦になっている。
【００６０】次いで、図３（ａ）に示すように、キャピ
ラリ２２を下降させて、第１回目のボンディングを行
う。即ち、キャピラリ２２の平坦な底面によってボール
を電極パッド１０に押圧し、更に超音波加振して、ワイ
ヤバンプ２８を形成する。このとき、従来の場合と同様
にして、ボールを押圧するキャピラリ２２の底面の中心
を電極パッド１０の中央部に一致させて押圧し超音波加
振する。但し、電極パッド１０の面積が従来の場合より
も小さくなっているため、円環状の接合エリア３０ａは
電極パッド１０を多少はみ出してしまう。
【００６１】次いで、図３（ｂ）に示すように、例えば
従来の引きちぎり法を用いて、ワイヤバンプ２８に接続
しているワイヤ１４を切断する。
【００６２】次いで、図３（ｃ）に示すように、第２回
目のボンディングを行う。即ち、キャピラリ２２の底面
の中心を電極パッド１０の中央部から少しずらして、キ
ャピラリ２２の平坦な底面をワイヤバンプ２８の略中心
部、即ちワイヤバンプ２８に接続しているワイヤ残部１
４ａに当てて押圧し超音波加振する。こうして、第１回
目のボンディングの際には未接合エリアであった電極パ
ッド１０の中央部に接合エリア３０ｂを形成する。
【００６３】従って、上記図１０（ａ）〜（ｃ）を用い
て説明した従来の場合、即ちキャピラリ１０２の平坦な
底面の中心を小面積の電極パッド１００ａの中央部に一
致させてボールを押圧し超音波加振してワイヤバンプ１
０８を形成する際に、従来の円環状の接合エリア１２０
が電極パッド１００ａをはみ出して、ワイヤバンプ１０
８と電極パッド１００ａとの実質的な接合エリア１２０
ａの接合面積が小さくなってしまう場合と比較すると、
２度のボンディングによって形成される接合エリア３０
ａ、３０ｂの全体としての面積は増大する。
【００６４】以上のように本実施例によれば、第１回目
のボンディングにおいて、キャピラリ２２の底面の中心
を電極パッド１０の中央部に一致させてボールを押圧し
超音波加振してワイヤバンプ２８を形成することによ
り、円環状の接合エリア３０ａが電極パッド１０を多少
はみ出すものの、第２回目のボンディングにおいて、キ
ャピラリ２２を少しずらして、キャピラリ２２の平坦な
底面をワイヤバンプ２８の略中心部から延びているワイ
ヤ残部１４ａに当てて押圧し超音波加振するすることに
より、第１回目のボンディングにおける未接合エリアで
あった電極パッド１０の中央部に接合エリア３０ｂを形
成する。こうして、２度のボンディングによって形成さ
れる接合エリア３０ａ、３０ｂを増大させることが可能
になるため、ワイヤバンプ２８と電極パッド１０との実
質的な接合面積を十分に確保して両者の接合強度を向上
させ、良好な接続特性と信頼性を得ることができる。
【００６５】しかも、この２回目のボンディングにおい
て、ワイヤバンプ２８の略中心部から延びているワイヤ
残部１４ａにキャピラリ２２の底面を当てて押圧する際
に、そのキャピラリ２２の底面の高さを制御することに
より、ワイヤバンプ２８の高さのレベリングを行うこと
もできる。
【００６６】（第４の実施形態）図４（ａ）は本発明の
第４の実施形態に係るバンプ形成方法を説明するための
概略断面図であり、図４（ｂ）は比較のために従来のウ
ェッジボンディング法を示す概略断面図である。
【００６７】従来のウェッジボンディング法において
は、図４（ｂ）に示すように、ウェッジツール３２に斜
めに設けられた供給穴を通過したワイヤ３４の先端部を
ウェッジツール３２の平坦な底面により電極パッド（図
示せず）に押圧し超音波加振している。従って、この従
来のウェッジボンディング法と同様にして、ワイヤ材を
電極パッド上に残すバンピング法を用いることが考えら
れる。
【００６８】しかし、その場合は、電極パッド上に形成
されるバンプの高さが低くなるという問題が生じる。ま
た、ワイヤ３４として半田ワイヤを使用する場合には、
放電によるボール形成プロセスにおいてボール表面近傍
に偏在する添加元素の効果を利用することができないた
め、Ａｌからなる電極パッド上には直接バンピングする
ことができないという問題も生じる。
【００６９】そこで、本実施形態に係るバンプ形成方法
においては、先ず、図４（ａ）に示すように、ウェッジ
ツール３２の斜めの供給穴を通過したワイヤ３４の先端
部を放電等によって溶融して、ボール３６を形成する。
次いで、ウェッジツール３２を下降させてボンディング
を行う。即ち、ウェッジツール３２の平坦な底面によっ
てボール３６を電極パッド（図示せず）に押圧し、更に
超音波加振して、ワイヤバンプ（図示せず）を形成す
る。その後、ワイヤバンプに接続しているワイヤ３４を
切断するが、このワイヤ３４の切断は、従来のウェッジ
ボンディング法と同様に、ワイヤ３４を後退させて引き
ちぎることによって行う。
【００７０】以上のように本実施例によれば、従来のウ
ェッジボンディングにボール３６を形成するプロセスを
付加することにより、たとえワイヤ３４が半田ワイヤで
あっても、ボール形成プロセスにおいてボール表面近傍
に偏在する添加元素の効果を利用することができるた
め、電極パッドがＡｌからなる場合であってもこのＡｌ
電極パッド上に直接バンピングすることができる。ま
た、ボール３６を電極パッドに押圧し超音波加振してワ
イヤバンプを形成するため、このワイヤバンプを必要十
分な高さに調整することもできる。
【００７１】更に、ウェッジツール３２の平坦な底面に
よりボール３６の全体を電極パッドに押圧し超音波加振
するため、接合エリアは円状になり、通常のキャピラリ
を使用する場合の円環状の接合エリアよりも接合エリア
が増大するため、ワイヤバンプと電極パッドとの接合強
度を向上させて、良好な接続特性と信頼性を得ることが
できる。
【００７２】（第５の実施形態）図５（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の第５の実施形態に係るバンプ形成方法
を説明するための概略断面図であり、図５（ｃ）は比較
のために従来のバンプ形成方法を示す概略断面図であ
る。なお、上記図１に示す構成要素と同一の要素には同
一の符号を付して説明を省略する。
【００７３】従来のバンプ形成方法においては、図５
（ｃ）に示すように、電極パッド１００上にワイヤバン
プ１０８を形成した後、キャピラリ１０２を引き上げる
際に同時にワイヤ１０４をクランプ等によって引張るこ
とにより、ボール形成時に脆弱化したネック部において
ワイヤ１０４を切断している。しかし、この方法におい
ては、ワイヤバンプ１０８に接続するワイヤ残部１０４
ａの長さを必要十分な長さに制御することができない。
【００７４】そこで、本実施形態に係るバンプ形成方法
においては、従来のキャピラリに改良を加え、キャピラ
リ３８のホール内のワイヤ１４に熱風を吹き付ける熱風
供給孔４０が開口されているキャピラリ３８を使用す
る。そして、従来の場合と同様にして、半導体チップに
配置されている電極パッド１０上方において、キャピラ
リ３８のホールにワイヤ１４を通した後、このワイヤ１
４の先端部を放電等によって溶融して、ボール（図示せ
ず）を形成する。続いて、キャピラリ３８を下降させ、
キャピラリ３８の底面によってボールを電極パッドに押
圧し超音波加振して、ワイヤバンプ４２を形成する。
【００７５】次いで、キャピラリ３８に開口した熱風供
給孔４０からホール内のワイヤ１４に熱風を吹き付け、
その箇所のワイヤ１４の結晶状態を変化させて、破断さ
れ易いように脆弱化する。
【００７６】次いで、キャピラリ３８を引き上げる際に
同時にワイヤ１４をクランプ等によって引張ることによ
り、熱風を吹き付けて脆弱化した箇所においてワイヤ１
４を切断する。こうして、ワイヤバンプ４２に接続して
いるワイヤ残部１４ｂの長さを必要十分な長さに制御す
る。
【００７７】以上のように本実施例によれば、ホール内
のワイヤ１４に熱風を吹き付ける熱風供給孔４０が開口
されたキャピラリ３８を使用し、ワイヤバンプ４２を形
成した後、熱風供給孔４０からホール内のワイヤ１４に
熱風を吹き付け、その箇所のワイヤ１４の結晶状態を変
化させて脆弱化させることにより、ワイヤ１４の破断位
置をコントロールすることが可能になるため、ワイヤバ
ンプ４２に接続しているワイヤ残部１４ｂの長さを必要
十分な長さに制御することができる。
【００７８】なお、上記実施形態においては、図５
（ａ）、（ｂ）に示されるように、熱風供給孔４０はキ
ャピラリ３８の上部に開口されているが、この熱風供給
孔４０の開口位置を変えることにより、ワイヤ１４の破
断位置を更にコントロールすることも可能である。ま
た、ワイヤバンプ４２を形成した直後の状態において、
キャピラリ３８のホール内のワイヤ１４に熱風を吹き付
けているが、ワイヤバンプ４２を形成した後、キャピラ
リ３８のみを所定の高さまで引き上げた段階において、
熱風供給孔４０からホール内のワイヤ１４に熱風を吹き
付けることにより、ワイヤ１４の破断位置を更にコント
ロールすることも可能である。
【００７９】（第６の実施形態）図６は本発明の第６の
実施形態に係る電子部品を示す概略断面図であり、図７
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図６に示す電子部品
の製造方法を説明するための概略工程断面図である。
【００８０】図６に示すように、半導体チップ５０の電
極形成面には複数の電極パッド５２が配置され、これら
の電極パッド５２上にはそれぞれ第１のワイヤバンプ５
４が形成されている。そして、これらの第１のワイヤバ
ンプ５４からは十分な長さのワイヤ残部５６が上方に延
びている。また、半導体チップ５０の電極形成面、そこ
に配置された複数の電極パッド５２、これらの電極パッ
ド５２上にそれぞれ形成された第１のワイヤバンプ５
４、これらの第１のワイヤバンプ５４からそれぞれ上方
に延びている十分な長さのワイヤ残部５６は、各ワイヤ
残部５６の先端部を除いて、絶縁性の樹脂層５８によっ
て被覆されている。また、樹脂層５８から露出している
ワイヤ残部５６の先端部及びその周囲の樹脂層５８上に
は、第２のワイヤバンプ６０がそれぞれ形成されてい
る。即ち、電極パッド５２上に形成された第１のワイヤ
バンプ５４と樹脂層５８上に形成された第２のワイヤバ
ンプ６０とが十分な長さのワイヤ残部５６を介して接続
されている。従って、電極パッド上に単一のバンプが形
成されているだけの通常の場合やバンプを２段に重ねた
２段構造のバンプの場合と比較すると、電極パッド５２
に第１のワイヤバンプ５４及びワイヤ残部５６を介して
接続された第２のワイヤバンプ６０は、樹脂層５８の厚
さだけ十分に高くすることが可能である。
【００８１】次に、図６に示す電子部品の製造方法を、
図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて説明する
【００８２】先ず、上記第５の実施形態において図５
（ａ）、（ｂ）を用いて説明したように、熱風を吹き付
ける熱風供給孔が開口されているキャピラリ（図示せ
ず）を使用して、半導体チップ５０の電極形成面に配置
されている電極パッド５２上方において、キャピラリの
ホールに通したワイヤの先端部を放電等によって溶融
し、ボール（図示せず）を形成した後、キャピラリを下
降させ、キャピラリの底面によってボールを電極パッド
５２に押圧し超音波加振する。こうして、半導体チップ
５０の電極形成面に配置されている複数の電極パッド５
２上にそれぞれ第１のワイヤバンプ５４を形成する。
【００８３】続いて、キャピラリに開口した熱風供給孔
からホール内のワイヤに熱風を吹き付け、その箇所のワ
イヤの結晶状態を変化させて脆弱化した後、キャピラリ
を引き上げる際に同時にワイヤをクランプ等によって引
張って、熱風を吹き付けて脆弱化した箇所においてワイ
ヤを切断する。こうして、第１のワイヤバンプ５４に接
続している十分な長さのワイヤ残部５６を形成する（図
７（ａ）参照）。
【００８４】次いで、基体全面に所定の厚さの絶縁性の
樹脂層５８を形成して、ワイヤ残部５６を固定すると共
に、その樹脂層５８表面からワイヤ残部５６の先端部を
露出させる（図７（ｂ）参照）。
【００８５】次いで、再びキャピラリ（図示せず）のホ
ールに通したワイヤの先端部を放電等によって溶融し、
ボール（図示せず）を形成した後、キャピラリを下降さ
せ、キャピラリの底面によってボールをワイヤ残部５６
の露出している先端部及びその周囲の樹脂層５８に押圧
し超音波加振する。こうして、各ワイヤ残部５６にそれ
ぞれ接続する第２のワイヤバンプ６０を形成する。即
ち、半導体チップ５０の電極形成面に配置されている複
数の電極パッド５２に第１のワイヤバンプ５４と十分な
長さのワイヤ残部５６を介して接続する第２のワイヤバ
ンプ６０をそれぞれ形成する（図７（ｃ）参照）。
【００８６】以上のように本実施例によれば、半導体チ
ップ５０の電極形成面に配置された電極パッド５２上に
形成された第１のワイヤバンプ５４と所定の厚さの絶縁
性の樹脂層５８上に形成された第２のバンプ６０とがワ
イヤ残部５６を介して接続されていることにより、電極
パッド５２上に樹脂層５８の厚さと同等の高さをもって
第２のワイヤバンプ６０が形成されていることになるた
め、たとえ電極パッド５２の微細ピッチ化の進展に伴っ
て電極パッド５２上に形成するバンプの大きさを小さく
しなければならない場合であっても、第１及び第２のワ
イヤバンプ５４、６０としてＡｕワイヤバンプを用いる
ことによりその微細化を達成する一方で、実装基板に実
装する際の接続間ギャップを樹脂層５８の厚さ以上に十
分に確保することが可能になる。即ち、ワイヤ残部５６
の長さと樹脂層５８の厚さとを所望の値に制御すること
により、従来のバンプを２段に重ねた２段構造のバンプ
の場合より遥かに大きな接続間ギャップをとることが可
能になる。従って、接続プロセスを容易にすることがで
きると共に、接続後の熱応力に対する信頼性を向上させ
ることができる。
【００８７】（第７の実施形態）図８は本発明の第７の
実施形態に係る電子部品を示す概略断面図であり、図９
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図８に示す電子部品
の製造方法を説明するための概略工程断面図である。
【００８８】図８に示すように、例えばプリント配線基
板等の実装基板７０の配線層の複数の電極パッド７２上
にはそれぞれ第１のワイヤバンプ７４が形成されてい
る。また、半導体チップ７６の電極形成面にも複数の電
極パッド７８が配置され、これらの電極パッド７８上に
もそれぞれ第２のワイヤバンプ８０が形成されている。
そして、この半導体チップ７６が実装基板７０に対して
フェイスダウンに対向すると共に、半導体チップ７６の
複数の電極パッド７８上の第２のワイヤバンプ８０と実
装基板７０の複数の電極パッド７２上の第１のワイヤバ
ンプ７４とが、これら第１及び第２のワイヤバンプ７
４、８０よりも融点の低い金属ペースである半田ペース
ト８２によって接続されている。
【００８９】従って、半導体チップ７６の複数の電極パ
ッド７８上に単に第２のワイヤバンプ８０が形成されて
いるだけの通常の場合やバンプを２段に重ねた２段構造
のバンプの場合と比較すると、第１のワイヤバンプ７４
と第２のワイヤバンプ８０との間に半田ペースト８２が
介在している分だけ半導体チップ７６と実装基板７０と
接続間ギャップが遥かに大きくなる。
【００９０】次に、図８に示す電子部品の製造方法を、
図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて説明する先ず、通
常のキャピラリ（図示せず）を使用して、プリント配線
基板等の実装基板７０の配線層の複数の電極パッド７２
上方において、キャピラリのホールに通したワイヤの先
端部を放電等によって溶融し、ボール（図示せず）を形
成した後、キャピラリを下降させ、キャピラリの底面に
よってボールを電極パッド７２に押圧し超音波加振す
る。こうして、実装基板７０の配線層の複数の電極パッ
ド７２上にそれぞれ第１のワイヤバンプ７４を形成す
る。
【００９１】続いて、これらの第１のワイヤバンプ７４
上に、第１のワイヤバンプ７４よりも融点の低い金属ペ
ースである半田ペースト８２を転写して、第１のワイヤ
バンプ７４の先端に盛る。この半田ペースト８２の形成
は、例えば均一の厚さの半田ペースト溜まりに第１のワ
イヤバンプ７４を押し当てる方法などによって実現され
る（図９（ａ）参照）。
【００９２】次いで、図示はしないが、通常のキャピラ
リを使用して、半導体チップ７６の電極形成面の複数の
電極パッド７８上方において、ワイヤの先端部を放電等
によって溶融して形成したボールを電極パッド７８に押
圧し超音波加振て、複数の電極パッド７８上にそれぞれ
第２のワイヤバンプ８０を形成する。
【００９３】次いで、この半導体チップ７６をフェイス
ダウンに裏返しして実装基板７０に対向させ、半導体チ
ップ７６の複数の電極パッド７８上の第２のワイヤバン
プ８０と実装基板７０の複数の電極パッド７２上の第１
のワイヤバンプ７４とを互いに対峙させる（図９（ｂ）
参照）。
【００９４】次いで、半導体チップ７６をその高さを制
御しながら下降させ、半導体チップ７６の複数の第２の
ワイヤバンプ８０を実装基板７０の複数の第１のワイヤ
バンプ７４の先端に盛られた半田ペースト８２に接触さ
せた後、半田ペースト８２を溶融させる。こうして、こ
の半田ペースト８２を介して、半導体チップ７６の複数
の第２のワイヤバンプ８０と実装基板７０の複数の第１
のワイヤバンプ７４とを一括してフリップチップ接続す
る（図９（ｃ）参照）。
【００９５】以上のように本実施例によれば、半導体チ
ップ７６の複数の電極パッド７８上の第２のワイヤバン
プ８０と実装基板７０の複数の電極パッド７２上の第１
のワイヤバンプ７４とが半田ペースト８２によって接続
されていることにより、従来のＡｕバンプと半田バンプ
との２段構造の場合よりも、第１及び第２のワイヤバン
プ７４、８０の間に半田ペースト８２が介在している分
だけ半導体チップ７６と実装基板７０と接続間ギャップ
が大きくなるため、たとえ半導体チップ７６の電極パッ
ド７８の微細ピッチ化の進展に伴ってこれらの電極パッ
ド７８上に形成するバンプの大きさを小さくしなければ
ならない場合であっても、第１及び第２のワイヤバンプ
７４、８０としてＡｕワイヤバンプを用いることにより
その微細化を達成する一方で、半導体チップ７６と実装
基板７０と接続間ギャップを十分に大きく確保すること
が可能になる。従って、接続プロセスを容易にすること
ができると共に、接続後の熱応力に対する信頼性を向上
させることができる。
【００９６】また、対峙する半導体チップ７６の複数の
第２のワイヤバンプ８０と実装基板７０の複数の第１の
ワイヤバンプ７４との間隔に多少のばらつきがあって
も、これら第１及び第２のワイヤバンプ７４、８０が半
田ペースト８２によって互いに接続されるため、良好な
接続特性と信頼性を得ることができる。
【００９７】また、半田ペースト８２を転写して実装基
板７０の第１のワイヤバンプ７４の先端に盛った後、こ
の半田ペースト８２を溶融させて、この半田ペースト８
２と半導体チップ７６の第２のワイヤバンプ８０とを接
続させるため、半田が第１及び第２のワイヤバンプ７
４、８０上へ直接に濡れ広がることもなくなり、その濡
れ広がりを想定して高精度の寸法で半導体チップ７６の
電極パッド７８や実装基板７０の電極パッド７２を作製
する必要もなくなる。
【００９８】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明に係る
キャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子部品及びその
製造方法によれば、次のような効果を奏することができ
る。即ち、請求項１に係るキャピラリによれば、そのキ
ャピラリの底面が円周状の縁部から中心部のホールに向
かってすり鉢状に凹むテーパ形状をなしていることによ
り、このテーパ形状の底面を用いてボールを電極に押圧
し超音波加振してバンプを形成する際のエネルギーの伝
達と塑性変形の分布が円環状の接合エリアの中心部へ集
中するため、たとえ電極の面積が小さい場合であって
も、バンプと電極との円環状の接合エリアを電極内に納
めることが可能になる。従って、ボールと電極との実質
的な接合面積を十分に確保して、両者の接合強度を向上
させることが可能になり、良好な接続特性と信頼性を得
ることができる。
【００９９】また、請求項２に係るキャピラリによれ
ば、ホール内のワイヤに熱風を吹き付ける熱風供給孔が
設置されていることにより、ワイヤの先端部を溶融して
形成したボールを電極に押圧してバンプを形成した後、
このバンプに接続しているワイヤにキャピラリに設置さ
れている熱風供給孔から熱風を吹き付けて、その箇所の
ワイヤの結晶状態を変化させワイヤを破断され易くする
ことが可能になるため、バンプに接続しているるワイヤ
残部が必要十分な長さになるように破断位置をコントロ
ールすることができる。
【０１００】また、請求項３に係るバンプ形成方法によ
れば、上記請求項１に係るキャピラリを用いて、キャピ
ラリの円周状の縁部から中心部のホールに向かってすり
鉢状に凹んでいる底面によりボールを電極に押圧し超音
波加振することにより、その際のエネルギーの伝達と塑
性変形の分布を円環状の接合エリアの中心部へ集中させ
ることが可能になるため、たとえ電極の面積が小さい場
合であっても、円環状の接合エリアを電極内に納めるこ
とが可能になる。従って、ボールと電極との実質的な接
合面積を十分に確保して、両者の接合強度を向上させる
ことが可能になり、良好な接続特性と信頼性を得ること
ができる。
【０１０１】また、請求項４に係るバンプ形成方法によ
れば、キャピラリの平坦な底面によりボールを電極に押
圧し超音波加振する際に、キャピラリの位置をずらして
複数回ボンディングすることにより、たとえ電極の面積
が円環状の接合エリアよりも相対的に小さい場合であっ
ても、ボールと電極との実質的な接合面積を増大させる
ことが可能になるため、両者の接合強度を向上させて、
良好な接続特性と信頼性を得ることができる。
【０１０２】また、請求項５に係るバンプ形成方法によ
れば、上記請求項４記載のバンプ形成方法において、キ
ャピラリの位置をずらして複数回ボンディングする際
に、先ずキャピラリの底面の中心を電極の中央部からず
らしてボンディングすることにより、最初の接合エリア
を電極内で非対称に形成した後、次に反対側にずらして
ボンディングして、最初のボンディングの際の未接合エ
リアを埋めるため、たとえ電極の面積が小さい場合であ
っても、全体としての接合エリアを増大させることが可
能になり、ボールと電極との接合強度を向上させて、良
好な接続特性と信頼性を得ることができる。
【０１０３】また、請求項６に係るバンプ形成方法によ
れば、上記請求項４記載のバンプ形成方法において、キ
ャピラリの位置をずらして複数回ボンディングする際
に、先ず従来通りにキャピラリの底面の中心を電極の略
中央部に位置させてボールを押圧し超音波加振してバン
プを形成した後、次にキャピラリの底面をバンプの略中
心部に当てて押圧し超音波加振することにより、たとえ
電極の面積が小さくなって、最初のボンディングの際の
円環状の接合エリアが電極を多少はみ出す場合であって
も、その電極の略中央部の未接合エリアが次のボンディ
ングによって接合エリアになるため、全体としての接合
エリアを増大させて、ボールと電極との接合強度を向上
させ、良好な接続特性と信頼性を得ることができる。ま
た、同時に、この２回目のボンディングにおいて、キャ
ピラリの底面の高さを制御することにより、バンプの高
さのレベリングを行うことも可能になる。
【０１０４】また、請求項７に係るバンプ形成方法によ
れば、ウェッジツールの斜めの供給穴を通過したワイヤ
の先端部を溶融してボールを形成することにより、半田
ワイヤを使用する場合であっても、ボール形成プロセス
においてボール表面近傍に偏在する添加元素の効果を利
用することができるため、Ａｌ電極上に直接バンピング
することができ、またこのボールを電極に押圧してバン
プを形成することにより、バンプを必要十分な高さにす
ることもでき、更にウェッジツールの平坦な底面により
ボール全体を電極に押圧し超音波加振することにより、
通常の円環状の場合よりも接合エリアが増大するは円状
になるため、バンプと電極との接合強度を向上させて、
良好な接続特性と信頼性を得ることができる。
【０１０５】また、請求項８に係るバンプ形成方法によ
れば、上記請求項２に係るキャピラリを用いて、バンプ
形成後、バンプに接続しているワイヤに熱風供給孔から
熱風を吹き付け、その箇所のワイヤの結晶状態を変化さ
せて、ワイヤを所定の位置において切断することによ
り、ワイヤの破断位置をコントロールすることが可能に
なるため、バンプに接続しているワイヤ残部の長さを必
要十分な長さに制御することができる。
【０１０６】また、請求項９に係る電子部品によれば、
電極上に形成された第１のバンプと所定の厚さの絶縁性
の樹脂層上に形成された第２のバンプとが所定の長さの
ワイヤを介して接続されていることにより、電極上に樹
脂層の厚さと同等の高さをもってバンプが形成されてい
ることになるため、たとえ電極の微細ピッチ化の進展に
伴って電極上に形成するバンプの大きさ小さくしなけれ
ばならない場合であっても、電子部品を実装基板に実装
する際の接続間ギャップを十分に確保することが可能に
なる。従って、接続プロセスを容易にすることができる
と共に、接続後の熱応力に対する信頼性を向上させるこ
とができる。
【０１０７】また、請求項１０に係る電子部品によれ
ば、第１の基板の電極上に形成されている第１のバンプ
と第２の基板の電極上に形成されている第２のバンプと
が半田ペーストを介して接続されていることにより、第
１及び第２の基板の各電極上に形成されている第１及び
第２のバンプとして例えばＡｕワイヤバンプを使用する
ことが可能になるため、バンプの微細化を実現して電極
の微細ピッチ化の進展等に対応することができる。ま
た、対峙する第１の基板の第１のバンプと第２の基板の
第２のバンプとの間の間隔に多少のばらつきがあって
も、両バンプが半田ペーストによって接続されているた
め、良好な接続特性と信頼性を得ることができる。ま
た、半田が第１及び第２の基板の各電極上へ濡れ広がる
こともなくなるため、その濡れ広がりを想定して高精度
の寸法で電極を作製する必要もなくなる。更に、従来の
Ａｕバンプと半田バンプとの２段構造の場合よりも第１
及び第２の基板の接続間ギャップを十分に確保すること
が可能になるため、接続プロセスを容易にすることがで
きると共に、接続後の熱応力に対する信頼性を向上させ
ることができる。
【０１０８】また、請求項１１に係る電子部品の製造方
法によれば、上記請求項８記載のバンプ形成方法を用い
て、必要十分な長さのワイヤ残部が接続する第１のバン
プを形成した後、この長いワイヤ残部を所定の厚さの絶
縁性の樹脂層によって被覆することによって固定し、更
にこの樹脂層表面から露出させたワイヤ残部の切断部近
傍及び周囲の樹脂層上に第２のバンプを形成することに
より、第１のバンプと所定の厚さの絶縁性の樹脂層上に
形成された第２のバンプとが長いワイヤ残部を介して接
続されている電子部品、即ち電極上に樹脂層の厚さと同
等の高さをもってバンプが形成されている電子部品を容
易に作製することが可能になるため、たとえ電極の微細
ピッチ化の進展に伴って電極上に形成するバンプの大き
さを小さくしなければならない場合であっても、電子部
品を実装基板に実装する際の接続間ギャップを十分に確
保し、接続プロセスを容易にすることができると共に、
接続後の熱応力に対する信頼性を向上させることができ
る。
【０１０９】また、請求項１２に係る電子部品の製造方
法によれば、第２の基板の電極上に形成した第２のバン
プ上に半田ペーストを転写した後、この半田ペーストに
第１の基板の電極上に形成した第１のバンプを接触さ
せ、半田ペーストを溶融させることにより、第１の基板
の電極上に形成されている第１のバンプと第２の基板の
電極上に形成されている第２のバンプとが半田ペースト
を介して接続されている電子部品を容易に作製すること
が可能になるため、第１及び第２のバンプとして例えば
Ａｕワイヤバンプを使用することが可能になり、電極の
微細ピッチ化の進展等に対応してバンプの微細化を実現
することができる。また、対峙する第１の基板の第１の
バンプと第２の基板の第２のバンプとの間の間隔に多少
のばらつきがあっても、両バンプが半田ペーストによっ
て接続されているため、良好な接続特性と信頼性を得る
ことができる。また、半田が第１及び第２の基板の各電
極上へ濡れ広がることもなくなるため、その濡れ広がり
を想定して高精度の寸法で電極を作製する必要もなくな
る。更に、従来のＡｕバンプと半田バンプとの２段構造
の場合よりも第１及び第２の基板の接続間ギャップを十
分に確保することが可能になるため、接続プロセスを容
易にすることができると共に、接続後の熱応力に対する
信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の
実施形態に係るバンプ形成方法を説明するための概略図
であり、各図において、上段にはキャピラリ及び電極パ
ッド等の断面を示し、下段には電極パッドの平面を示
す。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第２の
実施形態に係るバンプ形成方法を説明するための概略図
であり、各図において、上段にはキャピラリ及び電極パ
ッド等の断面を示し、下段には電極パッドの平面を示
す。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明
の第２の実施形態に係るバンプ形成方法を説明するため
の概略図であり、各図において、上段にはキャピラリ及
び電極パッド等の断面を示し、下段には電極パッドの平
面を示す。
【図４】図４（ａ）は本発明の第４の実施形態に係るバ
ンプ形成方法を説明するための概略断面図であり、図４
（ｂ）は比較のために従来のウェッジボンディング法を
示す概略断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第５の
実施形態に係るバンプ形成方法を説明するための概略断
面図であり、図５（ｃ）は比較のために従来のバンプ形
成方法を示す概略断面図である。
【図６】図６は本発明の第６の実施形態に係る電子部品
を示す概略断面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図６に
示す電子部品の製造方法を説明するための概略工程断面
図である。
【図８】図８は本発明の第７の実施形態に係る電子部品
を示す概略断面図である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図８に
示す電子部品の製造方法を説明するための概略工程断面
図である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来のバン
プ形成方法を説明するための概略図であり、図１０
（ｃ）は電極パッドの面積が小さくなる場合の従来のバ
ンプ形成方法を説明するための概略図であり、各図にお
いて、上段にはキャピラリ及び電極パッド等の断面を示
し、下段には電極パッドの平面を示す。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の電子
部品の製造方法を説明するための概略図であり、図１０
（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ電極パッドの面積が小さくな
る場合の従来の電子部品の製造方法を説明するための概
略図である。
【符号の説明】
１０ 電極パッド １２ キャピラリ １４ ワイヤ １６ ボール １８ ワイヤバンプ ２０ 接合エリア ２２ キャピラリ ２４ ワイヤバンプ ２６ａ 接合エリア ２６ｂ 接合エリア ２８ ワイヤバンプ ３０ａ 接合エリア ３０ｂ 接合エリア ３２ ウェッジツール ３４ ワイヤ ３６ ボール ３８ キャピラリ ４０ 熱風供給孔 ４２ ワイヤバンプ ５０ 半導体チップ ５２ 電極パッド ５４ 第１のワイヤバンプ ５６ ワイヤ残部 ５８ 樹脂層 ６０ 第２のワイヤバンプ ７０ 実装基板 ７２ 電極パッド ７４ 第１のワイヤバンプ ７６ 半導体チップ ７８ 電極パッド ８０ 第２のワイヤバンプ ８２ 半田ペースト １００ 電極パッド １００ａ 電極パッド １０２ キャピラリ １０４ ワイヤ １０６ ボール １０８ ワイヤバンプ １２０ 接合エリア １２０ａ 接合エリア １３０ 半導体チップ １３２ 電極パッド １３２ａ 電極パッド １３４ ワイヤバンプ １３４ａ ワイヤバンプ １３６ 実装基板 １３８ 電極パッド １３８ａ 電極パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩渕 寿章 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 桑崎 聡 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 大倉 秀章 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤを通すホールと、前記ホールを通
    った前記ワイヤの先端部を溶融して形成したボールを電
    極パッドに押圧する底面と、を有するキャピラリであっ
    て、 前記底面が、円周状の縁部から中心部の前記ホールに向
    かってすり鉢状に凹むテーパ形状をなしていることを特
    徴とするキャピラリ。
  2. 【請求項２】 ワイヤを通すホールと、前記ホールを通
    った前記ワイヤの先端部を溶融して形成したボールを電
    極パッドに押圧する底面とを有するキャピラリであっ
    て、 前記ホール内のワイヤに熱風を吹き付ける熱風供給孔が
    設置されていることを特徴とするキャピラリ。
  3. 【請求項３】 ワイヤバンピング法により電子部品の電
    極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、 請求項１記載のキャピラリを用いて、前記キャピラリの
    ホールを通したワイヤの先端部を溶融してボールを形成
    した後、前記キャピラリの円周状の縁部から中心部の前
    記ホールに向かってすり鉢状に凹んでいる底面により前
    記ボールを前記電極に押圧し超音波加振して、バンプを
    形成することを特徴とするバンプ形成方法。
  4. 【請求項４】 ワイヤバンピング法により電子部品の電
    極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、 キャピラリのホールを通したワイヤの先端部を溶融して
    ボールを形成した後、前記ボールを前記キャピラリの平
    坦な底面により前記電極に押圧し超音波加振する際に、
    前記キャピラリの位置をずらして複数回前記ボールを前
    記電極に押圧し超音波加振して、バンプを形成すること
    を特徴とするバンプ形成方法。
  5. 【請求項５】 請求項４記載のバンプ形成方法におい
    て、 前記キャピラリの位置をずらして複数回押圧及び超音波
    加振を行う際に、最初に前記キャピラリの底面の中心を
    前記電極の中央部から一の方向にずらして前記ボールを
    押圧し超音波加振してバンプを形成し、次に前記キャピ
    ラリの底面の中心を前記電極の中央部から前記一の方向
    と反対側にずらして前記バンプを押圧し超音波加振する
    ことを特徴とするバンプ形成方法。
  6. 【請求項６】 請求項４記載のバンプ形成方法におい
    て、 前記キャピラリの位置をずらして複数回押圧及び超音波
    加振を行う際に、最初に前記キャピラリの底面の中心を
    前記電極の略中央部に一致させて前記ボールを押圧し超
    音波加振してバンプを形成し、次に前記バンプに接続す
    るワイヤを切断した後、前記キャピラリの平坦な底面を
    前記バンプの略中心部に当てて押圧し超音波加振するこ
    とを特徴とするバンプ形成方法。
  7. 【請求項７】 ワイヤバンピング法により電子部品の電
    極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、 ウェッジツールに斜めに設けられた供給穴を通過したワ
    イヤの先端部を溶融してボールを形成した後、前記ウェ
    ッジツールの平坦な底面により前記ボールを前記電極に
    押圧し超音波加振して、バンプを形成することを特徴と
    するバンプ形成方法。
  8. 【請求項８】 ワイヤバンピング法により電子部品の電
    極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、 請求項２記載のキャピラリを用いて、前記キャピラリの
    ホールを通したワイヤの先端部を溶融してボールを形成
    した後、前記キャピラリの平坦な底面により前記ボール
    を前記電極に押圧し超音波加振してバンプを形成し、続
    いて前記バンプに接続している前記ワイヤに熱風供給孔
    から熱風を吹き付けて、前記ワイヤを所定の位置におい
    て切断することを特徴とするバンプ形成方法。
  9. 【請求項９】 基板の電極形成面上に配置された電極
    と、 前記電極上にワイヤバンピング法により形成された第１
    のバンプと、 前記第１のバンプに接続している所定の長さのワイヤ残
    部と、 前記基板の電極形成面、前記電極、前記第１のバンプ、
    及び前記ワイヤ残部を被覆すると共に、前記ワイヤ残部
    の端部近傍を露出させている所定の厚さの絶縁性の樹脂
    層と、 前記ワイヤ残部の露出している端部近傍及び周囲の前記
    樹脂層上にワイヤバンピング法により形成され、前記ワ
    イヤ残部を介して前記第１のバンプに接続されている第
    ２のバンプと、 を有することを特徴とする電子部品。
  10. 【請求項１０】 第１の基板に配置されている電極上に
    ワイヤバンピング法により形成されている第１のバンプ
    と、 前記第１の基板に対向する第２の基板に配置されている
    電極上にワイヤバンピング法により形成されている第２
    のバンプと、 前記第１の基板の前記第１のバンプと前記第２の基板の
    前記第２のバンプとを接続させる半田ペーストと、 を有することを特徴とする電子部品。
  11. 【請求項１１】 請求項８記載のバンプ形成方法を用い
    て、前記キャピラリのホールを通したワイヤの先端部を
    溶融して第１のボールを形成した後、前記キャピラリの
    底面により前記第１のボールを基板に配置されている電
    極に押圧し超音波加振して、第１のバンプを形成し、続
    いて、前記第１のバンプに接続している前記ワイヤに熱
    風供給孔から熱風を吹き付けて、前記ワイヤを所定の位
    置において切断する工程と、 前記基板の電極形成面、前記電極、前記第１のバンプ、
    及び前記第１のバンプに接続しているワイヤ残部を、所
    定の厚さの絶縁性の樹脂層によって被覆すると共に、前
    記樹脂層表面から前記ワイヤ残部の切断部近傍を露出さ
    せる工程と、 前記キャピラリの前記ホールを通したワイヤの先端部を
    溶融して形成した第２のボールを、前記キャピラリの底
    面により前記ワイヤ残部の露出している切断部近傍及び
    周囲の前記樹脂層に押圧し超音波加振して、第２のバン
    プを形成する工程と、 を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
  12. 【請求項１２】 第１の基板に配置されている電極上に
    ワイヤバンピング法により第１のバンプを形成する工程
    と、 第２の基板に配置されている電極上にワイヤバンピング
    法により第２のバンプを形成する工程と、 前記第２のバンプを構成する金属より低融点の半田ペー
    ストを前記第２のバンプ上に転写する工程と、 前記第１の基板の前記第１のバンプを前記第２の基板の
    前記第２のバンプに対峙させ、前記第１のバンプを前記
    第２のバンプ上の前記半田ペーストに接触させた後、前
    記半田ペーストを溶融させ、前記半田ペーストを介して
    前記第１のバンプと前記第２のバンプとを接続させるこ
    とを特徴とする電子部品の製造方法。
JP10155250A 1998-05-20 1998-05-20 キャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子部品及びその製造方法 Pending JPH11330125A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7167344B2 (en) 2001-01-11 2007-01-23 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic head actuator having finely movable tracking device
WO2020235211A1 (ja) * 2019-05-20 2020-11-26 株式会社新川 ピン状ワイヤ成形方法及びワイヤボンディング装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7167344B2 (en) 2001-01-11 2007-01-23 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic head actuator having finely movable tracking device
WO2020235211A1 (ja) * 2019-05-20 2020-11-26 株式会社新川 ピン状ワイヤ成形方法及びワイヤボンディング装置

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