JPH0968817A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子写真感光体の製造において、電荷輸送物
質との相溶性に優れ、溶媒に溶解しても白化又はゲル化
を起こさず、かつ、高い耐摩耗性を有するポリカーボネ
ートを感光層中のバインダー樹脂として用いることによ
り、長期間にわたって優れた耐久性及び電子写真特性を
維持する電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 導電性基板上に電荷発生物質、電荷輸送
物質及びバインダー樹脂を含有する感光層を設けてなる
電子写真感光体において、感光層のバインダー樹脂とし
て下記式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表される構造単位（Ｉ）
及び（ＩＩ）から選ばれた少なくとも１つの構造単位を
含有するポリカーボネートを用いた電子写真感光体。 【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁶及びＲ⁷はハロゲン原子、アルキ
ル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、ａ、
ｂ、ｃ及びｄは０〜４の整数であり、Ｒ⁴及びＲ⁵は水素
原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基で
あり、Ｒ³、Ｒ⁸及びＲ⁹はアルキル基又はアリール基で
ある。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関し、より詳しくは、長時間にわたる繰り返し使用に対
して優れた機械的強度及び電子写真特性を維持し、種々
の電子写真分野に好適に利用できる電子写真感光体に関
する。

【０００２】

【従来の技術】最近の電子写真分野においては、積層型
の電子写真感光体、即ち、感光層が、露光により電荷を
発生させる電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷を輸送する電荷
輸送層（ＣＴＬ）との少なくとも２層を有する積層型の
有機電子写真感光体（ＯＰＣ）や、感光層が電荷発生物
質及び電荷輸送物質をバインダー樹脂に分散させた単一
層からなる単層型の電子写真感光体が提案され利用され
ている。

【０００３】一方、電子写真感光体には、適応される電
子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性、光学特
性を備えていることが要求される。特に、繰り返し使用
される感光体には、その感光体の表面層、即ち基体（通
常は導電性基板）より最も離れて位置する層には、コロ
ナ帯電、トナー現像、紙への転写、クリーニング処理等
の際に、電気的、機械的外力が直接に加えられるため、
それらに対する耐久性が要求される。具体的には、摩擦
による表面の摩耗や傷の発生、高温下においてのコロナ
帯電時に発生するオゾンによる表面の劣化などに対する
耐久性が要求される。そこで、このような要求に対応す
るために、上記積層型の電子写真感光体の電荷輸送層や
単層型電子写真感光体の感光層のバインダー樹脂として
は、電荷輸送物質との相溶性がよく、しかも機械強度が
高いビスフェノールＡあるいはビスフェノールＺを原料
とするポリカーボネート樹脂が広く利用されてきた。し
かしながら、このビスフェノールＡやビスフェノールＺ
を原料とするポリカーボネート樹脂をもってしても上記
要求を満足させるには不十分である。

【０００４】すなわち、ビスフェノールＡやビスフェノ
ールＺを原料とするポリカーボネート樹脂は、溶媒に溶
解させて感光層を形成するための塗工液を調製する際
に、塗工液が白化又はゲル化し、塗工、乾燥後の感光層
が結晶化を起こすことがある。この結晶化を起こした部
分では、光減衰がなく、電荷は残留電位となって残り、
画質上ディフェクトとなって出現する。

【０００５】また、ビスフェノールＡやビスフェノール
Ｚを原料とするポリカーボネート樹脂を用いた感光体は
その表面硬度不足から、摩耗や傷の発生が起こり耐久性
に劣る。

【０００６】また、特開平７−５３４３０号公報には、
テルペン構造に由来する構造単位を有するポリカーボネ
ートが記載されており、また、このポリカーボネートは
高いガラス転移温度を有することが記載されている。し
かし、該公報には、このポリカーボネートが電子写真感
光体の製造においてバインダー樹脂として使用可能であ
るかどうか、また、上記従来のポリカーボネートの難点
を解消しうるものであるかどうかに関する記載はない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
基づいてなされたものであり、バインダー樹脂としてビ
スフェノールＡやビスフェノールＺを原料とするポリカ
ーボネートを用いた電子写真感光体に認められる上記の
問題点を解決し、電荷輸送物質との相溶性が良い上に、
溶媒に溶解しても白化又はゲル化を起こさず、かつ、高
い表面硬度を有するポリカーボネートを用いて作製され
る長期間に亘って優れた電子写真特性を維持する電子写
真感光体を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記問題
点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、テルペン構造に
由来する構造単位を有するポリカーボネートは、電荷輸
送物質との相溶性がよく、また、電子写真感光体のバイ
ンダー樹脂として用いた場合、塗工液が白化又はゲル化
したりすることがなく、しかも耐摩耗性などの機械的強
度が高く、電子写真感光体の長期使用期間に亘って優れ
た優れた電子写真特性及び耐久性を維持することを見出
し、これら知見に基づき、本発明を完成するに至った。

【０００９】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、導電性
基板上に電荷発生物質、電荷輸送物質及びバインダー樹
脂を含有する感光層を設けてなる電子写真感光体におい
て、感光層のバインダー樹脂として下記式（Ｉ）で表さ
れる構造単位（Ｉ）及び下記式（ＩＩ）で表される構造
単位（ＩＩ）から選ばれた少なくとも１つの構造単位を
含有するポリカーボネート（１）を用いた電子写真感光
体を提供するものである。

【００１０】

【化３】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁶及びＲ⁷は各々独立にハロゲン原
子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロ
アルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換の
アリール基であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々独立に０〜
４の整数であり、Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立に水素原子、炭
素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキ
ル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基であり、Ｒ³、Ｒ⁸及びＲ⁹は各々独立に炭素数１〜
６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置
換のアリール基である。） また、本発明は、導電性基板上に電荷発生物質、電荷輸
送物質及びバインダー樹脂を含有する感光層を設けてな
る電子写真感光体において、感光層のバインダー樹脂と
して、請求項１記載の式（Ｉ）で表される構造単位
（Ｉ）及び式（ＩＩ）で表される構造単位（ＩＩ）から
選ばれた少なくとも１つの構造単位と下記式（ＩＩＩ）
で表される少なくとも１つの構造単位を含有するポリカ
ーボネート共重合体であって、構造単位（Ｉ）及び構造
単位（ＩＩ）から選ばれた少なくとも１つの構造単位を
５モル％以上含有するポリカーボネート共重合体（２）
を用いた電子写真感光体を提供するものである。

【００１１】

【化４】 ［式中、Ｙは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ₂−、−ＣＲ¹²Ｒ¹³−（ただし、Ｒ¹²及びＲ¹³は各々
独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）
又は炭素数５〜７の１，１−シクロアルキリデン基であ
り、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は各々独立にハロゲン原子、炭素数１
〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基又
は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基を
表し、ｅ及びｆは各々独立に０〜４の整数である。］

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる上記ポリカー
ボネート（１）及びポリカーボネート共重合体（２）
（以下、両者を単にポリカーボネートと称することがあ
る。）は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄ
ｌの溶液の２０℃における還元粘度が０．２〜１０．０
ｄｌ／ｇであることが好ましい。この還元粘度が０．２
ｄｌ／ｇ未満であると、電子写真感光体のこのポリカー
ボネートをバインダー樹脂として用いた層が表面硬度不
足のため摩耗しやすくなり耐刷寿命が短くなり、この還
元粘度が１０．０ｄｌ／ｇを超えると、ポリカーボネー
トの溶液粘度が上昇し、塗工液の塗布による感光体の製
造が困難になったりすることがある。更に好ましくは、
０．３〜２．０ｄｌ／ｇである。

【００１３】上記式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）に
おいて、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹について、
それらの例であるハロゲン原子としては、フルオロ基、
クロロ基、ブロモ基又はヨード基があり、特にクロロ基
又はブロモ基が好ましい；Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、
Ｒ⁷、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹について、それらの例である炭素数
５〜７のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル
基等が挙げられ、特にシクロヘキシル基が好ましい；Ｒ
¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²及びＲ¹³について、それらの例である炭素数
１〜６のアルキル基の具体例としては、例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、等が挙げられ、炭素数６
〜１２の置換（置換基としては、例えばフルオロ基、ク
ロロ基、ブロモ基又はヨード基のハロゲン原子、メチル
基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜６の
アルキル基、フェニル基などが挙げられる。）若しくは
無置換のアリール基の具体例としては、例えばフェニル
基、トリル基、キシリル基、ブロモフェニル基、ナフチ
ル基等が挙げられ、特にフェニル基が好ましい。

【００１４】構造単位（Ｉ）で好ましいものとしては、
例えば、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵がメチル基であるものが挙げ
られる。なかでも、ａ及びｂが０であるものが好ましい
が、その他、それぞれメチル基、クロロ基、ブロモ基、
フェニル基及びブロモフェニル基から選ばれる置換基Ｒ
¹及びＲ²を、各々、１又は２有するものも好適である。

【００１５】構造単位（ＩＩ）で好ましいものとして
は、例えば、Ｒ⁸がイソプロピル基であり、Ｒ⁹がメチル
基であるものが挙げられる。なかでも、ｃ及びｄが０で
あるものが好ましいが、その他、それぞれメチル基、ク
ロロ基、ブロモ基、フェニル基及びブロモフェニル基か
ら選ばれる置換基Ｒ⁶及びＲ⁷を、各々、１又は２有する
ものも好適である。

【００１６】本発明に用いられるポリカーボネートのう
ち、ポリカーボネート共重合体（２）は、構造単位
（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも１種に加えて、構造単
位（ＩＩＩ）を特定の共重合構造単位として含有する
が、構造単位（ＩＩＩ）を導入することにより、様々な
力学特性を有する樹脂を製造することができ、様々な機
種に適合した電子写真感光体を得ることができる。ただ
し、このポリカーボネート共重合体（２）中の構造単位
（Ｉ）及び／又は（ＩＩ）の割合は、少なくとも５モル
％とする。５モル％未満であると、構造単位（ＩＩＩ）
の種類によっては、ポリカーボネート共重合体（２）の
機械的強度が低下したり、塗工液調製時の溶剤に対する
溶解性や、溶液の安定性が低下したり、結晶化による白
化が生じたりすることがある。例えば、構造単位（ＩＩ
Ｉ）に特有の機能を発揮せしめ、かつ、塗工液の白化、
ゲル化、電荷輸送層や感光層の結晶化等を確実に防止し
つつ、耐刷寿命の向上を図るためには、［構造単位
（Ｉ）＋（ＩＩ）］：［構造単位（ＩＩＩ）］のモル比
を、９５：５〜５：９５の範囲とすることが好ましい。

【００１７】本発明に用いられるポリカーボネートは、
本発明の目的達成に支障のない範囲で、前記以外の他の
構造単位を有していてもよく、また、他のポリカーボネ
ート成分や添加物を適宜添加してもよい。

【００１８】本発明に用いられるポリカーボネートは、
直鎖状、環状のいずれでもよい。更に、ポリカーボネー
ト合成時に末端停止剤や分岐剤等を用いることにより、
得られるポリマー末端に特殊な末端構造が導入されてい
るものや、特殊な分岐構造が導入されているものであっ
てもよい。

【００１９】本発明に用いられるポリカーボネートは、
下記式（Ｉ′）及び下記式（ＩＩ′）

【００２０】

【化５】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ
⁹、ａ、ｂ、ｃ及びｄは上記と同じ意味を有する。）で
表されるジヒドロキシアリール化合物（Ｉ′）及びジヒ
ドロキシアリール化合物（ＩＩ′）のうちの少なくとも
１種のジヒドロキシアリール化合物（Ａ）、又はこのジ
ヒドロキシアリール化合物（Ａ）及び下記式（ＩＩ
Ｉ′）

【００２１】

【化６】 （式中、Ｙ、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、ｅ及びｆは上記と同じ意味を
有する。）で表されるジヒドロキシアリール化合物（Ｉ
ＩＩ′）少なくとも１種とホスゲン等の炭酸エステル形
成性化合物とを、適当な酸結合剤の存在下に重縮合する
か、あるいはジヒドロキシアリール化合物（Ａ）の少な
くとも１種、又はジヒドロキシアリール化合物（Ａ）の
少なくとも１種及びジヒドロキシアリール化合物（ＩＩ
Ｉ′）とビスアリールカーボネートとのエステル交換反
応などの方法によって得ることができる。

【００２２】構造単位（Ｉ）の原料であるジヒドロキシ
アリール化合物（Ｉ′）の具体例としては、例えば以下
のものが挙げられる。

【００２３】

【化７】

【００２４】

【化８】 構造単位（ＩＩ）の原料であるジヒドロキシアリール化
合物（ＩＩ′）の具体例としては、例えば下記のものが
挙げられる。

【００２５】

【化９】

【００２６】

【化１０】 構造単位（ＩＩＩ）の原料であるジヒドロキシアリール
化合物（ＩＩＩ′）の具体例としては、例えば、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニ
ルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２
−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィ
ド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、４，４′−ジヒドロキシビフェ
ニル、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒド
ロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス
（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチル
フェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニ
ル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１
−ビス（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−
メチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−ク
ロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，
５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒド
ロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−
フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（３
−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、３，
３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビフェニ
ル、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサン、４，４′−ジヒドロキシ
−３，３′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒドロ
キシ−２，２′−ジメチルビフェニル、４，４′−ジヒ
ドロキシ−３，３′−ジシクロヘキシルビフェニル、
２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（３−フェニル
−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３−トリルフェニル）プロパン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジトリルメタン
等が挙げられる。

【００２７】ジヒドロキシアリール化合物（ＩＩＩ′）
として好ましいものとしては、例えば、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−
ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２、２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ト
リルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−シクロヘ
キシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジ
フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−フェニルフェニル）プロパン、４，４′−ジ
ヒドロキシビフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテ
ル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ジトリルメタン等が挙げられる。

【００２８】中でも好適に用いられるジヒドロキシアリ
ール化合物（ＩＩＩ′）は、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−フ
ェニルフェニル）プロパン、４，４′−ジヒドロキシビ
フェニル及びビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン
である。

【００２９】これらのジヒドロキシ化合物（ＩＩＩ′）
は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用しても
よい。

【００３０】また、原料としての上記ジヒドロキシアリ
ール化合物（Ｉ′）、（ＩＩ′）及び（ＩＩＩ′）以外
にも、必要に応じ、分岐剤、末端停止剤を用いてもよ
い。

【００３１】分岐剤としては、３価以上のフェノール又
はカルボン酸を用いることができる。

【００３２】分岐剤の例としては、フロログリシン、ピ
ロガロール、４，６−ジメチル−２，４，６−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−２−ヘプテン、２，４−
ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、２，６−ジメチル−２，４，６−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−３−ヘプテン、１，３，
５−トリス（２−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，
３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、
１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタ
ン、２，２−ビス（４，４−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキシル）プロパン、２，４−ビス｛２−
（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル｝フェノー
ル、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジ
ル）−４−メチルフェノール、２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロ
パン、テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
テトラキス（４−（４−ヒドロキシフェニルイソプロピ
ル）フェノキシ）メタン、１，４−ビス（４′、４″−
ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、２，４−
ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、シアヌル酸、
３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
−２−オキソ−２，３−ジヒドロインドール、３，３−
ビス（４−ヒドロキシアリール）オキシインドール、５
−クロロイサチン、５，７−ジクロロイサチン、５−ブ
ロモイサチン等が挙げられる。

【００３３】この中で好ましく用いられるのは、フロロ
グリシン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン等である。

【００３４】末端停止剤としては、一価のカルボン酸及
びその誘導体、一価のフェノールを用いることができ
る。

【００３５】具体的な例としては、フェノール、α−ナ
フトール、β−ナフトール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，
４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キ
シレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、ｐ−エチルフェノール，ｐ−プロピルフェノー
ル、ｐ−ブチルフェノール、ｐ−ぺンチルフェノール、
ｐ−ヘキシルフェノール、ｐ−ヘプチルフェノール、ｐ
−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−デ
シルフェノール、ｐ−ウンデシルフェノール、ｐ−ドデ
シルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール、２，６−ジメチル−ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ペンチル−
４−メチルフェノール、３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノール、２−メチル−４，６−ジ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェノール、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフ
ェノール、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノール、２，
４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−フェ
ニルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
フェニルフェノール、２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチル−４
−メチルフェノール、ｏ−アニソール、ｍ−アニソー
ル、ｐ−アニソール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロ
ロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェ
ノール、ｍ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノー
ル、ｐ−エトキシフェノール、ｏ−アミノフェノール、
ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、ｐ−シ
アノフェノール、ｐ−ニトロフェノール、３−メチル−
６−イソプロピルフェノール、２−メチル−５−イソプ
ロピルフェノール、パーフルオロブタン酸、パーフルオ
ロぺンタン酸、パーフルオロヘキサン酸、パーフルオロ
ヘプタン酸、パーフルオロオクタン酸、パーフルオロノ
ナン酸、パーフルオロデカン酸、パーフルオロウンデカ
ン酸、パーフルオロドデカン酸、パーフルオロトリデカ
ン酸、パーフルオロテトラデカン酸、パーフルオロぺン
タデカン酸、パーフルオロヘキサデカン酸、パーフルオ
ロオクタデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオぺンタン
酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキサン酸、２Ｈ，２Ｈ
−パーフルオロヘプタン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロ
オクタン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロノナン酸、２
Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフ
ルオロウンデカン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロドデカ
ン酸、２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロトリデカン酸、２Ｈ，
２Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロヘキサン酸、２Ｈ，２
Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロヘプタン酸、２Ｈ，２
Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロオクタン酸、２Ｈ，２
Ｈ，３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロノナン酸、２Ｈ，２Ｈ，
３Ｈ，３Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，５Ｈ
−パーフルオペンタン酸、２Ｈ，２Ｈ，６Ｈ−パーフル
オロヘキサン酸、２Ｈ，２Ｈ，７Ｈ−パーフルオロヘプ
タン酸、２Ｈ，２Ｈ，８Ｈ−パーフルオロオクタン酸、
２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パーフルオロノナン酸、２Ｈ，２
Ｈ，１０Ｈ−パーフルオロデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１１
Ｈ−パーフルオロウンデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１２Ｈ−
パーフルオロドデカン酸、２Ｈ，２Ｈ，１３Ｈ−パーフ
ルオロウンデカン酸、又はこれらの酸ハロゲン化物、ｐ
−（パーフルオロペンチル）フェノール、ｐ−（パーフ
ルオロヘキシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロヘプ
チル）フェノール、ｐ−（パーフルオロオクチル）フェ
ノール、ｐ−（パーフルオロノニル）フェノール、ｐ−
（パーフルオロデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオ
ロウンデシル）フェノール、ｐ−（パーフルオロドデシ
ル）フェノール、ｐ−（パーフルオロトリデシル）フェ
ノール、ｐ−（パーフルオロテトラデシル）フェノー
ル、ｐ−（パーフルオロペンタデシル）フェノール、ｐ
−（パーフルオロブチルオキシ）フェノール、ｐ−（パ
ーフルオロペンチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフ
ルオロヘキシルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオ
ロヘプチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロオ
クチルオキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロノニル
オキシ）フェノール、ｐ−（パーフルオロデシルオキ
シ）フェノール、ｐ−（パーフルオロウンデシルオキ
シ）フェノール、ｐ−（パーフルオロドデシルオキシ）
フェノール、ｐ−（パーフルオロトリデシルオキシ）フ
ェノール、ｐ−（パーフルオロテトラデシルオキシ）フ
ェノール、ｐ−（パーフルオロペンタデシルオキシ）フ
ェノール、４−パーフルオロオクチル−２，３，５，６
−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロノニル
−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パ
ーフルオロデシル−２，３，５，６−テトラフルオロフ
ェノール、４−パーフルオロウンデシル−２，３，５，
６−テトラフルオロフェノール、４−パーフルオロドデ
シル−２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４
−パーフルオロトリデシル−２，３，５，６−テトラフ
ルオロフェノール、４−パーフルオロテトラデシル−
２，３，５，６−テトラフルオロフェノール、４−パー
フルオロペンタデシル−２，３，５，６−テトラフルオ
ロフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェ
ノール、３−メチル−４−パーフルオロノニルフェノー
ル、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオ
キシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２
−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パ
ーフルオロノニルオキシ）−１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２
−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシルオキシ）−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）
フェノール、ｐ−（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロウ
ンデシルオキシ）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフ
ルオロ−２−プロピル）フェノール、ｐ−（２−（１
Ｈ，１Ｈ−パーフルオロドデシルオキシ）−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル）フェ
ノール、３，５−ビス（パーフルオロヘキシルオキシカ
ルボニル）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオ
ロペンチルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パ
ーフルオロヘキシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，
１Ｈ−パーフルオロヘプチルオキシ）フェノール、ｐ−
（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルオキシ）フェノー
ル、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロノニルオキシ）フ
ェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシルオキ
シ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロウン
デシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロドデシルオキシ）フェノール、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ
−パーフルオロトリデシルオキシ）フェノール、ｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸パーフルオロペンチル、ｐ−ヒドロキ
シ安息香酸パーフルオロヘキシル、ｐ−ヒドロキシ安息
香酸パーフルオロヘプチル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パ
ーフルオロオクチル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフル
オロノニル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロデシ
ル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロウンデシル、
ｐ−ヒドロキシ安息香酸パーフルオロドデシル、（ｐ−
ヒドロキシベンジル）パーフルオロヘキサン、（ｐ−ヒ
ドロキシベンジル）パーフルオロヘプタン、（ｐ−ヒド
ロキシベンジル）パーフルオロオクタン、（ｐ−ヒドロ
キシベンジル）パーフルオロノナン、（ｐ−ヒドロキシ
ベンジル）パーフルオロデカン、（ｐ−ヒドロキシベン
ジル）パーフルオロウンデカン、（ｐ−ヒドロキシベン
ジル）パーフルオロドデカン等が挙げられる。

【００３６】この中で好ましく用いられるのは、ｐ−
（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール、ｐ−フェニルフェノ
ール、ｐ−（パーフロオロノニルフェニル）フェノー
ル、ｐ−（パーフルオロキシルフェニル）フェノール、
ｐ−ｔｅｒｔ−パーフルオロブチルフェノール、１−
（ｐ−ヒドロキシベンジル）パーフルオロデカン、ｐ−
（２−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロトリデシルオキシ）
−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロビル）
フェノール、３，５−ビス（パーフルオロヘキシルオキ
シカルボニル）フェノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸パ
ーフルオロドデシル、ｐ−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ
オクチルオキシ）フェノール、２Ｈ，２Ｈ，９Ｈ−パー
フルオロノナン等が挙げられる。

【００３７】末端停止剤の好ましい範囲は共重合組成比
として０．０１〜３０ｍｏｌ％、より好ましくは１〜１
０ｍｏｌ％である。３０ｍｏｌ％を超えると表面硬度不
足のため摩耗しやすくなり耐刷寿命が短くなり、０．０
１ｍｏｌ％未満では溶液粘度が上昇し、液塗工法による
感光体の製造が困難になることがある。分岐剤の好まし
い範囲は共重合組成比として３０ｍｏｌ％以下、より好
ましくは５ｍｏｌ％以下である。３０ｍｏｌ％を超える
と溶液粘度が上昇し、液塗工法による感光体の製造が困
難になることがある。

【００３８】末端停止剤及び分岐剤は、ジヒドロキシア
リール化合物に共存させて使用するが、その方法として
は、原料として用いられるジヒドロキシアリール化合物
（Ｉ′）、（ＩＩ′）及び（ＩＩＩ′）（以下、単にジ
ヒドロキシアリール化合物と称することがある。）と末
端停止剤及び分岐剤の両方を最初から共存させて反応を
行い高分子量化する方法、ジヒドロキシアリール化合物
からなるオリゴマーを作った後、高分子量化する際に末
端停止剤及び分岐剤の両方を共存させ高分子量化する方
法、ジヒドロキシアリール化合物からなるオリゴマーを
作った後、先にオリゴマーに末端停止剤を共存させてオ
リゴマーと反応させ、次に分岐剤を共存させ高分子量化
する方法、ジヒドロキシアリール化合物からなるオリゴ
マーを作った後、先にオリゴマーに分岐剤を共存させて
オリゴマーと反応させ、次に末端停止剤を共存させ高分
子量化する方法等、各種の方法を採用することができ
る。

【００３９】炭酸エステル形成性化合物として前記ホス
ゲンをはじめとする各種のジハロゲン化カルボニル、ク
ロロホルメート等のハロホルメート類、炭酸エステル化
合物などを用い、酸結合剤の存在下に重縮合を行う反応
は、通常、溶媒中で行われる。ホスゲン等のガス状の炭
酸エステル形成性化合物を使用する場合、これを反応系
に吹き込む方法が好適に採用できる。

【００４０】炭酸エステル形成性化合物の使用割合は、
反応の化学量論比（当量）を考慮して適宜調整すればよ
い。また、ホスゲン等のガス状の炭酸エステル形成性化
合物を使用する場合、これを反応系に吹き込む方法が好
適に採用できる。

【００４１】前記酸結合剤としては、例えば水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、
ピリジン等の有機塩基或いはこれらの混合物などが用い
られる。

【００４２】酸結合剤の使用割合も、反応の化学量論比
（当量）を考慮して適宜定めればよい。具体的には、使
用するジヒドロキシアリール化合物（Ｉ′）、（Ｉ
Ｉ′）及び（ＩＩＩ′）の合計モル数（通常１モルは２
当量に相当）に対して２当量若しくはこれより若干過剰
量の酸結合剤を用いることが好ましい。

【００４３】前記溶媒としては、公知のポリカーボネー
トの製造に使用されるものなど各種の溶媒を１種単独で
或いは混合溶媒として使用すればよい。代表的な例とし
ては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素溶媒、
塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンをはじめ
とするハロゲン化炭化水素溶媒などが挙げられる。互い
に混ざり合わない２種の溶媒を用いて界面重縮合反応を
行ってもよい。

【００４４】また、重縮合反応を促進するために、トリ
エチルアミン等の第三級アミン又は第四級アンモニウム
塩などの触媒を添加して反応を行うことが望ましい。ま
た、所望に応じ、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファ
イドなどの酸化防止剤を少量添加してもよい。反応は、
通常、０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲の温
度で行われる。反応圧力は、減圧、常圧、加圧のいずれ
でも可能であるが、通常は、常圧若しくは反応系の自圧
程度で好適に行い得る。反応時間は、反応温度等によっ
て左右されるが、通常０．５分間〜１０時間、好ましく
は１分間〜２時間程度である。

【００４５】また、まずジヒドロキシアリール化合物
（Ｉ′）、（ＩＩ′）及び（ＩＩＩ′）から選ばれる反
応原料の一部と炭酸エステル形成性物質とを反応させて
オリゴマーを生成せしめ、次いで残りの反応原料を添加
して重縮合を完結させる２段階法を用いることもでき
る。このような２段階法によれば、反応の制御が容易で
あり、精度の高い分子量コントロールを行うことができ
る。

【００４６】後者のジヒドロキシアリール化合物
（Ｉ′）、（ＩＩ′）及び（ＩＩＩ′）とビスアリール
カーボネートとのエステル交換法に用いられるビスアリ
ールカーボネートとしては、例えば、ジ−ｐ−トリルカ
ーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−
ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネ
ート等が挙げられる。

【００４７】このエステル交換法の反応形式としては、
溶融重縮合法、固相重縮合法などが好適である。溶融重
縮合法を行う場合は、ジヒドロキシアリール化合物とビ
スアリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温にお
いて溶融状態で反応させる。反応は、通常１５０〜３５
０℃、好ましくは２００〜３００℃の範囲の温度におい
て行われる。固相重縮合法を行う場合は、ジヒドロキシ
アリール化合物及びビスアリールカボネートを混合し、
固相状態のまま、生成ポリカーボネートの融点以下の温
度に加熱して重縮合を行う。いずれの場合においても、
反応の最終段階で減圧度を好ましくは１ｍｍＨｇ以下に
して、エステル交換反応により生成した上記ビスアリー
ルカーボネートから由来するフェノール類を系外へ留去
させる。反応時間は反応温度や減圧度などによって左右
されるが、通常１〜４時間程度である。反応は窒素やア
ルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好まし
く、また、所望に応じて前記の分子量調節剤や酸化防止
剤などを添加して反応を行ってもよい。

【００４８】得られるポリカーボネートの還元粘度を前
記の範囲にするには、例えば、前記反応条件の選択、前
記分岐剤や末端停止剤の使用量の調節など、各種の方法
によってなすことができる。また、場合により、得られ
たポリカーボネートに適宜物理的処理（混合、分画な
ど）及び／又は化学的処理（ポリマー反応、架橋処理、
部分分解処理など）を施して、所定の還元粘度のポリカ
ーボネートとして取得することもできる。

【００４９】本発明の電子写真感光体は、それぞれ、感
光層中にバインダー樹脂としての上記ポリカーボネート
の少なくとも１種と電荷発生物質と電荷輸送物質とを含
有するものである。

【００５０】本発明の電子写真感光体はこのような感光
層が導電性基体上に形成されたものである限り、その構
造に特に制限はなく、単層型、積層型等の公知の種々の
形式の電子写真感光体はもとより、どのようなものとし
てもよいが、感光層が少なくとも１層の電荷発生層と少
なくとも１層の電荷輸送層を有する積層型電子写真感光
体中の電荷輸送層のバインダー樹脂として用いることが
好ましい。

【００５１】本発明の電子写真感光体において、本発明
のポリカーボネートは１種単独で使用してもよいし、２
種以上を組み合わせて用いてもよい。また、所望に応じ
て本発明の目的達成を阻害しない範囲で、他のポリカー
ボネート等の樹脂成分を含有させてもよい。

【００５２】本発明の電子写真感光体に用いられる導電
性基体の材料としては、公知のものなど各種のものを使
用することができ、具体的には、具体的にはアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、パラジウム、チタン、金、銀、
銅、亜鉛、ステンレス、モリブデン、インジウム、白
金、酸化鉛、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ若しくは
グラファイトの板、ドラム及びシート、並びに蒸着、ス
パッタリング、塗布等によりコーティングするなどして
導電化処理したガラス、布、紙若しくはプラスチックの
フィルム、シート及びシームレスベルト、アルミニウム
等の金属箔を積層したプラスチックフィルム、シート及
びシームレスベルト、並びに金属板のフィルム状シート
及びシームレスベルト、並びに電極酸化などにより金属
酸化処理した金属ドラムなどを使用することができる。

【００５３】積層型電子写真感光体の電荷発生層は少な
くとも電荷発生物質を含むものであり、この電荷発生層
はその下地となる基板上に真空蒸着、スパッタ法、ＣＶ
Ｄ法等により電荷発生物質の層を形成せしめるか、又は
その下地となる層上に電荷発生物質をバインダー樹脂を
用いて結着してなる層を形成せしめることによって得る
ことができる。バインダー樹脂を用いる電荷発生層の形
成方法としては公知の方法等、各種の方法を使用するこ
とができるが、通常、例えば、電荷発生物質をバインダ
ー樹脂と共に適当な溶媒により分散若しくは溶解した塗
工液を、所定の下地となる層上に塗布し、乾燥せしめる
方法が好適に用いられる。

【００５４】前記電荷発生物質としては、公知のものな
ど各種のものを使用することができ、具体的には、非晶
質セレン、三方晶セレン等のセレン単体、テルル単体、
セレン−テルル合金、セレン−ヒ素合金等のセレンの合
金、Ａｓ₂Ｓｅ₃等のセレン化合物若しくはセレン含有組
成物、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化アンチモン、硫
化亜鉛、ＣｄＳ−Ｓｅ等の合金、第１２族及び第１６族
元素からなる無機材料、酸化チタン等の酸化物系半導
体、アモルファスシリコンなどのシリコン系材料等の各
種の無機材料、τ型無金属フタロシアニン、χ型無金属
フタロシアニン等の無金属フタロシアニン顔料、α型銅
フタロシアニン、β型銅フタロシアニン、γ型銅フタロ
シアニン、ε型銅フタロシアニン、Ｘ型銅フタロシアニ
ン、Ａ型チタニルフタロシアニン、Ｂ型チタニルフタロ
シアニン、Ｃ型チタニルフタロシアニン、Ｄ型チタニル
フタロシアニン、Ｅ型チタニルフタロシアニン、Ｆ型チ
タニルフタロシアニン、Ｈ型チタニルフタロシアニン、
Ｇ型チタニルフタロシアニン、Ｋ型チタニルフタロシア
ニン、Ｌ型チタニルフタロシアニン、Ｍ型チタニルフタ
ロシアニン、Ｎ型チタニルフタロシアニン、Ｙ型チタニ
ルフタロシアニン、Ｘ線回折図におけるブラック角２θ
が２７．３±０．２度に強い回折ピークを示すチタニル
フタロシアニンなどの金属フタロシアニン顔料、シアニ
ン顔料、アントラセン顔料、ビスアゾ顔料、ビレン顔
料、多環キノン顔料、キナクリドン顔料、インジゴ顔
料、ベリレン顔料、ピリリウム塩、チアピリリウム塩、
ポリビニルカルバゾール、スクェアリウム顔料、アント
アントロン顔料、ベンズイミダゾール顔料、アゾ顔料、
チオインジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、キノ
リン顔料、レーキ顔料、オキサジン顔料、ジオキサジン
顔料、トリフェニルメタン顔料、アズレニウム染料、ス
クウェアリウム染料、トリアリールメタン染料、キサン
テン染料、チアジン染料などが挙げられる。

【００５５】これらの顔料を単独または２種以上を混合
して用いることもできる。

【００５６】電荷発生層の厚さは、０．０１〜２．０μ
ｍが好ましく、０．１〜０．８μｍがより好ましい。
０．０１μｍ未満であると、電荷発生層を均一に形成す
ることが困難であり、２．０μｍを超えると、電子写真
特性が低下する傾向がある。

【００５７】前記電荷発生層に用いられるバインダー樹
脂としては、特に制限はなく、公知のものなど各種のも
のを使用できる。具体的には、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、ポリビニルアセタール、アルキッド樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリアクリロニトリル、ボリカーボネート、ウ
レタン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、
ポリケトン、ポリアクリルアミド、ブチラール樹脂、ポ
リエステル、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、メ
タクリル樹脂、ポリスチレン、スチレン−ブタジエン共
重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シ
リコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノー
ル−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹
脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイ
ン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロー
ス、ニトロセルロース、カルボキシ−メチルセルロー
ス、塩化ビニリデン系ポリマーラテックス、アクリロニ
トリル−ブタジエン共重合体、ビニルトルエン−スチレ
ン共重合体、大豆油変性アルキッド樹脂、ニトロ化ポリ
スチレン、ポリメチルスチレン、ポリイソプレン、ポリ
チオカーボネート、ポリアリレート、ポリハロアリレー
ト、ポリアリルエーテル、ポリビニルアクリレート、メ
ラミン樹脂、ポリエーテル樹脂、ベンゾグアナミン樹
脂、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポ
リエステルアクリレート等の熱硬化性樹脂を使用するこ
とができる。

【００５８】上記電荷発生層におけるバインダー樹脂と
して本発明のポリカーボネートを使用することもでき
る。

【００５９】次に、電荷輸送層は、下地となる基体上
に、電荷輸送物質をバインダー樹脂で結着してなる層を
形成することによって得ることができる。

【００６０】この電荷輸送層の形成方法としては、公知
の方法等の各種の方式を使用することができるが、通
常、上記電荷輸送物質を上記ポリカーボネートと共に適
当な溶媒に分散若しくは溶解した塗工液を、所定の下地
となる層上に塗布し、乾燥する方式などが使用される。
電荷輸送層中の電荷輸送物質とポリカーボネートとの配
合割合は、好ましくは重量で２０：８０〜８０：２０、
さらに好ましくは３０：７０〜７０：３０である。

【００６１】この電荷輸送層において、本発明のポリカ
ーボネートは１種単独で用いることもできるし、また、
２種以上を混合して用いることもできる。また、本発明
の目的達成を阻害しない範囲で、前記の樹脂を本発明の
ポリカーボネートと併用することもできる。

【００６２】電荷輸送物質としては、公知のものなど各
種のものを使用することができる。例えば、カルバゾー
ル化合物、インドール化合物、イミダゾール化合物、オ
キサゾール化合物、ピラゾール化合物、オキサジアゾー
ル化合物、ピラゾリン化合物、チアジアゾール化合物、
アニリン化合物、ヒドラゾン化合物、芳香族アミン化合
物、脂肪族アミン化合物、スチルべン化合物、フルオレ
ノン化合物、キノン化合物、キノジメタン化合物、チア
ゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾロン化合
物、イミダゾリジン化合物、ビスイミダゾリジン化合
物、オキサゾロン化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベ
ンズイミダゾール化合物、キナゾリン化合物、ベンゾフ
ラン化合物、アクリジン化合物、フェナジン化合物、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９
−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデ
ヒド樹脂、エチルカルバゾール樹脂、あるいはこれらを
主鎖、側鎖に有する重合体が用いられ、好ましくは下記
一般式で表されるような化合物が用いられる。

【００６３】

【化１１】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は各々独立に、炭素数
１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７
〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６
〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化
水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、
複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式
基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ²とＡｒ³及びＡｒ³とＡ
ｒ¹で環を形成していてもよい。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００６４】

【化１２】

【００６５】

【化１３】 ［式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C及びＲ^Dは各々独立に、シアノ
基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒドロ
キシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ア
リールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０
の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の
置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の
置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水素基、
置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式
基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表
し、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは各々独立に、０〜５の整数であ
る。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００６６】

【化１４】

【００６７】

【化１５】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成してもよい。Ｒ
^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｒ^Eはエチレン基又はエテニレン基を表
し、Ｅは０〜４の整数である。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００６８】

【化１６】

【００６９】

【化１７】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成してもよい。Ｒ
^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｒ^F及びＲ^Gは各々独立に、水素原子、炭
素数１〜６のアルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｅは
０〜４の整数である。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００７０】

【化１８】

【００７１】

【化１９】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵は各々
独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置
換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換
のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換
の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式
基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ａｒ⁶とＡｒ⁷は各
々独立に、炭素数１〜６の置換若しくは無置換のアルキ
レン基或は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリ
ール化合物、多環式炭化水素、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素、複素環化合物、多環系複素環化合物
又は縮合多環系複素環化合物の２価残基を表し、Ａｒ¹
とＡｒ²及びＡｒ³とＡｒ⁴は環を形成してもよい。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００７２】

【化２０】

【００７３】

【化２１】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は各々独立に、
水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアル
キル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラル
キル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多
環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮
合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³と
Ａｒ⁴は環を形成してもよい。Ｒ^H及びＲ^Iは各々独立
に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｅ及びＦは各々独立に０〜４の整数であ
る。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００７４】

【化２２】

【００７５】

【化２３】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は各々独立に、
水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアル
キル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラル
キル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多
環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮
合多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³と
Ａｒ⁴は環を形成してもよい。Ｒ^A、Ｒ^B及びＲ^Cは各々独
立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシ
ル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキル
アミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭
素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素
数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素
数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式
炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ｅ、Ｆ及びＧは各々独立に０〜４の整数
である。Ｘ¹は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−、
−ＣＲ^JＲ^K−、−ＳｉＲ^JＲ^K−、−ＮＲ ^J−又は−ＰＲ^K
−（式中、Ｒ^J及びＲ^Kは各々独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラル
キルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換の
アルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のア
ラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のア
リール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又
は縮合多環系複素環式基を表す。）を表す。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００７６】

【化２４】

【００７７】

【化２５】

【００７８】

【化２６】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成してもよい。Ｒ
^Aはシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａは０〜５の整数である。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００７９】

【化２７】

【００８０】

【化２８】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴及びＡｒ⁵は各々
独立に、水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置
換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換
のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換
のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換
の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式
基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^A及びＲ^Bは各々
独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、ア
シル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキ
ルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、
炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭
素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭
素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環
式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水
素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複
素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³とＡｒ⁴は環を
形成してもよい。Ｅ及びＦは各々独立に０〜４の整数で
ある。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００８１】

【化２９】

【００８２】

【化３０】 ［式中、Ａｒ¹は水素原子、炭素数１〜１０の置換若し
くは無置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しく
は無置換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しく
は無置換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しく
は無置換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系
複素環式基又は縮合多環系複素環式基を表し、Ｒ^A、Ｒ^B
及びＲ^Cは各々独立に、シアノ基、ハロゲン原子、カル
ボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、ア
ミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラル
キルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換の
アルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のア
ラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のア
リール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮
合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又
は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、Ａ、Ｂ
及びＣは各々独立に０〜５の整数である。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００８３】

【化３１】

【００８４】

【化３２】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は、各々独立に、水素
原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ｒ^A及びＲ^Cは各々独立に、シ
アノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル基、ヒ
ドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ
基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素数１
〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数７〜
１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数６〜
１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭化水
素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素基、複
素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素環式基
を表し、Ｒ^B′は水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、
カルボキシル基、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ
基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、
アラルキルアミノ基、炭素数１〜１０の置換若しくは無
置換のアルキル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置
換のアラルキル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置
換のアリール基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置
換の縮合多環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環
式基又は縮合多環系複素環式基を表し、ｎは０又は１、
Ｅは０〜４の整数、Ｈは０〜３の整数である。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００８５】

【化３３】

【００８６】

【化３４】 ［式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は各々独立に、水素原子、水素
原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成して
もよい。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００８７】

【化３５】

【００８８】

【化３６】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²及びＡｒ³は各々独立に、水素原
子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²は環を形成して
もよい。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００８９】

【化３７】

【００９０】

【化３８】 ［式中、Ｒ^A、Ｒ^B、Ｒ^C、Ｒ^D、Ｒ^H及びＲ^Iは各々独立
に、シアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシル
基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、炭素
数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数
７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル基、炭素数
６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基、多環式炭
化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素
基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合多環系複素
環式基を表し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｉ及びＪは各々独立に
０〜５の整数である。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００９１】

【化３９】

【００９２】

【化４０】 ［式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³及びＡｒ⁴は各々独立に、
水素原子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアル
キル基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラル
キル基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
ル基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多
環式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮
合多環系複素環式基を表し、Ａｒ⁶は炭素数１〜６の置
換若しくは無置換のアルキレン基或は炭素数６〜１２の
置換若しくは無置換のアリール化合物、多環式炭化水
素、置換若しくは無置換の縮合多環式炭化水素、複素環
化合物、多環系複素環化合物又は縮合多環系複素環化合
物の２価残基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²及びＡｒ³とＡｒ⁴は
環を形成してもよく、ｎは０又は１である。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００９３】

【化４１】

【００９４】

【化４２】 ［式中、Ｒ^L、Ｒ^M、Ｒ^N及びＲ^Oは各々独立に、水素原
子、炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル
基、炭素数７〜１３の置換若しくは無置換のアラルキル
基、炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール
基、多環式炭化水素基、置換若しくは無置換の縮合多環
式炭化水素基、複素環式基、多環系複素環式基又は縮合
多環系複素環式基を表す。］ 下記の構造式で表される化合物がより好ましい。

【００９５】

【化４３】 上記電荷輸送物質は単独で又は２種以上を混合して用い
ることができる。電荷輸送層の厚さは５〜１００μｍが
好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。５μｍ未満
であると、初期電位が低くなり、１００μｍを超える
と、電子写真特性が低下する傾向がある。

【００９６】導電性基体と感光層との間に通常使用され
るような公知の下引き層を設けることができる。下引き
層としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、ジルコニ
ア、チタン酸、ジルコン酸、ランタン鉛、チタンブラッ
ク、シリカ、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、酸化錫、
酸化インジウム、酸化珪素等の微粒子、ポリアミド樹
脂、フェノール樹脂、カゼイン、メラミン樹脂、ベンゾ
グアナミン樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、セ
ルロース、ニトロセルロース、ポリビニルアルコール、
ポリビニルブチラール樹脂等の成分を使用することがで
きる。これらの微粒子や樹脂を単独で又は２種以上混合
して使用することができる。特に微粒子を用いると、微
粒子に樹脂が吸着され、平滑な皮膜を得ることができる
ため、微粒子と樹脂を併用することが望ましい。また、
下引き層には前記バインダー樹脂を用いることができ
る。また、本発明のポリカーボネートも用いることもで
きる。

【００９７】下引き層の厚さは、通常０．０１〜１０．
０μｍ、好ましくは０．０１〜１．０μｍである。この
厚さが０．０１μｍ未満であると、下引き層を均一に形
成することが困難になり、１０．０μｍを超えると、電
子写真特性が低下することがある。

【００９８】また、導電性基体と感光層との間に通常使
用されているような公知のブロッキング層を設けること
ができる。ブロッキング層には前記バインダー樹脂を用
いることができる。ブロッキング層の厚さは、通常０．
０１〜２０．０μｍ、好ましくは、０．１〜１０．０μ
ｍである。この厚さが０．０１μｍ未満であると、ブロ
ッキング層を均一に形成することが困難になり、２０．
０μｍを超えると、電子写真特性が低下することがあ
る。

【００９９】本発明の電子写真感光体には、感光層の上
に保護層を積層してもよい。保護層の膜厚は０．０１〜
２０μｍが可能であり、より好ましくは０．１〜１０μ
ｍである。保護層には前記バインダー樹脂を用いること
ができる。保護層には、前記の電荷発生物質、電荷輸送
物質、添加剤、金属及びその酸化物、窒化物、塩、合
金、カーボンなどの導電材料を含有してもよい。

【０１００】更に、本発明の電子写真感光体には、その
性能を向上させるために電荷発生層、電荷輸送層に結合
剤、可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホール制御
剤、電子写真感度を改良するための分光感度増感剤（増
感染料）、分光感度増感剤とは別に、繰り返し使用に対
しての残留電位の増加、帯電電位の低下、感度の低下を
防止する目的の種々の化学物質、酸化防止剤、界面活性
剤、カール防止剤、レベリング剤等などの添加剤を添加
することができる。

【０１０１】結合剤の具体的な例としては、シリコーン
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、上記ポリカー
ボネート以外のポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリメタクリレート樹脂、ポリアクリルアミド樹
脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイソプレン樹脂、メラミ
ン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリクロロプレン樹
脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチルセルロース樹
脂、ニトロセルロース樹脂、尿素樹脂、フェノール樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ホル
マール樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニル
共重合体、ポリエステルカーボネート樹脂等が挙げられ
る。また、熱及び／又は光硬化性樹脂も使用できる。い
ずれにしても、電気絶縁性で通常の状態で皮膜を形成し
うる樹脂であれば、特に制限はない。

【０１０２】これらの結合剤を用いる場合は電荷輸送物
質に対して、５〜２００重量％添加することが好まし
く、１０〜１００重量％がより好ましい。５重量％未満
では感光層の皮膜が不均一となりやすく、画質が劣る傾
向がある。２００重量％を超えると、感度が低下し、残
留電位が高くなる傾向がある。

【０１０３】可塑剤の具体的な例としては、ビフェニ
ル、塩化ビフェニル、ｏ−ターフェニル、ハロゲン化パ
ラフィン、ジメチルナフタリン、ジメチルフタレート、
ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジエチレ
ングリコールフタレート、トリフェニルフォスフェー
ト、ジイソブチルアジペート、ジメチルセバケート、ジ
ブチルセバケート、ラウリル酸ブチル、メチルフタリー
ルエチルグリコレート、ジメチルグリコールフタレー
ト、メチルナフタレン、ベンゾフェノン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、各種フルオロ炭化水素等が挙げられ
る。

【０１０４】硬化触媒の具体的な例としては、メタンス
ルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジノニルナフ
タレンジスルホン酸等が挙げられる。

【０１０５】流動付与剤としては、モダフロー、アクロ
ナール４Ｆ等が挙げられる。

【０１０６】ピンホール制御剤としては、ベンゾイン、
ジメチルフタレート等が挙げられる。

【０１０７】可塑剤、硬化触媒、流動付与剤、ピンホー
ル制御剤は、前記電荷輸送物質に対して、５重量％以下
で用いることが好ましい。

【０１０８】増感染料の具体的な例としては、メチルバ
イオレット、クリスタルバイオレット、ナイトブルー、
ビクトリアブルー等で代表されるトリフェニルメタン系
染料、エリスロシン、ローダミンＢ、ローダミン３Ｒ、
アクリジンオレンジ、フラペオシン等に代表されるアク
リジン染料、メチレンブルー、メチレングリーン等に代
表されるチアジン染料、カプリブルー、メルドラブルー
等に代表されるオキサジン染料、その他シアニン染料、
メロシアニン染料、スチリル染料、ピリリュウム塩染
料、チオピリリュウム塩染料等が挙げられる。

【０１０９】感光層には感度の向上、残留電位〜反復使
用時の疲労低減等を目的として、電子受容性物質を加え
ることができる。

【０１１０】電子受容性物質としては、無水コハク酸、
無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、無水フタル
酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタ
ル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニトロ無水フタル
酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロ
ベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３，５−トリニ
トロベンゼン、パラニトロベンゾニトリル、ピクリルク
ロライド、キノンクロルイミド、クロラニル、ブロマニ
ル、ベンゾキノン、２，３−ジクロロベンゾキノン、ジ
クロロジシアノパラベンゾキノン、ナフトキノン、ジフ
ェノキノン、トロポキノン、アントラキノン、１−クロ
ロアントラキノン、ジニトロトロアントラキノン、４−
ニトロベンゾフェノン、４，４−ニトロベンゾフェノ
ン、４−ニトロベンザルマロンジニトリル、α−シアノ
−β−（ｐ−シアノフェニル）アクリル酸エチル、９−
アントラセニルメチルマロンジニトリル、１−シアノ−
（ｐ−ニトロフェニル）−２−（ｐ−クロロフェニル）
エチレン、２，７−ジニトロフルオレノン、２，４，７
−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニ
トロフルオレノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメ
チレンマロノニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニ
リデン−［ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピク
リン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、
３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、
５−ニトロサリチル酸、３，５−ジニトロサリチル酸、
フタル酸、メリット酸など、電子親和力が大きい化合物
がある。

【０１１１】この電子受容性物質は、電荷輸送層、電荷
発生層のいずれに加えてもよく、電荷輸送物質又は電荷
発生物質に対して通常０．０１〜２００重量％、より好
ましくは０．１〜５０重量％配合される。

【０１１２】また、表面性の改良のために、四フッ化エ
チレン樹脂、三フッ化塩化エチレン樹脂、四フッ化エチ
レン六フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ
化ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレン樹脂及びそ
れらの共重合体、フッ素系グラフトポリマーを用いても
よい。

【０１１３】これらの表面改質剤は前記バインダー樹脂
に対して０．１〜６０重量％、より好ましくは５〜４０
重量％配合される。０．１重量％より少ないと耐摩耗
性、表面耐久性、表面エネルギー低下等の表面改質が十
分でなく、６０重量％より多いと電子写真特性が悪くな
ることがある。

【０１１４】酸化防止剤としては、ヒンダードフェノー
ル系酸化防止剤、芳香族アミン系酸化防止剤、ヒンダー
ドアミン系酸化防止剤、スルフィド系酸化防止剤、有機
リン酸系酸化防止剤などが挙げられる。

【０１１５】これらの酸化防止剤は電荷輸送物質に対し
て通常０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜
２重量％配合される。

【０１１６】これら添加剤は１種単独で用いてもよい
し、あるいは、２種類以上を混合するなどして併用して
もよい。これらの添加剤は保護層、下引き層、ブロッキ
ング層に添加してもよい。

【０１１７】前記電荷発生層、電荷輸送層の形成の際に
使用する前記溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系
溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール、酢酸エチル、エチルセロソルブ等
のエステル、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムア
ミド等を挙げることができる。

【０１１８】これらの溶媒は、１種単独で使用してもよ
く、或いは、２種以上を混合溶媒として用いてもよい。

【０１１９】感光体を形成する方法としては、前記電荷
発生物質、電荷輸送物質、添加剤及びバインダー樹脂を
溶剤に分散、又は溶解した溶液を所定の下地となる基
体、層上に浸漬塗工法、静電塗工法、粉体塗工法、スプ
レー塗工法、ロール塗工法、アプリケーター塗工法、ス
プレーコーター塗工法、バーコーター塗工法、ロールコ
ーター塗工法、ディップコーター塗工法、ドクターブレ
ード塗工法、ワイヤーバー塗工法、ナイフコーター塗工
法、アトライター塗工法、スピナー塗工法、ビード塗工
法、ブレード塗工法、カーテン塗工法などの塗工法を用
いて塗工し、乾燥して形成することができる。

【０１２０】その分散法としては、ボールミル、超音
波、ペイントシェーカー、レッドデビル、サンドミル、
ミキサー、アトライターなどを用いることができる。

【０１２１】単層型電子写真感光体においても感光層は
前記バインダー樹脂を用いることができる。また、単層
型感光体の感光層には、前記の電荷発生物質、電荷輸送
物質を用いることができる。また、感光層の電子写真特
性を向上させるために、前記の添加剤を用いてもよい。
また、保護層、下引き層、ブロッキング層を設けてもよ
い。

【０１２２】単層型感光体の膜厚は通常５〜１００μｍ
が好ましく、８〜５０μｍがより好ましい。５μｍ未満
であると、初期電位が低くなりやすく、１００μｍを超
えると電子写真特性が低下する傾向がある。

【０１２３】単層型電子写真感光体の感光層中の電荷発
生物質：ポリカーボネートの重量による割合は、好まし
くは２０：８０〜８０：２０、さらに好ましくは３０：
７０〜６０：４０である。また、電荷輸送物質：ポリカ
ーボネートの重量による割合は、好ましくは２０：８０
〜８０：２０、さらに好ましくは３０：７０〜７０：３
０である。また、電荷発生物質：電荷輸送物質の重量に
よる割合は、好ましくは２０：８０〜７０：３０、さら
に好ましくは３０：７０〜６０：４０である。

【０１２４】また、本発明の目的達成を阻害しない範囲
で、他の樹脂を本発明のポリカーボネートと併用するこ
とも可能である。

【０１２５】なお、本発明の電子写真感光体の感光層の
層構成としては、本発明のポリカーボネートを含む層が
感光層の表面層となる構成とすることが好ましい。この
ようにして得られる本発明の電子写真感光体は高い表面
硬度を有し、長期間にわたって優れた耐刷性及び良好な
クリーニング性を維持する感光体であり、複写機（モノ
クロ、マルチカラー、フルカラー；アナログ、デジタ
ル）、プリンター（レーザー、ＬＥＤ、液晶シャッタ
ー）、ＦＡＸ、製版機等の各種の電子写真分野に好適に
利用することができる。

【０１２６】本発明の電子写真感光体を使用するにあた
って、帯電器は、コロナ放電（コロトロン、スコトロ
ン）、接触帯電（帯電ロール、帯電ブラシ）などが用い
られる。露光は、ハロゲンランプ、蛍光灯、レーザー
（半導体、Ｈｅ−Ｎｅ）、ＬＥＤ、感光体内部露光方式
で行われる。現像工程はカスケード現像、二成分磁気ブ
ラシ現像、一成分絶縁トナー現像、一成分導電トナー現
像などの乾式現像方式や湿式現像方式などが用いられ
る。転写工程はコロナ転写、ローラ転写、ベルト転写な
どの静電転写法、圧力転写法、粘着転写法が用いられ
る。定着は、熱ローラ定着、ラジアント・フラッシュ定
着、オーブン定着、圧力定着などが用いられる。クリー
ニング・除電には、ブラシクリーナー、磁気ブラシクリ
ーナー、静電ブラシクリーナー、磁気ローラクリーナ
ー、ブレードクリーナーなどが用いられる。

【０１２７】

【実施例】以下、本発明の実施例及びその比較例によっ
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。

【０１２８】［合成例１］

【０１２９】

【化４４】 フェノール（２０００ｇ、２１．２モル）、γ−テルピ
ネン（４２４．５ｇ、３．１１モル）及び酸性イオン交
換樹脂（２００．０ｇ、東京有機化学社製アンバーリス
ト３１、樹脂１ｇ当たり４．９４ミリ当量のＨ⁺をもつ
スルホン化ポリスチレン−ジビニルベンゼンゲル）の混
合物を約１００℃で２４時間加熱した。粗生成物を濾過
してイオン交換樹脂ビーズを除去した。濾液からフェノ
ールを減圧蒸留により除去し、蒸留残渣を得た。この残
渣にクロロホルム６００ｍｌを加え、５０℃に加熱後、
ゆっくりと冷却し、黄褐色結晶状の（Ｉ′−１）粗生成
物を得、吸引濾過により（Ｉ′−１）の粗生成物と残渣
濾液を得た。粗生成（Ｉ′−１）をクロロホルムから再
結晶して（Ｉ′−１）の白色結晶２８０ｇを得た。ま
た、それぞれの濾液を濃縮し、（ＩＩ′−１）の粗生成
物を得、イソプロピルアルコールから再結晶し、白色の
（ＩＩ′−１）、２９ｇを得た。

【０１３０】［合成例２］

【０１３１】

【化４５】 合成例１においてフェノール２０００ｇを、２，６−ジ
メチルフェノール２５９０ｇに変更した以外は合成例１
と同様の操作を行い、（Ｉ′−２）３４０ｇ及び（Ｉ
Ｉ′−２）３５ｇを得た。

【０１３２】［合成例３］

【０１３３】

【化４６】 合成例１においてフェノール２０００ｇを、２−クロロ
フェノール２７２５ｇに変更した以外は合成例１と同様
の操作を行い、（Ｉ′−３）３５０ｇ及び（ＩＩ′−
３）３５ｇを得た。

【０１３４】［合成例４］

【０１３５】

【化４７】 合成例１においてフェノール２０００ｇを、２−フェニ
ルフェノール３６０８ｇに変更した以外は合成例１と同
様の操作を行い、（Ｉ′−４）４２０ｇ及び（ＩＩ′−
４）４０ｇを得た。

【０１３６】［合成例５］

【０１３７】

【化４８】 合成例１においてフェノール２０００ｇを、４−（４−
ブロモフェニル）フェノール５２８０ｇに変更した以外
は合成例１と同様の操作を行い、（Ｉ′−５）５４０ｇ
及び（ＩＩ′−５）５３ｇを得た。

【０１３８】実施例１ （Ｉ′−１）１０５ｇを６重量％水酸化ナトリウム水溶
液５５０ｍｌに溶解した溶液と塩化メチレン２５０ｍｌ
とを混合して撹拌しながら、冷却下、液中にホスゲンガ
スを９５０ｍｌ／秒の割合で１５分間吹き込んだ。次い
で、この反応液を静置分離し、末端基としてクロロホル
メート基を有するポリカーボネートオリゴマーの塩化メ
チレン溶液を得た。

【０１３９】得られたオリゴマー塩化メチレン溶液に塩
化メチレンを加えて全量を４５０ｍｌとした後、（Ｉ′
−１）３４ｇを８重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液
１５０ｍｌに溶解した溶液を混合し、これに分子量調節
剤であるｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール３．０ｇを加
えた。次いで、この混合液を激しく撹拌しながら、触媒
として７重量％濃度のトリエチルアミン水溶液を２ｍｌ
加え、２８℃において撹拌下で１．５時間反応を行っ
た。反応終了後、反応生成物を塩化メチレン１リットル
で希釈し、次いで水１．５リットルで２回、０．０１規
定塩酸１リットルで１回、水１リットルで２回の順に洗
浄し、有機層をメタノール中に投入し、再沈精製した。

【０１４０】このようにして得られた重合体（ＰＣ−
１）は、塩化メチレンを溶媒とする濃度０．５ｇ／ｄｌ
の溶液の２０℃における還元粘度［η_SP／ｃ］が０．６
５ｄｌ／ｇであった。得られた重合体（ＰＣ−１）の¹
Ｈ−ＮＭＲより下記構造を確認した。

【０１４１】

【化４９】 オキソチタニウムフタロシアニン：ブチラール樹脂：塩
化メチレン＝１：１：８０（重量比）の混合液をボール
ミルにて４８時間分散し、この分散液をバーコーターを
用いて導電性基板であるアルミニウムを蒸着したペット
フィルム上に塗工して乾燥し、電荷発生層（膜厚約０．
３μｍ）とした。

【０１４２】電荷輸送物質として下記のＤを用い、Ｄ：
（ＰＣ−１）：塩化メチレン＝１：１：８（重量比）の
溶液を調製し、塗工液とした。この塗工液は１ケ月放置
しても、白濁、ゲル化は見られなかった。この塗工液を
浸漬塗工法により電荷発生層上に塗布して電荷輸送層
（膜厚約２０μｍ）を形成し、積層型電子写真感光体を
作製した。塗工時において塗工液からなる電荷輸送層が
結晶化することはなかった。

【０１４３】

【化５０】 得られた電子写真感光体の電子写真特性の評価は、静電
気帯電試験装置ＥＰＡ−８１００（株式会社川口電気製
作所製）を用い、−６ｋＶのコロナ放電を行い、初期表
面電位（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電
位（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表
１に示す。

【０１４４】更に、電荷輸送層の耐摩耗性をスガ摩耗試
験機ＮＵＳ−ＩＳＯ−３型（スガ試験機（株）製）を用
いて評価した。試験条件は２００ｇの荷重をかけた表面
粗さ９μｍの摩耗紙上でサンプルを１２００回往復運動
させ、その減少量を測定することにより評価した。結果
を表２に示す。

【０１４５】実施例２ 実施例１において（Ｉ′−１）１０５ｇを（ＩＩ′−
１）１０５ｇに、後で追加した（Ｉ′−１）３４ｇを
（ＩＩ′−１）３４ｇに変更した以外は実施例１と同様
の操作を行い、重合体（ＰＣ−２）（［η_SP／ｃ］＝
０．６３ｄｌ／ｇ）を得た。得られた重合体（ＰＣ−
２）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造を確認した。

【０１４６】

【化５１】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−２）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１４７】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１４８】実施例３ 実施例１において（Ｉ′−１）１０５ｇを（ＩＩ′−
１）１０５ｇに変更した以外は実施例１と同様の操作を
行い、共重合体（ＰＣ−３）（［η_SP／ｃ］＝０．６５
ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−３）の¹
Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組成比を確認した。

【０１４９】

【化５２】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−３）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１５０】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１５１】実施例４ 実施例１において後に追加した（Ｉ′−１）３４ｇを
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２４
ｇに変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、共重
合体（ＰＣ−４）（［η_SP／ｃ］＝０．６６ｄｌ／ｇ）
を得た。得られた共重合体（ＰＣ−４）の¹Ｈ−ＮＭＲ
より下記構造及び共重合組成比を確認した。

【０１５２】

【化５３】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−４）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１５３】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１５４】実施例５ 実施例２において（ＩＩ′−１）１０５ｇを１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン８７ｇに
変更した以外は実施例２と同様の操作を行い、共重合体
（ＰＣ−５）（［η_SP／ｃ］＝０．６６ｄｌ／ｇ）を得
た。得られた共重合体（ＰＣ−５）の¹Ｈ−ＮＭＲより
下記構造及び共重合組成比を確認した。

【０１５５】

【化５４】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−５）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１５６】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１５７】実施例６ 実施例４において（Ｉ′−１）１０５ｇを（Ｉ′−１）
５２ｇと（ＩＩ′−１）５３ｇに変更した以外は実施例
４と同様の操作を行い、共重合体（ＰＣ−６）（［η_SP
／ｃ］＝０．６５ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体
（ＰＣ−６）の ¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組
成比を確認した。

【０１５８】

【化５５】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−６）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１５９】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１６０】実施例７ 実施例１において（Ｉ′−１）１０５ｇを２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン７４ｇに、後から
追加した（Ｉ′−１）３４ｇを（Ｉ′−１）１７ｇと
（ＩＩ′−１）１７ｇに変更した以外は実施例１と同様
の操作を行い、共重合体（ＰＣ−７）（［η_SP／ｃ］＝
０．６４ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−
７）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組成比を確
認した。

【０１６１】

【化５６】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−７）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１６２】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１６３】実施例８ 実施例１において（Ｉ′−１）１０５ｇを（Ｉ′−３）
１２７ｇに、後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇを（Ｉ
Ｉ′−３）４１ｇに変更した以外は実施例１と同様の操
作を行い、共重合体（ＰＣ−８）（［η_SP／ｃ］＝０．
５７ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−８）
の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組成比を確認し
た。

【０１６４】

【化５７】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−８）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１６５】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１６６】実施例９ 実施例８において（Ｉ′−３）１２７ｇを（Ｉ′−２）
１２３ｇに、（ＩＩ′−３）４１ｇを（ＩＩ′−２）４
０ｇに変更した以外は実施例８と同様の操作を行い、共
重合体（ＰＣ−９）（［η_SP／ｃ］＝０．５９ｄｌ／
ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−９）の¹Ｈ−Ｎ
ＭＲより下記構造及び共重合組成比を確認した。

【０１６７】

【化５８】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−９）に
変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１６８】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１６９】実施例１０ 実施例８において（Ｉ′−３）１２７ｇを（Ｉ′−４）
１５４ｇに、（ＩＩ′−３）４１ｇを（ＩＩ′−４）５
０ｇに変更した以外は実施例８と同様の操作を行い、共
重合体（ＰＣ−１０）（［η_SP／ｃ］＝０．５５ｄｌ／
ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−１０）の¹Ｈ−
ＮＭＲより下記構造及び共重合組成比を確認した。

【０１７０】

【化５９】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１０）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１７１】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１７２】実施例１１ 実施例８において（Ｉ′−３）１２７ｇを（Ｉ′−５）
２０５ｇに、（ＩＩ′−３）４１ｇを（ＩＩ′−５）６
６ｇに変更した以外は実施例８と同様の操作を行い、共
重合体（ＰＣ−１１）（［η_SP／ｃ］＝０．５４ｄｌ／
ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−１１）の¹Ｈ−
ＮＭＲより下記構造及び共重合組成比を確認した。

【０１７３】

【化６０】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１１）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１７４】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１７５】実施例１２ 実施例２において後から追加した（ＩＩ′−１）３４ｇ
を２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン３１ｇに変更した以外は実施例１と同様の
操作を行い、共重合体（ＰＣ−１２）（［η_SP／ｃ］＝
０．６０ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−
１２）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組成を確
認した。

【０１７６】

【化６１】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１２）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１７７】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１７８】実施例１３ 実施例１２において２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン３１ｇを２，２−ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン２７ｇに
変更した以外は実施例１２と同様の操作を行い、共重合
体（ＰＣ−１３）（［η_SP／ｃ］＝０．６１ｄｌ／ｇ）
を得た。得られた共重合体（ＰＣ−１３）の¹Ｈ−ＮＭ
Ｒより下記構造及び共重合組成を確認した。

【０１７９】

【化６２】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１３）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１８０】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１８１】実施例１４ 実施例１２において２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン３１ｇを２，２−ビス（４
−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）プロパン４０ｇ
に変更した以外は実施例１２と同様の操作を行い、共重
合体（ＰＣ−１４）（［η_SP／ｃ］＝０．６３ｄｌ／
ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−１４）の¹Ｈ−
ＮＭＲより下記構造及び共重合組成を確認した。

【０１８２】

【化６３】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１４）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１８３】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１８４】実施例１５ 実施例１２において２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン３１ｇを２，２−ビス（４
−ヒドロキシ−３−トリルフェニル）プロパン４３ｇに
変更した以外は実施例１２と同様の操作を行い、共重合
体（ＰＣ−１５）（［η_SP／ｃ］＝０．６０ｄｌ／ｇ）
を得た。得られた共重合体（ＰＣ−１５）の¹Ｈ−ＮＭ
Ｒより下記構造及び共重合組成を確認した。

【０１８５】

【化６４】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１５）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１８６】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１８７】実施例１６ 実施例１２において２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン３１ｇを１，１−ビス（３
−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン４５ｇに変更した以外は実施例１２と同様の操作
を行い、共重合体（ＰＣ−１６）（［η_SP／ｃ］＝０．
５８ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−１
６）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組成を確認
した。

【０１８８】

【化６５】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１６）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１８９】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１９０】実施例１７ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇを
４，４′−ジヒドロキシビフェニル２０ｇに変更した以
外は実施例１と同様の操作を行い、共重合体（ＰＣ−１
７）（［η_SP／ｃ］＝０．６３ｄｌ／ｇ）を得た。得ら
れた共重合体（ＰＣ−１７）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構
造及び共重合組成を確認した。

【０１９１】

【化６６】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１７）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１９２】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１９３】実施例１８ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇをビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル２１ｇに変更し
た以外は実施例１と同様の操作を行い、共重合体（ＰＣ
−１８）（［η_SP／ｃ］＝０．６２ｄｌ／ｇ）を得た。
得られた共重合体（ＰＣ−１８）の¹Ｈ−ＮＭＲより下
記構造及び共重合組成を確認した。

【０１９４】

【化６７】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１８）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１９５】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１９６】実施例１９ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇをビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン２３ｇに変更した
以外は実施例１と同様の操作を行い、共重合体（ＰＣ−
１９）（［η_SP／ｃ］＝０．６０ｄｌ／ｇ）を得た。得
られた共重合体（ＰＣ−１９）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記
構造及び共重合組成を確認した。

【０１９７】

【化６８】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−１９）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０１９８】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０１９９】実施例２０ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇをビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド２３ｇに変更
した以外は実施例１と同様の操作を行い、共重合体（Ｐ
Ｃ−２０）（［η_SP／ｃ］＝０．５８ｄｌ／ｇ）を得
た。得られた共重合体（ＰＣ−２０）の¹Ｈ−ＮＭＲよ
り下記構造及び共重合組成を確認した。

【０２００】

【化６９】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−２０）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０２０１】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０２０２】実施例２１ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇをビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン２６ｇに変更し
た以外は実施例１と同様の操作を行い、共重合体（ＰＣ
−２１）（［η_SP／ｃ］＝０．５６ｄｌ／ｇ）を得た。
得られた共重合体（ＰＣ−２１）の¹Ｈ−ＮＭＲより下
記構造及び共重合組成を確認した。

【０２０３】

【化７０】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−２１）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０２０４】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０２０５】実施例２２ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇをビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン２０ｇに変更した
以外は実施例１と同様の操作を行い、共重合体（ＰＣ−
２２）（［η_SP／ｃ］＝０．６３ｄｌ／ｇ）を得た。得
られた共重合体（ＰＣ−２２）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記
構造及び共重合組成を確認した。

【０２０６】

【化７１】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−２２）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０２０７】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０２０８】実施例２３ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇを
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジ
フェニルメタン３７ｇに変更した以外は実施例１と同様
の操作を行い、共重合体（ＰＣ−２３）（［η_SP／ｃ］
＝０．６４ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ
−２３）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組成を
確認した。

【０２０９】

【化７２】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−２３）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０２１０】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０２１１】実施例２４ 実施例１において後で添加した（Ｉ′−１）３４ｇを
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジ
トリルメタン４０ｇに変更した以外は実施例１と同様の
操作を行い、共重合体（ＰＣ−２４）（［η_SP／ｃ］＝
０．６１ｄｌ／ｇ）を得た。得られた共重合体（ＰＣ−
２４）の¹Ｈ−ＮＭＲより下記構造及び共重合組成を確
認した。

【０２１２】

【化７３】 実施例１と同様の方法で（ＰＣ−１）を（ＰＣ−２４）
に変えて積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位
（Ｖ₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位
（Ｖ_R）、半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１
に示す。また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電
荷輸送層の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０２１３】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られず、塗工時において塗工液からなる電荷
輸送層が結晶化することもなかった。

【０２１４】比較例１ ビスフェノールＡを原料とし、下記繰り返し単位からな
るポリカーボネート（［η_SP／ｃ］＝０．５９ｄｌ／
ｇ）をバインダー樹脂として用い、実施例１と同様の方
法で積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位（Ｖ
₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（Ｖ_R）、
半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１に示す。
また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電荷輸送層
の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０２１５】なお、塗工液は１ケ月放置後、白濁、ゲル
化した。

【０２１６】

【化７４】 比較例２ ビスフェノールＺを原料とし、下記繰り返し単位からな
るポリカーボネート（［η_SP／ｃ］＝０．６０ｄｌ／
ｇ）をバインダー樹脂として用い、実施例１と同様の方
法で積層型電子写真感光体を作製し、初期表面電位（Ｖ
₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）５秒後の残留電位（Ｖ_R）、
半減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１に示す。
また、実施例１と同様の方法で、摩耗による電荷輸送層
の減少量を測定した。結果を表２に示す。

【０２１７】なお、塗工液は１ケ月放置しても、白濁、
ゲル化は見られなかった。

【０２１８】

【化７５】

【０２１９】

【表１】

【０２２０】

【表２】

【０２２１】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、電荷輸送物
質との相溶性に優れ、また、溶液とした場合に結晶化や
ゲル化を起こしにくく、かつ機械的強度に優れるポリカ
ーボネートを感光層中のバインダー樹脂として用いて製
造されるものである。従って、本発明の電子写真感光体
は、電子写真感光体の作製時において塗工液が白化（ゲ
ル化）したりすることがなく、導電性基板と感光層の接
着性及び感光体表面の耐摩耗性が向上し、電子写真感光
体の長寿命化が図れるとともに、繰り返し長時間使用し
ても優れた電子写真特性を維持することができる。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基板上に電荷発生物質、電荷輸送
   物質及びバインダー樹脂を含有する感光層を設けてなる
   電子写真感光体において、感光層のバインダー樹脂とし
   て下記式（Ｉ）で表される構造単位（Ｉ）及び下記式
   （ＩＩ）で表される構造単位（ＩＩ）から選ばれた少な
   くとも１つの構造単位を含有するポリカーボネートを用
   いた電子写真感光体。 【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁶及びＲ⁷は各々独立にハロゲン原
   子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロ
   アルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換の
   アリール基であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々独立に０〜
   ４の整数であり、Ｒ⁴及びＲ⁵は各々独立に水素原子、炭
   素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキ
   ル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリー
   ル基であり、Ｒ³、Ｒ⁸及びＲ⁹は各々独立に炭素数１〜
   ６のアルキル基又は炭素数６〜１２の置換若しくは無置
   換のアリール基である。）
2. 【請求項２】 感光層が、電荷発生物質を含有する電荷
   発生層と、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する
   電荷輸送層とからなるものである請求項１記載の電子写
   真感光体。
3. 【請求項３】 Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁹がメチル基であ
   り、Ｒ⁸がイソプロピル基である請求項１記載の電子写
   真感光体。
4. 【請求項４】 ａ、ｂ、ｃ及びｄが０であり、Ｒ³、
   Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁹がメチル基であり、Ｒ⁸がイソプロピル
   基である請求項１記載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 導電性基板上に電荷発生物質、電荷輸送
   物質及びバインダー樹脂を含有する感光層を設けてなる
   電子写真感光体において、感光層のバインダー樹脂とし
   て、請求項１記載の式（Ｉ）で表される構造単位（Ｉ）
   及び式（ＩＩ）で表される構造単位（ＩＩ）から選ばれ
   た少なくとも１つの構造単位と下記式（ＩＩＩ）で表さ
   れる少なくとも１つの構造単位を含有するポリカーボネ
   ート共重合体であって、構造単位（Ｉ）及び構造単位
   （ＩＩ）から選ばれた少なくとも１つの構造単位を５モ
   ル％以上含有するポリカーボネート共重合体を用いた電
   子写真感光体。 【化２】 ［式中、Ｙは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−Ｓ
   Ｏ₂−、−ＣＲ¹²Ｒ¹³−（ただし、Ｒ¹²及びＲ¹³は各々
   独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数
   ６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基である。）
   又は炭素数５〜７の１，１−シクロアルキリデン基であ
   り、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は各々独立にハロゲン原子、炭素数１
   〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基又
   は炭素数６〜１２の置換若しくは無置換のアリール基を
   表し、ｅ及びｆは各々独立に０〜４の整数である。］
6. 【請求項６】 感光層が、電荷発生物質を含有する電荷
   発生層と、電荷輸送物質及びバインダー樹脂を含有する
   電荷輸送層からなるものである請求項５記載の電子写真
   感光体。
7. 【請求項７】 Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁹がメチル基であ
   り、Ｒ⁸がイソプロピル基である請求項５記載の電子写
   真感光体。
8. 【請求項８】 ａ、ｂ、ｃ及びｄが０であり、Ｒ³、
   Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁹がメチル基であり、Ｒ⁸がイソプロピル
   基である請求項５記載の電子写真感光体。