JPH0964336A - 原子層ドーピングによる半導体のオーム性電極構造及びその形成方法 - Google Patents
原子層ドーピングによる半導体のオーム性電極構造及びその形成方法Info
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- JPH0964336A JPH0964336A JP7240577A JP24057795A JPH0964336A JP H0964336 A JPH0964336 A JP H0964336A JP 7240577 A JP7240577 A JP 7240577A JP 24057795 A JP24057795 A JP 24057795A JP H0964336 A JPH0964336 A JP H0964336A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体デバイスの金属と半導体界面
が低接触抵抗なオーム性接触であり且つ安定に作成でき
る手法の開発を提供する。 【構成】 半導体と金属電極の接合界面近傍の半導体内
層部に不純物を原子層ドーピングし、この上に電極とな
る金属電極を形成する。
が低接触抵抗なオーム性接触であり且つ安定に作成でき
る手法の開発を提供する。 【構成】 半導体と金属電極の接合界面近傍の半導体内
層部に不純物を原子層ドーピングし、この上に電極とな
る金属電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体と金属との接触抵
抗を低減する為に、電極直下の接合界面に原子層ドーピ
ングの形成方法とこの電極構造に関する。
抗を低減する為に、電極直下の接合界面に原子層ドーピ
ングの形成方法とこの電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来において、半導体デバイスにおける
金属と半導体との接触面が良好なオーム性接触を形成す
る手段としては、金属と半導体との接触領域の電圧−
電流特性が直線で対称性であること、接触抵抗が低い
ことが望まれる。
金属と半導体との接触面が良好なオーム性接触を形成す
る手段としては、金属と半導体との接触領域の電圧−
電流特性が直線で対称性であること、接触抵抗が低い
ことが望まれる。
【０００３】接触抵抗値と一義的関係にある接触界面に
おける電流値は、接触面のショットキ障壁の高さ、温
度、ドーピング濃度に依存する。接触抵抗を減少するに
は、ショットキ障壁を低くするか、接触面近傍の電子濃
度を高める必要がある。
おける電流値は、接触面のショットキ障壁の高さ、温
度、ドーピング濃度に依存する。接触抵抗を減少するに
は、ショットキ障壁を低くするか、接触面近傍の電子濃
度を高める必要がある。
【０００４】従来、ショットキ障壁を低くする手段とし
て、ショットキ障壁の低い材料を用いるか、合金化によ
り低くする方法が用いられている。他方、接触面近傍に
高濃度層を得る為、エピタキシャル法や拡散法が用いら
れている。
て、ショットキ障壁の低い材料を用いるか、合金化によ
り低くする方法が用いられている。他方、接触面近傍に
高濃度層を得る為、エピタキシャル法や拡散法が用いら
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの高集
積化、高信頼性化に伴い金属と半導体界面の低接触抵抗
化と熱的な高安定化が特に要求される。
積化、高信頼性化に伴い金属と半導体界面の低接触抵抗
化と熱的な高安定化が特に要求される。
【０００６】前述の如く、従来、ショットキ障壁を低く
する手段として、ショットキ障壁の低い材料を用いる
か、合金化により低くする方法が用いられていた。しか
しながら、前者は材料自身の種類が限られており使用す
る半導体材料と適合できないことが多い。また、後者
は、合金化層の深さが均一性に乏しくまた熱的安定性に
も乏しく良好な半導体デバイスを作成し難い。
する手段として、ショットキ障壁の低い材料を用いる
か、合金化により低くする方法が用いられていた。しか
しながら、前者は材料自身の種類が限られており使用す
る半導体材料と適合できないことが多い。また、後者
は、合金化層の深さが均一性に乏しくまた熱的安定性に
も乏しく良好な半導体デバイスを作成し難い。
【０００７】また、一方、従来、接触面近傍に高濃度層
を得る為、エピタキシャル法や拡散法が用いられている
が、生産性の点から、より安易でかつ高安定な電極形成
方法が望まれている。
を得る為、エピタキシャル法や拡散法が用いられている
が、生産性の点から、より安易でかつ高安定な電極形成
方法が望まれている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の構成では、半導体と金属電極の接合界面近
傍の半導体内層部に接触面近傍の電子濃度を高める不純
物を原子層ドーピングし、この上に電極となる金属電極
を形成する。即ち、半導体基板上に価電子帯又は伝導帯
がフェルミ凖位（fermi level）位置となる量（井戸の
底１２位置に相当）の不純物を原子層ドーピングして形
成し、前記原子層ドーピング層と金属電極の間に半導体
基板と同じ半導体を、キャリアが十分にトンネリングす
る厚みに結晶成長させて形成し、前記で形成した半導体
の上に電極となる金属電極を形成し、以上のプロセスに
よりオーム性電極を形成したことを特徴とする原子層ド
ーピングによる半導体のオーム性電極構造を形成実現す
る。これにより、半導体上に形成するオーム性電極を、
一層高安定なオーム性電極の形成を容易に実現できる。
に、本発明の構成では、半導体と金属電極の接合界面近
傍の半導体内層部に接触面近傍の電子濃度を高める不純
物を原子層ドーピングし、この上に電極となる金属電極
を形成する。即ち、半導体基板上に価電子帯又は伝導帯
がフェルミ凖位（fermi level）位置となる量（井戸の
底１２位置に相当）の不純物を原子層ドーピングして形
成し、前記原子層ドーピング層と金属電極の間に半導体
基板と同じ半導体を、キャリアが十分にトンネリングす
る厚みに結晶成長させて形成し、前記で形成した半導体
の上に電極となる金属電極を形成し、以上のプロセスに
よりオーム性電極を形成したことを特徴とする原子層ド
ーピングによる半導体のオーム性電極構造を形成実現す
る。これにより、半導体上に形成するオーム性電極を、
一層高安定なオーム性電極の形成を容易に実現できる。
【０００９】より具体的手段としては、ＩｎＧａＰ半導
体基板上に、価電子帯又は伝導帯がフェルミ凖位位置と
なる量即ち、シ−トキャリア濃度２×１０13〜２×１０
14ｃｍ-2範囲３５による高濃度電子層の不純物を原子層
ドーピングして形成し、前記原子層ドーピング層と金属
電極の間にＩｎＧａＰ半導体を、十分にキャリアがトン
ネリングする厚みに結晶成長させて形成し、前記で形成
したＩｎＧａＰ半導体の上に電極となる金属電極を形成
し、以上のプロセスによりオーム性電極を形成したこと
を特徴とする原子層ドーピングによる半導体のオーム性
電極を形成する手段がある。
体基板上に、価電子帯又は伝導帯がフェルミ凖位位置と
なる量即ち、シ−トキャリア濃度２×１０13〜２×１０
14ｃｍ-2範囲３５による高濃度電子層の不純物を原子層
ドーピングして形成し、前記原子層ドーピング層と金属
電極の間にＩｎＧａＰ半導体を、十分にキャリアがトン
ネリングする厚みに結晶成長させて形成し、前記で形成
したＩｎＧａＰ半導体の上に電極となる金属電極を形成
し、以上のプロセスによりオーム性電極を形成したこと
を特徴とする原子層ドーピングによる半導体のオーム性
電極を形成する手段がある。
【００１０】また、この場合の原子層ドーピングする不
純物は、シリコン（Ｓｉ）を使用する。この場合では、
原子層ドーピング層と金属電極の間に形成する十分にキ
ャリアがトンネリングする半導体の厚みとしては、Ｉｎ
ＧａＰ半導体基板材とＴｉ／Ａｕ電極材の場合は５ｎｍ
前後が、良好なる半導体のオーム性電極構造形成でき
る。前記の基板材、電極材、ドープ材の組み合わせ以外
にも、任意の材料の組み合わせでも実現可能であり、例
えば、半導体基板としては、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体、
ゲルマニューム、ガリウムヒ素等があり、電極材料とし
ては、アルミ、白金、タングステン等があり、不純物と
しては、錫、カーボン、ベリリウム、亜鉛等があり、こ
れら３つの各種材料の組み合わせにおいても、フェルミ
準位以上に到達する範囲３５に原子層をドープ形成する
ことにより、従来より一層安定な低接触特性をもつオー
ム性接触の電極構造を実現できる。
純物は、シリコン（Ｓｉ）を使用する。この場合では、
原子層ドーピング層と金属電極の間に形成する十分にキ
ャリアがトンネリングする半導体の厚みとしては、Ｉｎ
ＧａＰ半導体基板材とＴｉ／Ａｕ電極材の場合は５ｎｍ
前後が、良好なる半導体のオーム性電極構造形成でき
る。前記の基板材、電極材、ドープ材の組み合わせ以外
にも、任意の材料の組み合わせでも実現可能であり、例
えば、半導体基板としては、Ｐ型半導体、Ｎ型半導体、
ゲルマニューム、ガリウムヒ素等があり、電極材料とし
ては、アルミ、白金、タングステン等があり、不純物と
しては、錫、カーボン、ベリリウム、亜鉛等があり、こ
れら３つの各種材料の組み合わせにおいても、フェルミ
準位以上に到達する範囲３５に原子層をドープ形成する
ことにより、従来より一層安定な低接触特性をもつオー
ム性接触の電極構造を実現できる。
【００１１】
【作用】本方法により得られる金属と半導体の接触のエ
ネルギバンド図を図１に示す。原子層ドーピングの位置
ｄは、電子がｄの厚さの半導体を十分に透過できるよう
に設定する。
ネルギバンド図を図１に示す。原子層ドーピングの位置
ｄは、電子がｄの厚さの半導体を十分に透過できるよう
に設定する。
【００１２】原子層ドーピングの量は原子層ドーピング
により発生する井戸の底１２がほぼフェルミ凖位に到達
する範囲３５で行う。このことにより、半導体に注入さ
れる電子はショットキ障壁高さφＢに無関係に半導体に
注入される。この結果オーム性接触となると共に最適な
ドーピング量により低い接触抵抗が得られる。
により発生する井戸の底１２がほぼフェルミ凖位に到達
する範囲３５で行う。このことにより、半導体に注入さ
れる電子はショットキ障壁高さφＢに無関係に半導体に
注入される。この結果オーム性接触となると共に最適な
ドーピング量により低い接触抵抗が得られる。
【００１３】また、本方法による限り、ドーピング位置
と量により特性は一義的に定まり、良好なオーム性接触
特性と低接触特性が安定に得られる。従って、形成方法
も安定で容易である。
と量により特性は一義的に定まり、良好なオーム性接触
特性と低接触特性が安定に得られる。従って、形成方法
も安定で容易である。
【００１４】
【実施例】本発明では、金属電極２２と半導体２０との
接合界面近傍に不純物を原子層ドーピング処理すること
で、一層安定な低接触特性をもつオーム性接触を得る電
極構造を形成する。ここで、原子層ドーピング（dopin
g）とは、プレーナードーピングとも称され、不純物原
子を半導体結晶中に注入して、ある電気抵抗値を与える
方法であり、同一原子層上にドーピングを行う方法であ
り、ドーピングされた原子の分布がデルタ関数の様に分
布する。
接合界面近傍に不純物を原子層ドーピング処理すること
で、一層安定な低接触特性をもつオーム性接触を得る電
極構造を形成する。ここで、原子層ドーピング（dopin
g）とは、プレーナードーピングとも称され、不純物原
子を半導体結晶中に注入して、ある電気抵抗値を与える
方法であり、同一原子層上にドーピングを行う方法であ
り、ドーピングされた原子の分布がデルタ関数の様に分
布する。
【００１５】原子層ドーピングを行うには、分子線結晶
成長装置や気相結晶成長装置などがある。本実施例で
は、ガリウムひ素デバイス等を製造する結晶成長装置を
使用した場合の例で説明する。
成長装置や気相結晶成長装置などがある。本実施例で
は、ガリウムひ素デバイス等を製造する結晶成長装置を
使用した場合の例で説明する。
【００１６】図２に示す結晶断面構造図のように、イン
ジューム・ガリウム・リン（ＩｎＧａＰ）を半導体基板
とし、この上に形成する電極２２としてチタン／金（Ｔ
ｉ／Ａｕ）電極材料を用い、このときにドープする不純
物をシリコン（Ｓi）とした場合の例で以下に説明す
る。
ジューム・ガリウム・リン（ＩｎＧａＰ）を半導体基板
とし、この上に形成する電極２２としてチタン／金（Ｔ
ｉ／Ａｕ）電極材料を用い、このときにドープする不純
物をシリコン（Ｓi）とした場合の例で以下に説明す
る。
【００１７】まず半導体基板２８としてＩｎＧａＰ半
導体基板を結晶成長させる。ＭＥＢ（M elecular Beam
Esitaxy）法の例では、個体のＩｎ、Ｇａと、ＰＨ3を用
い、これを気化照射して半導体基板２８を成長形成させ
ます。 やがて、所望の厚みの数ｎｍ手前迄形成したら、Ｉ
ｎ、Ｇａの気化照射を止めてＩｎＧａＰ結晶層の成長を
一時停止させます。 次に、ＰＨ3と共にＩｎＧａＰ結晶に対して不純物で
あるドーピング物質のシリコン（Ｓｉ）を気化照射して
原子層ドーピングさせる。このドーピング層２６のドー
プ量としては、１原子層に満たない１０13〜１０14原子
数／ｃｍー2程度の微量のドーピング層２６を形成する。 その後、再びＩｎＧａＰ半導体薄膜基板２４を数ｎｍ
結晶成長させてＩｎＧａＰ半導体の形成を停止する。こ
こで、このＩｎＧａＰ層の厚みｄは、主に使用する２つ
の半導体基板ＩｎＧａＰとＴｉ／Ａｕ金属電極材の関係
で決まり、本材料の場合ｄ＝５ｎｍで良好な結果が得ら
れている。他の使用材料においては、一般におよそ１０
ｎｍ以下であれば良好な結果が期待できる。最後に金属
電極２２をこの上に形成して電極構造の形成が終了す
る。
導体基板を結晶成長させる。ＭＥＢ（M elecular Beam
Esitaxy）法の例では、個体のＩｎ、Ｇａと、ＰＨ3を用
い、これを気化照射して半導体基板２８を成長形成させ
ます。 やがて、所望の厚みの数ｎｍ手前迄形成したら、Ｉ
ｎ、Ｇａの気化照射を止めてＩｎＧａＰ結晶層の成長を
一時停止させます。 次に、ＰＨ3と共にＩｎＧａＰ結晶に対して不純物で
あるドーピング物質のシリコン（Ｓｉ）を気化照射して
原子層ドーピングさせる。このドーピング層２６のドー
プ量としては、１原子層に満たない１０13〜１０14原子
数／ｃｍー2程度の微量のドーピング層２６を形成する。 その後、再びＩｎＧａＰ半導体薄膜基板２４を数ｎｍ
結晶成長させてＩｎＧａＰ半導体の形成を停止する。こ
こで、このＩｎＧａＰ層の厚みｄは、主に使用する２つ
の半導体基板ＩｎＧａＰとＴｉ／Ａｕ金属電極材の関係
で決まり、本材料の場合ｄ＝５ｎｍで良好な結果が得ら
れている。他の使用材料においては、一般におよそ１０
ｎｍ以下であれば良好な結果が期待できる。最後に金属
電極２２をこの上に形成して電極構造の形成が終了す
る。
【００１８】上記工程で形成した電極構造のオーム性接
触特性と接触抵抗値の実測値を図３に示す。この実測値
では、原子層ドーピングによるシ−トキャリア濃度（sh
eetcarrier concentration）が２×１０13〜２×１０14
ｃｍ-2の範囲３５内で、良好なるオーム性接触特性を示
し、この時の固有抵抗値としては５〜６×１０-6Ωｃｍ
2 の抵抗値を得た。特に原子層ドーピングの濃度が７×
１０13ｃｍ-2のキャリア濃度３６位置では５×１０-6Ω
ｃｍ2 の最低値を示し、本値は合金化により得られる値
とほぼ同程度の良好な低抵抗値である。このことは原子
層ドーピングと電極間の半導体の厚みは、十分にキャリ
アがトンネリングできる厚さに形成されていることをも
意味している。
触特性と接触抵抗値の実測値を図３に示す。この実測値
では、原子層ドーピングによるシ−トキャリア濃度（sh
eetcarrier concentration）が２×１０13〜２×１０14
ｃｍ-2の範囲３５内で、良好なるオーム性接触特性を示
し、この時の固有抵抗値としては５〜６×１０-6Ωｃｍ
2 の抵抗値を得た。特に原子層ドーピングの濃度が７×
１０13ｃｍ-2のキャリア濃度３６位置では５×１０-6Ω
ｃｍ2 の最低値を示し、本値は合金化により得られる値
とほぼ同程度の良好な低抵抗値である。このことは原子
層ドーピングと電極間の半導体の厚みは、十分にキャリ
アがトンネリングできる厚さに形成されていることをも
意味している。
【００１９】なお、オーム性接触特性を示し始める原子
層ドーピング濃度２×１０13ｃｍ-2は、図１に示す井戸
の底１２がフェルミ凖位に到達する濃度にほぼ一致して
いる。このことは、この井戸の底１２にあるフェルミ凖
位に原子層ドーピング濃度を与えることが最良のドーピ
ング条件であることを意味している。
層ドーピング濃度２×１０13ｃｍ-2は、図１に示す井戸
の底１２がフェルミ凖位に到達する濃度にほぼ一致して
いる。このことは、この井戸の底１２にあるフェルミ凖
位に原子層ドーピング濃度を与えることが最良のドーピ
ング条件であることを意味している。
【００２０】上記実施例の説明では、半導体基板をＩｎ
ＧａＰとし、電極材料をＴｉ／Ａｕとし、このときドー
プする不純物をＳiとした場合の電極構造例であった
が、この他の電極構造でも、半導体基板（例えばＰ型半
導体、Ｎ型半導体、ゲルマニューム、ガリウムヒ素等）
と、電極材料（例えばアルミ、白金、タングステン等）
と、半導体基板に対する不純物であるドーピング物質
（例えば錫、カーボン、ベリリウム、亜鉛等）の、これ
ら３つの各種組み合わせ使用による電極構造の形成で
も、同様にフェルミ準位以上に到達する範囲３５に原子
層をドープ形成する原子ドーピング層を形成することに
より、従来より一層安定な低接触特性をもつオーム性接
触を実現可能である。換言すれば、電極材料については
導電性があり、かつ半導体と良好な接合を形成する電極
材であれば何れでも良く、又、ドーピング物質は、ドー
ピング可能でフェルミ凖位に到達する不純物であれば何
れの不純物でも良い。このときの、半導体材料について
も特に制約はなく全ての半導体において適用実施可能で
ある。
ＧａＰとし、電極材料をＴｉ／Ａｕとし、このときドー
プする不純物をＳiとした場合の電極構造例であった
が、この他の電極構造でも、半導体基板（例えばＰ型半
導体、Ｎ型半導体、ゲルマニューム、ガリウムヒ素等）
と、電極材料（例えばアルミ、白金、タングステン等）
と、半導体基板に対する不純物であるドーピング物質
（例えば錫、カーボン、ベリリウム、亜鉛等）の、これ
ら３つの各種組み合わせ使用による電極構造の形成で
も、同様にフェルミ準位以上に到達する範囲３５に原子
層をドープ形成する原子ドーピング層を形成することに
より、従来より一層安定な低接触特性をもつオーム性接
触を実現可能である。換言すれば、電極材料については
導電性があり、かつ半導体と良好な接合を形成する電極
材であれば何れでも良く、又、ドーピング物質は、ドー
ピング可能でフェルミ凖位に到達する不純物であれば何
れの不純物でも良い。このときの、半導体材料について
も特に制約はなく全ての半導体において適用実施可能で
ある。
【００２１】上記実施例の説明では、結晶成長装置の場
合で説明していたが、所望により上記説明の原子層ドー
ピングの形成が可能な他のドーピング手段（例えば気相
結晶成長装置等）を使用しても良く、同様にしてフェル
ミ準位以上に到達する範囲３５に原子層をドープ形成し
た後電極を形成することにより、安定な低接触特性をも
つオーム性接触を実現可能である。
合で説明していたが、所望により上記説明の原子層ドー
ピングの形成が可能な他のドーピング手段（例えば気相
結晶成長装置等）を使用しても良く、同様にしてフェル
ミ準位以上に到達する範囲３５に原子層をドープ形成し
た後電極を形成することにより、安定な低接触特性をも
つオーム性接触を実現可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明は上記の如く、半導体と金属電極
の接合界面近傍の半導体内層部に接触面近傍の電子濃度
を高める不純物を原子層ドーピングの層を設けることに
より、電極材料である金属と半導体材料間のショットキ
障壁高さφＢを下げて、安定な低接触特性をもつオーム
性接触を得る効果が得られる。またその特性はドーピン
グ位置と量により一義的に定まり工業的にも容易に形成
可能である。
の接合界面近傍の半導体内層部に接触面近傍の電子濃度
を高める不純物を原子層ドーピングの層を設けることに
より、電極材料である金属と半導体材料間のショットキ
障壁高さφＢを下げて、安定な低接触特性をもつオーム
性接触を得る効果が得られる。またその特性はドーピン
グ位置と量により一義的に定まり工業的にも容易に形成
可能である。
【図１】本発明の、金属と半導体との接触界面に不純物
を原子層ドーピングした場合のエネルギバンド図であ
る。
を原子層ドーピングした場合のエネルギバンド図であ
る。
【図２】本発明の、実験に供した試料の構造図である。
【図３】本発明の、実験により得た金属と半導体間の接
触抵抗とシ−トキャリア濃度の特性図である。
触抵抗とシ−トキャリア濃度の特性図である。
１２ 井戸の底 ２０ 半導体 ２２ 電極 ２４ ＩｎＧａＰ半導体薄膜基板 ２６ ドーピング層 ２８ 半導体基板 ３５ 範囲 ３６ キャリア濃度 φＢ ショットキ障壁高さ ｄ 原子ドーピングの位置
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体上に形成するオーム性電極におい
て、 半導体と金属電極の接合界面近傍の半導体内層部に不純
物を原子層ドーピングし、この上に電極となる金属電極
を形成したことを特徴とする原子層ドーピングによる半
導体のオーム性電極構造。 - 【請求項２】 半導体上に形成するオーム性電極におい
て、 半導体基板上に価電子帯又は伝導帯がフェルミ凖位位置
となる量の不純物を原子層ドーピングして形成し、 前記原子層ドーピング層と金属電極の間に半導体基板と
同じ半導体を、キャリアが十分にトンネリングする厚み
に結晶成長させて形成し、 前記で形成した半導体の上に電極となる金属電極を形成
し、 以上のプロセスによりオーム性電極を形成したことを特
徴とする原子層ドーピングによる半導体のオーム性電極
構造及びその形成方法。 - 【請求項３】 半導体上に形成するオーム性電極におい
て、 ＩｎＧａＰ半導体基板上に、価電子帯又は伝導帯がフェ
ルミ凖位位置となる量即ち、シ−トキャリア濃度２×１
０13〜２×１０14ｃｍ-2範囲による高濃度電子層の不純
物を原子層ドーピングして形成し、 前記原子層ドーピング層と金属電極の間にＩｎＧａＰ半
導体を、十分にキャリアがトンネリングする厚みに結晶
成長させて形成し、 前記で形成したＩｎＧａＰ半導体の上に電極となる金属
電極を形成し、 以上のプロセスによりオーム性電極を形成したことを特
徴とする原子層ドーピングによる半導体のオーム性電極
構造及びその形成方法。 - 【請求項４】 原子層ドーピングする不純物は、シリコ
ンを使用する請求項３記載の原子層ドーピングによる半
導体のオーム性電極構造及びその形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7240577A JPH0964336A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 原子層ドーピングによる半導体のオーム性電極構造及びその形成方法 |
| US08/703,105 US5793109A (en) | 1995-08-25 | 1996-08-26 | Structure of ohmic electrode for semiconductor by atomic layer doping |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7240577A JPH0964336A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 原子層ドーピングによる半導体のオーム性電極構造及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964336A true JPH0964336A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=17061594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7240577A Withdrawn JPH0964336A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 原子層ドーピングによる半導体のオーム性電極構造及びその形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5793109A (ja) |
| JP (1) | JPH0964336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800544B2 (en) | 2000-09-06 | 2004-10-05 | President Of Tohoku University | Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541353B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer doping apparatus and method |
| US6833556B2 (en) | 2002-08-12 | 2004-12-21 | Acorn Technologies, Inc. | Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel |
| US7084423B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-08-01 | Acorn Technologies, Inc. | Method for depinning the Fermi level of a semiconductor at an electrical junction and devices incorporating such junctions |
| US7892915B1 (en) * | 2006-03-02 | 2011-02-22 | National Semiconductor Corporation | High performance SiGe:C HBT with phosphorous atomic layer doping |
| CN107578994B (zh) | 2011-11-23 | 2020-10-30 | 阿科恩科技公司 | 通过插入界面原子单层改进与iv族半导体的金属接触 |
| US9620611B1 (en) | 2016-06-17 | 2017-04-11 | Acorn Technology, Inc. | MIS contact structure with metal oxide conductor |
| WO2018094205A1 (en) | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Acorn Technologies, Inc. | Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224225A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-12 | Fujitsu Ltd | 電界効果半導体装置 |
| JP3376078B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2003-02-10 | 富士通株式会社 | 高電子移動度トランジスタ |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP7240577A patent/JPH0964336A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-08-26 US US08/703,105 patent/US5793109A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800544B2 (en) | 2000-09-06 | 2004-10-05 | President Of Tohoku University | Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5793109A (en) | 1998-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |