JPH0964606A - Ｍｉｃアイソレータ - Google Patents
ＭｉｃアイソレータInfo
- Publication number
- JPH0964606A JPH0964606A JP21160795A JP21160795A JPH0964606A JP H0964606 A JPH0964606 A JP H0964606A JP 21160795 A JP21160795 A JP 21160795A JP 21160795 A JP21160795 A JP 21160795A JP H0964606 A JPH0964606 A JP H0964606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- isolator
- board
- mic
- ferrite
- microstrip line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＭＩＣアイソレータのフェライト基板の割れを
なくする。 【解決手段】このＭＩＣアイソレータは、軟質フェライ
ト板１の広面に厚膜でストリップ導体２と接地導体４と
を形成し、これら３者で軟質フェライト板１の中心部に
３端子接合部を有するマイクロストリップ線路を構成し
ている。スペーサ５を介して磁石３で上記３端子接合部
にバイアス磁界を印加すると、この３端子接合部は非可
逆動作を行う。終端抵抗器７の開放スタブ８とで上記３
端子接合部からの１端子を終端し、この非可逆回路はア
イソレータ動作を行う。軟質フェライト板１は組み立て
ストレスや熱ストレス等の機械力を受けると形状を柔軟
に変化させて機械的ストレスを吸収するので破損を生じ
にくく、また上記マイクロストリップ線路の破断も生じ
にくい。
なくする。 【解決手段】このＭＩＣアイソレータは、軟質フェライ
ト板１の広面に厚膜でストリップ導体２と接地導体４と
を形成し、これら３者で軟質フェライト板１の中心部に
３端子接合部を有するマイクロストリップ線路を構成し
ている。スペーサ５を介して磁石３で上記３端子接合部
にバイアス磁界を印加すると、この３端子接合部は非可
逆動作を行う。終端抵抗器７の開放スタブ８とで上記３
端子接合部からの１端子を終端し、この非可逆回路はア
イソレータ動作を行う。軟質フェライト板１は組み立て
ストレスや熱ストレス等の機械力を受けると形状を柔軟
に変化させて機械的ストレスを吸収するので破損を生じ
にくく、また上記マイクロストリップ線路の破断も生じ
にくい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＭＩＣ（マイクロ波
集積回路）アイソレータに関する。
集積回路）アイソレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のＭＩＣアイソレータにつ
いて、図２に示す斜視図を参照して説明する。このＭＩ
Ｃアイソレータは、硬質のフェライト板６の広面の一
つ，表面に薄膜または厚膜でストリップ導体２Ａを形成
し、この裏面に接地導体４Ａを形成してマイクロストリ
ップ線路を構成している。このストリップ線路は３つの
端子をフェライト板６の中心部で接合している。なお、
図２において、この３端子接合部は絶縁物で形成した円
形のスペーサ５の一面に覆われて外側から見えない状態
になっている。スペーサ５の他面には磁石３が配置さ
れ、磁石３は上記マイクロストリップ線路の３端子接合
部付近にバイアス磁界を与え、このＭＩＣアイソレータ
に非可逆動作を生じさせる。ここで、フェライト板６は
共鳴半値幅が狭く，誘電体損失の少ないＹＩＧフェライ
トあるいはＣＶＧフェライトを材料とするのが適切であ
る。
いて、図２に示す斜視図を参照して説明する。このＭＩ
Ｃアイソレータは、硬質のフェライト板６の広面の一
つ，表面に薄膜または厚膜でストリップ導体２Ａを形成
し、この裏面に接地導体４Ａを形成してマイクロストリ
ップ線路を構成している。このストリップ線路は３つの
端子をフェライト板６の中心部で接合している。なお、
図２において、この３端子接合部は絶縁物で形成した円
形のスペーサ５の一面に覆われて外側から見えない状態
になっている。スペーサ５の他面には磁石３が配置さ
れ、磁石３は上記マイクロストリップ線路の３端子接合
部付近にバイアス磁界を与え、このＭＩＣアイソレータ
に非可逆動作を生じさせる。ここで、フェライト板６は
共鳴半値幅が狭く，誘電体損失の少ないＹＩＧフェライ
トあるいはＣＶＧフェライトを材料とするのが適切であ
る。
【０００３】マイクロストリップ導体２Ａの一端子は、
マイクロストリップ線路の特性インピーダンスと等しい
抵抗値の終端抵抗器７と、これに縦続接続され，長さが
このＭＩＣアイソレータの動作周波数における１／４波
長にほぼ等しい先端開放のスタブである開放スタブ９と
で終端されている。従って、非可逆動作するマイクロス
トリップ線路はアイソレータ動作をする。なお、図２に
おいて、マイクロストリップ線路の一端子を終端しない
場合は、この回路はサーキュレータとなる。
マイクロストリップ線路の特性インピーダンスと等しい
抵抗値の終端抵抗器７と、これに縦続接続され，長さが
このＭＩＣアイソレータの動作周波数における１／４波
長にほぼ等しい先端開放のスタブである開放スタブ９と
で終端されている。従って、非可逆動作するマイクロス
トリップ線路はアイソレータ動作をする。なお、図２に
おいて、マイクロストリップ線路の一端子を終端しない
場合は、この回路はサーキュレータとなる。
【０００４】上述したＭＩＣアイソレータは、通常、別
の回路とともに金属筐体内に組み立てられる。この金属
筐体内へのＭＩＣアイソレータの組み立て方法には、接
地導体４を金属板に半田付けし、この金属板を上記金属
筐体にさらにネジ止めする方法がある。また、接地導体
４を上記金属筐体に直接半田付けすることもある。
の回路とともに金属筐体内に組み立てられる。この金属
筐体内へのＭＩＣアイソレータの組み立て方法には、接
地導体４を金属板に半田付けし、この金属板を上記金属
筐体にさらにネジ止めする方法がある。また、接地導体
４を上記金属筐体に直接半田付けすることもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したＭＩＣアイソ
レータでは、フェライト板６と上記金属筐体あるいは上
記金属板との組み立てにおいて、上記金属筐体あるいは
上記金属板の平面度が悪いと、組み立てストレスによる
フェライト板６の割れを生じやすいという欠点があっ
た。
レータでは、フェライト板６と上記金属筐体あるいは上
記金属板との組み立てにおいて、上記金属筐体あるいは
上記金属板の平面度が悪いと、組み立てストレスによる
フェライト板６の割れを生じやすいという欠点があっ
た。
【０００６】また、このＭＩＣアイソレータは、温度変
化の激しい場所で使用すると、フェライト板６の線膨張
率と上記金属筐体あるいは上記金属板の線膨張率との違
いにより両者間にストレスを生じ、強度の弱いフェライ
ト板６に割れを生じることがあるという問題があった。
化の激しい場所で使用すると、フェライト板６の線膨張
率と上記金属筐体あるいは上記金属板の線膨張率との違
いにより両者間にストレスを生じ、強度の弱いフェライ
ト板６に割れを生じることがあるという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＩＣアイソレ
ータは、軟質フェライト板と、前記軟質フェライト板の
広面に形成され３端子接合部を有するマイクロストリッ
プ線路と、前記３端子接合部にバイアス磁界を印加する
磁石とを備える。
ータは、軟質フェライト板と、前記軟質フェライト板の
広面に形成され３端子接合部を有するマイクロストリッ
プ線路と、前記３端子接合部にバイアス磁界を印加する
磁石とを備える。
【０００８】前記ＭＩＣアイソレータは、前記軟質フェ
ライト板が、ゴムとフェライトの粒子との混合物である
構成をとることができる。
ライト板が、ゴムとフェライトの粒子との混合物である
構成をとることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図１は本発明によるＭＩＣアイソレータ
の一実施の形態を示す斜視図である。
して説明する。図１は本発明によるＭＩＣアイソレータ
の一実施の形態を示す斜視図である。
【００１０】このＭＩＣアイソレータは、軟質フェライ
ト板１の広面の一つ，表面に厚膜でストリップ導体２を
形成し、この裏面にも厚膜で接地導体４を形成してマイ
クロストリップ線路を構成している。このストリップ線
路は３つの端子を軟質フェライト板１の中心部で接合し
ている。なお、図１において、この３端子接合部は絶縁
物で形成した円形のスペーサ５の一面に覆われて外側か
ら見えない状態になっている。スペーサ５の他面には磁
石３が配置され、磁石３は上記マイクロストリップ線路
の３端子接合部付近にバイアス磁界を与え、このＭＩＣ
アイソレータに非可逆動作を生じさせる。
ト板１の広面の一つ，表面に厚膜でストリップ導体２を
形成し、この裏面にも厚膜で接地導体４を形成してマイ
クロストリップ線路を構成している。このストリップ線
路は３つの端子を軟質フェライト板１の中心部で接合し
ている。なお、図１において、この３端子接合部は絶縁
物で形成した円形のスペーサ５の一面に覆われて外側か
ら見えない状態になっている。スペーサ５の他面には磁
石３が配置され、磁石３は上記マイクロストリップ線路
の３端子接合部付近にバイアス磁界を与え、このＭＩＣ
アイソレータに非可逆動作を生じさせる。
【００１１】ここで、軟質フェライト板１は、低誘電体
損失で接着性のある合成ゴムあるいはプラスチックス
（以下、ゴムという）と、ＹＩＧフェライトあるいはＣ
ＶＧフェライト等，フェライトの粒子との混合物，つま
りゴムフェライトである。フェライトの多数の粒子は、
ゴムによって相互に接着されている。従って、軟質フェ
ライト板１はフェライトの性質を保ちつつゴムの柔軟性
をも有する。
損失で接着性のある合成ゴムあるいはプラスチックス
（以下、ゴムという）と、ＹＩＧフェライトあるいはＣ
ＶＧフェライト等，フェライトの粒子との混合物，つま
りゴムフェライトである。フェライトの多数の粒子は、
ゴムによって相互に接着されている。従って、軟質フェ
ライト板１はフェライトの性質を保ちつつゴムの柔軟性
をも有する。
【００１２】マイクロストリップ導体２の一端子は、マ
イクロストリップ線路の特性インピーダンスと等しい抵
抗値の終端抵抗器７と、これに縦続接続され，長さがこ
のＭＩＣアイソレータの動作周波数における１／４波長
にほぼ等しい先端開放のスタブである開放スタブ８とで
終端されている。従って、非可逆動作するマイクロスト
リップ線路はアイソレータ動作をする。なお、図１にお
いて、マイクロストリップ線路の一端子を終端しない場
合は、この回路はサーキュレータとなる。
イクロストリップ線路の特性インピーダンスと等しい抵
抗値の終端抵抗器７と、これに縦続接続され，長さがこ
のＭＩＣアイソレータの動作周波数における１／４波長
にほぼ等しい先端開放のスタブである開放スタブ８とで
終端されている。従って、非可逆動作するマイクロスト
リップ線路はアイソレータ動作をする。なお、図１にお
いて、マイクロストリップ線路の一端子を終端しない場
合は、この回路はサーキュレータとなる。
【００１３】このＭＩＣアイソレータを別の回路ととも
に金属筐体内に組み込むために、接地導体４と上記金属
筐体あるいはＭＩＣアイソレータのサブキャリアである
金属板とを半田付けしても、軟質フェライト板１は組み
立てストレスや熱ストレス等の力を受けると形状を柔軟
に変化させて機械的ストレスを吸収するので破損を生じ
にくく，また上記マイクロストリップ線路（マイクロス
トリップ導体２，開放スタブ８）の破断も生じにくいと
いう特徴がある。
に金属筐体内に組み込むために、接地導体４と上記金属
筐体あるいはＭＩＣアイソレータのサブキャリアである
金属板とを半田付けしても、軟質フェライト板１は組み
立てストレスや熱ストレス等の力を受けると形状を柔軟
に変化させて機械的ストレスを吸収するので破損を生じ
にくく，また上記マイクロストリップ線路（マイクロス
トリップ導体２，開放スタブ８）の破断も生じにくいと
いう特徴がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、軟質フェ
ライト板の広面に３端子接合部を有するマイクロストリ
ップ線路を形成するので、上記軟質フェライト板に機械
的ストレスが加わっても、上記軟質フェライト板が機械
的ストレスを吸収するので、上記軟質フェライトが割れ
たり、上記マイクロストリップ線路の破断を生じたりす
ることが少くなるという効果がある。
ライト板の広面に３端子接合部を有するマイクロストリ
ップ線路を形成するので、上記軟質フェライト板に機械
的ストレスが加わっても、上記軟質フェライト板が機械
的ストレスを吸収するので、上記軟質フェライトが割れ
たり、上記マイクロストリップ線路の破断を生じたりす
ることが少くなるという効果がある。
【図１】本発明によるＭＩＣアイソレータの一実施の形
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図２】従来技術によるＭＩＣアイソレータの斜視図で
ある。
ある。
１ 軟質フェライト板 ２ ストリップ導体 ３ 磁石 ４ 接地導体 ５ スペーサ ７ 終端抵抗器 ８ 開放スタブ
Claims (2)
- 【請求項１】 軟質フェライト板と、前記軟質フェライ
ト板の広面に形成され３端子接合部を有するマイクロス
トリップ線路と、前記３端子接合部にバイアス磁界を印
加する磁石とを備えることを特徴とするＭＩＣアイソレ
ータ。 - 【請求項２】 前記軟質フェライト板が、ゴムとフェラ
イトの粒子との混合物であることを特徴とする請求項１
記載のＭＩＣアイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21160795A JPH0964606A (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | Ｍｉｃアイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21160795A JPH0964606A (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | Ｍｉｃアイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964606A true JPH0964606A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16608571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21160795A Pending JPH0964606A (ja) | 1995-08-21 | 1995-08-21 | Ｍｉｃアイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964606A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001026176A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Tdk Corporation | Element irreversible de circuit et carte de circuit integre hybride pour ondes millimetriques munie dudit element |
| CN106953150A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-07-14 | 成都致力微波科技有限公司 | 双通道微带环行隔离组件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03206602A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-10 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 磁性体組成物 |
| JPH0461204A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Tamapatsuku Kk | 磁気シールド材 |
| JPH0525802B2 (ja) * | 1983-05-02 | 1993-04-14 | Mitsubishi Materials Corp |
-
1995
- 1995-08-21 JP JP21160795A patent/JPH0964606A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525802B2 (ja) * | 1983-05-02 | 1993-04-14 | Mitsubishi Materials Corp | |
| JPH03206602A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-10 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 磁性体組成物 |
| JPH0461204A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Tamapatsuku Kk | 磁気シールド材 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433649B2 (en) | 1999-01-10 | 2002-08-13 | Tdk Corporation | Non-reciprocal circuit element and millimeter-wave hybrid integrated circuit board with the non-reciprocal circuit element |
| WO2001026176A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Tdk Corporation | Element irreversible de circuit et carte de circuit integre hybride pour ondes millimetriques munie dudit element |
| GB2360877A (en) * | 1999-10-01 | 2001-10-03 | Tdk Corp | Irreversible circuit element and millimeter-wave hybrid integrated circuit board equipped with irreversible circuit element |
| GB2360877B (en) * | 1999-10-01 | 2003-11-05 | Tdk Corp | Irreversible circuit element and millimeter-wave hybrid integrated circuit board equipped with irreversible circuit element |
| CN106953150A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-07-14 | 成都致力微波科技有限公司 | 双通道微带环行隔离组件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990406 |